JP4410579B2 - Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method - Google Patents

Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method Download PDF

Info

Publication number
JP4410579B2
JP4410579B2 JP2004040754A JP2004040754A JP4410579B2 JP 4410579 B2 JP4410579 B2 JP 4410579B2 JP 2004040754 A JP2004040754 A JP 2004040754A JP 2004040754 A JP2004040754 A JP 2004040754A JP 4410579 B2 JP4410579 B2 JP 4410579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particle beam
charged particle
high voltage
electrode
fluctuation component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004040754A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005235468A (en
Inventor
崎 光 明 大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP2004040754A priority Critical patent/JP4410579B2/en
Publication of JP2005235468A publication Critical patent/JP2005235468A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4410579B2 publication Critical patent/JP4410579B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、電子顕微鏡や電子ビーム露光装置やイオンビーム加工装置などの荷電粒子線装置に関し、エミッタに高電位を与えるための高電圧発生装置を備えた荷電粒子線装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam apparatus such as an electron microscope, an electron beam exposure apparatus, and an ion beam processing apparatus, and more particularly to a charged particle beam apparatus including a high voltage generator for applying a high potential to an emitter.

電子顕微鏡においては、電子エミッタを高電圧発生装置によって高電位に維持し、エミッタから射出された電子を加速管で加速して試料に照射するようにしている。その高電圧発生装置としては、コッククロフトウォルトン回路を備えた装置が広く用いられている。
さて、高電圧発生装置からエミッタに与えられる電位の安定性は、電子顕微鏡像の分解能を左右する重要な因子のうちの一つである。なぜなら、エミッタの電位が変動すると、エミッタから射出される電子のエネルギーが変動してしまい、その電子のエネルギー変動に伴って電子線のフォーカス状態が変わり、電子顕微鏡像にボケが生じるからである。すなわち、エミッタの電位が変動すると、エミッタからの電子線にエネルギーの広がり(揺らぎ)が生じ、電子顕微鏡像にボケが生じてしまう。
そこで、従来の電子顕微鏡における高電圧発生装置においては、高電圧発生装置より発生する変動成分(ノイズ信号)を除去するための回路が備えられている。たとえば、特許第3310504号公報(特許文献1)に記載されている高電圧発生装置は、直流高電圧に重畳される低周波数から高周波数の帯域の変動成分(ノイズ信号)を除去するために、それらの変動成分の信号を検出してフィルターカラムに負帰還する回路を備えている。なお、このフィルターカラムは、前記コッククロフトウォルトン回路より発生した直流高電圧を平滑化するためのものである。
In an electron microscope, an electron emitter is maintained at a high potential by a high voltage generator, and electrons emitted from the emitter are accelerated by an acceleration tube to irradiate a sample. As the high voltage generator, a device having a Cockcroft Walton circuit is widely used.
The stability of the potential applied from the high voltage generator to the emitter is one of the important factors that influence the resolution of the electron microscope image. This is because when the potential of the emitter fluctuates, the energy of electrons emitted from the emitter fluctuates, and the focus state of the electron beam changes with the fluctuation of the energy of the electrons, resulting in blurring in the electron microscope image. That is, when the potential of the emitter fluctuates, energy spread (fluctuation) occurs in the electron beam from the emitter, and the electron microscope image is blurred.
Therefore, a high voltage generator in a conventional electron microscope includes a circuit for removing a fluctuation component (noise signal) generated from the high voltage generator. For example, the high-voltage generator described in Japanese Patent No. 3310504 (Patent Document 1) removes a fluctuation component (noise signal) in a low-frequency to high-frequency band superimposed on a DC high voltage. A circuit that detects the signals of these fluctuation components and negatively feeds back to the filter column is provided. This filter column is for smoothing the DC high voltage generated from the Cockcroft-Walton circuit.

特許第3310504号公報Japanese Patent No. 3310504

しかしながら、前記フィルターカラムは高圧側に配置されており、特許文献1においては、上述した負帰還回路を高圧内に組み込まなければならない。そのため、特許文献1の高電圧発生装置の構造は複雑になってしまい、また装置が大型化してしまう。 However, the filter column is disposed on the high pressure side, and in Patent Document 1, the above-described negative feedback circuit must be incorporated in the high pressure. Therefore, the structure of the high voltage generator of Patent Document 1 becomes complicated, and the apparatus becomes large.

本発明はこのような点に鑑みて成されたものであり、その目的は、簡単な構造でもって、高電圧発生装置より発生するノイズ信号の荷電粒子線への影響を抑えることができる荷電粒子線装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a charged particle that can suppress the influence of a noise signal generated from a high-voltage generator on a charged particle beam with a simple structure. It is to provide a wire device.

上記目的を達成する本発明の荷電粒子線装置は、エミッタから射出された荷電粒子を加速手段で加速して試料に照射するようにした荷電粒子線装置において、
次の(a)〜(f)の構成要素を有し、前記エミッタに高電位を与えるための高電圧発生装置と、
(a)コッククロフトウォルトン回路
(b)低圧側に配置され前記コッククロフトウォルトン回路に電力を供給するための交流電源
(c)前記コッククロフトウォルトン回路より発生した直流高電圧を平滑化するためのフィルターカラム
(d)平滑化された直流高電圧を検出するための検出カラム
(e)前記検出カラムによって検出された信号の直流成分が基準値に一致するように、前記交流電源よりコッククロフトウォルトン回路に供給される電力を制御するための回路
(f)前記平滑化された直流高電圧に重畳される変動成分を表す信号を取り出すため、前記フィルターカラムに備えられた端子
前記エミッタと試料間の荷電粒子線通路に配置された電極と、前記変動成分による荷電粒子線のエネルギーの広がりが前記電極において抑えられるように、前記端子よりの信号に基づいて前記電極に電位を与えるための変動成分除去手段とを備えている。
The charged particle beam apparatus of the present invention that achieves the above object is a charged particle beam apparatus in which charged particles emitted from an emitter are accelerated by an accelerating means and irradiated onto a sample.
A high voltage generator having the following components (a) to (f) for applying a high potential to the emitter;
(A) Cockcroft Walton circuit (b) AC power supply for supplying power to the Cockcroft Walton circuit disposed on the low voltage side (c) Filter column (d) for smoothing the DC high voltage generated from the Cockcroft Walton circuit ) Detection column for detecting a smoothed DC high voltage (e) Electric power supplied from the AC power source to the Cockcroft Walton circuit so that the DC component of the signal detected by the detection column matches a reference value A circuit for controlling (f) a terminal provided in the filter column for taking out a signal representing a fluctuation component superimposed on the smoothed DC high voltage, arranged in a charged particle beam path between the emitter and the sample and electrodes, et suppress the energy spread of the charged particle beam by the fluctuation component in the electrode In so that, and a fluctuation component removing means for applying a potential to the electrode on the basis of a signal from the terminal.

