JP4485433B2 - Electrostatic latent image carrier, image forming apparatus, image forming method, and process cartridge - Google Patents

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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

本発明は、静電潜像担持体（以下、「感光体」、「電子写真感光体」と称することがある）、並びに画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジに関する。   The present invention relates to an electrostatic latent image carrier (hereinafter sometimes referred to as “photosensitive member” or “electrophotographic photosensitive member”), an image forming apparatus, an image forming method, and a process cartridge.

一般に、電子写真方法とは、まず、光導電性の感光体を、暗所で、例えば、コロナ放電によって帯電させる。次いで、像露光し、露光部のみの電荷を選択的に散逸させて静電潜像を得る。この潜像部を染料、顔料等の着色剤と、高分子物質等の結合剤とから構成される検電微粒子（トナー）で現像し、可視化して、画像を形成する画像形成法の一つである。   In general, the electrophotographic method first charges a photoconductive photoreceptor in the dark, for example, by corona discharge. Next, the image is exposed to selectively dissipate the electric charge of only the exposed portion to obtain an electrostatic latent image. An image forming method in which the latent image portion is developed with visualization fine particles (toner) composed of a colorant such as a dye or a pigment, and a binder such as a polymer substance, and visualized to form an image. It is.

このような電子写真方法において、感光体に要求される基本的な特性としては、以下のことが挙げられる。
（１）暗所で適当な電位に帯電できること
（２）暗所において電荷の散逸が少ないこと
（３）光照射によって速やかに電荷を散逸できること In such an electrophotographic method, basic characteristics required for the photoreceptor include the following.
(1) It can be charged to an appropriate potential in a dark place. (2) There is little charge dissipation in the dark place. (3) It can quickly dissipate charge by light irradiation.

従来より、電子写真方法に使用される感光体としては、一般に、支持体上にセレン又はセレン合金を主体とする感光層を設けたもの、酸化亜鉛、硫化カドミウム等の無機系光導電材料をバインダー中に分散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノン、アゾ顔料等などの有機光導電材料とを用いたもの、非晶質シリコン系材料を用いたもの、などが知られている。近年では、コストの低さ、感光体設計の自由度の高さ、低公害性等から有機系感光体が広く利用されるようになってきている。   Conventionally, as a photoreceptor used in an electrophotographic method, generally, a photosensitive layer mainly composed of selenium or a selenium alloy is provided on a support, and an inorganic photoconductive material such as zinc oxide or cadmium sulfide is used as a binder. Known in the art are those dispersed in water, those using poly-N-vinylcarbazole and organic photoconductive materials such as trinitrofluorenone and azo pigments, and those using amorphous silicon-based materials. . In recent years, organic photoconductors have been widely used due to low cost, high degree of freedom in photoconductor design, low pollution, and the like.

このような有機系感光体としては、例えば、（１）ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂型の感光体、（２）ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型の感光体、（３）フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型の感光体、（４）電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが挙げられる。これらの中でも、機能分離型の感光体が特に注目されている。   Examples of such organic photoreceptors include (1) a photoconductive resin-type photoreceptor represented by polyvinylcarbazole (PVK), and (2) PVK-TNF (2,4,7-trinitrofluorenone). (3) a pigment dispersion type photoreceptor represented by a phthalocyanine-binder, and (4) a function separation type photoreceptor using a combination of a charge generating substance and a charge transporting substance. Etc. Among these, a function-separated type photoreceptor is attracting particular attention.

このような機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後、光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、上記基本特性を充分に満たすものが得られている。   The mechanism of electrostatic latent image formation in such a function-separated type photoreceptor is that when the photoreceptor is charged and then irradiated with light, the light passes through the transparent charge transport layer and is caused by the charge generation material in the charge generation layer. The charge generation material that has absorbed and absorbed the light generates charge carriers, which are injected into the charge transport layer, move in the charge transport layer according to the electric field generated by charging, and charge on the surface of the photoconductor. By neutralizing, an electrostatic latent image is formed. In the functionally separated type photoreceptor, it is known to use a combination of a charge transport material having absorption mainly in the ultraviolet region and a charge generation material having absorption mainly in the visible region, and the above basic characteristics are sufficiently obtained. What you meet is obtained.

近年、電子写真プロセスの高速化、小型化が進むなか、感光体に対して上記特性以外にも、長期間繰返して使用しても、高画質を保つことのできる信頼性及び高耐久性が強く要求されるようになってきている。
また、感光体は、電子写真プロセスにおいて、様々な機械的負荷、及び化学的負荷を受けている。これらの中でも、化学的負荷は、電子写真プロセスにおける帯電部から発生するオゾンや窒素酸化物等による影響が大きい。これらのオゾンや窒素酸化物等が帯電部で発生し、感光体表面へ吸着及び化学変化を引き起こす。帯電工程で発生したオゾンは、感光体を形成する結着樹脂や電荷輸送物質を酸化する。そして、結着樹脂の分子鎖が切断され、カルボン酸等の有機酸が生成される。また同様に発生した窒素酸化物等の放電生成物は、空気中の水（水分子）と結合あるいは反応することにより電気導電性を有する物質となる。このような電気導電性を有する物質及び前記有機酸が感光体上に吸着した場合、感光体の表面近傍が低抵抗化し、感光体上に形成された静電潜像が破壊されてしまう結果、現像工程の施された感光体上には、いわゆる画像流れ状態のトナー像が形成される。
また、感光体上に吸着した放電生成物により感光体表面の摩擦係数の増加が一般に生じる。このため、例えば、感光体へのクリーニングブレード当接部位における力学的な負荷が増加する。更に、前記感光体を形成する結着樹脂の分子鎖切断により、感光体の摩耗が促進されてしまう。また、これらのオゾンや窒素酸化物などの発生は、環境側面からも問題となる。 In recent years, as the speed and miniaturization of the electrophotographic process has progressed, in addition to the above characteristics, the photoconductor has high reliability and high durability that can maintain high image quality even when used repeatedly for a long time. It is becoming required.
Further, the photoreceptor is subjected to various mechanical loads and chemical loads in the electrophotographic process. Among these, the chemical load is greatly influenced by ozone, nitrogen oxides and the like generated from the charged portion in the electrophotographic process. These ozone, nitrogen oxides and the like are generated at the charged portion, causing adsorption and chemical change on the surface of the photoreceptor. Ozone generated in the charging step oxidizes the binder resin and charge transport material that form the photoreceptor. And the molecular chain of binder resin is cut | disconnected, and organic acids, such as carboxylic acid, are produced | generated. Similarly, the generated discharge product such as nitrogen oxide becomes a substance having electrical conductivity by binding or reacting with water (water molecules) in the air. When such a substance having electrical conductivity and the organic acid are adsorbed on the photoconductor, the vicinity of the surface of the photoconductor is reduced in resistance, and the electrostatic latent image formed on the photoconductor is destroyed. A so-called image-flow toner image is formed on the photoconductor subjected to the development process.
Further, the discharge coefficient adsorbed on the photoconductor generally causes an increase in the coefficient of friction on the photoconductor surface. For this reason, for example, a mechanical load at the contact portion of the cleaning blade with the photosensitive member increases. Furthermore, the wear of the photoconductor is promoted by the molecular chain scission of the binder resin forming the photoconductor. Moreover, generation | occurrence | production of these ozone, nitrogen oxides, etc. also becomes a problem from an environmental side.

また、電子写真における帯電方法としては、一般に、コロナ帯電方法や接触帯電方法が使用されている。
前記コロナ帯電方法は、コロトロン方式とグリッドを有するスコロトロン方式とがあり、金属板で遮蔽されたハウジングの中央に張架されたタングステンやニッケルのチャージワイヤーに、直流もしくは交流を重畳した直流電圧を印加することによりコロナ放電を起こし、感光体を帯電する方法である。しかし、この方法では、チャージワイヤーに高電圧を印加するため、オゾンや窒素酸化物などが発生して、環境的側面ばかりでなく、感光体に対しても、耐久性や画像特性に悪影響を及ぼすことが知られている。 In general, a corona charging method or a contact charging method is used as a charging method in electrophotography.
The corona charging method includes a corotron method and a scorotron method having a grid, and a direct current or a direct current voltage superimposed on an alternating current is applied to a tungsten or nickel charge wire stretched in the center of a housing shielded by a metal plate. In this method, corona discharge is caused to charge the photosensitive member. However, in this method, since a high voltage is applied to the charge wire, ozone and nitrogen oxides are generated, which adversely affects not only the environmental aspects but also the photoreceptor and the durability and image characteristics. It is known.

近年、前記コロナ帯電方法に代わって、低オゾン、低電力を目的とした、接触帯電方法が、実用化されてきている。前記接触帯電方法は、感光体に対し１０２〜１０１０Ω・ｃｍ程度の抵抗を持つ帯電部材に、直流もしくは交流を重畳した直流電圧を印加し、感光体に加圧当接させ、電荷を付与する方法である。この帯電方法は、パッシェンの法則に従い、帯電部材から被帯電体への放電によって行われるため、あるしきい値電圧以上の電圧を印加することによって帯電が開始される。この接触帯電方法は、前記コロナ帯電方法と比較すると、帯電部材への印加電圧は低くなるが、放電を伴うため、少量のオゾン及び窒素酸化物が発生するという課題がある。 In recent years, in place of the corona charging method, a contact charging method aimed at low ozone and low power has been put into practical use. In the contact charging method, a direct current voltage or a direct current superimposed on an alternating current is applied to a charging member having a resistance of about 10 2 to 10 10 Ω · cm with respect to the photoreceptor, and the photoreceptor is pressed and brought into contact with the photoreceptor. It is a method of granting. Since this charging method is performed by discharging from the charging member to the member to be charged in accordance with Paschen's law, charging is started by applying a voltage equal to or higher than a certain threshold voltage. Compared with the corona charging method, this contact charging method has a problem that a small amount of ozone and nitrogen oxides are generated because the voltage applied to the charging member is low but discharge is accompanied.

前記課題を解決するため、新たなる帯電方式として、感光体への電荷の直接注入による帯電方式が提案されている（特許文献１参照）。この帯電方式は、低抵抗な電荷注入層を感光体表面に設け、帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電磁気ブラシ等の接触導電部材に電圧を印加し、接触させることにより、注入帯電を行う方法である。この帯電方式は、放電現象を用いないため、帯電に必要とされる電圧は所望の感光体表面電位分のみであるので、従来の接触帯電方式に比べて、オゾンや窒素酸化物の発生量が非常に少ない、低電力の帯電方式である。この電荷注入帯電を行うために感光体に設けられる電荷注入層は、樹脂中に、酸化すず等の金属酸化物を分散させ、感光体の表面抵抗を下げている。
しかし、このような感光体の表面抵抗は、使用される環境（温度、湿度）によって、大きく変化し、安定した帯電が行えなくなる。そのため、機内環境を制御する方法として、機内でのヒーター等の設置が考えられる。しかし、このようにヒーターを設置すると、機械全体としての消費電力が大きくなってしまうという課題がある。 In order to solve the above-described problem, a charging method based on direct injection of charges into a photosensitive member has been proposed as a new charging method (see Patent Document 1). This charging method is a method in which injection charging is performed by providing a low resistance charge injection layer on the surface of a photoconductor, applying a voltage to a contact conductive member such as a charging roller, a charging brush, and a charging magnetic brush and bringing them into contact with each other. . Since this charging method does not use the discharge phenomenon, the voltage required for charging is only for the desired surface potential of the photoreceptor, so that the amount of ozone and nitrogen oxide generated is smaller than that of the conventional contact charging method. This is a very low-power charging method. The charge injection layer provided on the photoconductor for this charge injection charging has a metal oxide such as tin oxide dispersed in the resin to lower the surface resistance of the photoconductor.
However, the surface resistance of such a photoreceptor varies greatly depending on the environment (temperature, humidity) used, and stable charging cannot be performed. Therefore, it is conceivable to install a heater or the like in the machine as a method for controlling the machine environment. However, when the heater is installed in this way, there is a problem that the power consumption of the entire machine increases.

また、感光体に光照射し、生成された電荷を外部電界により、感光体表面に移動させて、帯電させる帯電方式が提案されている（特許文献２及び特許文献３参照）。この提案の帯電方式では、電荷注入帯電方式に比べて、オゾンや窒素酸化物等の発生はなく、かつ低電力であり、更には使用環境（温度、湿度）による、特性の変化が少なくなる。
また、特許文献４及び特許文献５に示される帯電方式では、感光体として、支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を順次積層した構成の積層型電子写真感光体、及び支持体上に単一の感光層を設けた単層型電子写真感光体に使用されている。これらの感光体では、帯電時に電荷が発生する層と潜像形成時に電荷を発生する層が同じであるため、帯電時の電荷発生から、潜像形成時の電荷発生までの時間が限定され、小径化、高速化対応が不可能となる。 In addition, there has been proposed a charging method in which the photosensitive member is irradiated with light and the generated charge is moved to the surface of the photosensitive member by an external electric field to be charged (see Patent Document 2 and Patent Document 3). In the proposed charging method, ozone, nitrogen oxides, etc. are not generated and the power is low as compared with the charge injection charging method, and the change in characteristics due to the use environment (temperature, humidity) is reduced.
In addition, in the charging methods shown in Patent Document 4 and Patent Document 5, a multilayer electrophotographic photoreceptor having a structure in which a charge generation layer and a charge transport layer are sequentially laminated on a support, and a single on the support. It is used for a single layer type electrophotographic photosensitive member provided with one photosensitive layer. In these photoreceptors, since the layer that generates charge during charging and the layer that generates charge during latent image formation are the same, the time from charge generation during charging to charge generation during latent image formation is limited, It becomes impossible to reduce the diameter and speed.

また、特許文献６に示される電子写真感光体は、支持体上に、帯電時に電荷発生する層、電荷輸送層、潜像形成時に電荷を発生する層、表面端部に電極を有する構成である。この構成の感光体を帯電させるときには、表面端部電極に電圧を印可し電界を形成して、電荷を移動させる。この方法では、帯電を均一に行うためには、最表層を低抵抗化させる必要がある。しかし、この提案のように低抵抗な最表層を設けると、感光体表面に形成した潜像が拡がって、細線再現性や微細ドット再現性が低下するという不具合がある。   In addition, the electrophotographic photosensitive member disclosed in Patent Document 6 has a structure in which a charge is generated on a support, a layer that generates a charge, a charge transport layer, a layer that generates a charge when forming a latent image, and an electrode on a surface edge. . When the photosensitive member having this structure is charged, a voltage is applied to the front surface end electrode to form an electric field, thereby moving the charge. In this method, in order to perform charging uniformly, it is necessary to reduce the resistance of the outermost layer. However, when a low-resistance outermost layer is provided as in this proposal, there is a problem that the latent image formed on the surface of the photoreceptor is expanded and the fine line reproducibility and fine dot reproducibility are lowered.

このような不具合を解消するため、例えば、特許文献７で示される電子写真感光体では、支持体上に潜像形成時に電荷発生する層、電荷輸送層、帯電時に電荷発生する層を設け、更にそれぞれの電荷発生層の電荷発生材料を限定している。この提案によれば、画像劣化しにくく、かつ効率的な帯電性を達成できる。しかし、この提案においても、長期的に使用した場合、徐々に帯電ムラなどの不具合が発生するという課題があり、更なる改良、開発が望まれているのが現状である。   In order to eliminate such problems, for example, in the electrophotographic photosensitive member disclosed in Patent Document 7, a charge generating layer when forming a latent image, a charge transporting layer, and a layer generating charge when charging are provided on a support. The charge generation material of each charge generation layer is limited. According to this proposal, it is difficult to cause image degradation and efficient charging can be achieved. However, even in this proposal, there is a problem that problems such as uneven charging gradually occur when used for a long period of time, and further improvement and development are desired at present.

特開平６−００３９２１号公報JP-A-6-003921 特開平８−７６５５９号公報JP-A-8-76559 特開平９−２６６８１号公報JP-A-9-26681 特開平８−７６５５９号公報JP-A-8-76559 特開平９−２６６８１号公報JP-A-9-26681 特開２００１−１８３８５３号公報JP 2001-183853 A 特許第３５６６２７５号公報Japanese Patent No. 3566275

本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、帯電時におけるオゾンや窒素酸化物などの発生を抑えることができ、高画質画像を安定に出力可能な静電潜像担持体、並びに該静電潜像担持体を用いた画像形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve various problems in the prior art and achieve the following objects. That is, the present invention uses an electrostatic latent image carrier that can suppress generation of ozone, nitrogen oxides, and the like during charging and that can stably output a high-quality image, and the electrostatic latent image carrier. An object is to provide an image forming apparatus, a process cartridge, and an image forming method.

前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞ 光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段を使用した画像形成に用いられ、
支持体と、該支持体上に、露光により静電潜像形成の電荷を発生する第１電荷発生層、少なくとも正孔輸送物質を含有する第１電荷輸送層、露光により帯電電荷を発生する第２電荷発生層、及び少なくとも電子輸送物質を含有する第２電荷輸送層をこの順に有することを特徴とする静電潜像担持体である。
＜２＞ 第２電荷輸送層が、正孔輸送物質を含有する前記＜１＞に記載の静電潜像担持体である。
＜３＞ 正孔輸送物質が、高分子正孔輸送物質である前記＜２＞に記載の静電潜像担持体である。
＜４＞ 第２電荷輸送層が、更にフィラーを含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の静電潜像担持体である。
＜５＞ フィラーが、無機フィラー及び炭素含有フィラーのいずれかである前記＜４＞に記載の静電潜像担持体である。
＜６＞ 無機フィラーが、金属酸化物フィラーである前記＜５＞に記載の静電潜像担持体である。
＜７＞ 金属酸化物フィラーが、酸化チタン、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選択される少なくとも１種である前記＜６＞に記載の静電潜像担持体である。
＜８＞ 炭素含有フィラーが、ダイヤモンドフィラーである前記＜５＞に記載の静電潜像担持体である。
＜９＞ 第１電荷発生層及び第２電荷発生層が、互いに異なる２種以上の電荷発生物質を含有し、かつ該電荷発生物質の最大光吸収波長がそれぞれ異なる前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の静電潜像担持体である。
＜１０＞ 第１電荷発生層における電荷発生物質がチタニルフタロシアニン顔料であり、かつ第２電荷発生層における電荷発生物質がアゾ顔料である前記＜９＞に記載の静電潜像担持体である。
＜１１＞ 第１電荷輸送層の厚みが、１０〜５０μｍである前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の静電潜像担持体である。
＜１２＞ 第２電荷輸送層の厚みが、０．５〜１０μｍである前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の静電潜像担持体である。
＜１３＞ 第２電荷輸送層上に、表面保護層を有する前記＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の静電潜像担持体である。
＜１４＞ 表面保護層が、少なくともバインダー樹脂及びフィラーを含有する前記＜１３＞に記載の静電潜像担持体である。
＜１５＞ フィラーが、無機フィラー及び炭素含有フィラーのいずれかである前記＜１４＞に記載の静電潜像担持体である。
＜１６＞ 無機フィラーが、金属酸化物フィラーである前記＜１５＞に記載の静電潜像担持体である。
＜１７＞ 金属酸化物フィラーが、酸化チタン、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選択される少なくとも１種である前記＜１６＞に記載の静電潜像担持体である。
＜１８＞ 炭素含有フィラーが、ダイヤモンドフィラーである前記＜１５＞に記載の静電潜像担持体である。
＜１９＞ 表面保護層が、水素含有ダイヤモンド状カーボン及び非晶質カーボンのいずれかを含有する前記＜１３＞に記載の静電潜像担持体である。
＜２０＞ 光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段と、露光手段とを用い該静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程と、該トナー像を記録媒体に転写する転写工程とを少なくとも含む画像形成方法において、
前記静電潜像担持体が、前記＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の静電潜像担持体であることを特徴とする画像形成方法である。
＜２１＞ 静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段と、露光手段とを有し該静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像手段と、該トナー像を記録媒体に転写する転写手段とを少なくとも有する画像形成装置において、
前記静電潜像担持体が、前記＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の静電潜像担持体であることを特徴とする画像形成装置である。
＜２２＞ 前記＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段とを有し、更に、現像手段、転写手段、クリーニング手段及び除電手段から選択される少なくとも一つの手段を有してなり、画像形成装置本体に着脱可能であることを特徴とするプロセスカートリッジである。 Means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> Used for image formation using charging means for charging the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application,
A support, a first charge generation layer that generates a charge for forming an electrostatic latent image upon exposure, a first charge transport layer that contains at least a hole transport material, and a first charge generation layer that generates a charged charge upon exposure. An electrostatic latent image carrier having a two-charge generation layer and a second charge transport layer containing at least an electron transport material in this order.
<2> The electrostatic latent image carrier according to <1>, wherein the second charge transport layer contains a hole transport material.
<3> The electrostatic latent image carrier according to <2>, wherein the hole transport material is a polymer hole transport material.
<4> The electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <3>, wherein the second charge transport layer further contains a filler.
<5> The electrostatic latent image carrier according to <4>, wherein the filler is any one of an inorganic filler and a carbon-containing filler.
<6> The electrostatic latent image carrier according to <5>, wherein the inorganic filler is a metal oxide filler.
<7> The electrostatic latent image carrier according to <6>, wherein the metal oxide filler is at least one selected from titanium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide.
<8> The electrostatic latent image carrier according to <5>, wherein the carbon-containing filler is a diamond filler.
<9> The <1> to <8>, wherein the first charge generation layer and the second charge generation layer contain two or more different types of charge generation materials, and the maximum light absorption wavelengths of the charge generation materials are different from each other. Or an electrostatic latent image carrier according to any one of the above.
<10> The electrostatic latent image carrier according to <9>, wherein the charge generation material in the first charge generation layer is a titanyl phthalocyanine pigment, and the charge generation material in the second charge generation layer is an azo pigment.
<11> The electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <10>, wherein the first charge transport layer has a thickness of 10 to 50 μm.
<12> The electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <11>, wherein the second charge transport layer has a thickness of 0.5 to 10 μm.
<13> The electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <12>, further including a surface protective layer on the second charge transport layer.
<14> The electrostatic latent image carrier according to <13>, wherein the surface protective layer contains at least a binder resin and a filler.
<15> The electrostatic latent image carrier according to <14>, wherein the filler is any one of an inorganic filler and a carbon-containing filler.
<16> The electrostatic latent image carrier according to <15>, wherein the inorganic filler is a metal oxide filler.
<17> The electrostatic latent image carrier according to <16>, wherein the metal oxide filler is at least one selected from titanium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide.
<18> The electrostatic latent image carrier according to <15>, wherein the carbon-containing filler is a diamond filler.
<19> The electrostatic latent image carrier according to <13>, wherein the surface protective layer contains either hydrogen-containing diamond-like carbon or amorphous carbon.
<20> An electrostatic latent image forming step of forming an electrostatic latent image on the surface of the electrostatic latent image carrier using a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and an exposure unit. And an image forming method including at least a development step of developing the electrostatic latent image with toner to form a toner image, and a transfer step of transferring the toner image to a recording medium.
The electrostatic latent image carrier is the electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <19>.
<21> An electrostatic latent image carrier, a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and an exposure unit, and an electrostatic latent image on the surface of the electrostatic latent image carrier Forming an electrostatic latent image forming means for forming the image, developing means for developing the electrostatic latent image with toner to form a toner image, and transfer means for transferring the toner image to a recording medium In the device
The electrostatic latent image carrier is the electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <19>.
<22> The electrostatic latent image carrier according to any one of <1> to <19>, and a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, The process cartridge includes at least one unit selected from a developing unit, a transfer unit, a cleaning unit, and a charge eliminating unit, and is detachable from the main body of the image forming apparatus.

