JP4423771B2 - メモリーモジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報通信機能及びストレージ機能を小型モジュール内に集約したメモリーモジュールに関するものであり、例えばパーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオ機器、オーディオ機器等のホスト機器とネットワークとを接続するための着脱自在な超小型メモリーモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、音楽や、音声、画像等のデータがデジタル化され、パーソナルコンピュータやモバイルコンピュータで容易に扱えるようになってきた。また、音声コーデックや画像コーデックにより帯域が圧縮され、デジタル通信やデジタル放送を利用してそれらのデータを容易に配信できる環境が整ってきている。
【0003】
これらオーディオ−ビデオ(AV)データの通信においては、セルラー電話やコードレスフォン等により戸外での送受信が可能になってきている他、家庭内でも様々なホームネットワークが提案されている。
【0004】
このような通信のためのネットワークとしては、例えばIEEE802.11において提案されているような5GHz帯のホームネットワーク、2.45GHzのLAN、さらには“Bluetooth”と呼ばれる近距離通信、ワイヤレスコミュニケーション方式等が提唱されており、次世代ワイヤレスネットワークとして期待されている。
【0005】
また、家庭内や戸外でこれらのワイヤレスネットワークを用いることにより、シームレスに様々なデータのやり取り、インターネットへのアクセス、インターネット上へのデータの送受信等が可能になる。
【0006】
但し、このような環境を実現するためには、音楽やビデオを再生・記録する、いわゆるAV機器も通信機能を装置に装着する必要が生じる。
【0007】
一方、AVデータのデジタル化は、データの記録、蓄積の面から見たとき、ハードディスクや光磁気(MO)ディスク、或いは半導体メモリー等、コンピュータのストレージへの記録、蓄積が可能であることを意味し、それぞれ独自のフォーマットを持った従来のアナログ記録方式(例えば、オーディオコンパクトカセット、VHS方式ビデオカセット、いわゆるレーザーディスク等)に取って代わる様相を呈している。
【0008】
特に、フラッシュメモリー等の半導体メモリーは、記録容量当たりの体積が非常に小さく、着脱可能なメモリーモジュールとして独自のインターフェースを持ったものが、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、携帯型音響機器、ノート型パソコン等に採用され始めており、このメモリーモジュールを用いて、音声や画像等のデータの機器から機器への移動や移植、記録、蓄積が行われるようになってきている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、個人用のAV機器にも、あらゆるネットワークへの接続のためのインターフェースが必要になってきているが、例えば個人用に携帯性を重視して作られる、いわゆるモバイル機器においては、複数の通信ポートを設けたり、複数の通信ハードウェアを内蔵するのは非常に負担が大きく、普及の妨げとなっている。
【0010】
また、様々なワイヤレスコミュニケーション手段を装着することも、携帯機器には非常に負担であり、特に無線通信方式を用いる複数の異なる通信手段の同時搭載は、同一の帯域や、異なる帯域でも混信やお互いの干渉などの問題を引き起こす可能性があり、好ましくない。
【0011】
一方、前述のメモリーモジュールは、通常はモジュール自体を抜き差しして、データの移動、移植、蓄積を行うが、これらの作業は非常に煩雑であり、その改善が待たれるところである。
【0012】
そこで、本発明者らは、いわゆるメモリーモジュールの中に通信機能を搭載し、メモリーモジュールの有するホスト側のAV機器とのインターフェースに対して着脱可能とした超小型通信モジュールを、平成11年特許願第323453号において提案した。
【0013】
ところで、このような超小型通信モジュールでは、狭小な内部空間に通信機能を実現するための素子を実装可能とするために、より小型で特性の優れたアンテナが求められている。
【0014】
このため、この通信モジュールでは、高周波信号が出入力される、例えば逆F型、ダイポール型、パッチ型等の各種形態のアンテナを有し、このようなアンテナを、例えばカード状の筐体の表面に形成したり、或いは筐体に設けた突出部に形成した構造となっている。
【0015】
例えば、逆F型アンテナを使用した場合には、図30及び図31に示すように、実効的に略λ/4の長さを有するアンテナパターン200が、筐体或いは誘電体基板201の一部に形成され、その一端部が接地点s1として図示しないグランド配線パターン(GND)と接地された構造となっている。また、アンテナパターン200は、その中間点に給電点s2を有し、この給電点s2からアンテナへのRF信号の給電及び配電が行われる。なお、アンテナパターン200の他端部が開放点s3となっている。なお、図31は、図30に示す逆F型アンテナを模式的に示した図である。
【0016】
このような逆F型アンテナの場合には、アンテナの共振器の長さが略λ/4となるときに、波長λに相当する周波数F0で共振が起き、アンテナとして機能することとなる。
【0017】
ところで、この共振周波数F0は、ほぼアンテナの共振器の長さにより決定されるものであるが、例えば2.45GHz帯域にて機能するアンテナを得ようとすれば、自由空間での波長λは約120mmとなり、アンテナの共振器の長さλ/4も約30mmと長いものになってしまう。このため、上述したアンテナの小型化を図るためには、アンテナの実効波長を短くすることが重要となる。
【0018】
このようなアンテナの実効波長を短くする、すなわちアンテナの共振器の長さを短くする方法としては、アンテナパターンが形成される誘電体基板の比誘電率εrを大きくすることが考えられる。
【0019】
しかしながら、この場合、誘電体基板をある程度(例えば、1mm前後以上)の厚みとしなければ、そのような効果は得られないことから、アンテナの小型化を図る上で有効とはならない。また、かなり高い比誘電率εr(100前後)を有する基板を用いれば、アンテナの実効波長を短くすることが可能になるが、この場合、基板がセラミック系の高誘電率基板となり、一般のエポキシ系樹脂からなる基板と比べて、コストの増大を招くこととなる。
【0020】
そこで、本発明はこのような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、コストの増大を招くことなく、アンテナ素子の実効波長を短くすることにより、このアンテナ素子の小型化を可能とした超小型メモリーモジュールを提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成する本発明に係る通信端末装置は、厚さ3.5mm以下の矩形状をなし、一端側にホスト機器と着脱自在に接続されるコネクタ部を有する筐体を有し、上記筐体内に、上記一端側から順に、ストレージ機能用メモリー素子とベースバンド信号処理を行う素子と高周波信号処理を行う素子とアンテナ素子とが配列され、上記各素子は、フレキシブル配線基板の一方の面上に実装されており、当該フレキシブル配線基板の一部に上記アンテナ素子のアンテナパターンが形成され、上記ベースバンド信号処理を行う素子と上記高周波信号処理を行う素子との間及び上記筐体内を埋めるように電波吸収体が設けられ、上記フレキシブル配線基板の他方の面上には、上記アンテナ素子のアンテナパターンのうち、少なくとも共振器パターンとなる部分に隣接する位置に対応した位置に、上記アンテナ素子の共振周波数を調整するためのグランドパターンが設けられ、上記フレキシブル配線基板の一方の面に形成された上記アンテナ素子のアンテナパターンのうち共振器パターンとなる部分から給電点となる部分まで延設されるパターンと、上記フレキシブル配線基板の他方の面に形成された上記グランドパターンとが対向配置されてマイクロストリップ線路が形成され、上記アンテナ素子のアンテナパターンには、上記共振器パターンとなる部分に、上記アンテナパターンと上記グランドパターンとに接続され、上記アンテナ素子の共振周波数を調整するコンデンサと、上記給電点となる部分に、上記アンテナパターンと上記グランドパターンとに接続されるコンデンサ又はコイルとが設けられ、上記フレキシブル配線基板の一方の面上には、上記アンテナパターンと連続するように配置パターンが設けられ、上記配置パターンには、上記アンテナパターンに沿って複数の接続端子が設けられており、これら複数の接続端子のうち、何れか1ヶ所以上に、上記コンデンサが取り付けられている。
