JP4409022B2 - 光強度変調光源 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信、光信号処理等の分野において用いられ、特に、安定した光出力を持った光信号を発生させる際に用いて好適な光強度変調光源に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、光通信で使用される信号の速度がより高速になって来ており、従来から光信号の光源として用いられている半導体レーザにおいて内部変調によって光強度を変調する方法では、その固有な特性であるチャープにより光の特性が変化してしまい、光信号の伝送距離が制限される。そのため、光源の外部で光変調を行う外部変調によって光の強度を変調して光信号を出力する導波路型光強度変調器を用いた光強度変調光源が、その高速性やチャープゼロ、一定範囲内での変調特性の良好な直線性等の理由により、使用されて来ている。
この導波路型光強度変調器において、その変調特性を示す変調曲線は、例えば図7に示す変調曲線W10のような正弦波形となる。通常、導波路型光強度変調器の動作点は、変調曲線の最大光出力の1/2に対応する中点に設定される場合が多く、バイアス電圧V10が導波路型光強度変調器に印加されることによって変調曲線W10の中点P10に動作点が設定される。
【0003】
ところで、導波路型光強度変調器の変調曲線W10は、固定のバイアス電圧V10が印加された状態では、例えば変調曲線W11へとシフトして、その動作点は中点P10から点P13へとずれてしまう。その結果、導波路型光強度変調器によって変調された光出力は、歪んだものとなる。
このように導波路型光強度変調器の変調曲線10がシフトしてずれた動作点P13を変調曲線W11の中点P11に補正するための制御を行う光変調装置として、例えば、特開平5−100194号公報または特開平5−249418号公報に記載される装置が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の光変調装置は、変調曲線W11のように光透過特性(光挿入損失)が変化しない場合には、導波路型光強度変調器の動作点を補正することができたが、変調曲線W12のように光透過特性(光挿入損失)が変化することによって動作点が変調曲線の中点からはずれた場合には、そのずれた動作点を補正することはできない。
例えば、図7に示す変調曲線W10が、導波路型光強度変調器の光挿入損失の変化によって変調曲線W12に変わったとする。従来の光変調装置では動作点を点P14としてしまい、変調曲線W12の中点である点P12ではないため変調ひずみを生じてしまう。
そのために、従来の光変調装置を用いた光強度変調光源は、導波路型光強度変調器の光挿入損失が変化した場合には、歪みのない安定した光出力を持った光信号を発生することができないという問題点があった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は歪みのない安定した光出力を持った光信号を発生することができる光強度変調光源を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、導波路型光強度変調器の光強度変調特性を示す変調曲線が、導波路型光強度変調器に印加される直流電圧によって発生する内部電荷が外部印加電界を打ち消す現象であるDCドリフトや、周囲の温度変化によってシフトすること、または、周囲の温度変化によって導波路型光強度変調器の光透過特性(光挿入損失)が変化することの知見に基づき、以下に示す手段を具備してなるものである。
請求項1に記載の発明は、一定の光強度の光を発生する光源と、入力される前記光の光強度を変調し被変調光として出力する光強度変調器と、前記光強度変調器が出力する被変調光の一部を分岐しモニタ光として出力する光分岐器と、前記モニタ光を電気信号に変換して出力する光電変換回路と、第一の基準電圧を発生する第一の可変電圧発生器と、前記第一の基準電圧と前記光電変換回路から出力される電気信号の電圧との差分電圧を増幅する差動増幅器と、第二の基準電圧を発生する第二の可変電圧発生器と、前記差動増幅器によって増幅された差分電圧を前記第二の基準電圧に加算する加算回路と、前記加算回路からの出力に基づいて前記光強度変調器にバイアス電圧を印加するバイアス駆動手段と、を具備してなる光強度変調光源であって、バイアス信号を発生させる前記第二の可変電圧発生器が発生する電圧値を前記光強度変調器の光強度変調特性の変調曲線の中点に対応する電圧値に設定し、この設定された電圧値を前記第二の基準電圧の値に設定し、この第二の基準電圧値の設定下状態で前記差分電圧がゼロになるときの前記第一の可変電圧発生器が発生する電圧値を前記第一の基準電圧の値としたことを特徴とする。
【0006】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第二の可変電圧発生器により直流電圧を発生させた時の出力光の最大光強度出力を測定し、該最大光強度出力の半値の光強度出力が得られる該直流電圧の値を前記第二の基準電圧の値とし、該最大光強度出力の半値の光強度出力が得られる該直流電圧を発生させた状態において、前記光電変換回路から出力される信号の電圧の値を前記第一の基準電圧の値としたことを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第二の可変電圧発生器により発生させた直流電圧に低周波交流信号を重畳してバイアス信号とし、前記第二の可変電圧発生器が発生する直流電圧値を変化させて、前記モニタ光に含まれる前記低周波交流信号の2倍の周波数成分がゼロとなる時の該直流電圧値を前記第二の基準電圧の値とし、前記第二の可変電圧発生器が発生する直流電圧値を変化させて、前記モニタ光に含まれる前記低周波交流信号の2倍の周波数成分がゼロとなる時の前記被変調光の平均光強度に相当する電圧値を前記第一の基準電圧の値としたことを特徴とする。
【0007】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、低周波信号を発生する低周波信号発生器と、前記光強度変調器に印加するバイアス電圧に前記低周波信号を重畳する重畳手段と、前記モニタ光に含まれる前記低周波信号成分を検波する検波手段と、前記検波手段から出力される検波出力信号に基づいて前記光強度変調器の変調特性の傾きの符号を判別し、この結果に基づいて前記光強度変調器の初期動作点を設定することを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記第一の基準電圧値および前記第二の基準電圧値が設定された後に、前記低周波信号発生器からの信号をオフにすることを特徴とする。
【0008】
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至請求項5に記載の発明において、前記差動増幅器によって増幅された差分電圧の符号を反転する符号反転手段と、前記差動増幅器によって増幅された差分電圧と前記符号反転手段によって符号が反転された差分電圧とのいずれかを選択する選択手段と、を具備することを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項5に記載の発明において、前記光強度変調器が内部に設置され、内部の温度を一定に保持する恒温槽を具備することを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の一実施形態について説明する。
先ず、本発明の一実施形態に用いられる導波路型光強度変調器の構成と動作について説明する。導波路型光強度変調器においては、ニオブ酸リチウム(LiNbO3;LN)結晶の表面にチタン(Ti)等の金属が拡散されて導波路が形成される。
図2は、その導波路型光強度変調器(以下、LN変調器と称する)5の構成を示すブロック図である。この図において、ニオブ酸リチウム結晶20の表面に導波路23、24が形成されている。光ファイバ4を介して入力される入力光は、入力導波路21を通り、Y分岐22によって等量の光に分岐されて、導波路23と導波路24へ出力される。これら導波路23、24へ入力された光は、導波路23、24の近傍に設けられた変調電極27、28へ端子29または端子30から印加される信号に応じて、それぞれの光位相が変調される。次いで、それぞれ光位相が変調された光は、Y合波25によって合波され、出力導波路26を介して光ファイバ8へ光強度の変化を受けた被変調光として出力される。上述したニオブ酸リチウム結晶20の表面に形成されたLN変調器チップは、ケース31に光ファイバ4、8及び端子29、30と共に固定される。