本発明の静電潜像担持体は、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段を使用した画像形成に用いられ、
支持体と、該支持体上に、露光により静電潜像形成の電荷を発生する第１電荷発生層、少なくとも正孔輸送物質を含有する第１電荷輸送層、露光により帯電電荷を発生する第２電荷発生層、及び少なくとも電子輸送物質を含有する第２電荷輸送層をこの順に有する。
本発明の静電潜像担持体は、帯電時におけるオゾン、窒素酸化物などの発生を抑えることができ、画像特性に優れた画像形成に用いられる。 The electrostatic latent image carrier of the present invention is used for image formation using charging means for charging the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application.
A support, a first charge generation layer that generates a charge for forming an electrostatic latent image upon exposure, a first charge transport layer that contains at least a hole transport material, and a first charge generation layer that generates a charged charge upon exposure. It has a 2 charge generation layer and the 2nd charge transport layer containing an electron transport substance at least in this order.
The electrostatic latent image carrier of the present invention can suppress the generation of ozone, nitrogen oxide, and the like during charging, and is used for image formation with excellent image characteristics.

本発明の画像形成方法は、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段と、露光手段とを用い該静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程と、該トナー像を記録媒体に転写する転写工程とを少なくとも含んでなり、前記静電潜像担持体が、前記静電潜像担持体が、前記本発明の静電潜像担持体である。該本発明の画像形成方法においては、前記静電潜像担持体として、本発明の前記静電潜像担持体を用いているので、長期的使用における画像安定性に優れ、長期間にわたり高画質な画像を形成できる。   The image forming method of the present invention uses a charging means for charging the surface of an electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and an exposure means to form an electrostatic latent image on the surface of the electrostatic latent image carrier. An electrostatic latent image forming step; a developing step of developing the electrostatic latent image with toner to form a toner image; and a transfer step of transferring the toner image to a recording medium. The latent image carrier is the electrostatic latent image carrier of the present invention. In the image forming method of the present invention, since the electrostatic latent image carrier of the present invention is used as the electrostatic latent image carrier, the image stability in long-term use is excellent, and high image quality over a long period of time. An image can be formed.

本発明の画像形成装置は、静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段と、露光手段とを有し該静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像手段と、該トナー像を記録媒体に転写する転写手段とを少なくとも有してなり、前記静電潜像担持体が、本発明の前記静電潜像担持体である。該本発明の画像形成装置においては、前記静電潜像担持体として、本発明の前記静電潜像担持体を用いているので、画像安定性に優れ、長期間にわたり高画質な画像を形成できる。   The image forming apparatus of the present invention includes an electrostatic latent image carrier, a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and an exposure unit. An electrostatic latent image forming unit that forms an electrostatic latent image on the substrate, a developing unit that develops the electrostatic latent image with toner to form a toner image, and a transfer unit that transfers the toner image to a recording medium. And the electrostatic latent image carrier is the electrostatic latent image carrier of the present invention. In the image forming apparatus of the present invention, since the electrostatic latent image carrier of the present invention is used as the electrostatic latent image carrier, it has excellent image stability and forms a high-quality image over a long period of time. it can.

本発明のプロセスカートリッジは、本発明の前記静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段とを有し、更に、現像手段、転写手段、クリーニング手段及び除電手段から選択される少なくとも一つの手段を有してなり、画像形成装置本体に着脱可能である。本発明のプロセスカートリッジにおいては、画質安定性に優れ、高画質画像を長期に渡って安定に得られ、ブレードクリーニング等を行っても静電潜像担持体の摩耗が極めて僅かに抑制され、クリーニング性も良好である。   The process cartridge of the present invention includes the electrostatic latent image carrier of the present invention, and a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and further includes a developing unit, a transfer unit, It has at least one means selected from a cleaning means and a charge eliminating means, and is detachable from the main body of the image forming apparatus. The process cartridge of the present invention has excellent image quality stability, can stably obtain high-quality images over a long period of time, and even if blade cleaning or the like is performed, the wear of the electrostatic latent image carrier is extremely suppressed, and cleaning is performed. The property is also good.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、帯電時におけるオゾンや窒素酸化物などの発生を抑えることができ、高画質画像を安定に出力可能な静電潜像担持体、並びに画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジを提供することができる。   According to the present invention, a conventional problem can be solved, generation of ozone, nitrogen oxides, and the like during charging can be suppressed, and an electrostatic latent image carrier capable of stably outputting a high-quality image, and an image A forming apparatus, an image forming method, and a process cartridge can be provided.

（静電潜像担持体）
本発明の静電潜像担持体は、光照射による露光と、バイアス印加による帯電により静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成工程を少なくとも含む画像形成に用いられ、
支持体と、該支持体上に、露光により静電潜像形成の電荷を発生する第１電荷発生層、少なくとも正孔輸送物質を含有する第１電荷輸送層、露光により帯電電荷を発生する第２電荷発生層、及び少なくとも電子輸送物質を含有する第２電荷輸送層をこの順に有してなり、下引き層、表面保護層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。 (Electrostatic latent image carrier)
The electrostatic latent image carrier of the present invention is used for image formation including at least an electrostatic latent image forming step of forming an electrostatic latent image on the surface of the electrostatic latent image carrier by exposure by light irradiation and charging by bias application. And
A support, a first charge generation layer that generates a charge for forming an electrostatic latent image upon exposure, a first charge transport layer that contains at least a hole transport material, and a first charge generation layer that generates a charged charge upon exposure. A two-charge generation layer and a second charge transport layer containing at least an electron transport material are provided in this order, and an undercoat layer, a surface protective layer, and other layers as necessary.

本発明の静電潜像担持体は、上述したように、支持体上に少なくとも第１電荷発生層、第１電荷輸送層、第２電荷発生層、及び第２電荷輸送層を有する構成であればよく、その他の層等を任意に組み合わせても構わない。
ここで、図１は、本発明の静電潜像担持体を示す基本的な層構成例である。この例では、支持体１１と、支持体上に少なくとも第１電荷発生層１３、第１電荷輸送層１４、第２電荷発生層１５、及び第２電荷輸送層１６をこの順に積層した構造を有する。
前記第１電荷発生層は、露光により静電潜像を形成するための電荷を発生する層である。
前記第２電荷発生層は、露光により帯電を行うための電荷を発生する層である。
前記第１電荷輸送層は、少なくとも正孔輸送物質を含有し、帯電時に第２電荷発生層で発生した正孔を導電性基体側に輸送し、静電潜像形成時に第１電荷発生層で発生した正孔を感光体表面側に輸送するために設けられた層である。
前記第２電荷輸送層は、少なくとも電子輸送物質を含有し、帯電時に第２電荷発生層で発生した電子を表面側に輸送するための層である。
なお、前記第２電荷輸送層は、静電潜像形成時にも第１電荷発生層で発生した正孔を表面側に輸送する必要がある。そのため、第２電荷輸送層は電子輸送物質と正孔輸送材料を含有していることが好ましい。 As described above, the electrostatic latent image carrier of the present invention has at least a first charge generation layer, a first charge transport layer, a second charge generation layer, and a second charge transport layer on a support. What is necessary is just to combine other layers etc. arbitrarily.
Here, FIG. 1 is a basic layer configuration example showing the electrostatic latent image carrier of the present invention. In this example, the support 11 and at least the first charge generation layer 13, the first charge transport layer 14, the second charge generation layer 15, and the second charge transport layer 16 are stacked in this order on the support. .
The first charge generation layer is a layer that generates charges for forming an electrostatic latent image by exposure.
The second charge generation layer is a layer that generates charges for charging by exposure.
The first charge transport layer contains at least a hole transport material, transports holes generated in the second charge generation layer during charging to the conductive substrate side, and forms a first latent charge generation layer during electrostatic latent image formation. This is a layer provided for transporting generated holes to the surface of the photoreceptor.
The second charge transport layer contains at least an electron transport material and is a layer for transporting electrons generated in the second charge generation layer during charging to the surface side.
The second charge transport layer needs to transport holes generated in the first charge generation layer to the surface side even when an electrostatic latent image is formed. Therefore, the second charge transport layer preferably contains an electron transport material and a hole transport material.

図２は、本発明の静電潜像担持体の別の構成例を示す断面図であり、支持体１１と、該支持体上に、下引き層１２、第１電荷発生層１３、第１電荷輸送層１４、第２電荷発生層１５、及び第２電荷輸送層１６を順次積層した構造を有する。
図３は、本発明の静電潜像担持体の別の構成例を示す断面図であり、支持体１１と、該支持体上に、第１電荷発生層１３、第１電荷輸送層１４、第２電荷発生層１５、第２電荷輸送層１６、及び表面保護層１７を順次積層した構造を有する。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing another configuration example of the electrostatic latent image carrier of the present invention. The charge transport layer 14, the second charge generation layer 15, and the second charge transport layer 16 are sequentially stacked.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another structural example of the electrostatic latent image carrier of the present invention, and a first charge generation layer 13, a first charge transport layer 14, The second charge generation layer 15, the second charge transport layer 16, and the surface protective layer 17 are sequentially stacked.

＜支持体＞
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、体積抵抗１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すものが好適である。
前記支持体としては、材料、形状、大きさとしては、特に制約はなく、板状、ドラム状あるいはベルト状のいずれのものも使用できるが、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物を蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらを押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理を施した管などを使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも支持体として用いることができる。 <Support>
There is no restriction | limiting in particular as said support body, Although it can select suitably according to the objective, The thing which shows the electroconductivity whose volume resistance is 10 < 10 > ohm * cm or less is suitable.
The material, shape, and size of the support are not particularly limited, and any of a plate shape, a drum shape, or a belt shape can be used. For example, aluminum, nickel, chromium, nichrome, copper, gold Metals such as silver and platinum, metal oxides such as tin oxide and indium oxide by vapor deposition or sputtering, film or cylindrical plastic, paper coated, or plates made of aluminum, aluminum alloy, nickel, stainless steel, etc. And after making them into a raw pipe by a method such as extruding and drawing, pipes subjected to surface treatment such as cutting, superfinishing, polishing, etc. can be used. Further, an endless nickel belt and an endless stainless steel belt disclosed in JP-A-52-36016 can also be used as a support.

上記以外にも、前記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工し、導電性層を形成したものも用いることができる。
前記導電性粉体の材料としては、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック、また、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等の金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物粉体などが挙げられる。前記結着樹脂としては、例えば、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルトルエン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
前記導電性層は、前記導電性粉体と結着樹脂とを溶剤に溶解乃至分散させた塗布液を支持体上に塗布することにより形成することができる。前記溶剤としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどが挙げられる。 In addition to the above, it is also possible to use a conductive layer formed by dispersing and coating conductive powder in an appropriate binder resin on the support.
Examples of the material of the conductive powder include carbon black, acetylene black, metal powder such as aluminum, nickel, iron, nichrome, copper, zinc, and silver, or metal oxide such as conductive tin oxide and ITO. Examples thereof include powder. Examples of the binder resin include polystyrene resin, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-maleic anhydride copolymer, polyester resin, polyvinyl chloride resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer. Polymer, polyvinyl acetate resin, polyvinylidene chloride resin, polyarylate resin, phenoxy resin, polycarbonate, cellulose acetate, ethyl cellulose, polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, polyvinyl toluene resin, poly-N-vinyl carbazole resin, acrylic resin, silicone Examples thereof include resins, epoxy resins, melamine resins, urethane resins, phenol resins, alkyd resins, and the like.
The conductive layer can be formed by applying a coating solution in which the conductive powder and the binder resin are dissolved or dispersed in a solvent on a support. Examples of the solvent include tetrahydrofuran, dichloromethane, methyl ethyl ketone, toluene, and the like.

なお、前記円筒基体上に、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ゴム、ポリテトラフロロエチレン系フッ素樹脂等に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けたものも好適である。   In addition, the conductive powder is contained in the cylindrical substrate in polyvinyl chloride resin, polypropylene resin, polyester resin, polystyrene resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, chlorinated rubber, polytetrafluoroethylene fluororesin, or the like. A conductive layer provided with a heat shrinkable tube is also suitable.

＜第１電荷発生層＞
前記第１電荷発生層は、少なくとも電荷発生物質を含有してなり、結着樹脂、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。 <First charge generation layer>
The first charge generation layer contains at least a charge generation material, a binder resin, and further contains other components as required.

−電荷発生物質−
前記電荷発生物質としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、他のフタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染料などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が特に好ましい。
前記フタロシアニン顔料としては、チタニルフタロシアニン（特にＣｕＫαの特性Ｘ線（波長１．５１４Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニン）が特に好適である。 -Charge generation material-
The charge generation material is not particularly limited and may be appropriately selected from known materials depending on the purpose. For example, monoazo pigments, disazo pigments, trisazo pigments, perylene pigments, perinone pigments, quinacridone pigments Quinone-based condensed polycyclic compounds, squaric acid-based dyes, other phthalocyanine-based pigments, naphthalocyanine-based pigments, azulenium salt-based dyes, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, azo pigments and phthalocyanine pigments are particularly preferable.
Examples of the phthalocyanine pigment include titanyl phthalocyanine (in particular, a titanyl phthalocyanine having a maximum diffraction peak at 27.2 ° as a diffraction peak (± 0.2 °) with a Bragg angle 2θ with respect to the characteristic X-ray (wavelength 1.514Å) of CuKα). Is particularly preferred.

前記アゾ顔料としては、下記構造式（１）で表されるものが特に好適である。
ただし、前記構造式（１）中、Ｒ２１及びＲ２２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、及びシアノ基のいずれかを表す。同一でも異なっていてもよい。Ｃｐ１及びＣｐ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、下記構造式（２）で表されるカプラー残基を表す。
As the azo pigment, those represented by the following structural formula (1) are particularly suitable.
However, in the structural formula (1), R 21 and R 22 may be the same as or different from each other, and are any one of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and a cyano group. Represents. They may be the same or different. Cp 1 and Cp 2 may be the same as or different from each other, and represent a coupler residue represented by the following structural formula (2).

前記構造式（２）において、Ｒ２３は、水素原子、メチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル基などのアリール基を表す。
前記構造式（２）において、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、及びＲ２８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、及び水酸基のいずれかを表す。
前記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。前記アルキル基としては、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。
前記構造式（２）において、Ｚは、置換もしくは無置換の芳香族炭素環、又は置換もしくは無置換の芳香族複素環を表す。 In the structural formula (2), R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, or an aryl group such as a phenyl group.
In the structural formula (2), R 24 , R 25 , R 26 , R 27 , and R 28 may be the same as or different from each other, and may be a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, or a halogen atom. An atom, an alkyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, or a hydroxyl group is represented.
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine. Examples of the alkyl group include a trifluoromethyl group, a methyl group, and an ethyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group and an ethoxy group.
In the structural formula (2), Z represents a substituted or unsubstituted aromatic carbocyclic ring or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring.

前記第１電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルベンザール樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記結着樹脂の含有量は、前記電荷発生物質１００質量部に対し０〜５００質量部が好ましく、１０〜３００質量部がより好ましい。 The binder resin used for the first charge generation layer is not particularly limited and can be appropriately selected from known ones according to the purpose. For example, a polyamide resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a polyketone resin, Polycarbonate resin, silicone resin, acrylic resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, polyvinyl ketone resin, polystyrene resin, polysulfone resin, poly-N-vinyl carbazole resin, polyacrylamide resin, polyvinyl benzal resin, polyester resin, phenoxy resin, Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinyl acetate resin, polyphenylene oxide resin, polyamide resin, polyvinyl pyridine resin, cellulose resin, casein, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl pyrrolidone tree , And the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The content of the binder resin is preferably 0 to 500 parts by mass, and more preferably 10 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the charge generation material.

前記第１電荷発生層は、前記電荷発生物質を前記結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散した第１電荷発生層塗布液を前記支持体上に塗布し、乾燥させて形成することができる。   The first charge generation layer is formed by applying a first charge generation layer coating solution obtained by dispersing the charge generation material together with the binder resin in a suitable solvent using a ball mill, an attritor, a sand mill, an ultrasonic wave, or the like. It can be applied to and dried.

前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロインなどが挙げられる。これらの中でも、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒などが好適である。
前記第１電荷発生層塗布液の塗工法としては、例えば、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
前記第１電荷発生層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０.０１〜５μｍが好ましく、０.１〜２μｍがより好ましい。 The solvent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.For example, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dioxane, ethyl cellosolve, ethyl acetate, methyl acetate, dichloromethane, dichloroethane, mono Examples include chlorobenzene, cyclohexane, toluene, xylene, and ligroin. Among these, ketone solvents, ester solvents, ether solvents and the like are preferable.
As a coating method of the first charge generation layer coating solution, for example, a dip coating method, spray coating, beat coating, nozzle coating, spinner coating, ring coating, or the like can be used.
The thickness of the first charge generation layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.

＜第１電荷輸送層＞
前記第１電荷輸送層は、少なくとも正孔輸送物質を含有してなり、結着樹脂、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。 <First charge transport layer>
The first charge transport layer contains at least a hole transport material, a binder resin, and further contains other components as required.