したがって本発明によれば、簡単な構造でもって、高電圧発生装置より発生するノイズ信号の荷電粒子線への影響を抑えることができる荷電粒子線装置を提供できる。   Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a charged particle beam apparatus that can suppress the influence of a noise signal generated from the high voltage generator on the charged particle beam with a simple structure.

以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一例を示した図であり、本発明が適用された透過電子顕微鏡を示した図である。   FIG. 1 is a diagram showing an example of the present invention, and is a diagram showing a transmission electron microscope to which the present invention is applied.

図1において、1は交流電源(たとえば20kHz)であり、交流電源1よりの交流電圧は昇圧トランス2により昇圧される。昇圧トランス2より得られた電圧は、多段の整流素子とコンデンサより成るバランス型コッククロフトウォルトン回路(以下、CCW回路と称す)3により昇圧整流される。   In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an AC power source (for example, 20 kHz), and an AC voltage from the AC power source 1 is boosted by a step-up transformer 2. The voltage obtained from the step-up transformer 2 is stepped up and rectified by a balanced cockcroft Walton circuit (hereinafter referred to as a CCW circuit) 3 composed of multistage rectifying elements and capacitors.

CCW回路3より発生する高電圧は第1のフィルターカラム4により平滑化される。この第1のフィルターカラム4は、コンデンサと抵抗との並列接続ユニットを多段に直列接続して構成されている。
そして、第1のフィルターカラム4はウェネルト電極5を介して第2のフィルターカラム6に接続されており、第1のフィルターカラム4によって平滑化された出力は第2のフィルターカラム6により更に平滑化される。この第2のフィルターカラム6も、コンデンサと抵抗とを並列接続したユニットを多段に直列接続して構成されている。
第2のフィルターカラム6はバイアス抵抗7を介してフィラメント(エミッタ)8に接続されている。このバイアス抵抗7はエミッション電流制御用の抵抗である。また、フィラメント8はフィラメントパワー回路9を介してフィラメント回路10に接続されており、回路9,10はフィラメント加熱電流制御用の回路である。
さらに、フィラメント8は検出カラム11に接続されている。この検出カラム11はフィラメント8とアース間に与えられる高電圧を検出するためのものであり、抵抗とコンデンサの並列接続ユニットを多段に直列接続して構成されている。この検出カラム11の最終段ユニットより、フィラメント8とアース間に与えられる高電圧を表す信号が取り出される。
12は、フィラメント8とアース間に与えられる高電圧の基準となる信号を作成する参照電源である。参照電源12よりの信号と前記検出カラム11よりの信号の偏差を表す信号は、誤差増幅器13に供給されている。誤差増幅器13よりの出力信号は振幅調整器14に供給されている。振幅調整器14は、前記偏差が0になるように交流電源1から昇圧トランス2に供給される電圧の波高値を調整するための回路である。なお、前記誤差増幅器13は、発振を防ぐため、入力される信号中の直流乃至低周波成分のみ増幅するように周波数特性が選択されている。
また、15は加速管(加速手段)であり、加速管15は前記ウェネルト電極5の後段に配置されている。この加速管15は複数の加速電極を備えた多段加速管であり、前記フィルターカラム4よりの出力電圧が抵抗で分圧されて各加速電極に印加されている。16は絶縁タンクであり、この絶縁タンク16には、上述した構成要素2〜9と検出カラム11と加速管15が収納されている。
そして、絶縁タンク16には鏡筒17が接続されている。この鏡筒17内の電子線通路には上から順に(加速管15側から順に)、高周波数用電極18、中間周波数用電極19、低周波数用電極20、集束レンズ21,22、対物レンズ23、中間レンズ24、投影レンズ25および蛍光板26の電子光学素子が配置されており、試料観察時には試料27は集束レンズ22と対物レンズ23間に配置される。なお、前記各電極18,19,20は、その中央に電子線通過孔を有する円盤状の電極である。
さらに、鏡筒17の下部にはポストカラム型エネルギースペクトルメータ28が取り付けられている。このエネルギースペクトルメータ28は、電子をそのエネルギーに応じて分光するアナライザ29と、その分光された電子をエネルギー別に検出する2次元アレイ検出器(MCPなど)30とを備えており、2次元アレイ検出器30の出力信号はスペクトル表示回路31に供給される。スペクトル表示回路31はその出力信号に基づいてエネルギースペクトルをモニタ32画面上に表示させる。
また、前記第2のフィルターカラム6には端子T1が備えられている。この端子T1は、第2のフィルターカラム6の最終段から信号を取り出すためのものであり、直流高電圧に重畳された変動成分を表す信号(ノイズ信号)を取り出すためのものである。なお、直流高電圧に重畳された低周波数から高周波数帯域の変動成分を表す信号(ノイズ信号)を端子T1から取り出せるように、フィルターカラム6の各抵抗値と各コンデンサ容量は適切に選択されている。
端子T1は高周波数帯域増幅器33と中間周波数帯域増幅器34と低周波数帯域増幅器35に接続されており、端子T1より取り出された直流高電圧に重畳された変動成分を表す信号(ノイズ信号)は増幅器33,34,35に供給される。高周波数帯域増幅器33は1kHzから40kHzまでの高周波数の信号を選択的に増幅できるようになっている。中間周波数帯域増幅器34は40Hzから1kHzまでの中間周波数の信号を選択的に増幅できるようになっている。低周波数帯域増幅器35は0.04Hzから40Hzまでの低周波数の信号を選択的に増幅できるようになっている。また、それらの増幅器33,34,35は、ゲインおよび極性を調整できる回路をそれぞれ有している。
そして、高周波数帯域増幅器33の出力信号は前記高周波数用電極18に、中間周波数帯域増幅器34の出力信号は前記中間周波数用電極19に、低周波数帯域増幅器35の出力信号は前記低周波数用電極20に供給されるように構成されている。なお、図1の例では、本発明の変動成分除去手段は、高周波数帯域増幅器33と中間周波数帯域増幅器34と低周波数帯域増幅器35で構成されている。
以上、図1の装置構成を説明した。以下、動作説明を行う。
図1において、交流電源1より発生した交流電圧は振幅調整器14を介して昇圧トランス2に供給される。その結果、昇圧トランス2より昇圧された電圧が発生し、この交流電圧はCCW回路3により昇圧整流されて出力される。この出力は第1のフィルターカラム4および第2のフィルターカラム6により平滑化される。両フィルターカラム4,6によって平滑化された高電圧はバイアス抵抗7を経てフィラメント8に印加され、また、加速管15の各加速電極とウェネルト電極5には所定の電圧が印加される。
フィラメント8とアース間に印加される高電圧は検出カラム11で検出される。検出カラム11よりの検出信号と参照電源12よりの信号との差信号は誤差増幅器13に送られており、誤差増幅器13の出力信号に基づいて交流電源1より昇圧トランス2に送られる電圧の振幅が振幅調整器14で調整される。そのため、フィラメント8とアース間には参照電源12の出力信号に対応した直流高電圧が印加されることになる。その結果、フィラメント8より放出される電子の加速電圧は参照電源12により指示されたものとなる。こうしてフィラメント8より放出された電子は、加速管15で加速されて高周波数用電極18の電子線通過孔に入射する。
さて、図1の装置においては、低周波数(たとえば1Hzから40Hz)の変動成分(ノイズ信号)と、中間周波数(たとえば40Hzから1kHz)の変動成分と、高周波数(たとえば1kHzから40kHz)の変動成分が、前記フィラメント8に印加される直流高電圧に重畳されているものとする。このため、フィラメント8からの電子線にエネルギーの広がり(揺らぎ)が生じており、高周波数用電極18に入射する電子線のエネルギー分布の幅はかなり広くなっている。この状態のままでは、上述したように高分解能の透過電子顕微鏡像は得られない。
そこで図1の装置においては、第2のフィルターカラム6の最終段から取り出された信号、すなわち直流高電圧に重畳された低周波数から高周波数帯域の変動成分を表す信号(ノイズ信号)は高周波数帯域増幅器33に供給されている。高周波数帯域増幅器33は、そのノイズ信号のうち高周波数のノイズ信号のみを選択して増幅し、その増幅した信号を反転して高周波数用電極18に供給する。すなわち、高電圧発生装置で発生した高周波数の変動電圧分が、逆位相状態で高周波数用電極18に印加される。このため、電子線に存在する高周波数のノイズ成分は高周波数用電極18でキャンセルされ、直流高電圧に重畳された高周波数変動成分による電子線のエネルギーの広がりは高周波数用電極18において抑えられる。
また、第2のフィルターカラム6の最終段から取り出されたノイズ信号は中間周波数帯域増幅器34にも供給されている。中間周波数帯域増幅器34は、そのノイズ信号のうち中間周波数のノイズ信号のみを選択して増幅し、その増幅した信号を反転して中間周波数用電極19に供給する。すなわち、中間周波数の変動電圧分が逆位相状態で中間周波数用電極19に印加される。このため、電子線に存在する中間周波数のノイズ成分は中間周波数用電極19でキャンセルされ、直流高電圧に重畳された中間周波数変動成分による電子線のエネルギーの広がりは中間周波数用電極19において縮小される。
また、第2のフィルターカラム6の最終段から取り出されたノイズ信号は低周波数帯域増幅器35にも供給されている。低周波数帯域増幅器35は、そのノイズ信号のうち低周波数のノイズ信号のみを選択して増幅し、その増幅した信号を反転して低周波数用電極20に供給する。すなわち、低周波数の変動電圧分が逆位相状態で低周波数用電極20に印加される。このため、電子線に存在する低周波数のノイズ成分は低周波数用電極20でキャンセルされ、直流高電圧に重畳された低周波数変動成分による電子線のエネルギーの広がりは低周波数用電極20において縮小される。
こうしてノイズ成分が除去された電子線は、集束レンズ21,22で集束されて試料27を照射する。そして、試料27を透過した電子線は結像レンズ系(23,24,25)によって結像拡大され、試料27の透過電子顕微鏡像が蛍光板26上に投影される。この透過電子顕微鏡像の分解能は極めて高い。その理由は上記から明らかなように、電子線に存在するノイズ成分が電極18,19,20において除去され、電子線のエネルギーの広がりがそれらの電極18,19,20において縮小されたためである。
