JP4507883B2 - センサ製造装置およびセンサ製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態が適用されたセンサ製造装置1の斜視図である。この図は、センサ製造中の一工程におけるセンサ製造装置1の様子を示したものであり、他の工程では図1と異なる形態になる場合もある。
IC保持部51bは、基台1aに対して矢印B方向に回動可能な構成となっている。IC保持部51bには、基台1aに対して回動可能に組みつけられた回転板51dと、回転板51dから上方に突き出るように備えられた複数の隔壁51eと、複数の隔壁51eの間に構成される溝部51fと、溝部51f内を摺動できる保持部51gが備えられている。このIC保持部51bのうちの図1中の点線で囲んだ部位にICチップ100が搭載できるようになっている。そして、保持部51gが溝部51f内を摺動することで、保持部51gの両端に備えられた爪部51hと回転板51dとの間にICチップ100を保持できるようになっている。
ここで示す図3〜図5に示す工程は、図24におけるワイヤ準備工程、ワイヤカット工程、シース皮剥き工程、絶縁被覆ハーフスリット工程に相当するものである。この工程は、上述したセンサ製造装置1以外の部分で行われるものであり、この工程を経てからセンサ製造装置1での加工工程が行われる。まず、図3に示すようにワイヤ2を用意する。このワイヤ2は、金属配線2cが絶縁被覆2aによって覆われ、さらに絶縁被覆2aがシース皮2bによって覆われた構成となっている。次に、図4に示すようにシース皮2b剥き工程によって、ワイヤ2のシース皮2bの所定部分を取り除く。そして、図5に示すように絶縁被覆2aの皮剥き工程によって、絶縁被覆2aの所定部分を取り除き、金属配線2cを露出させる。
図6〜図9に示す工程は、図24におけるフォーミング工程に相当する。まず、図6に示すように、センサ製造装置1として、上述した基台1aに挟持部3とホットメルト型4の下型4aを備えていると共に、ホットメルト型4よりもワイヤ2の先端側に位置する場所に支持部52が備えられ、さらに、ホットメルト型4の下型4aに対応するフォーミング用の上型53が備えられたものを用意する。これら支持部52およびフォーミング用の上型53も、金属配線2cの溶接等の加工を行う治具5の一部に相当するものである。
図10に示す工程は、図24における品番レーザ印字工程に相当する。この図に示すように、ワイヤ2におけるシース皮2bが残された部分、具体的には挟持部3の部分に製品名などの印字を行う。このとき、印字は、金属配線2cおよび絶縁被覆2aのうち曲げ加工された部位から所定距離の場所に正確に行われることになる。
図11〜図14に示す工程は、図24に示す芯線抵抗溶接、切断工程に相当する。まず、図11に示すように、ホルダ51aを設置する。このホルダ51aは、治具を挿入するための穴51iが開けられたものである。このホルダ51aの穴51iの上に金属配線2cが位置するようにホルダ51aを基台1aに対して位置合わせする。
図15〜図17に示す工程は、図24に示すリード抵抗溶接工程に相当する。まず、図15に示すように、基台1aに取付けられた回転版51dを回動させ抵抗溶接が可能な位置へ変更するIC保持部51bにおける所定部位に図25(a)に示されるICチップ100を設置する。これにより、ICチップ100から引き出されたリード100aが金属配線2cとオーバラップするように配置される。
図18〜図23に示す工程は、図24におけるホットメルト成形工程に相当する。まず、図18に示すように、ホルダ51aを取り除いた後、ホットメルト型4の一部を構成する入れ子55を基台1aに取り付ける。また、図19に示されるように、ランナー56aが形成された3層の成形型56b〜56dを配置する。これにより、3層の成形型と、入れ子と、IC保持部51bと、上型4bおよび下型4aによるホットメルト型4が構成される。そして、3層の成形型56b〜56dに形成されているランナー56aを通じて樹脂を注入することで、ICチップ100および金属配線2cと絶縁被覆2aとシース皮2bの一部などが樹脂6内に埋め込まれることになる。
