JP4453944B2 - 耐プラズマ性石英ガラス治具 - Google Patents

耐プラズマ性石英ガラス治具 Download PDF

Info

Publication number
JP4453944B2
JP4453944B2 JP2000259641A JP2000259641A JP4453944B2 JP 4453944 B2 JP4453944 B2 JP 4453944B2 JP 2000259641 A JP2000259641 A JP 2000259641A JP 2000259641 A JP2000259641 A JP 2000259641A JP 4453944 B2 JP4453944 B2 JP 4453944B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quartz glass
plasma
jig
glass jig
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000259641A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002068767A (ja
Inventor
恭一 稲木
直樹 林
徹 瀬川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Quartz Products Co Ltd filed Critical Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority to JP2000259641A priority Critical patent/JP4453944B2/ja
Priority to DE60128302T priority patent/DE60128302T2/de
Priority to EP01119913A priority patent/EP1187170B1/en
Priority to SG200105181A priority patent/SG116424A1/en
Priority to US09/940,077 priority patent/US6680455B2/en
Priority to TW090121039A priority patent/TWI228107B/zh
Priority to KR10-2001-0051932A priority patent/KR100449144B1/ko
Publication of JP2002068767A publication Critical patent/JP2002068767A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4453944B2 publication Critical patent/JP4453944B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマが発生する装置内で使用される耐プラズマエッチング特性の優れた石英ガラス治具に関する。
【0002】
【従来技術】
近年、シリコンウェーハ等の半導体素子の表面の処理にプラズマを利用したエッチング処理等が多用されるようになってきている。このプラズマエッチング処理にあってはプラズマ発生室にフッ素系、塩素系等のハロゲン系腐食ガスを導入する一方、石英ガラス製のマイクロ波導入窓を介してマイクロ波を導入し内在するハロゲン系腐食ガスをプラズマ化して半導体素子を処理する方法、または釣鐘状の石英ガラス製ベルジャー内にハロゲン系腐食ガス及びマイクロ波を導入し前記ハロゲン系腐食ガスをプラズマ化して半導体素子を処理する方法等が挙げられる。こうしたプラズマを発生する装置の治具としては、電気的な特性のよさや高純度であるところから天然石英ガラスで作製された治具が使用され、その治具のプラズマに接触する面は粗面化されてエッチング速度の安定化や付着物の剥離防止が図られている。前記粗面化にはセラミックス砥粒、ダイヤモンド砥粒、二酸化珪素砥粒などが用いられ石英ガラス表面を削り取る加工方法が使用されているが、この機械的な加工方法では、石英ガラス表面が粗面化されると同時にマイクロクラック層も形成され、それがプラズマ内で発生したラジカルにアタックされ、マイクロクラック部のみがエッチングされて異常な穴が形成され、最悪の場合にはその部分から石英ガラス治具が壊れてしまう欠点があった。
【0003】
また、天然石英ガラスには、気泡を多く含有することがあり、仮令マイクロクラックの発生がない化学的な方法で粗面化しても、プラズマ内で放出される、異常に強い放射線や電子線でその表面が劣化され、気泡が開放され表面に露出すると、劣化が気泡部分において一段と進行し、パーティクルが発生し、半導体素子表面に付着してその電気特性、特に絶縁破壊特性を劣化させる欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
こうした現状に鑑み、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、治具の石英ガラス表面の表面粗さRaを5μm〜0.05μm、石英ガラス中の気泡の含有量をDINによる泡等級で0もしくは1とし、かつマイクロクラック層の存在をなくすることで、異常なエッチングやパーティクルの発生がなく、半導体製品を良好に製造できる石英ガラス治具が得られることを見出して、本発明を完成したものである。すなわち、
【0005】
本発明は、プラズマ発生装置で使用しても異常なエッチングやパーティクルの発生がない耐プラズマエッチング特性の優れた石英ガラス治具を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明は、プラズマが発生する装置に使用される石英ガラス治具であって、その石英ガラス表面の表面粗さRaが5μm〜0.05μm、ガラス中の気泡の含有量がDINによる泡等級で0もしくは1で、かつ表面にマイクロクラック層が存在しないことを特徴とする耐プラズマ性石英ガラス治具に係る。
