JP4423282B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
石英で構成された反応容器内の温度を600℃以下に保った状態で、ビスターシャル ブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして前記反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10Torr以上、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
石英で構成された反応容器内の温度を600℃に保った状態で、ビスターシャル ブチルアミノ シランとNH 3 とを原料ガスとして前記反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10〜70Torr、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
被成膜体を保持したボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃以下に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10Torr以上、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
被成膜体を保持したボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10〜70Torr、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
被成膜体を保持した石英で構成されたボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃以下に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH 3 とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内または前記ボートに形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10Torr以上、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
被成膜体を保持した石英で構成されたボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内または前記ボートに形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10〜70Torr、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
なお、このBTBAS供給装置4においては、BTBAS液体原料42からBTBAS供給口44に至るまでの配管は、配管加熱部材45によって覆われている。
4、5…BTBAS供給装置
11…石英反応管
12…石英インナーチューブ
13…ヒータ
14…石英ボート
15…キャップ
16…半導体ウェーハ
17…排気口
18、21…石英ノズル
41…恒温槽
51…BTBAS原料タンク
42 、52…BTBAS液体原料
53…キャリアガス導入口
35、54、55…配管
43…マスフローコントローラ
44、58…BTBAS供給口
56…液体流量制御装置
57…気化器
45、59…配管加熱部材
Claims (8)
- 石英で構成された反応容器内の温度を600℃以下に保った状態で、ビスターシャル ブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして前記反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10Torr以上、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 石英で構成された反応容器内の温度を600℃に保った状態で、ビスターシャル ブチルアミノ シランとNH 3 とを原料ガスとして前記反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10〜70Torr、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被成膜体を保持したボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃以下に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10Torr以上、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被成膜体を保持したボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10〜70Torr、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記窒化シリコンの膜ストレスは、SiH2Cl2とNH3とを原料ガスとして700〜800℃で形成される窒化シリコンの膜ストレスの2倍程度であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒化シリコンを除去する工程では、前記反応容器内にNF 3 ガスを500sccmの流量で供給することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 被成膜体を保持した石英で構成されたボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃以下に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH 3 とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内または前記ボートに形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10Torr以上、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被成膜体を保持した石英で構成されたボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内の温度を600℃に保った状態で、前記反応容器内にビスターシャルブチル アミノシランとNH3とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスとしてNF 3 ガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内または前記ボートに形成される窒化シリコンが、膜ストレスにより剥がれてしまうか、または、膜収縮により前記石英にマイクロクラックが発生する膜厚となる前に、前記反応容器内の圧力を10〜70Torr、温度を600℃に保った状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2006249157A JP4423282B2 (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2006249157A JP4423282B2 (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体装置の製造方法 |
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