【0022】
このメモリーモジュールでは、アンテナ素子のアンテナパターンのうち、少なくとも共振器パターンとなる部分にコンデンサが設けられていることから、アンテナ素子の共振周波数を下げることができ、このアンテナ素子の実効波長を短くすることができる。これにより、アンテナ素子の共振器パターンの長さを短くすることが可能となり、このアンテナ素子の小型化が実現される。また、電波吸収体は、小型の筐体を用いた場合において、高周波信号処理を行う素子の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空間的電磁的共振を抑制する。
【0023】
なお、アンテナ素子は、コンデンサの配置や、数、容量等を変えることにより、その共振周波数を任意に調整することが可能である。
【0025】
このメモリーモジュールでは、アンテナ素子のアンテナパターンのうち、少なくとも共振器パターンとなる部分に隣接する位置に対応するフレキシブル配線基板の他方の面上の位置にグランドパターンが設けられていることから、アンテナ素子の共振周波数を下げることができ、このアンテナ素子の実効波長を短くすることができる。これにより、アンテナ素子の共振器パターンの長さを短くすることが可能となり、このアンテナ素子の小型化が実現される。また、電波吸収体は、小型の筐体を用いた場合において、高周波信号処理を行う素子の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空間的電磁的共振を抑制する。
【0026】
なお、アンテナ素子は、グランドパターンの配置や大きさ(面積)等を変えることにより、その共振周波数を任意に調整することが可能である。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した通信端末装置(通信モジュール)について、図面を参照して詳細に説明する。
【0028】
これまで提案されているメモリーモジュールは、何れも厚さが3.5mm以下である。それに対して、本発明を適用した通信端末装置は、このような超小型メモリーモジュール内に通信機能を実現するための素子を実装することで、情報通信機能とストレージ機能を集約し、全く新たな超小型通信モジュールとしたものである。
【0029】
以下、いわゆるメモリースティック(商品名)と同様の筐体内にストレージ機能や通信機能を実現するための素子を実装した通信モジュールを例に、その具体的な構造を説明する。
【0030】
メモリースティックは、全体の厚さが2.8mmであり、ストレージ機能用メモリーが50.0mm×21.45mmの矩形状の筐体内に収められている。筐体も含めた体積は3ml以下である。筐体は、ABS樹脂や液晶ポリマー(LCP)等の成形部材からなり、上蓋と下蓋とに二分割されている。
【0031】
本例では、このような限られた空間内に、ストレージ機能、通信機能を付加するための素子を高密度実装している。
【0032】
図1は、本発明を適用した通信モジュールの外観を示すものであり、長方形状の筐体1の一端側には、ホスト機器との接続を図るためのコネクタ部となる端子2が設けられている。
【0033】
したがって、本発明を適用したモジュールは、ホスト機器との間のデータの授受を行うための入出力インターフェースを有していることが必要である。
【0034】
この入出力インターフェースには、任意のものを採用することができるが、上述したように、本発明は、これまで提案されているメモリーモジュールに通信機能を集約するというのが基本的な考えであるので、この場合には市販メモリーモジュールの入出力インターフェースをそのまま流用する。したがって、本例では、メモリースティックの入出力インターフェースをそのまま流用して用いる。
【0035】
上記筐体1内には、通信機能及びストレージ機能を有する各種素子が実装されており、この実装状態を示すのが図2及び図3である。実装される素子は、主に、ストレージ機能用メモリー素子3と、ベースバンド信号処理を行うための素子(ベースバンドLSI)4、高周波信号処理を行う素子(RFモジュール)5、アンテナ素子6である。
【0036】
これらの素子は、本例では、厚さ0.2mm以下のフレキシブル配線基板7に実装され、全体の厚さが2.8mm以下という筐体1内の限られた空間に収められている。
【0037】
上記フレキシブル配線基板7の一端側には、上記筐体1に設けられた端子列2と対応して接続端子部7aが設けられており、この接続端子部7aを端子列2と電気的に接続することで、端子列2を介してホスト機器との間のデータの授受が可能である。
【0038】
上記筐体1は長方形であるので、本例では、接続端子部7a側から順に、ストレージ機能用メモリー素子3、ベースバンドLSI4、RFモジュール5、アンテナ素子6が配列されている。
【0039】
これは、損失を極力小さくするとの観点から決定されたものであり、配列を替えた場合には配線が複雑になり、その結果、損失が増大し、またRFモジュール5による干渉、アンテナ素子6の機能低下等が問題となる。
【0040】
各素子は、いわゆるチップ部品とされており、図4に示すように、各種配線パターンや接続端子が形成されたフレキシブル配線基板7に他の一般部品8とともに実装されている。
【0041】
また、ベースバンドLSI4とRFモジュール5の間、及び筐体1内の空間を埋めるかたちで、電波吸収体9が設けられている。
【0042】
次に、各素子の構造及び機能について説明する。
【0043】
先ず、RFモジュール5であるが、これはアンテナ素子6より入った高周波信号を検波再生し、ベースバンド信号に変換するという機能を有する。
【0044】
RFモジュールを構成する機能素子としては、共振器、フィルタ、キャパシタ、インダクタ等が挙げられ、通常、これらはチップ部品として実装されるが、ここでは、上述したような限られた空間に収容するため、これらを多層基板内に内蔵し、素子全体の厚さを極力小さくするように設計されている。
【0045】
図5は、このRFモジュール5の一例を示すものである。このRFモジュール5では、セラミック基板(或いは有機基板)51の内層或いは外層に、共振器(フィルタ)52、キャパシタ53、インダクタ54等が多層化技術により組み込まれ、内蔵化されている。各機能素子間は、これらを繋ぐ配線パターン、スルーホール等により電気的に接続されており、セラミック基板51自体が一つの機能部品として動作する。
【0046】
そして、これら機能素子が内蔵されたセラミック基板51に、その他のチップ部品55やRF半導体LSI56を実装することで、一つのチップ部品としてRFモジュール5が構成されている。
【0047】
ここで、RF半導体LSI56は、フリップチップ接続によりセラミック基板51に搭載されており、接続による厚さの増加が抑えられている。フリップチップ接続は、半導体チップ表面の電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、表裏逆にして配線基板の電極とバンプとを位置合わせし、いわゆるフェースダウンボンディングで接続する実装方法である。本例でも、RF半導体LSI56にバンプ(例えば、はんだバンプ)57を形成し、これをセラミック基板51の電極と位置合わせし、これを加熱溶融することでフェースダウンボンディングされている。このフリップチップ接続によれば、例えばワイヤーボンディングと比べて、ワイヤーの引き回し空間が不要となり、特に高さ方向の寸法を大幅に削減することができる。
【0048】
ベースバンドLSI4は、通信の信号処理及び、後述するメモリー機能をコントロールするコントローラ、或いは通信モジュールがホスト側インターフェースに挿入された際のインターフェース機能を司る機能等を有するLSIである。また、場合によっては、本例の通信モジュールに搭載の通信機能を用いて、インターネット接続を行った場合の個人情報やプロバイダ情報を格納しておくことで、半自動的に特定のサイトへの接続や情報の発信、受信を可能にせしめるような機能も有する。
【0049】
上記ベースバンドLSI4は、単一のLSIチップとして構成することができれば理想的であるが、様々な機能を盛り込む必要があるため、通常は複数のLSIチップを組み合わせることにより構成される。