なお、図1の装置にはエネルギースペクトルメータ28が備えられている。このため、試料27と蛍光板26を電子線通路から退避させ、フィラメント8からの電子線をエネルギースペクトルメータ28に導けば、フィラメント8で発生する電子線のエネルギースペクトルをモニタ32に表示させることができる(図1のモニタ画面参照)。そして、そのエネルギースペクトルのエネルギー幅Wが最小となるように、高周波数帯域増幅器33,中間周波数帯域増幅器34,低周波数帯域増幅器35のそれぞれのゲインを調整すれば、電子線に存在するノイズ成分を電極18,19,20において確実に除去することができる。また、場合によっては、エネルギースペクトルのエネルギー幅Wが最小となるように、各増幅器33,34,35の極性の調整が行われる。すなわち、上記とは異なり、増幅器(33,34,35)で増幅された信号が反転されずに電極(18,19,20)に供給される。
以上、図1の透過電子顕微鏡について説明した。この透過電子顕微鏡によれば、低圧側の電子線通路に電極(18,19,20)を設け、前記ノイズ成分が除去されるようにその電極に電位を与えるようにしているため、従来のように負帰還回路を高圧内に設けなくて済み、簡単な構造でもって、高電圧発生装置より発生するノイズ信号の荷電粒子線への影響を抑えることができる。
また、図2は本発明の他の例を示した図であり、本発明が適用された透過電子顕微鏡を示した図である。図2の装置が図1の装置と異なるのは以下の点である。検出カラム11が直流高電圧に重畳した変動成分を検出する。検出カラム11からの出力信号が増幅器33,34,35に供給される。この図2の装置においても、図1の装置と同様な効果を達成することができる。
また、上記例では、加速管15の後段に周波数別に3つの電極(18,19,20)を配置したが、加速管15と集束レンズ21間に1つだけ電極を配置し、増幅器33,34,35の出力信号をその1つの電極に集中して供給するようにしても良い。また、加速管15と集束レンズ21間に電極を配置せず、増幅器33,34,35の出力信号を加速管15の最終電極(アース電極)に供給するようにしても良い。
また、上記例では、鏡筒下にエネルギースペクトルメータを取り付けるようにしたが、結像レンズ系(23,24,25)にオメガフィルタを組み込んだインカラム型エネルギースペクトルメータを用いるようにしても良い。
The high voltage generated from the CCW circuit 3 is smoothed by the first filter column 4. The first filter column 4 is configured by connecting a parallel connection unit of a capacitor and a resistor in series in multiple stages.
The first filter column 4 is connected to the second filter column 6 via the Wehnelt electrode 5, and the output smoothed by the first filter column 4 is further smoothed by the second filter column 6. Is done. The second filter column 6 is also configured by connecting in series a multi-stage unit in which a capacitor and a resistor are connected in parallel.
The second filter column 6 is connected to a filament (emitter) 8 through a bias resistor 7. This bias resistor 7 is a resistor for controlling the emission current. The filament 8 is connected to a filament circuit 10 via a filament power circuit 9, and the circuits 9 and 10 are circuits for controlling the filament heating current.
Furthermore, the filament 8 is connected to the detection column 11. The detection column 11 is for detecting a high voltage applied between the filament 8 and the ground, and is configured by connecting a parallel connection unit of a resistor and a capacitor in series. A signal representing a high voltage applied between the filament 8 and the ground is taken out from the final stage unit of the detection column 11.
Reference numeral 12 denotes a reference power source for creating a signal that becomes a reference of a high voltage applied between the filament 8 and the ground. A signal representing the deviation between the signal from the reference power supply 12 and the signal from the detection column 11 is supplied to the error amplifier 13. An output signal from the error amplifier 13 is supplied to the amplitude adjuster 14. The amplitude adjuster 14 is a circuit for adjusting the peak value of the voltage supplied from the AC power supply 1 to the step-up transformer 2 so that the deviation becomes zero. The error amplifier 13 has a frequency characteristic selected to amplify only a direct current or low frequency component in an input signal in order to prevent oscillation.
Reference numeral 15 denotes an acceleration tube (acceleration means), and the acceleration tube 15 is arranged at the rear stage of the Wehnelt electrode 5. The acceleration tube 15 is a multistage acceleration tube having a plurality of acceleration electrodes, and the output voltage from the filter column 4 is divided by a resistor and applied to each acceleration electrode. Reference numeral 16 denotes an insulating tank. The insulating tank 16 houses the above-described components 2 to 9, the detection column 11, and the acceleration tube 15.
A lens barrel 17 is connected to the insulating tank 16. In the electron beam path in the lens barrel 17, the high frequency electrode 18, the intermediate frequency electrode 19, the low frequency electrode 20, the focusing lenses 21 and 22, and the objective lens 23 are sequentially arranged from the top (in order from the acceleration tube 15 side). The intermediate lens 24, the projection lens 25, and the fluorescent optical plate 26 are disposed. The sample 27 is disposed between the focusing lens 22 and the objective lens 23 when observing the sample. Each of the electrodes 18, 19, and 20 is a disk-shaped electrode having an electron beam passage hole at the center thereof.
Further, a post-column type energy spectrum meter 28 is attached to the lower part of the lens barrel 17. The energy spectrum meter 28 includes an analyzer 29 that separates electrons according to their energy, and a two-dimensional array detector (MCP or the like) 30 that detects the dispersed electrons according to energy. The output signal of the device 30 is supplied to the spectrum display circuit 31. The spectrum display circuit 31 displays the energy spectrum on the monitor 32 screen based on the output signal.
