JP4405280B2 - 静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法 - Google Patents

静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法 Download PDF

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Description

本発明は静的タイミング解析(Static Timing Analysis、以下、“STA”と略称する)装置によるタイミング解析方法に関し、特に低電圧スイングバスを含む半導体回路またはロジックのタイミング解析方法に関する。
DRAMのような半導体メモリ装置や特定用途向け半導体装置(Application Specific Integrated Circuit;ASIC)等は半導体回路の設計と工程、チップテストまたはパッケージ後のテストなどの一連の段階を経て製品として発売される。この時、STAとは半導体設計において、設計された半導体回路またはロジックに入出力される信号間のタイミングを解析して、設計された半導体回路やロジックがタイミングに問題なく正常に動作できるかをテストすることである。このようなSTAは、設計された半導体回路やロジックに入力されれば、所定データベースに保存されている各種のセル、すなわち、トランジスタ、ゲートレベルのセル、単位ロジック(AND、OR等)レベルのセル、または特殊機能(入出力間遅延計算が難しい感知増幅フリップフロップなど)のセルに対する遅延モデルから、その半導体回路やロジックに存在するセルそれぞれに対応する遅延モデルを抽出して入出力信号間のタイミングを解析するもので、その回路やロジックに存在するノード間の遅延値をリポートするSTA装置による。このようなSTAは特許文献1に詳細に説明されている。
特に、高性能設計での半導体回路やロジック間のインタフェースは、スピード及び電力消耗での利点のために低電圧スイングバスを使用する。低電圧スイングバスは、半導体回路やロジックで使われる電源電圧でフルスイングせず、そのより小さな電圧で伝送側から信号を送っても、受信側でその微細な伝送信号を感知してフルスイングできるように設計された、信号インタフェースラインである。
図1は一般的な低電圧スイングバス構造を示すブロック図であり、図2は図1の低電圧スイングバス構造でのタイミング関係を説明するための波形図である。
図1を参照すれば、低電圧スイングバスでは、互いにインバート関係のロジック信号LSH、LSLを伝送する2つの信号線が1対になっている。図2を参照すれば、低電圧スイングバスを通じて信号を伝達する過程は、まず、低電圧スイングバスよりなる2つの信号線(LSH及びLSL信号線)が電源電圧でプリチャージされる。次に、2つの信号線のうち一つだけがプリチャージ電圧と逆に活性化される。すなわち、図1及び図2でINHはハイ状態、INLはロー状態になる時、LSHだけロー状態になり、LSLはハイ状態を維持する。この時、LSH信号線は電源電圧でフルスイングせず、活性化されていないバスと一定程度以上の電圧差Vsが出始めれば、受信側の感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fがこれを感知し、増幅して活性化信号QH及びそのインバート信号QLを出力する。
上記のような低電圧スイングバスで、伝送信号と感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの出力信号間の遅延は実際に感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fが感知できる最小電圧までの変動時間(図2のTreal)に該当する。しかし、一般的な低電圧スイングバスのタイミング解析で、STA装置を使用する場合、低電圧スイングバスに入力される伝送する信号と感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの出力信号間の遅延は、一般的な遅延モデルによって、電源電圧へのフルスイングを基準として信号それぞれの50%変動時点間の遅延(図2のTfalse)として計算されるため、間違った遅延値がリポートされる問題点がある。
このような問題点を解決するために、低電圧スイングバス及び感知増幅フリップフロップに含まれたノードそれぞれに対し、外部で別途に行われたSPICEシミュレーション結果として現れる遅延値をSTA装置の所定データベースに保存する。これにより、STA装置は追加された所定命令語ファイルによって前記のようなSPICEシミュレーション結果を参照できる。しかし、半導体回路またはロジックに存在する低電圧スイングバスと感知増幅フリップフロップのモデリング、それによるSPICEシミュレーションの遂行、及びSTA装置への適用でなる一連のタイミング解析作業は非常に複雑かつ面倒であり、相当な時間的損失を誘発する問題点がある。
米国特許US4,924,430号公報
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、STA装置によって低電圧スイングバスを含む半導体回路またはロジックを解析する場合、所定のセットアップタイムを有するようにモデリングされた感知増幅フリップフロップによって簡単かつ正確にタイミング検証が可能なSTA装置による低電圧スイングバスの解析方法を提供することにある。
前記の技術的課題を達成するための本発明によるSTA装置による低電圧スイングバスの解析方法は、入力されるデザインファイルを受信してタイミング検証プログラムの実行を開始する段階と、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルに現れるセルそれぞれに対するタイミングモデルを抽出してノード別タイミングを計算する段階と、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルに現れるセルのうち感知増幅フリップフロップの所定タイミングモデルを、サブルーチンの実行により抽出して前記感知増幅フリップフロップに連結されるノードのタイミングを計算する段階と、前記デザインファイルに存在するセルそれぞれのノード別タイミング計算が完了すれば、そのタイミング結果リポートを出力する段階と、を具備することを特徴とする。