【0050】
このとき、スペースファクタ等を考慮すると、先のRFモジュール5の場合と同様、フリップチップ接続を利用した縦積み構造とすることが有利である。
【0051】
図6は、2つのLSIチップを縦積みしたベースバンドLSI4の一例を示すものである。
【0052】
このベースバンドLSI4は、第1の半導体LSI41の上に、第2の半導体LSI(例えば、フラッシュROM)42が載置され、さらにこれらが中間基板(インターポーザ基板)43に搭載された縦積み状態のチップサイズパッケージとして構成されている。
【0053】
上記第1の半導体LSI41と第2の半導体LSI42とは、フリップチップ接続されており、高さ方向の寸法を抑える構造とされている。具体的には、第2の半導体LSI42にバンプ42aが形成され、第1の半導体LSI41の電極と位置合わせして、フェースダウンボンディングされている。
【0054】
上記第2の半導体LSI42を搭載した第1の半導体LSI41は、さらに中間基板43に実装されている。この場合、第1の半導体LSI41と中間基板43とは、ワイヤー44を利用したワイヤーボンディングにより電極間が電気的に接続されている。3つ以上の半導体チップを縦積みする場合にも、フリップチップ接続とワイヤーボンディングとを適宜組み合わせることで、高さ方向の寸法を抑えながら電気的に接続することが可能となる。
【0055】
そして、これら第1の半導体LSI41、第2の半導体LSI42は、樹脂45によりモールドされ保護され、上記中間基板43をはんだボール46を用いてはんだ付けすることで、フレキシブル配線基板7に電気的、機械的に固定されている。
【0056】
ストレージ機能用メモリー素子3は、いわゆる半導体メモリーであり、通信を介して得た様々なデータの一時蓄積や、ホスト機器から送られる音楽、音声、画像データ等の一時蓄積を行う。
【0057】
このストレージ機能用メモリー素子3は、メモリーバス(Memory Bus)をインターポーザを介して互いに接続することで、3次元的に容量増加が可能である。
【0058】
図7は、4層構造として容量増加を図ったストレージ用メモリー素子3の構成例を示すものである。
【0059】
各半導体メモリーチップ31は、それぞれ中間基板(インターポーザ基板)32にバンプ31aを介してフリップチップ接続され、これが4段積み重ねられている。中間基板32間の接続及び最下層の中間基板32とフレキシブル配線基板7との接続は、はんだホール33を用いたはんだ付けにより行われる。
【0060】
半導体メモリーチップ31には、研磨加工等により、例えば100μm以下程度まで薄くしたチップを用い、全体の厚さを抑えるようにする。また、中間基板32には、非常に薄いフレキシブル配線基板等を用い、やはり全体の厚さを抑えるようにする。これにより、全体の厚さを大きく増加することなく、大容量化を図ることができる。
【0061】
アンテナ素子6は、当然のことながらアンテナとして機能するもので、例えば逆F型、ダイポール型、ボウタイ(蝶ネクタイ)型、パッチ型、マイクロトリップ型、モノポール型等の各種形態のものを使用することができ、また、それらの変形、或いはそれら複数種の組合せからなるアンテナ素子を使用することができるが、ここでは、その一例として逆F型アンテナを使用した。
【0062】
このアンテナ素子6は、ホスト機器とのコネクタとなる端子列2とは反対側の端部に実装されている。また、アンテナ素子6への受給電の損失を最低限に抑える構造として、RFモジュール5に隣接してアンテナ素子6が実装されている。
【0063】
具体的に、このアンテナ素子6として用いた逆F型アンテナは、図8及び図9に示すように、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン60を備えている。また、このアンテナパターン60は、実効的に略λ/4の長さを有する共振器パターン61と、この共振器パターン61の一端部にて略直角に折り曲げられてなる第1のパターン62の先端部に接地点S1と、第1のパターン62と並列しながら共振器パターン61の中途部から延設されてなる第2のパターン63の先端部に接地点S2と、第1のパターン62及び第2のパターン63と並列しながら共振器パターン61の第1のパターン62と第2のパターン63との間から延設されてなる第3のパターン64の先端部に給電点S3とを有している。なお、このアンテナパターン60において、共振器パターン61の他端部が開放点S4となっている。なお、図9は、図8に示すアンテナ素子6の構成を模式的に示した図である。
【0064】
このアンテナ素子6では、アンテナパターン60の接地点S1,S2が、フレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン(GND)70と接地されており、アンテナパターン60の給電点S3からこのアンテナ素子6へのRF信号の給電・配電が行われる。
【0065】
一方、このアンテナ素子6を実装するフレキシブル配線基板7は、例えばエポキシ系樹脂からなり、全面がベタのグランド配線パターン70からなる裏面層と、信号線の引き回しを行う表面層との2層構造(両面構造)を有し、RFモジュール5から入出力される信号がインピーダンスコントロールされた線路によってアンテナ素子6に供給されるようになされている。
【0066】
具体的には、図8に示すように、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン60の第3のパターン64と、その裏面に形成されたグランド配線パターン70の一部70aとが対向配置されて、いわゆるマイクロストリップ線路が形成されている。この場合、フレキシブル配線基板7の厚さ及び誘電率、信号線の幅等によって一定インピーダンスの線路を形成することができる。
【0067】
なお、このような高周波用線路としては、このマイクロストリップ線路に限らず、例えばコプレーナ線路等を採用することも可能である。
【0068】
なお、裏面のグランド配線パターン70は、アンテナ素子6が実装される位置までは形成されていない。裏面のグランド配線パターン70がアンテナ素子6の実装位置に掛かるまで形成されていると、アンテナ素子6が機能しなくなる虞がある。
【0069】
ところで、このアンテナ素子6には、図8及び図9に示すように、アンテナパターン60のうち、第2のパターン63となる部分にコンデンサ65が設けられている。
【0070】
このコンデンサ65は、いわゆるチップコンデンサであり、その共振器パターン61への配置や数、容量等を調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を任意に調節することができる。
【0071】
詳述すると、このアンテナパターン60における共振器パターン61の長さは、このようなコンデンサ65が設けられる前では、所望とする共振周波数F0よりも高い周波数にて共振することから、この共振周波数F0に相当するλよりも短いものとなっている。それに対して、本発明では、このようなコンデンサ65を共振器パターン61の任意の位置に設けることにより、アンテナ素子6の共振周波数を下げることができ、共振器パターン61の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができる。
【0072】
また、このアンテナ素子6は、図10及び図11に示すように、アンテナパターン60のうち、第3のパターン64の給電点S3に、コンデンサ又はコイル66が設けられた構成であってもよい。このコンデンサ及びコイル66は、いわゆるチップコンデンサ66a及びチップインダクタ66bであり、その一端が接地点S5としてフレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン70と接地された構造となっている。なお、図11は、図10に示すアンテナ素子6を模式的に示した図であり、(a)は、給電点S3にチップコンデンサ66aが設けられた場合の構成を示し、(b)は、給電点S3にチップインダクタ66bが設けられた場合の構成を示す。
【0073】
この場合、アンテナ素子6では、このようなチップコンデンサ66aやチップインダクタ66bが給電点S3に設けられたことによって、RFモジュール5から入出力される信号のインピーダンスコントロールを任意に行うことができ、上述した所望とする共振周波数F0や帯域等を任意に調節することができる。
【0074】