The second filter column 6 is provided with a terminal T1. This terminal T1 is for taking out a signal from the final stage of the second filter column 6, and for taking out a signal (noise signal) representing a fluctuation component superimposed on the DC high voltage. In addition, each resistance value and each capacitor capacity of the filter column 6 are appropriately selected so that a signal (noise signal) representing a fluctuation component from a low frequency to a high frequency band superimposed on the DC high voltage can be extracted from the terminal T1. Yes.
The terminal T1 is connected to the high frequency band amplifier 33, the intermediate frequency band amplifier 34, and the low frequency band amplifier 35, and a signal (noise signal) representing a fluctuation component superimposed on the DC high voltage taken out from the terminal T1 is an amplifier. 33, 34, and 35. The high frequency band amplifier 33 can selectively amplify a high frequency signal from 1 kHz to 40 kHz. The intermediate frequency band amplifier 34 can selectively amplify an intermediate frequency signal from 40 Hz to 1 kHz. The low frequency band amplifier 35 can selectively amplify a low frequency signal from 0.04 Hz to 40 Hz. The amplifiers 33, 34, and 35 have circuits that can adjust the gain and polarity, respectively.
The output signal of the high frequency band amplifier 33 is supplied to the high frequency electrode 18, the output signal of the intermediate frequency band amplifier 34 is supplied to the intermediate frequency electrode 19, and the output signal of the low frequency band amplifier 35 is supplied to the low frequency electrode. 20 is configured to be supplied. In the example of FIG. 1, the fluctuation component removing means of the present invention includes a high frequency band amplifier 33, an intermediate frequency band amplifier 34, and a low frequency band amplifier 35.
The apparatus configuration in FIG. 1 has been described above. The operation will be described below.
In FIG. 1, the AC voltage generated from the AC power supply 1 is supplied to the step-up transformer 2 via the amplitude adjuster 14. As a result, a boosted voltage is generated from the step-up transformer 2, and this AC voltage is boosted and rectified by the CCW circuit 3 and output. This output is smoothed by the first filter column 4 and the second filter column 6. The high voltage smoothed by both filter columns 4 and 6 is applied to the filament 8 through the bias resistor 7, and a predetermined voltage is applied to each acceleration electrode and Wehnelt electrode 5 of the acceleration tube 15.
A high voltage applied between the filament 8 and the ground is detected by the detection column 11. The difference signal between the detection signal from the detection column 11 and the signal from the reference power supply 12 is sent to the error amplifier 13, and the amplitude of the voltage sent from the AC power supply 1 to the step-up transformer 2 based on the output signal of the error amplifier 13. Is adjusted by the amplitude adjuster 14. Therefore, a high DC voltage corresponding to the output signal of the reference power supply 12 is applied between the filament 8 and the ground. As a result, the acceleration voltage of electrons emitted from the filament 8 is instructed by the reference power source 12. The electrons thus emitted from the filament 8 are accelerated by the acceleration tube 15 and enter the electron beam passage hole of the high frequency electrode 18.
In the apparatus shown in FIG. 1, a fluctuation component (noise signal) having a low frequency (for example, 1 Hz to 40 Hz), a fluctuation component having an intermediate frequency (for example, 40 Hz to 1 kHz), and a fluctuation component having a high frequency (for example, 1 kHz to 40 kHz). Is superimposed on the DC high voltage applied to the filament 8. For this reason, energy spread (fluctuation) occurs in the electron beam from the filament 8, and the width of the energy distribution of the electron beam incident on the high frequency electrode 18 is considerably wide. In this state, a high-resolution transmission electron microscope image cannot be obtained as described above.
Therefore, in the apparatus of FIG. 1, a signal extracted from the final stage of the second filter column 6, that is, a signal (noise signal) representing a fluctuation component from a low frequency to a high frequency band superimposed on a DC high voltage is a high frequency. This is supplied to the band amplifier 33. The high frequency band amplifier 33 selects and amplifies only the high frequency noise signal among the noise signals, inverts the amplified signal, and supplies the inverted signal to the high frequency electrode 18. That is, the high frequency fluctuation voltage generated by the high voltage generator is applied to the high frequency electrode 18 in an antiphase state. For this reason, the high frequency noise component existing in the electron beam is canceled by the high frequency electrode 18, and the spread of the energy of the electron beam due to the high frequency fluctuation component superimposed on the DC high voltage is suppressed in the high frequency electrode 18. .
