JP4497914B2 - シリコン薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
i層は、微結晶または多結晶の結晶性シリコンからなり、
i層は、パルス変調した高周波電力によるプラズマにより形成し、
パルス変調の1周期は、高周波電力が出力されるON状態と出力されないOFF状態からなり、ON状態時間/(ON状態時間+OFF状態時間)をON状態時間比率とするとき、i層形成の初期工程におけるON状態時間比率が、i層形成の初期工程より後の工程におけるON状態時間比率に比べて、小さいことを特徴とする。
(1)初期工程における1周期内のON状態時間を、初期工程より後の工程における1周期内のON状態時間より短くする。
(2)初期工程における1周期内のOFF状態時間を、初期工程より後の工程における1周期内のOFF状態時間より長くする。
(3)初期工程における1周期内のON状態時間を、初期工程より後の工程における1周期内のON状態時間より短くし、かつ、初期工程における1周期内のOFF状態時間を、初期工程より後の工程における1周期内のOFF状態時間より長くする。
図1に示した製造装置の反応室11を3室準備し、ゲートバルブを介して3室をライン状に接続した(図示していない。)。これら3つの反応室において、シリコン薄膜のp層、i層、n層をそれぞれ基板上に高周波プラズマCVD法により形成し、シリコン薄膜太陽電池を製造した。
i層形成時のパルス変調について、1周期内のOFF状態時間を、i層形成の初期工程である厚さ30nmまでは20マイクロ秒とし、初期工程より後の工程では10マイクロ秒とし、またON状態時間は、i層形成中は30マイクロ秒で一定とした以外は実施例1と同様にしてシングル素子構造のシリコン薄膜太陽電池を製造した。
i層形成時のパルス変調について、1周期内のON状態時間を、i層形成の初期工程である厚さ50nmまでは10マイクロ秒とし、初期工程より後の工程では20マイクロ秒とした。また、OFF状態時間は、i層形成の初期工程では30マイクロ秒とし、初期工程より後の工程では10マイクロ秒とした以外は実施例1と同様にしてシングル素子構造のシリコン薄膜太陽電池を製造した。
高周波電源、18 パルス発振回路、19 ガス導入管、20 排気管、81 透光性絶縁基板、82 透明導電層、83 p(またはn)型シリコン層、84 i型結晶性シリコン層、84a i型結晶性シリコン層形成初期領域、85 n(またはp)型シリコン層、86 裏面電極層。
Claims (6)
- p層とn層の間にi層を挟んだ構造を有するシリコン薄膜を高周波プラズマCVD法により基板上に形成する太陽電池の製造方法であって、
前記i層は、微結晶または多結晶の結晶性シリコンからなり、
前記i層は、パルス変調した高周波電力によるプラズマにより形成し、
前記パルス変調の1周期は、高周波電力が出力されるON状態と出力されないOFF状態からなり、ON状態時間/(ON状態時間+OFF状態時間)をON状態時間比率とするとき、i層形成の初期工程におけるON状態時間比率が、i層形成の初期工程より後の工程におけるON状態時間比率に比べて、小さく、
1周期内のON状態時間は、1マイクロ秒〜100マイクロ秒であり、1周期内のOFF状態時間は、5マイクロ秒以上であることを特徴とするシリコン薄膜太陽電池の製造方法。 - i層形成の初期工程における1周期内のON状態時間が、i層形成の初期工程より後の工程における1周期内のON状態時間に比べて、短いことを特徴とする請求項1に記載のシリコン薄膜太陽電池の製造方法。
- i層形成の初期工程における1周期内のOFF状態時間が、i層形成の初期工程より後の工程における1周期内のOFF状態時間に比べて、長いことを特徴とする請求項1に記載のシリコン薄膜太陽電池の製造方法。
- i層形成の初期工程における1周期内のON状態時間が、i層形成の初期工程より後の工程における1周期内のON状態時間に比べて、短く、
かつ、i層形成の初期工程における1周期内のOFF状態時間が、i層形成の初期工程より後の工程における1周期内のOFF状態時間に比べて、長いことを特徴とする請求項1に記載のシリコン薄膜太陽電池の製造方法。 - ON状態時間比率は、i層形成の初期工程において1%〜50%であり、i層形成の初期工程より後の工程において10%〜95%であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン薄膜太陽電池の製造方法。
- i層形成の初期工程は、i層の形成開始後、厚さ50nmのi層を形成するまでの工程であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421313A JP4497914B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421313A JP4497914B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005183620A JP2005183620A (ja) | 2005-07-07 |
JP4497914B2 true JP4497914B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=34782575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003421313A Expired - Fee Related JP4497914B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4497914B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8207010B2 (en) | 2007-06-05 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
CN101413115B (zh) * | 2007-10-19 | 2010-08-25 | 财团法人工业技术研究院 | 等离子体辅助薄膜沉积方法 |
EP2287920A1 (en) * | 2008-10-30 | 2011-02-23 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Photoelectric conversion apparatus and process for producing photoelectric conversion apparatus |
TW201120942A (en) | 2009-12-08 | 2011-06-16 | Ind Tech Res Inst | Method for depositing microcrystalline silicon and monitor device of a plasma enhanced deposition |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02248037A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質半導体の生成方法 |
JPH07166358A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-06-27 | Ulvac Japan Ltd | プラズマCVDによるa−Si:H膜の成膜方法 |
JPH10313125A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Sharp Corp | 薄膜形成方法 |
JP2000243992A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP2003037278A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法及び光起電力素子 |
-
2003
- 2003-12-18 JP JP2003421313A patent/JP4497914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02248037A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質半導体の生成方法 |
JPH07166358A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-06-27 | Ulvac Japan Ltd | プラズマCVDによるa−Si:H膜の成膜方法 |
JPH10313125A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Sharp Corp | 薄膜形成方法 |
JP2000243992A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP2003037278A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法及び光起電力素子 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005183620A (ja) | 2005-07-07 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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