JP4495272B2

JP4495272B2 - オキシラン化合物の製造方法

Info

Publication number: JP4495272B2
Application number: JP15639499A
Authority: JP
Inventors: 純山本; 純平辻
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 1998-08-04
Filing date: 1999-06-03
Publication date: 2010-06-30
Anticipated expiration: 2019-06-03
Also published as: JP2000109470A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オキシラン化合物の製造方法に関するものである。更に詳しくは、本発明は、高収率及び高選択率下に、チタン含有珪素酸化物触媒の存在下、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させるオキシラン化合物の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
オレフィン型化合物であるプロピレンとエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させることによりプロピレンオキサイドの製造することができることは公知である。たとえば、ＵＳＰ４３６７３４２号公報には、チタン担持シリカ触媒を用いる方法が開示されている。しかしながら従来の方法は、高収率及び高選択率下にオキシラン化合物を得るという観点からは、必ずしも十分であるとは言い難かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
かかる現状において本発明が解決しようとする課題は、高収率及び高選択率下に、チタン含有珪素酸化物触媒の存在下、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させるオキシラン化合物の製造方法を提供する点に存するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は下記（１）〜（５）の全ての条件を充足するチタン含有珪素酸化物からなる触媒の存在下、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させるオキシラン化合物の製造方法に係るものである。
（１）：平均細孔径が１０Å以上であること
（２）：全細孔容量の９０％以上が５〜２００Åの細孔径を有すること
（３）：比細孔容量が０．２ｃｍ³／ｇ以上であること
（４）：下記の一般式（Ｉ）で表される第４級アンモニウムイオンを型剤（テンプレート）として用い、その後該型剤を溶媒抽出操作により除去して得られるものであること
［ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴］⁺ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹は炭素数２〜３６の直鎖状又は分岐状の炭化水素基を表し、Ｒ²〜Ｒ⁴は炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
（５）：Ｘ線回折において、面間隔ｄを示すピークが存在しないこと
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の触媒は、下記（１）〜（５）の全ての条件を充足するチタン含有珪素酸化物からなる触媒である。かかる触媒を用いることにより、高収率及び高選択率下に、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドからオキシラン化合物を製造するという課題が高水準に達成され得る。
【０００６】
条件の（１）は平均細孔径が１０Å以上であることである。
【０００７】
条件の（２）は、全細孔容量の９０％以上が５〜２００Åの細孔径を有することである。
【０００８】
条件の（３）は、比細孔容量が０．２ｃｍ³／ｇ以上であることである。ここで、比細孔容量とは触媒１ｇ当りの細孔容量を意味している。
【０００９】
上記の条件（１）〜（３）についての測定は、窒素、アルゴン等の気体の物理吸着法を用い、通常の方法により測定することができる。
【００１０】
条件の（４）は、下記の一般式（Ｉ）で表される第４級アンモニウムイオンを型剤として用い、その後該型剤を溶媒抽出操作により除去して得られるものであることである。
［ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴］⁺ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹は炭素数２〜３６の直鎖状又は分岐状の炭化水素基を表し、Ｒ²〜Ｒ⁴は炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
条件の（４）については、触媒の製造方法の部分で詳細に説明する。
【００１１】
条件の（５）は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）において、面間隔ｄを示すピークが存在しないことである。ここでいう面間隔ｄを示すピークとは、固体が有する結晶性・規則性に由来するピークのことであり、アモルファスな部分に由来するブロードなピークは存在していてもかまわない。
【００１２】
本発明の触媒は、赤外線吸収スペクトルにおいて９６０±５ｃｍ^-1の領域に吸収ピークを有するものであることが好ましい。このピークはシリカ骨格内に導入されたチタンに対応するものであると考えられる。
【００１３】
本発明の触媒は、下記の工程を有する製造方法により最適に製造され得る。
第一工程：シリカ源、チタン源及び型剤としての第４級アンモニウムイオンを液状で混合・攪拌することにより触媒成分及び型剤を含有する固体を得る工程
第二工程：第一工程で得た固体を焼成操作に付すことにより、型剤を除去することにより触媒を得る工程
【００１４】
第一工程は、シリカ源、チタン源及び型剤としての第４級アンモニウムイオンを液状で混合・攪拌することにより触媒成分及び型剤を含有する固体を得る工程である。用いる試薬は固体状の場合は溶媒に溶解した溶液として用いるとよい。
【００１５】
シリカ源としてはアモルファスシリカやアルコキシシラン、たとえばテトラメチルオルトシリケート、テトラエチルオルトシリケート、テトラプロピルオルトシリケート等があげられる。
【００１６】
チタン源としては、チタンアルコキサイド、たとえばチタン酸テトラメチル、チタン酸テトラエチル、チタン酸テトラプロピル、チタン酸テトライソプロピル、チタン酸テトラブチル、チタン酸テトライソブチル、チタン酸テトラ−２−エチルヘキシル、チタン酸テトラオクタデシルやチタニウム（IV）オキシアセチルアセトナート、チタニウム（IV）ジイシプロポキシビスアセチルアセトナート等が、又はハロゲン化チタン、たとえば四塩化チタン、四臭化チタン、四沃化チタン等があげられる。
【００１７】
型剤としては下記の一般式（Ｉ）で表される第４級アンモニウムイオンが用いられる。
［ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴］⁺ （Ｉ）
（式中、Ｒ1は炭素数２〜３６の直鎖状又は分岐状の炭化水素基を表し、Ｒ2〜Ｒ4は炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
Ｒ¹は炭素数２〜３６の直鎖状又は分岐状の炭化水素基であり、好ましくは炭素数１０〜１８のものである。Ｒ²〜Ｒ⁴は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ²〜Ｒ⁴の全てがメチル基であることが好ましい。
一般式（Ｉ）で表される第４級アンモニウムイオンの具体例としては、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム等のカチオンをあげることができる。
【００１８】
溶媒の例としては、水やアルコール、たとえばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ビニルアルコール、アリルアルコール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等やジオール、またそれらの混合物などをあげることができる。
【００１９】
シリカ源に対するチタン源の使用量はモル比で１０^-5〜１であり、好ましくは０．００００８〜０．４である。また、これらのシリカ源及びチタン源の合計量に対する第４級アンモニウムイオンの使用量はモル比で１０^-2〜２とすることが好ましい。
【００２０】
また、シリカ源とチタン源の反応を促進するために、混合溶液にアルカリ性又は酸性を付与させることが好ましい。アルカリ源としては第４級アンモニウムヒドロキシドが好ましく、例としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド等があげられる。また酸の例としては塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸及び蟻酸、酢酸、プロピオン酸等の有機酸があげられる。
