JP4471514B2

JP4471514B2 - Plasma processing equipment

Info

Publication number: JP4471514B2
Application number: JP2001049677A
Authority: JP
Inventors: 俊久野沢
Original assignee: 株式会社エフオーアイ
Priority date: 2001-02-26
Filing date: 2001-02-26
Publication date: 2010-06-02
Anticipated expiration: 2021-02-26
Also published as: JP2002252214A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマエッチャーや，プラズマＣＶＤ，プラズマアッシャー等のプラズマ処理装置に関し、詳しくは、ＩＣやＬＣＤなど高精度の製造工程においてプラズマ処理を効率よく行うのに好適なプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６に基本的な２例を示したプラズマ処理装置は、何れも、真空チャンバ内でプラズマ処理空間を挟んで被処理物の保持部と誘電体の壁とを対向させ、その壁を介して外側から内側のプラズマ処理空間へプラズマ励起エネルギーを投入するものである。そのために、内部にプラズマ処理空間３ａの形成されたチャンバ本体３に対して開閉可能なチャンバ上蓋１が組み合わせられた真空チャンバと、チャンバ本体３の内底に設けられサポート５ａ等で支持されていて処理対象の被処理物４を保持する保持部５と、チャンバ上蓋１とチャンバ本体３との間に来るように通常はチャンバ上蓋１側に装着して設けられチャンバ上蓋１を閉めた状態でプラズマ処理空間３ａを挟んで保持部５の被処理物保持面と対向する絶縁体の対向壁２とを備えている。
【０００３】
保持部５は、被処理物４を乗載させて又は／及び付勢させて保持するために、上面等の保持面が被処理物４に適合して例えば平坦に仕上げられ、必要であればそこに静電チャック等も付設される。また、チャンバ本体３の底壁や側壁の適宜なところには、真空チャンバ内のプラズマ処理空間３ａを真空にするために、排気口３ｂが貫通形成され、そこには可変バルブ６ａや真空ポンプ６が連結される。さらに、ＲＦ電源８からプラズマ励起用の高周波を導入するためのＲＦケーブル９ａや、図示しないガス供給ユニットからプラズマ処理用のガスを供給するためのガス配管、被処理物４を搬入搬出するための図示しない開閉ゲート等も設けられている。そして、マイクロプロセッサシステム等の電子回路からなる図示しないコントローラの制御の下、プラズマ処理の手順や内容を規定した所謂レシピに則って、プラズマ７の形成に適した真空圧力制御やガス流量制御などが自動で遂行されるようになっている。
【０００４】
それら２例のうち図６（ａ）のものは容量結合方式の基本装置であり、この場合、対向壁２の上面すなわち対向壁２の表裏面のうちで保持部５と対向しない裏面には、導電板９ｚが展着されるとともに、それにＲＦケーブル９ａが接続されている。
これに対し、図６（ｂ）のものは誘導結合方式の基本装置であり、この場合、対向壁２の上面には、コイル９が引き回されるとともに、それにＲＦケーブル９ａが接続されている。
【０００５】
また、図７に示したプラズマ処理装置は、特開平１０−２９４３０７号公報等に開示されたものであるが、プラズマ発生空間２１とプラズマ処理空間３ａとが隣接状態で分離しており、プラズマ発生空間２１は彫り込み等にて対向壁２０に形成されて分散等したものとなっている。対向壁２０の上面側・裏面側には、コイル９に加えて、電子を封じるための磁石２２が付設され、プラズマ用ガス供給路２３も形成されている。また、対向壁２０の下面側・対向面側には、処理ガス供給口１１やプラズマ噴出口１２の形成された導電板１０が付設されている。そして、プラズマ発生空間２１内でプラズマ７を発生させ、それを多数の小さなプラズマ噴出口１２からプラズマ処理空間３ａへ送り込むようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような従来のプラズマ処理装置は、それぞれに一長一短がある。すなわち、図６（ａ）の容量結合タイプの装置には、広範囲で均一なプラズマが得やすいという長所がある一方、エネルギー投入に限界があってプラズマ密度を高め難いという短所がある。また、図６（ｂ）の誘導結合タイプの装置には、高周波電力を強化すればプラズマ密度が高まるという長所がある一方、エネルギー投入量を増やすとプラズマの均一性が損なわれてしまうという短所がある。これに対し、図７の分離分散タイプの装置には、それらの短所は無く、双方の長所が具わっている。具体的には、プラズマ密度を低密度から高密度まで広範囲に可変制御できるばかりか、そのようにしてもプラズマの均一性が確保されるものとなっている。
【０００７】
しかしながら、その分離分散タイプの装置にも、エネルギーの利用効率を良くするのが難しいという未解決の課題がある。すなわち、発生させたプラズマが直ちにプラズマ処理に供されるようにはなっていないため、高密度プラズマのうち可成り大きな割合のものがプラズマ発生空間の壁面等で消費されてしまうので、それを補うべく高周波電源に大出力のものを採用しなければならなかった。
【０００８】
そこで、プラズマの均一性を損なうことなく高密度のプラズマを供給できるうえエネルギー効率も良くなるよう、装置構造等に工夫を凝らすことが技術的な課題となる。
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために発明された第１乃至第３の解決手段について、その構成および作用効果を以下に説明する。
【００１０】
［第１の解決手段］
第１の解決手段のプラズマ処理装置は、出願当初の請求項１に記載の如く、内部にプラズマ処理空間が形成された真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられ又は形成されていて被処理物を保持する保持部と、前記真空チャンバに付加して又は組み込んで設けられ前記プラズマ処理空間を挟んで前記保持部と対向する絶縁体の又は半導体の壁とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理空間やその中のプラズマ等の気体は別として及びプラズマ処理のため動的に搬入される被処理物も別としてその他の固体を介在させること無く直に前記壁が前記保持部と向き合うものであり、前記壁のうち少なくとも前記保持部との対向面には前記プラズマ処理空間に突き出た突出部が分散等して形成されており、前記突出部には第１高周波電源による高周波印加の可能なコイルが納められている、というものである。
【００１１】
ここで、上記の「分散等」とは、点状に分かれて散在しているという文字通りの分散の他、密接とは言えない程度に離れるように分割されている場合や、線状，破線状，直・曲線状などで複数の又はそれらの混在するものが分布している場合、さらには環状，円状，多角形状、スパイラル状のものが同心で若しくは非同心で多数が列設され又は単独で広く形成されている場合も該当する意味である。ただし、あくまでも突き出しているのであるから、突き出していない基底部・基底面の総面積を突出部の総面積が上回ることは無い。
