JP4466706B2 - 画像読取装置及び画像読取方法 - Google Patents
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Description
前記被写体(150)からの入射光(12)を受光し、受光した光量に応じた電気信号を発生させる撮像素子(20)と、
該撮像素子(20)に、前記被写体(150)が接近したことを検出する被写体接近検出手段(40)と、
該被写体接近検出手段(40)により、前記被写体(150)の接近が検出されたときに、前記発光手段(10)を消灯し、前記撮像素子(20)により所定画素分の前記被写体(150)の画像を取得し、該画像の画素データに基づいて外乱光強度を判定する外乱光強度判定手段(50)と、
該外乱光強度判定手段(50)により判定された外乱光強度に基づいて、前記撮像素子(20)の光蓄積時間を設定する光蓄積時間設定手段(60)と、を有し、
前記外乱光強度判定手段(50)は、取得した前記画素データの各々の出力を所定の複数の閾値と比較し、前記画素データを光強度に応じた複数の領域に分類し、該領域の度数(a、b、c)に基づいて、外乱光強度を判定することを特徴とする。
前記光蓄積時間設定手段(60)は、前記被写体接近検出手段(40)により、前記被写体(150)の接近が検出されたときに、光蓄積時間を最大値に設定することを特徴とする。
前記被写体(150)は指であり、
前記撮像素子(20)は、複数の光電変換素子をライン状に配列したラインセンサであって、
前記画素データは、前記ラインセンサ上を前記指がスイープしたことにより取得される、ライン状の画素データの所定の本数分であることを特徴とする。
前記撮像素子(20)は、前記光蓄積時間設定手段(60)により設定された光蓄積時間で前記被写体(150)を撮像し、前記被写体(150)の画像を読み取ることを特徴とする。
前記外乱光強度判定手段(50)により判定された外乱光強度に基づいて、前記発光手段(10)の点灯時間を設定する発光時間設定手段(70)を更に有することを特徴とする。
発光手段(10)を消灯させた状態で、前記撮像素子(20)により所定画素分の前記被写体(150)の画像を撮像し、該画像の画素データを取得するステップと、
該画素データに基づいて、外乱光強度を判定するステップと、
該外乱光強度に基づいて、前記撮像素子(20)の光蓄積時間を設定するステップと、
前記被写体(150)を前記撮像素子(20)により撮像するステップと、を有し、
前記外乱光強度を判定するステップは、前記画素データを所定の複数の閾値と比較し、前記画素データを外乱光強度に応じた複数の領域に分類し、該領域の度数(a、b、c)を算出するステップと、
前記度数を所定の閾値と比較し、前記外乱光強度を判定するステップと、を含むことを特徴とする。
前記画素データを取得するステップは、前記撮像素子(20)の光蓄積時間を最大値に設定して行うことを特徴とする。
前記被写体(150)は指であり、
前記撮像素子(20)は、複数の光電変換素子をライン状に配列したラインセンサであって、
前記画素データは、前記ラインセンサ上を前記指がスイープしたことにより取得される、ライン状の画素データの所定の本数分であることを特徴とする。
前記外乱光強度を判定するステップで判定した外乱光強度に基づいて、前記発光手段の点灯時間を設定する発光時間設定ステップを更に有することを特徴とする。
11 出射光
12 入射光
13 透過光
20 撮像素子
21 画素
25 イメージガイド
30 筐体
40 被写体接近検出手段
50 外乱光強度判定手段
60 光蓄積時間設定手段
70 発光時間設定手段
100 画像読取装置
140 外乱光
150 被写体
Claims (9)
- 被写体に出射光を照射する発光手段と、
前記被写体からの入射光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を発生させる撮像素子と、
該撮像素子に、前記被写体が接近したことを検出する被写体接近検出手段と、
該被写体接近検出手段により、前記被写体の接近が検出されたときに、前記発光手段を消灯し、前記撮像素子により所定画素分の前記被写体の画像を取得し、該画像の画素データに基づいて外乱光強度を判定する外乱光強度判定手段と、
該外乱光強度判定手段により判定された外乱光強度に基づいて、前記撮像素子の光蓄積時間を設定する光蓄積時間設定手段と、を有し、
前記外乱光強度判定手段は、取得した前記画素データの各々の出力を所定の複数の閾値と比較し、前記画素データを光強度に応じた複数の領域に分類し、該領域の度数に基づいて、外乱光強度を判定することを特徴とする画像読取装置。 - 前記光蓄積時間設定手段は、前記被写体接近検出手段により、前記被写体の接近が検出されたときに、光蓄積時間を最大値に設定することを特徴とする請求項1に記載の画像読取装置。
- 前記被写体は指であり、
前記撮像素子は、複数の光電変換素子をライン状に配列したラインセンサであって、
前記画素データは、前記ラインセンサ上を前記指がスイープしたことにより取得される、ライン状の画素データの所定の本数分であることを特徴とする請求項1又は2に記載の画像読取装置。 - 前記撮像素子は、前記光蓄積時間設定手段により設定された光蓄積時間で前記被写体を撮像し、前記被写体の画像を読み取ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の画像読取装置。
- 前記外乱光強度判定手段により判定された外乱光強度に基づいて、前記発光手段の点灯時間を設定する発光時間設定手段を更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の画像読取装置。
- 被写体が撮像素子に接近したことを検出するステップと、
発光手段を消灯させた状態で、前記撮像素子により所定画素分の前記被写体の画像を撮像し、該画像の画素データを取得するステップと、
該画素データに基づいて、外乱光強度を判定するステップと、
該外乱光強度に基づいて、前記撮像素子の光蓄積時間を設定するステップと、
前記被写体を前記撮像素子により撮像するステップと、を有し、
前記外乱光強度を判定するステップは、前記画素データを所定の複数の閾値と比較し、前記画素データを外乱光強度に応じた複数の領域に分類し、該領域の度数を算出するステップと、
前記度数を所定の閾値と比較し、前記外乱光強度を判定するステップと、を含むことを特徴とする画像読取方法。 - 前記画素データを取得するステップは、前記撮像素子の光蓄積時間を最大値に設定して行うことを特徴とする請求項6に記載の画像読取方法。
- 前記被写体は指であり、
前記撮像素子は、複数の光電変換素子をライン状に配列したラインセンサであって、
前記画素データは、前記ラインセンサ上を前記指がスイープしたことにより取得される、ライン状の画素データの所定の本数分であることを特徴とする請求項6又は7に記載の画像読取方法。 - 前記外乱光強度を判定するステップで判定した外乱光強度に基づいて、前記発光手段の点灯時間を設定する発光時間設定ステップを更に有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の画像読取方法。
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