JP4456868B2 - シャンティングされたメモリ効果を有するエレクトロルミネッセンスセルのマトリクスを有する画像表示パネル - Google Patents
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Description
− 前記パネルの前面の方に光を発光する(発光の矢印19)ことができるエレクトロルミネッセンス層16;
− エレクトロルミネッセンス層16の前の透明な前面電極層18;
− 前面電極層18の後の光導電層12であって、それ自身、不透明な背面電極層11とエレクトロルミネッセンス層16と接している中間電極層14との間に挿入されている、光導電層12;並びに
− 前記エレクトロルミネッセンス層16と前記光導電層12との間を光結合するために手段であって、例えば、特定の結合層13(図1に示す)または中間電極層14内に形成されることが可能である、手段;
を有する、画像表示パネルに関する。
− エレクトロルミネッセンス層領域16を取り囲むエレクトロルミネッセンス素子EEL;並びに
− この同じエレクトロルミネッセンス層領域16の方を向いている光導電層領域12を取り囲む光導電素子EPC;
により表されることが可能である。
− アドレス位相の間に、オンにされたセルの端子A、Bのみに対してイグニッション電圧を加える段階;
− サステイン位相の間に、オン状態を維持するために予めオンにされたセルに対して電圧が十分大きい必要がある全てのセルの端子A、Bにサステイン電圧VSを加える段階;
を有する。
− 上記の種類の表示パネルにおけるように直列に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子Zel及び光導電素子LPC;並びに
− 更に、前記エレクトロルミネッセンス素子に並列に接続された、上記文献における光導電消去素子、即ち、基準EPC;
を有する、表示パネルについて説明している。
− セルCn,pについて、t>t1に対してオンに留まる、該セルのイグニッションを伴う時間t1における該行に対するアドレスシーケンス;並びに
− 次の行Cn+1,pのセルついて、t>t2に対してオフに留まる、該セルのイグニッションを伴わない時間t2における行に対するアドレスシーケンス;
を例示している。
− オン状態にスイッチングするセルのために、オフ状態にあるセルに電位Vaを加え;
− オン状態に留まるセルのために、オン状態にあるセルに電位VS又は(VS−Voff)を加え;並びに
− オフ状態に留めるセルのために、オフ状態にあるセルに電位(Va−Voff)又はVSを加えるとき、図3の下部に示したオンまたはオフの状態を得ることが必要である。
− ダイオードがオフである電圧より小さく及びダイオードがオンである電圧より大きい、セル(図2)の発光ダイオードEELの端子A、C間の、閾値電圧Vs.ELであって、そのようなダイオードEELの代表的な特性は図5に示されている、閾値電圧Vs.EL;並びに
− オフ状態のセルがイグニッションされてオン状態に移行する電圧より大きい、セルの端子A、B間の、電圧VT;
に関連してそれらの電位値を設定することにより、図4において繰り返される。
− セルのエレクトロルミネッセンス素子の端子A、Cにおける電圧VE−el;
− セルのエレクトロルミネッセンス素子の端子C、Bにおける電圧VE−pc;並びに
− 該セルに流れる電流の強度I。
− 前面電極アレイと背面電極アレイであって、前面電極アレイの電極は前記セルの各々において背面電極アレイの電極と交差する、前面電極アレイと背面電極アレイ;
− 各々のセルに対して、少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子を形成する少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス層;
− 各々のセルに対して、光導電素子を形成する、前記メモリ効果を得るための光導電層;
から構成され、少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子と各々のセルの光導電素子は直列に電気的に接続され、前記直列の2つの最外端子は接続され、それら2つの最外端子の1つの場合は、前記前面アレイの1つの電極に、他の最外端子の場合は、前記背面アレイの1つの電極に接続され、
− パネルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス層と前記光導電層との間を、各々のセルにおいて光学的に結合するための手段;
から更に構成され、画像表示パネルは、各々のセルに対して、前記セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子と共に並列に位置付けられたシャント素子と、照射に依存しない抵抗とから構成される。
− 前記セルの各々において前面電極アレイの電極は背面電極アレイの電極と交差する、前面電極アレイと背面電極アレイ;
− 各々のセルに対して、前記前面電極アレイの電極に接続される1つの端子をもつエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス有機層;
− 各々のセルに対して、前記背面電極アレイの電極に接続される1つの端子をもつエレクトロルミネッセンス素子を形成する、前記メモリ効果を得るための光導電層;