前記正孔輸送物質としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール又はその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート又はその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物又はその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジェン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。   Examples of the hole transport material include poly-N-vinylcarbazole or a derivative thereof, poly-γ-carbazolylethyl glutamate or a derivative thereof, pyrene-formaldehyde condensate or a derivative thereof, polyvinylpyrene, polyvinylphenanthrene, polysilane, Oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, monoarylamine derivatives, diarylamine derivatives, triarylamine derivatives, stilbene derivatives, α-phenylstilbene derivatives, benzidine derivatives, diarylmethane derivatives, triarylmethane derivatives, 9-styrylanthracene Derivatives, pyrazoline derivatives, divinylbenzene derivatives, hydrazone derivatives, indene derivatives, butadiene derivatives, pyrene derivatives, bisstilbene derivatives, enamine derivatives Body, etc. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

また、前記第１電荷輸送層には、正孔輸送物質の機能とバインダー樹脂の機能とを持った高分子正孔輸送物質も好適に使用される。
前記高分子正孔輸送物質としては、下記構造式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される高分子正孔輸送物質が好適に用いられる。 In addition, a polymer hole transport material having a function of a hole transport material and a function of a binder resin is also preferably used for the first charge transport layer.
As the polymer hole transport material, polymer hole transport materials represented by the following structural formulas (I) to (X) are preferably used.

ただし、前記構造式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ４は、水素原子、又は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。Ｒ５及びＲ６は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｏ、ｐ、及びｑは、それぞれ独立して０〜４の整数を表す。ｋ及びｊは組成比を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９である。ｎは繰り返し単位数を表し、５〜５，０００の整数である。Ｘは、脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、下記構造式（Ｉａ）で表される２価基、又は下記構造式（Ｉｂ）で表される２価基を表す。なお、前記構造式（Ｉ）は、２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in said structural formula (I), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent a substituted or unsubstituted alkyl group or a halogen atom each independently. R 4 represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group. R 5 and R 6 represent a substituted or unsubstituted aryl group. o, p, and q each independently represent an integer of 0-4. k and j represent a composition ratio, and 0.1 ≦ k ≦ 1 and 0 ≦ j ≦ 0.9. n represents the number of repeating units and is an integer of 5 to 5,000. X represents an aliphatic divalent group, a cycloaliphatic divalent group, a divalent group represented by the following structural formula (Ia), or a divalent group represented by the following structural formula (Ib). In the structural formula (I), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but a random copolymer may be used.

ただし、前記構造式（Ｉａ）中、Ｒ１０１及びＲ１０２は、各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基、又はハロゲン原子を表す。ｌ及びｍは０〜４の整数を表す。Ｙは、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（ただし、式中Ｚは脂肪族の２価基を表す）、又は下記構造式（Ｉｂ）で表される基を表す。 However, in the structural formula (Ia), R 101 and R 102 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, an aryl group, or a halogen atom. l and m represent an integer of 0-4. Y represents a single bond, a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, —CO—, —CO—O—. Z—O—CO— (wherein Z represents an aliphatic divalent group) or a group represented by the following structural formula (Ib).

ただし、前記構造式（Ｉｂ）中、ａは１〜２０の整数を表す。ｂは１〜２０００の整数を表す。Ｒ１０３及びＲ１０４は、置換もしくは無置換のアルキル基又はアリール基を表す。なお、Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０３とＲ１０４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。 However, in said structural formula (Ib), a represents the integer of 1-20. b represents an integer of 1 to 2000. R 103 and R 104 represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Note that R 101 and R 102 , and R 103 and R 104 may be the same or different.

前記構造式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
前記アルキル基としては、炭素数１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が特に好ましい。これらのアルキル基は、更にフッ素原子、水酸基、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基、などが挙げられる。 As specific examples of the compound represented by the structural formula (I), R 1 , R 2 , and R 3 each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or a halogen atom. The following may be mentioned and may be the same or different.
As said alkyl group, C1-C12 is preferable, 1-8 are more preferable, and a 1-4 linear or branched alkyl group is especially preferable. These alkyl groups are further substituted with a fluorine atom, a hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. May contain a modified phenyl group. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, t-butyl group, s-butyl group, n-butyl group, i-butyl group, trifluoromethyl group, 2-hydroxyethyl Group, 2-cyanoethyl group, 2-ethoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, benzyl group, 4-chlorobenzyl group, 4-methylbenzyl group, 4-methoxybenzyl group, 4-phenylbenzyl group, and the like. .

前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ４は、水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。前記アルキル基としては上記Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。 Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
R 4 represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group. Examples of the alkyl group include the same groups as those described above for R 1, R 2 , and R 3 .

Ｒ５及びＲ６は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、置換もしくは無置換のアリール基を表す。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。
前記アリール基は、以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 R 5 and R 6 may be the same as or different from each other, and represent a substituted or unsubstituted aryl group. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.
The aryl group may have a group shown below as a substituent.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As an alkyl group, the same thing as said R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > is mentioned.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ａ）で表されるトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用いて重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と、下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｏ、ｐ、及びｑは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group represented by the following structural formula (a) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, by using the diol compound of the following structural formula (b) in combination. Introduced into the main chain. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction of a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (a) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
In the Structural Formula (a), R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, o, p, and q are the same as defined above structural formula (I).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）   H-X-OH Structural formula (b)

前記構造式（ｂ）で表されるジオール化合物としては、例えば、脂肪族ジオール化合物、環状脂肪族ジオール化合物、芳香族環を有するジオール化合物が挙げられる。
前記脂肪族ジオール化合物としては、例えば、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、などが挙げられる。
前記環状脂肪族ジオール化合物としては、例えば、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール、などが挙げられる。
前記芳香族環を有するジオール化合物としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジッフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール-ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）-テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイルなどが挙げられる。 Examples of the diol compound represented by the structural formula (b) include an aliphatic diol compound, a cycloaliphatic diol compound, and a diol compound having an aromatic ring.
Examples of the aliphatic diol compound include 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol, and 1,10-decane. Diol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2-ethyl-1,3-propanediol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, polytetramethylene ether Glycol, and the like.
Examples of the cycloaliphatic diol compound include 1,4-cyclohexanediol, 1,3-cyclohexanediol, and cyclohexane-1,4-dimethanol.
Examples of the diol compound having an aromatic ring include 4,4′-dihydroxydiphenyl, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, and 1,1-bis (4 -Hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ) Cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclopentane, 2,2-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-isopropyl-4-hydroxyphenyl) propane 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) Enyl) propane, 2,2-bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) propane, 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfoxide, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfide 3,3′-dimethyl-4,4′-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,4′-dihydroxydiphenyl oxide, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-hydroxy) Phenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) xanthene, ethylene glycol-bis (4-hydroxybenzoate), diethylene glycol-bis (4-hydroxybenzoate), triethylene glycol-bis (4-hydroxybenzoate) 1 , 3-bis (4- Hydroxyphenyl) -tetramethyldisiloxane, phenol-modified silicone oil and the like.

ただし、構造式（ＩＩ）中、Ｒ７及びＲ８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（ＩＩ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (II), R 7 and R 8 are substituted or unsubstituted aryl groups, Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 may be the same as or different from each other, and an arylene group Represents. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (II), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but a random copolymer may be used.

前記構造式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ７及びＲ８は、置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。
前記アリール基としては、例えば、芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基、下記構造式で表される基が挙げられる。
ここで、式中、Ｗは、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−、及び以下の２価基のいずれかを表す。
ただし、式中、ｃは１〜１２の整数、ｄは１〜３の整数、ｅは１〜３の整数、ｆは１〜３の整数をそれぞれ表す。
前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ１,Ａｒ２及びＡｒ３で示されるアリーレン基としては、上記Ｒ７及びＲ８で示したアリール基の２価基が挙げられ、これらは同一であっても異なってもよい。 As specific examples of the compound represented by the structural formula (II), R 7 and R 8 represent a substituted or unsubstituted aryl group, and specific examples thereof include the following. May be the same or different.
Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group, a terphenylyl group, and a group represented by the following structural formula.
Here, in the formula, W is, -O -, - S -, - SO -, - SO 2 -, - CO-, and represents one of the following divalent group.
In the formula, c represents an integer of 1 to 12, d represents an integer of 1 to 3, e represents an integer of 1 to 3, and f represents an integer of 1 to 3, respectively.
Examples of the heterocyclic group include thienyl group, benzothienyl group, furyl group, benzofuranyl group, carbazolyl group, and the like.
Examples of the arylene group represented by Ar 1 , Ar 2, and Ar 3 include the divalent groups of the aryl group represented by R 7 and R 8 , which may be the same or different.

前記アリール基及びアリーレン基は、以下に示す基を置換基として有していてもよい。また、これら置換基は上記構造式中のＲ１０６、Ｒ１０７、及びＲ１０８の具体例として表される。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、炭素数１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が特に好ましい。これらのアルキル基は更にフッ素原子、水酸基、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、炭素数位１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基、などが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０９）として、Ｒ１０９は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）下記構造式で表される置換基である。
ただし、式中、Ｒ１１０及びＲ１１１は、各々独立に上記（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表し、アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらは炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。また、アリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ（ｐ-トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基、等が挙げられる。 The aryl group and arylene group may have the following groups as substituents. These substituents are represented as specific examples of R 106 , R 107 , and R 108 in the above structural formula.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As an alkyl group, C1-C12 is preferable, 1-8 are more preferable, and a 1-4 linear or branched alkyl group is especially preferable. These alkyl groups are further substituted with a fluorine atom, a hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. It may contain a phenyl group. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, t-butyl group, s-butyl group, n-butyl group, i-butyl group, trifluoromethyl group, 2-hydroxyethyl Group, 2-cyanoethyl group, 2-ethoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, benzyl group, 4-chlorobenzyl group, 4-methylbenzyl group, 4-methoxybenzyl group, 4-phenylbenzyl group, and the like. .
(3) As an alkoxy group (—OR 109 ), R 109 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) A substituent represented by the following structural formula.
However, in the formula, each of R 110 and R 111 independently represents an alkyl group or an aryl group defined in (2) above, and examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, or a naphthyl group. You may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Moreover, you may form a ring in cooperation with the carbon atom on an aryl group. Specifically, diethylamino group, N-methyl-N-phenylamino group, N, N-diphenylamino group, N, N-di (p-tolyl) amino group, dibenzylamino group, piperidino group, morpholino group, Examples include a yurolidyl group.
(7) An alkylenedioxy group or an alkylenedithio group such as a methylenedioxy group or a methylenedithio group.

Ｘは、下記構造式（ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用ることにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは、下記構造式（ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｃ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ７及びＲ８は、上記構造式（ＩＩ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (c) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, by using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction between a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (c) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, Ar < 1 >, Ar < 2 >, Ar < 3 >, R < 7 > and R < 8 > represent the same meaning as the above structural formula (II) in the structural formula (c).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（ＩＩＩ）中、Ｒ９及びＲ１０は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、前記構造式（ＩＩＩ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (III), R 9 and R 10 represent a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 4 , Ar 5 , and Ar 6 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (III), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but may be a random copolymer.

前記構造式（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ９及びＲ１０は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the structural formula (III) include R 9 and R 10 each represents a substituted or unsubstituted aryl group, and specific examples thereof include the following. They may be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６で示されるアリーレン基としてはＲ９及びＲ１０で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基として、アルキル基は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 The arylene group represented by Ar 4 , Ar 5 , and Ar 6 includes a divalent group of an aryl group represented by R 9 and R 10 , and may be the same or different. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As the alkyl group, the above-mentioned R 1, R 2, and it includes the same R 3.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。   X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (d) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction of a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (d) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.

ただし、前記構造式（ｄ）中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ｒ９、及びＲ１０は、上記構造式（ＩＩＩ）と同じ意味を表す。 However, in the structural formula (d), Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , R 9 , and R 10 represent the same meaning as in the structural formula (III).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、前記構造式（ＩＶ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ７、Ａｒ8、及びＡｒ9は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊ、及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（ＩＶ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in said structural formula (IV), R < 11 > and R < 12 > represents a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 7 , Ar 8 , and Ar 9 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. p represents an integer of 1 to 5. X, k, j, and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (IV), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but a random copolymer may be used.

前記構造式（ＩＶ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ１１及びＲ１２は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 As specific examples of the compound represented by the structural formula (IV), R 11 and R 12 represent a substituted or unsubstituted aryl group, and specific examples thereof include the following. They may be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ７、Ａｒ８、及びＡｒ９で示されるアリーレン基としてはＲ１１及びＲ１２で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基として、アルキル基は、上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 In addition, the arylene group represented by Ar 7 , Ar 8 , and Ar 9 includes a divalent group of an aryl group represented by R 11 and R 12 , and may be the same or different. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As the alkyl group, the above-mentioned R 1, R 2, and it includes the same R 3.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｅ）中、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９、Ｒ１１、及びＲ１２は、上記構造式（ＩＶ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (e) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction between a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (e) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, Ar < 7 >, Ar < 8 >, Ar < 9 >, R < 11 >, and R < 12 > represent the same meaning as the above structural formula (IV) in the structural formula (e).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（Ｖ）中、Ｒ１３及びＲ１４は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ１０、Ａｒ１１、及びＡｒ１２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ１、及びＸ２は、置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、前記構造式（Ｖ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (V), R 13 and R 14 represent a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 10 , Ar 11 , and Ar 12 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. X 1 and X 2 represent a substituted or unsubstituted ethylene group or a substituted or unsubstituted vinylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (V), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but may be a random copolymer.

前記構造式（Ｖ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ１３及びＲ１４は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 As specific examples of the compound represented by the structural formula (V), R 13 and R 14 represent a substituted or unsubstituted aryl group, and specific examples thereof include the following. They may be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ１０、Ａｒ１１、及びＡｒ１２で示されるアリーレン基としては上記Ｒ１３及びＲ１４で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基として、アルキル基は、上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 Examples of the arylene group represented by Ar 10 , Ar 11 , and Ar 12 include the divalent group of the aryl group represented by R 13 and R 14 , which may be the same or different. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As the alkyl group, the above-mentioned R 1, R 2, and it includes the same R 3.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘ１及びＸ２は、置換もしくは無置換のエチレン基、置換もしくは無置換のビニレン基を表し、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ１３及びＲ１４のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
Ｘは、下記構造式（ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｆ）中、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｘ１、及びＸ２は、上記構造式（Ｖ）と同じ意味を表す。 X 1 and X 2 each represents a substituted or unsubstituted ethylene group, a substituted or unsubstituted vinylene group, and examples of the substituent include a cyano group, a halogen atom, a nitro group, the aryl groups of the above R 13 and R 14 , The alkyl group of said (2) is mentioned.
X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (f) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction between a diol compound having a triarylamino group represented by the following structural formula (f) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, in said structural formula (f), Ar < 10 >, Ar < 11 >, Ar < 12 >, R < 13 >, R <14> , X < 1 > and X < 2 > represent the same meaning as the said structural formula (V).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（ＶＩ）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、及びＲ１８は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、及びＡｒ１６は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｙ１、Ｙ２、及びＹ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（ＶＩ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (VI), R 15 , R 16 , R 17 , and R 18 represent a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 13 , Ar 14 , Ar 15 , and Ar 16 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. Y 1 , Y 2 , and Y 3 may be the same as or different from each other, and are a single bond, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted group. An alkylene ether group, an oxygen atom, a sulfur atom, or a vinylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (VI), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but may be a random copolymer.

前記構造式（ＶＩ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、及びＲ１８は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the structural formula (VI) include R 15 , R 16 , R 17 , and R 18 each represents a substituted or unsubstituted aryl group. Specific examples thereof include the following: These may be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、及びＡｒ１６で示されるアリーレン基としては、Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７及びＲ１８で示したアリール基の２価基が挙げられ、これらは同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。 The arylene groups represented by Ar 13 , Ar 14 , Ar 15 , and Ar 16 include divalent groups of aryl groups represented by R 15 , R 16 , R 17, and R 18 , and these are the same. It may or may not be. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As the alkyl group, the above-mentioned R 1, R 2, and it includes the same R 3.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.

Ｙ１、Ｙ２、及びＹ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレン基を表す。
前記アルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基を表す。具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基、などが挙げられる。
前記シクロアルキレン基としては、例えば、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロへキシレン基、１，１−シクロオクチレン基、などが挙げられる。
前記アルキレンエーテル基としては、例えば、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基、等が挙げられる。 Y 1 , Y 2 , and Y 3 may be the same as or different from each other, and are a single bond, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted group. An alkylene ether group, an oxygen atom, a sulfur atom, or a vinylene group.
The alkylene group represents a divalent group derived from the alkyl group shown in (2) above. Specifically, methylene group, ethylene group, 1,3-propylene group, 1,4-butylene group, 2-methyl-1,3-propylene group, difluoromethylene group, hydroxyethylene group, cyanoethylene group, methoxyethylene Group, phenylmethylene group, 4-methylphenylmethylene group, 2,2-propylene group, 2,2-butylene group, diphenylmethylene group, and the like.
Examples of the cycloalkylene group include a 1,1-cyclopentylene group, a 1,1-cyclohexylene group, a 1,1-cyclooctylene group, and the like.
Examples of the alkylene ether group include a dimethylene ether group, a diethylene ether group, an ethylene methylene ether group, a bis (triethylene) ether group, a polytetramethylene ether group, and the like.

Ｘは、下記構造式（ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｇ）中、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６、Ｒ１５、Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８、Ｙ１、Ｙ２、及びＹ３は、上記構造式（ＶＩ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (g) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction of a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (g) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, in the structural formula (g), Ar 13 , Ar 14 , Ar 15 , Ar 16 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , Y 1 , Y 2 , and Y 3 represent the structural formula (VI ) Represents the same meaning.

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（ＶＩＩ）中、Ｒ１９、及びＲ２０は、水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。Ａｒ１７、Ａｒ１８、及びＡｒ１９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（ＶＩＩ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (VII), R 19 and R 20 each represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aryl group, and R 19 and R 20 may form a ring. Ar 17 , Ar 18 , and Ar 19 may be the same as or different from each other, and represent an arylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (VII), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but a random copolymer may be used.

前記構造式（ＶＩＩ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ１９、及びＲ２０は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。
また、Ｒ１９及びＲ２０は環を形成する場合、９−フルオリニリデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。
また、Ａｒ１７，Ａｒ１８及びＡｒ１９で示されるアリーレン基としてはＲ１９及びＲ２０で示したアリール基の２価基が挙げられ、これらは同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the structural formula (VII) include R 19 and R 20 each represents a substituted or unsubstituted aryl group, and specific examples thereof include the following. May be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.
When R 19 and R 20 form a ring, examples include 9-fluorenylidene, 5H-dibenzo [a, d] cyclohebutenylidene, and the like.
The arylene group represented by Ar 17 , Ar 18 and Ar 19 includes a divalent group of an aryl group represented by R 19 and R 20 , which may be the same or different. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As the alkyl group, the above-mentioned R 1, R 2, and it includes the same R 3.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｈ）中、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９、Ｒ１９、及びＲ２０は、上記構造式（ＶＩＩ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (h) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction of a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (h) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, in the structural formula (h), Ar 17 , Ar 18 , Ar 19 , R 19 , and R 20 represent the same meaning as the above structural formula (VII).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ２１は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、及びＡｒ２３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（ＶＩＩＩ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (VIII), R 21 represents a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 20 , Ar 21 , Ar 22 , and Ar 23 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (VIII), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but may be a random copolymer.

前記構造式（ＶＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 As specific examples of the compound represented by the structural formula (VIII), R 21 represents a substituted or unsubstituted aryl group. Specific examples thereof include the following, and these are the same. Or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２及びＡｒ２３で示されるアリーレン基としてはＲ２１で示したアリール基の２価基が挙げられ、これらは同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１,Ｒ２,Ｒ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 The arylene group represented by Ar 20 , Ar 21 , Ar 22 and Ar 23 includes the divalent group of the aryl group represented by R 21 , which may be the same or different. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As an alkyl group, the same thing as said R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > is mentioned.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｊ）中、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３、及びＲ２１は、上記構造式（ＶＩＩＩ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group represented by the following structural formula (j) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound represented by the following structural formula (b) in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction between a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (j) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, in the structural formula (j), Ar 20 , Ar 21 , Ar 22 , Ar 23 , and R 21 have the same meaning as the structural formula (VIII).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（ＩＸ）中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＲ２５は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、及びＡｒ２８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（ＩＸ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in Structural Formula (IX), R 22 , R 23 , R 24 , and R 25 represent a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 24 , Ar 25 , Ar 26 , Ar 27 , and Ar 28 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (IX), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but may be a random copolymer.

