JP4444720B2 - エアアクチュエータ、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子線露光装置等の精密移動・位置決め用ステージ装置の駆動部として用いられるエアアクチュエータ(圧縮気体による駆動装置)に関する。

光リソグラフィ装置では、Ｘ、Ｙ及びθ_Ｚ駆動可能な３自由度ステージの上に、θ_Ｘ、θ_Ｙ及びＺ駆動可能な３自由度テーブルを搭載したステージ装置が使用されている。このステージ装置の駆動手段としては、電磁力を利用したＶＣＭ（ボイスコイルモータ）やリニアモータが一般的に用いられている。
ところが、解像度１００ｎｍ以下を実現する露光装置として注目される電子線露光装置において、上述したステージ装置を用いると、ステージの移動に伴う周辺の磁場変動に電子ビームが影響を受けて、パターン転写精度が低下してしまう。
このため、リニアモータの磁気を磁気シールドで遮蔽したステージ装置や、エアアクチュエータを用いたステージ装置（特許文献１参照）等が提案されている。
特開２００２−３５９１７０号公報（第２図）

電子線露光装置に用いられるステージ装置は、真空雰囲気での使用が前提であるため、エアアクチュエータには供給した気体を回収する回収機構が設けられている。
しかしながら、回収された気体は、そのまま大気中に排気されているため、気体使用量が増大し、ランニングコストがかさんでしまうという問題がある。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、電子線露光装置等の精密移動・位置決め用ステージ装置の駆動部として用いられるエアアクチュエータにおいて、使用される気体の量を抑えることができるエアアクチュエータ、及びこれを用いたステージ装置、露光装置等を提案することを目的とする。

本発明に係るエアアクチュエータ、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、真空環境或いは所定ガス（Ｇ）環境内において使用されるエアアクチュエータ（１０，２０）において、エアアクチュエータの２つの気体室（１３ａ，１３ｄ）に対して、２つの３ポート２方向制御弁（１５）を一対一に接続して、高圧ガス（Ａ）をそれぞれ供給する高圧ガス供給部（３０）と、エアアクチュエータの２つの気体室に供給された高圧ガスを２つの３ポート２方向制御弁を介してそれぞれ回収するとともに、回収した高圧ガスを高圧ガス供給部に送気する配管経路を有する高圧ガス循環部（４０）と、を備え、前記２つの３ポート２方向制御弁を相反する方向状態に交互に繰り返すようにした。
この発明によれば、エアアクチュエータに供給する高圧ガスが再利用されるので、エアアクチュエータのランニングコストを大幅に抑えることができる。

また、高圧ガス循環部（４０）は、高圧ガス（Ａ）に含まれる不純物を取り除くフィルタ（３３，４３）を備えるものでは、クリーン度を常に保つことができるので、例えば半導体製造設備内での使用が可能になる。
また、高圧ガス循環部（４０）は、高圧ガス（Ａ）の温度を調整する調温部（４４）を備えるものでは、エアアクチュエータの駆動に伴う温度上昇を抑えることができる。
また、高圧ガス循環部（４０）は、高圧ガス（Ａ）の湿度を管理する調湿部（４５）を備えるものでは、結露によるエアアクチュエータの不具合発生を回避することができる。
また、高圧ガス（Ｇ）としては、空気、窒素、ヘリウム、酸素、アルゴンのいずれかを用いることができる。
また、所定ガス（Ａ）としては、窒素、ヘリウム、酸素のいずれかを用いることができる。

第２の発明は、板状体（Ｒ，Ｗ）を戴置して移動可能なテーブルを有するステージ装置において、テーブルを移動させる駆動部（１０，２０）に、第１の発明のエアアクチュエータ（１０，２０）が用いられるようにした。この発明によれば、ステージ装置のランニングコストが抑えられるとともに、ステージの駆動にともなう磁界の変動を回避することができる。

第３の発明は、マスク（Ｒ）を保持するマスクステージ（１２０）と、基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（１４０）とを有し、マスクに形成されたパターン（ＰＡ）を基板に露光する露光装置（ＥＸ）において、マスクステージと基板ステージの少なくとも一方に、第２の発明のステージ装置（５０）を用いるようにした。この発明によれば、露光装置のランニングコストを抑えることができるとともに、ステージ周辺の磁界の変動を回避することができる。
また、露光装置（ＥＸ）が、電子線（ＥＢ）をマスク（Ｒ）に投射して、基板を露光する電子線露光装置（ＥＸ）であるものでは、ステージの周辺における磁界変動がないので、電子線を基板の所定位置に正確に導くことができる。

第４の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程において第３の発明の露光装置（ＥＸ）を用いるようにした。この発明によれば、微細なパターンが形成されたデバイスを低コストに製造することができる。

本発明によれば以下の効果を得ることができる。
第１の発明のエアアクチュエータによれば、ランニングコストを大幅に抑えることができるので、例えば半導体の製造装置等の駆動源に用いた場合には、製造される半導体のコストを抑えることができる。
第２の発明のステージ装置によれば、駆動源のランニングコストが抑えられるので、ステージ装置としてのランニングコストも抑えられる。
第３の発明の露光装置によれば、微細なパターンを安価に形成することができる。特に、電子線露光装置の場合には、ステージ装置の周辺の磁界変動がないので、電子線を基板の所定位置に正確に導くことができる。
第４の発明のデバイスの製造方法によれば、微細なパターンが形成されたデバイスを低価格に製造することができるので、大容量化、高速化、大集積化されたデバイスの拡販を押し進めることができる。

以下、本発明のエアアクチュエータ、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図１は、エアアクチュエータ１０の構成を示す側面断面図である。
エアアクチュエータ１０は、ガイド固定部１１と固定ガイド１２とスライダ１３等から構成される。固定ガイド１２は、中空のボックス状をしたスライダ１３に嵌合されることにより、スライダ１３が固定ガイド１２に沿って移動可能となっている。
スライダ１３の両端側の内面は、固定ガイド１２との摺動面となっており、摺動面の上下及び両側面（不図示）にエアパッド１６が付設される。
エアパッド１６には、エア配管１４ａから圧縮気体（高圧ガス）Ａが供給される。エアパッド１６の周囲には、順に大気開放ガードリング１７、低真空排気ガードリング１８、高真空排気ガードリング１９が設けられる。なお、固定ガイド１２内には、これらのガードリング１７，１８，１９から圧縮気体Ａを回収及び排気するための通路（不図示）も形成される。
固定ガイド１２のほぼ中央には、しきり板１２ｅ，１２ｆが設けられる。また、スライダ１３の中央部は、しきり板１２ｅ，１２ｆにより、２つの気体室１３ａ，１３ｂに分割される。また、固定ガイド１２内には、スライダ１３の気体室１３ａ，１３ｂに圧縮気体Ａを供給するための通路１２ａが設けられる。通路１２ａの両端部には、圧空制御弁１５が設けられており、気体室１３ａ，１３ｂに供給する圧縮気体Ａの圧力を制御可能とする。
そして、隣り合う気体室１３ａ，１３ｂに圧力差をつけることにより、スライダ１３を固定ガイド１２に沿って往復移動させることが可能となる。例えば、気体室１３ａの圧力を気体室１３ｂよりも高くすることにより、気体室１３ａ，１３ｂの内壁にかかる圧力に差が生じる。そして、比較的高い圧力のかかった気体室１３ａの左方の内壁が押され、スライダ１３が固定ガイド１２に沿って相対的に左方向に移動する。
なお、エアアクチュエータ１０に供給される圧縮気体Ａとしては、空気、窒素、ヘリウム、酸素、アルゴンのいずれかであることが好ましい。

図２は、エアアクチュエータ１０の気体供給循環系を示す図である。
エアアクチュエータ１０には、エア供給系３０により圧縮気体（高圧ガス）Ａが供給される。
エア供給系（高圧ガス供給部）３０は、コンプレッサー３１、タンク３２、フィルタ３３、ミストセパレータ３４、レギュレータ３５、エア配管１４ｂ、圧空制御弁１５等からなり、圧縮気体Ａをエアアクチュエータ１０の気体室１３ａ，１３ｂに送気する。
そして、２つの圧空制御弁１５の動作を制御することにより、エアアクチュエータ１０の気体室１３ａ，１３ｂに圧力差を発生させてスライダ１３を往復移動させる。
また、２つの圧空制御弁１５の動作させることにより、気体室１３ａ，１３ｂから排気される圧縮気体Ａは、２つの圧空制御弁１５を介してエア循環系４０に送気される。
エア循環系（高圧ガス循環部）４０は、エア配管４１、タンク４２、フィルタ４３、調温器（調温部）４４、調湿器（調湿部）４５等からなり、エアアクチュエータ１０から回収した圧縮気体Ａをコンプレッサー３１に送気する。なお、エアアクチュエータ１０から回収した圧縮気体Ａの一部を大気放出してもよい。
これにより、エアアクチュエータ１０を駆動するために用いられる圧縮気体Ａは、エアアクチュエータ１０とエア供給系３０とエア循環系４０とを循環するので、その使用量を大幅に抑えることができる。

次に、本発明のステージ装置について説明する。
図３は、本発明のステージ装置５０を示す斜視図である。このステージ装置５０は、Ｘ方向及びＹ方向の駆動源として、エアアクチュエータ（駆動部）１０，２０が用いられる。
定盤５１の上面の２箇所には、それぞれ２つのガイド固定部１１を介して、Ｘ方向に平行に延びる２本の固定ガイド１２が対向するように固定される。この２本の固定ガイド１２及びその周辺の部材は、基本的に同様の構成をしている。各固定ガイド１２には、中空のボックス状をしたスライダ１３がＸ方向に摺動可能に嵌合されている。この固定ガイド１２とスライダ１３とは、エアアクチュエータ１０を構成しており、スライダ１３はＸ方向に駆動可能となっている。スライダ１３の側面には、エアアクチュエータ１０に圧縮気体Ａを供給するためのエア配管１４が設けられている。
２つのスライダ１３の間には、Ｙ方向に延びる移動ガイド２１が掛け渡されている。移動ガイド２１には、中空のボックス状をしたスライダ２２がＹ方向に摺動可能に嵌合されている。この移動ガイド２１とスライダ２２とは、エアアクチュエータ２０を構成しており、スライダ２２がＹ方向に駆動可能となっている。なお、エアアクチュエータ２０の基本的な構成は、エアアクチュエータ１０と同様である。
スライダ２２には、エアアクチュエータ２０に圧縮気体Ａを供給するためのエア配管１４が設けられている。また、スライダ２２の側面には、フランジ状のテーブル５２が突設される。そして、テーブル５２には、６自由度微動テーブルや移動鏡等を固定することが可能となっている。
上述のように、ステージ装置５０においては、Ｘ方向及びＹ方向の駆動用にエアアクチュエータ１０，２０を備えているので、磁場変動をほとんど発生させずに、テーブル５２をＸ方向及びＹ方向に移動及び位置決めすることができる。
また、テーブル５２上に、レチクルＲやウエハＷ等の板状体を戴置可能な６自由度微動テーブル等を設けることにより、レチクルＲやウエハＷの正確な位置決めを行うことができる。

図４は、電子ビーム露光装置ＥＸの構成を示す模式図である。
電子ビーム露光装置（電子線露光装置）ＥＸは、レチクル（板状体，マスク）Ｒとウエハ（板状体，基板）Ｗとを一次元方向に同期移動しつつ、電子ビーム（電子線）ＥＢを用いてレチクルＲに形成されたパターン（デバイスパターン）ＰＡを投影光学系１３０を介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
そして、電子ビーム露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢを放出する電子銃１０５と、電子銃１０５から放出される電子ビームＥＢを所定の形状の電子ビームＥＢに形成してレチクルＲを照射する照明光学系１１０と、レチクルＲを保持するレチクルステージ１２０、レチクルＲを通過した電子ビームＥＢをウエハＷ上に投射結像させる投影光学系１３０、ウエハＷを保持するウエハステージ１４０、電子ビーム露光装置ＥＸを統括的に制御する制御装置１５０等を備える。このうち、レチクルステージ１２０、ウエハステージ１４０はチャンバ１６１，１６２内に収容され、また照明光学系１１０及び投影光学系１３０はそれぞれハウジング１１３、鏡筒１３５内に収容され、真空或いは所定ガスＧ（例えば、窒素、ヘリウム、酸素等）内に配置される。
なお、以下の説明において、投影光学系１３０の光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でレチクルＲとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。更に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θ_Ｘ、θ_Ｙ、及びθ_Ｚ方向とする。

電子銃１０５は、例えば、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ_６）、タンタル（Ｔａ）が用いられる。
照明光学系１１０は、ハウジング１１３内にコンデンサレンズ１１１と、２段の電磁偏向器あるいは静電偏向器からなる視野選択偏向器１１２等を備える。そして、電子銃１０５から射出された電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ１１１で平行ビームとされ、その後、視野選択偏向器１１２によりＸＹ平面内の主にＸ方向に偏向されて、レチクルＲの所定の照射領域に導かれる。なお、視野選択偏向器１１２における偏向量は、後述する制御装置１５０により制御される。

レチクルステージ（ステージ装置，マスクステージ）１２０は、レチクルＲを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるＹ軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるエアアクチュエータ（いずれも不図示）を備える。そして、レチクル微動ステージには、円形開口が形成されており、この開口周辺に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルＲが真空吸着等により保持される。
このレチクルステージ１２０には、上述したステージ装置５０が用いられる。
そして、レチクルステージ１２０の２次元的な位置及び回転角は、レチクルステージ１２０上の端部に固定された移動鏡１２６の位置変化を、レーザ干渉計１２７によって所定の分解能でリアルタイムに計測される。また、レチクルステージ１２０のＹ方向の位置は、移動鏡１２６、レーザ干渉計１２７とほぼ直交するように配置された不図示の移動鏡とレーザ干渉計によって計測される。

投影光学系１３０は、所定の投影倍率β（βは、例えば１／４）で縮小する縮小系が用いられる。偏向器１３１、投影レンズ１３２，１３３、コントラストアパーチャー１３４等を備える。そして、レチクルＲを通過した電子ビームＥＢは偏向器１３１により所定量偏向された上で第一投影レンズ１３２に導かれる。その後、第一投影レンズ１３２により、レチクルＲとウエハＷの間を縮小率比で内分する点にクロスオーバで像を結んだ後、第二投影レンズ１３３を介してウエハＷ上の所定位置に投影倍率βで結像される。これらの光学系部材は、鏡筒１３５内に収容される。

ウエハステージ（ステージ装置，基板ステージ）１４０は、ウエハＷを保持するウエハホルダ１４１、ウエハＷのレベリング及びフォーカシングを行うためにウエハホルダ１４１をＺ軸方向、θ_Ｘ方向、及びθ_Ｙ方向の３自由度方向に微小駆動するウエハテーブル１４２、ウエハテーブル１４２をＹ軸方向に連続移動するとともにＸ軸方向にステップ移動するＸＹテーブル１４３、ＸＹテーブル１４３をＸＹ平面に沿った２次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤１４４、これらを駆動するエアアクチュエータ（不図示）等を備える。
このウエハステージ１４０には、上述したステージ装置５０が用いられる。
そして、ウエハテーブル１４２のＸ方向の位置は、ウエハテーブル１４２上のＸ方向の端部に固定された移動鏡１４６の位置変化を計測するレーザ干渉計１４７によって所定の分解能でリアルタイムに計測される。また、ウエハテーブル１４２のＹ方向の位置は、移動鏡１４６、レーザ干渉計１４７とほぼ直交するように配置された不図示の移動鏡とレーザ干渉計によって計測される。なお、これらレーザ干渉計１４７の少なくとも一方は、測長軸を２軸以上有する多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計１４７の計測値に基づいてウエハテーブル１４２（ひいてはウエハＷ）のθ_Ｚ方向の回転量及びレベリング量も求めることができる。

制御装置１５０は、電子ビーム露光装置ＥＸを統括的に制御するものであり、各種演算及び制御を行う演算部の他、各種情報を記録する記憶部や入出力部等を備える。
そして、例えば、レチクルステージ１２０及びウエハステージ１４０に設けられたレーザ干渉計１２７，１４７の検出結果に基づいてレチクルＲ及びウエハＷの位置を制御して、レチクルＲに形成されたパターンの像をウエハＷ上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。
また、入出力部から入力される露光データと、レーザ干渉計１２７，１４７が検出するレチクルステージ１２０及びウエハステージ１４０の位置情報とに基づいて、視野選択偏向器１１２及び偏向器１３１による電子ビームＥＢの偏向量を演算し、求めた偏向量に基づいて視野選択偏向器１１２及び偏向器１３１による電子ビームＥＢの偏向量が制御される。
なお、入出力部の入力装置としては、露光データの作成装置で作成した磁気情報を読み取るもの、レチクルＲやウエハＷに登録された露光情報をこれらの搬入の際に読み取るもの等がある。

続いて、以上のような構成を備えた電子ビーム露光装置ＥＸの作用について説明する。
まず、レチクルＲ及びウエハＷが、各種アライメント処理を経て、レチクルステージ１２０或いはウエハステージ１４０上に精度よく戴置される。そして、アライメント結果に基づいて、ウエハステージ１４０を移動させ、ウエハＷのファーストショット（第１番目のショット領域）の露光処理が開始される。
露光処理では、電子銃１０５から射出されて断面正方形状（例えば１ｍｍ角）に整形された電子ビームＥＢが、視野選択偏向器１１２により光学系の光軸ＡＸから所定距離だけ偏向せしめられてレチクルＲの照射領域に導かれる。照射領域への電子ビームＥＢの照射に伴って、その領域に形成されたパターンに対応した形状のパターン像が第１投影レンズ１３２及び第２投影レンズ１３３を介してウエハＷの対応部に所定の縮小率（例えば１／４）で結像投影される。１回のショット（照射）毎に、ウエハＷ上で２５０μｍ角の領域（エリア）を一括で転写する。そして、投影時にはサブフィールドを単位として電子ビームＥＢの照射が繰り返され、各サブフィールド内のパターン像がウエハＷ上の異なる被転写サブフィ−ルドに順次投影される。
これらの一連の動作を、レチクルＲとウエハＷを４：１の速度で同期を取りながら移動させ、電子ビームＥＢをレチクルＲ上で２０ｍｍ幅（ウエハＷ上では１／４倍の５ｍｍ幅）にて電磁偏向で振りながら（走査しながら）、回路パターンを露光する。
このように、電子ビーム露光装置ＥＸでは、電子ビームＥＢの偏向幅の大きさとも相まって、露光時間を大幅に短縮し、スループットを飛躍的に向上することができる。

ところで、電子ビームＥＢを用いた露光処理では、電子ビームＥＢをウエハＷ上の所定位置に正確に導くためには、レチクルステージ１２０及びウエハステージ１４０の移動の際に、周辺の磁界に変動させないようにする必要がある。
本発明の電子ビーム露光装置ＥＸによれば、レチクルステージ１２０及びウエハステージ１４０（ステージ装置５０）の駆動装置には、エアアクチュエータ１０，２０が用いられているので、周辺の磁界の変動が発生しない。しかも、エアアクチュエータ１０，２０にエア循環系４０を設けたので、圧縮気体Ａの排気量を抑えることが可能となり、電子ビーム露光装置ＥＸのランニングコストが抑えられる。
また、エア循環系４０は、圧縮気体Ａに含まれる不純物を取り除くフィルタ４３，３３を備えるので、クリーン度を常に保つことができる。したがって、電子ビーム露光装置ＥＸ等に好適に用いられる。
また、エア循環系４０は、圧縮気体Ａの温度を調整する調温器４４を備えるので、エアアクチュエータ１０，２０の駆動に伴うエアアクチュエータ１０，２０の温度上昇を抑えることができる。更に、調湿器４５を備えるので、結露によるエアアクチュエータ１０，２０の不具合発生を回避することができる。

なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。

例えば、エアアクチュエータ１０における気体室１３ａ，１３ｂから排気される圧縮気体Ａのみを回収する場合について説明したが、スライダ１３の内面に設けられた大気開放ガードリング１７、低真空排気ガードリング１８、高真空排気ガードリング１９から排気される圧縮気体Ａを回収して、エア供給系３０に戻してもよい。

また、本発明が適用される露光装置としては、マスクを用いる構成には限らない。マスクを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成としてもよい。
また、電子線露光装置には、限らない。電子ビームに替えて、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）やＸ線を用いることができる。
さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。

また、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置を用いてもよい。
また、本発明が適用される露光装置として、投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置を用いてもよい。

また、露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適用できる。

また、投影光学系としては、電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いる場合の他、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ_２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または反射系の光学系を用いる（このとき、レチクルも反射型タイプのものを用いる）。

ウエハステージの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
また、ウエハステージの移動により発生する反力は、カウンタマスをウエハステージの移動方向と逆方向に移動させることにより相殺させてもよい。

レチクルステージの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

また、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作する工程、シリコン材料からウエハを製造する工程、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイス組み立て工程（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査工程等を経て製造される。

エアアクチュエータ１０の構成を示す側面断面図 エアアクチュエータ１０の気体供給循環系を示す図 ステージ装置５０を示す斜視図 電子ビーム露光装置ＥＸの構成を示す模式図

符号の説明

１０，２０ エアアクチュエータ（駆動部）
３０ エア供給系（高圧ガス供給部）
３３，４３ フィルタ
４０ エア循環系（高圧ガス循環部）
４４ 調温器（調温部）
４５ 調湿器（調湿部）
５０ ステージ装置
５２ テーブル
１２０ レチクルステージ（ステージ装置，マスクステージ）
１４０ ウエハステージ（ステージ装置，基板ステージ）
Ａ 圧縮気体（高圧ガス）
Ｇ 所定ガス
Ｒ レチクル（板状体，マスク）
Ｗ ウエハ（板状体，基板）
ＰＡ パターン
ＥＢ 電子ビーム（電子線）
ＥＸ 電子ビーム露光装置（電子線露光装置）

Claims (10)

1. 真空環境或いは所定ガス環境内において使用されるエアアクチュエータにおいて、
   前記エアアクチュエータの２つの気体室に対して、２つの３ポート２方向制御弁を一対一に接続して、高圧ガスをそれぞれ供給する高圧ガス供給部と、
   前記エアアクチュエータの前記２つの気体室に供給された前記高圧ガスを前記２つの３ポート２方向制御弁を介してそれぞれ回収するとともに、回収した前記高圧ガスを前記高圧ガス供給部に送気する配管経路を有する高圧ガス循環部と、
   を備え、
   前記２つの３ポート２方向制御弁を相反する方向状態に交互に繰り返す
   ことを特徴とするエアアクチュエータ。
2. 前記高圧ガス循環部は、前記高圧ガスに含まれる不純物を取り除くフィルタを備えることを特徴とする請求項１に記載のエアアクチュエータ。
3. 前記高圧ガス循環部は、前記高圧ガスの温度を調整する調温部を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエアアクチュエータ。
4. 前記高圧ガス循環部は、前記高圧ガスの湿度を管理する調湿部を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載のエアアクチュエータ。
5. 前記高圧ガスは、空気、窒素、ヘリウム、酸素、アルゴンのいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載のエアアクチュエータ。
6. 前記所定ガスは、窒素、ヘリウム、酸素のいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載のエアアクチュエータ。
7. 板状体を戴置して移動可能なテーブル部を有するステージ装置において、
   前記テーブル部を移動させる駆動部に、請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載のエアアクチュエータが用いられることを特徴とするステージ装置。
8. マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置において、
   前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、請求項７に記載のステージ装置を用いることを特徴とする露光装置。
9. 前記露光装置は、電子線を前記マスクに投射して、前記基板を露光する電子線露光装置であることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
10. リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において請求項８又は請求項９に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
    
    
    

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