JP4449461B2 - スイッチング電源装置および電流共振型コンバータ - Google Patents

スイッチング電源装置および電流共振型コンバータ Download PDF

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Description

本発明は、スイッチング電源装置に関し、特に、同期整流器を有する電流共振型コンバータに適用可能なスイッチング電源装置に関する。
従来のスイッチング電源装置としては、図13に示すような電流共振型コンバータが知られている。この電流共振型コンバータにおいて、特に、低電圧・大電流の電源が要求される場合に、トランスT81の2次側に設けられた整流ダイオードD83,D84の順方向下降電圧Vf によって、大きな損失Vf ×Io が発生する。
この損失を低減するために、図14に示すように、整流ダイオードD83,D84に対して、オン抵抗が低いMOSFET・Q83,Q84をそれぞれ並列に接続し、このMOSFET・Q83,Q84をそれぞれ駆動回路87,89によりオンオフ制御して同期整流を行っている。
このMOSFET・Q83,Q84に対するドライブ方式の従来例としては、図15に示す巻線電圧検出方式が知られている。この従来例1では、トランスT81の2次巻線N2に誘起した電圧を、2次巻線N3で検出し、抵抗R83を介して直接MOSFETのゲートに印加するようにしている。
また、図16は、整流電流を検出する整流電流検出方式であり、特許文献1(図6)において報告されている。この従来例2では、電流検出抵抗R84で検出された電圧をコンパレータCOMP83で基準電圧Vref83 と比較し、この比較出力をバッファ回路95を通じてMOSFET・Q83のゲートに印加するようにしている。
さらに、図17は、カレントトランスCTを使用する整流電流検出方式であり、特許文献1(図3)において報告されている。この従来例3では、カレントトランスCTの2次巻線に並列に接続された抵抗R85の両端に発生する電圧をコンパレータCOMP83で比較し、この比較出力をバッファ回路99を通じてMOSFET・Q83のゲートに印加するようにしている。
特開平10−164837号公報
図15に示す従来例1にあっては、トランスT81の2次側電流が不連続モード時において、出力コンデンサC83に対する充電電流がゼロになっても、1次巻線(図示しない)には同じ方向に電流が流れ続け、2次巻線N3に誘起される電圧の極性が反転しないため、ゲート電圧がオフとならず、MOSFET・Q83はオンし続け、MOSFET・Q83を介して逆電流が流れるといった問題があった。
また、図16に示す従来例2にあっては、MOSFET・Q83をオフさせるために、整流電流が減少した時の電流値をコンパレータCOMP83で検出する必要があり、電流検出抵抗R84を用いて電圧に変換して検出するため、ある程度の電圧降下が必要であり、必然的に電流検出抵抗R84の損失R×Io^2 が大きくなってしまうといった問題があった。
さらに、図17に示す従来例3にあっては、カレントトランスCTの形状は大きく、コストも高いといった問題があった。また、スイッチング電源装置の変換効率を上げるため図14に示すような両波整流回路とした場合、カレントトランスCTが2個必要となるため、電源装置の小型化、軽量化、低コスト化の妨げとなるといった問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的としては、トランスの2次側に設けられた同期整流器による整流電流が逆流しないように制御するとともに、同期整流器による損失を低減することができるスイッチング電源装置を提供することにある。
請求項1記載の発明は、上記課題を解決するため、直流電源に直列に接続され、その中点をトランスの1次巻線の一端に接続され、さらに、当該1次巻線の他端からコンデンサを介して前記直流電源のマイナス端子に接続された1対のスイッチング素子と、前記トランスの1次巻線から2次巻線に誘起した電圧を同期整流して出力電圧を得る同期整流器と、前記トランスの1次巻線に生じる共振電流と前記トランスの補助巻線に生じる電圧を積分して得た三角波状の補正信号とを比較して得たタイミング信号に基づいて、前記同期整流器に対してオンオフを制御する制御信号を生成する制御回路とを備えたことを要旨とする。
請求項2記載の発明は、上記課題を解決するため、直流電源に直列に接続され、その中点をトランスの1次巻線の一端に接続され、さらに、当該1次巻線の他端からコンデンサを介して前記直流電源のマイナス端子に接続された1対のスイッチング素子と、前記トランスの1次巻線から2次巻線に誘起した電圧を同期整流して出力電圧を得る同期整流器と、前記同期整流器に対してオンオフを制御する制御信号を生成する制御回路とを備えたスイッチング電源装置であって、前記制御回路は、前記トランスの1次巻線に生じる共振電流を検出して共振電流検出信号を出力する共振電流検出手段と、前記トランスの補助巻線に生じる電圧を積分して三角波状の補正信号を生成する補助信号生成手段と、前記三角波状の補正信号と前記共振電流検出信号を比較し、第1の比較結果信号を生成する第1の比較結果信号生成手段とを有し、前記スイッチング素子の何れか一方に関するオン状態期間を検出してオン状態検出信号を出力するオン状態検出手段と、前記オン状態検出手段により検出されたオン状態検出信号に基づいて、第2の比較結果信号を生成する第2の比較結果信号生成手段と、前記共振電流検出手段により検出された共振電流検出信号が零A近辺を超えたかどうかを検出して第3の比較結果信号を生成する第3の比較結果信号生成手段と、前記第1乃至第3の比較結果信号に基づいて、論理積又は不論理和等の論理演算を行い第1および第2の制御信号を生成する制御信号生成手段とを有し、前記制御信号生成手段により生成された第1および第2の制御信号を前記同期整流器に与えてオンオフ制御することを要旨とする。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、前記制御信号生成手段は、無負荷時又は軽負荷時等の待機時には、前記比較結果信号により前記同期整流器をオフ制御させることを要旨とする。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、前記比較結果信号を生成するときに用いる閾値がヒステリシスを有することを要旨とする。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、請求項1乃至項に記載のスイッチング電源装置を用いて、ハーフブリッジ型又はフルブリッジ型のスイッチング素子構成を有することを要旨とする。
