JP4503714B2 - 高温抵抗式ヒーター - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプロセスチャンバ用の加熱機構に関し、特に化学的気相堆積チャンバ用の加熱機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
化学的気相堆積法(CVD)は、基板上に各種の膜を堆積させるための一般的なプロセスであり、半導体集積回路の製造において広く用いられている。CVD処理では、最終的な膜に必要な原子を含んだ化学ガスが混合され、堆積チャンバ内で反応させられる。元素や分子が基板表面上に堆積、蓄積して膜を形成する。膜が堆積されるべき基板は、通常、サセプタ上に取り付けられる。サセプタは、CVDプロセスのタイプに応じて様々な材料から構成することができる。サセプタは、良好な熱伝導性と、熱変形に対する高い耐性とを有することが望ましい。例えば、アルミニウムは良好な熱伝導性を持った広く用いられるサセプタ材料であるが、脆すぎて高温には耐えられない。従って、アルミニウムは低温CVDプロセスでしか使用できない。高温CVDプロセスでは、ガラスカーボン製、または窒化アルミニウム(AlN)で被覆されたグラファイト製のサセプタが、広く用いられるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
サセプタの加熱方法に基づいて区別される2つの基本的な加熱方式がCVDシステムで使用されている。抵抗加熱方式は、抵抗加熱素子を利用してサセプタを加熱し、より局所化された反応をウェーハで生じさせる。ランプ加熱方式は、サセプタを加熱する放射加熱ランプをチャンバ内の他の部品とともに使用する。この方式は、チャンバの全体にわたって反応を生じさせる。
【0004】
ランプ加熱システムでは、基板はサセプタ上に支持されており、熱は、チャンバ内の耐熱保護ガラスの背後に配置されたランプによってサセプタを介して基板に伝達される。抵抗加熱システムでは、抵抗加熱素子は、ウェーハホルダ内に配置される。ランプ加熱システムでは、通常は石英製である耐熱ガラスがランプからの熱を吸収して熱くなる。従って、化学反応がガラスの表面で起こり、それによってガラス上に被覆が生じるので、ランプヒータの有効性は減少し、処理を繰り返した後にはガラスが腐食することになる。
【0005】
更に、処理中のホルダの熱変動を測定するために、熱電対が基板ホルダに接続される。ランプ加熱システムでは、この熱電対はチャンバ内になければならない。抵抗加熱システムでは、加熱素子を保持するシステム内の制御された環境に熱電対を置くことができる。これによって、熱電対が処理チャンバ内の元素に曝されなくなるので、熱電対の寿命が増すとともにその精度が向上する。
【0006】
また更に、ランプ加熱CVDチャンバの整備性は抵抗加熱システムの場合よりも重要である。例えば、サセプタおよびウェーハリフト機構の取付けと較正は時間がかかり問題が多い。
【0007】
各種の半導体応用分野に役立つ典型的なCVDプロセスは、ジクロロシラン(DCS)タングステンシリサイドプロセスである。DCSプロセスが行なわれる温度のため、従来の抵抗加熱システムは、通常、そのプロセスに適さない。というのも、従来の抵抗加熱システムは、要求されるプロセス温度範囲(500℃〜600℃)を維持することができないからである。その結果、このプロセスは、例えばハロゲンランプ加熱CVDチャンバ内で行なわれている。しかしながら、DCSプロセスが起こり得るような抵抗加熱チャンバがあれば有用である。
【0008】
DCSタングステンシリサイドプロセスでは、タングステンシリサイド膜は、WF6、DCS、およびSiH4の反応によって形成される。他のCVDプロセスの場合と同様、一連のウェーハ(通常25個)を処理した後、チャンバは洗浄され、反応チャンバの壁やチャンバ内の他の部品に堆積した反応生成物が除去される。洗浄プロセス中、ウェーハホルダは、CVDチャンバ内に残される。
【0009】
2つの異なるタイプの洗浄プロセス、すなわち化学洗浄とプラズマ洗浄が一般的に利用されている。プラズマ洗浄は、NF3とRFエネルギーを使用してプラズマを発生させるステップを伴う。その結果、プラズマ洗浄は、より局所的であり、制御がより困難なために堆積物の洗浄が不均一になる。プラズマ洗浄プロセスが500℃〜600℃の温度範囲で行なわれると、サセプタは激しく損傷して大量の微粒子物質がシステムの他の部品から発生することになる。その上、プラズマ洗浄は局所的で均一性が劣る。化学洗浄はより均一だが、チャンバの部品に及ぼす応力が大きい。
【0010】