【0010】
図4は、上述したLN変調器5の光強度変調特性の一例である変調曲線W1〜W3を示す波形図である。この図において、LN変調器5に入力される光の強度は横軸にとられた印加電圧に応じて、縦軸に示す光出力へと強度変調される。
LN変調器5の変調曲線は、変調曲線W1〜W3に示すような正弦波形となる。このLN変調器5の変調曲線W1〜W3において、その動作点は変調曲線W1〜W3の中点であるP1〜P3、P4などに設定される。これら中点P1〜P3、P4などにおいて、各変調曲線W1〜W3の直線性の良い変調特性が得られる。
【0011】
次に、図1は、本発明の一実施形態の構成を示すブロック図である。この図において、半導体レーザ1は温度制御回路(以下、ATC;Auto Temperature Controlと称する)2によって、その温度が一定に保たれており、出力する光の波長が安定化される。また、この半導体レーザ1から出力される光は、定出力化回路(APC;Auto Power Control)3によって安定した光強度に保たれ、光ファイバ4へ出力される。この光ファイバ4には、偏波保持ファイバが用いられており、半導体レーザ1の出力光の偏光状態は保たれる。
この光ファイバ4を介してLN変調器5に入力される入力光は、上述したように光強度が変調された被変調光として光ファイバ8に出力され、光分岐器9によって出力光B1と分岐光B2とに分岐される。この光分岐器9によって分岐された出力光B1が光ファイバ17によって伝送される光信号となる。一方、光分岐器9によって分岐された分岐光B2は、光ファイバ18を介し、モニタ光としてバイアス制御回路12へ入力される。
なお、分岐光B2としては、例えば、被変調光の5%程度が光分岐器9によって分岐され、残り95%程度が出力光B1として出力される。
【0012】
次いで、変調信号発生器10によって発生される変調信号A1は、コネクタ11に接続されて、LN変調器5の端子29に入力される。また、バイアス制御回路12から出力されるバイアス信号A2は、バイアスT回路13のコイル14を介してコネクタ15に接続され、LN変調器5の端子30に入力される。このバイアス信号A2が接続されるバイアスT回路13のコネクタ15と反対端は、コンデンサC1を介して終端器16に接続されており、変調電極27を介して伝搬される変調信号A1を無反射で吸収する。
このLN変調器5に入力されるバイアス信号A2は、LN変調器5の動作点電圧となり、LN変調器5の入力光の光強度が変調信号A1に応じて変調される。例えば、LN変調器5の変調特性が図4に示される変調曲線W1であった場合、バイアス信号A2の電圧(バイアス電圧)をV1に設定すれば、その動作点は中点P1となり直線性の良い変調特性が得られる。この直線性の良い変調特性に設定されたLN変調器5は、入力される変調信号A1に応じて入力光の光強度を変調し良好な被変調光を出力する。
なお、上述した本発明の一実施形態においては、LN変調器5へ動作点電圧を印加する構成として、終端器16をバイアスT回路13に接続する構成を用いたが、この構成に限定されるものではない。
【0013】
ところで、例えば、LN変調器5の変調曲線が図4に示す変調曲線W1である場合に、バイアス信号A2の電圧をV1に設定し、LN変調器5の動作点を中点P1に設定したとする。すると固定のバイアス電圧V1がLN変調器5に印加された状態では、周辺の温度変化やDCドリフトなどにより、変調曲線W1が、例えば変調曲線W2へとシフトして、LN変調器5の動作点は中点P1から点P2aへとずれてしまう。
しかしながら、図1に示す本発明の一実施形態においては、LN変調器5は恒温槽6内に設置されており、このLN変調器5が設置された恒温槽6内の温度はATC7によって一定に保たれるので、LN変調器5の温度も一定に保持される。したがって、温度が変化することによって、LN変調器5の変調曲線がシフトすることを回避することができる。
なお、恒温槽6内の温度の安定度としては、例えば、光出力の光強度変化を0.5dB以内に抑えるためには、温度変化を0.5℃以内にする必要がある。
【0014】