The noise signal extracted from the final stage of the second filter column 6 is also supplied to the intermediate frequency band amplifier 34. The intermediate frequency band amplifier 34 selects and amplifies only the intermediate frequency noise signal among the noise signals, inverts the amplified signal, and supplies the inverted signal to the intermediate frequency electrode 19. That is, the fluctuation voltage of the intermediate frequency is applied to the intermediate frequency electrode 19 in an antiphase state. For this reason, the noise component of the intermediate frequency existing in the electron beam is canceled by the intermediate frequency electrode 19, and the spread of the energy of the electron beam due to the intermediate frequency fluctuation component superimposed on the DC high voltage is reduced at the intermediate frequency electrode 19. The
The noise signal extracted from the final stage of the second filter column 6 is also supplied to the low frequency band amplifier 35. The low frequency band amplifier 35 selects and amplifies only the low frequency noise signal among the noise signals, inverts the amplified signal, and supplies the inverted signal to the low frequency electrode 20. That is, the low frequency fluctuation voltage component is applied to the low frequency electrode 20 in an antiphase state. Therefore, the low frequency noise component existing in the electron beam is canceled by the low frequency electrode 20, and the spread of the energy of the electron beam due to the low frequency fluctuation component superimposed on the DC high voltage is reduced in the low frequency electrode 20. The
The electron beam from which the noise component has been removed in this manner is focused by the focusing lenses 21 and 22 and irradiates the sample 27. The electron beam transmitted through the sample 27 is magnified by the imaging lens system (23, 24, 25), and a transmission electron microscope image of the sample 27 is projected onto the fluorescent plate 26. The resolution of this transmission electron microscope image is extremely high. The reason is that, as apparent from the above, noise components existing in the electron beam are removed at the electrodes 18, 19, and 20, and the spread of the energy of the electron beam is reduced at the electrodes 18, 19, and 20.
1 is provided with an energy spectrum meter 28. For this reason, if the sample 27 and the fluorescent plate 26 are retracted from the electron beam passage and the electron beam from the filament 8 is guided to the energy spectrum meter 28, the energy spectrum of the electron beam generated in the filament 8 can be displayed on the monitor 32. (Refer to the monitor screen in FIG. 1). Then, by adjusting the respective gains of the high frequency band amplifier 33, the intermediate frequency band amplifier 34, and the low frequency band amplifier 35 so that the energy width W of the energy spectrum is minimized, the noise component existing in the electron beam is reduced. It can be reliably removed at the electrodes 18, 19, and 20. In some cases, the polarities of the amplifiers 33, 34, and 35 are adjusted so that the energy width W of the energy spectrum is minimized. That is, unlike the above, the signals amplified by the amplifiers (33, 34, 35) are supplied to the electrodes (18, 19, 20) without being inverted.
The transmission electron microscope of FIG. 1 has been described above. According to this transmission electron microscope, the electrodes (18, 19, 20) are provided in the electron beam path on the low voltage side, and a potential is applied to the electrodes so that the noise component is removed. In addition, the negative feedback circuit need not be provided in the high voltage, and the influence of the noise signal generated from the high voltage generator on the charged particle beam can be suppressed with a simple structure.
FIG. 2 is a diagram showing another example of the present invention, and is a diagram showing a transmission electron microscope to which the present invention is applied. The apparatus of FIG. 2 differs from the apparatus of FIG. 1 in the following points. The detection column 11 detects the fluctuation component superimposed on the DC high voltage. An output signal from the detection column 11 is supplied to the amplifiers 33, 34 and 35. In the apparatus of FIG. 2, the same effect as that of the apparatus of FIG. 1 can be achieved.
In the above example, three electrodes (18, 19, and 20) are arranged for each frequency after the accelerating tube 15. However, only one electrode is arranged between the accelerating tube 15 and the focusing lens 21, and the amplifiers 33 and 34 are arranged. , 35 may be supplied in a concentrated manner to the one electrode. Further, the output signals of the amplifiers 33, 34, and 35 may be supplied to the final electrode (ground electrode) of the acceleration tube 15 without arranging an electrode between the acceleration tube 15 and the focusing lens 21.
In the above example, the energy spectrum meter is attached below the lens barrel. However, an in-column energy spectrum meter in which an omega filter is incorporated in the imaging lens system (23, 24, 25) may be used.