ここで、上記アンテナ素子6のチューニングの一例を図12に示す。ここでは、共振器パターン61の開放点S4からコンデンサ又はコイル66が設けられた第3のパターン64までの長さをAとし、この第3のパターン64からコンデンサ65が設けられた第2のパターン63までの長さをBとしたときに、これらAとBとの比率B/Aを調節しながら、各周波数帯域に対するリターンロスを測定した。
【0075】
以下、B/Aを調節した際の各周波数帯域とリターンロスとの関係を測定した結果を図13に示す。なお、図13において、グラフL1は、参考として第2のパターン63にコンデンサ65や、第3のパターン64にコンデンサ又はコイル66を設けなかった場合を示し、グラフL2は、第2のパターン63に0.5pFのチップコンデンサ65のみを設け、B/A 10/11とした場合を示し、グラフL3は、第2のパターン63に0.5pFのチップコンデンサ65のみを設け、B/A 4/11した場合を示し、グラフL4は、第2のパターン63に0.5pFのチップコンデンサ65のみを設け、B/A 1/11とした場合を示し、グラフL5は、第2のパターン63に0.5pFのチップコンデンサ65、並びに第3のパターン64の給電点S3に3.9nHのチップインダクタ66を設け、B/A 1/11とした場合を示す。
【0076】
図13の測定結果から、従来のように、第2のパターン63にチップコンデンサ65や第3のパターン64の給電点S3にチップインダクタ66を設けなかった場合(グラフL1)には、所望とする共振周波数F0(この場合、2.45GHz帯域を指す。)よりも高い周波数にて共振しているのがわかる。
【0077】
それに対して、本発明のように、第2のパターン63にチップコンデンサ65を設けた場合(グラフL2,L3,L4,L5)には、グラフL1に示す周波数帯域よりも低い周波数にて共振しているのがわかる。このうち、グラフL4,L5のようにB/A 1/11とした場合には、所望とする約2.45GHz帯域にて共振しているのがわかる。
【0078】
さらに、グラフL5から、第3のパターン64の給電点S3にチップインダクタ66を設けることにより、グラフL4よりもリターンロスが大きくなっているのがわかる。
【0079】
このように、第2のパターン63にチップコンデンサ65や、第3のパターン64の給電点S3にチップインダクタ66を設け、これらの配置や容量を調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を下げることができ、共振器パターン61の長さを任意に短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができる。また、RFモジュール5から入出力される信号のインピーダンスコントロールを任意に行うことができ、上述した所望とする共振周波数F0や帯域等を任意に調節することができる。
【0080】
したがって、この通信モジュールでは、アンテナ素子6の共振器パターン61の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0081】
また、この通信モジュールでは、アンテナ素子6が実装されるフレキシブル配線基板7として、比誘電率εrの大きいセラミック系の高誘電率基板を用いずとも、一般に用いられる安価なエポキシ系樹脂からなる基板を使用しながら、このアンテナ素子6における共振器パターン61の長さを短くすることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0082】
同様に、この通信モジュールでは、誘電体基板であるフレキシブル配線基板7の厚みを厚くせずとも、このアンテナ素子6における共振器パターン61の長さを短くすることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0083】
なお、このアンテナ素子6では、上述したコンデンサやコイル等のチップ部品以外にも、例えばシャント(shunt)をシリーズ(series)とすることや、このようなチップ部品を複数個設けること等が可能である。
【0084】
具体的には、例えば図14に示すように、チップコンデンサを配置するための配置パターン71を上記アンテナパターン61に沿って形成する。この配置パターン71は、上記アンテナパターン61と連続して設けられており、この配置パターン71上には、複数の接続端子72が所定の間隔にて並んで形成されている。なお、ここでは、隣接する接続用端子72の間隔を、例えば1mmとしている。
【0085】
この場合、アンテナ素子6では、配置パターン71の任意の箇所に任意の数だけチップコンデンサを取り付けることにより、上述した共振周波数を任意に調節することが可能となる。
【0086】
また、この配置パターン上には、チップコンデンサの他に、チップインダクタや抵抗(0Ω〜)等のチップ部品や、銅箔テープを貼った短絡線路等を配置してもよく、その配置や数、組合せ等は任意である。
【0087】
以上が本発明を適用した通信モジュールを構成する主な構成要素(素子)であるが、先にも述べたように、ベースバンドLSI4とRFモジュール5の間、及び筐体1内の空間を埋めるかたちで、電波吸収体9が設けられている。
【0088】
この電波吸収体9は、図2及び図3に示すように、配線部や空間の一部に形成することにより、デジタル部(RFモジュール5)の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空間的電磁的共振を抑制するように作用する。
【0089】
この電波吸収体9のうち、RFモジュール5とベースバンドLSI4の間に配される電波吸収体9は、主にデジタル部であるEFモジュール5の不要輻射の防止を目的に設けられている。空間に設置された電波吸収体9は、空間的電磁的共振を抑制することを目的に設けられている。
【0090】
上記電波吸収体9の材料としては、フェライトや金属等のように透磁率の高い磁性体を微粉化して接着樹脂等と混合したもの等が用いられ、ここでは所定の形状に成形したものが他の素子と同様、フレキシブル配線基板7に実装するようなかたちで取り付けられている。
【0091】
電波吸収体9は、上記成形品に限らず、シート化したもの、ペースト状のもの等、任意の形態のものを使用することが可能である。
【0092】
なお、上述した例では、各素子をフレキシブル配線基板7に実装して筐体1内に収容するようにしたが、図15に示すように、筐体1の下蓋の内側壁面に配線パターンPを形成し、ここにRFモジュール5やベースバンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3や、その他の一般部品8等を直接実装するようにしてもよい。
【0093】
但し、この場合には、筐体1はリフロー等の熱処理工程に耐え得る耐熱性が必要であり、液晶ポリマー(LCP)等を用いることが好ましい。
【0094】
また、電波吸収体9については、先の例においては、フレキシブル配線基板7上に成形体を配置した構成を示したが、図16及び図17に示すように、ペースト状のものを全面に充填するようなかたちとしてもよい。
【0095】
この場合、ペースト状の電波吸収体を塗布し、筐体1である下蓋1b上に上蓋1aを被せ、熱処理を行うことで、筐体1の組立て封止と電波吸収体の形成を一度に行うことも可能である。
【0096】
また、RFモジュール5やベースバンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3等も全面電波吸収体によりコーティングされることになり、特に耐湿信頼性や耐静電破壊性を高めることが可能である。
【0097】
なお、電波吸収体を全面に充填する場合、アンテナ素子6を筐体1内に入れることはできず、筐体1の表面にアンテナ素子6のアンテナパターン60を形成することが好ましい。この場合、同軸ケーブル等によりフレキシブル配線基板7のRF入出力端子とアンテナ素子6との間を接続し、給電し得るように構成することが必要である。
【0098】
このように、本発明を適用した通信モジュールでは、アンテナ素子6のアンテナパターン60が筐体1の表面に形成された構成であってもよい。
【0099】
次に、本発明を適用した通信モジュールの他の構成例について説明する。
【0100】
なお、以下の説明において上記通信モジュールと同等な部位については説明を省略するとともに、図面において同じ符号を付すものとする。
【0101】
