JP4504334B2 - 液浸リソグラフィシステム用液体 - Google Patents
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Description
本発明は、一般的には、半導体装置を製造するためのリソグラフィシステムに関する。特に、液浸リソグラフィシステムおよび液浸露光装置に用いられる液体に関する。
半導体装置は、多種多様な材料層を半導体基材またはウエハに堆積することにより製造される。これらの材料層は、リソグラフィによってパターン形成される。また、これらの材料層は、通常、集積回路(IC)を形成するためにパターン形成およびエッチングされた、導電性の材料と、半導電性の材料と、絶縁性の材料とを備えている薄膜を含んでいる。
これらの問題、およびその他問題は、一般に、本発明の好ましい実施形態によって、解決されか、または回避される。同様に、技術的な利点が達成される。本発明によって、リソグラフィシステムに用いられる新たな導電性の液体が提供される。当該液体は、半導体基材への静電放電による損傷、および、液浸リソグラフィシステムの一部への静電放電による損傷とを防ぐ。
本発明およびその利点をより完全に理解するために、本発明について、添付図面を参照しながら以下に説明する。
以下では、好ましい実施形態の構成および使用について論じる。しかし本発明が、多種多様な特定の文脈に含まれる本発明の多くの適切な概念を提供するということを、理解されたい。ここで論じるこれらの特定の実施形態は、本発明を構成および使用するための特定の方法の実例にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
Claims (14)
- 液浸リソグラフィシステム用の液体であって、
上記液体は、第1構成物と、
上記第1構成物に溶解し、上記第1構成物の抵抗を減少させる物質を含む第2構成物とを含んでなり、静電荷の電流の経路となる導電性の液体であり、
上記第1構成物が水、蒸留水、脱イオン水、または脱イオン蒸留水であり、
上記第2構成物が、酸素、または窒素からなる気体であるか、もしくは、過酸化水素である液体。 - 上記第2構成物が、上記第1構成物から沈殿しない物質を含む請求項1に記載の液体。
- 請求項1に記載の液体を含む液浸リソグラフィシステム。
- 液浸リソグラフィシステム用の液体操作装置であって、請求項1に記載の液体を供給する液体操作装置。
- 上記第2構成物を含んでいる容器と、上記第2構成物を第1構成物に混合するか、または、上記第1構成物および第2構成物の混合物を含むための事前混合チャンバと、および/または、上記第2構成物を上記第1構成物に注入するための注入システムとを含んでいる請求項4に記載の液体操作装置。
- 液浸リソグラフィシステム用の、静電荷の電流の経路となる導電性の液体を生成する方法であって、
上記方法は、第1構成物を用意し、上記第1構成物の抵抗を減少させる物質から構成されている第2構成物を、上記第1構成物に導入する方法であり、
上記第1構成物が水、蒸留水、脱イオン水、または脱イオン蒸留水であり、
上記第2構成物が、酸素、または窒素からなる気体であるか、もしくは、過酸化水素である方法。 - 上記第2構成物を導入するとき、上記第2構成物を第1構成物に溶解させる請求項6に記載の方法。
- さらに、チャンバを用意し、当該チャンバに上記第1構成物を配置する請求項6に記載の方法。
- 上記第2構成物を第1構成物に導入するとき、チャンバに圧力を加える請求項8に記載の方法。
- 上記第2構成物を導入するとき、上記第2構成物を第1構成物に注入するか、または、上記第2構成物を上記第1構成物に事前に混ぜる請求項6に記載の方法。
- 半導体基材を支える台と、
当該台に近接して配置され、一端に最終の要素を有している投影レンズシステムと、
投影レンズシステムの上記最終の要素の近くに配置され、上記台と、上記投影レンズシステムの上記最終の要素との間に、液体を配置するための複数のポートを備えている液浸ヘッドと、
導電の液体を供給する液体操作部とを備えている液浸リソグラフィシステムにおいて、
上記液体操作部は、
水、蒸留水、脱イオン水、または脱イオン蒸留水である第1構成物と、
酸素、窒素、または過酸化水素水からなり、当該第1構成物の抵抗を減少させる第2構成物とを含んでなり、静電荷の電流の経路となる導電性の液体を供給する液浸リソグラフィシステム。 - 上記台は、露光工程の間、上記投影レンズシステムに沿って動き、
上記液体は、露光工程の間、上記投影レンズシステムの上記最終の要素と上記半導体基材との間に配置される請求項11に記載の液浸リソグラフィシステム。 - 上記台の移動によって静電エネルギーが発生し、
上記液体は、上記静電エネルギーを放電し、
上記液浸ヘッドおよび半導体基材の損傷を防ぎ、
上記台が少なくとも1つの埋め込まれたセンサを含んでいるなら、当該少なくとも1つのセンサの損傷を防ぐ請求項12に記載の液浸リソグラフィシステム。 - 半導体装置のリソグラフィ方法であって、
上記方法は、ウエハ支持部と、投影レンズシステムと、当該ウエハ支持部と当該投影レンズシステムとの間に静電荷の電流の経路となる導電性の液体を配置する液浸ヘッドと、当該投影レンズシステムの近くに配置されるエネルギー供給源とを有する液浸露光装置を供給し、
放射線に感受性のある材料を有している基材を供給し、
上記基材を、上記ウエハ支持部上に配置し、
導電の上記液体を、上記基材と上記投影レンズシステムとの間に配置し、
上記エネルギー供給源から、上記基材の放射線感受性物質に、放射線を照射する方法であり、
上記液体を配置するとき、水、蒸留水、脱イオン水、または脱イオン蒸留水である第1構成物と、酸素、窒素、または過酸化水素水からなる第2構成物とを配置する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/170,200 US7291569B2 (en) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | Fluids for immersion lithography systems |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013180A JP2007013180A (ja) | 2007-01-18 |