次に、温度変化以外のDCドリフト等による変調曲線のシフトによってずれたLN変調器5の動作点が補正されるように、バイアス電圧を制御するバイアス制御回路12について説明する。
図3は、バイアス制御回路12の構成を示す回路図である。
先ず、この図を参照して、図4に示す変調曲線W1の中点P1にLN変調器5の初期動作点を設定し、変調曲線の傾きの符号が正である中点に動作点を保持する回路の構成と動作について説明する。
初めに、可変電圧発生器47が発生する第二基準信号S6の電圧は、図4に示す変調曲線W1の中点P1のバイアス電圧V1に対応する値に設定されている。
この図3において、光分岐器9によって分岐された分岐光B2は、光ファイバ18を介して光電変換回路40の光電変換素子41に入力され、この入力される光量に比例した電流が光電変換素子41から出力される。この光電変換素子41から出力される電流が、演算増幅器42によって抵抗R1に応じた電圧に変換され、信号S1として出力される。
【0015】
次いで、この光電変換回路40から出力される信号S1は差動増幅器44の負入力端子に接続される。また、差動増幅器44の正入力端子には可変電圧発生器43によって発生された第一基準信号S2が接続され、この第一基準信号S2の電圧と負入力端子に接続される信号S1の電圧との差分電圧が、利得Gの差動増幅器44によって増幅され信号S3として出力される。この第一基準信号S2と信号S1との差分電圧は、第一基準信号S2の電圧が信号S1の電圧より大きい場合に正符号となる。
【0016】
次いで、その差動増幅器44から出力される信号S3は、スイッチ45を介して抵抗R2〜R4及び演算増幅器48から構成される加算回路50へ入力され、可変電圧発生器47が発生する第二基準信号S6と加算されて出力される。この加算回路50から出力される信号S7は、増幅器49によって変調電極27、28を駆動するに足りる電圧に増幅され、バイアス信号A2として出力される。
なお、LN変調器5の動作点を変調曲線の傾きの符号が正である中点に設定した場合には、スイッチ45が信号S3を信号S4として出力するように、入力端子45aと出力端子45cとを接続する。
また、LN変調器5の初期動作点が設定済であり、その動作点を変調曲線の傾きの符号が初期動作点と同一である中点に保持するオペレーション状態ではスイッチ54をオフにする。
【0017】
さて、上述した可変電圧発生器43によって発生される第一基準信号S2の電圧は、変調曲線W1の中点P1にて変調された分岐光B2の光強度に対応する値であり、LN変調器5の動作点が中点P1に保持されれば、第一基準信号S2と信号S1との差分電圧はゼロとなるので信号S3の電圧もゼロとなる。
一方、この第一基準信号S2と信号S1との間に生じた差分電圧は、LN変調器5の動作点のずれを示す。また、この動作点のずれを示す差分電圧を増幅した信号S3の電圧符号は、バイアス電圧を制御する方向と一致している。
【0018】
例えば、図4に示す変調曲線W1が右方向へずれて変調曲線W2となった場合、中点P1にて変調された分岐光B2の光強度に比して、バイアス電圧V1に対応する動作点P2aの光強度は小さい。したがって、この時の信号S1の電圧は第一基準信号S2の電圧より小さくなり、信号S3の符号は正となる。この正符号の信号S3が第二基準信号S6の電圧に加算され、バイアス信号A2として出力されることによって、バイアス電圧はV1より大きくなるので、LN変調器5の動作点のずれが動作点P2aから中点P2へと右方向へ補正される。
【0019】
一方、図4に示す変調曲線W1が左方向へずれて変調曲線W3となった場合、中点P1にて変調された分岐光B2の光強度に比して、バイアス電圧V1に対応する動作点P3aの光強度は大きい。したがって、この時の信号S1の電圧は第一基準信号S2の電圧より大きくなり、信号S3の符号は負となる。この負符号の信号S3が第二基準信号S6の電圧に加算され、バイアス信号A2として出力されることによって、バイアス電圧はV1より小さくなるので、LN変調器5の動作点のずれが動作点P3aから中点P3へと左方向へ補正される。
このように、第一基準信号S2と信号S1との間に生じた差分電圧をゼロにするように、すなわち、分岐光B2の光強度が変調曲線の中点の動作点による光強度に相当するように、バイアス信号A2の制御が行われることによって、LN変調器5の動作点はその変調曲線の中点に保持される。
