JP2010225586A - 有機elディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜6と、該Ag基合金膜6上に直接接触する酸化物導電膜7とを有する反射アノード電極を形成する。
【選択図】なし
Description
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Ndを0.01(好ましくは0.1)〜1.5原子%含有するAg基合金膜と、該Ag基合金膜に直接接触する酸化物導電膜とを含むものである。
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜と、該Ag基合金膜に直接接触する酸化物導電膜とを含むものである。
上記反射アノード電極における前記Ag基合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極に電気的に接続されているものである。
前記薄膜トランジスタ基板を備えたものである。
上記反射アノード電極を形成するためのスパッタリングターゲットである。
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の配線膜であって、Ndを0.01〜1.5原子%含有するAg基合金膜を含むものである。
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の配線膜であって、該配線膜がBiを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜を含むものである。
上記配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットである。
基板1の材料として円盤状のガラス(コーニング社の無アルカリガラス#1737、直径:50mm、厚さ:0.7mm)を用い、基板1の表面にパッシベーション膜3であるSiN膜を基板温度280℃で300nmの厚さに成膜した。更に、DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、パッシベーション膜3の表面上に厚さ1000ÅのAg−(X)Nd−(Y)CuのAg基合金膜6(X:0.2〜0.7原子%、Y:0.3〜0.9原子%)およびAg−(X)BiのAg基合金膜6(X:0.1〜1.0原子%)薄膜を成膜した。このときの成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mTorr、極間距離:55mm、成膜速度:7.0〜8.0nm/secであった。また、Ag基合金膜6の成膜前の到達真空度は、1.0×10−5Torr以下であった。
基板1の材料として円盤状のガラス(コーニング社の無アルカリガラス#1737、直径:50mm、厚さ:0.7mm)を用い、基板1の表面にパッシベーション膜3であるSiN膜を基板温度280℃で300nmの厚さに成膜した。更に、DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、パッシベーション膜3の表面上に厚さ1000ÅのAg−0.1Bi−0.2NdのAg基合金膜6、およびAg−0.1Bi−0.1GeのAg基合金膜6を成膜した。このときの成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mTorr、極間距離:55mm、成膜速度:7.0〜8.0nm/secであった。また、Ag基合金膜6の成膜前の到達真空度は、1.0×10−5Torr以下であった。
実施例1のAグループの試料の中から、Ag基合金膜6の材料がAg−(X)Nd−(Y)Cu合金(X:0.7原子%、Y:0.9原子%)であるものについて環境試験を施した。環境試験は、試料を温度80℃、湿度90%の環境下に48時間曝すことにより行い、AFM測定による表面粗さの変化を観察した。その結果を図4に示す。
次に、本発明の反射アノード電極において、Ag基合金膜6に対して、実施例3と同様の環境試験を行うことにより、環境試験前後におけるAg基合金膜6の反射率の低下度合いを調べた。この試験に用いたAg−(X)Nd合金(X:0.1〜1.0原子%で種々変化)にはスパッタ成膜したものを用いた。その結果を図5に示す。
基板1の材料として円盤状のガラス(コーニング社の無アルカリガラス#1737、直径:50mm、厚さ:0.7mm)を用い、DCマグネトロンスパッタリング装置により、基板1の表面に、厚さ1000Å(100nm)のAg基合金膜6を成膜した。本実施例で用いた組成は、(1)純Ag(Pure−Ag)、(2)純Al、(3)Ag−0.9Pd−1.0Cu、(4)Ag−0.1Bi−0.2Nd、(5)Ag−0.1Bi−0.1Geである(組成の単位は原子%)。Ag基合金膜6の成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mTorr、極間距離:55mm、成膜速度:7.0〜8.0nm/secであった。また、Ag基合金膜6の成膜前の到達真空度は、1.0×10−5Torr以下であった。
2 薄膜トランジスタ(TFT)
3 パッシベーション膜
4 平坦化層
5 コンタクトホール
6 Ag基合金膜
7 酸化物導電膜
8 有機発光層
9 カソード電極
Claims (14)
- 基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜と、該Ag基合金膜に直接接触する酸化物導電膜とを含むことを特徴とする有機ELディスプレイ用の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜は、更に、Cu,Au,Pd,Geから選ばれる1種または2種以上の元素を合計で0.01〜1.5原子%含有する請求項1に記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜の表面の組成がBi2O3である請求項1または2に記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が更に、希土類元素から選ばれる1種または2種以上を合計で、0.01〜2原子%含有する請求項1〜3のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が更に、Ndおよび/またはYを合計で、0.01〜2原子%含有する請求項1〜3のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が、Au,Cu,Pt,PdおよびRhよりなる群から選ばれる1種または2種以上の元素を合計で3原子%以下(0原子%を含まない)含有する請求項1〜5のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜表面の十点平均粗さRzが20nm以下である請求項1〜6のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜がスパッタリング法または真空蒸着法で形成される請求項1〜7のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極に電気的に接続されている請求項1〜8のいずれかに記載の反射アノード電極を備えた薄膜トランジスタ基板。
- 請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板を備えた有機ELディスプレイ。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の反射アノード電極を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 基板上に形成された有機ELディスプレイ用の配線膜であって、該配線膜は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜を少なくとも含むことを特徴とする有機ELディスプレイ用の配線膜。
- 前記Ag基合金膜は、更に、Cu,Au,Pd,Geから選ばれる1種または2種以上の元素を合計で0.01〜1.5原子%含有する請求項12に記載の配線膜。
- 請求項12または13に記載の配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
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