この通信モジュールの他の構成例として、図18及び図19に示すアンテナ素子6は、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン67を備えている。また、このアンテナパターン67は、実効的に略λ/4の長さを有する共振器パターン61と、この共振器パターン61の一端部にて略直角に折り曲げられてなる第1のパターン62の先端部に接地点S1と、この第1のパターンと並列しながら共振器パターン61の中途部から延設されてなる第3のパターン64の先端部に給電点S3とを有している。なお、このアンテナパターン67において、共振器パターン61の他端部が開放点S4となっている。なお、図19は、図18に示すアンテナ素子6の構成を模式的に示した図である。
【0102】
そして、このアンテナ素子6には、アンテナパターン67のうち、共振器パターン61となる部分に隣接したグランドパターン68が設けられている。
【0103】
具体的に、このグランドパターン68は、フレキシブル配線基板7の表面に、第3のパターン64に近接する位置から共振器パターン61の開放点S4に至る長さl、及び、共振器パターン61と近接する位置からフレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン70に至る長さmの領域に亘って形成されており、このグランド配線パターン70側の一側端部が、接地点S6として当該グランド配線パターン70と接地された構造となっている。
【0104】
このグランドパターン68では、その共振器パターン61に対する配置や大きさ(面積=l×m)を調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を任意に調節することができる。
【0105】
詳述すると、このアンテナパターン60における共振器パターン61の長さは、このようなグランドパターン68が設けられる前では、所望とする共振周波数F0よりも高い周波数にて共振することから、この共振周波数F0に相当するλよりも短いものとなっている。それに対して、本発明では、このようなグランドパターン68を共振器パターン61と隣接した任意の位置に設けることにより、上述したコンデンサ65が付加された場合と同様に、アンテナ素子6の共振周波数を下げることができ、共振器パターン61の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができる。
【0106】
また、このアンテナ素子6は、図20及び図21に示すように、アンテナパターン67のうち、第3のパターン64の給電点S3に、コンデンサ又はコイル66が設けられた構成であってもよい。このコンデンサ及びコイル66は、いわゆるチップコンデンサ66a及びチップインダクタ66bであり、その一端が接地点S5としてフレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン70と接地された構造となっている。なお、図21は、図20に示すアンテナ素子6を模式的に示した図であり、(a)は、給電点S3にチップコンデンサ66aが設けられた場合の構成を示し、(b)は、給電点S3にチップインダクタ66bが設けられた場合の構成を示す。
【0107】
この場合、アンテナ素子6では、このようなチップコンデンサ66aやチップインダクタ66bが給電点S3に設けられたことによって、RFモジュール5から入出力される信号のインピーダンスコントロールを任意に行うことができ、上述した所望とする共振周波数F0や帯域等を任意に調節することができる。
【0108】
ここで、このアンテナ素子6のチューニングの一例を図22に示す。ここでは、グランドパターン68と共振器パターン61との間隔をCとし、グランドパターン68とコンデンサ又はコイル66が設けられた第3のパターン64との間隔をDとしたときに、これらグランドパターン68の間隔C,Dを調節しながら、各周波数帯域に対するリターンロスを測定した。
【0109】
以下、グランドパターン68の間隔C,Dを調節した際の各周波数帯域とリターンロスとの関係を測定した結果を図23に示す。なお、図23において、グラフL6は、参考として共振器パターン61に近接したグランドパターン68や、第3のパターン64にコンデンサ又はコイル66を設けなかった場合を示し、グラフL7は、共振器パターン61に近接したグランドパターン68のみを設け、C 2mm,D 1mmとした場合を示し、グラフL8は、共振器パターン61に近接したグランドパターン68のみを設け、C 0.5mm,D 1mmとした場合を示し、グラフL9は、共振器パターン61に近接したグランドパターン68、並びに第3のパターン64の給電点S3に3.3nHのチップインダクタ66を設け、C 0.5mm,D 1mmとした場合を示す。
【0110】
図23に示す測定結果から、従来のように、共振器パターン61に近接したグランドパターン68や、第3のパターン64の給電点S3にチップインダクタ66を設けなかった場合(グラフL6)には、所望とする共振周波数F0(この場合、2.45GHz帯域を指す。)よりも高い周波数にて共振しているのがわかる。
【0111】
それに対して、本発明のように、共振器パターン61に近接したグランドパターン68を設けた場合(グラフL7,L8,L9)には、グラフL6に示す周波数帯域よりも低い周波数にて共振しているのがわかる。このうち、グラフL8,L9のようにC 0.5mm,D 1mmとした場合には、所望とする約2.45GHzと近接する帯域にて共振しているのがわかる。
【0112】
さらに、グラフL9から、第3のパターン64の給電点S3にチップインダクタ66を設けることにより、グラフL8よりもリターンロスが大きくなっているのがわかる。
【0113】
このように、共振器パターン61に近接したグランドパターン68や、第3のパターン64の給電点S3にチップインダクタ66を設け、これらの配置や容量を調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を下げることができ、共振器パターン61の長さを任意に短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができる。また、RFモジュール5から入出力される信号のインピーダンスコントロールを任意に行うことができ、上述した所望とする共振周波数F0や帯域等を任意に調節することができる。
【0114】
したがって、この通信モジュールでは、アンテナ素子6の共振器パターン61の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0115】
また、この通信モジュールでは、アンテナ素子6が実装されるフレキシブル配線基板7として、比誘電率εrの大きいセラミック系の高誘電率基板を用いずとも、一般に用いられる安価なエポキシ系樹脂からなる基板を使用しながら、このアンテナ素子6における共振器パターン61の長さを短くすることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0116】
同様に、この通信モジュールでは、誘電体基板であるフレキシブル配線基板7の厚みを厚くせずとも、このアンテナ素子6における共振器パターン61の長さを短くすることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0117】
なお、このアンテナ素子6では、上述したコンデンサやコイル等のチップ部品以外にも、例えばシャント(shunt)をシリーズ(series)とすることや、このようなチップ部品を複数個設けることが可能である。
【0118】
この場合、上記アンテナパターン67に沿って、上述した図14に示すような配置パターン71を形成すればよい。そして、このような配置パターン17上に、チップコンデンサや、チップインダクタ、抵抗(0Ω〜)等のチップ部品や、銅箔テープを貼った短絡線路等を配置することにより、上述した共振周波数を任意に調節することが可能となる。
【0119】
また、この通信モジュールでは、このようなアンテナ素子6のアンテナパターン67を筐体1の表面に形成した構成としてもよい。
【0120】
以上、本発明を適用した通信モジュールについて説明してきたが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。
【0121】
すなわち、上述した例では、アンテナ素子6として逆F型アンテナを使用したが、例えば図24及び図25に示すように、筐体1やフレキシブル配線基板7の表面に、略λ/2のダイポールアンテナを形成した場合であってもよい。
【0122】