上記実施形態では、製品番号の印字を含めた各加工工程が図1に示したセンサ製造装置1によって行えるような例を挙げたが、製品番号の印字に関しては、製品の精度などにはあまり関係がない部分であるため、例えば、ホットメルトを形成した後に行っても問題はない。
Claims (6)
- 金属配線(2c)を絶縁被覆(2a)とシース皮(2b)で覆って構成されたワイヤ(2)の先端において、リード(100a)を介してICチップ(100)を前記金属配線(2c)に電気的に接続したのち、前記金属配線(2c)と前記ICチップ(100)とを樹脂にて封止することで形成したホットメルト(7)を有してなるセンサの製造装置であって、
上下方向に貫通する穴が形成された基台(1a)と、
前記基台に設置され、前記シース皮(2b)が剥がされて前記絶縁被覆(2a)が露出していると共に、前記絶縁被覆(2a)が剥がされて前記金属配線(2c)が露出している前記ワイヤ(2)の先端を搭載し、前記ワイヤ(2)における前記絶縁被覆(2a)が露出した部分において凹部(4aa)が形成された下型(4a)と、
前記下型(4a)における前記凹部(4aa)と対応する突起部(4ba、53a)が備えられている上型(4b、53)と、
前記基台(1a)の穴から挿入されることで前記基台(1a)に設置され、前記上型(4b、53)の前記突起部(4ba、53a)を前記下型(4a)の前記凹部(4aa)に嵌め込むことで前記ワイヤ(2)における前記絶縁被覆(2a)を曲げ加工したときに、曲げ加工を行ったままの前記上型(4b、53)および前記下型(4a)の間に保持された前記ワイヤ(2)の先端を支持するホルダ(51a)と、
前記ホルダ(51a)に形成された治具挿入用の穴を通じて挿入される下側電極(54a)と、
前記下側電極(54a)の上方に配置された、前記下側電極(54a)と対向する上側電極(54b)と、
前記上側電極(54b)と前記下側電極(54a)との間に、リード(100a)が引き出されたICチップ(100)を導くIC保持部(51b)と、
前記基台(1a)の穴から、前記ホルダ(51a)に代わって挿入される入れ子(55)と、
前記ICチップ(100)の上方に配置され、前記上型(4b、53)、前記下型(4a)、前記IC保持部(51b)および前記入れ子(55)と共に、ホットメルト型を構成する成形型(56)と、を有していることを特徴とするセンサ製造装置。 - 前記上型(4b、53)は、前記絶縁被覆(2a)および前記金属配線(2c)を曲げるフォーミング用の上型(53)と、前記フォーミング用の上型(53)によって前記絶縁被覆(2a)および前記金属配線(2c)が曲げられた後に、曲げ形状を確保するためのホットメルト型として用いられる上型(4b)とを有して構成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサ製造装置。
- 前記フォーミング用の上型(53)は、前記突起部(53a)よりも前記ワイヤ(2)の先端側において、前記上型(53)の前記突起部(53a)を前記下型(4a)の前記凹部(4aa)に嵌め込んだときに、前記ワイヤ(2)の先端部分を押し下げるテーパ面(53b)が備えられていることを特徴とする請求項2に記載のセンサ製造装置。
- 前記ホットメルト型として用いられる前記上型(4b)の一端側には、固定溝(4bb)が形成され、該上型(4b)は、前記固定溝(4bb)とは反対側となる他端側において前記下型(4a)の一側面に支持されており、
前記下型(4a)のうち、前記上型(4b)が支持されている側とは反対側の側面において、前記上型(4b)の前記固定溝(4bb)に嵌め込まれることにより、前記上型(4b)が前記絶縁被覆(2a)および前記金属配線(2c)の復元力によって浮き上がることを防止するフック部(4c)が支持されていることを特徴とする請求項2または3に記載のセンサ製造装置。 - 前記IC保持部(51b)は、前記基台(1a)に対して回転可能に取り付けられた回転板(51d)を備えていると共に、該回転板(51d)の上に備えられた複数の隔壁(51e)によって形成された溝部(51f)を備えており、該溝部(51f)の両端において、前記ICチップ(100)を保持できるように構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のセンサ製造装置。