本発明によれば、トランスの2次側に設けられた同期整流器による整流電流が逆流しないように制御するとともに、整流器による損失を低減することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
[第1実施例]
図1は本発明の第1実施例に係るスイッチング電源装置11の全体構成を示す図である。第1実施例に示すスイッチング電源装置11は、スイッチング素子Q1,Q2の2個を用いたハーフブリッジ構成を有するものである。
図1において、直流電源Viの+端子と−端子に対して、スイッチング素子Q1,Q2を直列に接続し、それぞれのスイッチング素子Q1,Q2に対して並列にダイオードD1,D2がそれぞれ接続されている。また、スイッチング素子Q2に対してコンデンサC1が並列に接続されている。
このスイッチング素子Q1,Q2の中点に対して、順にリアクトルL1とトランスT1の1次巻線とコンデンサC2とカレントトランスCT1の1次巻線N5とが直列接続されている。また、トランスT1の1次巻線に対してリアクトルL2が並列に接続されている。このトランスT1には、2次巻線N2,N3と、補助巻線N4が設けられている。
リアクトルL1は、トランスT1のリーケージインダクタンスを使用することもできる。また、リアクトルL2はトランスの一次巻線N1のインダクタンスを使用できる。
トランスT1の2次巻線N2,N3が直列接続されており、2次巻線N2の他端がダイオードD3のカソードに接続され、2次巻線N3の他端がダイオードD4のカソードに接続され、ダイオードD3,D4のそれぞれのアノードがGNDに接続されている。また、トランスT1の2次巻線N2,N3の接続点がコンデンサC3を介してGNDに接続されている。このダイオードD3,D4のそれぞれの両端には、スイッチング素子Q3,Q4がそれぞれ接続され同期整流器を構成している。
トランスT1の補助巻線N4に対して、抵抗R1とコンデンサC5が直列に接続されており、補助巻線N4の一端と抵抗R1の接続点に対して抵抗R2とコンデンサC6がGNDに直列に接続されており、さらに、補助巻線N4の他端とコンデンサC5の一端がGNDに接続されている。
この抵抗R2とコンデンサC6との接続点がコンパレータCOMP1の+端子に接続されている。このコンパレータCOMP1の−端子がGNDに接続されている。また、抵抗R1とコンデンサC5との接続点がコンパレータCOMP2の−端子に接続されている。
カレントトランスCT1の2次巻線N6に対して抵抗R3が並列接続されている。この2次巻線N6と抵抗R3との一方の接続点がコンパレータCOMP2の+端子に接続されており、さらに、コンパレータCOMP3の+端子に接続されている。また、この2次巻線N6と抵抗R3との他方の接続点がGNDに接続されている。また、このコンパレータCOMP3の−端子がGNDに接続されている。
コンパレータCOMP1,COMP2,COMP3のそれぞれの出力端子が、NOR1(不論理和)とAND1(論理積)の入力端子にそれぞれ接続されている。また、NOR1の出力端子がスイッチング素子Q4のゲートに接続されており、AND1の出力端子がスイッチング素子Q3のゲートに接続されている。
なお、上述したスイッチング素子Q1〜Q4は、MOSFETから構成されている。また、第1実施例に示すスイッチング電源装置は、スイッチング素子Q1,Q2の2個を用いたハーフブリッジ構成であるが、この他、スイッチング素子を4個を用いたフルブリッジ構成であってもよい。また、スイッチング素子Q1,Q2のゲートを制御するための回路構成に関しては、後述することとする。
(基本動作)
次に、図2に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置11の基本的な動作について説明する。なお、図2は、スイッチング電源装置11の2次側電流が不連続モードである場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。
まず、スイッチング素子Q1がオン制御されている期間において、1次側の電流は、直流電源Vi→スイッチング素子Q1→リアクトルL1→トランスT1の1次巻線N1,リアクトルL2→コンデンサC2→カレントトランスCT1の1次巻線N5→Viへと流れる。これに対応して、2次側の電流は、トランスT1の2次巻線N2→コンデンサC3→ダイオードD3→N2へと流れる。
一方、スイッチング素子Q2がオン制御されている期間において、1次側の電流は、Q2→N5→C2→N1,L2→L1→Q2へと流れる。これに対応して、2次側の電流は、N3→C3→D4→N3へと流れる。
このように、スイッチング素子Q1,Q2が交互にオンオフを繰り返すので、カレントトランスCT1の1次巻線N5から2次巻線N6に電流が誘起し抵抗R3に流れるので1次側共振電流検出信号VR1に変換される。この様子を図2に示す。
同様に、スイッチング素子Q1,Q2が交互にオンオフを繰り返すので、トランスT1の1次巻線N1から補助巻線N4に電圧が誘起し直列に接続された抵抗R1とコンデンサC5により構成される積分回路で積分された補正信号VC3が出力される。同時に、トランスT1の1次巻線N1から補助巻線N4に電圧が誘起し直列に接続された抵抗R2とコンデンサC6により構成されるノイズフィルタ回路でノイズ成分が除去された補正信号VC4が出力される。この様子を図2に示す。
このようなタイミング信号が、それぞれコンパレータCOMP1〜3に入力されるので、コンパレータCOMP1〜3から図2に示すようなタイミング信号が出力される。