− 各々のセルにおいて、エレクトロルミネッセンス素子の他の端子と光導電素子の他の端子とを同じ電位に電気的に接続するための手段;並びに
− 同じ該セルの前記光導電素子と各々のセルの前記エレクトロルミネッセンス素子との間を光学的に結合するための手段;
から構成され、各々のセルに対して、前記セルのエレクトロルミネッセンス素子と並列であるように位置付けされたシャント素子と照明に依存しない抵抗とから構成される、ことを特徴とする画像表示パネルである。
それ故、VE−el=VS.EL−ε´(ε´は非常に小さい)である。VPCが光導電素子EPCの端子間の電圧である場合、VT−ε=VPC+VS.EL−ε´である。更に、Iがセルを流れる電流の強度である場合であって、該電流の全てがシャント素子ES.ELを流れ、エレクトロルミネッセンス素子EELを流れない場合、セルは消灯されているため、次式のようになる。
VE−el=VS.EL−ε´=RS.ELxI
これら2つの式から、VT−ε=(1+ROFF/RS.EL)(VS.EL−ε´)であって、簡単のために、VT=(1+ROFF/RS.EL)VS.EL又は(VT/VS.EL)=(1+ROFF/RS.EL)を導き出すことが可能である。
VE−el=VS.EL−ε´=RS.ELxI
これら2つの式から、VT−ε=(1+RS.PC/RS.EL)(VS.EL−ε´)であって、簡単のために、VT=(1+ROFF/RS.EL)VS.EL又は(VT/VS.EL)=(1+ROFF/RS.EL)を導き出すことが可能である。
− 該セルのエレクトロルミネッセンス層領域16と中間電極層領域14との周囲のバリアリブ20であって、その底部は光導電層12を支持し、その上部は透明な前面電極層18の高さに少なくとも達する、バリアリブ20;並びに
− 光導電層12が透明な前面電極層18の電極と電気接触をするようにこれらのバリアリブの側面に設けられるシャント層21であって、該シャント層21は本発明に従ったシャント素子ES.ELを形成し、該シャント素子ES.ELの抵抗RS.ELはシャント層21(バリアリブの高さ方向に沿って伸びる)の幅に比例し、その膜厚に反比例し、該シャント層の寸法、特にその膜厚と、該シャント層21の材料は、各々のセル内の、その材料が形成する該シャント素子の抵抗が:
− 一方で、励起状態でないとき、該セルのエレクトロルミネッセンス層領域16に対応して光導電素子EPCの抵抗ROFF−ELに等しいか又はそれより小さく;並びに
− 他方で、励起状態でないとき、該セルの光導電層領域12に対応して、シャント層がシャンティングするエレクトロルミネッセンス素子EELの抵抗ROFF−ELより小さい;
ように選択される、シャント層21;
から構成される。
シャント素子ES.ELの抵抗RS.ELより実質的に大きいように、選択される。それ故、これらのバリアリブは互いにパネルのセルを電気的に絶縁している。従って:
− シャント素子ES.ELは互いに絶縁され;並びに
− 各々のセルに特有の中間電極層領域14は、該セルのエレクトロルミネッセンス素子EELと光導電素子EPCとの間の共通のポイントにおける電位がフローティングであるように、互いに電気的に絶縁される。
− エレクトロルミネッセンス層領域16の周囲のエレクトロルミネッセンス素子EEL;
− エレクトロルミネッセンス素子EELと直列である、同じ該エレクトロルミネッセンス層領域16に対する光導電層領域12を取り囲む光導電素子EPC;並びに
− エレクトロルミネッセンス素子EELと並列である、該セルのシャント層21により構成されるシャント素子ES.EL。
− 電圧VTに等しいか又はそれより大きいVa(セルのイグニッション電圧)を選択することが満たされる。電圧VTは、オフ状態にある消灯されたセルの端子間に印加され、セルがイグニッションされてオン状態にスイッチングされるようにする電圧である。VTの値は図10により与えられ、次のようになる。
− 値(VS−Voff)が電圧VS.ELに等しいか又はそれより大きくなるようなVS(セルのサステイン電圧)及びVoffを選択することが満たされる。電圧VS.ELは、エレクトロルミネッセンス素子EELの端子間に印加され、そのイグニッション(V>VS.EL)又はその励起(V<VS.EL)をもたらす電圧である。VS.ELの値はまた、図10において与えられる。
のための並行チャネルを生成するために適切な方法で、有機エレクトロルミネッセンスマルチレイヤ16をドープすることにより提供される。
Claims (12)
- 画像表示パネルの前面の方に光を発光することが可能であるメモリ効果を有するエレクトロルミネッセンスセルのマトリクスを有する画像表示パネルであって:
電極の前面アレイ及び電極の背面アレイであって、前記セルの各々において、前記前面アレイの前記電極は前記背面アレイの前記電極と交差している、電極の前面アレイ及び電極の背面アレイ;
各々のセルについて、少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子を構成する少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス層;
各々のセルについて、光導電素子を構成する、前記メモリ効果を得るための光導電層;並びに