あるタイプの化学洗浄は、処理チャンバ内にClF3を置き、高温になるほど激しくなる熱依存反応を発生させるステップを含んでいる。化学洗浄は、適切に制御されないとサセプタを損傷させる場合がある。温度300℃〜600℃での四フッ化塩素(ClF3)中での化学洗浄は、サセプタに対する機械的応力と化学的腐食の両方を生じることがあるので望ましくない。例えば、ガラスカーボンサセプタを使用する場合、化学洗浄は温度200℃で行なわなければならない。この化学洗浄は、500〜600℃のDCSタングステンシリサイド処理温度から処理チャンバを冷却するステップを必要とするので、チャンバの処理能力を低下させる。
【0011】
今日まで、DCSタングステンシリサイドプロセスのようなプロセスには放射加熱CVDシステムの使用が好ましいとされてきた。このようなシステムは、熱応力に対して、および上記プロセスで利用される化学洗浄プロセスに対して、より耐性がある。しかしながら、CVDプロセスで利用可能な抵抗加熱CVDチャンバを提供することが望ましい。これは、DCSプロセスで、コールドウォール型抵抗加熱システムのすべての利点を発揮する必要がある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明を概説すると、本発明は、化学的気相堆積チャンバ等のプロセス装置用の抵抗加熱システムを含んでいる。このシステムは、支持面と支持シャフトとを有する抵抗加熱基板ホルダを含んでおり、このホルダは、第1の材料から構成されている。支持面は、抵抗加熱素子を含んでいる。支持シャフトは所定の長さを有しており、また、熱電対を支持面に係合させることを可能にし、かつ導電体を支持面内の抵抗加熱素子に結合させることを可能にする貫通穴を有している。
【0013】
金属の取付け構造が支持シャフトに結合されてプロセス装置に固定されており、密封された環境をホルダおよび取付け構造内に作り出して、電気リードおよび熱電対を処理環境から保護する。
【0014】
一つの態様では、支持シャフトを取付け構造に固定するためにカップリング構造が設けられる。このカップリング構造は、カップリングの際に最小の熱応力で剛性支持をもたらすように最適化されている。この点で、カップリング構造は、基板ホルダと同一の材料からなる支持部材を有して、基板ホルダおよび支持部材の加熱によって誘起される熱応力を低減するようになっていても良い。
【0015】
シャフトの長さは、基板ホルダおよび取付け構造に使用される材料に基づいて調節することができる。これによって、取付け構造と基板ホルダに関して異なる材料を使用することが可能となり、プロセスチャンバ内で使用される特定のプロセスに対してこれらの材料を最適化することができる。シャフトの長さは、使用される材料と、加熱システムがサポートするように設計されているプロセスの温度と、に基づいて調節することができる。ある態様では、ホルダとシャフトは窒化アルミニウムから構成され、取付け構造はニッケルまたはニッケル合金から構成されている。シャフトの長さを調節することによって、プロセスの温度は、シャフトと取付け構造とが接合される箇所での温度よりも高くなり、接合箇所での温度を使用される材料に対して最適化することができる。
【0016】
更に、ヒータは、ヒータ構造の熱抵抗率(thermal resistivity)に基づいて抵抗加熱素子の電力出力を制御する制御方式を利用する。
【0017】
本発明は、特定の実施形態に関して説明することになる。本発明の他の目的、特徴、および利点は、本明細書と図面を参照することにより明らかになるであろう。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の抵抗加熱装置10の第1の実施形態を示している。抵抗加熱装置10は、抵抗加熱基板ホルダ12と取付け構造14とを含んでいる。ウェーハ加熱装置10は、例えば化学的気相堆積(CVD)チャンバ等の密封可能な処理チャンバ内に常駐することが理解されるだろう。基板ホルダ12は、CVDチャンバ(図示せず)内での処理のために半導体材料からなる基板を載置することができる平表面16を有している。
【0019】
抵抗加熱ウェーハホルダ12は、ウェーハ保持部18と支持シャフト20とを含んでいる。ある態様では、ウェーハホルダ18とシャフト20とは、窒化アルミニウムから製造されている。シャフト20は、ウェーハ保持部18に拡散接合することができる。取付け構造14は、強い金属材料(ある態様ではニッケル200(ANSIニッケル200)を含む)から製造されており、ウェーハホルダ12をプロセスチャンバに固定する。
【0020】
他の材料を使用して、本発明の精神と範囲から逸脱することなくウェーハホルダ10および取付け構造14を製造してもよい。ここで説明する実施形態では、窒化アルミニウムの比較的純粋な(99.97%)化合物が利用される。本実施形態のこの組成の窒化アルミニウムは、500〜600℃の範囲の温度のプロセス環境で特に有利であると確認されている。AlN化合物の不純物は、酸化イットリウム(Y2O3)またはカーボンから構成されていてもよい。
【0021】