すなわち、コンパレータCOMP1の+端子に入力されている補正信号VC4がGNDレベルと比較され、図2に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP1から出力される。また、コンパレータCOMP2の+端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1が−端子に入力されている補正信号VC3と比較され、図2に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP2から出力される。同様に、コンパレータCOMP3の+端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1がGNDレベルと比較され、図2に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP3から出力される。
次いで、コンパレータCOMP1〜3から出力されるタイミング信号がNOR1およびAND1に入力され、図2に示すように、AND1から第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力され、NOR1から第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力される。
タイミングt22〜t23では、AND1からハイレベルの第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力されるので、スイッチング素子Q3がオン作動してスイッチング素子Q3を構成しているMOSFETのオン抵抗がダイオードD3に対して並列に接続され、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3の両端に生じる電圧降下が低減される。
特に、このタイミングにおいては、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3に流れる電流Ins1が大きくなる期間に相当しており、スイッチング素子Q1のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q3に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
同様に、タイミングt24〜t25では、NOR1からハイレベルの第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力されており、スイッチング素子Q2のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q4に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD4による損失を低減することができる。
(待機モード)
図3に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置11が待機モードである場合の動作を説明する。
図3に示すタイミングチャートのように、AND1から出力される第1の制御信号VQ3gsはローレベルに維持されているので、スイッチング素子Q3がオフしている。また、ダイオードD3に流れる電流Ins1も0となっている。
同様に、NOR1から出力される第2の制御信号VQ4gsもローレベルに維持されているので、スイッチング素子Q4がオフしている。また、ダイオードD4に流れる電流Ins2も0Aとなっている。
このように、無負荷時または軽負荷時には、同期整流器をなすスイッチング素子Q3およびスイッチング素子Q4が作動しなくてもよく、無駄な動作による電力損失を低減することができる。
(連続モード)
図4に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置11が連続モードである場合の動作を説明する。
タイミングt42〜t43では、AND1からハイレベルの第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力されるので、スイッチング素子Q3がオン作動してスイッチング素子Q3を構成しているMOSFETのオン抵抗がダイオードD3に対して並列に接続され、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3の両端に生じる電圧降下が低減される。
特に、このタイミングにおいては、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3に流れる電流Ins1が大きくなる期間に相当しており、スイッチング素子Q1のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q3に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
同様に、タイミングt45〜t46では、NOR1からハイレベルの第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力されており、スイッチング素子Q2のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q4に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD4による損失を低減することができる。
特に、タイミングt43〜t45では、AND1からローレベルの第1の制御信号VQ3gsが出力され、かつ、NOR1からローレベルの第2の制御信号VQ4gsが出力されるので、連続モード時においてスイッチング素子Q3,Q4が同時にオンすることがない。
(連続モード)
図5に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置11が高負荷モード時または低入力電圧時である場合の動作を説明する。