具体的に、このアンテナ素子6として用いたダイポールアンテナは、図24に示すように、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン80を備えている。また、このアンテナパターン80は、実効的に略λ/2の長さを有する共振器パターン81と、共振器パターン81の一方側の中途部から延設されてなる第1のパターン82の先端部に接地点S7と、第1のパターン82と並列しながら共振器パターン81の他方側の中途部から延設されてなる第2のパターン83の先端部に接地点S8と、第1のパターン82及び第2のパターン83と並列しながら共振器パターン81の第1のパターン82と第2のパターン83との間から延設されてなる第3のパターン84の先端部に給電点S9とを有している。なお、このアンテナパターン80において、共振器パターン81の一端が開放点S10となっている。
【0123】
このアンテナ素子6では、アンテナパターン80の接地点S7及び接地点S8が、フレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン(GND)70と接地されており、アンテナパターン80の給電点S9からこのアンテナ素子6へのRF信号の給電・配電が行われる。
【0124】
また、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン80の第3のパターン84と、その裏面に形成されたグランド配線パターン70の一部70aとが対向配置されて、いわゆるマイクロストリップ線路が形成されている。
【0125】
そして、このアンテナ素子6には、アンテナパターン80のうち、第1のパターン82及び第2のパターン83となる部分にコンデンサ85がそれぞれ設けられている。このコンデンサ85は、いわゆるチップコンデンサであり、その共振器パターン81への配置や容量を調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を任意に調節することができる。
【0126】
これにより、この通信モジュールでは、アンテナ素子6の共振器パターン81の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0127】
また、アンテナ素子6として用いたダイポールアンテナは、図25に示すように、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン86を備えている。また、このアンテナパターン86は、実効的に略λ/2の長さを有する共振器パターン81と、共振器パターン81の略中央部から延設されてなる第3のパターン84の先端部に給電点S9とを有している。なお、このアンテナパターン86において、共振器パターン81の一端が開放点S10となっている。
【0128】
そして、このアンテナ素子6には、アンテナパターン86のうち、第3のパターン84に対する両側に、それぞれ共振器パターン81となる部分に隣接したグランドパターン87が設けられ、その一側面が接地点S11,12としてフレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン70とそれぞれ接地された構造となっている。このグランドパターン87は、その共振器パターン81に対する配置や大きさを調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を任意に調節することができる。
【0129】
これにより、この通信モジュールでは、アンテナ素子6の共振器パターン81の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0130】
また、アンテナ素子6としては、図26及び図27に示すように、筐体1やフレキシブル配線基板7の表面に、略λ/4のモノポールアンテナを形成した場合であってもよい。
【0131】
具体的に、このアンテナ素子6として用いたモノポールアンテナは、図26に示すように、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン90を備えている。また、このアンテナパターン90は、実効的に略λ/4の長さを有する共振器パターン91と、共振器パターン91の一端部にて略直角に折り曲げられてなる第1のパターン92の先端部に給電点S13と、第1のパターン92と並列しながら共振器パターン91の中途部から延設されてなる第2のパターン93の先端部に接地点S14とを有している。なお、このアンテナパターン90において、共振器パターン91の他端部が開放点S15となっている。
【0132】
このアンテナ素子6では、アンテナパターン90の接地点S14が、フレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン(GND)70と接地されており、このアンテナパターン90の給電点S13からこのアンテナ素子6へのRF信号の給電・配電が行われる。
【0133】
また、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン90の第1のパターン92と、その裏面に形成されたグランド配線パターン70の一部70aとが対向配置されて、いわゆるマイクロストリップ線路が形成されている。
【0134】
そして、このアンテナ素子6には、アンテナパターン90のうち、第2のパターン93となる部分にコンデンサ94が設けられている。このコンデンサ94は、いわゆるチップコンデンサであり、その共振器パターン91への配置や容量を調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を任意に調節することができる。
【0135】
これにより、この通信モジュールでは、アンテナ素子6の共振器パターン91の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0136】
また、このアンテナ素子6として用いたモノポールアンテナは、図26に示すように、フレキシブル配線基板7の表面に形成されたアンテナパターン95を備えている。また、このアンテナパターン95は、実効的に略λ/4の長さを有する共振器パターン91と、共振器パターン91の一端部にて略直角に折り曲げられてなる第1のパターン92の先端部に給電点S13とを有している。なお、このアンテナパターン95において、共振器パターン91の一端が開放点S15となっている。
【0137】
そして、このアンテナ素子6には、アンテナパターン95のうち、共振器パターン91となる部分に隣接したグランドパターン96が設けられ、その一側面が接地点S16としてフレキシブル配線基板7の裏面に形成されたグランド配線パターン70と接地された構造とされている。このグランドパターン96は、その共振器パターン91に対する配置や大きさを調節することにより、アンテナ素子6の共振周波数を任意に調節することができる。
【0138】
これにより、この通信モジュールでは、アンテナ素子6の共振器パターン91の長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子6の小型化が可能となる。
【0139】
以上のように、超小型通信モジュールを形成し、そのコネクタ部分をホスト側(例えば、AV機器、電話、パーソナルコンピュータ等)に挿入することで、通信機能を用いて、インターネットはアクセスしたり、これとは反対に、インターネット上から、音楽や画像データを取り込み一時的にモジュール内部のメモリーに蓄えたりすることで、あらゆるデータ、情報の通信と記録機能をホスト側機器に簡単に付与することが可能となる。
【0140】
また、ベースバンドLSIのフラッシュROMやEPROM等に、ユーザー個人の情報、例えば、インターネットプロバイダのアカウント情報やパスワード、形態電話のPINコード等を書き込んでおいたり、よく使うインターネット上のサイト情報等を入れておくことで、半自動的にユーザーの意図する情報の取得や発信が可能となる。
【0141】
具体的には、本発明を適用した通信モジュールは、例えば、図28に示すように構成された無線LAN(Local Area Network)システムに適用される。
【0142】
図28に示すように、公衆通信網140と接続される無線LANシステム101において、ゲートウェイとなる通信機器102(102a〜102e)、通信モジュール103及び通信モジュール103が装着されるホスト機器104tの間のデータ通信を実現するためのBluetooth方式を採用している。