また、上記の「対向する」は、真空チャンバがプラズマ形成に必要な真空雰囲気を確立するときに対向していれば良く、プラズマ処理を行っていないとき例えば保守作業時や被処理物搬入搬出時には対向していてもしていなくても良い。
【００１２】
このような第１の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、コイルに印可された高周波が壁のうちの突出部を経てプラズマ処理空間等へ放射されるが、その突出部と共にコイルがプラズマ処理空間に填り込んだかの如き状態で設けられているので、高周波の放射エネルギーが高い割合でプラズマ処理空間に投入される。また、一般に、突出部だけ局所的に薄くしても、壁全体の強度や剛性は大して失われないうえ、裏当て等にて容易に補強することも可能なので、突出部を薄くすることで更にエネルギー効率を向上させることができる。
【００１３】
これにより、高密度プラズマを効率良くプラズマ処理空間に形成することが可能となる。
また、そのようにしても、突出部と共にコイルが分散等した状態で保持部ひいては被処理物と対向するところに設置されているので、突出部の設計等に際してエネルギー投入の分布状態が均一になるよう留意する等のことで、被処理物の処理対象面が広くてもその全範囲に亘ってプラズマ密度は十分均質になる。
したがって、この発明によれば、良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することができる。
【００１４】
［第２の解決手段］
第２の解決手段のプラズマ処理装置は、出願当初の請求項２に記載の如く、上記の第１の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記壁に対し前記対向面の裏面側すなわち前記プラズマ処理空間とは接しない方の面のところに、第２高周波電源による高周波印加の可能な導電体が、展開状態で取着されている、というものである。
または、出願当初の請求項４に記載の如く、上記の第１の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記壁が半導体でできていて而も第２高周波電源による高周波を印加可能になっている、というものである。
【００１５】
このような第２の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、コイルを介した誘導結合によるエネルギー投入に加えて、導電体や壁を介した容量結合によるエネルギー投入も利用できる。容量結合方式ではエネルギー投入量に限りがあるものの均一性を得やすいので、これを付加することにより、均一性を損なうことなくプラズマ密度を更に高めることが可能となる。
したがって、この発明によれば、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することができる。
【００１６】
［第３の解決手段］
第３の解決手段のプラズマ処理装置は、出願当初の請求項３に記載の如く、上記の第２の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記導電体に又はそれと前記壁との接合部にガス流路が分散等して形成されており、前記真空チャンバの外から前記プラズマ処理空間へのガス供給路の途中に前記ガス流路が組み入れられている、というものである。
【００１７】
このような第３の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、壁に導電体が付設されているのを利用してガス流路が形成されているので、ガス流路を分散等させても、壁の構造が複雑になるのを回避することができる。しかも、脆いものの多い絶縁体や半導体からなる壁は複雑な加工がし辛いのに対し、金属等からなる導電体は一般に加工し易い。
これにより、プラズマ密度の分布に加えてそれに向けた処理ガスの供給も均一な分布でなされるよう、ガス流路を分散等させても、複雑なガス配管や加工は不要となる又は少なくて済む。
したがって、この発明によれば、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を簡便に実現することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
このような解決手段で達成された本発明のプラズマ処理装置について、これを実施するための幾つかの形態を説明する。
【００１９】
本発明の第１の実施形態は、出願当初の請求項５に記載の如く、上述した解決手段のプラズマ処理装置であって、前記保持部が第３高周波電源による高周波を印加可能になっている、というものである。
これにより、プラズマ処理に適度な異方性を付与することができる。
【００２０】
本発明の第２の実施形態は、出願当初の請求項６に記載の如く、上述した解決手段および実施形態のプラズマ処理装置であって、前記コイルが複数に分割されて同心状に配置されており、それらへの高周波の分配を可変する分配可変手段が付設されている、というものである。
これにより、エネルギー投入の分布状態を動的に調整することが可能となり、プラズマ密度の均一性を一層良くすることができる。
【００２１】
このような解決手段や実施形態で達成された本発明のプラズマ処理装置について、これを実施するための具体的な形態を、以下の第１，第２実施例により説明する。
図１〜図４に示した第１実施例は、上述した第１〜第３の解決手段および第１〜第２の実施形態を総て具現化したものであり、図５に示した第２実施例は、その変形例である。
なお、それらの図示に際し従来と同様の構成要素には同一の符号を付して示したので、重複する再度の説明は割愛し、以下、従来との相違点を中心に説明する。
【００２２】
【第１実施例】
本発明のプラズマ処理装置の第１実施例について、その具体的な構成を、図面を引用して説明する。図１は、その全体構造を示すブロック図であり、図２は、そのうち壁および保持部を含む要部すなわちプラズマ処理空間周辺部の縦断面図であり、図３は、壁のうち保持部との対向面を示し、図４は、分配可変手段の一例を示している。
【００２３】
このプラズマ処理装置が従来例のものと相違するのは、対向壁２や対向壁２０に代えて対向壁３０が導入されている点と、高周波印可のためコイル９に加えて導電体４０も導入されている点と、ＲＦケーブル９ａに分配可変手段９０が介挿接続されている点である。
【００２４】
対向壁３０は、絶縁体の板にフライス加工や穿孔等を施して作られるが、プラズマ処理空間３ａ側の表面すなわち保持部５との対向面には、同心円状に配置された幾つかの線状突出部３１が形成される。また、それらの突出部３１を避けて多数の貫通小孔６３が貫通形成されており、それを介してプラズマ処理空間３ａへ供給されるプラズマ処理用ガスやその励起にて発生したプラズマ７が閉じ込められることの無いよう、内外の突出部３１間の距離は、十分広く採られて、突出部３１の幅よりも広くなっている。このような対向壁３０は、対向面が凹凸になっている点で対向壁２と相違し、突出部３１が分散等している点で凹み側のプラズマ発生空間２１が分散等している対向壁２０と相違する。対向面に導電板１０が付設されておらず対向面が直に保持部５の被処理物保持面と向き合う点でも相違するものとなっている。