【００２１】
ＸＲＤにおいて面間隔ｄを示すピークが存在しない触媒を調製する方法として、シリカ源、チタン源及び型剤（テンプレート）としての第４級アンモニウムイオンを混合させる際に、過剰の溶媒で希釈させる方法を用いることができる。用いられるシリカ源の種類によって最適な溶媒とその混合比率は変化するが、例えばアルコキシシランを用いた場合ではその配位子アルコキサイドと同じか又はそれに近い物性を有するアルコールを用いてシリカのモル数と同等以上の割合で希釈することにより好適にＸＲＤにおいて面間隔ｄを示すピークが存在しない触媒を得ることができる。
【００２２】
混合・攪拌の温度は通常−３０〜１００℃である。混合・攪拌により固体が生成するが、更に固体を成長させるためにこれを熟成してもよい。熟成時間は通常１８０時間以下であり、熟成温度は通常０〜２００℃である。熟成時に加熱を要する場合は、溶媒の気化を避けるために耐圧容器に移して密閉して行うのが好ましい。
【００２３】
次に、第二工程は、第一工程で得た固体を溶媒による溶媒抽出操作に付すことにより、型剤を除去することにより触媒を得る工程である。溶媒による型剤を抽出する技術は、Ｗｈｉｔｅｈｕｒｓｔらによって報告されている（米国特許５１４３８７９号公報参照。）。抽出に用いる溶媒は、型剤に用いた化合物を溶解し得るものであればよく、一般に炭素数１から約１２の常温で液状のオキサ及び／又はオキソ置換炭化水素を用いることができる。この種類の好適な溶媒としては、アルコール類、ケトン類、エーテル類（非環式及び環式のもの）及びエステル類を用いることができ、たとえば、メタノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール及びオクタノールのようなヒドロキシ置換炭化水素；アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン及びメチルイソブチルケトンのようなオキソ置換炭化水素；ジイソブチルエーテルやテトラヒドロフランのような炭化水素エーテル；及び酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル及びプロピオン酸ブチルのような炭化水素エステル等があげられる。これらの溶媒の触媒に対する重量比は、通常１〜１０００であり、好ましくは１０〜３００である。また、抽出効果を向上させるために、これらの溶媒に酸又はそれらの塩を添加してもよい。用いる酸の例としては、塩酸、硫酸、硝酸、臭酸等の無機酸や有機酸であるぎ酸、酢酸、プロピオン酸などがあげられる。また、それらの塩の例としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等があげられる。添加する酸又はそれらの塩の溶媒中の濃度は１０ｍｏｌ／ｌ以下が好ましく、１ｍｏｌ／ｌ以下が更に好ましい。添加する酸又はそれらの塩の溶媒中の濃度が過大であると触媒中に存在するチタンが溶出し、触媒活性が低下する場合がある。
【００２４】
ＸＲＤにおいて面間隔ｄを示すピークが存在しない触媒を調製する方法の一つとして、溶媒による型剤（テンプレート）抽出工程において水を含有する溶媒を用いることができる。抽出温度、含まれる酸の量によっても変化するが、一般に触媒重量に対する溶媒中の水の重量の比率が０．８以上を用いた場合、好適にＸＲＤにおいて面間隔ｄを示すピークが存在しない触媒を得ることができる。
【００２５】
溶媒と触媒を十分に混合した後、液相部をろ過あるいはデカンテーションなどの方法により分離する。この操作を必要回数繰り返す。また触媒層に洗浄溶媒を流通させる方法により抽出することも可能である。洗浄の終了はたとえば液相部の分析により知ることができる。抽出温度は０〜２００℃が好ましく２０〜１００℃が更に好ましい。
【００２６】
上記の有機抽出溶媒を用いる代わりに、超臨界流体を用いて抽出を行うことも可能である。超臨界流体としては二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素の臨界温度はおよそ３１℃以上であり、抽出温度は３１〜１００℃が好ましく、３５〜６０℃が更に好ましい。臨界圧力はおよそ７．４ＭＰａであり、１０〜３０ＭＰａが好ましい。触媒１リットルに対して１分間当り５０〜５００ｇの超臨界二酸化炭素を抽出に使用し、抽出時間は４〜２０時間行うのが好ましい。
【００２７】
抽出処理後に得られた固体には乾燥処理を施してもよい。すなわち、非還元性気体、たとえば窒素、アルゴン又は二酸化炭素もしくは酸素含有気体、たとえば空気の雰囲気下で、１０〜８００℃で加熱されるのが好ましい。５０〜３００℃が更に好ましい。
【００２８】
触媒の製造にあたっては、上記の第一工程及び第二工程に続いて下記の第三工程を用いることが好ましい。
第三工程：第二工程で得た触媒にシリル化処理を付すことにより、シリル化処理をした触媒を得る工程
シリル化処理は、第二工程で得た触媒をシリル化剤と接触させ、触媒の表面に存在する水酸基をシリル基に変換することにより行われる。シリル化剤の例には、有機シラン、有機シリルアミン、有機シリルアミドとその誘導体、及び有機シラザン及びその他のシリル化剤があげられる。
【００２９】
有機シランの例としては、クロロトリメチルシラン、ジクロロジメチルシラン、クロロブロモジメチルシラン、ニトロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン、ヨードジメチルブチルシラン、クロロジメチルフェニルシラン、ジクロロジメチルシラン、ジメチルn-プロピルクロロシラン、ジメチルイソプロピルクロロシラン、t-ブチルジメチルクロロシラン、トリプロピルクロロシラン、ジメチルオクチルクロロシラン、トリブチルクロロシラン、トリヘキシルクロロシラン、ジメチルエチルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、n-ブチルジメチルクロロシラン、ブロモメチルジメチルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン、３-クロロプロピルジメチルクロロシラン、ジメトキシメチルクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、トリエトキシクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、メチルフェニルビニルクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、ジフェニルビニルクロロシラン、トリベンジルクロロシラン、３-シアノプロピルジメチルクロロシランがあげられる。
【００３０】
有機シリルアミンの例としては、N−トリメチルシリルイミダゾール、N−t−ブチルジメチルシリルイミダゾール、N-ジメチルエチルシリルイミダゾール、N−ジメチルn−プロピルシリルイミダゾール、N−ジメチルイソプロピルシリルイミダゾール、N−トリメチルシリルジメチルアミン、N−トリメチルシリルジエチルアミン,N−トリメチルシリルピロール、N−トリメチルシリルピロリジン、N−トリメチルシリルピペリジン、１−シアノエチル（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルシリルアミンがあげられる。
【００３１】
有機シリルアミド及び誘導体の例としては、N,O−ビストリメチルシリルアセトアミド、N,O−ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、N−トリメチルシリルアセトアミド、N−メチル−N−トリメチルシリルアセトアミド、N−メチル−N−トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、N−メチル−N−トリメチルシリルヘプタフルオロブチルアミド、N-(t-ブチルジメチルシリル)−N−トリフルオロアセトアミド,N,O−ビス（ジエチルハイドロシリル）トリフルオロアセトアミドがあげられる。
【００３２】
有機シラザンの例としては、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、１,１,３,３−テトラメチルジシラザン,１,３−ビス（クロロメチル）テトラメチルジシラザン、１,３-ジビニル-１,１,３,３−テトラメチルジシラザン、１,３−ジフェニルテトラメチルジシラザンがあげられる。
【００３３】
その他のシリル化剤としては、N−メトキシ−N,O−ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、N−メトキシ−N,O−ビストリメチルシリルカーバメート、N,O−ビストリメチルシリルスルファメート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホナート、N,N'−ビストリメチルシリル尿素があげられる。好ましいシリル化剤はヘキサメチルジシラザンである。
