JP4506848B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
インバータ42及び昇圧コンバータ41における各アームは、スイッチング用半導体素子92と、これに逆並列接続された還流用半導体素子93とからなる。そして、図8に示すような、一つのスイッチング用半導体素子92と一つの還流用半導体素子93とをモジュール化した、一つの半導体モジュール9によって、各アームを構成することができる(特許文献1)。
そこで、特許文献2においては、スイッチング用半導体素子92と還流用半導体素子93とを交互に配置して、スイッチング用半導体素子92同士が互いに隣接しない配置としている。
それゆえ、力行時及び回生時を全体的にみて、還流用半導体素子93よりもスイッチング用半導体素子92の方が発熱量が大きくなりやすい。
上記還流用半導体素子は、上記2個のスイッチング用半導体素子の間に配置され、これら2種類の半導体素子の配列方向の両端部に、上記スイッチング用半導体素子が配置され、
上記半導体モジュールは、上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子を内蔵した正面視長方形状の本体部を有し、上記スイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子は、これらの長手方向を上記本体部の短辺と平行な方向に配置してあり、
上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子は、一対の放熱板によって挟持され、
上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子における一方の主面には、上記放熱板との間に介在した熱伝導性及び導電性を有するスペーサが積層されており、
上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子と、上記スペーサと、上記一対の放熱板との積層体は、樹脂によってモールドされることにより、上記本体部を構成しており、
該本体部の上記長方形状の一方の長辺を構成する一方の端面から、上記一対の放熱板にそれぞれ電気的に接続された一対の電極端子が突出し、
上記本体部の上記長方形状の他方の長辺を構成する他方の端面から、上記スイッチング用半導体素子を制御する制御回路基板に接続するための信号端子が突出し、
上記2個のスイッチング用半導体素子と上記還流用半導体素子との配列方向は、これらの主面の法線方向と上記電極端子の突出方向及び上記信号端子の突出方向とに直交する方向であることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項1)。
上記半導体モジュールは、互いに並列接続された複数のスイッチング用半導体素子を内蔵している。それゆえ、複数のスイッチング用半導体素子を並列接続した回路を有する電力変換装置等の装置において、部品点数を少なくすることができ、小型化を実現することが容易となる。
これにより、この2個のスイッチング用半導体素子が、2種類の半導体素子の配列方向の両端部に配置されることとなり、半導体モジュールの放熱性をより向上させることができる。
これにより、半導体モジュールの小型化を図ることができる。
これにより、半導体モジュールの長手方向の長さを抑制することができ、半導体モジュールの小型化を図ることができる。
本発明の実施例にかかる半導体モジュールにつき、図1〜図4を用いて説明する。
本例の半導体モジュール1は、図1に示すごとく、互いに並列接続された2個のスイッチング用半導体素子2と、該2個のスイッチング用半導体素子2に逆並列接続された少なくとも1個の還流用半導体素子3とを一体化してなる。
還流用半導体素子3は、2個のスイッチング用半導体素子2の間に配置されている。これら2種類の半導体素子の配列方向の両端部に、スイッチング用半導体素子2が配置されている。
図2に示すごとく、半導体モジュール1は、2個のスイッチング用半導体素子2および1個の還流用半導体素子3を、一対の放熱板12によって挟持した構成を有する。一方の放熱板12は、スイッチング用半導体素子2及び還流用半導体素子3の一方の主面において半田13によって接合されている。また、他方の放熱板12は、半導体素子との間に熱伝導性及び導電性に優れたスペーサ14を介在させている。スペーサ14と放熱板12との間、スペーサ14と半導体素子との間は、半田13によって接合されている。
一対の放熱板12は、一対の電極端子15にそれぞれ電気的に接続されていると共に、半導体モジュール1の両主面に露出している。電極端子15は、半導体モジュール1の本体部11における、半導体素子の配列方向に直交する方向の一方の端面から突出している。そして、その反対側の端面からは、スイッチング用半導体素子2を制御する制御回路に接続するための信号端子16が突出している。
電力変換装置4は、直流電源401と三相交流の回転電機402との間に配線された昇圧コンバータ41とインバータ42とからなる。そして、直流電源401の直流電力を、昇圧コンバータ41において昇圧した後、インバータ42によって交流電力に変換して回転電機402に供給する。逆に、回転電機402において発電された交流電力を、インバータ42において直流電力に変換し、その直流電力を昇圧コンバータ41において降圧し、直流電源401に回生する。
昇圧コンバータ41及びインバータ42における各アーム(上アーム411、421、及び下アーム412、422)は、互いに並列接続された2個のスイッチング用半導体素子2と、これらに逆並列接続された還流用半導体素子3とからなる。すなわち、二つのスイッチング用半導体素子と一つの還流用半導体素子とをモジュール化した、一つの半導体モジュール1によって、各アームを構成している。
また、2個のスイッチング用半導体素子2におけるベース端子には、それぞれ信号端子16(図1)が接続されている。