【００２５】
対向壁３０の上面・裏面には、コイル９を収納可能な溝３２が突出部３１に対応して同心円状に形成されている。溝３２は、突出部３１の内部にまで深く彫り込まれていて、コイル９が突出部３１の内側に納まるようになっている。また、突出部３１の壁厚が対向壁３０の板厚より可成り薄くされて、コイル９とプラズマ処理空間３ａとの距離が従来より各段に短縮されている。なお、溝３２の形成にて低下した対向壁３０の強度や剛性を補強すべく溝３２に詰め物を入れても良いが、この例では、導電体４０を対向壁３０の上面・裏面に展開状態で固着させることで、対向壁３０が真空圧力に耐えるのに十分な強度や剛性を具備したものとなっている。
【００２６】
導電体４０は、従来例の導電板９ｚと同様に良導体からなり、高周波の印可を可能とするために、真空チャンバ外のＲＦ電源４２（第２高周波電源）から延びたＲＦケーブル４１が接続されている。また、各種のプラズマ処理用ガスを供給するために真空チャンバ外のガス供給ユニット６０から延びたガス配管６１が接続されている点や、ガス流路６２が形成されている点でも、導電板９ｚとは異なる。ガス流路６２は、加工の容易な溝で形成されており、導電体４０を対向壁３０に装着した状態でガス配管６１と貫通小孔６３とをもれなく連通させるため、同心円状や網状に張り巡らされている。このようなガス流路６２は、導電体４０と対向壁３０との接合部に分散等して形成され、真空チャンバの外からプラズマ処理空間３ａへのガス供給路の途中に組み込まれたものとなっている。
【００２７】
各コイル９も、アンテナ役を果たせる良導体からなり、高周波の印可を可能とするために真空チャンバ外のＲＦ電源８（第１高周波電源）やマッチャー８ａから延びたＲＦケーブル９ａが接続されているが、そのＲＦケーブル９ａが分岐して各コイル９に至るところには、分配可変手段９０が介挿されている。分配可変手段９０は、コイル９と同数か、それより一つだけ少なく、設けられる。コントローラの制御に従ってインピーダンスを変えられるものであれば良く、例えば、ＲＦケーブル９ａの途中に直列接続された空芯コイル部９１に磁性体の芯９２を出し（図４（ａ）参照）入れ（図４（ｂ）参照）するインダクタンス可変方式のもの等が採用される。
【００２８】
保持部５にも、プラズマ処理に異方性を付与する高周波の印可を可能とするために、真空チャンバ外のＲＦ電源５１（第３高周波電源）から延びたＲＦケーブル５ｂが接続され、被処理物保持面に張り付けた静電チャック５ｆを機能させるために、真空チャンバ外の高圧電源５２から延びた静電圧印可用ケーブル５ｃが接続され、プラズマ処理に伴う被処理物４の過熱を防ぐ放熱のために、真空チャンバ外の冷却装置５３から延びた冷却液循環用の配管５ｄが接続され、被処理物４と保持部５との熱伝達を良くするために、真空チャンバの外に在ってヘリウム等の熱伝達用媒体を供給するガス供給ユニット５４から延びた細管５ｅが接続されている。
【００２９】
この第１実施例のプラズマ処理装置の使用態様及び動作を説明する。被処理物４の搬入搬出（特開平１０−３２９０６１号公報など参照）や、そのチャッキング（特開２０００−３９５３号公報など参照）、分配可変手段９０を用いた高周波電力の分配（特開２０００−５８２９６号公報など参照）、レシピに則ったプラズマプロセスの制御たとえば真空圧力の制御・ガス供給の制御・ＲＦ電源５１から保持部５への印可電圧の制御（特開平１０−２９４３０７号公報など参照）等は、説明を割愛し、以下、プラズマ励起エネルギーが投入されるところを中心に説明する。
【００３０】
ＲＦ電源８からＲＦケーブル９ａを介してコイル９に高周波が印可されると、コイル９から電磁波等が放射されて、プラズマ処理空間３ａ内のプラズマ７やガスとコイル９との誘導結合が成り立つので、コイル９からプラズマ処理空間３ａへ電力が送給される。その際、介在する突出部３１の壁が従来より薄くなっているうえ、突出部３１そしてコイル９の周りを囲むプラズマ処理空間３ａも三方に来ていて従来より広角な範囲を占めているので、プラズマ励起エネルギーの投入が従来より効率良く行われる。しかも、突出部３１及びコイル９が同心円状に分割・分散して設けられているうえ、各コイル９への電力分配が分配可変手段９０を利用して動的に調整されるので、プラズマ７は高密度であっても被処理物４の上面全域に亘って均一に分布する。
【００３１】
また、ＲＦ電源４２からＲＦケーブル４１を介して導電体４０に高周波が印可されると、導電体４０とプラズマ処理空間３ａ内のプラズマ７やガスとの間で容量結合が成立して、対向壁３０を介して変位電流が流れるので、導電体４０からもプラズマ処理空間３ａへ電力が送給される。導電体４０は対向壁３０の上面に広く展開しているので、容量結合による電力送給は、プラズマ密度の均一性を損なうことなく、プラズマ７の密度を更に高める。
こうして、このプラズマ処理装置にあっては、単独でも効率の良い誘導結合でのエネルギー投入に加えて、容量結合でのエネルギー投入も行われるので、プラズマ処理空間内でプラズマを発生・形成させるものであっても、従来より密度の高いプラズマを供給することができる。しかも、プラズマの均一性も確保されるので、良質なプラズマが効率よく供給される。
【００３２】
【第２実施例】
図５に対向壁３０の対向面を示した本発明のプラズマ処理装置が上述した第１実施例のものと相違するのは、突出部３１及びコイル９が概ね長方形になっている点である。
被処理物４が円板状のシリコンウエハ等の場合に上述の丸い対向壁３０が適しているのに対し、この四角い対向壁３０は、被処理物４が角形の液晶パネル等の場合に適している。
また、基板の大形化に伴って、同心状に分割配置された突出部３１やコイル９の個数が２個から４個に増え、貫通小孔６３の個数も増えている。
【００３３】
【その他】
なお、上記の各実施例では、対向壁３０にアルミナや窒化アルミ等の絶縁体が採用されていたが、対向壁３０は、シリコンやＳｉＣ等の半導体からなるものであっても良い。その電気抵抗率は２Ωｃｍ以上が望ましい。また、対向壁３０が半導体からなる場合には、導電体４０を省いても良く、あるいは導電体４０と同形の半導体を対向壁３０に展着させても良く、その場合、ＲＦケーブル４１を対向壁３０に接続するようにしても良い。
【００３４】
さらに、保持部５と対向壁３０とは、被処理物が平坦な基板の場合には上述したような一対の平行平板形のもので良いが、被処理物が平坦で無い場合には、その形状に基づいて適宜変形される。例えば被処理物が湾曲している場合には、その裏面形状等に対応して保持部５の被処理物保持面は曲面に仕上げられる。これに対し、対向壁３０は、プロセス条件等にも依るが、同様に湾曲していても良く、それより緩やかな曲面になっていても良く、平板のままでも良い。
【００３５】
また、対向壁３０の突出部３１に限らず導電体４０も、線状等に分散させても良く、同心状等に分割しても良い。分割数も任意である。
可変バルブ６ａに代えて特開平１０−２９４３０７号公報や特開２０００−５８２９８号公報に示したような可動壁体を利用して圧力制御を行うようにしても良い。