前記構造式（ＩＸ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＲ２５は、置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the structural formula (IX) include R 22 , R 23 , R 24 , and R 25 each represents a substituted or unsubstituted aryl group. Specific examples thereof are as follows: These may be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７及びＡｒ２８で示されるアリーレン基としては、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４及びＲ２５で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、これらは同一であっても異なってもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１、Ｒ２、及びＲ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 Examples of the arylene group represented by Ar 24 , Ar 25 , Ar 26 , Ar 27 and Ar 28 include divalent groups of the above aryl groups represented by R 22 , R 23 , R 24 and R 25 . These may be the same or different.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As the alkyl group, the above-mentioned R 1, R 2, and it includes the same R 3.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｌ）中、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＲ２５は、上記構造式（ＩＸ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (l) using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) in combination in the main chain. be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction of a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (l) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, in the structural formula (l), Ar 24 , Ar 25 , Ar 26 , Ar 27 , Ar 28 , R 22 , R 23 , R 24 , and R 25 represent the same meaning as in the structural formula (IX). .

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

ただし、構造式（Ｘ）中、Ｒ２６、及びＲ２７は、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ２９、Ａｒ３０、及びＡｒ３１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アリーレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記構造式（Ｉ）と同じ意味を表す。なお、構造式（Ｘ）は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体であっても構わない。 However, in the structural formula (X), R 26 and R 27 represent a substituted or unsubstituted aryl group. Ar 29 , Ar 30 , and Ar 31 may be the same as or different from each other and represent an arylene group. X, k, j and n represent the same meaning as in the structural formula (I). In the structural formula (X), two copolymer species are described in the form of an alternating copolymer, but a random copolymer may be used.

前記構造式（Ｘ）で表される化合物の具体例としては、Ｒ２６、及びＲ２７は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、これらは同一であっても異なってもよい。前記アリール基としては芳香族炭化水素基、縮合多環基、非縮合多環基、複素環基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。前記縮合多環基としては、例えば、ナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基などが挙げられる。前記非縮合多環基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。前記複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、などが挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the structural formula (X) include R 26 and R 27 each represents a substituted or unsubstituted aryl group, and specific examples thereof include the following. May be the same or different. Examples of the aryl group include aromatic hydrocarbon groups, condensed polycyclic groups, non-condensed polycyclic groups, and heterocyclic groups.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group. Examples of the condensed polycyclic group include naphthyl group, pyrenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, azulenyl group, anthryl group, triphenylenyl group, chrysenyl group, fluorenylidenephenyl group, Examples include 5H-dibenzo [a, d] cycloheptenylidenephenyl group. Examples of the non-condensed polycyclic group include a biphenylyl group and a terphenylyl group. Examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a benzothienyl group, a furyl group, a benzofuranyl group, a carbazolyl group, and the like.

また、Ａｒ２９、Ａｒ３０及びＡｒ３１で示されるアリーレン基としてはＲ２６及びＲ２７で示したアリール基の２価基が挙げられ、これらは同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基である。
（２）アルキル基としては、上記のＲ１,Ｒ２,Ｒ３と同様のものが挙げられる。
（３）アルコキシ基（−ＯＲ１０５）として、Ｒ１０５は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は上記（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。 The arylene group represented by Ar 29 , Ar 30 and Ar 31 includes a divalent group of an aryl group represented by R 26 and R 27 , which may be the same or different. The above aryl group and arylene group may have the following groups as substituents.
(1) A halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, or a nitro group.
(2) As an alkyl group, the same thing as said R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > is mentioned.
(3) As an alkoxy group (—OR 105 ), R 105 represents an alkyl group defined in (2) above. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group, n-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, 2-cyano Examples include ethoxy group, benzyloxy group, 4-methylbenzyloxy group, trifluoromethoxy group and the like.
(4) The aryloxy group includes a phenyl group and a naphthyl group as the aryl group. This may contain a C1-C4 alkoxy group, a C1-C4 alkyl group, or a halogen atom as a substituent. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group and the like. It is done.
(5) Examples of the substituted mercapto group or aryl mercapto group include a methylthio group, an ethylthio group, a phenylthio group, and a p-methylphenylthio group.
(6) As the alkyl-substituted amino group, the alkyl group represents the alkyl group defined in (2) above. Specific examples include a dimethylamino group, a diethylamino group, an N-methyl-N-propylamino group, and an N, N-dibenzylamino group.
(7) Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a malonyl group, and a benzoyl group.

Ｘは、下記構造式（ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記構造式（ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記構造式（ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記構造式（ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
ただし、前記構造式（ｍ）中、Ａｒ２９、Ａｒ３０、Ａｒ３１、Ｒ２６、及びＲ２７は、上記構造式（Ｘ）と同じ意味を表す。 X is obtained by polymerizing a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (m) by using a phosgene method, a transesterification method, or the like, and using the diol compound of the following structural formula (b) be introduced. In this case, the manufactured polycarbonate resin is a random copolymer or a block copolymer. X is also introduced into the repeating unit by a polymerization reaction between a diol compound having a triarylamino group of the following structural formula (m) and a bischloroformate derived from the following structural formula (b). In this case, the produced polycarbonate becomes an alternating copolymer.
However, Ar < 29 >, Ar < 30 >, Ar < 31 >, R < 26 >, and R < 27 > represent the same meaning as the above structural formula (X) in the structural formula (m).

Ｈ−Ｘ−ＯＨ ・・・構造式（ｂ）
前記構造式（ｂ）のジオール化合物としては、前記構造式（Ｉ）と同じものが挙げられる。 H-X-OH Structural formula (b)
Examples of the diol compound of the structural formula (b) include the same compounds as those of the structural formula (I).

前記第１電荷輸送層における結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルトルエン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記正孔輸送物質の含有量は、前記結着樹脂１００質量部に対し、２０〜３００質量部が好ましく、４０〜１５０質量部がより好ましい。 The binder resin in the first charge transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, polystyrene resin, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene- Maleic anhydride copolymer, polyester resin, polyvinyl chloride resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinyl acetate resin, polyvinylidene chloride resin, polyarate resin, phenoxy resin, polycarbonate resin, cellulose acetate, ethyl cellulose, polyvinyl butyral Examples include resins, polyvinyl formal resins, polyvinyl toluene resins, poly-N-vinyl carbazole resins, acrylic resins, silicone resins, epoxy resins, melamine resins, urethane resins, phenol resins, alkyd resins, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The content of the hole transport material is preferably 20 to 300 parts by mass and more preferably 40 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder resin.

前記第１電荷輸送層の厚みは、帯電性、応答性、画質の点から、１０〜５０μｍが好ましく、１５〜３５μｍがより好ましい。本発明の静電潜像担持体における帯電性は、感光層の静電容量（誘電率及び厚み）が重要となる。通常、感光層厚みが大きくなるほど、感光層の静電容量は小さくなり、パッシェンの法則より、放電開始電圧は大きくなる。本発明においては、帯電時のＮＯｘ及びオゾンなどの生成を抑制するために、帯電部材に放電開始電圧以下の電圧を印加する。本システムにおける放電開始電圧とは、放電開始時の感光体表面電位と帯電部材の表面電位差である。そのため感光層厚みが大きくなり、帯電部材に印加できるバイアスと感光体の表面電位は大きくすることが可能となる。前記感光層の静電容量を小さくする手段として、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層の厚みを大きくすることが考えられる。しかし、第２電荷輸送層は、正孔及び電子を両方輸送する必要があるため、現状使用できる材料系では、膜中に電荷トラップが形成されやすいため、第２電荷輸送層の厚みを大きくすると残留電位上昇などの不具合が発生する。そのために感光体の静電容量を小さくする有効な手段としては、第１電荷輸送層の厚みにより、制御することが好ましい。したがって、安定した感光体表面電位を得るためには、少なくとも第１電荷輸送層の厚みは、１０μｍ以上であることが好ましい。一方、第１電荷輸送層の厚みが大きくなるほど、静電潜像形成の電荷が表面側に移動する時に、それぞれの電荷が反発しあい、静電潜像が拡散しやすくなり、画質低下の要因となる。そのため、前記電荷輸送層の厚みは、５０μｍ以下が好ましい。   The thickness of the first charge transport layer is preferably 10 to 50 μm, more preferably 15 to 35 μm, from the viewpoints of chargeability, responsiveness, and image quality. The electrostatic capacity (dielectric constant and thickness) of the photosensitive layer is important for the chargeability in the electrostatic latent image carrier of the present invention. Usually, as the photosensitive layer thickness increases, the electrostatic capacitance of the photosensitive layer decreases, and the discharge start voltage increases according to Paschen's law. In the present invention, a voltage equal to or lower than the discharge start voltage is applied to the charging member in order to suppress the generation of NOx and ozone during charging. The discharge start voltage in this system is a difference between the surface potential of the photosensitive member at the start of discharge and the surface potential of the charging member. Therefore, the thickness of the photosensitive layer is increased, and the bias that can be applied to the charging member and the surface potential of the photosensitive member can be increased. As a means for reducing the electrostatic capacitance of the photosensitive layer, it is conceivable to increase the thicknesses of the first charge transport layer and the second charge transport layer. However, since the second charge transport layer needs to transport both holes and electrons, in a material system that can be used at present, charge traps are easily formed in the film. Therefore, when the thickness of the second charge transport layer is increased. Problems such as an increase in residual potential occur. Therefore, as an effective means for reducing the electrostatic capacity of the photoreceptor, it is preferable to control by the thickness of the first charge transport layer. Accordingly, in order to obtain a stable photoreceptor surface potential, at least the thickness of the first charge transport layer is preferably 10 μm or more. On the other hand, as the thickness of the first charge transport layer increases, when the charge for forming the electrostatic latent image moves to the surface side, the respective charges repel each other, and the electrostatic latent image is more easily diffused. Become. Therefore, the thickness of the charge transport layer is preferably 50 μm or less.

前記第１電荷輸送層は、結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。   The first charge transport layer can be formed by dissolving or dispersing a binder resin in an appropriate solvent, and applying and drying the solution on the charge generation layer. Moreover, a plasticizer, a leveling agent, antioxidant, etc. can also be added as needed.

前記溶剤としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが挙げられる。
本発明の静電潜像担持体の場合、その電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
前記可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して０〜３０質量％が好ましい。
前記レベリング剤としては、例えば、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、０〜１質量％が好ましい。 Examples of the solvent include tetrahydrofuran, dioxane, toluene, dichloromethane, monochlorobenzene, dichloroethane, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, and acetone.
In the case of the electrostatic latent image carrier of the present invention, a plasticizer or a leveling agent may be added to the charge transport layer.
As said plasticizer, what is used as a plasticizer of general resin, such as dibutyl phthalate and dioctyl phthalate, can be used as it is, and the usage-amount is preferable 0-30 mass% with respect to binder resin.
As the leveling agent, for example, silicone oils such as dimethyl silicone oil and methylphenyl silicone oil, a polymer having a perfluoroalkyl group in a side chain or an oligomer is used, and the amount used is based on the binder resin, 0-1 mass% is preferable.

＜第２電荷発生層＞
前記第２電荷発生層は、前記第１電荷発生層に示した材料、製法、塗工方法が用いられる。
前記第２電荷発生層の厚みは、０.０１〜５μｍが好ましく、０．１〜２μｍがより好ましい。 <Second charge generation layer>
For the second charge generation layer, the materials, manufacturing methods, and coating methods shown in the first charge generation layer are used.
The thickness of the second charge generation layer is preferably 0.01 to 5 μm, and more preferably 0.1 to 2 μm.

前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層とも使用される電荷発生材料は限定されるものではない。しかし、第１電荷発生層及び第２電荷発生剤で使用される電荷発生材料は異なり、最大吸収波長が異なる材料が好ましい。その中でも、７８０ｎｍの光に対して光吸収率の高いチタニルフタロシアニン系顔料と６５５ｎｍの光に対して光吸収率が高いアゾ系材料を用いることが好ましい。特に光吸収波長域から、潜像形成の電荷発生は７８０ｎｍの光を用いて、帯電の電荷発生は６５５ｎｍの光を用いることが好ましい。この場合、第１電荷発生層にチタニルフタロシアニン顔料を用い、第２電荷発生層にアゾ顔料を用いることが好ましい。   The charge generation material used for the first charge generation layer and the second charge generation layer is not limited. However, the charge generation materials used in the first charge generation layer and the second charge generation agent are different, and materials having different maximum absorption wavelengths are preferable. Among them, it is preferable to use a titanyl phthalocyanine pigment having a high light absorption rate for light of 780 nm and an azo material having a high light absorption rate for light of 655 nm. In particular, from the light absorption wavelength region, it is preferable to use light of 780 nm for charge generation for latent image formation and light of 655 nm for charge generation for charging. In this case, it is preferable to use a titanyl phthalocyanine pigment for the first charge generation layer and an azo pigment for the second charge generation layer.

ここで、図４に第１電荷発生層に用いられるチタニルフタロシアニン顔料と第２電荷発生層に用いられる下記構造式で表されるアゾ顔料の分光感度スペクトルを示す。図４の結果から、第１電荷発生層に用いるチタニルフタロシアニン顔料と第２電荷発生層に用いられるアゾ顔料とは最大光吸収波長が異なることが認められる。
Here, FIG. 4 shows spectral sensitivity spectra of a titanyl phthalocyanine pigment used in the first charge generation layer and an azo pigment represented by the following structural formula used in the second charge generation layer. From the result of FIG. 4, it is recognized that the maximum light absorption wavelength is different between the titanyl phthalocyanine pigment used for the first charge generation layer and the azo pigment used for the second charge generation layer.

＜第２電荷輸送層＞
前記第２電荷輸送層は、少なくとも電子輸送物質を含有してなり、正孔輸送物質、結着樹脂、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。 <Second charge transport layer>
The second charge transport layer contains at least an electron transport material, and contains a hole transport material, a binder resin, and, if necessary, other components.

−電子輸送物質−
前記電子輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記電子輸送物質の含有量は、前記結着樹脂１００質量部に対し、１０〜１００質量部が好ましく、２０〜７０質量部がより好ましい。 -Electron transport material-
The electron transport material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include chloroanil, bromoanil, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, 2,4,7-trinitro-9-. Fluorenone, 2,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone, 2,4,5,7-tetranitroxanthone, 2,4,8-trinitrothioxanthone, 2,6,8-trinitro-4H-indeno [ 1,2-b] thiophen-4-one, 1,3,7-trinitrodibenzothiophene-5,5-dioxide, benzoquinone derivatives, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
10-100 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of said binder resins, and, as for content of the said electron transport material, 20-70 mass parts is more preferable.

前記第２電荷輸送層には、正孔輸送物質として前記第１電荷輸送層に示した正孔輸送物質を含有することが好ましい。更に、前記正孔輸送物質が前記第１電荷輸送層に示した高分子正孔輸送物質であることが好ましい。また、更に必要に応じて、可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
前記第２電荷輸送層の厚みは、帯電性、及び帯電安定性の点から、０．５〜１０μｍが好ましく、１．０〜５．０μｍがより好ましい。前記第２電荷輸送層の厚みが０．５μｍ未満であると、長期的使用時における帯電ムラが発生しやすくなることがあり、１０μｍを超えると、残留電位の上昇などの問題が発生することがある。 The second charge transport layer preferably contains the hole transport material shown in the first charge transport layer as a hole transport material. Further, the hole transport material is preferably a polymer hole transport material shown in the first charge transport layer. Further, if necessary, a plasticizer, a leveling agent, an antioxidant and the like can be added.
The thickness of the second charge transport layer is preferably 0.5 to 10 μm, more preferably 1.0 to 5.0 μm, from the viewpoints of chargeability and charge stability. If the thickness of the second charge transport layer is less than 0.5 μm, uneven charging during long-term use may easily occur. If the thickness exceeds 10 μm, problems such as an increase in residual potential may occur. is there.

前記第２電荷輸送層は、静電潜像担持体の最表層となる場合があるため、耐摩耗性を向上させる目的でフィラーを含有することが好ましい。前記フィラーとしては、有機フィラー及び無機フィラーのいずれかが好ましい。
前記有機フィラーとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹脂フィラー、シリコーン樹脂フィラー、炭素含有フィラー等が挙げられる。
前記無機フィラーとしては、例えば、銅、スズ、アルミニウム、インジウムなどの金属粉末、酸化珪素、シリカ、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化ビスマス、アンチモンをドープした酸化錫、錫をドープした酸化インジウム等の金属酸化物、チタン酸カリウムなどが挙げられる。これらの中でも無機フィラー、炭素含有フィラーを用いることが好ましい。
前記無機フィラーとしては金属酸化物が好適であり、該金属酸価物としては、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等挙げられる。また、前記炭素含有フィラーとしては、ダイヤモンドフィラーが好適である。 Since the second charge transport layer may be the outermost layer of the electrostatic latent image carrier, it is preferable to contain a filler for the purpose of improving the wear resistance. As the filler, either an organic filler or an inorganic filler is preferable.
Examples of the organic filler include a fluororesin filler such as polytetrafluoroethylene, a silicone resin filler, and a carbon-containing filler.
Examples of the inorganic filler include metal powders such as copper, tin, aluminum, and indium, silicon oxide, silica, tin oxide, zinc oxide, titanium oxide, indium oxide, antimony oxide, bismuth oxide, and tin oxide doped with antimony, Examples thereof include metal oxides such as indium oxide doped with tin and potassium titanate. Among these, it is preferable to use an inorganic filler and a carbon-containing filler.
A metal oxide is suitable as the inorganic filler, and examples of the metal acid value include silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide. Moreover, as said carbon containing filler, a diamond filler is suitable.

前記フィラーの前記第２電荷輸送層における含有量は、５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましい。その下限値は、通常、５質量％である。フィラーの含有量が多いほど耐摩耗性が高いので良好であるが、高すぎる場合には残留電位の上昇、保護層の書き込み光透過率が低下し、副作用を生じる場合がある。
また、これらのフィラーは、少なくとも一種の表面処理剤で表面処理することが、フィラーの分散性の面から好ましい。これは、フィラーの分散性の低下は残留電位の上昇だけでなく、塗膜の透明性の低下や塗膜欠陥の発生、更には耐摩耗性の低下をも引き起こすため、高耐久化あるいは高画質化を妨げる大きな問題に発展する可能性がある。前記表面処理剤としては、従来用いられている表面処理剤を使用することができるが、フィラーの絶縁性を維持できる表面処理剤が好ましい。これらフィラー材料は単独もしくは２種類以上混合して用いられる。
これらフィラー材料は、適当な分散機を用いることにより分散できる。また、分散液中でのフィラーの平均粒径は、第２電荷輸送層の透過率の点から、１μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。 The content of the filler in the second charge transport layer is preferably 50% by mass or less, and more preferably 30% by mass or less. The lower limit is usually 5% by mass. The higher the filler content, the better the wear resistance, which is better. However, if the filler content is too high, the residual potential increases and the write light transmittance of the protective layer decreases, which may cause side effects.
Moreover, it is preferable from the surface of the filler dispersibility that these fillers are surface-treated with at least one kind of surface treatment agent. This is because the decrease in the dispersibility of the filler not only increases the residual potential but also decreases the transparency of the coating film, the occurrence of coating film defects, and the wear resistance. There is a possibility that it will develop into a big problem that hinders the transformation. As the surface treatment agent, a conventionally used surface treatment agent can be used, but a surface treatment agent capable of maintaining the insulating properties of the filler is preferable. These filler materials may be used alone or in combination of two or more.
These filler materials can be dispersed by using an appropriate disperser. The average particle size of the filler in the dispersion is preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, from the viewpoint of the transmittance of the second charge transport layer.

前記第２電荷輸送層は、少なくとも電子輸送物質を含有してなり、正孔輸送物質、結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、第２電荷輸送層塗布液を調製し、これを第２電荷発生層上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。   The second charge transport layer contains at least an electron transport material, and a hole transport material and a binder resin are dissolved or dispersed in an appropriate solvent to prepare a second charge transport layer coating solution. It can be formed by coating on the two charge generation layer and drying.

