JP4524084B2 - 半導体ウェーハのローディング装置およびローディング方 - Google Patents
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Description
図5に示す研磨装置が既に市販されている。
下記特許文献1、2には、リテーナ12を基準にして、半導体ウェーハ30の中心をチャック11の中心に一致させるセンタリングを行う技術が記載されている。特許文献1には、リテーナ外周を、ローディング機構側のガイドピンに嵌合させることによりセンタリングを行う技術が記載されている。特許文献2には、フローティング構造のリングをリテーナ下面外周部に嵌合させることでセンタリングを行う技術が記載されている。
半導体ウェーハが載置されるプレートと、半導体ウェーハの中心方向に移動することにより半導体ウェーハの側面に接近するセンタリング部材とが設けられたローディング機構と、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し半導体ウェーハと同一の径を有しプレート上の半導体ウェーハを前記真空引きによって吸着して当該半導体ウェーハをローディングするチャックとを備えた半導体ウェーハのローディング装置において、
チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に接近可能であってプレートの周方向に設けられた複数のセンタリング部材と、
複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径が半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)になるまで各センタリング部材を半導体ウェーハの中心に向かって移動させ、各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させるプレート移動機構と
を備えたことを特徴とする。
半導体ウェーハが載置されるプレートと、半導体ウェーハの中心方向に移動することにより半導体ウェーハの側面に近接するセンタリング部材とが設けられたローディング機構と、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し半導体ウェーハと同一の径を有しプレート上の半導体ウェーハを前記真空引きによって吸着して当該半導体ウェーハをローディングするチャックと、チャックの側面から所定距離離間されて配置されたリテーナとが設けられた研磨ヘッドとを備えたローディング装置において、
センタリング部材がチャックの側面に接近できるように、チャックに対してリテーナを相対移動させるリテーナ移動機構と、
チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に接近可能であってプレートの周方向に設けられた複数のセンタリング部材と、
複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径が半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)になるまで各センタリング部材を半導体ウェーハの中心に向かって移動させ、各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させるプレート移動機構と
を備えたことを特徴とする。
プレート上の半導体ウェーハを、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し当該半導体ウェーハと同一の径を有するチャックで前記真空引きによって吸着することにより半導体ウェーハのローディングを行う半導体ウェーハのローディング方法において、
チャックが半導体ウェーハを把持できる位置までチャックをプレートに対して相対移動させる工程と、
プレートの周方向に配置された複数のセンタリング部材を半導体ウェーハの中心方向に移動させて各センタリング部材を、チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に近接させる工程と、
各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させる工程と、
各センタリング部材を移動させ、複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径を半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)にした時点で、各センタリング部材の移動を停止させる工程と、
プレート上の半導体ウェーハをチャックで把持して半導体ウェーハをローディングする工程と
を含むことを特徴とする。
プレート上の半導体ウェーハを、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し当該半導体ウェーハと同一の径を有する研磨ヘッドのチャックで前記真空引きによって吸着することにより半導体ウェーハのローディングを行う半導体ウェーハのローディング方法において、
センタリング部材がチャックの側面に接近できるように、チャックに対してリテーナを相対移動させる工程と、
チャックが半導体ウェーハを吸着できる位置までチャックをプレートに対して相対移動させる工程と、
プレートの周方向に配置された複数のセンタリング部材を半導体ウェーハの中心方向に移動させて各センタリング部材を、チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に近接させる工程と、
各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させる工程と、
各センタリング部材を移動させ、複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径を半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)にした時点で、各センタリング部材の移動を停止させる工程と、
プレート上の半導体ウェーハをチャックで吸着して半導体ウェーハをローディングする工程と
を含むことを特徴とする。
11 チャック
12 リテーナ
20 ローディング機構
21 トッププレート
22 センタリングピン
30 半導体ウェーハ
Claims (4)
- 半導体ウェーハが載置されるプレートと、半導体ウェーハの中心方向に移動することにより半導体ウェーハの側面に接近するセンタリング部材とが設けられたローディング機構と、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し半導体ウェーハと同一の径を有しプレート上の半導体ウェーハを前記真空引きによって吸着して当該半導体ウェーハをローディングするチャックとを備えた半導体ウェーハのローディング装置において、
チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に接近可能であってプレートの周方向に設けられた複数のセンタリング部材と、
複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径が半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)になるまで各センタリング部材を半導体ウェーハの中心に向かって移動させ、各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させるプレート移動機構と
を備えたことを特徴とする半導体ウェーハのローディング装置。 - 半導体ウェーハが載置されるプレートと、半導体ウェーハの中心方向に移動することにより半導体ウェーハの側面に近接するセンタリング部材とが設けられたローディング機構と、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し半導体ウェーハと同一の径を有しプレート上の半導体ウェーハを前記真空引きによって吸着して当該半導体ウェーハをローディングするチャックと、チャックの側面から所定距離離間されて配置されたリテーナとが設けられた研磨ヘッドとを備えたローディング装置において、
センタリング部材がチャックの側面に接近できるように、チャックに対してリテーナを相対移動させるリテーナ移動機構と、
チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に接近可能であってプレートの周方向に設けられた複数のセンタリング部材と、
複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径が半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)になるまで各センタリング部材を半導体ウェーハの中心に向かって移動させ、各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させるプレート移動機構と
を備えたことを特徴とする半導体ウェーハのローディング装置。 - プレート上の半導体ウェーハを、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し当該半導体ウェーハと同一の径を有するチャックで前記真空引きによって吸着することにより半導体ウェーハのローディングを行う半導体ウェーハのローディング方法において、
チャックが半導体ウェーハを把持できる位置までチャックをプレートに対して相対移動させる工程と、
プレートの周方向に配置された複数のセンタリング部材を半導体ウェーハの中心方向に移動させて各センタリング部材を、チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に近接させる工程と、
各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させる工程と、
各センタリング部材を移動させ、複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径を半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)にした時点で、各センタリング部材の移動を停止させる工程と、
プレート上の半導体ウェーハをチャックで把持して半導体ウェーハをローディングする工程と
を含む半導体ウェーハのローディング方法。 - プレート上の半導体ウェーハを、下面にその周方向に沿って形成されるシール部及び当該シール部の内側に形成された溝に真空引きを行うための孔を有し当該半導体ウェーハと同一の径を有する研磨ヘッドのチャックで前記真空引きによって吸着することにより半導体ウェーハのローディングを行う半導体ウェーハのローディング方法において、
センタリング部材がチャックの側面に接近できるように、チャックに対してリテーナを相対移動させる工程と、
チャックが半導体ウェーハを吸着できる位置までチャックをプレートに対して相対移動させる工程と、
プレートの周方向に配置された複数のセンタリング部材を半導体ウェーハの中心方向に移動させて各センタリング部材を、チャックの側面とプレート上の半導体ウェーハの側面の両方に近接させる工程と、
各センタリング部材の移動の際に何れかのセンタリング部材がチャックに当接した場合に、当該当接したセンタリング部材に向かってプレートを移動させると共に半導体ウェーハの中心に向かって残りのセンタリング部材を移動させる工程と、
各センタリング部材を移動させ、複数のセンタリング部材によって形成される周形の直径を半導体ウェーハの直径+α(αはチャックの中心軸と半導体ウェーハの中心軸のズレ許容量であってチャックが半導体ウェーハを吸着する際に真空リークが防止される量)にした時点で、各センタリング部材の移動を停止させる工程と、
プレート上の半導体ウェーハをチャックで吸着して半導体ウェーハをローディングする工程と
を含む半導体ウェーハのローディング方法。
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