一方、降圧動作時においては、上アーム411の一対のスイッチング用半導体素子2をオンオフ制御し、下アーム412の一対のスイッチング用半導体素子2をオフとする。これにより、電流は、上アーム411のスイッチング用半導体素子2と下アーム412の還流用半導体素子3とを流れ、これらの半導体素子が発熱する。
一方、回生時にも、各アームにおけるスイッチング用半導体素子2をオンオフ制御するが、還流用半導体素子3に主に電流が流れる。それゆえ、還流用半導体素子3が主に発熱することとなる。
また、力行時は、スイッチング用半導体素子2と還流用半導体素子3との双方が発熱するものの、一般に、還流用半導体素子3の発熱量がスイッチング用半導体素子2の発熱量に較べて充分に小さくなる。これに対し、回生時は、スイッチング用半導体素子2と還流用半導体素子3との双方が発熱し、一般に、スイッチング用半導体素子2の発熱量は、還流用半導体素子3の発熱量に較べて若干少ないか、あるいは同等となる。
したがって、全体的に見て、スイッチング用半導体素子2の方が、還流用半導体素子3よりも発熱量が大きくなりやすい。
一対の冷却管5の間には、互いに直列接続された上下アームを構成する一対の半導体モジュール1が挟持されている。
冷却管5は、図4に示すごとく、複数本、互いの間に間隔を設けながら積層配置されており、隣り合う冷却管5同士は、冷媒入口541および冷媒出口542において、それぞれ連結管501によって連結されている。そして、隣り合う冷却管5の間に、半導体モジュール1が挟持されており、半導体モジュール1の両主面を、冷却管5に密着させている。
また、積層方向の一端に配置される冷却管5には、複数の冷却管5の積層体の内部に冷却媒体を導入するための冷媒導入管502と、冷却媒体を排出する冷媒排出管503が設けられている。
上記半導体モジュール1は、互いに並列接続された複数のスイッチング用半導体素子2を内蔵している。それゆえ、複数のスイッチング用半導体素子2を並列接続した回路を有する電力変換装置4において、部品点数を少なくすることができ、小型化を実現することが容易となる。
本例は、図5に示すごとく、還流用半導体素子3を複数個内蔵している半導体モジュール1の参考例である。
スイッチング用半導体素子2は、本体部11の長手方向の両端部に一対形成されている。この一対のスイッチング用半導体素子2の間に、2個の還流用半導体素子3が、本体部11の短手方向に配列している。
そして、スイッチング用半導体素子2は、その長手方向を本体部11の短辺111と平行な方向に配置している。また、2個の還流用半導体素子3は、本体部11の短辺111と平行な方向に配列している。
その他は、実施例1と同様である。
また、スイッチング用半導体素子2は、その長手方向を本体部11の短辺111と平行な方向に配置し、複数の還流用半導体素子3は、本体部11の短辺111と平行な方向に配列してあるため、半導体モジュール1の長手方向の長さを抑制することができ、半導体モジュール1の小型化を図ることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図6に示すごとく、スイッチング用半導体素子82と還流用半導体素子83との大きさをそれぞれ拡大した半導体モジュール8の例である。
すなわち、電力変換装置によって制御する電流の大電流化に対応して、各アームを構成するスイッチング用半導体素子82および還流用半導体素子83を大容量化することが考えられる。
また、スイッチング用半導体素子82および還流用半導体素子83における発熱が、それぞれ一箇所に集中することとなる。そのため、特に力行時におけるスイッチング用半導体素子82の温度上昇を抑制することが困難となる。
2 スイッチング用半導体素子
3 還流用半導体素子
Claims (1)
- 互いに並列接続された2個のスイッチング用半導体素子と、該2個のスイッチング用半導体素子に逆並列接続された1個の還流用半導体素子とを一体化してなる半導体モジュールであって、
上記還流用半導体素子は、上記2個のスイッチング用半導体素子の間に配置され、これら2種類の半導体素子の配列方向の両端部に、上記スイッチング用半導体素子が配置され、
上記半導体モジュールは、上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子を内蔵した正面視長方形状の本体部を有し、上記スイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子は、これらの長手方向を上記本体部の短辺と平行な方向に配置してあり、
上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子は、一対の放熱板によって挟持され、
上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子における一方の主面には、上記放熱板との間に介在した熱伝導性及び導電性を有するスペーサが積層されており、
上記2個のスイッチング用半導体素子及び上記還流用半導体素子と、上記スペーサと、上記一対の放熱板との積層体は、樹脂によってモールドされることにより、上記本体部を構成しており、
該本体部の上記長方形状の一方の長辺を構成する一方の端面から、上記一対の放熱板にそれぞれ電気的に接続された一対の電極端子が突出し、
上記本体部の上記長方形状の他方の長辺を構成する他方の端面から、上記スイッチング用半導体素子を制御する制御回路基板に接続するための信号端子が突出し、
上記2個のスイッチング用半導体素子と上記還流用半導体素子との配列方向は、これらの主面の法線方向と上記電極端子の突出方向及び上記信号端子の突出方向とに直交する方向であることを特徴とする半導体モジュール。
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