＜表面保護層＞
本発明の静電潜像担持体においては、該静電潜像担持体の機械的耐久性を向上させることを目的として、表面保護層を第２電荷輸送層の上に設けることが好ましい。
前記表面保護層としては、（１）ウレタン樹脂、アクリル樹脂などの３次元架橋樹脂を用いた膜、（２）バインダー中にフィラーを分散させた膜、（３）水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造である膜、などが用いられる。 <Surface protective layer>
In the electrostatic latent image carrier of the present invention, a surface protective layer is preferably provided on the second charge transport layer for the purpose of improving the mechanical durability of the electrostatic latent image carrier.
Examples of the surface protective layer include (1) a film using a three-dimensional cross-linked resin such as urethane resin and acrylic resin, (2) a film in which a filler is dispersed in a binder, (3) diamond-like carbon containing hydrogen, A film having an amorphous carbon structure is used.

前記表面保護層に使用されるフィラーとしては、第２電荷輸送層で示した材料が用いられる。
前記表面保護層に使用されるバインダー樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル樹脂、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、エポキシ樹脂、などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が特に好ましい。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。 As the filler used for the surface protective layer, the material shown in the second charge transport layer is used.
There is no restriction | limiting in particular as binder resin used for the said surface protective layer, According to the objective, it can select suitably, For example, ABS resin, ACS resin, an olefin-vinyl monomer copolymer, chlorinated polyether resin , Allyl resin, phenol resin, polyamide resin, polyacrylate resin, polyallylsulfone resin, polycarbonate resin, acrylic resin, polymethylpentene resin, polyphenylene oxide resin, polysulfone resin, polystyrene resin, AS resin, butadiene-styrene copolymer, Examples thereof include polyurethane resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, and epoxy resin. Among these, polycarbonate resin and polyarylate resin are particularly preferable. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

また、水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層は、ＳＰ３軌道を有するダイヤモンドと類似のＣ−Ｃ結合を有することが好ましい。なお、ＳＰ２軌道を有するグラファイトと類似の構造を持つ膜でも構わないし、更に非晶質性のものでも構わない。
水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層の添加物元素は、窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素、沃素が含有されていることが好ましい。 The surface protective layer having hydrogen-containing diamond-like carbon or amorphous carbon structure preferably has a C—C bond similar to diamond having SP 3 orbits. A film having a structure similar to that of graphite having SP 2 orbits may be used, and an amorphous film may be used.
The additive element of the surface protective layer having a diamond-like carbon or amorphous carbon structure containing hydrogen preferably contains nitrogen, fluorine, boron, phosphorus, chlorine, bromine, or iodine.

前記水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層を作製するときには、炭化水素ガス（メタン、エタン、エチレン、アセチレン等）を主材料として、Ｈ２、Ａｒ等のキャリアガスを用いる。更に、添加物元素を供給するガスとしては、減圧下で気化できるもの、加熱することにより気化できるものであれば構わない。例えば、窒素を供給するガスとしてＮＨ３、Ｎ２等を用い、フッ素を供給するガスとしてＣ2Ｆ6、ＣＨ3Ｆ等を用い、硼素を供給するガスとしてはＢ2Ｈ6等を用い、リンを供給するガスとしてはＰＨ3等を用い、塩素を供給するガスとしてはＣＨ３Ｃｌ、ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３、ＣＣｌ４等を用い、臭素を供給するガスとしてはＣＨ３Ｂｒ等を用い、沃素を供給するガスとしては、ＣＨ３Ｉ等を用いることができる。また、添加物元素を複数供給するガスとしては、ＮＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ、ＢＦ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３等を用いる。上記のようなガスを用い、プラズマＣＶＤ法、グロー放電分解法、光ＣＶＤ法などやグラファイト等をターゲットとしたスパッタリング法等により形成される。特にその成膜法は限定されるものではないが、保護層として良好な特性を有する炭素を主成分とする膜を形成する方法として、プラズマＣＶＤ法でありながらスパッタ効果を伴わせつつ成膜させる方法（特開昭５８−４９６０９号公報）等が知られている。
プラズマＣＶＤ法を利用した炭素を主成分とする保護層の成膜法では、支持体を特に加熱する必要がなく、約１５０℃以下の低温で被膜を形成できるため、耐熱性の低い有機系感光層上に保護層を形成する際にも、何ら支障がないというメリットがある。 When producing a surface protective layer having a diamond-like carbon or amorphous carbon structure containing hydrogen, a hydrocarbon gas (methane, ethane, ethylene, acetylene, etc.) as a main material and a carrier gas such as H 2 , Ar, etc. Is used. Furthermore, any gas can be used for supplying the additive element as long as it can be vaporized under reduced pressure or can be vaporized by heating. For example, NH 3 , N 2 or the like is used as a gas for supplying nitrogen, C 2 F 6 , CH 3 F or the like is used as a gas for supplying fluorine, and B 2 H 6 or the like is used as a gas for supplying boron. PH 3 or the like is used as a gas to supply phosphorus, CH 3 Cl, CH 2 Cl 2 , CHCl 3 , CCl 4 or the like is used as a gas to supply chlorine, and CH 3 Br or the like is used as a gas to supply bromine. As a gas for supplying iodine, CH 3 I or the like can be used. Further, as a gas for supplying a plurality of additive elements, NF 3 , BCl 3 , BBr, BF 3 , PF 3 , PCl 3 or the like is used. Using the gas as described above, it is formed by a plasma CVD method, a glow discharge decomposition method, a photo CVD method or the like, a sputtering method using graphite or the like as a target, or the like. The film forming method is not particularly limited, but as a method for forming a carbon-based film having good characteristics as a protective layer, the film is formed with a sputtering effect even though it is a plasma CVD method. A method (Japanese Patent Laid-Open No. 58-49609) is known.
In the method of forming a protective layer mainly composed of carbon using plasma CVD, it is not necessary to heat the support, and a film can be formed at a low temperature of about 150 ° C. or lower. There is also an advantage that there is no problem when the protective layer is formed on the layer.

前記表面保護層の体積抵抗は、１０９〜１０１２Ω・ｃｍが好ましい。
前記表面保護層の厚みは、１．０〜１０．０μｍが好ましく、２．０〜６．０μｍがより好ましい。 The volume resistance of the surface protective layer is preferably 10 9 to 10 12 Ω · cm.
The thickness of the surface protective layer is preferably 1.0 to 10.0 μm, and more preferably 2.0 to 6.0 μm.

＜下引き層＞
本発明の静電潜像担持体では、支持体と第１電荷発生層との間に下引き層を設けることが好ましい。
前記下引き層は、一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが好ましい。
このような樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂；共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂；ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。
また、前記下引き層には、モアレ防止、残留電位の低減等のために、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物の微粉末顔料を添加してもよい。 <Underlayer>
In the electrostatic latent image carrier of the present invention, it is preferable to provide an undercoat layer between the support and the first charge generation layer.
The undercoat layer generally comprises a resin as a main component, but these resins are resins having a high solvent resistance with respect to general organic solvents in consideration of applying a photosensitive layer thereon with a solvent. It is preferable.
Examples of such resins include water-soluble resins such as polyvinyl alcohol resin, casein, and sodium polyacrylate; alcohol-soluble resins such as copolymer nylon and methoxymethylated nylon; polyurethane resins, melamine resins, phenol resins, and alkyds. Examples thereof include melamine resins, epoxy resins, and curable resins that form a three-dimensional network structure.
In addition, fine powder pigments of metal oxides such as titanium oxide, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, tin oxide, and indium oxide are added to the undercoat layer in order to prevent moire and reduce residual potential. May be.

前記下引き層は、前記感光層の如く適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。前記下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。その他、下引き層には、Ａｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。
前記下引き層の厚みは、０〜５μｍが好ましい。 The undercoat layer can be formed using an appropriate solvent and coating method like the photosensitive layer. As the undercoat layer, a silane coupling agent, a titanium coupling agent, a chromium coupling agent, or the like can also be used. In addition, the undercoat layer is made of anodized Al 2 O 3 , organic materials such as polyparaxylylene (parylene), and inorganic materials such as SiO 2 , SnO 2 , TiO 2 , ITO, CeO 2. Those provided by the vacuum thin film fabrication method can also be used satisfactorily.
The thickness of the undercoat layer is preferably 0 to 5 μm.

また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、第１電荷発生層、第１電荷輸送層、第２電荷発生層、及び第２電荷輸送層の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤及びレベリング剤を添加することができる。また塗布液中のフィラー分散性向上のために分散安定剤を添加することができる。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。   In the present invention, in order to improve the environmental resistance, the first charge generation layer, the first charge transport layer, the second charge generation layer, and the first An antioxidant, a plasticizer, a lubricant, an ultraviolet absorber and a leveling agent can be added to each layer of the two charge transport layer. A dispersion stabilizer can be added to improve the dispersibility of the filler in the coating solution. Representative materials of these compounds are described below.

各層に添加できる酸化防止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記のものが挙げられる。
（ａ）フェノ−ル系化合物としては、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ-オクタデシル-３-(４'-ヒドロキシ-３',５'-ジ-t-ブチルフェノール)、２，２'−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２'−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３'，５'−ジ−ｔ−ブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３'−ビス（４'−ヒドロキシ−３'−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類などが挙げられる。
（ｂ）パラフェニレンジアミン類としては、例えば、Ｎ−フェニル−Ｎ'−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジメチル−Ｎ，Ｎ'−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなどが挙げられる。
（ｃ）ハイドロキノン類としては、例えば、２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなどが挙げられる。
（ｄ）有機硫黄化合物類としては、例えば、ジラウリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３'−チオジプロピオネ−トなどが挙げられる。
（ｅ）有機燐化合物類としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなどが挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as antioxidant which can be added to each layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, the following are mentioned.
(A) Examples of phenolic compounds include 2,6-di-t-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole, and 2,6-di-t-butyl-4-ethylphenol. N-octadecyl-3- (4′-hydroxy-3 ′, 5′-di-t-butylphenol), 2,2′-methylene-bis- (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylene-bis- (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-thiobis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-butylidenebis -(3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane, 1,3,5-trimethyl-2 , 4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, te Trakis- [methylene-3- (3 ′, 5′-di-t-butyl-4′-hydroxyphenyl) propionate] methane, bis [3,3′-bis (4′-hydroxy-3′-t) -Butylphenyl) butyric acid] cricol ester, tocopherols and the like.
(B) Examples of paraphenylenediamines include N-phenyl-N′-isopropyl-p-phenylenediamine, N, N′-di-sec-butyl-p-phenylenediamine, and N-phenyl-N-sec-. Examples include butyl-p-phenylenediamine, N, N′-di-isopropyl-p-phenylenediamine, N, N′-dimethyl-N, N′-di-t-butyl-p-phenylenediamine, and the like.
(C) Examples of hydroquinones include 2,5-di-t-octyl hydroquinone, 2,6-didodecyl hydroquinone, 2-dodecyl hydroquinone, 2-dodecyl-5-chlorohydroquinone, 2-t-octyl-5. -Methylhydroquinone, 2- (2-octadecenyl) -5-methylhydroquinone, etc. are mentioned.
Examples of (d) organic sulfur compounds include dilauryl-3,3′-thiodipropionate, distearyl-3,3′-thiodipropionate, ditetradecyl-3,3′-thiodipropionate, and the like.
Examples of (e) organic phosphorus compounds include triphenylphosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, tri (dinonylphenyl) phosphine, tricresylphosphine, tri (2,4-dibutylphenoxy) phosphine, and the like. .

各層に添加できる可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記のものが挙げられる。
（ａ）リン酸エステル系可塑剤としては、例えば、リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなどが挙げられる。
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤としては、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなどが挙げられる。
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤としては、例えば、トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなどが挙げられる。
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤としては、例えば、アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなどが挙げられる。
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体としては、例えば、オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなどが挙げられる。
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤としては、例えば、アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなどが挙げられる。
（ｇ）エポキシ可塑剤としては、例えば、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなどが挙げられる。
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤としては、例えば、ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなどが挙げられる。
（ｉ）含塩素可塑剤としては、例えば、塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなどが挙げられる。
（ｊ）ポリエステル系可塑剤としては、例えば、ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなどが挙げられる。
（ｋ）スルホン酸誘導体としては、例えば、ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなどが挙げられる。
（ｌ）クエン酸誘導体としては、例えば、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなどが挙げられる。
（ｍ）その他としては、例えば、ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなどが挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as a plasticizer which can be added to each layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, the following are mentioned.
(A) Examples of phosphate ester plasticizers include triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, trioctyl phosphate, octyl diphenyl phosphate, trichloroethyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, tributyl phosphate, triphosphate phosphate. -2-ethylhexyl, triphenyl phosphate and the like.
(B) Examples of the phthalate ester plasticizer include dimethyl phthalate, diethyl phthalate, diisobutyl phthalate, dibutyl phthalate, diheptyl phthalate, di-2-ethylhexyl phthalate, diisooctyl phthalate, di-phthalate n-octyl, dinonyl phthalate, diisononyl phthalate, diisodecyl phthalate, diundecyl phthalate, ditridecyl phthalate, dicyclohexyl phthalate, butyl benzyl phthalate, butyl lauryl phthalate, methyl oleyl phthalate, octyldecyl phthalate, fumaric acid Examples include dibutyl and dioctyl fumarate.
Examples of the (c) aromatic carboxylic acid ester plasticizer include trioctyl trimellitic acid, tri-n-octyl trimellitic acid, octyl oxybenzoate, and the like.
(D) Examples of aliphatic dibasic acid ester plasticizers include dibutyl adipate, di-n-hexyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-n-octyl adipate, and adipic acid n- Octyl-n-decyl, diisodecyl adipate, dicapryl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dimethyl sebacate, diethyl sebacate, dibutyl sebacate, di-n-octyl sebacate, di-2-ethylhexyl sebacate, Examples include di-2-ethoxyethyl sebacate, dioctyl succinate, diisodecyl succinate, dioctyl tetrahydrophthalate, and di-n-octyl tetrahydrophthalate.
Examples of (e) fatty acid ester derivatives include butyl oleate, glycerin monooleate, methyl acetylricinoleate, pentaerythritol ester, dipentaerythritol hexaester, triacetin, tributyrin, and the like.
Examples of the (f) oxyester plasticizer include methyl acetyl ricinoleate, butyl acetyl ricinoleate, butyl phthalyl butyl glycolate, tributyl acetyl citrate, and the like.
(G) Examples of the epoxy plasticizer include epoxidized soybean oil, epoxidized linseed oil, butyl epoxy stearate, decyl epoxy stearate, octyl epoxy stearate, benzyl epoxy stearate, dioctyl epoxy hexahydrophthalate, epoxy hexa And didecyl hydrophthalate.
Examples of the (h) dihydric alcohol ester plasticizer include diethylene glycol dibenzoate and triethylene glycol di-2-ethylbutyrate.
(I) Examples of the chlorine-containing plasticizer include chlorinated paraffin, chlorinated diphenyl, chlorinated fatty acid methyl, and methoxychlorinated fatty acid methyl.
(J) Examples of the polyester plasticizer include polypropylene adipate, polypropylene sebacate, polyester, and acetylated polyester.
(K) Examples of the sulfonic acid derivative include p-toluenesulfonamide, o-toluenesulfonamide, p-toluenesulfoneethylamide, o-toluenesulfoneethylamide, toluenesulfone-N-ethylamide, p-toluenesulfone-N. -Cyclohexylamide and the like.
(L) Examples of the citric acid derivative include triethyl citrate, triethyl acetyl citrate, tributyl citrate, tributyl acetyl citrate, tri-2-ethylhexyl acetyl citrate, and acetyl citrate-n-octyldecyl. .
Examples of (m) others include terphenyl, partially hydrogenated terphenyl, camphor, 2-nitrodiphenyl, dinonylnaphthalene, and methyl abietic acid.

また、各層に添加することができる滑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記のものが挙げられる。
（ａ）炭化水素系化合物としては、例えば、流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなどが挙げられる。
（ｂ）脂肪酸系化合物としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸などが挙げられる。
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物としては、例えば、ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなどが挙げられる
（ｄ）エステル系化合物としては、例えば、脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなどが挙げられる。
（ｅ）アルコール系化合物としては、例えば、セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなどが挙げられる。
（ｆ）金属石けんとしては、例えば、ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどが挙げられる。
（ｇ）天然ワックスとしては、例えば、カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなどが挙げられる。
（ｈ）その他としては、例えば、シリコーン化合物、フッ素化合物などが挙げられる。 Moreover, there is no restriction | limiting in particular as a lubricant which can be added to each layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, the following are mentioned.
Examples of (a) hydrocarbon-based compounds include liquid paraffin, paraffin wax, microwax, and low-polymerized polyethylene.
Examples of (b) fatty acid compounds include lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, arachidic acid, and behenic acid.
Examples of (c) fatty acid amide compounds include stearyl amide, palmityl amide, olein amide, methylene bis stearamide, and ethylene bis stearamide. Examples include lower alcohol esters, fatty acid polyhydric alcohol esters, and fatty acid polyglycol esters.
Examples of the (e) alcohol compound include cetyl alcohol, stearyl alcohol, ethylene glycol, polyethylene glycol, and polyglycerol.
(F) Examples of the metal soap include lead stearate, cadmium stearate, barium stearate, calcium stearate, zinc stearate, magnesium stearate and the like.
(G) Examples of the natural wax include carnauba wax, candelilla wax, beeswax, whale wax, ibota wax, and montan wax.
Examples of (h) others include silicone compounds and fluorine compounds.

また、各層に添加できる紫外線吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記のものが挙げられる。
（ａ）ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、例えば、２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
（ｂ）サルシレート系紫外線吸収剤としては、例えば、フェニルサルシレート、２，４ジ−ｔ−ブチルフェニル３，５−ジ−ｔ−ブチル４ヒドロキシベンゾエートなどが挙げられる。
（ｃ）ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、例えば、（２'−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ３'−ターシャリブチル５'−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
（ｄ）シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、例えば、エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレートなどが挙げられる。
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）としては、例えば、ニッケル（２，２'チオビス（４−t-オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなどが挙げられる。
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）としては、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなどが挙げられる。 Moreover, there is no restriction | limiting in particular as an ultraviolet absorber which can be added to each layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, the following are mentioned.
(A) Examples of the benzophenone-based UV absorber include 2-hydroxybenzophenone, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy 4-methoxybenzophenone and the like can be mentioned.
Examples of (b) salicylate-based ultraviolet absorbers include phenyl salicylate and 2,4 di-t-butylphenyl 3,5-di-t-butyl 4-hydroxybenzoate.
(C) Examples of the benzotriazole-based ultraviolet absorber include (2′-hydroxyphenyl) benzotriazole, (2′-hydroxy5′-methylphenyl) benzotriazole, (2′-hydroxy5′-methylphenyl) benzo And triazole, (2′-hydroxy 3′-tertiarybutyl 5′-methylphenyl) 5-chlorobenzotriazole, and the like.
Examples of the (d) cyanoacrylate-based ultraviolet absorber include ethyl-2-cyano-3,3-diphenyl acrylate, methyl 2-carbomethoxy 3 (paramethoxy) acrylate, and the like.
(E) As the quencher (metal complex salt system), for example, nickel (2,2′thiobis (4-t-octyl) phenolate) normal butylamine, nickel dibutyldithiocarbamate, nickel dibutyldithiocarbamate, cobalt dicyclohexyldithiophosphate, etc. Is mentioned.
(F) Examples of HALS (hindered amine) include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate and bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate. 1- [2- [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy] ethyl] -4- [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy Phenyl) propionyloxy] -2,2,6,6-tetramethylpyridine, 8-benzyl-7,7,9,9-tetramethyl-3-octyl-1,3,8-triazaspiro [4,5] undecane -2,4-dione, 4-benzoyloxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine and the like.

本発明の静電潜像担持体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター及びレーザー製版等の電子写真応用分野にも広く用いることができ、特に、以下に説明する本発明の画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジに好適に用いられるものである。   The electrostatic latent image carrier of the present invention can be used not only for electrophotographic copying machines but also widely for electrophotographic application fields such as laser beam printers, CRT printers, LED printers, liquid crystal printers, and laser plate making. In particular, it is suitably used for the image forming method, image forming apparatus, and process cartridge of the present invention described below.

（画像形成方法及び画像形成装置）
本発明の画像形成装置は、静電潜像担持体と、静電潜像形成手段と、現像手段と、転写手段と、定着手段とを少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の手段、例えば、除電手段、クリーニング手段、リサイクル手段等を有してなる。
本発明の画像形成方法は、静電潜像形成工程と、現像工程と、転写工程と、定着工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程、例えば、除電工程、クリーニング工程、リサイクル工程等を含んでなる。 (Image forming method and image forming apparatus)
The image forming apparatus of the present invention includes at least an electrostatic latent image carrier, an electrostatic latent image forming unit, a developing unit, a transfer unit, and a fixing unit, and further appropriately selected as necessary. It has other means, for example, static elimination means, cleaning means, recycling means, and the like.
The image forming method of the present invention includes at least an electrostatic latent image forming step, a developing step, a transfer step, and a fixing step, and other steps appropriately selected as necessary, for example, a static elimination step, a cleaning step. , Including a recycling process.

本発明の画像形成方法は、本発明の画像形成装置により好適に実施することができ、前記静電潜像形成工程は前記静電潜像形成手段により行うことができ、前記現像工程は前記現像手段により行うことができ、前記転写工程は前記転写手段により行うことができ、前記定着工程は前記定着手段により行うことができ、前記その他の工程は前記その他の手段により行うことができる。   The image forming method of the present invention can be preferably carried out by the image forming apparatus of the present invention, the electrostatic latent image forming step can be performed by the electrostatic latent image forming means, and the developing step is the developing The transfer step can be performed by the transfer unit, the fixing step can be performed by the fixing unit, and the other steps can be performed by the other unit.

−静電潜像形成工程及び静電潜像形成手段−
前記静電潜像形成工程は、静電潜像担持体上に静電潜像を形成する工程である。
前記静電潜像担持体としては、本発明の前記静電潜像担持体を用いる。 -Electrostatic latent image forming step and electrostatic latent image forming means-
The electrostatic latent image forming step is a step of forming an electrostatic latent image on the electrostatic latent image carrier.
The electrostatic latent image carrier of the present invention is used as the electrostatic latent image carrier.

前記静電潜像の形成は、例えば、前記静電潜像担持体の表面を一様に帯電させた後、像様に露光することにより行うことができ、前記静電潜像形成手段により行うことができる。
前記静電潜像形成手段は、例えば、前記静電潜像担持体の表面を一様に帯電させる帯電器と、前記静電潜像担持体の表面を像様に露光する露光器とを少なくとも備える。 The formation of the electrostatic latent image can be performed, for example, by uniformly charging the surface of the electrostatic latent image carrier and then performing imagewise exposure, and is performed by the electrostatic latent image forming unit. be able to.
The electrostatic latent image forming means includes, for example, at least a charger that uniformly charges the surface of the electrostatic latent image carrier and an exposure device that exposes the surface of the electrostatic latent image carrier imagewise. Prepare.

前記帯電器としては、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電するものが用いられる。なお、帯電器の詳細については後述する。   As the charger, one that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application is used. The details of the charger will be described later.

前記露光は、例えば、前記露光器を用いて前記静電潜像担持体の表面を像様に露光することにより行うことができる。
前記露光器としては、前記帯電器により帯電された前記静電潜像担持体の表面に、形成すべき像様に露光を行うことができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、複写光学系、ロッドレンズアレイ系、レーザ光学系、液晶シャッタ光学系、などの各種露光器が挙げられる。 The exposure can be performed, for example, by exposing the surface of the latent electrostatic image bearing member imagewise using the exposure device.
The exposure device is not particularly limited as long as it can expose the surface of the electrostatic latent image carrier charged by the charger so as to form an image to be formed, and is appropriately selected according to the purpose. For example, various exposure devices such as a copying optical system, a rod lens array system, a laser optical system, and a liquid crystal shutter optical system can be used.

−現像工程及び現像手段−
前記現像工程は、前記静電潜像を、前記トナー乃至前記現像剤を用いて現像して可視像を形成する工程である。
前記可視像の形成は、例えば、前記静電潜像を前記トナー乃至前記現像剤を用いて現像することにより行うことができ、前記現像手段により行うことができる。
前記現像手段は、例えば、前記トナー乃至前記現像剤を用いて現像することができる限り、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、前記トナー乃至現像剤を収容し、前記静電潜像に該トナー乃至該現像剤を接触又は非接触的に付与可能な現像器を少なくとも有するものが好適に挙げられる。 -Development process and development means-
The developing step is a step of developing the electrostatic latent image using the toner or the developer to form a visible image.
The visible image can be formed, for example, by developing the electrostatic latent image using the toner or the developer, and can be performed by the developing unit.
The developing means is not particularly limited as long as it can be developed using, for example, the toner or the developer, and can be appropriately selected from known ones. For example, the toner or developer is accommodated. Preferred examples include those having at least a developing unit capable of bringing the toner or developer into contact or non-contact with the electrostatic latent image.

前記現像器は、乾式現像方式のものであってもよいし、湿式現像方式のものであってもよく、また、単色用現像器であってもよいし、多色用現像器であってもよく、例えば、前記トナー乃至前記現像剤を摩擦攪拌させて帯電させる攪拌器と、回転可能なマグネットローラとを有してなるもの、などが好適に挙げられる。   The developing unit may be a dry developing type, a wet developing type, a single color developing unit, or a multi-color developing unit. For example, a toner having a stirrer for charging the toner or the developer by frictional stirring and a rotatable magnet roller is preferable.

前記現像器内では、例えば、前記トナーと前記キャリアとが混合攪拌され、その際の摩擦により該トナーが帯電し、回転するマグネットローラの表面に穂立ち状態で保持され、磁気ブラシが形成される。該マグネットローラは、前記静電潜像担持体（感光体）近傍に配置されているため、該マグネットローラの表面に形成された前記磁気ブラシを構成する前記トナーの一部は、電気的な吸引力によって該静電潜像担持体（感光体）の表面に移動する。その結果、前記静電潜像が該トナーにより現像されて該静電潜像担持体（感光体）の表面に該トナーによる可視像が形成される。   In the developing device, for example, the toner and the carrier are mixed and agitated, and the toner is charged by friction at that time, and held on the surface of the rotating magnet roller in a raised state to form a magnetic brush. . Since the magnet roller is disposed in the vicinity of the electrostatic latent image carrier (photoconductor), a part of the toner constituting the magnetic brush formed on the surface of the magnet roller is electrically attracted. It moves to the surface of the electrostatic latent image carrier (photoconductor) by force. As a result, the electrostatic latent image is developed with the toner, and a visible image is formed with the toner on the surface of the electrostatic latent image carrier (photoconductor).

前記現像器に収容させる現像剤としては一成分現像剤であってもよいし、二成分現像剤であってもよい。   The developer contained in the developing device may be a one-component developer or a two-component developer.

−転写工程及び転写手段−
前記転写工程は、前記可視像を記録媒体に転写する工程であるが、中間記録媒体を用い、該中間記録媒体上に可視像を一次転写した後、該可視像を前記記録媒体上に二次転写する態様が好ましく、可視像を中間記録媒体上に転写して複合転写像を形成する第一次転写工程と、該複合転写像を記録媒体上に転写する第二次転写工程とを含む態様がより好ましい。
前記転写は、例えば、前記可視像を転写帯電器を用いて前記静電潜像担持体（感光体）を帯電することにより行うことができ、前記転写手段により行うことができる。前記転写手段としては、可視像を中間記録媒体上に転写して複合転写像を形成する第一次転写手段と、該複合転写像を記録媒体上に転写する第二次転写手段とを有する態様が好ましい。
なお、前記中間記録媒体としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の記録媒体の中から適宜選択することができ、例えば、転写ベルト等が好適に挙げられる。 -Transfer process and transfer means-
The transfer step is a step of transferring the visible image onto a recording medium. The intermediate recording medium is used to primarily transfer the visible image onto the intermediate recording medium, and then the visible image is transferred onto the recording medium. And a secondary transfer step of transferring the composite transfer image onto the recording medium, and a secondary transfer step of transferring the composite transfer image onto the recording medium. The aspect containing these is more preferable.
The transfer can be performed, for example, by charging the latent electrostatic image bearing member (photoconductor) of the visible image using a transfer charger, and can be performed by the transfer unit. The transfer unit includes a primary transfer unit that transfers a visible image onto an intermediate recording medium to form a composite transfer image, and a secondary transfer unit that transfers the composite transfer image onto a recording medium. Embodiments are preferred.
The intermediate recording medium is not particularly limited and may be appropriately selected from known recording media according to the purpose. For example, a transfer belt or the like is preferable.

前記転写手段（前記第一次転写手段、前記第二次転写手段）は、前記静電潜像担持体（感光体）上に形成された前記可視像を前記記録媒体側へ剥離帯電させる転写器を少なくとも有するのが好ましい。前記転写手段は、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
前記転写器としては、コロナ放電によるコロナ転写器、転写ベルト、転写ローラ、圧力転写ローラ、粘着転写器、などが挙げられる。
なお、記録媒体としては、代表的には普通紙であるが、現像後の未定着像を転写可能なものなら、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ＯＨＰ用のＰＥＴベース等も用いることができる。 The transfer means (the primary transfer means and the secondary transfer means) is a transfer for peeling and charging the visible image formed on the electrostatic latent image carrier (photoconductor) to the recording medium side. It is preferable to have at least a vessel. There may be one transfer means or two or more transfer means.
Examples of the transfer device include a corona transfer device using corona discharge, a transfer belt, a transfer roller, a pressure transfer roller, and an adhesive transfer device.
The recording medium is typically plain paper, but is not particularly limited as long as it can transfer an unfixed image after development, and can be appropriately selected according to the purpose. PET for OHP A base or the like can also be used.

前記定着工程は、記録媒体に転写された可視像を定着装置を用いて定着させる工程であり、各色のトナーに対し前記記録媒体に転写する毎に行ってもよいし、各色のトナーに対しこれを積層した状態で一度に同時に行ってもよい。
前記定着装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、公知の加熱加圧手段が好適である。前記加熱加圧手段としては、加熱ローラと加圧ローラとの組み合わせ、加熱ローラと加圧ローラと無端ベルトとの組み合わせ、などが挙げられる。
前記加熱加圧手段における加熱は、通常、８０℃〜２００℃が好ましい。
なお、本発明においては、目的に応じて、前記定着工程及び定着手段と共にあるいはこれらに代えて、例えば、公知の光定着器を用いてもよい。 The fixing step is a step of fixing the visible image transferred to the recording medium using a fixing device, and may be performed each time the toner of each color is transferred to the recording medium, or for the toner of each color. You may perform this simultaneously in the state which laminated | stacked this.
There is no restriction | limiting in particular as said fixing device, Although it can select suitably according to the objective, A well-known heating-pressing means is suitable. Examples of the heating and pressing means include a combination of a heating roller and a pressure roller, a combination of a heating roller, a pressure roller, and an endless belt.
The heating in the heating and pressing means is usually preferably 80 ° C to 200 ° C.
In the present invention, for example, a known optical fixing device may be used together with or in place of the fixing step and the fixing unit depending on the purpose.

前記除電工程は、前記静電潜像担持体に対し除電バイアスを印加して除電を行う工程及び光により除電を行う工程である。
前記除電手段としては、特に制限はなく、前記静電潜像担持体の表面電位を一様に下げることができるものであればよく、公知の除電器の中から適宜選択することができる。 The neutralization step is a step of performing neutralization by applying a neutralization bias to the electrostatic latent image carrier and a step of neutralizing with light.
The neutralizing means is not particularly limited as long as it can lower the surface potential of the latent electrostatic image bearing member uniformly, and can be appropriately selected from known neutralizers.

前記クリーニング工程は、前記静電潜像担持体上に残留する前記電子写真トナーを除去する工程であり、クリーニング手段により好適に行うことができる。
前記クリーニング手段としては、特に制限はなく、前記静電潜像担持体上に残留する前記電子写真トナーを除去することができればよく、公知のクリーナの中から適宜選択することができ、例えば、磁気ブラシクリーナ、静電ブラシクリーナ、磁気ローラクリーナ、ブレードクリーナ、ブラシクリーナ、ウエブクリーナ等が好適に挙げられる。 The cleaning step is a step of removing the electrophotographic toner remaining on the electrostatic latent image carrier, and can be suitably performed by a cleaning unit.
The cleaning means is not particularly limited, and may be appropriately selected from known cleaners as long as it can remove the electrophotographic toner remaining on the electrostatic latent image carrier. Preferred examples include brush cleaners, electrostatic brush cleaners, magnetic roller cleaners, blade cleaners, brush cleaners, web cleaners, and the like.

前記リサイクル工程は、前記クリーニング工程により除去した前記電子写真用トナーを前記現像手段にリサイクルさせる工程であり、リサイクル手段により好適に行うことができる。
前記リサイクル手段としては、特に制限はなく、公知の搬送手段等が挙げられる。 The recycling step is a step of recycling the electrophotographic toner removed by the cleaning step to the developing unit, and can be suitably performed by the recycling unit.
There is no restriction | limiting in particular as said recycling means, A well-known conveyance means etc. are mentioned.

ここで、図５は、図１で示した静電潜像担持体を用いた画像形成メカニズムを示したものである。
まず、露光波長λ１のＬＤやＬＥＤ光を感光体に一様に露光し、第２電荷発生層で、電荷が発生する。そしてこの露光と同時に、接触もしくは近接配置された部材にプラスバイアスを印可する。
このため、感光体には、接触もしくは近接配置された部材２１と支持体１１との間で、電界２２が形成され、その電界によって、正孔２５と電子２４が分離し、電子２４は、感光体表面（第２電荷輸送層）１６に、正孔２５は支持体１１に移動する。そして、感光体表面には、均一なマイナスのチャージシートが形成される。 Here, FIG. 5 shows an image forming mechanism using the electrostatic latent image carrier shown in FIG.
First, LD or LED light having an exposure wavelength λ 1 is uniformly exposed to the photosensitive member, and charges are generated in the second charge generation layer. At the same time as this exposure, a positive bias is applied to the members that are in contact with or close to each other.
For this reason, an electric field 22 is formed on the photosensitive member between the member 21 and the support 11 that are in contact with or in close proximity to each other, and the hole 25 and the electron 24 are separated by the electric field. The holes 25 move to the support 11 on the body surface (second charge transport layer) 16. A uniform negative charge sheet is formed on the surface of the photoreceptor.

次に、画像信号に従い、露光器２３により露光波長λ２のＬＤ及びＬＥＤ光を感光体に露光し、第２電荷発生層１５で、書き込み信号に従い電荷が発生する。ここで、発生した電荷は、帯電により形成されている電界に従い、正孔（ホール）２５は感光体表面に、電子２４は支持体１１側に移動する。感光体表面で、正孔と電子が再結合し、静電潜像が形成される。
ここで、露光されるλ１及びλ２は、異なった波長であることが好ましく、またそれに対応して電荷発生としては、それぞれ異なった吸収波長域を有する電荷発生物質を使用することが好ましい。またここで、接触もしくは近接配置された部材に印可されるバイアスは、パッシェンの法則にしたがった放電開始電圧以下のバイアスを印可する。放電開始電圧は、感光層の誘電率及び感光層厚みにより求められる静電容量から決定される。本システムでは、感光体表面電位と接触もしくは近接配置された部材の表面電位差が、放電開始電圧以上になった時に放電する。 Next, according to the image signal, LD and LED light having an exposure wavelength λ 2 are exposed to the photosensitive member by the exposure device 23, and charges are generated in the second charge generation layer 15 according to the write signal. Here, the generated charges follow an electric field formed by charging, and holes 25 move to the surface of the photoreceptor and electrons 24 move to the support 11 side. On the surface of the photoreceptor, holes and electrons are recombined to form an electrostatic latent image.
Here, it is preferable that λ1 and λ2 to be exposed have different wavelengths, and it is preferable to use charge generation materials having different absorption wavelength ranges for charge generation. Further, here, the bias applied to the member disposed in contact or close to the contact is applied with a bias equal to or lower than the discharge start voltage according to Paschen's law. The discharge start voltage is determined from the capacitance determined by the dielectric constant of the photosensitive layer and the thickness of the photosensitive layer. In this system, discharging is performed when the difference between the surface potentials of the members arranged in contact with or close to the photosensitive member surface potential becomes equal to or higher than the discharge start voltage.

次に、図面を用いて本発明の画像形成方法及び画像形成装置について説明する。
図６は、本発明の画像形成装置を説明するための概略図である。
図６において、静電潜像担持体（電子写真感光体）５１は、支持体上に、第１電荷発生層、第１電荷輸送層、第２電荷発生層、及び第２電荷輸送層を順次設けた構造を有する。
帯電部５２は、電子写真感光体５１と接触及び近接配置される。この帯電部は、バイアスを印可することが可能である部材（バイアス印加部材）及び帯電用の電荷発生を行わせるための露光を行うＬＤもしくはＬＥＤ（帯電用露光装置）で構成するのが好ましい。しかしながら、光源をＬＤやＬＥＤに限定するわけでは無く、蛍光灯やキセノンランプ等の光源を用いても構わない。加えて前記蛍光灯やキセノンランプ等の光源と第１電荷発生層が吸収する波長のフィルターを用いてもよい。ここでバイアス印加部材は、帯電用露光を行う光を透過させる必要があるのと同時に、第２電荷発生層によって生成されたホールが電荷輸送層を移動し終わるまでの時間（トランジットタイム）だけ感光体層中に電場を形成し続けることができなくてはならない。 Next, the image forming method and the image forming apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 6 is a schematic view for explaining the image forming apparatus of the present invention.
In FIG. 6, an electrostatic latent image carrier (electrophotographic photosensitive member) 51 includes a first charge generation layer, a first charge transport layer, a second charge generation layer, and a second charge transport layer sequentially on a support. It has a provided structure.
The charging unit 52 is disposed in contact with and close to the electrophotographic photosensitive member 51. The charging unit is preferably composed of a member capable of applying a bias (bias applying member) and an LD or LED (charging exposure device) that performs exposure for generating charge for charging. However, the light source is not limited to the LD or the LED, and a light source such as a fluorescent lamp or a xenon lamp may be used. In addition, a light source such as a fluorescent lamp or a xenon lamp and a filter having a wavelength that is absorbed by the first charge generation layer may be used. Here, the bias applying member needs to transmit light for exposure for charging, and at the same time, the bias applying member is sensitized for a time (transit time) until the holes generated by the second charge generation layer finish moving through the charge transport layer. It must be possible to continue to create an electric field in the body layer.

このような状態を実現できるバイアス印加部材としては、例えば、図７及び図８に示すようなものが挙げられる。
まず、感光体５１に対して接触するバイアス印加部材としては、露光波長に対して透過性を有するシリコーンエラストマーやウレタンラバーなどで構成されるローラ４２中に導電性を付与するための酸化金属やカーボン等のフィラー４１を適量分散させたものが使用できる。例えば、低硬度シリコーンエラストマー中に酸化チタン微粒子をフィラーとして含有したローラ表面を、同じくフィラー等により導電性の付与されたフッ素系樹脂保護膜によって被覆したローラをバイアス印加部材として使用することもできる。このバイアス印加部材としてのローラ（以下、バイアス印加ローラと称することもある）を感光体へ適当な押圧力により当接させることで、バイアス印加ローラを変形させて感光体とのニップを形成する。十分な帯電効果を得るためには、このニップ幅（感光体移動方向でのニップ領域長さ）は、感光体移動速度と上記トランジットタイムとの積から求められる長さ以上であることが好ましい。
また、感光体５１に対して非接触のバイアス印加部材としては、ガラス基板４４上にＩＴＯ膜４３を形成した部材を利用することができる（以下、バイアス印加プレートと称することもある）。このバイアス印加プレートの形状を感光体曲率とほぼ同じとし、感光体表面から、例えば数百μｍのギャップを保持した状態で設置することで実現できる。十分な帯電効果を得るためには、バイアス印加プレートの感光体移動方向における長さは、感光体移動速度と上記トランジットタイムとの積から求められる長さ以上であることが好ましい。 Examples of the bias applying member that can realize such a state include those shown in FIGS. 7 and 8.
First, as a bias applying member that comes into contact with the photosensitive member 51, metal oxide or carbon for imparting conductivity to a roller 42 made of a silicone elastomer, urethane rubber, or the like having transparency to the exposure wavelength. A material in which an appropriate amount of filler 41 such as the above is dispersed can be used. For example, a roller in which a roller surface containing titanium oxide fine particles as a filler in a low-hardness silicone elastomer is coated with a fluororesin protective film imparted with conductivity by a filler or the like can also be used as the bias application member. A roller as the bias application member (hereinafter also referred to as a bias application roller) is brought into contact with the photosensitive member with an appropriate pressing force, whereby the bias applying roller is deformed to form a nip with the photosensitive member. In order to obtain a sufficient charging effect, the nip width (the nip region length in the photosensitive member moving direction) is preferably equal to or longer than the length obtained from the product of the photosensitive member moving speed and the transit time.
In addition, as a bias application member that is not in contact with the photoreceptor 51, a member in which an ITO film 43 is formed on a glass substrate 44 can be used (hereinafter also referred to as a bias application plate). This bias application plate can be realized by setting the shape of the bias applying plate to be substantially the same as the curvature of the photosensitive member, and maintaining a gap of, for example, several hundreds of micrometers from the surface of the photosensitive member. In order to obtain a sufficient charging effect, the length of the bias application plate in the direction of movement of the photosensitive member is preferably equal to or longer than the length obtained from the product of the photosensitive member moving speed and the transit time.