エッチングを行う場合には上述したように冷却装置５３を用いて保持部５を冷却するのが良いが、成膜（ＣＶＤ）を行う場合には加熱装置を用いて温度調節するのが良い。
貫通小孔６３の直径は、通常０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度であるが、これに限られる訳でなく、キリ穴や丸穴に限られるものでも無い。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の第１の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、プラズマ処理空間にプラズマ励起エネルギーを投入するコイルを填め込み状態で分散等させたことにより、良質なプラズマを効率よく供給するプラズマ処理装置を実現することができたという有利な効果が有る。
【００３７】
また、本発明の第２の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、容量結合方式によるエネルギー投入も付加されるようにしたことにより、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することができたという有利な効果を奏する。
【００３８】
さらに、本発明の第３の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、導電体を利用してガス流路を形成したことにより、ガス流路を分散等させても複雑なガス配管や加工は回避でき、その結果、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を簡便に実現することができたという有利な効果が有る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第１実施例について、全体構造を示すブロック図である。
【図２】壁および保持部を含む要部の縦断面図である。
【図３】壁のうち保持部と対向する面である。
【図４】分配可変手段の一例である。
【図５】本発明のプラズマ処理装置の第２実施例について、壁のうち保持部と対向する面である。
【図６】従来のプラズマ処理装置の全体構造を示し、（ａ）が容量結合形式の基本的なもの、（ｂ）が誘導結合形の基本的なものである。
【図７】従来のプラズマ処理装置を改良した既存装置の構造を示し、（ａ）がチャンバ部の縦断面図、（ｂ）がプラズマ発生空間部の拡大図である。
【符号の説明】
１チャンバ上蓋（真空チャンバ）
２対向壁（真空チャンバ）
３チャンバ本体（真空チャンバ）
３ａプラズマ処理空間
３ｂ排気口（吸出口）
４被処理物（基板、シリコンウエハ、プラスチックフィルム）
５保持部（真空チャンバ内の電極兼用サセプタ）
５ａサポート
５ｂＲＦケーブル（第３高周波電源に至る高周波印加可能手段）
５ｃケーブル（静電チャックへの高電圧印可を可能とする手段）
５ｄ配管（冷却液の供給路・帰還路）
５ｅ細管（伝熱用ガスの供給路・帰還路）
５ｆ静電チャック（被処理物を保持する手段）
６真空ポンプ
６ａ可変バルブ（可変絞り、圧力制御機構、圧力制御手段）
７プラズマ
８ＲＦ電源（第１高周波電源）
８ａマッチャー
９コイル（アンテナコイル、誘導結合手段）
９ａＲＦケーブル（第１高周波電源に至る高周波印加可能手段）
９ｚ導電板（容量結合手段）
１０導電板（プラズマ処理空間とプラズマ発生空間との仕切）
１１処理ガス供給口
１２プラズマ噴出口
２０対向壁（プラズマ発生機構部、真空チャンバ）
２１プラズマ発生空間
２２磁石（電子封止手段）
２３プラズマ用ガス供給路
３０対向壁（直に向き合う絶縁体の又は半導体の壁、真空チャンバ）
３１突出部
３２溝（コイル格納空間）
４０導電体（容量結合手段）
４１ＲＦケーブル（第２高周波電源に至る高周波印加可能手段）
４２ＲＦ電源（第２高周波電源）
５１ＲＦ電源（第３高周波電源）
５２高圧電源（静電チャック用電源）
５３冷却装置（チラー、液冷装置）
５４ガス供給ユニット（伝熱用ガスの微量供給手段）
６０ガス供給ユニット（プラズマ処理用ガス供給源）
６１ガス配管（プラズマ処理用ガス供給路）
６２ガス流路（プラズマ処理用ガス供給路）
６３貫通小孔（プラズマ処理用ガス供給路）
９０分配可変手段（インピーダンス分布の調整部）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma processing apparatus such as a plasma etcher, plasma CVD, and plasma asher, and more particularly to a plasma processing apparatus suitable for efficiently performing plasma processing in a highly accurate manufacturing process such as an IC or LCD.
[0002]
[Prior art]
In both of the plasma processing apparatuses shown in FIG. 6 as basic examples, the holding portion of the object to be processed and the dielectric wall are opposed to each other with the plasma processing space interposed in the vacuum chamber, and the Plasma excitation energy is input from the outside to the inside plasma processing space. For this purpose, a vacuum chamber in which a chamber upper lid 1 that can be opened and closed with respect to the chamber body 3 in which the plasma processing space 3a is formed is combined, and a support 5a provided on the inner bottom of the chamber body 3 and the like. Plasma is provided with the holding unit 5 holding the workpiece 4 to be processed and the chamber upper lid 1 and the chamber main body 3 usually being mounted on the chamber upper lid 1 side so that the chamber upper lid 1 is closed. An insulating facing wall 2 facing the workpiece holding surface of the holding portion 5 across the processing space 3a is provided.
