JP4417950B2 - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
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また、ノズル回転機構は、回転速度を制御するための回転速度制御機構を備えることが望ましい。
図1に本実施形態の縦型エピタキシャル気相成長装置の断面図を示す。図に示すように、石英ベルジャで構成されウェーハ1上に成膜を行なう反応室である成膜チャンバ2内に、ウェーハ1を複数枚載置可能なサセプタ3が設置されている。
β≦γ≦0.3β+63(度)
であることが好ましい。γがβより小さいと、ガスを全てのウェーハ1上に均等に供給することが困難となる。一方、γが(0.3β+63)より大きいと、成膜チャンバ2の壁面方向にガスが流れることになり、ガスをウェーハ1上に効率的に供給することが困難となる。
図7に本実施形態の縦型エピタキシャル気相成長装置の断面図を示す。実施形態1とほぼ同様の構造であるが、ノズル回転制御機構19に回転速度制御機構20が設けられている点が異なっている。
2、12 成膜チャンバ
3、13 サセプタ
4、14 ガス供給管
5、15 ガス供給ノズル
6、16 加熱手段
7、17 回転手段
8、18 排出手段
9、19 ノズル回転制御機構
10 堆積物
20 回転速度制御機構
Claims (10)
- 複数のウェーハを反応室内に設置されたサセプタに載置し、
前記ウェーハを加熱し、
前記サセプタをその中心を軸に回転させ、
前記サセプタの中心を貫通するように設置されたガス供給ノズルに3段以上で、各段において、それぞれ等角度毎に3箇所設けられた開口部からプロセスガスを供給し、前記複数段設けられた開口部のうち、最上段の開口部からは、斜め下方に、最下段の開口部と等しい位相で、少なくとも一つの段の開口部と異なる位相より前記プロセスガスを供給し、
各前記開口部からの前記プロセスガス供給方向を、前記反応室に対して相対的に変動させることを特徴とする成膜方法。 - 前記ガス供給ノズルを回転させることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記ガス供給ノズルを、前記複数段設けられた開口部の位相差と異なる角度回転させることを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
- 前記ガス供給ノズルを、前記プロセスガスを供給しながら所定の回転速度で回転させることを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
- 前記プロセスガス供給ノズルを昇降させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の成膜方法。
- ウェーハ上に成膜を行うための反応室と、
前記ウェーハを複数載置するためのサセプタと、
前記サセプタを回転させるサセプタ回転機構と、
前記サセプタ直下または内部に設けられ、前記ウェーハを加熱するためのヒータと、
前記サセプタの中心部を貫通して設けられ、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給するための開口部を有するガス供給ノズルと、
前記開口部を前記反応室に対して相対的に変動させるためのノズル回転機構を備え、
前記ガス供給ノズルは、前記ウェーハ上に前記プロセスガスを供給するための3段以上で各段において等角度毎に3箇所設けられる開口部を有し、
最上段の前記開口部は、最下段の開口部と等しい位相で少なくとも一つの段の開口部と異なる位相の前記プロセスガスを斜め下方に供給するための突起部を有することを特徴とする成膜装置。 - 前記複数段の開口部の各段の間隔は、少なくとも1つの段の間隔が他の段の間隔と異なることを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
- 前記ノズル回転機構は、回転角度を制御するための回転制御機構を備えることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の成膜装置。
- 前記ノズル回転機構は、回転速度を制御するための回転速度制御機構を備えることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給ノズルを昇降するための昇降制御機構を備えることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか1項に記載の成膜装置。
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