また、本発明は透過電子顕微鏡に限定されるものではなく、高電圧発生装置を備えた走査電子顕微鏡や電子ビーム露光装置、またはイオンビーム装置などに適用することも可能である。   Further, the present invention is not limited to a transmission electron microscope, but can be applied to a scanning electron microscope, an electron beam exposure apparatus, an ion beam apparatus, or the like provided with a high voltage generator.

本発明の一例を示した図であり、透過電子顕微鏡を示した図である。It is the figure which showed an example of this invention, and is the figure which showed the transmission electron microscope. 本発明の他の例を示した図である。It is the figure which showed the other example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…交流電源、2…昇圧トランス、3…CCW回路、4…第1のフィルターカラム、5…ウェネルト電極、6…第2のフィルターカラム、7…バイアス抵抗、8…フィラメント、9…フィラメントパワー回路、10…フィラメント回路、11…検出カラム、12…参照電源、13…誤差増幅器、14…振幅調整器、15…加速管、16…絶縁タンク、17…鏡筒、18…高周波数用電極、19…中間周波数用電極、20…低周波数用電極、21,22…集束レンズ、23…対物レンズ、24…中間レンズ、25…投影レンズ、26…蛍光板、27…試料、28…ポストカラム型エネルギースペクトルメータ、29…アナライザ、30…2次元アレイ検出器、31…スペクトル表示回路、32…モニタ、33…高周波数帯域増幅器、34…中間周波数帯域増幅器、35…低周波数帯域増幅器、T1…端子   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... AC power supply, 2 ... Boost transformer, 3 ... CCW circuit, 4 ... 1st filter column, 5 ... Wehnelt electrode, 6 ... 2nd filter column, 7 ... Bias resistance, 8 ... Filament, 9 ... Filament power circuit DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Filament circuit, 11 ... Detection column, 12 ... Reference power supply, 13 ... Error amplifier, 14 ... Amplitude regulator, 15 ... Accelerating tube, 16 ... Insulation tank, 17 ... Lens barrel, 18 ... High frequency electrode, 19 Electrode for intermediate frequency, 20 ... Electrode for low frequency, 21, 22 ... Converging lens, 23 ... Objective lens, 24 ... Intermediate lens, 25 ... Projection lens, 26 ... Fluorescent plate, 27 ... Sample, 28 ... Post column type energy spectrum Meter, 29 ... Analyzer, 30 ... Two-dimensional array detector, 31 ... Spectral display circuit, 32 ... Monitor, 33 ... High frequency band amplifier, 34 ... Intermediate Frequency band amplifier, 35 ... low-frequency band amplifier, T1 ... terminal