本発明の一実施形態に特有の特徴は、取付け構造を構成する第2の材料とは異なる熱膨張係数を有する第1の材料から成る支持シャフト20の使用との組合せである。これによって、装置の各部に使用される材料を、加熱装置の最適な性能のために選択することができる。例えば、窒化アルミニウムは良好な耐熱性と耐腐食性を持ち、一方、ニッケル合金は大きな強度と耐久性を持つ。従って、ある実施形態では、ウェーハホルダ12を固定するニッケル取付け構造14を有する窒化アルミニウムシャフト20およびホルダ12が、例えばDCSプロセスにおける約500℃というウェーハホルダ12の表面16でのプロセス温度で使用するために好適に実現されている。
【0022】
この温度では、シャフト32を保持部18に直接結合することによってウェーハホルダ12を取付け構造14に直接取り付けるのは問題である。というのは、500℃近くの温度では、各材料の熱膨張特性の差が応力を生み、この応力が、材料を接合する従来の接合技術を弱めることになるからである。更に、プロセスチャンバ内の化学プロセスの性質に起因して、チャンバ内の化学物質によって繰り返される侵食が金属シャフト自体ばかりかその接合部に対しても腐食効果をもたらすので、金属取付け構造と窒化アルミニウムウェーハホルダとの間の確実な接合の維持が困難になる。
【0023】
従って、本発明の第1の実施形態において、本発明に特有の第1の特徴は、ウェーハホルダ12の表面16における温度T1とシャフト20が取付け構造14に接合されている箇所における第2温度T2との間に所定の温度低下をもたらす特定の長さL1にシャフト20を製造することである。T2とT1との間の差または低下は、各部に使用される材料と表面16におけるプロセス温度T1とによって決定され、これにより、シャフト20に要求される長さL1が与えられる。
【0024】
図10に示される他の実施形態では、シャフト20aは、ウェーハホルダ12とプロセスチャンバ内の取付けハードウェア100aとの間の距離の全長に等しい長さ(L2)を有するように形成することができる。
【0025】
本発明に特有の別の特徴では、内部導管が設けられて、熱電対と導体リードとをチャンバ内の化学反応から隔離して加熱装置内の制御環境に配置できるようになっている。幾つかのシステムでは、金属化学的気相堆積チャンバで利用される露出端子が化学プロセス中の金属の堆積によって最終的に短絡してしまう可能性がある。従って、上記端子は、基板取付け構造の内側に設けることが望ましい。本発明のシステムにおいて、真空で生じるプロセスは、シャフト内部の熱電対や導体と相互作用をしない。シャフト内部の制御環境は、真空状態のプロセスチャンバから隔離され、大気状態に維持することができる。
【0026】
抵抗加熱ウェーハホルダ12とシャフト20とを図2(a)〜図2(c)に更に詳細に示す。図示のように、シャフト20は、熱電対を内部に設置することの可能な第1導管22と、基板ホルダ12内に配置される抵抗加熱素子への導電体を内部に設置することのできる第2および第3導管23、24とを含んでいる。貫通穴25、26、27、28が表面16に設けられており、基板リフト用フィンガがウェーハホルダ12を通って抵抗加熱構造10の表面16上で基板を昇降できるようになっている。熱電対挿入領域30は、抵抗基板ホルダ12の表面16の中央に設けられている。
【0027】
支持シャフト20と結合するために第1のカップリング構造50を用いる取付け構造14の第1の形態を図1および図3に示す。カップリング構造50は、ウェーハホルダ構造12およびシャフト20の全体を支持しなければならないため重要である。取付け構造14は、ベローズ部材34を摺動可能に収容する端部36を有するシャフト32を含んでいる。ベローズ部材34は、基板ホルダ12のシャフト20と係合する第1の表面35を含んでいる。第2の表面37は、シャフト32の内部領域38に面している。シャフト32の内部領域38は、ベローズ部材34がシャフト32に固定されると、化学的気相堆積プロセスの間、ほぼ大気状態に維持される制御環境となる。シャフト20の直径とほぼ等しい直径を持つ支持円盤40は、ベローズ部材34の下面37と接している。ベローズ部材34は、Eビーム溶接によってシャフト32に固定されている。
【0028】
ベローズ部材34は、シャフト28とニッケルシャフト32との間である程度の可撓性を許容するために設けられている。ベローズ部材34はニッケルから構成されていてもよいが、通常、シャフト32を構成するニッケル材料よりも薄い(厚さ約2ミル)。窒化アルミニウムとニッケルは熱膨張係数が異なるので、加熱されると、たわみによって、良好なシールを保ちながらシャフト間で異なる速度の膨張をすることが可能となる。この熱膨張は、シャフト20をシャフト32に結合できるようにする際に克服しなければならない重要な問題である。ベローズ部材34をシャフト32に取り付けるにはEビーム溶接を使用してもよいが、窒化アルミニウムシャフト20をベローズ部材34に取り付けるには蝋付けが利用される。第1の蝋付けは、シャフト20とベローズ部材34の表面35との界面で行なわれる。第2の蝋付けは、円盤部材40とベローズ34の表面37との界面44で行なわれる。円盤部材40は、窒化アルミニウム製の逆応力部材(counter-stress member)であり、シャフト20とベローズ部材34との間の熱膨張整合用に設けられている。ベローズ部材は、シャフト20およびシャフト部材32の膨張を見越している。ベローズ部材のたわみがなければ、蝋付けは、加熱中に生じる応力と窒化アルミニウムシャフト20およびシャフト32間の熱膨張差とに起因する破壊に抵抗するだけの強さをもたないことになる。一般に、ニッケルは、窒化アルミニウムよりも大きく膨張する。その結果、蝋付け部分に垂直引張応力(F1)が存在することになる。リング40は窒化アルミニウムなので、膨張が少なく、この力を二分する。従って、引張応力は圧縮となり、歪みはより均一になる。同様に、図3にF2で示す方向に沿った応力も、リング40の存在によって半減される。
【0029】
利用される蝋付けは、小量のチタンを有する銀/銅材料であり、これは、高温の洗浄プロセスで利用される四フッ化塩素(ClF3)の侵食に耐えることができない。シャフトの長さを変えて接合部の温度を低下させることによって、侵食を最小限に抑えることができる。更に、露出した蝋には、化学的侵食による蝋の汚染を保護、防止するために、ニッケル200を用いて厚さ約0.001インチのメッキが施されている。
【0030】
当業者であれば理解できるように、図1において長さL1は、シャフト20とシャフト32との間の結合箇所で要求される温度に基づいて選択されている。L1は、構造体10に利用される材料の使用と、構造体10が操作されるべきプロセスの性質とに基づいて変更することができる。
【0031】
図4〜8は本発明の第2の実施形態を示しており、具体的にはシャフト20を取付け構造141に固定するカップリング構造501を示している。この形態のカップリング構造では、取付け構造141は、結合用の別の支持体を与えるクランプを有している。この取付け構造141は、取付け構造14の端部にクランプカップリング52が設けられている点を除いて、取付け構造14と本質的に同様である。図4は、本発明の第2実施形態の平面図であり、図5は、図4の5−5線に沿った図である。図示のように、取付け構造141は、環状部材54およびクランプ部材56によって形成されるクランプ52を含んだ第1の端部51を有している。クランプ部材56および環状部材54にねじ穴58、59を設けて、シャフト20を取付け構造14内の所定位置にボルト(図示せず)を用いて固定している。
【0032】
取付け構造141の内側部分38にプロセスチャンバから隔離された安全な環境を形成するために、厚さ2ミルのニッケル200製L形リング60が、本発明の第2実施形態の内部領域38内においてシャフト20と窒化アルミニウム支持リング40との間に配置されている。シャフト20とL形リング60との界面62で蝋付けが使用され、リング40とL形リング60の下面との界面64で第2の蝋付けが使用される。内側リング65と取付け構造141のリップ151との境界面における点66では、Eビーム溶接またはレーザービーム溶接が利用される。溶接は、シャフト321の内部領域38に対して真空シールを提供する。これにより、内側部分38に真空シールを提供する機能と抵抗加熱基板ホルダ12を支持する機能とが分離される。
【0033】
従って、取付け構造とシャフト32の内部は、プロセスチャンバの真空から隔離された制御環境となる。これによって、熱電対と加熱素子用の導電体を大気圧に維持できるので、これらがチャンバ内のプロセスの影響から隔離されるとともに、その寿命が長くなり、加熱構造の全体強度が増加する。
【0034】
図6は、カップリング構造501の第2の形態と、ウェーハホルダ12内の抵抗加熱素子を装置に結合する電気導管108、110と、を含んだ抵抗加熱構造10の側断面図を示している。先の図面と同様の部品には、同一の参照番号が使用されている。図6に示されるように、チャンバマウント100をチャンバ内に設けることにより取付け構造14が固定されている。チャンバマウントは、通常、化学的気相堆積チャンバまたはその他の処理チャンバ(図示せず)に連結される。このチャンバマウントは、流体導管102を含んでいる。流体導管は、加熱構造10の水冷用に設けることができる。取付け構造14または141を受け入れるために、ボア103がチャンバマウント100内に設けられている。チャンバマウント100のフランジ105はチャンバ壁の上に設置され、加熱構造の支持に役立つ。電気コネクタ107、109がチャンバマウント100内に設けられ、導管1041、1061に結合されている。取付け構造14内の電気導管1041、1061は、制御環境内の内部領域38に配置される。シャフト20内の対応する導管1042、1062は、シャフト20とシャフト321との界面に配置された電気コネクタ112、114によって導管1041、1061に結合される。支持リング40の着座を可能にするリップ151とシャフト20との界面に排気口118が設けられており、これにより残留ガスを逃がすことができる。