画像信号書き込み（露光）部５３は、ＬＤもしくはＬＥＤ等が用いられる。ここで用いられる光源の露光波長は、前記帯電用露光装置に用いられているものと異なる必要がある。この画像書き込み部で感光体表面に静電潜像を形成する。
感光体表面に静電潜像を形成した後、現像部５４で、トナー像を形成する。感光体表面に形成されたトナー像は、転写部５５により紙などの記録媒体へ転写される。その後、定着を経てハードコピーとなる。電子写真感光体５１上の残留トナーはクリーニング部５６により除去され、次の電子写真サイクルに移る。
前記画像形成方法及び感光体を用いる電子写真プロセスは、上記一例に限定されるものではなく、少なくとも、帯電及び露光により、静電潜像を形成するプロセスであれば、どのようなものであっても構わない。 For the image signal writing (exposure) unit 53, an LD, an LED, or the like is used. The exposure wavelength of the light source used here must be different from that used in the charging exposure apparatus. This image writing unit forms an electrostatic latent image on the surface of the photoreceptor.
After the electrostatic latent image is formed on the surface of the photoreceptor, a toner image is formed by the developing unit 54. The toner image formed on the surface of the photoreceptor is transferred to a recording medium such as paper by the transfer unit 55. Then, after fixing, it becomes a hard copy. Residual toner on the electrophotographic photosensitive member 51 is removed by the cleaning unit 56, and the process proceeds to the next electrophotographic cycle.
The electrophotographic process using the image forming method and the photoconductor is not limited to the above example, and is any process that forms an electrostatic latent image by at least charging and exposure. It doesn't matter.

以上に示すような画像形成方法、及び画像形成装置は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、以下に示す本発明のプロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。   The image forming method and the image forming apparatus as described above may be fixedly incorporated in a copying apparatus, a facsimile machine, or a printer, but are incorporated in these apparatuses in the form of the process cartridge of the present invention described below. May be.

（プロセスカートリッジ）
本発明のプロセスカートリッジは、本発明の前記静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段とを有し、更に、現像手段、転写手段、クリーニング手段及び除電手段から選択される少なくとも一つの手段を有してなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなり、画像形成装置本体に着脱可能なものである。 (Process cartridge)
The process cartridge of the present invention includes the electrostatic latent image carrier of the present invention, and a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and further includes a developing unit, a transfer unit, It has at least one means selected from a cleaning means and a charge eliminating means, and further has other means as required, and is detachable from the image forming apparatus main body.

ここで、前記プロセスカートリッジとしては、図９に示すように、感光体２０１を内蔵し、帯電手段２０２、現像手段２０４、転写手段２０６、クリーニング手段２０７、除電手段（図示せず）の少なくとも一つを具備し、画像形成装置本体に着脱可能とした装置（部品）である。なお、図９中、２０３は露光手段、２０５は記録媒体、２０８は搬送ローラを表す。
図９に示すプロセスカートリッジによる画像形成プロセスについて示すと、感光体２０１は、矢印方向に回転しながら、帯電手段２０２による帯電、露光手段２０３による露光により、その表面に露光像に対応する静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像手段２０４でトナー現像され、該トナー現像は転写手段２０６により、記録媒体２０５に転写され、プリントアウトされる。次いで、像転写後の感光体表面は、クリーニング手段２０７によりクリーニングされ、更に除電手段（図示せず）により除電されて、再び、以上の操作を繰り返すものである。 Here, as shown in FIG. 9, the process cartridge includes a photosensitive member 201, and at least one of a charging unit 202, a developing unit 204, a transfer unit 206, a cleaning unit 207, and a charge eliminating unit (not shown). And an apparatus (part) that can be attached to and detached from the main body of the image forming apparatus. In FIG. 9, reference numeral 203 denotes exposure means, 205 denotes a recording medium, and 208 denotes a conveyance roller.
Referring to the image forming process using the process cartridge shown in FIG. 9, the photosensitive member 201 is charged in the direction of the arrow while being charged by the charging unit 202 and exposed by the exposure unit 203. An image is formed. The electrostatic latent image is developed with toner by the developing unit 204, and the toner development is transferred to the recording medium 205 by the transfer unit 206 and printed out. Next, the surface of the photoconductor after the image transfer is cleaned by the cleaning unit 207, further neutralized by a neutralizing unit (not shown), and the above operation is repeated again.

本発明の画像形成装置としては、上述の静電潜像担持体と、現像器、クリーニング器等の構成要素をプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このユニットを装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。また、帯電器、現像器、転写又は分離器、及びクリーニング器の少なくとも１つを感光体とともに一体に支持してプロセスカートリッジを形成し、装置本体に着脱自在の単一ユニットとし、装置本体のレールなどの案内手段を用いて着脱自在の構成としてもよい。   The image forming apparatus of the present invention is configured by integrally combining the above-described electrostatic latent image carrier and components such as a developing device and a cleaning device as a process cartridge, and this unit is detachable from the apparatus main body. You may comprise. Further, at least one of a charging device, a developing device, a transfer or separation device, and a cleaning device is integrally supported together with a photosensitive member to form a process cartridge, which is a single unit that can be attached to and detached from the apparatus body. It is good also as a structure which can be attached or detached using guide means, such as.

本発明の画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジでは、画像特性に優れ、帯電時におけるオゾン、窒素酸化物などの発生を抑えることができる静電潜像担持体を用いているので、高精細、高画質な画像を形成することができる。   The image forming apparatus, the image forming method, and the process cartridge of the present invention use an electrostatic latent image carrier that has excellent image characteristics and can suppress generation of ozone, nitrogen oxide, and the like during charging. High-quality images can be formed.

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

（実施例１）
−静電潜像担持体の作製−
＜下引き層の形成＞
外径１００ｍｍのアルミニウム（Ａｌ）製支持体に、下記組成の下引き層塗布液を乾燥後の厚みが１．０μｍになるように浸漬法で塗工し、下引き層を形成した。
−下引き層塗布液の組成−
・アルキッド樹脂（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業株式会社製）・・・３質量部
・メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０、大日本インキ化学工業株式会社製）・・・２質量部
・酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ、石原産業株式会社製）・・・２０質量部
・メチルエチルケトン・・・１００質量部 Example 1
-Production of electrostatic latent image carrier-
<Formation of undercoat layer>
An undercoat layer coating solution having the following composition was coated on an aluminum (Al) support having an outer diameter of 100 mm by a dipping method so that the thickness after drying was 1.0 μm, thereby forming an undercoat layer.
-Composition of the undercoat layer coating solution-
・ Alkyd resin (Beckosol 1307-60-EL, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) ... 3 parts by mass Melamine resin (Super Becamine G-821-60, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 2 parts by mass Titanium oxide (CR-EL, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 20 parts by mass Methyl ethyl ketone 100 parts by mass

＜第１電荷発生層の形成＞
下引き層上に、下記組成の第１電荷発生層塗布液を浸漬塗工して、１１０℃にて２０分間加熱し、乾燥させて、厚み０．３μｍの第１電荷発生層を形成した。
−第１電荷発生層の組成−
・オキソチタニウムフタロシアニン顔料・・・５質量部
・ブチラール樹脂（エスレックＢＭＳ、積水化学工業株式会社製）・・・２質量部
・テトラヒドロフラン・・・８０質量部 <Formation of first charge generation layer>
On the undercoat layer, a first charge generation layer coating solution having the following composition was dip coated, heated at 110 ° C. for 20 minutes, and dried to form a first charge generation layer having a thickness of 0.3 μm.
-Composition of the first charge generation layer-
・ Oxotitanium phthalocyanine pigment: 5 parts by mass ・ Butyral resin (ESREC BMS, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.): 2 parts by mass ・ Tetrahydrofuran: 80 parts by mass

＜第１電荷輸送層の形成＞
第１電荷発生層上に、下記組成の正孔輸送物質を含む第１電荷輸送層塗布液を浸積塗工し、１３０℃にて２０分間加熱し、乾燥させて、厚み２０μｍの電荷輸送層を形成した。
−第１電荷輸送層塗布液の組成−
・ビスフェーノルＺ型ポリカーボネート樹脂（パンライトＴＳ２０５０、帝人化成株式会社製）・・・１質量部
・下記構造式Ａで表される正孔輸送物質・・・１質量部
・テトラヒドロフラン・・・１０質量部 <Formation of first charge transport layer>
A first charge transport layer coating solution containing a hole transport material having the following composition is dip-coated on the first charge generation layer, heated at 130 ° C. for 20 minutes, and dried to form a charge transport layer having a thickness of 20 μm. Formed.
-Composition of the first charge transport layer coating solution-
-Bisphenol A type polycarbonate resin (Panlite TS2050, manufactured by Teijin Chemicals Ltd.) ... 1 part by mass-Hole transport material represented by the following structural formula A ... 1 part by mass
・ Tetrahydrofuran ... 10 parts by mass

＜第２電荷発生層の形成＞
第１電荷輸送層上に、下記組成のアゾ顔料を含む第２電荷発生層塗布液をスプレー塗工し、１４０℃にて２０分間加熱し、乾燥させて、厚み０．５μｍの第２電荷発生層を形成した。
−第２電荷発生層塗布液の組成−
・ブチラール樹脂（エスレックＢＭＳ、積水化学工業株式会社製）・・・２質量部
・下記構造式Ｂで表されるアゾ顔料・・・５質量部
・テトラヒドロフラン・・・１６０質量部
・シクロヘキサノン・・・１６０質量部 <Formation of Second Charge Generation Layer>
A second charge generation layer coating solution containing an azo pigment having the following composition is spray-coated on the first charge transport layer, heated at 140 ° C. for 20 minutes, and dried to generate a second charge having a thickness of 0.5 μm. A layer was formed.
-Composition of the second charge generation layer coating solution-
-Butyral resin (S-Rec BMS, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)-2 parts by mass-Azo pigment represented by the following structural formula B-5 parts by mass
Tetrahydrofuran ... 160 parts by massCyclohexanone ... 160 parts by mass

＜第２電荷輸送層の形成＞
第２電荷発生層上に、下記組成の第２電荷輸送層塗布液をスプレー塗工し、１５０℃にて２０分間加熱し、乾燥させて、厚み５μｍの第２電荷輸送層を形成した。
−第２電荷輸送層塗布液の組成−
・ビスフェーノルＺ型ポリカーボネート樹脂（パンライトＴＳ２０５０、帝人化成株式会社製）・・・１０質量部
・下記構造式Ｃで表される電子輸送物質・・・３質量部
・テトラヒドロフラン・・・３２０質量部
・シクロヘキサノン・・・８０質量部 <Formation of second charge transport layer>
A second charge transport layer coating solution having the following composition was spray coated on the second charge generation layer, heated at 150 ° C. for 20 minutes, and dried to form a second charge transport layer having a thickness of 5 μm.
-Composition of the second charge transport layer coating solution-
-Bisphenol A type polycarbonate resin (Panlite TS2050, manufactured by Teijin Chemicals Ltd.) ... 10 parts by mass-Electron transport material represented by the following structural formula C ... 3 parts by mass
・ Tetrahydrofuran ・ ・ ・ 320 parts by mass ・ Cyclohexanone ... 80 parts by mass

（実施例２）
−静電潜像担持体の作製−
実施例１において、第２電荷輸送層塗布液中のポリカーボネート樹脂を下記構造式Ｄで表される高分子正孔輸送物質に変えた以外は、実施例１と同様にして、静電潜像担持体を作製した。
前記構造式Ｄで表される高分子正孔輸送物質のポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で４６，７００、重量平均分子量で１１，８８０であった。なお、重合度ｎは概ね１８５であった。 ( Example 2)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 1, the electrostatic latent image carrying was carried out in the same manner as in Example 1 except that the polycarbonate resin in the coating solution for the second charge transport layer was changed to the polymer hole transport material represented by the following structural formula D. The body was made.
The molecular weight in terms of polystyrene of the polymeric hole transport material represented by Structural Formula D was 46,700 in terms of number average molecular weight and 11,880 in terms of weight average molecular weight. The degree of polymerization n was approximately 185.

（実施例３）
−静電潜像担持体の作製−
実施例２において、第２電荷輸送層塗布液を下記組成に変えた以外は、実施例１と同様にして、静電潜像担持体を作製した。
・実施例２の上記構造式Ｄで表される高分子正孔輸送物質・・・５質量部
・実施例１の上記構造式Ｃで表される電子輸送物質・・・２質量部
・シリカフィラー（ＫＭＰＸ１００、信越化学工業株式会社製）・・・３質量部
・テトラヒドロフラン・・・２５０質量部
・シクロヘキサノン・・・７０質量部 (Example 3)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 2, an electrostatic latent image carrier was produced in the same manner as in Example 1 except that the second charge transport layer coating solution was changed to the following composition.
-Polymer hole transport material represented by the structural formula D in Example 2 ... 5 parts by mass-Electron transport material represented by the structural formula C in Example 1 ... 2 parts by mass-Silica filler (KMPX100, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 3 parts by mass Tetrahydrofuran 250 parts by mass Cyclohexanone 70 parts by mass

（実施例４）
−静電潜像担持体の作製−
実施例３において、第２電荷輸送層塗布液中のシリカフィラーを、ダイヤモンドフィラー（ナノダイヤモンド、北京国瑞昇科技有限公司製）に変えた以外は、実施例１と同様にして、静電潜像担持体を作製した。 Example 4
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 3, the electrostatic latent was changed in the same manner as in Example 1 except that the silica filler in the coating solution for the second charge transport layer was changed to diamond filler (Nanodiamond, manufactured by Beijing National Rising Technology Co., Ltd.). An image carrier was prepared.

（実施例５）
−静電潜像担持体の作製−
実施例２において、第２電荷輸送層上に下記組成の表面保護層塗布液を用いて、スプレー塗工し、１５０℃にて２０分間加熱し、乾燥させて、厚み３μｍの表面保護層を設けた以外は、実施例１と同様にして、静電潜像担持体を作製した。
−表面保護層塗布液の組成−
・ビスフェーノルＡ型ポリカーボネート樹脂（パンライトＴＳ２０５０、帝人化成株式会社製）・・・７質量部
・アルミナフィラー（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３質量部
・テトラヒドロフラン・・・２５０質量部
・シクロヘキサノン・・・７０質量部 (Example 5)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 2, a surface protective layer having a thickness of 3 μm is provided on the second charge transport layer by spray coating using a surface protective layer coating solution having the following composition, heating at 150 ° C. for 20 minutes, and drying. A latent electrostatic image bearing member was produced in the same manner as in Example 1 except that.
-Composition of surface protective layer coating solution-
-Bisphenol A type polycarbonate resin (Panlite TS2050, manufactured by Teijin Chemicals Ltd.) ... 7 parts by mass-Alumina filler (AA03, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) ... 3 parts by mass-Tetrahydrofuran ... 250 parts by mass Cyclohexanone: 70 parts by mass

（実施例６）
−静電潜像担持体の作製−
実施例５において、表面保護層塗布液中のアルミナフィラーを、実施例４と同じダイヤモンドフィラー（ナノダイヤモンド、北京国瑞昇科技有限公司製）に変えた以外は、実施例５と同様にして、静電潜像担持体を作製した。 (Example 6)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 5, except that the alumina filler in the surface protective layer coating solution was changed to the same diamond filler as in Example 4 (nanodiamond, manufactured by Beijing National Rising Technology Co., Ltd.), the same as in Example 5, An electrostatic latent image carrier was produced.

（実施例７）
−静電潜像担持体の作製−
実施例１において、第２電荷輸送層上に以下に説明するプラズマＣＶＤ装置を用いて表面保護層を形成した以外は、実施例１と同様にして、静電潜像担持体を作製した。 (Example 7)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 1, an electrostatic latent image carrier was produced in the same manner as in Example 1 except that a surface protective layer was formed on the second charge transport layer using a plasma CVD apparatus described below.

＜表面保護層の形成＞
第２電荷発生層までを設けた静電潜像担持体を図１０〜図１２に示すようなプラズマＣＶＤ装置にセットし、表面保護層を形成した。ここで、図１０中、１０７はプラズマＣＶＤ装置の真空槽であり、ゲート弁１０９によりロード／アンロード用予備室１１７と仕切られている。真空槽１０７内は排気系１２０（圧力調整バルブ１２１、ターボ分子ポンプ１２２、ロータリーポンプ１２３よりなる）により真空排気され、また一定圧力に保たれるようになっている。
真空槽１０７内には反応槽１５０が設けられている。反応槽は図１１及び図１２に示すような枠状構造体１０２（電極側より見て四角又は六角形状を有している）と、この両端の開口部を覆うようにしたフード１０８、１１８、更にこのフード１０８、１１８に配設された一対の同一形状を有する第一及び第二の電極１０３、１１３（アルミニウム等の金属メッシュを用いている）より構成されている。１３０は反応槽１５０内へ導入するガスラインを示しており、各種材料ガス容器が接続されており、それぞれ流量計１２９を経てノズル１２５より反応槽１５０の中へ導入される。
枠状構造体１０２中には、前記感光層を形成した支持体１０１（１０１−１、１０１−２…１０１−ｎ）が図１１及び図１２のように配置される。なお、このそれぞれの支持体は、後述するように第三の電極として配置される。電極１０３、１１３には、それぞれ第一の交番電圧を印加するための一対の電源１１５（１１５−１、１１５−２）が用意されている。第一の交番電圧の周波数は、１〜１００ＭＨｚである。これらの電源は、それぞれマッチングトランス１１６−１、１１６−２とつながる。このマッチングトランスでの位相は位相調整器１２６により調整し、互いに１８０°又は０°ずれて供給できる。即ち、対称型又は同相型の出力を有している。マッチンズトランスの一端１０４及び他端１１４は、それぞれ第一及び第二の電極１０３、１１３に連結されている。また、トランスの出力側中点１０５は接地レベルに保持されている。更に、この中点１０５と第三の電極、即ち支持体１０１（１０１−１、１０１−２…１０１−ｎ）又はそれらに電気的に連結するホルダ１０２の間に第二の交番電圧を印加するための電源１１９が配設されている。この第二の交番電圧の周波数は、１〜５００ｋＨｚである。この第一及び第二の電極に印加する第一の交番電圧の出力は、１３．５６ＭＨｚの周波数の場合０．１〜１ｋＷであり、第三の電極即ち支持体に印加する第二の交番電圧の出力は、１５０ｋＨｚの周波数の場合約１００Ｗである。
以下の条件により、ダイヤモンド状カーボンからなる表面保護層を成膜した。
Ｃ２Ｈ４流量：９０ｓｃｃｍ
Ｈ２流量：１５０ｓｃｃｍ
ＮＦ３流量：４５ｓｃｃｍ
反応圧力：０．０２ｔｏｒｒ
第一の交番電圧出力：２００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
バイアス電圧（直流分）：−１００Ｖ
厚み：２．０μｍ <Formation of surface protective layer>
The electrostatic latent image carrier provided up to the second charge generation layer was set in a plasma CVD apparatus as shown in FIGS. 10 to 12 to form a surface protective layer. In FIG. 10, reference numeral 107 denotes a vacuum chamber of a plasma CVD apparatus, which is partitioned from a load / unload spare chamber 117 by a gate valve 109. The inside of the vacuum chamber 107 is evacuated by an exhaust system 120 (comprising a pressure adjusting valve 121, a turbo molecular pump 122, and a rotary pump 123), and is kept at a constant pressure.
A reaction tank 150 is provided in the vacuum tank 107. The reaction tank has a frame-like structure 102 (having a square or hexagonal shape as viewed from the electrode side) as shown in FIGS. 11 and 12, and hoods 108, 118 covering the openings at both ends. Furthermore, it comprises a pair of first and second electrodes 103, 113 (using a metal mesh such as aluminum) having the same shape and disposed on the hoods 108, 118. Reference numeral 130 denotes a gas line to be introduced into the reaction tank 150, to which various material gas containers are connected, and each is introduced into the reaction tank 150 from the nozzle 125 via the flow meter 129.
In the frame-like structure 102, supports 101 (101-1, 101-2,... 101-n) on which the photosensitive layer is formed are arranged as shown in FIGS. Each of the supports is arranged as a third electrode as will be described later. For the electrodes 103 and 113, a pair of power sources 115 (115-1 and 115-2) for applying a first alternating voltage is prepared. The frequency of the first alternating voltage is 1 to 100 MHz. These power sources are connected to matching transformers 116-1 and 116-2, respectively. The phase in the matching transformer is adjusted by the phase adjuster 126 and can be supplied with a shift of 180 ° or 0 ° from each other. That is, it has a symmetrical or in-phase output. The one end 104 and the other end 114 of the matchons transformer are connected to the first and second electrodes 103 and 113, respectively. Further, the output-side midpoint 105 of the transformer is held at the ground level. Further, a second alternating voltage is applied between the midpoint 105 and the third electrode, that is, the support 101 (101-1, 101-2... 101-n) or the holder 102 electrically connected thereto. A power source 119 is provided. The frequency of the second alternating voltage is 1 to 500 kHz. The output of the first alternating voltage applied to the first and second electrodes is 0.1 to 1 kW at a frequency of 13.56 MHz, and the second alternating voltage applied to the third electrode, that is, the support. Is about 100 W for a frequency of 150 kHz.
A surface protective layer made of diamond-like carbon was formed under the following conditions.
C 2 H 4 flow rate: 90 sccm
H 2 flow rate: 150 sccm
NF 3 flow rate: 45sccm
Reaction pressure: 0.02 torr
First alternating voltage output: 200 W, 13.56 MHz
Bias voltage (DC component): -100V
Thickness: 2.0μm

（実施例８）
−静電潜像担持体の作製−
実施例２において、第１電荷発生層塗布液中のオキソチタニウムフタロシアニン顔料をメタルフリーフタロシアニン顔料に変えた以外は、実施例２と同様にして、静電潜像担持体を作製した。 (Example 8)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 2, an electrostatic latent image bearing member was produced in the same manner as in Example 2 except that the oxotitanium phthalocyanine pigment in the first charge generation layer coating solution was changed to a metal-free phthalocyanine pigment.