タイミングt51〜t52では、AND1からハイレベルの第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力されるので、スイッチング素子Q3がオン作動してスイッチング素子Q3を構成しているMOSFETのオン抵抗がダイオードD3に対して並列に接続され、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3の両端に生じる電圧降下が低減される。
特に、このタイミングにおいては、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3に流れる電流Ins1が極めて大きくなる期間に相当しており、スイッチング素子Q1のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q3に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
同様に、タイミングt55〜t56では、NOR1からハイレベルの第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力されており、スイッチング素子Q2のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q4に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
[第2実施例]
図6は本発明の第2実施例に係るスイッチング電源装置21の全体構成を示す図である。
このスイッチング電源装置21の特徴として、抵抗R2とコンデンサC6との接続点がダイオードD6から抵抗R4を介してコンパレータCOMP4の−端子に接続されている。このコンパレータCOMP4の+端子が抵抗R6を介してGNDに接続され、かつ、この+端子が抵抗R7を介して出力端子に接続されている。
また、抵抗R1とコンデンサC5との接続点が、コンパレータCOMP3の+端子に接続され、かつ、コンパレータCOMP2の−端子に接続されている。
カレントトランスCT1の2次巻線N6と抵抗R3との一方の接続点が、抵抗R5を介してコンパレータCOMP4の−端子に接続されており、かつ、コンパレータCOMP3の−端子に接続されており、さらに、コンパレータCOMP2の+端子に接続されており、さらに、抵抗R9を介してコンパレータCOMP1の+端子に接続されている。
また、コンパレータCOMP1の−端子が抵抗R8を介してGNDに接続されている。このコンパレータCOMP1の+端子が抵抗R11を介して出力端子に接続されている。さらに、このコンパレータCOMP1の+端子が抵抗R10、ダイオードD5を介して抵抗R2とコンデンサC6との接続点に接続されている。
コンパレータCOMP1,COMP2のそれぞれの出力端子が、AND1の入力端子にそれぞれ接続されている。また、コンパレータCOMP3,COMP4のそれぞれの出力端子が、AND2の入力端子にそれぞれ接続されている。
また、AND1の出力端子がスイッチング素子Q3のゲートに接続されており、AND2の出力端子がスイッチング素子Q4のゲートに接続されている。
なお、コンパレータCOMP1,COMP4は、それぞれの+入力端子と出力端子との間を抵抗を介して接続しているので、入力信号に対して出力信号がヒステリシス特性を有するように構成されている。
(基本動作)
次に、図7に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置21の基本的な動作について説明する。なお、図7は、スイッチング電源装置11の2次側電流が不連続モードである場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。
コンパレータCOMP1の+端子には、抵抗R9を介して1次側共振電流検出信号VR1が入力され、同時に、出力信号が抵抗R11を介して入力され、補正信号VC4がダイオードD5と抵抗R10を介して入力されるので、この+入力端子において加算されており、一方、GNDレベルが抵抗R8を介して−端子に入力されているので、+端子と−端子の各入力信号がコンパレータCOMP1により比較され、図7に示すようなタイミング信号が出力される。
コンパレータCOMP2の+端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1が−入力端子に入力されている補正信号VC3と比較され、図7に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP2から出力される。また、コンパレータCOMP3の−端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1が+入力端子に入力されている補正信号VC3と比較され、図7に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP3から出力される。
コンパレータCOMP4の−端子には、抵抗R5を介して1次側共振電流検出信号VR1が入力され、同時に、ダイオードD6と抵抗R4を介して補正信号VC4が入力されるので、この−入力端子において加算されており、一方、出力信号の抵抗R6,R7による分圧レベルが+端子に入力されているので、+端子と−端子の各入力信号がコンパレータCOMP4により比較され、図7に示すようなタイミング信号が出力される。
次いで、コンパレータCOMP1〜4から出力されるタイミング信号がAND1およびAND2に入力され、図6に示すように、AND1から第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力され、AND2から第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力される。