[0003]
In order to hold the workpiece 4 by placing it and / or energizing it, the holding section 5 is adapted to have a holding surface such as an upper surface adapted to the workpiece 4 and finished flat, for example, if necessary. An electrostatic chuck or the like is also provided there. In addition, an exhaust port 3b is formed in an appropriate place on the bottom wall or side wall of the chamber body 3 so as to evacuate the plasma processing space 3a in the vacuum chamber, and there are a variable valve 6a and a vacuum pump 6 there. Are concatenated. Further, an RF cable 9a for introducing a high frequency for plasma excitation from the RF power source 8, a gas pipe for supplying a gas for plasma processing from a gas supply unit (not shown), and for loading and unloading the object 4 to be processed. An open / close gate (not shown) is also provided. Then, under the control of a controller (not shown) composed of an electronic circuit such as a microprocessor system, vacuum pressure control and gas flow rate control suitable for formation of the plasma 7 are performed in accordance with a so-called recipe that defines the procedure and contents of plasma processing. It is designed to be performed automatically.
[0004]
Of these two examples, the one shown in FIG. 6A is a capacitive coupling type basic device. In this case, the upper surface of the opposing wall 2, that is, the back surface of the opposing wall 2 that does not face the holding portion 5 is A conductive plate 9z is spread and an RF cable 9a is connected thereto.
On the other hand, the one shown in FIG. 6B is an inductive coupling type basic device. In this case, the coil 9 is routed around the upper surface of the facing wall 2 and the RF cable 9a is connected thereto. .
[0005]
The plasma processing apparatus shown in FIG. 7 is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-294307. However, the plasma generation space 21 and the plasma processing space 3a are separated in an adjacent state, and the plasma generation is performed. The space 21 is formed on the opposing wall 20 by engraving or the like and dispersed. In addition to the coil 9, a magnet 22 for sealing electrons is attached to the upper surface side and the rear surface side of the facing wall 20, and a plasma gas supply path 23 is also formed. Further, a conductive plate 10 in which a processing gas supply port 11 and a plasma jet port 12 are formed is attached to the lower surface side and the opposing surface side of the opposing wall 20. And the plasma 7 is generated in the plasma generation space 21, and it is sent into the plasma processing space 3a from many small plasma jet nozzles 12. FIG.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, each of such conventional plasma processing apparatuses has advantages and disadvantages. That is, the capacitive coupling type device of FIG. 6A has an advantage that a uniform plasma can be easily obtained in a wide range, but has a disadvantage that it is difficult to increase the plasma density due to a limit in energy input. In addition, the inductive coupling type device of FIG. 6B has the advantage that the plasma density increases if the high frequency power is strengthened, while the plasma uniformity is impaired when the energy input is increased. is there. On the other hand, the separation / distribution type apparatus of FIG. 7 does not have those disadvantages but has the advantages of both. Specifically, the plasma density can be variably controlled in a wide range from a low density to a high density, and even in such a case, plasma uniformity is ensured.
[0007]
However, the separation / dispersion type apparatus also has an unresolved problem that it is difficult to improve the energy utilization efficiency. That is, since the generated plasma is not immediately used for plasma processing, a considerably large proportion of the high-density plasma is consumed by the wall surface of the plasma generation space. Therefore, it was necessary to use a high-frequency power supply with a high output.
[0008]
Therefore, it is a technical problem to devise a device structure or the like so that high-density plasma can be supplied without impairing plasma uniformity and energy efficiency is improved.
The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to realize a plasma processing apparatus capable of efficiently supplying high-quality plasma.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
About the 1st thru | or 3rd solution means invented in order to solve such a subject, the structure and effect are demonstrated below.
[0010]
[First Solution]
The plasma processing apparatus of the first solving means includes a vacuum chamber in which a plasma processing space is formed, and an object to be processed which is provided or formed in the vacuum chamber as described in claim 1 at the beginning of the application. In the plasma processing apparatus, the plasma processing apparatus includes: a holding unit that holds the plasma processing space; and an insulating or semiconductor wall that is provided in addition to or incorporated in the vacuum chamber and faces the holding unit with the plasma processing space interposed therebetween. The wall faces the holding part directly without any other solids apart from the processing space and the gas such as plasma in the processing space and the object to be dynamically loaded for plasma processing. A protruding portion protruding into the plasma processing space is formed in a distributed manner on at least a surface of the wall facing the holding portion, and the protruding portion has a first high circumference Capable coil of the high frequency applied are housed by the power source, is that.
[0011]
Here, the above-mentioned “dispersion etc.” means not only the literal dispersion of being scattered in the form of dots, but also the case of being divided so as to be not so close, or in the form of lines or broken lines , Straight / curve shapes, etc., or a mixture of them is distributed, and annular, circular, polygonal, and spiral shapes are concentric or non-concentric and many are arranged in a row or independently This also applies to the case where it is widely formed. However, since it protrudes to the last, the total area of the projecting portion does not exceed the total area of the base portion and the base surface that do not protrude.
In addition, the above-mentioned “facing” may be performed when the vacuum chamber establishes a vacuum atmosphere necessary for plasma formation. When plasma processing is not performed, for example, during maintenance work or loading / unloading a workpiece. It may or may not face each other.
[0012]
In such a plasma processing apparatus of the first solution, the high frequency applied to the coil is radiated to the plasma processing space or the like through the protruding portion of the wall. Since it is provided in a state as if it was embedded in the space, high-frequency radiant energy is introduced into the plasma processing space at a high rate. In general, even if only the protrusions are locally thinned, the strength and rigidity of the entire wall are not greatly lost and can be easily reinforced with a backing, etc. Energy efficiency can be improved.
[0013]
As a result, high-density plasma can be efficiently formed in the plasma processing space.