【0035】
図7は、図6に示される加熱構造の形態と同様の断面を示しているが、領域38内の制御環境内の所定位置に配置された熱電対120を示している。図示のように、熱電対120用のコネクタ122がチャンバマウント100内に設けられている。マウント100内のボア140により、熱電対120のCVDシステムへの接続が可能になる。上記のように、熱電対は、ボア内において大気圧に維持される。
【0036】
図7では、熱電対と基板ホルダとの交差部分で熱電対120により測定される温度の精度を高めることを含んだ本発明に特有の別の特徴を示している。シャフト20とウェーハ保持部18との交差部分を構成する領域22では、窒化アルミニウムの厚さT1は、シャフト20の幅(直径)にわたってウェーハ保持領域18の厚さT2よりも大きい。この厚さの増加が、ウェーハ保持領域の中央における熱損失を補償する。ウェーハ保持領域の中央における熱電対の使用は、ウェーハ保持面の下の窒化アルミニウム中に導管を設ける必要性に起因して、それ自体が領域内の熱損失を増加させる。また、大気における物体の熱損失は真空における物体よりも大きいので、大気中に熱電対を設けるという事実により熱損失が増加することになる。領域22内の窒化アルミニウムの厚さが領域内の厚さと同一の場合、この領域内の熱損失は、ウェーハ保持領域18の残部全体の熱損失よりも大きくなる。従って、この領域内の窒化アルミニウムの厚さを増して、熱損失を減少させる。
【0037】
この領域の厚さを増すことに対する他の解決法は、ウェーハ保持領域の同一厚さT2を保ちながら、領域22内の加熱素子の密度を増加することである。このような解決法は、この構造の形成をより複雑にする可能性があり、また領域22内の熱応力を増加させることになる。
【0038】
本発明に特有の別の特徴では、ウェーハ保持領域18の厚さT2が、本発明の加熱構造の熱ランプレートを制御するように選択される。従来、抵抗ヒータの厚さは、0.7インチのオーダである。一般に理解されるように、厚さが増すに従って、ヒータのランプレートは遅くなる。しかしながら、本発明のある実施形態では、厚さT2は約0.5インチのオーダである。このようにすることで、ヒータに関して相当に短い冷却時間を実現することができる。
【0039】
本発明の加熱構造におけるヒータランプ制御(heater ramping control)は、CVDチャンバ内で発生するプロセスにわたって正確な制御を達成するために、またヒータの熱クラッキングを回避し、過剰なヒータ休止時間を防止するために、特に重要である。温度変化の速度が速すぎるとクラッキングが生じるが、変化速度が低すぎるとCVDシステムの全体スループットが低下することになる。
【0040】
従って、本発明に特有の別の特徴では、本発明のヒータ構造の加熱と冷却の速度を制御する方式が利用される。モリブデンの熱膨張係数が窒化アルミニウムの熱膨張係数と等しいことから、本システムでは、加熱素子がモリブデンから構成されている。しかしながら、本発明のヒータに特有の特徴は、多様なタイプの材料から成る抵抗加熱素子に適用することができる。
【0041】
ここで説明されるようなセラミック加熱システムでは、加熱素子の抵抗率は温度とともに増加する。これは、ヒータ構造の温度ランプレートの制御を複雑にする。抵抗率の変化は、温度が室温から600℃まで増すに従って3倍になる場合がある。このように、抵抗率の変化は、結果として、ヒータの電力出力に大きく影響を与えることがある。
【0042】
一般に、ヒータ素子の制御は、電流調整か電圧調整のいずれかによって行なわれる。電圧制御モードにおけるヒータの電力出力は、
電力=(電圧)2/抵抗率
であり、電流制御モードでは、
電力=(電流)2/抵抗率
である。これは、小さな電圧や電流の入力では、ヒータの電力出力は、温度や抵抗率の増加に従って減少することを意味している。従来技術の抵抗加熱素子は、実際の温度入力と設定温度電圧入力との間の誤差を考慮した誤差補償方式を利用しているが、温度上昇から生じるヒータ材料の抵抗率の変動は何ら補償されていなかった。例えば、いわゆるPID(比例積分微分)誤差補正アルゴリズムが一般的に利用されている。
【0043】
本発明のヒータシステムでは、ヒータ温度が上昇するに従ってヒータ素子材料の抵抗率の変化を補償するように電圧入力を調整することによって電圧入力を変化させるヒータ制御方式が利用される。一般に、この方式は、入力電圧の制御のために下式を実行する。すなわち、電圧モード制御では、