Claims (8)

エミッタから射出された荷電粒子を加速手段で加速して試料に照射するようにした荷電粒子線装置において、
次の(a)〜(f)の構成要素を有し、前記エミッタに高電位を与えるための高電圧発生装置と、
(a)コッククロフトウォルトン回路
(b)低圧側に配置され前記コッククロフトウォルトン回路に電力を供給するための交流電源
(c)前記コッククロフトウォルトン回路より発生した直流高電圧を平滑化するためのフィルターカラム
(d)平滑化された直流高電圧を検出するための検出カラム
(e)前記検出カラムによって検出された信号の直流成分が基準値に一致するように、前記交流電源よりコッククロフトウォルトン回路に供給される電力を制御するための回路
(f)前記平滑化された直流高電圧に重畳される変動成分を表す信号を取り出すため、前記フィルターカラムに備えられた端子
前記エミッタと試料間の荷電粒子線通路に配置された電極と、
前記変動成分による荷電粒子線のエネルギーの広がりが前記電極において抑えられるように、前記端子よりの信号に基づいて前記電極に電位を与えるための変動成分除去手段と
を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
In a charged particle beam apparatus that irradiates a sample by accelerating charged particles emitted from an emitter by an acceleration means,
A high voltage generator having the following components (a) to (f) for applying a high potential to the emitter;
(A) Cockcroft Walton circuit (b) AC power supply for supplying power to the Cockcroft Walton circuit disposed on the low voltage side (c) Filter column (d) for smoothing the DC high voltage generated from the Cockcroft Walton circuit ) Detection column for detecting a smoothed DC high voltage (e) Electric power supplied from the AC power source to the Cockcroft Walton circuit so that the DC component of the signal detected by the detection column matches a reference value A circuit for controlling (f) a terminal provided in the filter column for taking out a signal representing a fluctuation component superimposed on the smoothed DC high voltage, arranged in a charged particle beam path between the emitter and the sample Electrodes,
A charge component comprising a fluctuation component removing means for applying a potential to the electrode based on a signal from the terminal so that the spread of energy of the charged particle beam due to the fluctuation component is suppressed in the electrode. Particle beam device.
エミッタから射出された荷電粒子を加速手段で加速して試料に照射するようにした荷電粒子線装置において、
次の(a)〜(e)の構成要素を有し、前記エミッタに高電位を与えるための高電圧発生装置と、
(a)コッククロフトウォルトン回路
(b)低圧側に配置され前記コッククロフトウォルトン回路に電力を供給するための交流電源
(c)前記コッククロフトウォルトン回路より発生した直流高電圧を平滑化するためのフィルターカラム
(d)平滑化された直流高電圧を検出するための検出カラム
(e)前記検出カラムによって検出された信号の直流成分が基準値に一致するように、前記交流電源よりコッククロフトウォルトン回路に供給される電力を制御するための回路
前記エミッタと試料間の荷電粒子線通路に配置された電極と、
前記平滑化された直流高電圧に重畳される変動成分による荷電粒子線のエネルギーの広がりが前記電極において抑えられるように、前記検出カラムによって検出された信号に基づいて前記電極に電位を与えるための変動成分除去手段と
を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
In a charged particle beam apparatus that irradiates a sample by accelerating charged particles emitted from an emitter by an acceleration means,
A high voltage generator having the following components (a) to (e) for applying a high potential to the emitter;
(A) Cockcroft Walton circuit (b) AC power supply for supplying power to the Cockcroft Walton circuit disposed on the low voltage side (c) Filter column (d) for smoothing the DC high voltage generated from the Cockcroft Walton circuit ) Detection column for detecting a smoothed DC high voltage (e) Electric power supplied from the AC power source to the Cockcroft Walton circuit so that the DC component of the signal detected by the detection column matches a reference value A circuit for controlling the electrode disposed in a charged particle beam path between the emitter and the sample;
For applying a potential to the electrode based on a signal detected by the detection column so that the spread of energy of the charged particle beam due to the fluctuation component superimposed on the smoothed DC high voltage is suppressed at the electrode. A charged particle beam apparatus comprising a fluctuation component removing unit.
集束レンズが前記加速手段の後段に配置されており、前記電極は加速手段と集束レンズの間に配置されることを特徴とする請求項1または2記載の荷電粒子線装置。 The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein a focusing lens is disposed downstream of the accelerating unit, and the electrode is disposed between the accelerating unit and the focusing lens. 前記変動成分除去手段は、前記直流高電圧に重畳された高周波数または中間周波数または低周波数の帯域の変動成分による荷電粒子線のエネルギーの広がりが前記電極において抑えられるように、前記電極に電位を与えることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の荷電粒子線装置。 The fluctuation component removing means applies a potential to the electrode so that the spread of energy of the charged particle beam due to the fluctuation component of the high frequency, intermediate frequency, or low frequency band superimposed on the DC high voltage is suppressed at the electrode. The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the charged particle beam apparatus is provided. 前記電極は、前記変動成分の周波数帯域に応じて複数設けられていることを特徴とする請求項4記載の荷電粒子線装置。   The charged particle beam apparatus according to claim 4, wherein a plurality of the electrodes are provided according to a frequency band of the fluctuation component. エネルギースペクトルメータを更に備えていることを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の荷電粒子線装置。   6. The charged particle beam apparatus according to claim 1, further comprising an energy spectrum meter. エミッタから射出された荷電粒子を加速手段で加速して試料に照射するようにした荷電粒子線装置であって、
次の(a)〜(f)の構成要素を有し、前記エミッタに高電位を与えるための高電圧発生装置と、
(a)コッククロフトウォルトン回路
(b)低圧側に配置され前記コッククロフトウォルトン回路に電力を供給するための交流電源
(c)前記コッククロフトウォルトン回路より発生した直流高電圧を平滑化するためのフィルターカラム
(d)平滑化された直流高電圧を検出するための検出カラム
(e)前記検出カラムによって検出された信号の直流成分が基準値に一致するように、前記交流電源よりコッククロフトウォルトン回路に供給される電力を制御するための回路
(f)前記平滑化された直流高電圧に重畳される変動成分を表す信号を取り出すため、前記フィルターカラムに備えられた端子
前記エミッタと試料間の荷電粒子線通路に配置された電極と、
前記変動成分による荷電粒子線のエネルギーの広がりが前記電極において抑えられるように、前記端子よりの信号に基づいて前記電極に電位を与えるための変動成分除去手段と、
エネルギースペクトルメータとを備えた荷電粒子線装置において、
前記エネルギースペクトルメータで得られるエネルギースペクトルを参照して、前記変動成分除去手段より前記電極に与えられる電位を調整するようにしたことを特徴とする荷電粒子線のエネルギー補正方法。
A charged particle beam apparatus that irradiates a sample by accelerating charged particles emitted from an emitter by an acceleration means,
A high voltage generator having the following components (a) to (f) for applying a high potential to the emitter;
(A) Cockcroft Walton circuit (b) AC power supply for supplying power to the Cockcroft Walton circuit disposed on the low voltage side (c) Filter column (d) for smoothing the DC high voltage generated from the Cockcroft Walton circuit ) Detection column for detecting a smoothed DC high voltage (e) Electric power supplied from the AC power source to the Cockcroft Walton circuit so that the DC component of the signal detected by the detection column matches a reference value A circuit for controlling (f) a terminal provided in the filter column for taking out a signal representing a fluctuation component superimposed on the smoothed DC high voltage, arranged in a charged particle beam path between the emitter and the sample Electrodes,
Fluctuation component removing means for applying a potential to the electrode based on a signal from the terminal so that the spread of energy of the charged particle beam due to the fluctuation component is suppressed in the electrode;
In a charged particle beam apparatus equipped with an energy spectrum meter,
A charged particle beam energy correction method characterized by adjusting an electric potential applied to the electrode by the fluctuation component removing means with reference to an energy spectrum obtained by the energy spectrum meter.
エミッタから射出された荷電粒子を加速手段で加速して試料に照射するようにした荷電粒子線装置であって、
次の(a)〜(e)の構成要素を有し、前記エミッタに高電位を与えるための高電圧発生装置と、
(a)コッククロフトウォルトン回路
(b)低圧側に配置され前記コッククロフトウォルトン回路に電力を供給するための交流電源
(c)前記コッククロフトウォルトン回路より発生した直流高電圧を平滑化するためのフィルターカラム
(d)平滑化された直流高電圧を検出するための検出カラム
(e)前記検出カラムによって検出された信号の直流成分が基準値に一致するように、前記交流電源よりコッククロフトウォルトン回路に供給される電力を制御するための回路
前記エミッタと試料間の荷電粒子線通路に配置された電極と、
前記平滑化された直流高電圧に重畳される変動成分による荷電粒子線のエネルギーの広がりが前記電極において抑えられるように、前記検出カラムによって検出された信号に基づいて前記電極に電位を与えるための変動成分除去手段と、
エネルギースペクトルメータとを備えた荷電粒子線装置において、
前記エネルギースペクトルメータで得られるエネルギースペクトルを参照して、前記変動成分除去手段より前記電極に与えられる電位を調整するようにしたことを特徴とする荷電粒子線のエネルギー補正方法。
A charged particle beam apparatus that irradiates a sample by accelerating charged particles emitted from an emitter by an acceleration means,
A high voltage generator having the following components (a) to (e) for applying a high potential to the emitter;
(A) Cockcroft Walton circuit (b) AC power supply for supplying power to the Cockcroft Walton circuit disposed on the low voltage side (c) Filter column (d) for smoothing the DC high voltage generated from the Cockcroft Walton circuit ) Detection column for detecting a smoothed DC high voltage (e) Electric power supplied from the AC power source to the Cockcroft Walton circuit so that the DC component of the signal detected by the detection column matches a reference value A circuit for controlling the electrode disposed in a charged particle beam path between the emitter and the sample;
For applying a potential to the electrode based on a signal detected by the detection column so that the spread of energy of the charged particle beam due to the fluctuation component superimposed on the smoothed DC high voltage is suppressed at the electrode. Fluctuation component removing means;
In a charged particle beam apparatus equipped with an energy spectrum meter,
A charged particle beam energy correction method characterized by adjusting an electric potential applied to the electrode by the fluctuation component removing means with reference to an energy spectrum obtained by the energy spectrum meter.
JP2004040754A 2004-02-18 2004-02-18 Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method Expired - Lifetime JP4410579B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004040754A JP4410579B2 (en) 2004-02-18 2004-02-18 Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004040754A JP4410579B2 (en) 2004-02-18 2004-02-18 Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005235468A JP2005235468A (en) 2005-09-02
JP4410579B2 true JP4410579B2 (en) 2010-02-03

Family

ID=35018209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004040754A Expired - Lifetime JP4410579B2 (en) 2004-02-18 2004-02-18 Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4410579B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4874675B2 (en) * 2006-03-01 2012-02-15 日本電子株式会社 DC high voltage generator
JP5561968B2 (en) * 2009-08-12 2014-07-30 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam drawing apparatus, charged particle beam drawing method, and vibration component extraction method
JP6196831B2 (en) * 2013-07-24 2017-09-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ High voltage generator and charged particle beam device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005235468A (en) 2005-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016139456A (en) Charged particle beam device
JP4527289B2 (en) Particle optics including detection of Auger electrons
US4588891A (en) Scanning type electron microscope
JP4410579B2 (en) Charged particle beam apparatus and charged particle beam energy correction method
JPH0586020B2 (en)
JP3153391B2 (en) Focused ion beam equipment
US8390152B2 (en) Device and method for generating a stable high voltage
US11810752B2 (en) Charged particle beam device and power supply device
JP3136353B2 (en) Secondary electron detector for scanning electron microscope
JP2017204375A (en) Electron microscope and method for controlling electron microscope
JP4328192B2 (en) Multipole field generating device and aberration correcting device in charged particle optical system
WO2019186936A1 (en) Charged particle beam device
JPH0378739B2 (en)
US11152189B2 (en) Method and system for plasma assisted low vacuum charged-particle microscopy
JP7054633B2 (en) Electron microscope and electron microscope control method
JP6339734B2 (en) Charged particle beam application apparatus and aberration corrector
JP3469404B2 (en) Field emission type charged particle gun and charged particle beam irradiation device
JPH0255899B2 (en)
JP6959969B2 (en) Charged particle beam device
JP3186812B2 (en) Secondary electron multiplier
JP6943932B2 (en) Control method of electron microscope and electron microscope
JP3032397B2 (en) Field emission scanning electron microscope
JPH08167396A (en) Electron beam device provided with field emission type electron gun
JP2001110350A (en) Charged particle beam apparatus
JP4545284B2 (en) High voltage power circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090619

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090714

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091027

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091113

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4410579

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120

Year of fee payment: 4