JP4504334B2 true JP4504334B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=37074594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006179810A Expired - Fee Related JP4504334B2 (ja) | 2005-06-29 | 2006-06-29 | 液浸リソグラフィシステム用液体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7291569B2 (ja) |
EP (1) | EP1739488A1 (ja) |
JP (1) | JP4504334B2 (ja) |
KR (1) | KR100810700B1 (ja) |
TW (1) | TWI334515B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7420188B2 (en) * | 2005-10-14 | 2008-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Exposure method and apparatus for immersion lithography |
US7986395B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8564759B2 (en) * | 2006-06-29 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US20080084549A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-04-10 | Rottmayer Robert E | High refractive index media for immersion lithography and method of immersion lithography using same |
JP5482784B2 (ja) | 2009-03-10 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
CN104950585B (zh) * | 2014-03-25 | 2017-06-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸液限制机构 |
US9733577B2 (en) | 2015-09-03 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Intra-field process control for lithography |
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JP2006179909A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005080460A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 電気接続箱 |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
JP4551701B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
SG155256A1 (en) * | 2005-02-10 | 2009-09-30 | Asml Netherlands Bv | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
US7170583B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus immersion damage control |
-
2005
- 2005-06-29 US US11/170,200 patent/US7291569B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-12 TW TW095120876A patent/TWI334515B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-06-13 EP EP06012165A patent/EP1739488A1/en not_active Withdrawn
- 2006-06-29 JP JP2006179810A patent/JP4504334B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-29 KR KR1020060059863A patent/KR100810700B1/ko not_active IP Right Cessation
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JP2006179909A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200702941A (en) | 2007-01-16 |
JP2007013180A (ja) | 2007-01-18 |
KR100810700B1 (ko) | 2008-03-07 |
US7291569B2 (en) | 2007-11-06 |
TWI334515B (en) | 2010-12-11 |
KR20070001844A (ko) | 2007-01-04 |
EP1739488A1 (en) | 2007-01-03 |
US20070004234A1 (en) | 2007-01-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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