【0007】
本発明の石英ガラス治具は、天然又は合成石英ガラスで作製される治具であって、そのプラズマと接触する内表面は、エッチング速度を安定化させるため及び付着物の剥離防止のため表面粗さRaが5μm〜0.05μmの範囲で粗面化されている。前記表面粗さRaが5μmを超えると、プラズマ内で発生したラジカルやイオンが凹部に局所的にアタックし、異常なエッチングが進行する。また、表面粗さRaが0.05μm未満では、プラズマによって生成した2次生成物(例えばパーティクル等)が表面から剥離しやすくなり、半導体素子の特性を損なう危険性がある。
【0008】
上記に加えて本発明の石英ガラス治具は、気泡の含有量がDINによる泡等級で0もしくは1であるのがよい。前記範囲を超える気泡を含有するとプラズマで発生したラジカルやイオンにより気泡が浸食され開放され、それに続く異常に強い放射線や電子線でさらに劣化が進み、パーテクルが発生する。前記DINによる泡等級で0もしくは1とは、DIN(Deutsher IndustrieNorm)58927に準拠し、100cm3に存在する泡の総断面積(cm2)が等級0の場合0〜0.03、1の場合0.03〜0.10であることをいう。DINによる気泡等級が0もしくは1の石英ガラスとしては、市販のHERALUX、SUPRASIL(信越石英(株)製)等が挙げられる。
【0009】
また、本発明の石英ガラス治具は、治具表面にマイクロクラック層が存在しないことが重要である。マイクロクラック層が存在すると、マイクロクラックがプラズマ内で発生したラジカルにアタックされ、エッチングされて異常な穴となる。前記マイクロクラック層が存在しない石英ガラス治具とは、特開平10−273339号公報に記載するようにフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと酢酸との溶液に石英ガラス治具を浸漬し、ケイフッ化アンモンの微結晶を析出させるフロスト処理で粗面化した治具、又は特開平11−106225号公報に記載するように石英ガラス治具表面にシリコーン等の薄膜を形成し、フッ化水素酸水溶液でエッチング処理して粗面化した治具をいう。この化学的な方法による粗面化に当たってはエッチング薬液と石英ガラスとの反応をコントロールすることが肝要であるが、特に合成石英ガラスの場合、薬液の温度管理が重要で、薬液の温度を20℃±2℃の範囲にコントロールするのがよい。前記温度範囲を外れると、石英ガラス表面の表面粗さRaを5μm〜0.05μmとすることができない。
【0010】
本発明の石英ガラス治具は上述のとおりその表面に微細な凹凸が形成されており、それが紫外線の透過率に大きく作用する。透過率が小さいと紫外線により石英ガラス表面が劣化する。特にプラズマ内のラジカルやイオンと同時に発生する異常に強い紫外線や電子線で石英ガラスのSi−O結合が切れて欠陥が生成し、高密度化が進行し、マイクロクラックが大きくなり、エッチング速度が一段と加速され、大きな穴の形成となる。前記石英ガラスの紫外線による劣化を防ぐには石英ガラスの内部透過率を200nmの紫外線の透過率で80%以上、見掛け透過率を30〜85%とするのがよい。見掛け透過率が85%を超えることは、表面が粗になっていることから不可能であり、また見掛け透過率が30%未満では石英ガラス表面での緻密化を防ぐことができない。前記内部透過率とは、ガラスの外表面での反射損失を含まない透過率をいい、反射損失を含むものを見かけ透過率という。
【0011】
本発明の石英ガラス治具は、上述のように天然又は合成石英ガラスで作製されるが、特に気泡の含有量が少なく、かつ均質性の高い石英ガラスが容易に得られる合成石英ガラスがよい。この気泡が少なく、かつ均質性が高いことによりエッチングが均一に行われ、異常なエッチングがおこることがない。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に具体例をあげて本発明を詳細に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるものであって、本発明はそれにより限定されるものではない。
【0013】
【実施例】
実施例1
50%のフッ化水素水溶液約24質量%、フッ化アンモニウム約17質量%、100%の酢酸水溶液約35質量%及び水約24質量%のフロスト処理液にDINでの気泡等級が0の合成石英ガラスを浸漬し、ケイフッ化アンモンの微結晶を析出させるフロスト処理で表面粗さRaが0.5μm、Rmaxが2μmの石英ガラスを作成した。該石英ガラスにはマイクロクラックが存在しなかった。この石英ガラスを加工して出力1KWでCF4/O2のガスが導入されるプラズマ装置のマイクロ波導入窓材とした。このプラズマ装置内にSiウェーハを載置し、プラズマを発生させ、Siウェーハのエッチング処理を行ったところ、5000枚のSiウェーハを処理したがパーティクルの異常な増加が確認できなかった。
【0014】
比較例1
実施例1で使用したフロスト処理液にDINでの気泡等級が2の天然石英ガラスを浸漬した以外、実施例1と同様な方法でフロスト処理を行い、窓材を作成し、実施例1と同様なSiウェーハのエッチング処理を行ったところ、2000枚のSiウェーハを処理したところでパーティクルの異常な発生が確認された。
【0015】
比較例2
DINでの気泡等級が2の天然石英ガラスの表面を、#180のSiC粒子でサンドブラストした。得られた石英ガラスにはマイクロクラック層が確認された。該石英ガラスを用いて石英ガラス窓材を作製し、実施例1と同様にSiウェーハのエッチング処理を行ったところ、最初からパーティクルが発生し、エッチング処理ができなかった。
【0016】
【発明の効果】
本発明の石英ガラス治具は、表面粗さRaが5μm〜0.05μm、気泡の含有量がDINによる泡等級で0もしくは1で、かつマイクロクラック層が存在しないことから、プラズマが発生する装置用の治具として使用しても異常なエッチングやパーティクルを発生させることがない。