【0020】
次に、図4に示す変調曲線W1の中点P4にLN変調器5の初期動作点を設定し、変調曲線の傾きの符号が負である中点に動作点を保持する場合には、信号S3が反転増幅器46によって符号反転された信号S5を信号S4として出力するように、スイッチ45の入力端子45bと出力端子45cとを接続する。また、第二基準信号S6の電圧は、図4に示す変調曲線W1の中点P4のバイアス電圧V4に対応する値に設定されている。また、可変電圧発生器43によって発生される第一基準信号S2の電圧は、変調曲線W1の中点P4にて変調された分岐光B2の光強度に対応する値である。なお、その他の回路構成と動作は、上述した変調曲線の傾きの符号が正である中点に動作点を保持する場合と同様である。
【0021】
次いで、そのスイッチ45〜出力される信号S4を第二基準信号S6に加算し、増幅器49によって増幅後、バイアス信号A2として出力する。したがって、上述した動作点を変調曲線の傾きの符号が正である中点に保持する場合とは、逆方向にバイアス電圧が制御されてLN変調器5の動作点のずれが補正されるので、変調曲線の傾きの符号が負である中点に動作点が保持されることになる。
なお、上述したバイアス制御回路12において、可変電圧発生器43によって発生される第一基準信号S2の電圧は、予め変調曲線W1の各点に対応する値を測定しておき、中点P1またはP4に対応する測定値が設定される。あるいは、図1に示すバイアス信号A2として、別途設けた可変電圧発生器により直流電圧を発生させて、その時の出力光B1の最大光強度出力を測定する。次いで、その最大光強度出力の半値の光強度出力が得られる直流電圧を発生させた状態において、演算増幅器42から出力される信号S1の電圧を測定し、この測定された値を第一基準信号S2の電圧とする。
【0022】
また、第一基準信号S2の電圧を決定する他の方法について以下に述べる。先ず、上記の別途設けた可変電圧発生器が発生する直流電圧に、低周波交流信号を重畳してバイアス信号A2とする。次いで、その可変電圧発生器が発生する直流電圧値を変化させて、信号S1に含まれる重畳された低周波交流成分の2倍の周波数成分がゼロとなるようにする。この時の信号S1の電圧の時間平均値を第一基準信号S2の電圧として設定する。この方法は、変調曲線の中点において光強度変調の2次歪みがゼロとなる特性を利用したものであり、その変調曲線の中点に対応する第一基準信号S2の電圧を高精度に設定することができる。
【0023】
なお、上述したバイアス制御回路12において、可変電圧発生器47によって発生される第二基準信号S6の電圧は、任意の初期バイアス電圧に対応して設定されるものであり、上述した信号S3の電圧がゼロの時にバイアス信号A3の電圧として出力される。また、第二基準信号S6の電圧は、上記第一基準信号S2の電圧が変調曲線W1の中点P1またはP4に対応する電圧に設定された状態において、その第二基準信号S6の電圧を変化させ、信号S3の電圧がゼロに成るように設定される。このようにして設定された第二基準信号S6の電圧が、変調曲線W1の中点P1またはP4に動作点を設定するバイアス電圧に対応する。
【0024】
次に、図3に示すバイアス制御回路12において、図4に示す変調曲線W1の傾きの符号が正である中点P1に、LN変調器5の初期動作点を設定する回路の構成と動作について説明する。
初めに、LN変調器5の初期動作点を設定する場合には、スイッチ54をオンにする。また、変調曲線の傾きの符号が正である中点にLN変調器5の初期動作点を設定する場合には、スイッチ53の入力端子53aと出力端子53cとを接続し、スイッチ45の入力端子45aと出力端子45cとを接続する。
先ず、低周波信号発生器51が発生する低周波信号S8は、スイッチ53及びスイッチ54を介して加算回路50へ入力される。この加算回路50によって低周波信号S8が重畳された信号S7は、増幅器49を介してバイアス信号A2として出力される。
次いで、この低周波信号S8が重畳されたバイアス信号A2によってバイアスされたLN変調器5の被変調光の分岐光B2は、光電変換回路40によって電気信号に変換された後、差動増幅器44によって第一基準信号S2との差分電圧が増幅された信号S3として出力される。この信号S3は、低周波信号S8の低周波成分を含んでおり、コンデンサC2によるDCカットフィルタによって直流成分が除去された信号S10としてAND回路56へ入力される。