Even in such a case, since the coil is dispersed together with the projecting portion, it is installed in the place facing the holding unit and the object to be processed, so that the distribution state of energy input becomes uniform when designing the projecting portion. By paying attention to the above, the plasma density is sufficiently uniform over the entire range even if the surface to be processed of the workpiece is wide.
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a plasma processing apparatus that can efficiently supply high-quality plasma.
[0014]
[Second Solution]
The plasma processing apparatus of the second solving means is the plasma processing apparatus of the first solving means described in claim 2 at the beginning of the application, wherein the plasma processing apparatus is the back side of the facing surface with respect to the wall, that is, the plasma. A conductor that can be applied with a high frequency by the second high frequency power supply is attached in a deployed state on the surface that is not in contact with the processing space.
Alternatively, as described in claim 4 at the beginning of the application, the plasma processing apparatus according to the first solving means described above, wherein the wall is made of a semiconductor and a high frequency from a second high frequency power source can be applied. It is that.
[0015]
In such a plasma processing apparatus of the second solution means, in addition to energy input by inductive coupling via a coil, energy input by capacitive coupling via a conductor or a wall can be used. Although the capacity coupling method has a limited energy input, it is easy to obtain uniformity. By adding this, the plasma density can be further increased without impairing the uniformity.
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a plasma processing apparatus that can efficiently supply higher-quality plasma.
[0016]
[Third Solution]
A plasma processing apparatus according to a third solving means is the plasma processing apparatus according to the second solving means as described in claim 3 at the beginning of the application, wherein the plasma processing apparatus is at the conductor or at the junction between the conductor and the wall. The gas flow path is formed in a distributed manner, and the gas flow path is incorporated in the middle of the gas supply path from the outside of the vacuum chamber to the plasma processing space.
[0017]
In such a plasma processing apparatus of the third solving means, since the gas flow path is formed by using the conductor attached to the wall, even if the gas flow path is dispersed, etc. It is possible to avoid the complexity of the wall structure. In addition, a wall made of an insulator or a semiconductor that is often brittle is difficult to process, whereas a conductor made of metal or the like is generally easy to process.
Thus, even if the gas flow paths are dispersed so that the supply of the processing gas toward the plasma density distribution is made uniform in addition to the plasma density distribution, complicated gas piping and processing are unnecessary or less. .
Therefore, according to the present invention, it is possible to easily realize a plasma processing apparatus that can efficiently supply higher-quality plasma.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Several forms for carrying out the plasma processing apparatus of the present invention achieved by such a solution will be described.
[0019]
According to a first embodiment of the present invention, as described in claim 5 at the beginning of the application, the plasma processing apparatus of the above-described solution means, wherein the holding unit can apply a high frequency by a third high frequency power source. That's it.
Thereby, moderate anisotropy can be imparted to the plasma treatment.
[0020]
A second embodiment of the present invention is the plasma processing apparatus according to the above-described solution and embodiment as described in claim 6 at the beginning of the application, wherein the coil is divided into a plurality of parts and arranged concentrically. In other words, distribution variable means for changing the distribution of the high frequency to them is attached.
Thereby, it becomes possible to dynamically adjust the distribution state of energy input, and the uniformity of plasma density can be further improved.
[0021]
Specific embodiments for implementing the plasma processing apparatus of the present invention achieved by such means and solutions will be described with reference to the following first and second examples.
The first example shown in FIGS. 1 to 4 embodies all of the first to third solving means and the first to second embodiments described above, and the second example shown in FIG. The embodiment is a modification thereof.
In the drawings, the same reference numerals are given to the same components as those in the prior art, and therefore, repeated explanations are omitted. Hereinafter, the differences from the prior art will be mainly described.
[0022]
[First embodiment]
A specific configuration of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the overall structure, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a main part including a wall and a holding part, that is, a peripheral part of the plasma processing space, and FIG. 3 shows a holding part of the wall. FIG. 4 shows an example of the distribution variable means.
[0023]
This plasma processing apparatus is different from the conventional one in that a counter wall 30 is introduced instead of the counter wall 2 and the counter wall 20 and a conductor 40 is also introduced in addition to the coil 9 for high frequency application. The distribution variable means 90 is inserted and connected to the RF cable 9a.
[0024]
The facing wall 30 is made by milling or punching an insulating plate, but several lines arranged concentrically on the surface on the plasma processing space 3a side, that is, the surface facing the holding portion 5 are used. A protruding portion 31 is formed. Further, a large number of small through holes 63 are formed so as to avoid the protrusions 31, and the plasma processing gas supplied to the plasma processing space 3 a through the holes and the plasma 7 generated by excitation thereof are confined. The distance between the inner and outer protrusions 31 is sufficiently large so that the width of the protrusions 31 is wider so that the protrusions 31 are not damaged. Such a facing wall 30 is different from the facing wall 2 in that the facing surface is uneven, and in the point where the projections 31 are dispersed, the opposed plasma generating space 21 is dispersed. Different from the wall 20. It is also different in that the conductive plate 10 is not attached to the facing surface and the facing surface directly faces the workpiece holding surface of the holding unit 5.
[0025]
Grooves 32 that can accommodate the coils 9 are formed concentrically on the upper and rear surfaces of the facing wall 30 corresponding to the protrusions 31. The groove 32 is deeply carved into the inside of the protruding portion 31 so that the coil 9 is accommodated inside the protruding portion 31. In addition, the wall thickness of the protruding portion 31 is considerably smaller than the plate thickness of the opposing wall 30, and the distance between the coil 9 and the plasma processing space 3 a is shortened to each step as compared with the prior art. In order to reinforce the strength and rigidity of the opposing wall 30 that has decreased due to the formation of the groove 32, padding may be put in the groove 32, but in this example, the conductor 40 is unfolded on the upper surface and the back surface of the opposing wall 30. The opposing wall 30 has sufficient strength and rigidity to withstand the vacuum pressure.