各々のセルにおいて、前記画像表示パネルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス層と前記光導電層とを光学的に結合する手段;
を有する画像表示パネルであり、
少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子及び各々のセルの前記光導電素子は電気的に連続して接続され、該連続する接続は2つの最外端子と接続され、前記2つの最外端子のうちの一の最外端子は前記前面アレイの電極に接続され、前記2つの最外端子のうちの他の最外端子は前記背面アレイの電極に接続され;
画像表示パネルは、各々のセルについて、前記セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子と並列に位置付けられたシャント素子を有し、該シャント素子の抵抗は照明に依存しない;
ことを特徴とする画像表示パネル。 - 請求項1に記載の画像表示パネルであって、各々のセルについて、該セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子の前記シャント素子の抵抗(R S.EL )は、前記エレクトロルミネッセンス素子がオン状態において有する抵抗より大きい、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項1または2に記載の画像表示パネルであって、少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス層は有機物である、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の画像表示パネルであって、各々のセルについて、該セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子の前記シャント素子の前記抵抗は、前記セルが励起状態にないとき、対応する光導電素子の抵抗に等しいか又はそれより小さく、前記セルがオフのとき、少なくとも1つの対応するエレクトロルミネッセンス素子の抵抗より小さい、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項4に記載の画像表示パネルであって、前記セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子の前記シャント素子の抵抗は、前記セルが励起状態にないとき、前記対応する光導電素子の前記抵抗より厳密には小さい、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項5に記載の画像表示パネルであって、前記セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子の前記シャント素子の抵抗は、セルが励起状態にないとき、前記対応する光導電素子の前記抵抗の半分に等しいか又はそれより小さい、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の画像表示パネルであって、前記画像表示パネルは、各々のセルについて、前記セルの光導電素子と並列に位置付けられたシャント素子をまた有する、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項7に記載の画像表示パネルであって、各々のセルについて、該セルの前記光導電素子の前記シャント素子の抵抗(R S.PC )は:
前記セルが励起状態にないとき、前記光導電素子の抵抗より小さく;及び
同じ前記セルの少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス素子の前記シャント素子の前記抵抗に等しいか又はそれより大きい;
ことを特徴とする画像表示パネル。 - 請求項8に記載の画像表示パネルであって、各々のセルについて、RS. PC/RS.EL≧2である、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項9に記載の画像表示パネルであって、各々のセルについて、RS.PC/RS.EL≧3である、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の画像表示パネルであって、各々のセルにおいて、前記対応するエレクトロルミネッセンス素子及び前記光導電素子が電気的に直列に接続されるように、少なくとも1つのエレクトロルミネッセンス層と前記光導電層との間の各々の界面において導電素子を有し、種々のセルの前記導電素子は互いに電気的に絶縁されている、ことを特徴とする画像表示パネル。
- 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の画像表示パネルであって、画像表示のためにセルを駆動するための手段であって、前記画像表示パネルのセルの各々の行について連続的に、前記行においてオンにされるべきセルをオンにするようにデザインされた選択アドレス位相が、先行するアドレス位相の間に、置かれたか又はそのままにされた状態で前記行のセルを維持するようにデザインされた非選択サステイン位相により後続する手順を実行するようにデザインされている、手段、を有する、ことを特徴とする画像表示パネル。
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