【0143】
このBluetooth方式とは、日欧5社が1998年5月に標準化活動を開始した近距離無線通信技術の呼称である。このBluetooth方式では、最大データ伝送速度が1Mbps(実効的には721Kbps)、最大伝送距離が10m程度の近距離無線通信網を構築してデータ通信を行う。このBluetooth方式では、無許可で利用可能な2.4GHz帯のISM(Industrial Scientific Medical)周波数帯域に帯域幅が1MHzのチャンネル79個設定し、1秒間に1600回チャンネルを切り換える周波数ホッピング方式のスペクトラム拡散技術を採用して通信モジュール103とホスト機器104(104a〜104d)との間で電波を送受信する。
【0144】
このBluetooth方式を適用した近距離無線通信網に含まれる各ホスト機器104は、スレーブマスター方式が適用され、処理内容に応じて、周波数ホッピングパターンを決定するマスター機器と、マスター機器に制御される通信相手のスレーブ機器とに分かれる。マスター機器では、一度に7台のスレーブ機器と同時にデータ通信を行うことができる。マスター機器とスレーブ機器とを加えた計8台の機器で構成するサブネットは、“piconet(ピコネット)”と呼ばれる。ピコネット内、すなわち無線LANシステム101に含まれるスレーブ機器となされたホスト機器104は、同時に2つ以上のピコネットのスレーブ機器となることができる。
【0145】
図28に示す無線LANシステム101は、例えばインターネット網等の公衆通信網140とデータの送受信を行う通信機器102(102a〜102e)と、近距離無線通信網である近距離無線通信網130を介して、Bluetooth方式でユーザーデータ等を含む制御パケットの送受信を通信機器102との間で行う通信モジュール103と、通信モジュール103との間でユーザーデータ等を含む制御パケットの入出力を行うホスト機器104(104a〜104e)で構成される。
【0146】
ホスト機器104は、通信モジュール103と機械的に接続され、ユーザーにより操作される電子デバイスである。ホスト機器104としては、例えばPDA(Personal Digital Assistant)104a、デジタルスチルカメラ104b、メール処理端末104c、EMD(Electronic Music Distribution)端末104d等がある。
【0147】
通信機器102は、近距離無線通信網130を介して通信モジュール103と制御パケット接続されるとともに公衆通信網140に接続され、通信モジュール103と公衆通信網140とを接続するためのゲートウェイである。この通信機器102としては、公衆通信網140とを接続するためのモデム等を備えたパーソナルコンピュータ102a、例えばcdmaOne(Code Division Multiple Access)方式やW−CDMA(Wide Band-Code Division Multiple Access)方式を採用した携帯電話102b、TA/モデム102c、STB(Set Top Box)102d、例えばBluetooth方式に準じた通信モジュール103と公衆通信網140とを接続するための基地局等の準公衆システム102eがある。
【0148】
公衆通信網140としては、例えばパーソナルコンピュータ102aと電話回線を介して接続されるインターネット(Internet)網、携帯電話102bと接続される移動体通信網(Mobile Network)、TA/モデム102cと接続されるISDN、STB102dと接続される衛星通信網(Broadcasting)、準公衆システム102dと接続されるWLL(Wireless Local Loop)等がある。公衆通信網140に含まれるインターネット網には、さらに、情報提供サーバ141、メールサーバ142、EMDサーバ143、コミュニティサーバ144が接続される。情報提供サーバ141では、ホスト機器104からの要求を通信モジュール103、通信機器102を介して受信し、要求に応じた各種情報をホスト機器104に送信する。また、メールサーバ142では、電子メールを管理し、通信機器102、通信モジュール103を介してホスト機器104との間で電子メールを送受信する。さらに、EMDサーバ143では、通信機器102及び通信モジュール103を介してホスト機器104のEMD端末104dに音楽情報を送信して、音楽提供サービスを管理する。さらにまた、コミュニティサーバ144では、例えばホスト機器104のデジタルスチルカメラ104bに、例えば街角情報、ニュース情報のダウンロードサービス等を提供するとともに、ホスト機器4からの情報のアップロード等を管理する。
【0149】
上述した無線LANシステムに用いられる通信モジュール103は、先に説明した本発明を適用した通信モジュールであり、図29に示すような内部構成となっており、これら制御システムが通信モジュール103を構成するアンテナ素子6,RFモジュール5、ベースバンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3に割り当てられ、単一の筐体1内に収容されている。例えば、RFモジュール5には、スイッチ部(SW)、受信部、送信部、ホッピングシンセサイザ部が格納される。また、ベースバンドLSI4には、ベースバンド制御部、インターフェース部、個人情報記憶部、ネットワーク設定記憶部、RAM(Random Access Memory)、無線通信CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、メモリーコントローラが格納されている。
【0150】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係るメモリーモジュールによれば、アンテナ素子の共振器パターンの長さを短くした場合であっても、従来よりも低い周波数にて共振させることができ、このアンテナ素子の実効波長を短くすることができる。したがって、このメモリーモジュールでは、コストの増大を招くことなく、アンテナ素子の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した通信モジュールの一例を示す概略平面図である。
【図2】通信モジュールを構成する各素子の実装状態の一例を示す概略平面図である。
【図3】通信モジュールを構成する各素子の実装状態の一例を示す概略断面図である。
【図4】フレキシブル配線基板への素子の取付状態を示す分解平面図である。
【図5】RFモジュールの断面構造を示す模式図である。
【図6】ベースバンドLSIの断面構造を示す模式図である。
【図7】ストレージ機能用メモリー素子の断面構造を示す模式図である。
【図8】アンテナ素子として本発明を逆F型アンテナに適用した一例を示す要部平面図である。
【図9】図8に示す逆F型アンテナを模式的に示した図である。
【図10】図8に示す逆F型アンテナの給電点にコンデンサ又はコイルが設けられた構成を示す要部平面図である。
【図11】図10に示す逆F型アンテナを模式的に示した図であり、(a)は、給電点にチップコンデンサが設けられた場合の構成を示し、(b)は、給電点にチップインダクタが設けられた場合の構成を示す。
【図12】図10に示すアンテナ素子のチューニングの一例を示す要部平面図である。
【図13】B/Aを調節した際の各周波数帯域とリターンロスとの関係を示す特性図である。
【図14】配置パターンが形成された状態を示す要部平面図である。
【図15】筐体に配線形成した場合の素子の取付状態を示す分解平面図である。
【図16】電波吸収体により被覆した実装例を分解して示す模式図である。
【図17】電波吸収体により被覆した実装例における封止状態を示す模式図である。
【図18】アンテナ素子として本発明を逆F型アンテナに適用した他の構成例を示す要部平面図である。
【図19】図18に示す逆F型アンテナを模式的に示した図である。
【図20】図18に示す逆F型アンテナの給電点にコンデンサ又はコイルが設けられた構成を示す要部平面図である。
【図21】図20に示す逆F型アンテナを模式的に示した図であり、(a)は、給電点にチップコンデンサが設けられた場合の構成を示し、(b)は、給電点にチップインダクタが設けられた場合の構成を示す。
【図22】図20に示すアンテナ素子のチューニングの一例を示す要部平面図である。
【図23】グランドパターンの間隔C,Dを調節した際の各周波数帯域とリターンロスとの関係を示す特性図である。