真の電圧入力=(計算電圧入力)×f1(t)
であり、また電流モード制御では
真の電流入力=(計算電流入力)×f2(t)
である。ここで、計算電圧入力は、抵抗率変化の影響を考慮せずにヒータ素子の任意の制御アルゴリズムから導出されたものであり、f1、f2は、温度変化による抵抗率の変動を正当化する任意の温度の関数である。
【0044】
当然のことながら、関数f1、f2は、ヒータ素子に使用される材料に応じて変化することになり、これらの関数は、実現が望まれる精度に応じて変更することができる。これらの関数は、電圧調整や電流調整を直接制御する回路に実装するか、あるいは電圧調整や電流調整を制御する特選プロセッサに移植されたソフトウェアに実装することができる。本発明のヒータのこの関数を実装するために利用可能な各種の制御プロセッサ実装やソフトウェア実装が多く存在している。
【0045】
図8および図9は、クランプ部材502の他の第3の形態の断面を示している。この形態では、クランプ部材502は、対向するクランプアーム121を有する独立形成の弓形部分124を備えている。クランプアームを弓形クランプ部材124に対向させて固定するために2つの貫通穴126、127が設けられており、対応する貫通穴128(穴126に対して図8にのみ図示)がクランプアーム121に設けられている。図8に示される構造は極めてしっかりしたものと定められており、図4および図5に示される形態に対して少ない取付具を考慮している。
【0046】
図10は、本発明の第4の実施形態104を示している。この実施形態では、窒化アルミニウムシャフト20aは、ウェーハホルダ18aとチャンバ内の取付けハードウェア100aとの間の全距離に等しい長さを有している。図10に示すように、AlN等のセラミック材料から成るシャフト20aは、保持部18aに結合される第1の端部と、チャンバマウントハードウェア100aに結合される第2の底端部とを有している。
【0047】
シャフト20aは、内部チャンバ138を含んでいる。これは、熱電対120aおよび電気リード(図10では106aのみを示す)をチャンバ138内の制御環境に配置し、プロセスチャンバの内側の真空環境から隔離して大気状態に維持することを見越している。シャフトの長さは今度はL2であるから、独立した金属シャフトにシャフト20aのAlN部分を結合するとともに金属シャフトをカップリングハードウェアに結合するという問題がなくなる。導電性電極および熱電対に関して、隔離された周囲環境140をシャフト20a内に確実に維持する際には、ただ一つの締付け箇所−−カップリング構造100aにおいて−−しか処理する必要がない。
【0048】
カップリング構造100aは、六角ナットによって結合された、シャフト20aのフランジ部分135の貫通穴125とフランジクランプ130とによって、シャフト20aをベース部材136に固定する。シャフトは熱電対と導電性電極の全体を含むので、ただ一つの締付け箇所−−シャフトの基部において−−が別に必要となるだけで、金属シャフト部分(例えば14)とセラミックシャフト(例えばシャフト20)との間の接合部では別の締付具を必要としない。導電体106aは、ばね式締結具134を介してコネクタ103a経由でプロセスチャンバに連結される。導体1062は、セラミック絶縁体111の内側に固定される。絶縁体111は、一端が保持領域18aの凹部133に固定され、他端がばね式締結具134で固定される。締結具134は、スプリング136に係合するペデスタル135を含んでおり、そのペデスタル自体はシャフト137に取り付けられている。ペデスタル135は、絶縁体111を押し込んで凹部133に係合させる。シャフト137は、マウントブロック140のカウンタボア139内に保持されて、ベース部材136に固定される。
【0049】
最後に、シャフト20aの第1の端部142の直径は、第2の端部144の直径より大きいことを強調しておく。これは、シャフト20aと保持領域18aとの間のより大きな結合面積を見越したものである。更に、保持部18aの厚さT3とT4の間の差(X)は、先の形態のT1とT2の差ほど大きくない。中央部厚さT3と周辺部厚さT4との間に厚さの差が存在し、シャフト20a上の領域と大気との間の圧力差による熱変動の原因となっているが、この差を小さくするとヒータ104の製造性が向上する。
【0050】
本発明の様々な特徴と利点は、当業者には明らかであろう。このような本発明の特徴と利点のすべては、本出願および特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲内にあることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る抵抗加熱構造の断面図である。