【００３４】
本発明の触媒は、たとえば粉末、フレーク、球状粒子、ペレットのごとき任意の物理的形態で使用できる。
【００３５】
本発明の触媒は、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させるオキシラン化合物の製造方法に最適に使用され得る。オレフィン型化合物は、非環式、単環式、二環式又は多環式化合物であってよく、モノオレフィン型、ジオレフィン型又はポリオレフィン型のものであってよい。オレフィン結合が２以上ある場合には、これは共役結合又は非共役結合であってよい。炭素原子２〜６０個のオレフィン型化合物が一般に好ましい。置換基を有していてもよいが、置換基は比較的安定な基であることが好ましい。このような炭化水素の例にはエチレン、プロピレン、ブテン-１、イソブチレン、ヘキセン-１、ヘキセン-２、ヘキセン−３、オクテン−１、デセン−１、スチレン、シクロヘキセンがあげられる。適当なジオレフィン型炭化水素の例にはブタジエン、イソプレンがあげられる。置換基が存在してもよく、その例にはハロゲン原子があげられ、更にまた、酸素、硫黄、窒素原子を、水素及び／又は炭素原子と共に含有する種々の置換基が存在してもよい。このようなオレフィン型化合物としてオレフィン型不飽和アルコール、及びハロゲンで置換されたオレフィン型不飽和炭化水素があげられ、その例にはアリルアルコール、クロチルアルコール、塩化アリルがあげられる。特に好適なものは炭素原子３〜４０個のアルケンであって、これはヒドロキシル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。エチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させた結果得られるヒドロキシル化合物は１−フェニルエタノールであり、これは脱水反応によってスチレンに変換できる。スチレンは工業的に有用な物質である。原料物質として使用されるエチルベンゼンハイドロパーオキサイドは、希薄又は濃厚な精製物又は非精製物であってよい。
【００３６】
エポキシ化反応は、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを触媒に接触させることで行える。本反応は、溶媒及び／又は希釈剤を用いて液相中で実施できる。溶媒及び希釈剤は、反応時の温度及び圧力のもとで液体であり、かつ、反応体及び生成物に対して実質的に不活性なものでなければならない。溶媒は使用されるハイドロパーオキサイド溶液中に存在する物質からなるものであってよい。たとえばエチルベンゼンハイドロパーオキサイド（ＥＢＨＰ）がＥＢＨＰとその原料であるエチルベンゼンとからなる混合物である場合には、特に溶媒を添加することなく、これを溶媒の代用とすることも可能である。エポキシ化反応温度は一般に０〜２００℃であるが、２５〜２００℃の温度が好ましい。圧力は、反応混合物を液体の状態に保つのに充分な圧力でよい。一般に圧力は１００〜１００００ｋＰａであることが有利である。エポキシ化反応の終了後に、所望の生成物を含有する液状混合物が触媒組成物から容易に分離できる。次いで液状混合物を適当な方法によって精製することにより、所望のオキシラン化合物を取得することができる。精製は分別蒸留、選択抽出、濾過、洗浄等を含む。溶媒、触媒、未反応オレフィン、未反応ハイドロパーオキサイドは再循環して再び使用することもできる。本発明方法は、スラリー又は固定床の形の触媒を使用して有利に実施できる。大規模な工業的操作の場合には、固定床を用いるのが好ましい。本発明の方法は、回分法、半連続法又は連続法によって実施できる。反応原料を含有する液を固定床に通した場合には、反応帯域から出た液状混合物には、触媒が全く含まれていないか又は実質的に含まれていない。
【００３７】
オキシラン化合物は有用な工業用化学品である。プロピレンオキサイドは、重合反応又は共重合反応によって有用な重合体生成物に変換できる。塩化アリルから得られるエピクロロヒドリンも工業的に重要である。エピクロロヒドリンはグリセリンに変換できる。アリルアルコールから得られたオキシラン化合物から、グリセリンを製造することも可能である。
【００３８】
【実施例】
以下に実施例により本発明を説明する。
実施例１
触媒の調製（本発明による）