【図24】アンテナ素子として本発明をダイポールアンテナに適用した一例を示す要部平面図である。
【図25】アンテナ素子として本発明をダイポールアンテナに適用した他の構成例を示す要部平面図である。
【図26】アンテナ素子として本発明をモノポールアンテナに適用した一例を示す要部平面図である。
【図27】アンテナ素子として本発明をモノポールアンテナに適用した他の構成例を示す要部平面図である。
【図28】無線LANシステムを含むネットワークを示す図である。
【図29】通信モジュールの内部構成を示すブロック図である。
【図30】従来の逆F型アンテナの一例を示す要部平面図である。
【図31】図30に示す逆F型アンテナを模式的に示した図である。
【符号の説明】
1 筐体、2 コネクタ部、3 ストレージ機能用メモリー素子、4 ベースバンドLSI、5 RFモジュール、6 アンテナ素子、7 フレキシブル配線基板、9 電波吸収体、60 アンテナパターン、61 共振器パターン、65コンデンサ、66a チップコンデンサ、66b チップインダクタ、68 グランドパターン、70 グランド配線パターン、71 配置パターン
Claims (4)
- 厚さ3.5mm以下の矩形状をなし、一端側にホスト機器と着脱自在に接続されるコネクタ部を有する筐体を有し、
上記筐体内に、上記一端側から順に、ストレージ機能用メモリー素子とベースバンド信号処理を行う素子と高周波信号処理を行う素子とアンテナ素子とが配列され、
上記各素子は、フレキシブル配線基板の一方の面上に実装されており、当該フレキシブル配線基板の一部に上記アンテナ素子のアンテナパターンが形成され、
上記ベースバンド信号処理を行う素子と上記高周波信号処理を行う素子との間及び上記筐体内を埋めるように電波吸収体が設けられ、
上記フレキシブル配線基板の他方の面上には、上記アンテナ素子のアンテナパターンのうち、少なくとも共振器パターンとなる部分に隣接する位置に対応した位置に、上記アンテナ素子の共振周波数を調整するためのグランドパターンが設けられ、
上記フレキシブル配線基板の一方の面に形成された上記アンテナ素子のアンテナパターンのうち共振器パターンとなる部分から給電点となる部分まで延設されるパターンと、上記フレキシブル配線基板の他方の面に形成された上記グランドパターンとが対向配置されてマイクロストリップ線路が形成され、
上記アンテナ素子のアンテナパターンには、上記共振器パターンとなる部分に、上記アンテナパターンと上記グランドパターンとに接続され、上記アンテナ素子の共振周波数を調整するコンデンサと、上記給電点となる部分に、上記アンテナパターンと上記グランドパターンとに接続されるコンデンサ又はコイルとが設けられ、
上記フレキシブル配線基板の一方の面上には、上記アンテナパターンと連続するように配置パターンが設けられ、
上記配置パターンには、上記アンテナパターンに沿って複数の接続端子が設けられており、これら複数の接続端子のうち、何れか1ヶ所以上に、上記コンデンサが取り付けられているメモリーモジュール。 - 上記フレキシブル配線基板は、エポキシ系樹脂からなる請求項1記載のメモリーモジュール。
- 上記アンテナ素子は、逆F型、ダイポール型、ボウタイ型、パッチ型、モノポール型の平面型アンテナのうち、何れか1種、又はそれらの変形、或いはそれら複数種の組合せからなる請求項1又は請求項2記載のメモリーモジュール。
- 上記複数の接続端子のうち、何れか1ヶ所以上に、コンデンサ、コイル、抵抗、ショート(0Ω)抵抗のうちから選ばれる何れか1種以上のチップ部品が取り付けられている請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項記載のメモリーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000269038A JP4423771B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-09-05 | メモリーモジュール |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000193441 | 2000-06-27 | ||
JP2000-193441 | 2000-06-27 | ||
JP2000269038A JP4423771B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-09-05 | メモリーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002084134A JP2002084134A (ja) | 2002-03-22 |
JP4423771B2 true JP4423771B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=26594806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000269038A Expired - Fee Related JP4423771B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-09-05 | メモリーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4423771B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6727703B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-04-27 | General Electric Company | Method and apparatus for decoupling RF detector arrays for magnetic resonance imaging |
JP4633605B2 (ja) | 2005-01-31 | 2011-02-16 | 富士通コンポーネント株式会社 | アンテナ装置及び電子装置、並びに、電子カメラ、電子カメラの発光装置、並びに、周辺装置 |
US8783577B2 (en) | 2005-03-15 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device having the same |
JP2006319754A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Fdk Corp | アンテナ |
JP4707495B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | アンテナ装置および無線装置 |
JP4857692B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-01-18 | ソニー株式会社 | 映像表示装置、機能追加デバイスおよび映像表示システム |
US7450072B2 (en) * | 2006-03-28 | 2008-11-11 | Qualcomm Incorporated | Modified inverted-F antenna for wireless communication |
JP4730196B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2011-07-20 | パナソニック株式会社 | カード型情報装置 |
JP5901130B2 (ja) | 2011-03-29 | 2016-04-06 | 富士通コンポーネント株式会社 | アンテナ装置、回路基板及びメモリカード |
JP6145986B2 (ja) * | 2012-10-10 | 2017-06-14 | 富士通株式会社 | アンテナ装置 |
-
2000
- 2000-09-05 JP JP2000269038A patent/JP4423771B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002084134A (ja) | 2002-03-22 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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