タイミングt72〜t73では、AND1からハイレベルの第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力されるので、スイッチング素子Q3がオン作動してスイッチング素子Q3を構成しているMOSFETのオン抵抗がダイオードD3に対して並列に接続され、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3の両端に生じる電圧降下が低減される。
特に、このタイミングにおいては、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3に流れる電流Ins1が大きくなる期間に相当しており、スイッチング素子Q1のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q3に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
同様に、タイミングt75〜t76では、AND2からハイレベルの第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力されており、スイッチング素子Q2のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q4に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD4による損失を低減することができる。
(ヒステリシス)
次に、図12に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置21のヒステリシス動作について説明する。なお、図12(a)は第1実施例で用いたスイッチング電源装置11のようにヒステリシス回路が付加されていない場合のタイミングチャートであり、これに対して、図12(b)は第2実施例で用いるスイッチング電源装置21のようにヒステリシス回路が付加されている場合のタイミングチャートである。
上述したように、コンパレータCOMP1の+端子には、抵抗R9を介して1次側共振電流検出信号VR1が入力され、同時に、出力信号が抵抗R11を介して入力され、補正信号VC4がダイオードD5と抵抗R10を介して入力されるので、この+入力端子において加算されており、コンパレータCOMP1の+入力端子の波形は図12(b)に示す「COMP1入力」のようになる。一方、GNDレベルが抵抗R8を介してコンパレータCOMP1の−入力端子に入力されているので、+入力端子とGNDレベル(−入力端子)がコンパレータCOMP1により比較され、図示するようなタイミング信号「COMP1出力」が出力される。
特に、タイミングt133,t136では、コンパレータCOMP1の出力信号がR11とR10との分圧比で+入力端子に入力されるので、急峻な立ち上がりまたは立ち下がり特性を有するようになる。
このように、コンパレータCOMP1の+入力端子に入力される閾値にヒステリシスを設けたことにより、トランスの2次側電流が不連続モードとなり、寄生素子による振動が生じた場合でも、同期整流器を確実に制御することができる。
同様に、コンパレータCOMP4の+入力端子に入力される閾値にヒステリシスを設けたことにより、トランスの2次側電流が不連続モードとなり、寄生素子による振動が生じた場合でも、同期整流器を確実に制御することができる。
[第3実施例]
図8は本発明の第3実施例に係るスイッチング電源装置31の全体構成を示す図である。
このスイッチング電源装置31の特徴として、抵抗R2とコンデンサC6との接続点がダイオードD6から抵抗R4を介してコンパレータCOMP4の−端子に接続されている。このコンパレータCOMP4の+端子が抵抗R6を介してGNDに接続され、かつ、この+端子が抵抗R7を介して出力端子に接続されている。
また、抵抗R1とコンデンサC5との接続点が、コンパレータCOMP3の+端子に接続されている。
カレントトランスCT1の2次巻線N6と抵抗R3との一方の接続点が、抵抗R5を介してコンパレータCOMP4の−端子に接続されており、かつ、コンパレータCOMP3の−端子に接続されており、さらに、抵抗R13を介してコンパレータCOMP1の−端子に接続されている。
このコンパレータCOMP1の−端子が抵抗R12、ダイオードD8を介して抵抗R2とコンデンサC6との接続点に接続されている。また、コンパレータCOMP1の+端子が抵抗R15を介して出力端子に接続され、かつ、この+端子が抵抗R14を介してGNDに接続されている。
コンパレータCOMP1,COMP3のそれぞれの出力端子が、NOR1の入力端子にそれぞれ接続されている。また、コンパレータCOMP3,COMP4のそれぞれの出力端子が、AND2の入力端子にそれぞれ接続されている。
また、NOR1の出力端子がスイッチング素子Q3のゲートに接続されており、AND2の出力端子がスイッチング素子Q4のゲートに接続されている。
なお、コンパレータCOMP1,COMP4は、それぞれの+入力端子と出力端子との間を抵抗を介して接続しているので、入力信号に対して出力信号がヒステリシス特性を有するように構成されている。
(基本動作)
次に、図7に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置31の基本的な動作について説明する。なお、図7は、スイッチング電源装置31の2次側電流が不連続モードである場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。
コンパレータCOMP1の−端子には、抵抗R13を介して1次側共振電流検出信号VR1が入力され、同時に、補正信号VC4がダイオードD8と抵抗R12を介して入力されるので、この−入力端子において加算されており、一方、出力信号の抵抗R14,R15による分圧レベルが+端子に入力されているので、+端子と−端子の各入力信号がコンパレータCOMP1により比較され、図7に示すようなタイミング信号が出力される。
また、コンパレータCOMP3の−端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1が+入力端子に入力されている補正信号VC3と比較され、図7に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP3から出力される。