【0025】
次いで、このAND回路56へ入力された信号S10は、低周波信号S8が遅延回路55を介して入力される信号S11との論理積が求められることによって検波され、その検波出力信号S12がAND回路56から出力される。この検波出力信号S12は、RCフィルタからなる整流回路57によって直流にされた信号S13として比較器58へ出力される。この比較器58は、入力される信号S13の電圧と可変電圧発生器59が発生する第三基準信号S14の電圧とを比較して比較信号S15を出力する。
この可変電圧発生器59が発生する第三基準信号S14の電圧は、変調曲線W1の中点P1にLN変調器5の動作点がある時に、整流回路57から出力される信号S13に応じて設定される。したがって、上記回路構成において、可変電圧発生器47が発生する第二基準信号S6の電圧を変更し、比較器58から出力される比較信号S15が「1」となり、且つ、差動増幅器44が出力する信号S3の電圧平均値がゼロとなる電圧値に設定すれば、変調曲線W1の中点P1にLN変調器5の初期動作点が設定される。
【0026】
例えば、低周波信号発生器51から発生される低周波信号S8が、図5に示す波形W51であったとする。すると、バイアス信号A2に重畳される低周波信号は低周波信号S8と同位相である波形W52に示す信号S16である。この状態において、LN変調器5の動作点が変調曲線W1の中点P4にあれば、差動増幅器44の出力である信号42は、波形W53に示す信号42−1のように信号S8とは逆位相となる。この結果、AND回路56によって検波された検波出力信号S12は、波形W54に示すようにレベルがゼロである信号12−1となる。
【0027】
一方、LN変調器5の動作点が変調曲線W1の中点P1にあれば、差動増幅器44の出力である信号42は、波形W55に示す信号42−2のように信号S8と同位相となり、この結果、AND回路56によって検波された検波出力信号S12は、波形W56に示す信号12−2となる。この信号12−2が整流回路57によって直流とされた信号S13は、第三基準信号S14より大きい電圧値となるので、比較器58の出力である比較信号S15は「1」となる。
次いで、この初期動作点が設定された状態でスイッチ54をオフにすることによって、上述したように、動作点を変調曲線の傾きの符号が初期動作点と同一である中点に保持するオペレーション状態となる。
【0028】
次に、図4に示す変調曲線W1の傾きの符号が負である中点P4に、LN変調器5の初期動作点を設定する場合には、スイッチ54をオンにし、また、スイッチ53の入力端子53bと出力端子53cとを接続し、スイッチ45の入力端子45bと出力端子45cとを接続する。
このように各スイッチが設定されたバイアス制御回路12において、バイアス信号A2は、インバータ回路52によって低周波信号S8が符号反転された信号S9、反転増幅器46によって信号S3が符号反転された信号S5及び第二基準信号S6とが加算回路50によって重畳された信号となる。なお、その他の回路構成と動作は、上述した変調曲線の傾きの符号が正である中点P1に、LN変調器5の初期動作点を設定する場合と同様である。
【0029】
この状態において、アンド回路56に入力される信号S10に含まれる低周波成分は、LN変調器5の動作点が変調曲線W1の傾きの符号が負である点にある場合には、信号11と同位相となる。したがって、上述した変調曲線の傾きの符号が正である中点P1にLN変調器5の初期動作点を設定する場合と同じように、比較器58から出力される比較信号S15が「1」となり、且つ、差動増幅器44が出力する信号S3の電圧平均値がゼロとなる電圧値に第二基準信号S6の電圧を設定すれば、変調曲線W1の中点P4にLN変調器5の初期動作点が設定される。
【0030】
例えば、低周波信号発生器51から発生される低周波信号S8が、図6に示す波形W61であったとする。すると、バイアス信号A2に重畳される低周波信号は低周波信号S8とは逆位相である波形W62に示す信号S16となる。この状態において、LN変調器5の動作点が変調曲線W1の中点P1にあれば、差動増幅器44の出力である信号42は、波形W65に示す信号42−2のように信号S8とは逆位相となる。この結果、AND回路56によって検波された検波出力信号S12は、波形W66に示すようにレベルがゼロである信号12−2となる。
一方、LN変調器5の動作点が変調曲線W1の中点P4にあれば、差動増幅器44の出力である信号42は、波形W63に示す信号42−1のように信号S8と同位相となり、この結果、AND回路56によって検波された検波出力信号S12は、波形W64に示す信号12−1となる。この信号12−1が整流回路57によって直流とされた信号S13は、第三基準信号S14より大きい電圧値となるので、比較器58の出力である比較信号S15は「1」となる。
【0031】
なお、上述したバイアス制御回路12において、スイッチ45及びスイッチ53は、変調曲線の傾きの符号が正である中点にLN変調器5の初期動作点を設定する場合には、両スイッチの各入力端子45a、53aとその出力端子45c、53cとが共に接続され、一方、変調曲線の傾きの符号が負である中点にLN変調器5の初期動作点を設定する場合には、両スイッチの各入力端子45b、53bとその出力端子45c、53cとが共に接続されるように制御される。
なお、上述したように、本発明の一実施形態のバイアス制御回路12においては、LN変調器5の動作点である変調曲線の中点での光出力レベルを基準として、バイアス電圧を制御する。したがって、LN変調器5の温度が変化してLN変調器5の光透過特性(光挿入損失)が変化し、バイアス電圧制御の基準である中点の光出力レベルが変化すると、LN変調器5の動作点を変調曲線の中点に保持することができない。
【0032】
例えば、図7に示す変調曲線W10が光挿入損失の変化によって変調曲線W12へと変化した場合において、上記バイアス制御回路12のバイアス電圧制御の基準は、変調曲線W12の中点P12の光出力PW12ではなく、変調曲線W10の中点P10の光出力PW10である。その結果、バイアス制御回路12は、変調曲線W12の中点P12ではなく、変調曲線W10の中点P10の光出力PW10に相当する変調曲線W12の点P14へとLN変調器5の動作点を補正してしまう。
しかしながら、上述した本発明の一実施形態においては、LN変調器5を恒温槽6内に設置し、LN変調器5の温度を一定に保つことによって、LN変調器5の温度が変化してLN変調器5の光挿入損失が変化することを防ぐので、LN変調器5の動作点を変調曲線の中点に安定して保持することが可能である。
【0033】
以上が、本発明の一実施形態の説明であるが、上述したように、LN変調器5を恒温槽6内に設置し、LN変調器5の温度を一定に保つことによって、温度変化による変調曲線のシフトを防ぐことができる。
さらに、LN変調器5の温度が変化してLN変調器5の光挿入損失が変化することも防ぐことができる。
また、LN変調器5の光挿入損失は経年変化として多少変化するが、上述した本発明の一実施形態において、光出力レベルの基準である第一基準信号S2の電圧とバイアス電圧の基準である第二基準信号S6の電圧とを再設定することによって、経年変化によるLN変調器5の光挿入損失の変化に対処することが可能である。
したがって、上述した本発明の一実施形態によれば、周囲の温度変化によらず、LN変調器5の動作点を変調曲線の中点に安定して保持することが可能となり、歪みのない安定した光出力を持った光信号を発生することができる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光強度変調器を恒温槽内に設置し、該光強度変調器の温度を一定に保つようにしたので、該光強度変調器の温度が変化して光挿入損失が変化することがないので、周囲の温度変化によらず、該光強度変調器の動作点を変調曲線の中点に安定して保持することが可能となり、歪みのない安定した光出力を持った光信号を発生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態による光強度変調光源の構成を示すブロック図である。
【図2】 図1におけるLN変調器5の構成を示すブロック図である。
【図3】 図1におけるバイアス制御回路12の構成を示す回路図である。
【図4】 図2に示すLN変調器5の変調曲線の一例を示す波形図である。
【図5】 図3に示すバイアス制御回路12の動作を説明するための第一の波形図である。
【図6】 図3に示すバイアス制御回路12の動作を説明するための第二の波形図である。
【図7】 光挿入損失によって変調曲線が変化した場合の光変調特性について説明するための波形図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ
2、7 ATC
3 APC
4、8、17、18 光ファイバ
5 LN変調器
6 恒温槽
9 光分岐器
10 変調信号発生器
11、15 コネクタ
12 バイアス制御回路
13 バイアスT回路
14 コイル
16 終端器
C1 コンデンサ
Claims (7)
- 一定の光強度の光を発生する光源と、
入力される前記光の光強度を変調し被変調光として出力する光強度変調器と、
前記光強度変調器が出力する被変調光の一部を分岐しモニタ光として出力する光分岐器と、
前記モニタ光を電気信号に変換して出力する光電変換回路と、
第一の基準電圧を発生する第一の可変電圧発生器と、
前記第一の基準電圧と前記光電変換回路から出力される電気信号の電圧との差分電圧を増幅する差動増幅器と、
第二の基準電圧を発生する第二の可変電圧発生器と、
前記差動増幅器によって増幅された差分電圧を前記第二の基準電圧に加算する加算回路と、
前記加算回路からの出力に基づいて前記光強度変調器にバイアス電圧を印加するバイアス駆動手段と、を具備してなる光強度変調光源であって、
バイアス信号を発生させる前記第二の可変電圧発生器が発生する電圧値を前記光強度変調器の光強度変調特性の変調曲線の中点に対応する電圧値に設定し、この設定された電圧値を前記第二の基準電圧の値に設定し、この第二の基準電圧値の設定下状態で前記差分電圧がゼロになるときの前記第一の可変電圧発生器が発生する電圧値を前記第一の基準電圧の値としたことを特徴とする光強度変調光源。 - 前記第二の可変電圧発生器により直流電圧を発生させた時の出力光の最大光強度出力を測定し、
該最大光強度出力の半値の光強度出力が得られる該直流電圧の値を前記第二の基準電圧の値とし、
該最大光強度出力の半値の光強度出力が得られる該直流電圧を発生させた状態において、前記光電変換回路から出力される信号の電圧の値を前記第一の基準電圧の値としたことを特徴とする請求項1に記載の光強度変調光源。 - 前記第二の可変電圧発生器により発生させた直流電圧に低周波交流信号を重畳してバイアス信号とし、
前記第二の可変電圧発生器が発生する直流電圧値を変化させて、前記モニタ光に含まれる前記低周波交流信号の2倍の周波数成分がゼロとなる時の該直流電圧値を前記第二の基準電圧の値とし、
前記第二の可変電圧発生器が発生する直流電圧値を変化させて、前記モニタ光に含まれる前記低周波交流信号の2倍の周波数成分がゼロとなる時の前記被変調光の平均光強度に相当する電圧値を前記第一の基準電圧の値としたことを特徴とする請求項1に記載の光強度変調光源。 - 低周波信号を発生する低周波信号発生器と、
前記光強度変調器に印加するバイアス電圧に前記低周波信号を重畳する重畳手段と、
前記モニタ光に含まれる前記低周波信号成分を検波する検波手段と、
前記検波手段から出力される検波出力信号に基づいて前記光強度変調器の変調特性の傾きの符号を判別し、この結果に基づいて前記光強度変調器の初期動作点を設定する、
ことを特徴とする請求項3に記載の光強度変調光源。 - 前記第一の基準電圧値および前記第二の基準電圧値が設定された後に、前記低周波信号発生器からの信号をオフにすることを特徴とする請求項4に記載の光強度変調光源。
- 前記差動増幅器によって増幅された差分電圧の符号を反転する符号反転手段と、
前記差動増幅器によって増幅された差分電圧と前記符号反転手段によって符号が反転された差分電圧とのいずれかを選択する選択手段と、
を具備することを特徴とする請求項1乃至請求項5に記載の光強度変調光源。 - 前記光強度変調器が内部に設置され、内部の温度を一定に保持する恒温槽を具備することを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の光強度変調光源。
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