[0026]
The conductor 40 is made of a good conductor like the conductive plate 9z of the conventional example, and an RF cable 41 extending from an RF power source 42 (second high frequency power source) outside the vacuum chamber is connected to enable high frequency application. ing. In addition, the conductive plate 9z is also connected in that a gas pipe 61 extending from the gas supply unit 60 outside the vacuum chamber is connected to supply various plasma processing gases and a gas flow path 62 is formed. Is different. The gas flow path 62 is formed by a groove that can be easily processed, and the gas pipe 61 and the through-hole 63 are communicated with each other in a state where the conductor 40 is mounted on the opposing wall 30. It is circulated. Such a gas flow path 62 is formed by being dispersed at the junction between the conductor 40 and the opposing wall 30, and is incorporated in the middle of the gas supply path from the outside of the vacuum chamber to the plasma processing space 3a. It has become.
[0027]
Each coil 9 is also made of a good conductor that can serve as an antenna, and is connected to an RF power source 8 (first high frequency power source) outside the vacuum chamber and an RF cable 9a extending from the matcher 8a in order to enable high frequency application. In the place where the RF cable 9a branches and reaches each coil 9, distribution variable means 90 is inserted. The number of distribution variable means 90 is the same as that of the coils 9 or one less than that. Any impedance can be used as long as the impedance can be changed according to the control of the controller. For example, the magnetic core 92 is put out into the air core coil portion 91 connected in series in the middle of the RF cable 9a (see FIG. 4A) (see FIG. 4). 4 (b)) is used.
[0028]
An RF cable 5b extending from an RF power source 51 (third high frequency power source) outside the vacuum chamber is also connected to the holding unit 5 in order to enable application of a high frequency to give anisotropy to the plasma processing. In order to make the electrostatic chuck 5f attached to the object holding surface function, a static voltage applying cable 5c extending from the high voltage power source 52 outside the vacuum chamber is connected to dissipate heat to prevent the workpiece 4 from being overheated due to plasma processing. For this purpose, a coolant circulation pipe 5d extending from the cooling device 53 outside the vacuum chamber is connected, and in order to improve heat transfer between the workpiece 4 and the holding unit 5, it is outside the vacuum chamber. A thin tube 5e extending from a gas supply unit 54 for supplying a heat transfer medium such as helium is connected.
[0029]
The usage mode and operation of the plasma processing apparatus of the first embodiment will be described. Loading / unloading the workpiece 4 (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-329061), chucking thereof (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-3953, etc.), and high-frequency power distribution using the distribution variable means 90 (Japanese Patent Application Laid-Open -58296, etc.), control of plasma process according to recipe, for example, control of vacuum pressure, control of gas supply, control of applied voltage from RF power source 51 to holding unit 5 (see JP 10-294307 A, etc.) ) And the like will be omitted, and the following description will focus on the point where plasma excitation energy is input.
[0030]
When a high frequency is applied from the RF power source 8 to the coil 9 via the RF cable 9a, electromagnetic waves or the like are radiated from the coil 9, and the inductive coupling between the plasma 7 or gas in the plasma processing space 3a and the coil 9 is established. Electric power is supplied from the coil 9 to the plasma processing space 3a. At that time, the wall of the interposing protrusion 31 is thinner than before, and the plasma processing space 3a surrounding the protrusion 31 and the coil 9 also comes in three directions and occupies a wider range than before. The plasma excitation energy is input more efficiently than before. In addition, since the projecting portion 31 and the coil 9 are concentrically divided and distributed, and the power distribution to each coil 9 is dynamically adjusted using the distribution variable means 90, the plasma 7 Even at a high density, it is uniformly distributed over the entire upper surface of the workpiece 4.
[0031]
Further, when a high frequency is applied from the RF power source 42 to the conductor 40 via the RF cable 41, capacitive coupling is established between the conductor 40 and the plasma 7 or gas in the plasma processing space 3a, so that the opposing wall Since the displacement current flows through 30, electric power is also sent from the conductor 40 to the plasma processing space 3 a. Since the conductor 40 is widely spread on the upper surface of the facing wall 30, the power supply by capacitive coupling further increases the density of the plasma 7 without impairing the uniformity of the plasma density.
Thus, in this plasma processing apparatus, in addition to energy input by efficient inductive coupling alone, energy input by capacitive coupling is also performed, so that plasma is generated and formed in the plasma processing space. Even if it exists, plasma with higher density than before can be supplied. In addition, since the uniformity of the plasma is ensured, high-quality plasma is efficiently supplied.
[0032]
[Second embodiment]
The plasma processing apparatus of the present invention showing the opposing surface of the opposing wall 30 in FIG. 5 is different from that of the first embodiment described above in that the protrusion 31 and the coil 9 are substantially rectangular.
The above-described round opposing wall 30 is suitable when the workpiece 4 is a disk-shaped silicon wafer or the like, whereas the square opposing wall 30 is suitable when the workpiece 4 is a rectangular liquid crystal panel or the like. ing.
Further, with the increase in the size of the substrate, the number of projecting portions 31 and coils 9 that are concentrically divided and arranged has increased from two to four, and the number of through small holes 63 has also increased.
[0033]
[Others]
In each of the embodiments described above, an insulator such as alumina or aluminum nitride is used for the facing wall 30, but the facing wall 30 may be made of a semiconductor such as silicon or SiC. The electrical resistivity is desirably 2 Ωcm or more. Further, when the facing wall 30 is made of a semiconductor, the conductor 40 may be omitted, or a semiconductor having the same shape as the conductor 40 may be spread on the facing wall 30, in which case the RF cable 41 is opposed to the facing wall 30. It may be connected to the wall 30.
[0034]
Further, the holding unit 5 and the opposing wall 30 may be a pair of parallel flat plates as described above when the object to be processed is a flat substrate, but when the object to be processed is not flat, The shape is appropriately changed based on the shape. For example, when the workpiece is curved, the workpiece holding surface of the holding unit 5 is finished into a curved surface corresponding to the shape of the back surface. On the other hand, the opposing wall 30 may be similarly curved, may be a gentler curved surface, or may be a flat plate, depending on process conditions and the like.
[0035]
Further, the conductor 40 is not limited to the protruding portion 31 of the facing wall 30 and may be dispersed in a linear shape or the like, or may be divided in a concentric shape or the like. The number of divisions is also arbitrary.