コンパレータCOMP4の−端子には、抵抗R5を介して1次側共振電流検出信号VR1が入力され、同時に、ダイオードD6と抵抗R4を介して補正信号VC4が入力されるので、この−入力端子において加算されており、一方、出力信号の抵抗R6,R7による分圧レベルが+端子に入力されているので、+端子と−端子の各入力信号がコンパレータCOMP4により比較され、図7に示すようなタイミング信号が出力される。
次いで、コンパレータCOMP1,3,4から出力されるタイミング信号がNOR1およびAND2に入力され、図8に示すように、NOR1から第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力され、AND2から第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力される。
タイミングt72〜t73では、NOR1からハイレベルの第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力されるので、スイッチング素子Q3がオン作動してスイッチング素子Q3を構成しているMOSFETのオン抵抗がダイオードD3に対して並列に接続され、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3の両端に生じる電圧降下が低減される。
特に、このタイミングにおいては、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3に流れる電流Ins1が大きくなる期間に相当しており、スイッチング素子Q1のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q3に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
同様に、タイミングt75〜t76では、AND2からハイレベルの第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力されており、スイッチング素子Q2のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q4に対してオン制御するので、整流器をなすダイオードD4による損失を低減することができる。
(ヒステリシス)
次に、図12に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置21のヒステリシス動作について説明する。なお、図12(a)は第1実施例で用いたスイッチング電源装置11のようにヒステリシス回路が付加されていない場合のタイミングチャートであり、これに対して、図12(b)は第2実施例で用いるスイッチング電源装置31のようにヒステリシス回路が付加されている場合のタイミングチャートである。
上述したように、コンパレータCOMP1の−端子には、抵抗R13を介して1次側共振電流検出信号VR1が入力され、同時に、補正信号VC4がダイオードD8と抵抗R12を介して入力されるので、この−入力端子において加算されており、コンパレータCOMP1の+入力端子の波形は図12(b)に示す「COMP1入力」のようになる。一方、出力信号の抵抗R14,R15による分圧レベルが+端子に入力されているので、+端子と−端子の各入力信号がコンパレータCOMP1により比較され、図示するようなタイミング信号「COMP1出力」が出力される。
特に、タイミングt133,t136では、コンパレータCOMP1の出力信号がR15とR14との分圧比で+入力端子に入力されるので、急峻な立ち上がりまたは立ち下がり特性を有するようになる。
このように、コンパレータCOMP1の+入力端子に入力される閾値にヒステリシスを設けたことにより、トランスの2次側電流が不連続モードとなり、寄生素子による振動が生じた場合でも、同期整流器を確実に制御することができる。
同様に、コンパレータCOMP4の+入力端子に入力される閾値にヒステリシスを設けたことにより、トランスの2次側電流が不連続モードとなり、寄生素子による振動が生じた場合でも、同期整流器を確実に制御することができる。
[第4実施例]
図9は本発明の第4実施例に係るスイッチング電源装置41の全体構成を示す図である。図10はスイッチング素子Q2の駆動状態を検出するための駆動検出センサの一例を示す図であり、図11は駆動検出センサの他の例を示す図である。
このスイッチング電源装置41の特徴として、出力電圧Voを取り出すコンデンサC3の+端子にエラーアンプEAが接続されており、このエラーアンプEAは、コンデンサC3の+端子に発生する出力電圧Voと基準電圧Vref1とをCOMP5で比較してトランジスタQ5を制御して出力電圧制御信号を発生する。フォトカプラを構成するフォトダイオードPDは、出力電圧制御信号を光信号に変換してフォトランジスタPTrに出力してSPM44を制御する。SPM44は、フォトランジスタPTrのコレクタ−エミッタ間に発生する出力電圧制御信号に基づいて、スイッチング素子Q1,Q2をオンオフ制御するためのPWM信号を発生し、駆動回路43に出力する。
駆動回路43はSPM44から出力されるPWM信号に応じてスイッチング素子Q1,Q2を交互にオンオフ制御するための駆動信号を生成する回路である。駆動回路43からスイッチング素子Q2のゲートに出力される駆動信号が駆動検出センサ45で検出されコンパレータCOMP1の+端子に入力される。
駆動検出センサ45は、駆動回路43からスイッチング素子Q2のゲートに出力される駆動信号を検出するためのセンサであり、図10および図11にその具体例を示す。
図10に示す駆動検出センサ47は、トランスT3から構成されており、駆動回路43からスイッチング素子Q2のゲートに出力される駆動信号がトランスT3の1次巻線N7に入力され、2次巻線N8に誘起されて駆動信号Q2AがコンパレータCOMP1の+端子に出力される。
図11に示す駆動検出センサ45は、フォトカプラから構成されており、駆動回路43からスイッチング素子Q2のゲートに出力される駆動信号が抵抗R21を介して発光ダイオードPDに入力されて発光し、この発光ダイオードPDと光学的に結合されたフォトランジスタPTrが作動して出力電圧Voから抵抗R22を介して駆動信号Q2AがコンパレータCOMP1の+端子に出力される。
この駆動信号Q2AがコンパレータCOMP1の+端子に入力されており、−端子が基準電圧Vref2に接続されている。また、抵抗R1とコンデンサC5との接続点がコンパレータCOMP2の−端子に接続されている。
カレントトランスCT1の2次巻線N6と抵抗R3との一方の接続点がコンパレータCOMP2の+端子に接続されており、さらに、コンパレータCOMP3の+端子に接続されている。また、このコンパレータCOMP3の−端子がGNDに接続されている。
コンパレータCOMP1,COMP2,COMP3のそれぞれの出力端子が、NOR1とAND1の入力端子にそれぞれ接続されている。また、NOR1の出力端子がスイッチング素子Q4のゲートに接続されており、AND1の出力端子がスイッチング素子Q3のゲートに接続されている。
(基本動作)
次に、図2に示すタイミングチャートを参照して、スイッチング電源装置41の基本的な動作について説明する。
エラーアンプEAは、コンデンサC3の+端子に発生する出力電圧Voと基準電圧Vref1とをCOMP5で比較してトランジスタQ5を制御して出力電圧制御信号を発生し、フォトカプラを構成するフォトダイオードPDを通じてフォトランジスタPTrに出力してSPM44を制御する。SPM44は、フォトランジスタPTrのコレクタ−エミッタ間に発生する出力電圧制御信号に基づいて、スイッチング素子Q1,Q2をオンオフ制御するためのPWM信号を発生し、駆動回路43に出力する。駆動回路43はSPM44から出力されるPWM信号に応じてスイッチング素子Q1,Q2を交互にオンオフ制御するための駆動信号を生成する。このとき、駆動回路43からスイッチング素子Q2のゲートに出力される駆動信号が駆動検出センサ45で検出されコンパレータCOMP1の+端子に入力される。
まず、スイッチング素子Q1がオン制御されている期間において、1次側の電流は、直流電源Vi→スイッチング素子Q1→リアクトルL1→トランスT1の1次巻線N1,リアクトルL2→コンデンサC2→カレントトランスCT1の1次巻線N5→Viへと流れる。これに対応して、2次側の電流は、トランスT1の2次巻線N2→コンデンサC3→ダイオードD3→N2へと流れる。
一方、スイッチング素子Q2がオン制御されている期間において、1次側の電流は、Q2→N5→C2→N1,L2→L1→Q2へと流れる。これに対応して、2次側の電流は、N3→C3→D4→N3へと流れる。
このように、スイッチング素子Q1,Q2が交互にオンオフを繰り返すので、カレントトランスCT1の1次巻線N5から2次巻線N6に電流が誘起し抵抗R3に流れるので1次側共振電流検出信号VR1に変換される。この様子を図2に示す。
同様に、スイッチング素子Q1,Q2が交互にオンオフを繰り返すので、トランスT1の1次巻線N1から補助巻線N4に電圧が誘起し直列に接続された抵抗R1とコンデンサC5により構成される積分回路で積分された補正信号VC3として出力される。
このようなタイミング信号が、それぞれコンパレータCOMP1〜3に入力されるので、コンパレータCOMP1〜3から図2に示すようなタイミング信号が出力される。
すなわち、コンパレータCOMP1の+端子に入力されているスイッチング素子Q2の駆動信号Aが基準電圧Vref2と比較され、図2に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP1から出力される。
また、コンパレータCOMP2の+端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1が−端子に入力されている補正信号VC3と比較され、図2に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP2から出力される。
同様に、コンパレータCOMP3の+端子に入力されている1次側共振電流検出信号VR1がGNDレベルと比較され、図2に示すようなタイミング信号がコンパレータCOMP3から出力される。
次いで、コンパレータCOMP1〜3から出力されるタイミング信号がNOR1およびAND1に入力され、図2に示すように、AND1から第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力され、NOR1から第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力される。
タイミングt22〜t23では、AND1からハイレベルの第1の制御信号VQ3gsがスイッチング素子Q3のゲートに出力されるので、スイッチング素子Q3がオン作動してスイッチング素子Q3を構成しているMOSFETのオン抵抗がダイオードD3に対して並列に接続され、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3の両端に生じる電圧降下が低減される。
特に、このタイミングにおいては、ダイオードD3およびスイッチング素子Q3に流れる電流Ins1が大きくなる期間に相当しており、スイッチング素子Q1のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q3に対してオン制御するので、同期整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
同様に、タイミングt24〜t25では、NOR1からハイレベルの第2の制御信号VQ4gsがスイッチング素子Q4のゲートに出力されており、スイッチング素子Q2のオン制御期間よりも狭くなるようにスイッチング素子Q4に対してオン制御するので、同期整流器をなすダイオードD3による損失を低減することができる。
以上説明したように、第1乃至第4の実施例によれば、整流電流の逆流なく同期整流器を制御することが可能なため、高効率、小型化、軽量化、低コスト化を図ったスイッチング電源装置を提供することができる。また、待機時は同期整流器のドライブをオフさせるため、ドライブ損失が生じず、損失を低減することができる。
また、本実施例では、ハーフブリッジ型のスイッチング素子構成を有する電流共振型コンバータに適用できるが、本発明はこれに限定するものではなく、フルブリッジ型のスイッチング素子構成を有する電流共振型コンバータに適用することもできる。
本発明の第1実施例に係るスイッチング電源装置11の全体構成を示す図である。 スイッチング電源装置11の2次側電流が不連続モードである場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。 スイッチング電源装置11が待機モードである場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。 スイッチング電源装置11が連続モードである場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。 スイッチング電源装置11が高負荷モード時または低入力電圧時である場合の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第2実施例に係るスイッチング電源装置21の全体構成を示す図である。 スイッチング電源装置21の基本的な動作について説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第3実施例に係るスイッチング電源装置31の全体構成を示す図である。 本発明の第4実施例に係るスイッチング電源装置41の全体構成を示す図である。 スイッチング素子Q2の駆動状態を検出するための駆動検出センサの一例を示す図である。 スイッチング素子Q2の駆動状態を検出するための駆動検出センサの他の例を示す図である。 スイッチング電源装置21のヒステリシス動作について説明するためのタイミングチャートである。 従来のスイッチング電源装置の一例である電流共振型コンバータを示す図である。 従来のスイッチング電源装置の一例である電流共振型コンバータが同期整流器を有していることを示す図である。 ドライブ方式の従来例として巻線電圧検出方式を示す図である。 ドライブ方式の従来例として電流検出抵抗を用いた整流電流検出方式を示す図である。 ドライブ方式の従来例としてカレントトランス(CT)を用いた整流電流検出方式を示す図である。
符号の説明
C1,C2,C3,C5,C6 コンデンサ
CT カレントトランス
D1,D2,D3,D4,D6,D8 ダイオード
L1,L2 リアクトル
PD 発光ダイオード
PTr フォトランジスタ
Q1,Q2,Q3,Q4 スイッチング素子
T1 トランス
T3 トランス
AND1,AND2 論理積
NOR1 不論理和
COMP1,COMP2,COMP3,COMP4 コンパレータ
11,21,31,41 スイッチング電源装置
43 駆動回路
45,47 駆動検出センサ

Claims (5)

  1. 直流電源に直列に接続され、その中点をトランスの1次巻線の一端に接続され、さらに、当該1次巻線の他端からコンデンサを介して前記直流電源のマイナス端子に接続された1対のスイッチング素子と、
    前記トランスの1次巻線から2次巻線に誘起した電圧を同期整流して出力電圧を得る同期整流器と、
    前記トランスの1次巻線に生じる共振電流と前記トランスの補助巻線に生じる電圧を積分して得た三角波状の補正信号とを比較して得たタイミング信号に基づいて、前記同期整流器をオンオフ制御する制御信号を生成する制御回路とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 直流電源に直列に接続され、その中点をトランスの1次巻線の一端に接続され、さらに、当該1次巻線の他端からコンデンサを介して前記直流電源のマイナス端子に接続された1対のスイッチング素子と、
    前記トランスの1次巻線から2次巻線に誘起した電圧を同期整流して出力電圧を得る同期整流器と、
    前記同期整流器に対してオンオフを制御する制御信号を生成する制御回路とを備えたスイッチング電源装置であって、
    前記制御回路は、
    前記トランスの1次巻線に生じる共振電流を検出して共振電流検出信号を出力する共振電流検出手段と、
    前記トランスの補助巻線に生じる電圧を積分して三角波状の補正信号を生成する補助信号生成手段と、
    前記三角波状の補正信号と前記共振電流検出信号を比較し、第1の比較結果信号を生成する第1の比較結果信号生成手段とを有し、
    前記スイッチング素子の何れか一方に関するオン状態期間を検出してオン状態検出信号を出力するオン状態検出手段と、
    前記オン状態検出手段により検出されたオン状態検出信号に基づいて、第2の比較結果信号を生成する第2の比較結果信号生成手段と、
    前記共振電流検出手段により検出された共振電流検出信号が0A近辺を超えたかどうかを検出して第3の比較結果信号を生成する第3の比較結果信号生成手段と、
    前記第1乃至第3の比較結果信号に基づいて、論理積又は不論理和等の論理演算を行い第1および第2の制御信号を生成する制御信号生成手段とを有し、
    前記制御信号生成手段により生成された第1および第2の制御信号を前記同期整流器に与えてオンオフ制御することを特徴とするスイッチング電源装置。
  3. 前記制御信号生成手段は、
    無負荷時又は軽負荷時等の待機時には、前記比較結果信号により前記同期整流器をオフ制御させることを特徴とする請求項2記載のスイッチング電源装置。
  4. 前記比較結果信号を生成するときに用いる閾値がヒステリシスを有することを特徴とする請求項2記載のスイッチング電源装置。
  5. 請求項1乃至4項に記載のスイッチング電源装置を用いて、ハーフブリッジ型又はフルブリッジ型のスイッチング素子構成を有することを特徴とする電流共振型コンバータ。
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