【図2】(a)は、本発明に係る抵抗加熱ウェーハホルダの第1の側面図であり、(b)は、本発明に係る抵抗加熱ウェーハホルダの平面図であり、(c)は、本発明に係る抵抗加熱ウェーハホルダの第2の側面図である。
【図3】取付け構造を抵抗加熱ウェーハホルダに結合する第1の機構の拡大断面図である。
【図4】本発明に係る取付け構造の第2の実施形態の平面図である。
【図5】図4に示される取付け構造の断面図であり、取付け構造を利用して本発明の第2実施形態の抵抗加熱ウェーハホルダに結合する方法を示している。
【図6】抵抗加熱構造の断面図であり、ウェーハホルダ内の抵抗加熱素子に結合される導電リード用の導管を示している。
【図7】本発明による抵抗加熱構造の第2の断面図であり、導管と、本発明に係る抵抗加熱素子に結合している熱電対と、を示している。
【図8】本発明に係る抵抗加熱ウェーハホルダと係合する取付け構造の第3の実施形態の拡大断面図である。
【図9】図8の9−9線に沿った断面図である。
【図10】本発明に係る全長セラミックシャフトを用いた抵抗加熱構造の第4の実施形態の断面図である。
【符号の説明】
10…抵抗加熱装置、12…抵抗加熱ウェーハホルダ、14…取付け構造、18…ウェーハ保持部、20…支持シャフト、32…支持シャフト。
Claims (15)
- 化学的気相堆積チャンバ用の抵抗加熱装置であって、
第1の熱膨張係数を有する第1の材料から構成され、抵抗加熱素子と、ウェーハ支持領域[18、18a]と、前記ウェーハ支持領域を支持する支持シャフト[20、20a]と、を含み、前記支持シャフトが、前記ウェーハ支持領域に結合される第1の端部とベース端部とによって画成される長さを有している基板保持部材[12、12a]と、
第2の熱膨張係数を有する第2の材料から構成され、カップリング箇所において前記支持シャフトに結合する取付け構造[14]と、を備え、
前記支持シャフト及び取付け構造は、前記抵抗加熱素子に結合された導電体を少なくとも収容する内部領域[38]を含み、
前記支持シャフトの長さが、前記カップリング箇所での温度が前記ウェーハ支持領域でのプロセス温度よりも低くなるように、前記プロセス温度に基づいて決定され、
前記支持シャフトは、ベローズ部材[34]及び逆応力部材[40]によって前記取付け構造に結合され、
前記ベローズ部材は、前記第2の材料からなり、前記支持シャフトに係合する第1の表面[35]と、前記第1の表面に対向する第2の表面[37]と、前記取付け構造の端部[36]に係合する端部と、を有し、
前記逆応力部材は、前記第1の材料からなり、前記ベローズ部材を挟んで前記支持シャフトに対向するように、前記第2の表面に係合している抵抗加熱装置。 - 前記第1材料は、窒化アルミニウム化合物である請求項1記載の装置。
- 前記第1材料は、純度が少なくとも99%のAlNである請求項2記載の装置。
- 前記内部領域に配置された熱電対を更に含む請求項1記載の装置。
- 前記プロセス温度が450℃よりも高い請求項1記載の装置。
- 前記カップリング箇所での温度が300℃よりも低い請求項5記載の装置。
- 前記抵抗加熱素子の電力出力を制御する手段であって、前記抵抗加熱素子の電力出力が一定となるように、前記抵抗加熱素子の熱抵抗率と温度とに基づいて、前記抵抗加熱素子への電流入力または電圧入力を制御する制御手段を更に備える請求項1記載の装置。
- 前記制御手段は、前記抵抗加熱素子の温度の増加に伴う熱抵抗率の変化に基づいて、前記抵抗加熱素子への電流入力または電圧入力を制御する請求項7記載の装置。
- 前記支持シャフトは、前記化学的気相堆積チャンバから絶縁された前記導電体を支持する少なくとも一つの導管[108、110]を含んでいる請求項1記載の装置。
- 前記支持シャフトは、熱電対導管[120、120a]を更に含んでいる請求項9記載の装置。
- 前記第2材料は、ニッケルまたはニッケル合金である請求項1記載の装置。
- 前記支持シャフト[20、20a]は、前記ベローズ部材[34]の第1表面に蝋付けされ、かつ前記逆応力部材[40]と整列されており、前記逆応力部材[40]は、前記ベローズ部材[34]の第2表面に蝋付けされている請求項1記載の装置。
- 化学的気相堆積システム用のヒータ[10]であって、
第1の部分[12]と、
第2の部分[14]と、
応力支持リング[40]およびシール[60]を介して前記第1の部分と前記第2の部分とを結合するカップリング構造と、を備え、
前記第1の部分は、
基板保持部[18]と、
前記基板保持部の内部に配置された抵抗加熱素子と、
少なくとも前記抵抗加熱素子に結合された導電体と、
前記基板保持部に接合され、前記基板保持部と同一の材料を有し、第1の熱膨張係数を有する第1の材料から構成され、前記導電体を収容する内部領域[38]を有する支持アーム[20]と、を含み、
前記第2の部分[14]は、
前記支持アームを受け入れることが可能な端部[36、52、50 2 ]を有し、第2の熱膨張係数を有する第2の材料から構成された取付け構造[14 1 ]と、