Instead of the variable valve 6a, pressure control may be performed using a movable wall body as disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-294307 and 2000-58298.
When etching is performed, the holding unit 5 is preferably cooled using the cooling device 53 as described above. However, when film formation (CVD) is performed, the temperature is preferably adjusted using a heating device.
The diameter of the through small hole 63 is normally about 0.5 mm to 1 mm, but is not limited to this, and is not limited to a drill hole or a round hole.
[0036]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, in the plasma processing apparatus of the first solving means of the present invention, the coil for introducing plasma excitation energy is dispersed in the plasma processing space in a state of being packed, so that the quality is high. There is an advantageous effect that a plasma processing apparatus that efficiently supplies a stable plasma can be realized.
[0037]
In addition, in the plasma processing apparatus of the second solving means of the present invention, a plasma processing apparatus capable of efficiently supplying a higher quality plasma is realized by adding energy input by a capacitive coupling method. There is an advantageous effect that it was possible.
[0038]
Furthermore, in the plasma processing apparatus of the third solving means of the present invention, since the gas flow path is formed using the conductor, even if the gas flow path is dispersed, complicated gas piping and processing are possible. As a result, there is an advantageous effect that a plasma processing apparatus that can efficiently supply higher-quality plasma can be easily realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an overall structure of a first embodiment of a plasma processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a main part including a wall and a holding part.
FIG. 3 is a surface of a wall facing a holding part.
FIG. 4 is an example of distribution variable means.
FIG. 5 is a surface of a wall facing a holding part in a second embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention.
FIGS. 6A and 6B show the overall structure of a conventional plasma processing apparatus, where FIG. 6A shows a basic type of capacitive coupling type, and FIG. 6B shows a basic type of inductive coupling type.
7A and 7B show the structure of an existing apparatus improved from a conventional plasma processing apparatus, in which FIG. 7A is a longitudinal sectional view of a chamber portion, and FIG. 7B is an enlarged view of a plasma generation space portion.
[Explanation of symbols]
1 Chamber lid (vacuum chamber)
2 Opposite wall (vacuum chamber)
3 Chamber body (vacuum chamber)
3a Plasma processing space 3b Exhaust port (suction port)
4 Object to be processed (substrate, silicon wafer, plastic film)
5 Holding part (sustainer for electrode in vacuum chamber)
5a Support 5b RF cable (means capable of applying a high frequency leading to the third high frequency power supply)
5c cable (means enabling high voltage application to electrostatic chuck)
5d Piping (cooling liquid supply / return path)
5e Narrow tube (heat transfer gas supply / return path)
5f Electrostatic chuck (means for holding a workpiece)
6 Vacuum pump 6a Variable valve (variable throttle, pressure control mechanism, pressure control means)
7 Plasma 8 RF power supply (first high frequency power supply)
8a Matcher 9 coil (antenna coil, inductive coupling means)
9a RF cable (means capable of applying high frequency to the first high frequency power supply)
9z conductive plate (capacitive coupling means)
10 Conductive plate (partition between plasma processing space and plasma generation space)
11 Process gas supply port 12 Plasma jet port 20 Opposite wall (plasma generation mechanism, vacuum chamber)
21 Plasma generation space 22 Magnet (electronic sealing means)
23 Plasma gas supply path 30 Opposite wall (insulator or semiconductor wall facing directly, vacuum chamber)
31 Projection 32 Groove (coil storage space)
40 Conductor (capacitive coupling means)
41 RF cable (means capable of applying high frequency to the second high frequency power supply)
42 RF power supply (second high frequency power supply)
51 RF power supply (third high frequency power supply)
52 High-voltage power supply (electrostatic chuck power supply)
53 Cooling device (chiller, liquid cooling device)
54 Gas supply unit (micro-volume supply means for heat transfer gas)
60 Gas supply unit (gas supply source for plasma processing)
61 Gas piping (Plasma processing gas supply channel)
62 Gas channel (Plasma processing gas supply channel)
63 Small through-hole (Plasma processing gas supply path)
90 Distribution variable means (impedance distribution adjustment section)

Claims

真空チャンバ内で被処理物の保持部と絶縁体又は半導体の壁とがプラズマ処理空間を挟んで対向するプラズマ処理装置において、
前記壁が、前記保持部と直に向き合うものであって、前記壁の対向面に線状の突出部が形成され、前記突出部の内部に高周波電力を印加の可能なコイルが納められており、
前記壁に対し前記対向面の裏面側から高周波電力を印加可能な導電体が展着されていることを特徴とするプラズマ処理装置。In the plasma processing apparatus in which the holding portion of the object to be processed and the wall of the insulator or the semiconductor face each other with the plasma processing space interposed in the vacuum chamber,
Said wall, there is facing directly to the holding portion, the linear protrusions on the opposing surfaces of the walls are formed, a high frequency power housed capable coils applied to the inside of the front Symbol protrusion And
A plasma processing apparatus, wherein a conductor capable of applying high-frequency power from the back side of the facing surface is spread on the wall .

前記導電体又は前記導電体と前記壁との接合部にガス流路が形成されており、前記真空チャンバの外から前記プラズマ処理空間に至るガス供給路の途中に前記ガス流路が組み入れられていることを特徴とする請求項１に記載されたプラズマ処理装置。 A gas flow path is formed at a junction between the conductor or the conductor and the wall, and the gas flow path is incorporated in the middle of a gas supply path from the outside of the vacuum chamber to the plasma processing space. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein:

前記壁が高周波電力を印加の可能な半導体からなることを特徴とする請求項１に記載されたプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein the wall is made of a semiconductor to which high-frequency power can be applied .

前記保持部が高周波電力を印加の可能なものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載されたプラズマ処理装置。The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 wherein the holding portion is equal to or is capable of applying high-frequency power.

複数の前記線状の突出部および前記コイルが環状かつ同心状に配置されており、前記複数のコイルへの高周波電力の分配を可変する手段が付設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載されたプラズマ処理装置。 The plurality of linear protrusions and the coils are annularly and concentrically arranged, and means for varying the distribution of high-frequency power to the plurality of coils is attached. The plasma processing apparatus according to claim 4.