- 金属配線(2c)を絶縁被覆(2a)とシース皮(2b)で覆って構成されたワイヤ(2)の先端において、リード(100a)を介してICチップ(100)を前記金属配線(2c)に電気的に接続したのち、前記金属配線(2c)と前記ICチップ(100)とを樹脂にて封止することで形成したホットメルト(7)を有してなるセンサの製造方法であって、
上下方向に貫通する穴が形成された基台(1a)に、凹部(4aa)が形成された下型(4a)を設置したものを用意する工程と、
前記シース皮(2b)が剥がされて前記絶縁被覆(2a)が露出していると共に、前記絶縁被覆(2a)が剥がされて前記金属配線(2c)が露出している前記ワイヤ(2)の先端を前記下型(4a)における前記凹部(4aa)の上に搭載する工程と、
前記下型(4a)における前記凹部(4aa)と対応する突起部(4ba、53a)が備えられている上型(4b、53)を用意し、該上型(4b、53)の突起部(4ba、53a)を前記下型(4a)の前記凹部(4aa)に嵌め込むことで、前記前記ワイヤ(2)における前記絶縁被覆(2a)を曲げ加工する工程と、
前記曲げ加工された前記ワイヤ(2)を前記上型(4b、53)および前記下型(4a)の間に保持したまま、前記基台(1a)の穴から治具挿入用の穴が形成されたホルダ(51a)を挿入することで、前記基台(1a)に前記ホルダ(51a)を設置する工程と、
前記ホルダ(51a)に形成された治具挿入用の穴を通じて下側電極(54a)を挿入する工程と、
前記下側電極(54a)の上方に、前記下側電極(54a)と対向する上側電極(54b)を配置する工程と、
前記上側電極(54b)および前記下側電極(54a)の間に前記金属配線(2c)を挟み込んだ後、前記上側電極(54b)と前記下側電極(54a)との間に電流を流すことで前記金属配線(2c)を抵抗溶接する工程と、
リード(100a)が引き出されたICチップ(100)をIC保持部(51b)にて保持したのち、前記上側電極(54b)と前記下側電極(54a)との間において、前記リード(100a)が前記金属配線(2c)とオーバラップするように、前記IC保持部(51b)によって前記ICチップ(100)を導く工程と、
前記上側電極(54b)および前記下側電極(54a)の間に前記金属配線(2c)と前記リード(100a)を挟み込んだ後、前記上側電極(54b)と前記下側電極(54a)との間に電流を流すことで前記金属配線(2c)と前記リード(100a)を抵抗溶接する工程と、
前記ホルダ(51a)に代えて、前記ホットメルト(7)を形成するためのホットメルト型の一部を構成する入れ子(55)を前記基台(1a)の穴に挿入する工程と、
前記金属配線(2c)および前記リード(100a)の上方に、前記ホットメルト型の一部を構成する成形型(56)を配置する工程と、
前記上型(4b、53)、前記下型(4a)、前記IC保持部(51b)、前記入れ子(55)および前記成形型(56)を前記ホットメルト型として、該ホットメルト型内に樹脂を注入することで、前記ICチップ(100)と前記金属配線(2c)が樹脂封入されて構成される前記ホットメルト(7)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とするセンサ製造方法。
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JPH06252188A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子の製造方法および製造装置 |
JP2000348791A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-15 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | フラットケーブルと電線の接続構造 |
JP2004034467A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Yamatake Corp | 電気部品の封止構造体および封止方法 |
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