水１７５ｇにセチルトリメチルアンモニウムブロミド２７ｇ、２５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液４７ｇを混合し、これに室温でテトラエチルオルトシリケート１０５ｇ、７５％チタニウム（ＩＶ）ジイソプロポキシビスアセチルアセトナート４．８ｇ、イソプロピルアルコール６０ｇの混合溶液を添加した。１時間攪拌を続けた後、生じた沈殿をろ別し、水洗した。水洗は洗浄液が中性になるまで行った。得られた沈殿物触媒をフラスコに入れ、触媒１０ｇ当り５００ｍｌの硫酸・エタノール混合溶液（硫酸０．０５モル／ｌ）と攪拌混合した。攪拌しながらリフラックス温度で１時間過熱を続け、放冷して４０℃以下とした後、ろ過により溶媒を除去した。同様の操作をもう一度繰り返し、最終的にろ別した白色固体を管状炉に移し替えて窒素気流下、１５０℃、６時間乾燥させた。
この物質（５ｇ）、ヘキサメチルジシラザン（３．４ｇ）、トルエン（５０ｇ）を混合し、攪拌下、１時間加熱還流した。混合物から濾過により液を留去した。トルエン（１００ｇ）で洗浄し、真空乾燥（１２０℃、１０ｍｍＨｇ、３時間）することにより触媒を得た。かくして合成された触媒は、比表面積１０１５ｍ²／ｇ、平均細孔径３１Å、細孔容量０．８ｃｃ／ｇを有し、細孔分布範囲は５から１４０Åまでであった。
シクロヘキセンオキサイド（ＣＨＯ）の合成
このようにして合成した触媒０．３０ｇ、１９％エチルベンゼンハイドロパーオキサイド（ＥＢＨＰ）を含有するエチルベンゼン溶液３３ｇおよびシクロヘキセン２３ｇを１５０ｃｃのＳＵＳオートクレーブに仕込み、反応温度８０℃、反応時間９０分のバッチ反応にてエポキシ化反応を行なった。反応成績を表１に示す。
【００３９】
比較例１
チタン担持型シリカ触媒の調製
窒素気流下、チタン酸テトライソプロピル（４.４ｇ）のイソプロパノール（２０ｍｌ）溶液に攪拌下アセチルアセトン（３．２ｇ）をゆっくり滴下した後３０分室温で攪拌した。市販シリカゲル（１０〜２０ｍｅｓｈ、表面積３２６ｍ²／ｇ、平均細孔直径１００Å）（５０ｇ）とイソプロパノール（２３０ｍｌ）の混合物に、上記の液を滴下した後、１時間室温で攪拌後混合物を濾過した。固体部分を３回イソプロパノールで洗浄した（計２５０ｍｌ）。固体部を空気雰囲気下１５０℃で２時間乾燥した。更に空気雰囲気下６００℃で４時間焼成した。この物質（１０ｇ）、ヘキサメチルジシラザン（４ｇ）、トルエン（５０ｇ）を混合し、攪拌下、１時間加熱還流した。混合物から濾過により液を留去した。トルエン（１００ｇ）で洗浄し、真空乾燥（１２０℃、１０ｍｍＨｇ、３時間）することにより触媒を得た。
上記のように合成された触媒は、比表面積２４４ｍ²／ｇ、平均細孔径１４８Å、細孔容量０．９ｃｃ／ｇを有し、細孔分布範囲が５から２００Åであった。
反応評価は触媒量を０．７６ｇにした以外は実施例１と同様に行った。エポキシ化反応成績を表１に示す。
【００４０】
【表１】

＊１：細孔分布の最小値は窒素吸着法による測定限界値
【００４１】
表１のＥＢＨＰを用いたエポキシ化反応において、本発明による触媒は活性、選択性ともに明らかに高い性能を示していることがわかる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明により、チタン含有珪素酸化物触媒の存在下、高収率及び高選択率下に、オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させるオキシラン化合物の製造方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の触媒のＸ線回折チャートである。

Claims

オレフィン型化合物とエチルベンゼンハイドロパーオキサイドを反応させるオキシラン化合物の製造方法であって、下記（１）〜（５）の全ての条件を充足するチタン含有珪素酸化物からなる触媒の存在下に反応を行うオキシラン化合物の製造方法。
（１）：平均細孔径が１０Å以上であること
（２）：全細孔容量の９０％以上が５〜２００Åの細孔径を有すること
（３）：比細孔容量が０．２ｃｍ³／ｇ以上であること
（４）：下記の一般式（Ｉ）で表される第４級アンモニウムイオンを型剤（テンプレート）として用い、その後該型剤を溶媒抽出操作により除去して得られるものであること
［ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴］⁺ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹は炭素数２〜３６の直鎖状又は分岐状の炭化水素基を表し、Ｒ²〜Ｒ⁴は炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
（５）：Ｘ線回折において、面間隔ｄを示すピークが存在しないこと
触媒が赤外線吸収スペクトルにおいて９６０±５ｃｍ^-1の領域に吸収ピークを有する請求項１記載の製造方法。