Claims (2)

  1. プラズマが発生する装置に使用される石英ガラス治具であって、その石英ガラス表面の表面粗さRaが5μm〜0.05μm、ガラス中の気泡の含有量がDINによる泡等級で0もしくは1で、200nmの紫外線の内部透過率が80%以上で、かつ見掛け透過率が30%〜85%である上に、表面にマイクロクラック層が存在しないことを特徴とする耐プラズマ性石英ガラス治具。
  2. 石英ガラスが合成石英ガラスであることを特徴とする請求項1に記載の耐プラズマ性石英ガラス治具。
JP2000259641A 2000-08-29 2000-08-29 耐プラズマ性石英ガラス治具 Expired - Lifetime JP4453944B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000259641A JP4453944B2 (ja) 2000-08-29 2000-08-29 耐プラズマ性石英ガラス治具
DE60128302T DE60128302T2 (de) 2000-08-29 2001-08-17 Plasmafeste Quartzglas-Haltevorrichtung
EP01119913A EP1187170B1 (en) 2000-08-29 2001-08-17 Plasma resistant quartz glass jig
SG200105181A SG116424A1 (en) 2000-08-29 2001-08-24 Plasma resistant quartz glass jig.
US09/940,077 US6680455B2 (en) 2000-08-29 2001-08-27 Plasma resistant quartz glass jig
TW090121039A TWI228107B (en) 2000-08-29 2001-08-27 Plasma resistant quartz glass jig
KR10-2001-0051932A KR100449144B1 (ko) 2000-08-29 2001-08-28 내플라즈마성 석영유리지그

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000259641A JP4453944B2 (ja) 2000-08-29 2000-08-29 耐プラズマ性石英ガラス治具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002068767A JP2002068767A (ja) 2002-03-08
JP4453944B2 true JP4453944B2 (ja) 2010-04-21

Family

ID=18747788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000259641A Expired - Lifetime JP4453944B2 (ja) 2000-08-29 2000-08-29 耐プラズマ性石英ガラス治具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4453944B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002068767A (ja) 2002-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102158307B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스
EP0838838B1 (en) Apparatus and method of producing an electronic device
EP3071726B1 (en) Surface coating for chamber components used in plasma systems
US5474649A (en) Plasma processing apparatus employing a textured focus ring
EP1641719B1 (en) Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods
US6592707B2 (en) Corrosion-resistant protective coating for an apparatus and method for processing a substrate
KR100449144B1 (ko) 내플라즈마성 석영유리지그
JP2007530788A (ja) 半導体被覆基板の製造方法
JPS60169139A (ja) 気相法装置
JP4755421B2 (ja) ウェハ用二層lto背面シール
US4364793A (en) Method of etching silicon and polysilicon substrates
JP4453944B2 (ja) 耐プラズマ性石英ガラス治具
TWI700742B (zh) 用於塗敷石英表面的石英表面處理方法
JP3488383B2 (ja) ドライエッチング用石英ガラス部材およびそれを装着したドライエッチング装置
US11505493B2 (en) Method of treating surface of quartz member and quartz member obtained by same
JP2002068766A (ja) 耐プラズマ性石英ガラス治具
US20230386795A1 (en) Surface coating for chamber components used in plasma systems
JP3262696B2 (ja) ガラス状カーボン被膜を有するシリカガラス部材
JPH08319573A (ja) プラズマcvd及びエッチング用陽極酸化アルミニウム電極
US20020153023A1 (en) Method for cleaning out silicon-rich oxide in a pre-clean chamber
JP3277552B2 (ja) Ecrプラズマcvd法
Chang et al. Eliminating polymer flake defects using an oxygen free chemistry
JP2004296753A (ja) プラズマ露出部品及びその表面処理方法並びにプラズマ処理装置
JP2006008474A (ja) 半導体製造装置用部材
KR20040095775A (ko) 공정 챔버의 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090817

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090930

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100129

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100129

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4453944

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140212

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term