（比較例１）
−静電潜像担持体の作製−
実施例１において、第２電荷輸送層を設けず、以下のようにして第２電荷発生層を形成した以外は、実施例１と同様にして、静電潜像担持体を作製した。
＜第２電荷発生層の形成＞
第１電荷輸送層上に、下記組成の第２電荷発生層塗布液を用いて、スプレー塗工し、１４０℃にて２０分間加熱し、乾燥させて、厚み５μｍの第２電荷発生層を形成した。
−第２電荷発生層塗布液の組成−
・ビスフェーノルＺ型ポリカーボネート（パンライトＴＳ２０５０、帝人化成株式会社製）・・・５質量部
・実施例１の上記構造式Ｂで表されるアゾ顔料・・・２質量部
・テトラヒドロフラン・・・１００質量部
・シクロヘキサノン・・・４０質量部 (Comparative Example 1)
-Production of electrostatic latent image carrier-
In Example 1, an electrostatic latent image carrier was produced in the same manner as in Example 1 except that the second charge transport layer was not provided and the second charge generation layer was formed as follows.
<Formation of Second Charge Generation Layer>
On the first charge transport layer, a second charge generation layer coating solution having the following composition is spray coated, heated at 140 ° C. for 20 minutes, and dried to form a second charge generation layer having a thickness of 5 μm. did.
-Composition of the second charge generation layer coating solution-
-Bisphenol A type polycarbonate (Panlite TS2050, manufactured by Teijin Chemicals Ltd.) 5 parts by mass-Azo pigment represented by the structural formula B in Example 1-2 parts by mass-Tetrahydrofuran ... 100 parts by mass・ Cyclohexanone: 40 parts by mass

以上のように作製した各静電潜像担持体を、図６で示したバイアス印加部材と６５５ｎｍのＬＥＤを露光光源とした露光帯電部材を搭載した画像形成装置（株式会社リコー製、イマジオＭＦ７０７０、画像書き込み露光光源として７８０ｎｍＬＤ）を用いて、５０万枚の通紙試験（Ａ４サイズ）を行った。   Each electrostatic latent image carrier produced as described above is equipped with an image forming apparatus (Imagio MF7070, manufactured by Ricoh Co., Ltd.) equipped with an exposure charging member using the bias applying member shown in FIG. Using a 780 nm LD as an image writing exposure light source, 500,000 sheets were tested (A4 size).

次に、以下のようにして、画像評価（ハーフトーン画像、Ｓ３チャート）、及び摩耗量評価を行った。結果を表１、表２、及び表３に示す。なお、表１〜表３の結果において、実施例１、実施例２、実施例８、及び比較例１は、各々第２電荷輸送層、及び第２電荷発生層が摩耗により、消失したため、３０万枚までで試験を中止した。   Next, image evaluation (halftone image, S3 chart) and wear amount evaluation were performed as follows. The results are shown in Table 1, Table 2, and Table 3. In the results of Tables 1 to 3, in Example 1, Example 2, Example 8, and Comparative Example 1, the second charge transport layer and the second charge generation layer disappeared due to wear. The test was stopped with up to 10,000 sheets.

＜画像ムラ＞
各静電潜像担持体について、初期、１０万枚後、３０万枚後、及び５０万枚後の各画像サンプルについて、画像ムラの発生の程度を目視観察して、下記基準により評価した。
〔評価基準〕
○：画像ムラの発生がなく良好である
△：局所的に画像ムラが発生した（実使用可能なレベル）
×：画像領域全体に画像ムラが発生した（実使用不能なレベル） <Image unevenness>
About each electrostatic latent image carrier, the degree of occurrence of image unevenness was visually observed for each of the image samples after 100,000 sheets, after 300,000 sheets, and after 500,000 sheets, and evaluated according to the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
○: Good with no occurrence of image unevenness Δ: Image unevenness occurred locally (a level that can be actually used)
×: Image unevenness occurred in the entire image area (a level at which actual use is not possible)

＜画像濃度＞
各静電潜像担持体について、初期、１０万枚後、３０万枚後、及び５０万枚後の各画像サンプルについて、画像濃度の低下の程度を目視観察して、下記基準により評価した。
〔評価基準〕
○：画像濃度の低下がなく良好である
△：画像濃度がやや低下した（実使用可能なレベル）
×：画像濃度が低下した（実使用不能なレベル） <Image density>
With respect to each electrostatic latent image carrier, the degree of decrease in image density was visually observed for each of the initial image samples after 100,000, 300,000, and 500,000 sheets, and evaluated according to the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
○: Good without any decrease in image density △: Image density slightly decreased (level that can be actually used)
×: Image density decreased (a level at which actual use is not possible)

＜摩耗量の測定＞
各静電潜像担持体について、初期に対する１０万枚後、３０万枚後、及び５０万枚後の摩耗量を摩耗量測定器で測定した。 <Measurement of wear>
About each electrostatic latent image carrier, the amount of wear after 100,000 sheets, after 300,000 sheets, and after 500,000 sheets was measured with a wear amount measuring device.

表１〜表３の結果から、実施例１〜８は、帯電手段として図６で示したバイアス印加部材と６５５ｎｍのＬＥＤを露光光源とした露光帯電部材とを用いているので、帯電時におけるオゾンや窒素酸化物の発生がなく、また、比較例１に比べて、長期使用による摩耗が少なく、画像安定性に優れていることが認められる。   From the results of Tables 1 to 3, since Examples 1 to 8 use the bias applying member shown in FIG. 6 and the exposure charging member using a 655 nm LED as the exposure light source as the charging means, ozone during charging is used. Further, it is recognized that there is no generation of nitrogen oxides, and there is less wear due to long-term use and superior image stability compared to Comparative Example 1.

本発明の静電潜像担持体を用いた画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジは、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段を使用した画像形成に用いられ、フルカラー複写機、フルカラーレーザープリンター、及びフルカラー普通紙ファックス等に幅広く使用される。   The image forming method, the image forming apparatus, and the process cartridge using the electrostatic latent image carrier of the present invention are used for image formation using charging means for charging the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application. And widely used in full-color copiers, full-color laser printers, full-color plain paper fax machines, and the like.

図１は、本発明の静電潜像担持体の層構成の一例を示す説明断面図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing an example of a layer structure of the electrostatic latent image carrier of the present invention. 図２は、本発明の静電潜像担持体の層構成の他の一例を示す説明断面図である。FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view showing another example of the layer structure of the electrostatic latent image carrier of the present invention. 図３は、本発明の静電潜像担持体の層構成の別の他の一例を示す説明断面図である。FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view showing another example of the layer structure of the electrostatic latent image carrier of the present invention. 図４は、本発明の第１電荷発生層及び第２電荷発生層で使用される顔料の分光感度を示す。FIG. 4 shows the spectral sensitivity of the pigment used in the first charge generation layer and the second charge generation layer of the present invention. 図５は、本発明の静電潜像担持体を用いた帯電及び潜像形成メカニズムの説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a charging and latent image forming mechanism using the electrostatic latent image carrier of the present invention. 図６は、本発明の静電潜像担持体用いた画像形成装置の一例を示す説明構成図であるFIG. 6 is an explanatory configuration diagram showing an example of an image forming apparatus using the electrostatic latent image carrier of the present invention. 図７は、本発明の帯電部に使用されるバイアス印加部材（バイアス印加ローラ）の一例を示す説明構成図である。FIG. 7 is an explanatory configuration diagram illustrating an example of a bias applying member (bias applying roller) used in the charging unit of the present invention. 図８は、本発明の帯電部に使用されるバイアス印加部材（バイアス印加プレート）の一例を示す説明構成図である。FIG. 8 is an explanatory configuration diagram illustrating an example of a bias applying member (bias applying plate) used in the charging unit of the present invention. 図９は、本発明のプロセスカートリッジの一例を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic view showing an example of the process cartridge of the present invention. 図１０は、実施例７において水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造よりなる保護層を形成する際に用いるプラズマＣＶＤ装置の説明図である。FIG. 10 is an explanatory view of a plasma CVD apparatus used in forming a protective layer made of diamond-like carbon containing hydrogen or an amorphous carbon structure in Example 7. 図１１は、実施例７において表面保護層の形成に用いたプラズマＣＶＤ装置の枠状構造体の平面図である。FIG. 11 is a plan view of the frame-like structure of the plasma CVD apparatus used for forming the surface protective layer in Example 7. 図１２は、実施例７において表面保護層の形成に用いた別のプラズマＣＶＤ装置の枠状構造体の平面図である。12 is a plan view of a frame-shaped structure of another plasma CVD apparatus used for forming the surface protective layer in Example 7. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１１ 支持体
１２ 下引き層
１３ 第１電荷発生層
１４ 第１電荷輸送層
１５ 第２電荷発生層
１６ 第２電荷輸送層
１７ 表面保護層
２１ 帯電用露光装置
２２ バイアス印加部材
２３ 画像信号書き込み（露光）装置
２４ −電荷（電子）
２５ ＋電荷（ホール）
４１ 金属製ローラ真金
４２ 光透過型導電性弾性部材
４３ ＩＴＯ膜
４４ 基板
５１ 静電潜像担持体
５２ 帯電部
５３ 画像信号書き込み（露光）部
５４ 現像部
５５ 転写部
５６ クリーニング部
１０１−１〜１０１−ｎ 支持体
１０２ 枠状構造体
１０３、１１３ 電極
１０４、１１４ マッチングトランスの端部
１０５ トランス出力側中点
１０７ 真空槽
１０８、１１８ フード
１０９ ゲート弁
１１５ 電源
１１６−１、１１６−２ マッチングトランス
１１７ ロード／アンロード用予備室
１１９ 電源
１２０ 排気系統
１２１ 調整バルブ
１２２ ターボ分子ポンプ
１２３ ロータリーポンプ
１２５ ガス導入ノズル
１２６ 位相調整器
１２９ 流量計
１３０〜１３４ ガスライン
１４０ 交番電源系
１５０ 反応槽
２０１ 感光体
２０２ 帯電手段
２０３ 露光手段
２０４ 現像手段
２０５ 記録媒体
２０６ 転写手段
２０７ クリーニング手段
２０８ 搬送ローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Support body 12 Undercoat layer 13 1st charge generation layer 14 1st charge transport layer 15 2nd charge generation layer 16 2nd charge transport layer 17 Surface protective layer 21 Exposure apparatus for charging 22 Bias application member 23 Image signal writing (exposure) ) Device 24-Charge (Electron)
25 + charge (hole)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 41 Metal roller gold | metal | money 42 Light transmission type electroconductive elastic member 43 ITO film | membrane 44 Board | substrate 51 Electrostatic latent image carrier 52 Charging part 53 Image signal writing (exposure) part 54 Developing part 55 Transfer part 56 Cleaning part 101-1 101-n Support body 102 Frame-like structure 103, 113 Electrode 104, 114 Matching transformer end 105 Transformer output side midpoint 107 Vacuum chamber 108, 118 Hood 109 Gate valve 115 Power supply 116-1, 116-2 Matching transformer 117 Spare room for loading / unloading 119 Power supply 120 Exhaust system 121 Adjustment valve 122 Turbo molecular pump 123 Rotary pump 125 Gas introduction nozzle 126 Phase adjuster 129 Flow meter 130 to 134 Gas line 140 Alternating power supply system 150 Reaction tank 201 Photoconductor 202 Charging hand Stage 203 Exposure means 204 Development means 205 Recording medium 206 Transfer means 207 Cleaning means 208 Conveying roller

Claims (22)

光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段を使用した画像形成に用いられ、
支持体と、該支持体上に、露光により静電潜像形成の電荷を発生する第１電荷発生層、少なくとも正孔輸送物質を含有する第１電荷輸送層、露光により帯電電荷を発生する第２電荷発生層、及び少なくとも電子輸送物質を含有する第２電荷輸送層をこの順に有することを特徴とする静電潜像担持体。 Used for image formation using charging means that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application,
A support, a first charge generation layer that generates a charge for forming an electrostatic latent image upon exposure, a first charge transport layer that contains at least a hole transport material, and a first charge generation layer that generates a charged charge upon exposure. An electrostatic latent image carrier having a two-charge generation layer and a second charge transport layer containing at least an electron transport material in this order. 第２電荷輸送層が、正孔輸送物質を含有する請求項１に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 1, wherein the second charge transport layer contains a hole transport material. 正孔輸送物質が、高分子正孔輸送物質である請求項２に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 2, wherein the hole transport material is a polymer hole transport material. 第２電荷輸送層が、更にフィラーを含有する請求項１から３のいずれかに記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to any one of claims 1 to 3, wherein the second charge transport layer further contains a filler. フィラーが、無機フィラー及び炭素含有フィラーのいずれかである請求項４に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 4, wherein the filler is one of an inorganic filler and a carbon-containing filler. 無機フィラーが、金属酸化物フィラーである請求項５に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 5, wherein the inorganic filler is a metal oxide filler. 金属酸化物フィラーが、酸化チタン、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選択される少なくとも１種である請求項６に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 6, wherein the metal oxide filler is at least one selected from titanium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide. 炭素含有フィラーが、ダイヤモンドフィラーである請求項５に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 5, wherein the carbon-containing filler is a diamond filler. 第１電荷発生層及び第２電荷発生層が、互いに異なる２種以上の電荷発生物質を含有し、かつ該電荷発生物質の最大光吸収波長がそれぞれ異なる請求項１から８のいずれかに記載の静電潜像担持体。   The first charge generation layer and the second charge generation layer contain two or more different types of charge generation materials, and the maximum light absorption wavelengths of the charge generation materials are different from each other. An electrostatic latent image carrier. 第１電荷発生層における電荷発生物質がチタニルフタロシアニン顔料であり、かつ第２電荷発生層における電荷発生物質がアゾ顔料である請求項９に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 9, wherein the charge generation material in the first charge generation layer is a titanyl phthalocyanine pigment, and the charge generation material in the second charge generation layer is an azo pigment. 第１電荷輸送層の厚みが、１０〜５０μｍである請求項１から１０のいずれかに記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 1, wherein the first charge transport layer has a thickness of 10 to 50 μm. 第２電荷輸送層の厚みが、０．５〜１０μｍである請求項１から１１のいずれかに記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 1, wherein the second charge transport layer has a thickness of 0.5 to 10 μm. 第２電荷輸送層上に、表面保護層を有する請求項１から１２のいずれかに記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to any one of claims 1 to 12, further comprising a surface protective layer on the second charge transport layer. 表面保護層が、少なくともバインダー樹脂及びフィラーを含有する請求項１３に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 13, wherein the surface protective layer contains at least a binder resin and a filler. フィラーが、無機フィラー及び炭素含有フィラーのいずれかである請求項１４に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 14, wherein the filler is any one of an inorganic filler and a carbon-containing filler. 無機フィラーが、金属酸化物フィラーである請求項１５に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 15, wherein the inorganic filler is a metal oxide filler. 金属酸化物フィラーが、酸化チタン、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選択される少なくとも１種である請求項１６に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 16, wherein the metal oxide filler is at least one selected from titanium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide. 炭素含有フィラーが、ダイヤモンドフィラーである請求項１５に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 15, wherein the carbon-containing filler is a diamond filler. 表面保護層が、水素含有ダイヤモンド状カーボン及び非晶質カーボンのいずれかを含有する請求項１３に記載の静電潜像担持体。   The electrostatic latent image carrier according to claim 13, wherein the surface protective layer contains either hydrogen-containing diamond-like carbon or amorphous carbon. 光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段と、露光手段とを用い該静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程と、該トナー像を記録媒体に転写する転写工程とを少なくとも含む画像形成方法において、
前記静電潜像担持体が、請求項１から１９のいずれかに記載の静電潜像担持体であることを特徴とする画像形成方法。 An electrostatic latent image forming step of forming an electrostatic latent image on the surface of the electrostatic latent image carrier using a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application; and an exposure unit; In an image forming method comprising at least a development step of developing an electrostatic latent image with toner to form a toner image, and a transfer step of transferring the toner image to a recording medium.
20. The image forming method according to claim 1, wherein the electrostatic latent image carrier is the electrostatic latent image carrier according to any one of claims 1 to 19. 静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段と、露光手段とを有し該静電潜像担持体表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像手段と、該トナー像を記録媒体に転写する転写手段とを少なくとも有する画像形成装置において、
前記静電潜像担持体が、請求項１から１９のいずれかに記載の静電潜像担持体であることを特徴とする画像形成装置。 An electrostatic latent image carrier, a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and an exposure unit, and forms an electrostatic latent image on the surface of the electrostatic latent image carrier An image forming apparatus having at least electrostatic latent image forming means, developing means for developing the electrostatic latent image with toner to form a toner image, and transfer means for transferring the toner image to a recording medium.
20. An image forming apparatus, wherein the electrostatic latent image carrier is the electrostatic latent image carrier according to claim 1. 請求項１から１９のいずれかに記載の静電潜像担持体と、光照射とバイアス印加により静電潜像担持体表面を帯電する帯電手段とを有し、更に、現像手段、転写手段、クリーニング手段及び除電手段から選択される少なくとも一つの手段を有してなり、画像形成装置本体に着脱可能であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
An electrostatic latent image carrier according to any one of claims 1 to 19, and a charging unit that charges the surface of the electrostatic latent image carrier by light irradiation and bias application, and further, a developing unit, a transfer unit, A process cartridge comprising at least one means selected from a cleaning means and a charge eliminating means, and detachable from an image forming apparatus main body.
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