前記内部領域[38]と、を含み、
前記シール[60]は、前記第2の材料からなり、前記支持アーム[20]に係合する第1の表面と、前記第1の表面に対向する第2の表面と、前記取付け構造[141]の前記端部[36、52、502]に係合する端部と、を有し、
前記応力支持リング[40]は、前記第1の材料からなり、前記シール[60]を挟んで前記支持アーム[20]に対向するように、前記第2の表面に係合しているヒータ。 - 前記基板保持部の材料は、窒化アルミニウム化合物である請求項13記載のヒータ。
- 前記基板保持部の材料は、純度が少なくとも99%のAlNである請求項14記載のヒータ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/717,780 US6066836A (en) | 1996-09-23 | 1996-09-23 | High temperature resistive heater for a process chamber |
US75521996A | 1996-11-22 | 1996-11-22 | |
US08/717780 | 1996-11-22 | ||
US08/755219 | 1996-11-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10189490A JPH10189490A (ja) | 1998-07-21 |
JP4503714B2 true JP4503714B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=27109769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29764897A Expired - Lifetime JP4503714B2 (ja) | 1996-09-23 | 1997-09-24 | 高温抵抗式ヒーター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4503714B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170138003A (ko) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4680350B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2011-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式処理装置 |
JP4753433B2 (ja) * | 2003-02-11 | 2011-08-24 | アイクストロン・インコーポレーテッド | Ald/cvd反応炉のためのパージされた加熱サセプタ |
US20150194326A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-09 | Applied Materials, Inc. | Pecvd ceramic heater with wide range of operating temperatures |
DE112018005969T8 (de) | 2017-11-21 | 2021-03-11 | Watlow Electric Manufacturing Company | Multi-Zonen-Stützsockel-Heizgerät mit einer weiterleitenden Schicht |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
JPH04123422A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
JPH0997765A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP29764897A patent/JP4503714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170138003A (ko) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
KR102612193B1 (ko) | 2016-06-03 | 2023-12-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10189490A (ja) | 1998-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |