JP4442372B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4442372B2 JP4442372B2 JP2004268103A JP2004268103A JP4442372B2 JP 4442372 B2 JP4442372 B2 JP 4442372B2 JP 2004268103 A JP2004268103 A JP 2004268103A JP 2004268103 A JP2004268103 A JP 2004268103A JP 4442372 B2 JP4442372 B2 JP 4442372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- diode
- threshold
- detecting
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
前記半導体パワー素子の温度を検出する第1の温度検出素子と、
前記第1の温度検出素子によって検出された温度が第1の閾値を超えたときに過熱判定を行う温度検出回路と、を備えた半導体装置において、
前記フリーホイールダイオードの温度を検出する第2の温度検出素子を備え、
前記温度検出回路は、前記第2の温度検出素子によって検出された温度が前記第1の閾値と異なる第2の閾値を超えたときにも過熱判定を行うことを特徴としている。
前記第1、第2の温度検出素子は、第1、第2のダイオードであって、並列接続され、この並列された前記第1、第2のダイオードの検出温度電圧が前記温度検出回路に入力されるようになっており、
前記温度検出回路は、前記電流検出手段にて検出されたパワー部に流れる電流により、前記半導体パワー素子に電流が流れていることを判別したときには前記第1の閾値を設定し、前記フリーホイールダイオードに電流が流れていることを判別したときには前記第2の閾値を設定する閾値設定手段と、前記並列接続された第1、第2のダイオードの検出温度電圧を前記閾値設定手段にて設定された前記第1、第2の閾値のいずれか一方と比較して前記過熱判定を行う判定手段とを有する。
前記第1、第2の温度検出素子は、第1、第2のダイオードであって、前記第1、第2のダイオードの検出温度電圧が前記温度検出回路に入力されるようになっており、
前記温度検出回路は、前記電流検出手段にて検出されたパワー部に流れる電流により、前記半導体パワー素子に電流が流れていることを判別したときには前記第1の閾値を設定し、前記フリーホイールダイオードに電流が流れていることを判別したときには前記第2の閾値を設定する閾値設定手段と、前記閾値設定手段が前記第1の閾値を設定しているときに前記第1のダイオードの検出電圧を選択し、前記閾値設定手段が前記第2の閾値を設定しているときに前記第2のダイオードの検出電圧を選択する選択手段と、前記選択手段にて選択された前記第1、第2のダイオードの検出電圧のいずれか一方を前記閾値設定手段にて設定された前記第1、第2の閾値のいずれか一方と比較して前記過熱判定を行う判定手段とを有する。
図1に、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の構成を示す。この図1に示す実施形態は、IGBT11と、このIGBT11に逆並列接続されたフリーホイールダイオード21とからなるパワー部に対し、その過熱判定および過熱判定に基づく制御が行えるようにしたものである。このパワー部は、図10に示す昇降圧コンバータ101における、IGBT101cとそれに逆並列接続されたフリーホイールダイオード101eからなるパワー部と、IGBT101dとそれに逆並列接続されたフリーホイールダイオード101fからなるパワー部の一方を示している。なお、他方のパワー部についても図1に示すものと同様の構成にて過熱判定およびその過熱判定に基づく制御が行えるようになっている。
(第2実施形態)
上記した第1実施形態では、半導体基板201の表面に酸化膜205を介してポリシリコンによるダイオード206およびそれに通電するための第1、第2の配線207、208を形成するものを示したが、図7に示すように、半導体基板201の表層部にp型の分離島214を形成し、この分離島214にn型拡散層206a、p型拡散層206bを形成してダイオード206を構成するようにしてもよい。なお、ダイオード206に通電するための第1、第2の配線207、208および電極パッド209、210は、図7には図示してないが、第1実施形態と同様、半導体基板201の表面に形成された酸化膜205上に形成されている。
(第3実施形態)
上記した第2実施形態では、第2の温度検出素子を拡散ダイオード206で構成するものを示したが、図9に示すように拡散抵抗215で構成するようにしてもよい。この図9に示す構成は、図7に示すn型拡散層206a、p型拡散層206bの替わりに拡散抵抗215を形成したものであって、その他の構成は図7に示すものと同じである。
(その他の実施形態)
なお、上記した第1、第2実施形態において、パワー部を流れる電流IcをIGBT11の電流センサ出力端子に接続された電流検出用抵抗50によって検出するものを示したが、それ以外の部位からパワー部を流れる電流Icを検出するようにしてもよい。
Claims (3)
- 半導体パワー素子と、この半導体パワー素子に逆並列接続されたフリーホイールダイオードとからなるパワー部と、
前記半導体パワー素子の温度を検出する第1の温度検出素子と、
前記第1の温度検出素子によって検出された温度が第1の閾値を超えたときに過熱判定を行う温度検出回路と、を備えた半導体装置において、
前記フリーホイールダイオードの温度を検出する第2の温度検出素子を備え、
前記温度検出回路は、前記第2の温度検出素子によって検出された温度が前記第1の閾値と異なる第2の閾値を超えたときにも過熱判定を行う半導体装置であって、
前記パワー部に流れる電流を検出する電流検出手段を備え、
前記第1、第2の温度検出素子は、第1、第2のダイオードであって、並列接続され、この並列された前記第1、第2のダイオードの検出温度電圧が前記温度検出回路に入力されるようになっており、
前記温度検出回路は、前記電流検出手段にて検出されたパワー部に流れる電流により、前記半導体パワー素子に電流が流れていることを判別したときには前記第1の閾値を設定し、前記フリーホイールダイオードに電流が流れていることを判別したときには前記第2の閾値を設定する閾値設定手段と、前記並列接続された第1、第2のダイオードの検出温度電圧を前記閾値設定手段にて設定された前記第1、第2の閾値のいずれか一方と比較して前記過熱判定を行う判定手段とを有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体パワー素子と、この半導体パワー素子に逆並列接続されたフリーホイールダイオードとからなるパワー部と、
前記半導体パワー素子の温度を検出する第1の温度検出素子と、
前記第1の温度検出素子によって検出された温度が第1の閾値を超えたときに過熱判定を行う温度検出回路と、を備えた半導体装置において、
前記フリーホイールダイオードの温度を検出する第2の温度検出素子を備え、
前記温度検出回路は、前記第2の温度検出素子によって検出された温度が前記第1の閾値と異なる第2の閾値を超えたときにも過熱判定を行う半導体装置であって、
前記パワー部に流れる電流を検出する電流検出手段を備え、
前記第1、第2の温度検出素子は、第1、第2のダイオードであって、前記第1、第2のダイオードの検出温度電圧が前記温度検出回路に入力されるようになっており、
前記温度検出回路は、前記電流検出手段にて検出されたパワー部に流れる電流により、前記半導体パワー素子に電流が流れていることを判別したときには前記第1の閾値を設定し、前記フリーホイールダイオードに電流が流れていることを判別したときには前記第2の閾値を設定する閾値設定手段と、前記閾値設定手段が前記第1の閾値を設定しているときに前記第1のダイオードの検出電圧を選択し、前記閾値設定手段が前記第2の閾値を設定しているときに前記第2のダイオードの検出電圧を選択する選択手段と、前記選択手段にて選択された前記第1、第2のダイオードの検出電圧のいずれか一方を前記閾値設定手段にて設定された前記第1、第2の閾値のいずれか一方と比較して前記過熱判定を行う判定手段とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記フリーホイールダイオードと前記第2のダイオードは、同一ICチップに形成され、前記第2のダイオードは、前記フリーホイールダイオードの素子形成領域と分離された分離島に形成された拡散ダイオードであり、前記拡散ダイオードの接続配線の電位により前記拡散ダイオードが前記分離島と逆バイアスされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004268103A JP4442372B2 (ja) | 2004-09-15 | 2004-09-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004268103A JP4442372B2 (ja) | 2004-09-15 | 2004-09-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006087191A JP2006087191A (ja) | 2006-03-30 |
JP4442372B2 true JP4442372B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=36165224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004268103A Expired - Fee Related JP4442372B2 (ja) | 2004-09-15 | 2004-09-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4442372B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5531868B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2014-06-25 | 株式会社デンソー | 温度検出装置および温度検出方法 |
CN103941172B (zh) * | 2013-01-22 | 2016-12-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体测试装置及测试方法 |
JP7163815B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2022-11-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置と定電流源と電圧計を有する回路 |
JP2022038003A (ja) * | 2020-08-26 | 2022-03-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-09-15 JP JP2004268103A patent/JP4442372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006087191A (ja) | 2006-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4224932B2 (ja) | 車両用交流発電機の電圧制御装置 | |
JP4736668B2 (ja) | 負荷駆動装置の信号検出装置 | |
US9742389B2 (en) | Semiconductor device and control method thereof | |
JP5267616B2 (ja) | 駆動制御装置 | |
JP5651927B2 (ja) | スイッチング制御回路 | |
US7859213B2 (en) | Control device and control method | |
US20080007920A1 (en) | Loading driving device | |
JP6070635B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4892032B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP4146607B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2008042950A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2010199490A (ja) | パワー半導体装置の温度測定装置およびこれを使用したパワー半導体モジュール | |
JP5974548B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3482948B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20060027917A1 (en) | Component arrangement having an evaluation circuit for detecting wear on connections | |
JP4442372B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5534076B2 (ja) | 駆動制御装置 | |
US6844614B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2018129358A (ja) | 電流検出装置、負荷駆動システム、及び、電流検出装置の製造方法 | |
JP4366269B2 (ja) | 半導体素子の温度検出方法及び電力変換装置 | |
CN116137291A (zh) | 半导体装置及电力变换装置 | |
JP4862319B2 (ja) | 保護回路を備えた半導体装置 | |
JP2015173539A (ja) | 制御装置 | |
JP7232743B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた整流素子、オルタネータ | |
JP2681990B2 (ja) | 保護機能を備えた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100104 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4442372 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |