JP4411964B2

JP4411964B2 - Electrode inspection method and electrode inspection apparatus

Info

Publication number: JP4411964B2
Application number: JP2003426860A
Authority: JP
Inventors: 恒生伊倉; 弘太郎小林
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-12-24
Filing date: 2003-12-24
Publication date: 2010-02-10
Anticipated expiration: 2023-12-24
Also published as: JP2005190672A

Description

本発明は基板上に形成された電極の検査に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の基板に形成される電極の検査方法および検査装置に関するものである。 The present invention relates to inspection of electrodes formed on a substrate, and more particularly to an inspection method and an inspection apparatus for electrodes formed on a substrate of a plasma display panel (PDP).

一般に、ＰＤＰは２枚のガラス基板である前面基板と背面基板とを貼りあわせ、前面基板と背面基板との間に形成される放電空間にネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）等の希ガスを封入した構造になっている。前面基板上には、走査電極と維持電極とからなる表示電極が複数形成され、その表示電極を覆うように誘電体層が形成され、誘電体層上に保護層が形成されている。背面基板上には、表示電極と直交する方向に複数のアドレス電極と隔壁が形成され、隔壁で仕切られた領域に蛍光体層が形成されている。そして、表示電極とアドレス電極に所定の電圧を印加して放電を発生させ、この放電によって生じる紫外線で蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。 In general, a PDP is formed by bonding two glass substrates, a front substrate and a rear substrate, and applying a rare gas such as neon (Ne) and xenon (Xe) to a discharge space formed between the front substrate and the rear substrate. It has an enclosed structure. A plurality of display electrodes including scan electrodes and sustain electrodes are formed on the front substrate, a dielectric layer is formed so as to cover the display electrodes, and a protective layer is formed on the dielectric layer. On the rear substrate, a plurality of address electrodes and barrier ribs are formed in a direction orthogonal to the display electrodes, and a phosphor layer is formed in a region partitioned by the barrier ribs. Then, a predetermined voltage is applied to the display electrode and the address electrode to generate a discharge, and the phosphor layer is caused to emit light by ultraviolet rays generated by the discharge, thereby displaying an image.

このようなＰＤＰの製造工程においては、表示電極やアドレス電極をガラス基板上に形成すると、形成した電極の一部に断線や欠け、隣接する電極間の短絡といった不良が発生することがある。そこで、例えば特許文献１に開示されているように、形成した電極について検査が行われる。
特開２００２−２１４２７５号公報 In such a PDP manufacturing process, when a display electrode or an address electrode is formed on a glass substrate, a defect such as disconnection or chipping in a part of the formed electrode or a short circuit between adjacent electrodes may occur. Therefore, for example, as disclosed in Patent Document 1, the formed electrode is inspected.
JP 2002-214275 A

ところで、近年、ＰＤＰに対して低消費電力、高輝度化の要求が高まっており、また高精細化が進んでいる。そのためパネル画素数は、ワイドＶＧＡ（垂直方向８５０画素、水平方向４８０画素）、ＸＧＡ（垂直方向１０２４画素、水平方向７６８画素）からＨＤＴＶ（垂直方向１９２０画素、水平方向１０８０画素）へと高精細化する傾向であり、１画素のセルピッチも小さくなる。これに伴い、電極の幅もかなり狭くなっており、このような電極に対応できる電極検査が要望される。 By the way, in recent years, demands for low power consumption and high luminance have been increased for PDPs, and high definition has been advanced. Therefore, the number of panel pixels is increased from wide VGA (vertical 850 pixels, horizontal 480 pixels) and XGA (vertical 1024 pixels, horizontal 768 pixels) to HDTV (vertical 1920 pixels, horizontal 1080 pixels). The cell pitch of one pixel is also reduced. Along with this, the width of the electrodes has become considerably narrow, and electrode inspection that can deal with such electrodes is desired.

本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、ＰＤＰ等を製造する際に基板上に形成された電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a current situation, and an object thereof is to easily and quickly detect a defective portion of an electrode formed on a substrate when manufacturing a PDP or the like.

この目的を達成するために、本発明は、基板上に形成された電極の検査方法において、前記基板と前記電極との温度差を変化させて、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出し、前記電極エリアおよび前記基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査方法である。 In order to achieve this object, the present invention provides an inspection method for an electrode formed on a substrate, wherein an electrode area and an electrode are formed by changing a temperature difference between the substrate and the electrode. Infrared radiation emitted from the substrate area that is not detected , changes in the peak wavelength of infrared radiation emitted from the electrode area and the substrate area, and changes in the peak wavelength of infrared radiation emitted from the normal electrode area and the normal substrate area Are inspected by comparing each of the above and the electrode inspection method.

また、本発明は、基板上に形成された電極の検査装置において、前記電極の温度を制御して前記基板と前記電極との温度差を変化させる電極温度調節手段と、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段とを有し、前記電極エリアおよび前記基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査装置である。 According to the present invention, in the electrode inspection apparatus formed on the substrate, the electrode temperature adjusting means for controlling the temperature of the electrode to change the temperature difference between the substrate and the electrode, and the electrode are formed. possess an infrared detector for detecting infrared rays radiated from the substrate area where the electrode area and electrode are not formed, and the change in infrared peak wavelength emitted from the electrode area and the substrate area, normal electrode area and normal An electrode inspection apparatus that inspects an electrode by comparing with a change in the peak wavelength of infrared rays emitted from a substrate area .

本発明によれば、ＰＤＰ等を製造する際に基板上に形成された電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when manufacturing PDP etc., the defective location of the electrode formed on the board | substrate can be detected easily and rapidly.

すなわち、請求項１に記載の発明は、基板上に形成された電極の検査方法において、前記基板と前記電極との温度差を変化させて、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出し、前記電極エリアおよび前記基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査方法である。 That is, according to the first aspect of the present invention, in the method for inspecting an electrode formed on a substrate, an electrode area where the electrode is formed and an electrode are not formed by changing a temperature difference between the substrate and the electrode. Infrared radiation emitted from the substrate area is detected , and changes in the peak wavelength of infrared radiation emitted from the electrode area and the substrate area; and changes in the peak wavelength of infrared radiation emitted from the normal electrode area and the normal substrate area; The electrode inspection method is characterized in that the electrodes are inspected by comparing each of the above.

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、電極の温度を変化させることを特徴とする。 The invention described in claim 2 is characterized in that, in the invention described in claim 1, the temperature of the electrode is changed.

また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする。 The invention according to claim 3 is characterized in that, in the invention according to claim 1, the temperature of the substrate is changed and the temperature of the electrode is changed in a direction opposite to the direction of change of the temperature of the substrate. And

また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも小さい場合には、前記電極の温度を上昇させ、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも大きい場合には、前記電極の温度を低下させることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, when the infrared emissivity of the substrate is smaller than the infrared emissivity of the electrode, the temperature of the electrode is increased, and the infrared emission of the substrate is increased. When the rate is larger than the infrared emissivity of the electrode, the temperature of the electrode is lowered.

また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする。 The invention described in claim 5 is characterized in that, in the invention described in claim 1, the temperatures of the substrate and the electrode are set in the range of −66 ° C. to 89 ° C.

請求項６に記載の発明は、基板上に形成された電極の検査装置において、前記電極の温度を制御して前記基板と前記電極との温度差を変化させる電極温度調節手段と、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段とを有し、前記電極エリアおよび前記基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査装置である。 According to a sixth aspect of the present invention, in the electrode inspection apparatus formed on a substrate, electrode temperature adjusting means for controlling a temperature of the electrode to change a temperature difference between the substrate and the electrode; and electrode area and electrode are formed is emitted from the substrate area not formed possess an infrared detector for detecting infrared rays, a change in the infrared peak wavelength emitted from the electrode area and the substrate area, a normal electrode An electrode inspection apparatus that inspects an electrode by comparing a change in peak wavelength of infrared rays emitted from an area and a normal substrate area .

また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、基板の温度を変化させる基板温度調節手段を有することを特徴とする。 According to a seventh aspect of the invention, in the sixth aspect of the invention, there is provided substrate temperature adjusting means for changing the temperature of the substrate.

また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする。 The invention according to claim 8 is characterized in that, in the invention according to claim 7 , the temperature of the substrate is changed and the temperature of the electrode is changed in a direction opposite to the direction of change of the temperature of the substrate. And

また、請求項９に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする。 The invention according to claim 9 is characterized in that, in the invention according to claim 6 , the temperature of the substrate and the electrode is in the range of −66 ° C. to 89 ° C.

以下、本発明の一実施の形態について図面を用いて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態１）
まず、ＰＤＰの構造について図１を用いて説明する。図１（ａ）はＰＤＰの一部分を所定方向に切った断面図であり、同図（ｂ）は前記所定方向に対して垂直な方向に切った断面図である。 (Embodiment 1)
First, the structure of the PDP will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a cross-sectional view of a part of the PDP cut in a predetermined direction, and FIG. 1B is a cross-sectional view cut in a direction perpendicular to the predetermined direction.

ガラス基板である前面基板１上には、ストライプ状の走査電極２および維持電極３が対となった表示電極が複数形成されており、走査電極２および維持電極３を覆うように誘電体層４が形成され、誘電体層４上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層５が形成されている。走査電極２および維持電極３は、それぞれ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明電極６と、透明電極６上に形成された銀（Ａｇ）等からなる金属電極７とにより構成されている。 On the front substrate 1 which is a glass substrate, a plurality of display electrodes each having a pair of stripe-shaped scan electrodes 2 and sustain electrodes 3 are formed, and the dielectric layer 4 covers the scan electrodes 2 and the sustain electrodes 3. A protective layer 5 made of magnesium oxide (MgO) is formed on the dielectric layer 4. The scan electrode 2 and the sustain electrode 3 are each composed of a transparent electrode 6 made of indium tin oxide (ITO) or the like and a metal electrode 7 made of silver (Ag) or the like formed on the transparent electrode 6. .

また、背面基板８上にはストライプ状のアドレス電極９が複数形成されており、アドレス電極９を覆うように誘電体層１０が形成されている。さらに、誘電体層１０上にはアドレス電極９の間に位置するようにアドレス電極９に平行な隔壁１１が形成されている。そして、隣接する隔壁１１間には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する蛍光体層１２が１色ずつ順に形成されている。 A plurality of striped address electrodes 9 are formed on the rear substrate 8, and a dielectric layer 10 is formed so as to cover the address electrodes 9. Further, a partition wall 11 parallel to the address electrodes 9 is formed on the dielectric layer 10 so as to be positioned between the address electrodes 9. A phosphor layer 12 that emits red (R), green (G), and blue (B) is sequentially formed between the adjacent barrier ribs 11 one by one.

前面基板１と背面基板８とは、走査電極２および維持電極３とアドレス電極９とが直交するように対向配置されて周囲が密閉され、基板間に形成される放電空間にはＮｅとＸｅ等の希ガスが封入されている。表示を行う際の最小単位であるセルは、走査電極２および維持電極３とアドレス電極９との立体交差部に形成される。走査電極２とアドレス電極９とに電圧を印加して表示を行うセルを選択し、走査電極２と維持電極３との間に交流電圧を印加して、各セルにおける放電によって生じる真空紫外線により蛍光体層１２を発光させ、前面基板１を透過する光で画像表示を行うものである。 The front substrate 1 and the back substrate 8 are arranged so that the scan electrodes 2 and the sustain electrodes 3 and the address electrodes 9 are opposed to each other so as to be orthogonal to each other, and the periphery is hermetically sealed. The rare gas is enclosed. A cell, which is the minimum unit for display, is formed at the three-dimensional intersection of the scan electrode 2, the sustain electrode 3, and the address electrode 9. A cell to be displayed is selected by applying a voltage to the scan electrode 2 and the address electrode 9, an alternating voltage is applied between the scan electrode 2 and the sustain electrode 3, and fluorescence is generated by vacuum ultraviolet rays generated by discharge in each cell. The body layer 12 is caused to emit light and image display is performed with light transmitted through the front substrate 1.

このようなＰＤＰを製造する場合、前面基板１と背面基板８のそれぞれの上に、電極等の所定の構造物を順次積層して形成した後、前面基板１と背面基板８とを貼り合わせる。電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、スクリーン印刷法、コーティング法、フィルムラミネート法等によってガラス基板上に電極材料の膜を形成した後、その膜をフォトリソグラフィー法によってパターニングする方法や、スクリーン印刷あるいはオフセット印刷によりパターニング印刷する方法がある。また、誘電体層４、１０はスクリーン印刷法やフィルムラミネート法等により形成される。隔壁１１は、隔壁材料の膜を形成してサンドブラスト法によって切削する方法や、感光性ペーストを成膜してリソグラフィーによりパターニングする方法等によって形成される。蛍光体層１２は、スクリーン印刷により隣接する隔壁１１間にＲ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体ペーストを選択的に充填する方法等によって形成される。 When manufacturing such a PDP, a predetermined structure such as an electrode is sequentially laminated on each of the front substrate 1 and the back substrate 8, and then the front substrate 1 and the back substrate 8 are bonded together. As an electrode formation method, a film of an electrode material is formed on a glass substrate by a vacuum deposition method, a sputtering method, a plating method, a screen printing method, a coating method, a film laminating method, etc., and then the film is patterned by a photolithography method. And patterning printing by screen printing or offset printing. The dielectric layers 4 and 10 are formed by a screen printing method or a film laminating method. The partition wall 11 is formed by a method of forming a partition material film and cutting it by a sand blast method, or a method of forming a photosensitive paste and patterning it by lithography. The phosphor layer 12 is formed by a method of selectively filling phosphor pastes of R, G, and B colors between the adjacent partition walls 11 by screen printing.

そして、ＰＤＰの製造工程においては、走査電極２、維持電極３、アドレス電極９の電極を基板上に形成した後、形成した電極に断線等のような不良が発生していないかどうかを確認するために、電極検査を行う。図２は前面基板１上に走査電極２および維持電極３を形成したときの平面図であり、走査電極２と維持電極３はそれぞれ前面基板１の対向する辺に引き出され、各辺の端部に設けられた端子に接続されている。このように基板上に形成された電極について検査を行う。次に、本発明の実施の形態１による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。 In the manufacturing process of the PDP, after forming the electrodes of the scan electrode 2, the sustain electrode 3, and the address electrode 9 on the substrate, it is confirmed whether or not defects such as disconnection have occurred in the formed electrode. Therefore, an electrode inspection is performed. FIG. 2 is a plan view when the scan electrode 2 and the sustain electrode 3 are formed on the front substrate 1. The scan electrode 2 and the sustain electrode 3 are respectively drawn out to the opposite sides of the front substrate 1, and end portions of the respective sides. It is connected to the terminal provided in. Thus, an inspection is performed on the electrode formed on the substrate. Next, an electrode inspection apparatus according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図３は電極検査装置の概略構成図である。図３（ａ）に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４は検査台１５上に載置されて真空吸着装置（図示せず）によって検査台１５に吸着固定され、電極検査が行われる。また、基板１４上に形成された電極１３および基板１４から放射される赤外線を検出するための赤外線カメラ（赤外線検出手段）１６と、赤外線カメラ１６からのデータを処理し、不良箇所を特定するための演算処理部１７と、正常な電極部分および正常な非電極分の赤外線データを格納するとともに不良箇所の位置座標を記憶するための記憶部１８とを有している。例えば線幅が７０μｍの電極１３について電極検査するためには、赤外線カメラ２０は１０μｍ□程度の解像度を持つものが望ましい。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the electrode inspection apparatus. As shown in FIG. 3A, a substrate 14 to be inspected on which an electrode 13 is formed is placed on an inspection table 15 and is adsorbed and fixed to the inspection table 15 by a vacuum adsorption device (not shown). Is done. In addition, an infrared camera (infrared detecting means) 16 for detecting infrared rays radiated from the electrode 13 and the substrate 14 formed on the substrate 14 and data from the infrared camera 16 are processed to identify a defective portion. And a storage unit 18 for storing infrared data for normal electrode portions and normal non-electrodes and for storing position coordinates of defective portions. For example, in order to inspect the electrode 13 having a line width of 70 μm, the infrared camera 20 preferably has a resolution of about 10 μm □.

また、図３（ｂ）に示すように、基板１４上に形成した電極１３を冷却するために、ペルチェ素子１９と熱電対（図示せず）が複数設けられ、ペルチェ素子１９が装着された熱伝導体２０が電極１３に接触する構成となっている。温度制御装置２１はペルチェ素子１９を制御するものであり、熱電対からの温度情報を受けた温度制御装置２１がペルチェ素子１９を制御することにより電極１３の温度を任意に変化させることができる。なお、電極１３および基板１４は、それぞれ前述した金属電極７および前面基板１に対応するものであり、透明電極６は省略している。また、図３（ａ）においては、図３（ｂ）に示すペルチェ素子１９、熱伝導体２０および温度制御装置２１を省略している。 Further, as shown in FIG. 3 (b), in order to cool the electrode 13 formed on the substrate 14, a plurality of Peltier elements 19 and thermocouples (not shown) are provided, and the heat to which the Peltier elements 19 are attached. The conductor 20 is in contact with the electrode 13. The temperature control device 21 controls the Peltier element 19, and the temperature control device 21 that receives temperature information from the thermocouple controls the Peltier element 19 to arbitrarily change the temperature of the electrode 13. The electrode 13 and the substrate 14 correspond to the metal electrode 7 and the front substrate 1 described above, respectively, and the transparent electrode 6 is omitted. Further, in FIG. 3A, the Peltier element 19, the heat conductor 20, and the temperature control device 21 shown in FIG. 3B are omitted.

上記のように電極検査装置は、検査対象の基板１４上に形成された電極１３の温度を制御するための電極温度調節手段と、不良箇所認識手段を有している。すなわち、ペルチェ素子１９、熱伝導体２０、温度制御装置２１および熱電対によって電極温度調節手段を構成し、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって不良箇所認識手段を構成している。なお、図示していないが、電極検査装置は、電極１３および基板１４から放射される赤外線のみを検出することができるように、周囲からの放射赤外線を遮蔽するための暗幕内に設置されている。 As described above, the electrode inspection apparatus has the electrode temperature adjusting means for controlling the temperature of the electrode 13 formed on the substrate 14 to be inspected and the defective portion recognition means. That is, the electrode temperature adjusting means is constituted by the Peltier element 19, the heat conductor 20, the temperature control device 21 and the thermocouple, and the defective part recognizing means is constituted by the infrared camera 16, the arithmetic processing part 17 and the storage part 18. Although not shown, the electrode inspection apparatus is installed in a dark curtain for shielding infrared radiation from the surroundings so that only infrared radiation emitted from the electrode 13 and the substrate 14 can be detected. .

次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ペルチェ素子１９が装着された熱伝導体２０を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、電極温度調節手段によって、基板１４とは独立して電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで−２０℃まで下降させる。このとき、基板１４の温度は室温のままであり、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは下記のプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。 Next, a method for performing an electrode inspection using this electrode inspection apparatus will be described. First, a substrate 14 to be inspected on which an electrode 13 is formed is placed at a predetermined position on an inspection table 15 and is suction-fixed by a vacuum suction device. Further, the heat conductor 20 on which the Peltier element 19 is mounted is brought into contact with the electrode 13 on the substrate 14. At this time, the temperature of the substrate 14 and the electrode 13 is a room temperature of about 20 ° C. Then, by the electrode temperature adjusting means, the temperature of the electrode 13 is lowered to −20 ° C. at a rate of 10 ° C. per second independently of the substrate 14. At this time, the temperature of the substrate 14 remains at room temperature, and infrared rays are radiated from the portion of the electrode 13 and the portion of the substrate 14 on which the electrode 13 is not formed according to the following Planck's law.

プランクの法則：Ｗλ＝ελ・Ｃ₁・λ^-5／｛ｅｘｐ（Ｃ₂／λＴ）−１｝
Ｗλ：波長λにおける放射強度
ελ：波長λにおける放射率
Ｃ₁：３．７４×１０^-16（Ｗ・ｍ²）
Ｃ₂：１．４４×１０^-2（ｍ・Ｋ）
Ｔ：温度（Ｋ）
また、温度Ｔ（Ｋ）における放射赤外線のピーク波長（赤外線の放射強度が最大となる波長）λ_max（μｍ）は、以下のウィーンの法則に従う。 Planck's law: Wλ = ελ · C ₁ · λ ⁻⁵ / {exp (C ₂ / λT) −1}
Wλ: radiation intensity at wavelength λ
ελ: Emissivity at wavelength λ
C ₁ : 3.74 × 10 ⁻¹⁶ (W · m ² )
C ₂ : 1.44 × 10 ^-2 (m · K)
T: Temperature (K)
Moreover, the peak wavelength (wavelength at which the infrared radiation intensity becomes maximum) λ _max (μm) at the temperature T (K) follows the following Wien's law.

ウィーンの法則：λ_max＝２８９８／Ｔ
ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃の時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から−２０℃まで毎秒１０℃のレートで下降した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図４に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図４（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したようにほぼ一定であり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図４（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に大きくなる。 Viennese law: λ _max = 2898 / T
Here, an area to be measured for detecting infrared rays by the infrared camera 16 is divided into 10 μm × 10 μm meshes, and an area where the electrode 13 is formed (electrode area) and an area where the electrode 13 is not formed (substrate area) are set. . And the infrared rays radiated for each area are measured. Changes in the peak wavelength of infrared rays emitted when the normal substrate area (area occupied by the substrate 14) is 20 ° C., and the normal electrode area (area occupied by the electrode 13) is 20 ° C. to −20 ° C. per second. The change in the peak wavelength of infrared rays emitted when descending at a rate of 10 ° C. is as shown in FIG. 4 according to Wien's law. That is, the peak wavelength of infrared rays emitted from the normal substrate area is substantially constant as shown by the solid line a in FIGS. 4A and 4B, and the peak wavelength of infrared rays emitted from the normal electrode area is As shown by the solid line b in FIGS. 4 (a) and 4 (b), it increases with time.

例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線も含むために図４（ａ）中の破線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さくなる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため図４（ａ）中の一点鎖線ｄのように、より小さい変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 For example, if there is a defect such as a chip in a part of the electrode 13 in the electrode area, the rate of increase in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes the infrared rays emitted from the substrate 14. It becomes like the broken line c in 4 (a), and becomes smaller than the wavelength change of the normal electrode area represented by the solid line b. Further, if the electrode 13 has a large defect such as disconnection, the rate of increase in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes a large amount of infrared rays emitted from the substrate 14, and therefore, the dashed line d in FIG. As shown in FIG. Further, if all the electrodes 13 in the electrode area are missing, the change in the peak wavelength in the normal substrate area is the same. As described above, the rate of change of the peak wavelength of the detected infrared light varies depending on the degree of defect of the electrode 13.

また、基板エリアの中に電極１３の太り（電極１３の幅が太くなった状態）のような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図４（ｂ）中の破線ｅのように変化する。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不具合があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むため図４（ｂ）に一点鎖線ｆで示すように、より大きい変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 In addition, if there is a defect such as the thickness of the electrode 13 (in a state where the width of the electrode 13 is increased) in the substrate area, the peak wavelength of the infrared ray emitted from the substrate area is the infrared ray emitted from the electrode 13. So that it changes as shown by a broken line e in FIG. Also, if there is a major defect such as the thickness of the electrode 13 over most of the substrate area, the change in the peak wavelength of infrared rays emitted from the substrate area includes a large amount of infrared rays emitted from the electrode 13, so that FIG. ), The rate of change is larger, as indicated by the alternate long and short dash line f. Further, if the electrode 13 occupies the entire substrate area, the change in peak wavelength in the normal electrode area is the same. As described above, the rate of change of the detected infrared peak wavelength varies depending on the degree of thickness of the electrode 13.

このようにして、基板エリアおよび電極エリアから放射された赤外線のピーク波長は、赤外線カメラ１６により測定、定量され、その情報は信号ケーブルを通じて演算処理部１７に送られ、電極１３の不良箇所と不良の程度、不良の種類を特定することができる。さらにそのデータを記憶部１８に記憶させることによって、電極１３の不良部分を修正する作業を容易にすることができ、プロセスの改善につなげることができる。 In this way, the infrared peak wavelength radiated from the substrate area and the electrode area is measured and quantified by the infrared camera 16, and the information is sent to the arithmetic processing unit 17 through the signal cable, and the defective portion and the defective portion of the electrode 13 are detected. The degree of failure can be specified. Further, by storing the data in the storage unit 18, it is possible to facilitate the work of correcting the defective portion of the electrode 13, and to improve the process.

本実施の形態１では、電極１３の温度を低下させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。 In the first embodiment, since the temperature of the electrode 13 is lowered, even if the infrared emissivity of the material of the electrode 13 and the material of the substrate 14 is equivalent, the difference in the peak wavelength of the infrared depending on the temperature causes Defects can be easily detected.

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。 (Embodiment 2)
Next, an electrode inspection apparatus according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図５は実施の形態２における電極検査装置の概略構成図である。この電極検査装置は、実施の形態１による電極検査装置に、基板１４の温度を制御する手段を加えた構成としており、実施の形態１の電極検査装置と同じ部分には同じ符号を付けている。 FIG. 5 is a schematic configuration diagram of the electrode inspection apparatus according to the second embodiment. This electrode inspection apparatus has a configuration in which means for controlling the temperature of the substrate 14 is added to the electrode inspection apparatus according to the first embodiment, and the same reference numerals are given to the same parts as those of the electrode inspection apparatus of the first embodiment. .

図５に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４を載置する検査台１５の上部には熱伝導体２２が設けられており、基板１４は真空吸着装置（図示せず）によって熱伝導体２２に吸着固定される。また、検査台１５内には、熱伝導体２２の下部に接するように、電気抵抗ヒーター等のようなヒーター２３と熱電対２４が複数設けられている。温度制御装置２５は、熱電対２４からの温度情報に基づいてヒーター２３を制御するもので、基板１４の温度を任意に変化させることができる。このように、実施の形態２における電極検査装置は、熱伝導体２２、ヒーター２３、熱電対２４および温度制御装置２５によって構成される基板温度調節手段を有している。他の構成については、図３を用いて説明した実施の形態１における電極検査装置と同じである。すなわち、ペルチェ素子１９、熱伝導体２０、温度制御装置２１および熱電対によって構成される電極温度調節手段と、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって構成される不良箇所認識手段を有している。 As shown in FIG. 5, a heat conductor 22 is provided on an inspection table 15 on which a substrate 14 to be inspected on which an electrode 13 is formed is placed, and the substrate 14 is a vacuum suction device (not shown). To be adsorbed and fixed to the heat conductor 22. A plurality of heaters 23 such as electric resistance heaters and thermocouples 24 are provided in the inspection table 15 so as to be in contact with the lower part of the heat conductor 22. The temperature control device 25 controls the heater 23 based on temperature information from the thermocouple 24 and can arbitrarily change the temperature of the substrate 14. As described above, the electrode inspection apparatus according to the second embodiment has the substrate temperature adjusting means including the heat conductor 22, the heater 23, the thermocouple 24, and the temperature control device 25. About another structure, it is the same as the electrode inspection apparatus in Embodiment 1 demonstrated using FIG. In other words, there is an electrode temperature adjusting means constituted by a Peltier element 19, a heat conductor 20, a temperature control device 21 and a thermocouple, and a defective portion recognizing means constituted by an infrared camera 16, an arithmetic processing portion 17 and a storage portion 18. is doing.

次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５の上部の熱伝導体２２上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ペルチェ素子１９が装着された熱伝導体２０を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、基板温度調節手段によって、基板１４の温度を毎秒１０℃のレートで６０℃まで上昇させ、電極温度調節手段によって、電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで−２０℃まで下降させる。このとき、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは前述したプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。 Next, a method for performing an electrode inspection using this electrode inspection apparatus will be described. First, the substrate 14 to be inspected on which the electrode 13 is formed is placed at a predetermined position on the heat conductor 22 above the inspection table 15, and is adsorbed and fixed by a vacuum adsorption device. Further, the heat conductor 20 on which the Peltier element 19 is mounted is brought into contact with the electrode 13 on the substrate 14. At this time, the temperature of the substrate 14 and the electrode 13 is a room temperature of about 20 ° C. Then, the temperature of the substrate 14 is increased to 60 ° C. at a rate of 10 ° C. per second by the substrate temperature adjusting means, and the temperature of the electrode 13 is decreased to −20 ° C. at a rate of 10 ° C. per second by the electrode temperature adjusting means. At this time, infrared rays are radiated from the portion of the electrode 13 and the portion of the substrate 14 on which the electrode 13 is not formed in accordance with Planck's law described above.

ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、各エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃から６０℃まで毎秒１０℃のレートで上昇した時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から−２０℃まで毎秒１０℃のレートで下降した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図６に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図６（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したように時間を経る毎に小さくなり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図６（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に大きくなる。 Here, an area to be measured for detecting infrared rays by the infrared camera 16 is divided into 10 μm × 10 μm meshes, and an area where the electrode 13 is formed (electrode area) and an area where the electrode 13 is not formed (substrate area) are set. . And the infrared rays radiated for each area are measured. Changes in the peak wavelength of infrared rays emitted when the normal substrate area (area occupied by the substrate 14) rises from 20 ° C. to 60 ° C. at a rate of 10 ° C. per second, and the normal electrode area (electrode 13 occupies 100%) The change in the peak wavelength of the infrared rays emitted when the area is lowered from 20 ° C. to −20 ° C. at a rate of 10 ° C. per second is as shown in FIG. That is, the peak wavelength of the infrared rays radiated from the normal substrate area becomes smaller with time as shown by the solid line a in FIGS. 6A and 6B, and the infrared rays radiated from the normal electrode area is reduced. The peak wavelength increases with time as indicated by the solid line b in FIGS. 6 (a) and 6 (b).

例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線も含むために図６（ａ）中の破線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さくなる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため図６（ａ）中の一点鎖線ｄのように、負の変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 For example, if there is a defect such as a chip in a part of the electrode 13 in the electrode area, the rate of increase in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes the infrared rays emitted from the substrate 14. It becomes like a broken line c in 6 (a), and becomes smaller than the wavelength change of the normal electrode area represented by the solid line b. Further, if the electrode 13 has a large defect such as disconnection, the rate of increase in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes a large amount of infrared rays emitted from the substrate 14, so that the dashed line d in FIG. As shown, the rate of change is negative. Further, if all the electrodes 13 in the electrode area are missing, the change in the peak wavelength in the normal substrate area is the same. As described above, the rate of change of the peak wavelength of the detected infrared light varies depending on the degree of defect of the electrode 13.

また、基板エリアの中に電極１３の太りのような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図６（ｂ）中の破線ｅのようになり、正常な基板エリアの波長変化よりも小さくなる。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むために図６（ｂ）に一点鎖線ｆで示すように、正の変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 Further, if there is a defect such as the thickness of the electrode 13 in the substrate area, the peak wavelength of the infrared rays radiated from the substrate area includes the infrared rays radiated from the electrode 13. It becomes like a broken line e, and becomes smaller than the wavelength change of the normal substrate area. Further, if there is a large defect such as the thickness of the electrode 13 in a large part of the substrate area, the change in the peak wavelength of the infrared rays radiated from the substrate area includes a large amount of infrared rays radiated from the electrode 13, so that FIG. As shown by a dashed line f in b), the rate of change is positive. Further, if the electrode 13 occupies the entire substrate area, the change in peak wavelength in the normal electrode area is the same. As described above, the rate of change of the detected infrared peak wavelength varies depending on the degree of thickness of the electrode 13.

本実施の形態２では、基板１４の温度を上昇させ、電極１３の温度を低下させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。 In the second embodiment, the temperature of the substrate 14 is raised and the temperature of the electrode 13 is lowered. Therefore, even if the infrared emissivity of the material of the electrode 13 and the material of the substrate 14 is equal, The defect of the electrode 13 can be easily detected from the difference in peak wavelength.

（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。 (Embodiment 3)
Next, an electrode inspection apparatus according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図７は実施の形態３における電極検査装置の概略構成図である。図７（ａ）に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４は検査台１５上に載置されて真空吸着装置（図示せず）によって検査台１５に吸着固定され、電極検査が行われる。また、基板１４上に形成された電極１３および基板１４から放射される赤外線を検出するための赤外線カメラ（赤外線検出手段）１６と、赤外線カメラ１６からのデータを処理し、不良箇所を特定するための演算処理部１７と、不良箇所の位置座標を記憶するための記憶部１８とを有しており、実施の形態１の場合と同じである。 FIG. 7 is a schematic configuration diagram of the electrode inspection apparatus according to the third embodiment. As shown in FIG. 7A, a substrate 14 to be inspected on which an electrode 13 is formed is placed on an inspection table 15 and is adsorbed and fixed to the inspection table 15 by a vacuum adsorption device (not shown). Is done. In addition, an infrared camera (infrared detecting means) 16 for detecting infrared rays radiated from the electrode 13 and the substrate 14 formed on the substrate 14 and data from the infrared camera 16 are processed to identify a defective portion. The calculation processing unit 17 and the storage unit 18 for storing the position coordinates of the defective portion are the same as those in the first embodiment.

また、図７（ｂ）に示すように、基板１４上に形成した電極１３を加熱するために、電極加熱用のヒーター２６と熱電対（図示せず）が設けられ、ヒーター２６が装着された熱伝導体２７が電極１３に接触する構成となっている。温度制御装置２８は、熱電対からの温度情報に基づいてヒーター２６を制御するものであり、熱電対からの温度情報を受けた温度制御装置２８がヒーター２６を制御することにより電極１３の温度を任意に変化させることができる。なお、図７（ａ）においては、図７（ｂ）に示すヒーター２６、熱伝導体２７および温度制御装置２８を省略している。 Further, as shown in FIG. 7B, in order to heat the electrode 13 formed on the substrate 14, a heater 26 for electrode heating and a thermocouple (not shown) are provided, and the heater 26 is attached. The heat conductor 27 is in contact with the electrode 13. The temperature control device 28 controls the heater 26 based on the temperature information from the thermocouple. The temperature control device 28 that receives the temperature information from the thermocouple controls the heater 26 to control the temperature of the electrode 13. It can be changed arbitrarily. In FIG. 7A, the heater 26, the heat conductor 27, and the temperature control device 28 shown in FIG. 7B are omitted.

上記のように電極検査装置は、検査対象の基板１４上に形成された電極１３の温度を制御するための電極温度調節手段と、不良箇所認識手段を有している。すなわち、ヒーター２６、熱伝導体２７、温度制御装置２８および熱電対によって電極温度調節手段を構成し、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって不良箇所認識手段を構成している。なお、図示していないが、電極検査装置は、電極１３および基板１４から放射される赤外線のみを検出することができるように、周囲からの放射赤外線を遮蔽するための暗幕内に設置されている。 As described above, the electrode inspection apparatus has the electrode temperature adjusting means for controlling the temperature of the electrode 13 formed on the substrate 14 to be inspected and the defective portion recognition means. That is, the heater 26, the heat conductor 27, the temperature control device 28, and the thermocouple constitute an electrode temperature adjusting means, and the infrared camera 16, the arithmetic processing part 17 and the storage part 18 constitute a defective part recognizing means. Although not shown, the electrode inspection apparatus is installed in a dark curtain for shielding infrared radiation from the surroundings so that only infrared radiation emitted from the electrode 13 and the substrate 14 can be detected. .

次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ヒーター２６が装着された熱伝導体２７を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、電極温度調節手段によって、電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで６０℃まで上昇させる。このとき、基板１４の温度は室温のままであり、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは前述したプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。 Next, a method for performing an electrode inspection using this electrode inspection apparatus will be described. First, a substrate 14 to be inspected on which an electrode 13 is formed is placed at a predetermined position on an inspection table 15 and is suction-fixed by a vacuum suction device. Further, the heat conductor 27 on which the heater 26 is mounted is brought into contact with the electrode 13 on the substrate 14. At this time, the temperature of the substrate 14 and the electrode 13 is a room temperature of about 20 ° C. And the temperature of the electrode 13 is raised to 60 ° C. at a rate of 10 ° C. per second by the electrode temperature adjusting means. At this time, the temperature of the substrate 14 remains at room temperature, and infrared rays are radiated from the portion of the electrode 13 and the portion of the substrate 14 where the electrode 13 is not formed according to the Planck's law described above.

ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、各エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃の時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から６０℃まで毎秒１０℃のレートで上昇した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図８に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図８（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したようにほぼ一定であり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図８（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に小さくなる。 Here, an area to be measured for detecting infrared rays by the infrared camera 16 is divided into 10 μm × 10 μm meshes, and an area where the electrode 13 is formed (electrode area) and an area where the electrode 13 is not formed (substrate area) are set. . And the infrared rays radiated for each area are measured. Changes in the peak wavelength of infrared rays emitted when the normal substrate area (area occupied by the substrate 14) is 20 ° C., and the normal electrode area (area occupied by the electrode 13) is 10 ° C. per second from 20 ° C. to 60 ° C. The change in the peak wavelength of the infrared rays emitted when rising at the rate of ° C. is as shown in FIG. 8 according to Wien's law. That is, the peak wavelength of infrared radiation emitted from the normal substrate area is substantially constant as shown by the solid line a in FIGS. 8A and 8B, and the peak wavelength of infrared radiation emitted from the normal electrode area is As shown by the solid line b in FIGS. 8A and 8B, the time decreases with time.

例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線も含むために図８（ａ）中の一点鎖線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さい変化率となる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため図８（ａ）中の破線ｄのように、より小さい変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 For example, if there is a defect such as a chip in a part of the electrode 13 in the electrode area, the change in the peak wavelength of the infrared rays radiated from the electrode area includes the infrared rays radiated from the substrate 14. It becomes like a one-dot chain line c in (a), and the change rate is smaller than the wavelength change of the normal electrode area represented by the solid line b. Further, if the electrode 13 has a large defect such as disconnection, the change in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes a large amount of infrared rays emitted from the substrate 14, so that the broken line d in FIG. The rate of change is smaller. Further, if all the electrodes 13 in the electrode area are missing, the change in the peak wavelength in the normal substrate area is the same. As described above, the rate of change of the peak wavelength of the detected infrared light varies depending on the degree of defect of the electrode 13.

また、基板エリアの中に電極１３の太りのような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図８（ｂ）中の一点鎖腺ｅのように変化する。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不具合があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むため図８（ｂ）に破線ｆで示すように、より大きい変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 Further, if there is a defect such as the thickness of the electrode 13 in the substrate area, the peak wavelength of the infrared rays radiated from the substrate area includes the infrared rays radiated from the electrode 13. It changes like the one-dot chain gland e. Also, if there is a major defect such as the thickness of the electrode 13 over most of the substrate area, the change in the peak wavelength of the infrared rays emitted from the substrate area includes a large amount of infrared rays emitted from the electrode 13, so that FIG. As shown by the broken line f in FIG. Further, if the electrode 13 occupies the entire substrate area, the change in peak wavelength in the normal electrode area is the same. As described above, the rate of change of the detected infrared peak wavelength varies depending on the degree of thickness of the electrode 13.

本実施の形態３では、電極１３の温度を上昇させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。 In the third embodiment, since the temperature of the electrode 13 is increased, even if the infrared emissivity of the material of the electrode 13 and the material of the substrate 14 is equal, the difference in the peak wavelength of the infrared rays due to the temperature causes Defects can be easily detected.

（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。 (Embodiment 4)
Next, an electrode inspection apparatus according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図９は実施の形態４における電極検査装置の概略構成図である。この電極検査装置は、実施の形態３による電極検査装置に、基板１４の温度を制御する手段を加えた構成としており、実施の形態３の電極検査装置と同じ部分には同じ符号を付けている。 FIG. 9 is a schematic configuration diagram of an electrode inspection apparatus according to the fourth embodiment. This electrode inspection apparatus has a configuration in which means for controlling the temperature of the substrate 14 is added to the electrode inspection apparatus according to the third embodiment, and the same reference numerals are given to the same parts as those of the electrode inspection apparatus of the third embodiment. .

図９に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４を載置する検査台１５の上部には熱伝導体２９が設けられており、基板１４は真空吸着装置（図示せず）によって熱伝導体２９に吸着固定される。また、検査台１５内には、熱伝導体２９の下部に接するように、ペルチェ素子３０と熱電対２４が複数設けられている。温度制御装置３１は、熱電対２４からの温度情報に基づいてペルチェ素子３０を制御するもので、基板１４の温度を任意に変化させることができる。このように、実施の形態４における電極検査装置は、熱伝導体２９、ペルチェ素子３０、熱電対２４および温度制御装置３１によって構成される基板温度調節手段を有している。他の構成については、図７を用いて説明した実施の形態３における電極検査装置と同じである。すなわち、ヒーター２６、熱伝導体２７、温度制御装置２８および熱電対によって構成される電極温度調節手段と、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって構成される不良箇所認識手段を有している。 As shown in FIG. 9, a heat conductor 29 is provided on the inspection table 15 on which the substrate 14 to be inspected on which the electrode 13 is formed is placed, and the substrate 14 is a vacuum suction device (not shown). To be adsorbed and fixed to the heat conductor 29. A plurality of Peltier elements 30 and thermocouples 24 are provided in the inspection table 15 so as to be in contact with the lower part of the heat conductor 29. The temperature control device 31 controls the Peltier element 30 based on temperature information from the thermocouple 24 and can arbitrarily change the temperature of the substrate 14. As described above, the electrode inspection apparatus according to the fourth embodiment has the substrate temperature adjusting means including the heat conductor 29, the Peltier element 30, the thermocouple 24, and the temperature control device 31. About another structure, it is the same as the electrode inspection apparatus in Embodiment 3 demonstrated using FIG. That is, it has an electrode temperature adjusting means constituted by a heater 26, a heat conductor 27, a temperature control device 28 and a thermocouple, and a defective portion recognizing means constituted by an infrared camera 16, an arithmetic processing part 17 and a storage part 18. ing.

次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５の上部の熱伝導体２９上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ヒーター２６が装着された熱伝導体２７を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、基板温度調節手段によって、基板１４の温度を毎秒１０℃のレートで−２０℃まで下降させ、電極温度調節手段によって、電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで６０℃まで上昇させる。このとき、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは前述したプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。 Next, a method for performing an electrode inspection using this electrode inspection apparatus will be described. First, the substrate 14 to be inspected on which the electrode 13 is formed is placed at a predetermined position on the heat conductor 29 above the inspection table 15 and is adsorbed and fixed by a vacuum adsorption device. Further, the heat conductor 27 on which the heater 26 is mounted is brought into contact with the electrode 13 on the substrate 14. At this time, the temperature of the substrate 14 and the electrode 13 is a room temperature of about 20 ° C. Then, the temperature of the substrate 14 is lowered to −20 ° C. at a rate of 10 ° C. per second by the substrate temperature adjusting means, and the temperature of the electrode 13 is raised to 60 ° C. at a rate of 10 ° C. per second by the electrode temperature adjusting means. At this time, infrared rays are radiated from the portion of the electrode 13 and the portion of the substrate 14 on which the electrode 13 is not formed in accordance with Planck's law described above.

ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、各エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃から−２０℃まで毎秒１０℃のレートで下降した時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から６０℃まで毎秒１０℃のレートで上昇した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図１０に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図１０（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したように時間を経る毎に大きくなり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図６（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に小さくなる。 Here, an area to be measured for detecting infrared rays by the infrared camera 16 is divided into 10 μm × 10 μm meshes, and an area where the electrode 13 is formed (electrode area) and an area where the electrode 13 is not formed (substrate area) are set. . And the infrared rays radiated for each area are measured. Changes in the peak wavelength of the infrared rays emitted when the normal substrate area (area occupied by the substrate 14) falls from 20 ° C. to −20 ° C. at a rate of 10 ° C. per second, and the normal electrode area (the electrode 13 is 100%) The change in the peak wavelength of infrared rays emitted when the area) rises from 20 ° C. to 60 ° C. at a rate of 10 ° C. per second is as shown in FIG. That is, the peak wavelength of infrared rays radiated from the normal substrate area increases with time as shown by the solid line a in FIGS. 10A and 10B, and the infrared rays radiated from the normal electrode area. The peak wavelength decreases with time as shown by the solid line b in FIGS. 6 (a) and 6 (b).

例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線も含むために図１０（ａ）中の一点鎖線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さくなる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため、図１０（ａ）中の破線ｄのように正の変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 For example, if there is a defect such as a chip in a part of the electrode 13 in the electrode area, the change in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes the infrared rays emitted from the substrate 14 as well. It becomes like the one-dot chain line c in (a), and becomes smaller than the wavelength change of the normal electrode area represented by the solid line b. Further, if the electrode 13 has a large defect such as disconnection, the change in the peak wavelength of infrared rays emitted from the electrode area includes a large amount of infrared rays emitted from the substrate 14, so that the broken line d in FIG. So that the rate of change is positive. Further, if all the electrodes 13 in the electrode area are missing, the change in the peak wavelength in the normal substrate area is the same. As described above, the rate of change of the peak wavelength of the detected infrared light varies depending on the degree of defect of the electrode 13.

また、基板エリアの中に電極１３の太りのような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図１０（ｂ）中の一点鎖線ｅのようになり、正常な基板エリアの波長変化よりも小さくなる。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むために図１０（ｂ）に破線ｆで示すように負の変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。 In addition, if there is a defect such as the thickness of the electrode 13 in the substrate area, the peak wavelength of the infrared rays radiated from the substrate area includes the infrared rays radiated from the electrode 13. It becomes like an alternate long and short dash line e, and becomes smaller than the wavelength change of the normal substrate area. Further, if there is a large defect such as the thickness of the electrode 13 in a large part of the substrate area, the change in the peak wavelength of infrared rays emitted from the substrate area includes a large amount of infrared rays emitted from the electrode 13, so that FIG. As shown by the broken line f in b), the rate of change is negative. Further, if the electrode 13 occupies the entire substrate area, the change in peak wavelength in the normal electrode area is the same. As described above, the rate of change of the detected infrared peak wavelength varies depending on the degree of thickness of the electrode 13.

本実施の形態４では、基板１４の温度を低下させ、電極１３の温度を上昇させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。 In the fourth embodiment, since the temperature of the substrate 14 is lowered and the temperature of the electrode 13 is raised, even if the infrared emissivity of the material of the electrode 13 and the material of the substrate 14 is equivalent, The defect of the electrode 13 can be easily detected from the difference in peak wavelength.

上記実施の形態では、電極１３と基板１４との温度差を変化させて赤外線量を検出しており、電極１３および基板１４の材料に応じて電極検査時の温度の変化を適宜設定することにより、精度よく電極検査を行うことができる。例えば、基板材料の赤外線放射率が電極材料の赤外線放射率よりも大きい場合には、実施の形態１，２のように電極１３の温度を低下させることで検出感度を上げることができる。また、基板材料の赤外線放射率が電極材料の赤外線放射率よりも小さい場合には、実施の形態３，４のように電極１３の温度を上昇させることで検出感度を上げることができる。 In the above embodiment, the amount of infrared rays is detected by changing the temperature difference between the electrode 13 and the substrate 14, and the change in temperature during the electrode inspection is appropriately set according to the materials of the electrode 13 and the substrate 14. Electrode inspection can be performed with high accuracy. For example, when the infrared emissivity of the substrate material is larger than the infrared emissivity of the electrode material, the detection sensitivity can be increased by lowering the temperature of the electrode 13 as in the first and second embodiments. Further, when the infrared emissivity of the substrate material is smaller than the infrared emissivity of the electrode material, the detection sensitivity can be increased by increasing the temperature of the electrode 13 as in the third and fourth embodiments.

また、上記実施の形態による電極検査装置では基板１４の各辺に引き出された電極１３に一括して熱伝導体を接触させればよく、個々の電極１３に対応して検査用のプローブを当てる必要はないので、短時間で容易に電極検査を行うことができる。赤外線を検出することにより検査を行っているので、断線幅が小さい場合でも断線箇所を検出することができる。 Further, in the electrode inspection apparatus according to the above-described embodiment, the heat conductor may be brought into contact with the electrodes 13 drawn out to the respective sides of the substrate 14 at a time, and inspection probes are applied to the individual electrodes 13. Since it is not necessary, the electrode inspection can be easily performed in a short time. Since the inspection is performed by detecting infrared rays, the disconnection location can be detected even when the disconnection width is small.

上記実施の形態では、基板１４および電極１３の温度調節にヒーターやペルチェ素子を使用しているが、温度調節可能なものであればそれ以外のものを使用してもよい。また、１つではなく複数個の赤外線カメラを用いれば、個々の赤外線カメラが担当する検査領域が小さくなり解像度が向上し、より精度よく検査することができる。また、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割した例を示したが、このメッシュの大きさは測定対象に応じて変更すればよい。 In the above embodiment, a heater or a Peltier element is used to adjust the temperature of the substrate 14 and the electrode 13, but other devices may be used as long as the temperature can be adjusted. In addition, if a plurality of infrared cameras are used instead of one, the inspection area assigned to each infrared camera is reduced, the resolution is improved, and the inspection can be performed with higher accuracy. Moreover, although the example in which the area to be measured for detecting infrared rays by the infrared camera 16 is divided into 10 μm × 10 μm meshes is shown, the size of this mesh may be changed according to the measurement object.

また、赤外線を検出する際、大気中の赤外線吸収成分の影響を排除するために、ピーク波長が８μｍ〜１４μｍの赤外線で行うことが望ましい。そのためには前述のウィーンの法則に従い、基板１４および電極１３の温度は−６６℃〜８９℃の範囲内で制御することが望ましい。 Moreover, when detecting infrared rays, in order to eliminate the influence of infrared absorbing components in the atmosphere, it is desirable to carry out infrared rays having a peak wavelength of 8 μm to 14 μm. For this purpose, it is desirable to control the temperature of the substrate 14 and the electrode 13 within the range of −66 ° C. to 89 ° C. in accordance with the aforementioned Wien's law.

なお、走査電極２または維持電極３として、透明電極６を形成せず、複数の金属電極７を並べて形成することにより構成する場合もあるが、その場合の電極検査や、背面基板８上に形成されたアドレス電極９の検査にも本発明を適用することができる。 The scan electrode 2 or the sustain electrode 3 may be configured by forming a plurality of metal electrodes 7 side by side without forming the transparent electrode 6. In this case, the scan electrode 2 or the sustain electrode 3 is formed on the back substrate 8. The present invention can also be applied to the inspection of the address electrode 9 that has been performed.

以上のように本発明によれば、基板上に形成された電極の検査を行う際に、基板と電極との温度差を変化させて赤外線を検出することで、電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出することができ、ＰＤＰ等を製造する際の電極検査に有用である。 As described above, according to the present invention, when the electrode formed on the substrate is inspected, the temperature difference between the substrate and the electrode is changed to detect the infrared rays, thereby easily and quickly detecting the defective portion of the electrode. It is useful for electrode inspection when manufacturing a PDP or the like.

（ａ）、（ｂ）はプラズマディスプレイパネルの一部分を示す断面図(A), (b) is sectional drawing which shows a part of plasma display panel 同プラズマディスプレイパネルの前面基板に電極を形成したときの平面図Plan view when electrodes are formed on the front substrate of the plasma display panel （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態１における電極検査装置の概略構成図(A), (b) is a schematic block diagram of the electrode inspection apparatus in Embodiment 1 of this invention. （ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図(A), (b) is a characteristic diagram of the infrared peak wavelength detected by the same electrode inspection device 本発明の実施の形態２における電極検査装置の概略構成図Schematic configuration diagram of an electrode inspection apparatus in Embodiment 2 of the present invention （ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図(A), (b) is a characteristic diagram of the infrared peak wavelength detected by the same electrode inspection device （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３における電極検査装置の概略構成図(A), (b) is a schematic block diagram of the electrode inspection apparatus in Embodiment 3 of this invention. （ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図(A), (b) is a characteristic diagram of the infrared peak wavelength detected by the same electrode inspection device 本発明の実施の形態４における電極検査装置の概略構成図Schematic configuration diagram of an electrode inspection apparatus in Embodiment 4 of the present invention （ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図(A), (b) is a characteristic diagram of the infrared peak wavelength detected by the same electrode inspection device

符号の説明Explanation of symbols

１３電極
１４基板
１６赤外線カメラ
１９、３０ペルチェ素子
２０、２２、２７、２９熱伝導体
２１、２５、２８、３１温度制御装置
２３、２６ヒーター
２４熱電対 DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 Electrode 14 Board | substrate 16 Infrared camera 19, 30 Peltier device 20, 22, 27, 29 Thermal conductor 21, 25, 28, 31 Temperature control device 23, 26 Heater 24 Thermocouple

Claims

基板上に形成された電極の検査方法において、前記基板と前記電極との温度差を変化させて、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出し、前記電極エリアおよび前記基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査方法。 In the inspection method of the electrode formed on the substrate, the temperature difference between the substrate and the electrode is changed to detect infrared rays emitted from the electrode area where the electrode is formed and the substrate area where the electrode is not formed , The electrode is inspected by comparing the change in the peak wavelength of infrared radiation emitted from the electrode area and the substrate area with the change in the peak wavelength of infrared radiation emitted from the normal electrode area and the normal substrate area, respectively. An electrode inspection method.

電極の温度を変化させることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。 The electrode inspection method according to claim 1, wherein the temperature of the electrode is changed.

基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。 2. The electrode inspection method according to claim 1, wherein the temperature of the electrode is changed in a direction opposite to the direction of change of the temperature of the substrate while changing the temperature of the substrate.

基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも小さい場合には、前記電極の温度を上昇させ、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも大きい場合には、前記電極の温度を低下させることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。 When the infrared emissivity of the substrate is smaller than the infrared emissivity of the electrode, the temperature of the electrode is increased, and when the infrared emissivity of the substrate is larger than the infrared emissivity of the electrode, the temperature of the electrode is decreased. The electrode inspection method according to claim 1, wherein:

基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。 The electrode inspection method according to claim 1, wherein the temperature of the substrate and the electrode is in a range of −66 ° C. to 89 ° C.

基板上に形成された電極の検査装置において、前記電極の温度を制御して前記基板と前記電極との温度差を変化させる電極温度調節手段と、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段とを有し、前記電極エリアおよび前記基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査装置。 In an inspection apparatus for an electrode formed on a substrate, an electrode temperature adjusting means for controlling a temperature difference of the electrode to change a temperature difference between the substrate and the electrode, an electrode area in which the electrode is formed, and an electrode are formed are not possess an infrared detector for detecting infrared rays radiated from the substrate area, and changes in the infrared peak wavelength emitted from the electrode area and said substrate area being emitted from the normal electrode area and normal substrate area An electrode inspection apparatus for inspecting an electrode by comparing the change in the peak wavelength of infrared rays .

基板の温度を変化させる基板温度調節手段を有することを特徴とする請求項６に記載の電極検査装置。 7. The electrode inspection apparatus according to claim 6 , further comprising substrate temperature adjusting means for changing the temperature of the substrate.

基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする請求項７に記載の電極検査装置。 The electrode inspection apparatus according to claim 7 , wherein the temperature of the electrode is changed in a direction opposite to a change direction of the temperature of the substrate while changing the temperature of the substrate.

基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする請求項６に記載の電極検査装置。 The electrode inspection apparatus according to claim 6 , wherein the temperature of the substrate and the electrode is in a range of −66 ° C. to 89 ° C.