JP2007180528A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007180528A JP2007180528A JP2006323897A JP2006323897A JP2007180528A JP 2007180528 A JP2007180528 A JP 2007180528A JP 2006323897 A JP2006323897 A JP 2006323897A JP 2006323897 A JP2006323897 A JP 2006323897A JP 2007180528 A JP2007180528 A JP 2007180528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas supply
- openings
- film forming
- process gas
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】複数のウェーハ1を反応室2内に設置されたサセプタ3に載置し、ウェーハ1を加熱しサセプタ3中心を貫通するように設置されたガス供給ノズル5に複数段設けられた開口部5a、5b、5c、5dからプロセスガスを供給し、複数段設けられた開口部5a、5b、5c、5dのうち、最上段の開口部5aからは、斜め下方にプロセスガスを供給し、複数段設けられた開口部5a、5b、5c、5dからのプロセスガス供給方向を、反応室に対して相対的に変動させる。
【選択図】図1
Description
図1に本実施形態の縦型エピタキシャル気相成長装置の断面図を示す。図に示すように、石英ベルジャで構成されウェーハ1上に成膜を行なう反応室である成膜チャンバ2内に、ウェーハ1を複数枚載置可能なサセプタ3が設置されている。
β≦γ≦0.3β+63(度)
であることが好ましい。γがβより小さいと、ガスを全てのウェーハ1上に均等に供給することが困難となる。一方、γが(0.3β+63)より大きいと、成膜チャンバ2の壁面方向にガスが流れることになり、ガスをウェーハ1上に効率的に供給することが困難となる。
図7に本実施形態の縦型エピタキシャル気相成長装置の断面図を示す。実施形態1とほぼ同様の構造であるが、ノズル回転制御機構19に回転速度制御機構20が設けられている点が異なっている。
2、12 成膜チャンバ
3、13 サセプタ
4、14 ガス供給管
5、15 ガス供給ノズル
6、16 加熱手段
7、17 回転手段
8、18 排出手段
9、19 ノズル回転制御機構
10 堆積物
20 回転速度制御機構
Claims (10)
- 複数のウェーハを反応室内に設置されたサセプタに載置し、
前記ウェーハを加熱し、
前記サセプタ中心を貫通するように設置されたガス供給ノズルに複数段設けられた開口部からプロセスガスを供給し、
前記複数段設けられた開口部のうち、最上段の開口部からは、斜め下方に前記プロセスガスを供給し、
前記複数段設けられた開口部からの前記プロセスガス供給方向を、前記反応室に対して相対的に変動させることを特徴とする成膜方法。 - 前記複数段設けられた開口部の各段の開口部から、実質的に等しい位相差で3方向以上に前記プロセスガスを供給することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記複数段設けられた開口部のうち、少なくとも最上段の開口部と、最下段の開口部の位相が等しいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。
- 前記ガス供給ノズルを回転させて、前記開口部からのプロセスガス供給方向を、前記反応室に対して相対的に変動させることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記プロセスガス供給ノズルを昇降させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の成膜方法。
- ウェーハ上に成膜を行うための反応室と、
前記ウェーハを複数載置するためのサセプタと、
前記サセプタ直下または内部に設けられ、前記ウェーハを加熱するためのヒータと、
前記サセプタの中心部を貫通して設けられ、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給するための開口部を有するガス供給ノズルと、
前記開口部を前記反応室に対して相対的に変動させるための回転機構を備え、
前記ガス供給ノズルは、前記ウェーハ上に前記プロセスガスを供給するための複数段の開口部を有し、
前記複数段の開口部の最上段は、前記プロセスガスを斜め下方に供給するための突起部を有することを特徴とする成膜装置。 - 前記複数段の開口部は、それぞれ3箇所以上、周方向に実質的に等角度毎となるように設けられる請求項6に記載の成膜装置。
- 前記複数段の開口部の最上段と最下段は、位相が等しい請求項6または請求項7に記載の成膜装置。
- 前記複数段の開口部の各段の間隔は、少なくとも1つの段の間隔が他の段の間隔と異なる請求項6から請求項8のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記ガス供給ノズルを昇降するための昇降制御機構を備える請求項6から請求項9のいずれかに記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006323897A JP4417950B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-30 | 成膜方法及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005346580 | 2005-11-30 | ||
JP2006323897A JP4417950B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-30 | 成膜方法及び成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180528A true JP2007180528A (ja) | 2007-07-12 |
JP4417950B2 JP4417950B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=38305345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006323897A Expired - Fee Related JP4417950B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-30 | 成膜方法及び成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4417950B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110077573A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 화학 기상 증착 장치 |
CN102560432A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
CN102732860A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔及具有其的化学气相沉积设备 |
JP2013225571A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
WO2014158457A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc. | Indexed gas jet injector for substrate processing system |
-
2006
- 2006-11-30 JP JP2006323897A patent/JP4417950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110077573A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 화학 기상 증착 장치 |
KR101582520B1 (ko) | 2009-12-30 | 2016-01-06 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 화학 기상 증착 장치 |
CN102560432A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
CN102732860A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔及具有其的化学气相沉积设备 |
JP2013225571A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
WO2014158457A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc. | Indexed gas jet injector for substrate processing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4417950B2 (ja) | 2010-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101149383B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4956470B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
KR101086973B1 (ko) | 서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 | |
JP5341706B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
US7923355B2 (en) | Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device | |
JP4417950B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
CN111052308A (zh) | 气相生长装置及气相生长方法 | |
JP7365761B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP4981485B2 (ja) | 気相成長方法および気相成長装置 | |
JP5500953B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
US20070123007A1 (en) | Film-forming method and film-forming equipment | |
JP2011023522A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP5443096B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP6226677B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP4933409B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2011151118A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
KR101237091B1 (ko) | 반도체 제조 방법 | |
JP2000294535A (ja) | 気相加工方法及びその装置 | |
JP2009059934A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2008243938A (ja) | 熱cvd方法および熱cvd装置 | |
JP2019153630A (ja) | 気相成長方法 | |
JP2008159790A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2008066559A (ja) | 半導体製造方法及び半導体製造装置 | |
JP2011171479A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2008205018A (ja) | 気相成長方法および気相成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |