JP4455204B2 - 銀合金、そのスパッタリングターゲット材及びその薄膜 - Google Patents
銀合金、そのスパッタリングターゲット材及びその薄膜 Download PDFInfo
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Description
(参考例1)
実施形態に示した方法で、Ag−0.01wt%Ge(添加元素の重量%のみを表記し、Agの重量%の記載(99.99wt%)は省略した。以下同じ)の銀合金スパッタリングターゲット材を作製した。この銀合金スパッタリングターゲット材を用いて、平滑な表面を有する石英ガラス基板上に、上記組成の銀合金反射膜をスパッタリング法により成膜して参考例1とした。膜厚は200nmであった。成膜した薄膜を硫化水素(H2S)が100ppm含まれた水に48時間浸漬させ、試験前と試験後の反射率を分光光度計(島津製作所社製、型番UV−3100PC)により反射率を測定した。用いた波長域は400〜800nmとした。結果を表1に示した。
参考例1の銀合金をAg−3.0wt%Geにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表1に示した。
参考例1の銀合金をAg−10.0wt%Geにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表1に示した。
参考例1の銀合金をAg−0.5wt%Ge−0.5wt%Pdにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表1に示した。
参考例1の銀合金をAg−1.0wt%Ge−1.0wt%Cuにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表1に示した。
参考例1の銀合金をAg−2.0wt%Ge−2.0wt%Ndにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表1に示した。
参考例1の銀合金をAg−3.0wt%Ge−3.0wt%Znにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−4.0wt%Ge−4.0wt%Scにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−5.0wt%Ge−5.0wt%Yにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−0.5wt%Ge−0.5wt%Cu−0.5wt%Pdにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−1.0wt%Ge−1.0wt%Cu−1.0wt%Ndにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−1.5wt%Ge−1.5wt%Cu−1.5wt%Znにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−2.0wt%Ge−2.0wt%Cu−2.0wt%Scにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金をAg−2.5wt%Ge−2.5wt%Cu−2.5wt%Yにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表2に示した。
参考例1の銀合金を純Agにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表3に示した。
参考例1の銀合金をAg−11.0wt%Geにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表3に示した。
参考例1の銀合金をAg−0.5wt%Pdにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−1.0wt%Cuにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−2.0wt%Ndにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−3.0wt%Znにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−4.0wt%Scにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−5.0wt%Yにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−0.5wt%Cu−0.5wt%Pdにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−1.0wt%Cu−1.0wt%Ndにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−1.5wt%Cu−1.5wt%Znにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
参考例1の銀合金をAg−2.0wt%Cu−2.0wt%Scにした以外は、同等の方法にて試料を作製し、反射率を測定した。結果を表4に示した。
Claims (23)
- Ag(銀)を主成分とし、
(1)Ag(銀)、(2)Ge(ゲルマニウム)、(3)Y(イットリウム)、Nd(ネオジウム)又はSc(スカンジウム)の少なくとも1種、の(1)(2)(3)の元素からなる組成を有し、
且つ、Ge及びY、Nd、Scのうち含有される元素の含量が合計で0.01〜10.0wt%であることを特徴とする銀合金。 - 更に、Cu(銅)を含有し、
且つ、Ge、Cu及びY、Nd、Scのうち含有される元素の含量が合計で0.01〜10.0wt%であることを特徴とする請求項1に記載の銀合金。 - 請求項1又は2記載の銀合金で形成されたことを特徴とする銀合金スパッタリングターゲット材。
- 請求項1又は2記載の銀合金で形成されたことを特徴とする銀合金薄膜。
- 前記銀合金薄膜は反射膜であることを特徴とする請求項4記載の銀合金薄膜。
- 前記銀合金薄膜は薄型半透過膜であることを特徴とする請求項4記載の銀合金薄膜。
- 前記銀合金薄膜はパターン形成された電極又は配線であることを特徴とする請求項4記載の銀合金薄膜。
- 請求項5記載の反射膜又は請求項5記載の反射膜に入射光の一部を透過させる光透過孔を形成した有孔型半透過膜を備えることを特徴とする自発光型ディスプレイ。
- 請求項5記載の反射膜又は請求項5記載の反射膜に入射光の一部を透過させる光透過孔を形成した有孔型半透過膜を備えることを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
- 請求項5記載の反射膜又は請求項5記載の反射膜に入射光の一部を透過させる光透過孔を形成した有孔型半透過膜を備えることを特徴とする反射電極。
- 請求項4、5、6又は7記載の銀合金薄膜を用いることを特徴とする電子部品。
- 請求項5記載の反射膜又は請求項6記載の薄型半透過膜の少なくともいずれか一方を備えることを特徴とする光学ディスク媒体。
- 請求項5記載の反射膜を備えることを特徴とするライト部品。
- 前記銀合金薄膜は電磁波遮蔽シールド膜であることを特徴とする請求項4記載の銀合金薄膜。
- 請求項1又は2記載の銀合金で形成されたことを特徴とする銀合金ペースト材。
- 請求項1又は2記載の銀合金を用いて形成されたことを特徴とするコイン。
- 請求項1又は2記載の銀合金を用いて形成されたことを特徴とする楽器。
- 請求項1又は2記載の銀合金を用いて形成されたことを特徴とする装飾品。
- 請求項1又は2記載の銀合金を用いて形成されたことを特徴とする宝飾品。
- Ag(銀)を主成分とし、
Ag(銀)と、Ge(ゲルマニウム)と、Cu(銅)と、Pd(パラジウム)と、からなる組成を有し、
且つ、Ge、Cu及びPdの含量が合計で0.01〜10.0wt%である銀合金を用いて形成されたことを特徴とするコイン。 - Ag(銀)を主成分とし、
Ag(銀)と、Ge(ゲルマニウム)と、Cu(銅)と、Pd(パラジウム)と、からなる組成を有し、
且つ、Ge、Cu及びPdの含量が合計で0.01〜10.0wt%である銀合金を用いて形成されたことを特徴とする楽器。 - Ag(銀)を主成分とし、
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且つ、Ge、Cu及びPdの含量が合計で0.01〜10.0wt%である銀合金を用いて形成されたことを特徴とする装飾品。 - Ag(銀)を主成分とし、
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且つ、Ge、Cu及びPdの含量が合計で0.01〜10.0wt%である銀合金を用いて形成されたことを特徴とする宝飾品。
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