前記サブルーチンは、前記感知増幅フリップフロップタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差が電源電圧のフルスイングに該当する時、一クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの出力信号間の遅延を計算する段階と、前記計算された遅延にm%が合算された第1遅延値を計算する段階と、前記第1遅延値に対応する前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差をセッティングする段階と、前記感知増幅フリップフロップタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号が前記クロック信号より先に入力された場合に対応する前記クロック信号と前記出力信号間の遅延を計算する段階と、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号が前記クロック信号より先に入力された場合の前記遅延に前記m%が合算された第2遅延値を計算する段階と、前記感知増幅フリップフロップタイミングモデルにより、前記第2遅延値に対応する、前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差を決定する段階と、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号と所定プリチャージ電圧を維持する他の信号が入力される前記感知増幅フリップフロップに対し、前記クロック信号が前記遅延差を表すタイミングモデルを決定する段階と、を具備することを特徴とする。
本発明によるSTA装置による低電圧スイングバスの解析方法は、STA装置によって低電圧スイングバスを含む半導体回路またはロジックを解析する場合、所定のセットアップタイムを有するようにモデリングされた感知増幅フリップフロップによって簡単かつ正確にタイミング検証を行える効果がある。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。各図に提示された同じ参照符号は同じ部分を示す。
図3は、本発明の一実施形態によるSTA装置による低電圧スイングバス解析動作を説明のためのフローチャートである。
図3を参照すれば、本発明の一実施形態によるSTA装置による低電圧スイングバスの解析方法は、セルそれぞれに対するタイミングモデルを設定しておいたセルライブラリを保存する所定のデータベース、及び前記セルライブラリに基づいて設計されたデザインファイルを解析できるタイミング検証プログラムを具備したSTA装置によって低電圧スイングバスを解析する方法であって、次のような段階を具備する。
本発明の一実施形態によるSTA装置による低電圧スイングバスの解析方法では、まず、ユーザが前記デザインファイルを入力して前記タイミング検証プログラムの実行命令をすれば、前記STA装置が入力された前記デザインファイルを受信して前記タイミング検証プログラムの実行を開始する(S310)。
すなわち、前記STA装置は前記タイミング検証プログラムを実行して、ユーザが前記所定のデータベースに保存されたセルライブラリに基づいてタイミング設計した前記デザインファイルを解析する。ユーザは半導体回路やロジックの設計時にタイミング関係の臨界部分を中心としてタイミング設計をし、セルライブラリに基づいて前記デザインファイルを作る。セルライブラリには各種のセル、すなわち、ゲートレベルのセル(PMOSFET、NMOSFET、BJT等)、単位ロジックレベルのセル(INVERTER、AND、OR等)、または特殊機能のセル(入出力間遅延計算が難しい感知増幅フリップフロップ等)などがあり、それ以外にも遅延ラインや伝送線路など半導体回路やロジックの設計に必要なあらゆるセルを含む。
一方、前記STA装置は、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルに現れるセルそれぞれに対するタイミングモデルを前記所定のデータベースから抽出してノード別タイミングを計算する(S320)。ここで、ノードとは、前記セルが連結される接続点をいう。
特に、前記STA装置は、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルに現れるセルのうち感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの所定タイミングモデルを、サブルーチンの実行により抽出して前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fに連結されるノードのタイミングを計算する(S330)。前記デザインファイルに存在するセルそれぞれのノード別タイミング計算が完了すれば、前記STA装置はそのタイミング結果リポートを出力する(S340)。ユーザは出力される前記タイミング結果リポートを確認した後、半導体回路などの設計を再検討して、修正が必要な部分に対し前記デザインファイルを修正した後、前記タイミング検証プログラムを再実行できる(S350)。
図4は、感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルに対するサブルーチンを説明するためのフローチャートである。
図4を参照すれば、前記サブルーチンでは、まず、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの出力ノード負荷に対し、前記データベースに保存された前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLの電圧差が電源電圧であるフルスイングに該当する時、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの出力発生を制御するクロック信号SACLKと出力信号QHまたはQL間の遅延を計算する(S331)。
参考として、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fは、図1に図示されたように、両入力信号INH及びINLのうちいずれか1つだけ活性化されるロー電圧スイングを感知して前記クロック信号SACLKが活性化される時に前記出力信号QHまたはQLを発生させる。前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fはロー電圧スイングに対するSTAのために必ず必要である。ところで、複雑な半導体回路やロジックに散在するロー電圧スイングノード及びこれを感知して増幅する前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/F毎にいちいちSPICEシミュレーション結果を参照させる既存の方法は、面倒かつ長時間がかかるので、本発明では、前記タイミング検証プログラムの実行時、自動的に前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fに対するサブルーチンを実行させて前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデル、すなわち、前記所定タイミングモデルを適用可能にした。
前記クロック信号SACLKと出力信号QHまたはQL間の遅延が計算されれば、次に、前記サブルーチンでは、前記サブルーチンの変数として入力されたVs決定情報であるm%値から、前記フルスイング時の遅延に前記m%が合算された第1遅延値を計算する(S331)。前記mは、前記サブルーチン毎に別に指定される変数である。これにより、前記サブルーチンで、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記第1遅延値に対応する前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLの電圧差を前記Vsとして決定する(S333)。
図5は感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの入力電圧差と出力信号QH遅延間の関係を示すタイミングモデルファイルであり、図6は図5のタイミングモデルファイルによる感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのクロック信号SACLKと出力信号QH間の関係を示す図である。
図5及び図6を参照すれば、前記感知増幅タイミングモデルは、前記出力ノード負荷に対し、前記クロック信号SACLKのトランジションタイムSLOPE及び前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLの電圧差別に前記クロック信号SACLKと前記出力信号QH間の遅延が対応するテーブル値を含む。
図5及び図6に図示されたように、前記mは10を例とした。また、前記クロック信号SACLKと前記出力信号QH間の遅延は、前記クロック信号SACLKが前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fに入力された後、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号がINHである時、前記出力信号QHが出力されるまでの時間である。ここで、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号がINLであれば、前記出力信号QLが出力されるまでの時間が前記遅延となる。
前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLは、前記のように、前段ロジックの制御を受けて、活性化状態に変わる前にはプリチャージされて電源電圧を維持するので、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの入力信号INH及びINLが活性化されるということは、前記プリチャージ電圧から高活性化または低活性化状態に変わることをいう。
一方、前記Vsが決定されれば、前記サブルーチンでは、前記出力ノード負荷及び前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INHのトランジションタイムSLOPEに対し、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLが前記クロック信号SACLKより先に入力された場合に対応する前記クロック信号SACLKと前記出力信号QHまたはQL間の遅延を計算する(S335)。また、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLが前記クロック信号SACLKより先に入力された場合の前記遅延に前記m%が合算された第2遅延値を計算する(S335)。これにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記第2遅延値に対応する、前記クロック信号SACLKと前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号のうち活性化される信号INH間の遅延差を決定する(S337)。
図7は、感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの入力信号INH及びINLとクロック信号SACLK間遅延及び出力信号QHまたはQL間遅延の関係を示すタイミングモデルファイルであり、図8は、図7のタイミングモデルファイルによる感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのセットアップタイムを説明するための図である。
図7及び図8を参照すれば、前記感知増幅タイミングモデルは、前記出力ノード負荷及び前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INHのトランジションタイムSLOPEに対し、前記クロック信号SACLKと前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INH間の遅延差SACLK−INH別に前記クロック信号SACLKと前記出力信号QHまたはQL間の遅延が対応するテーブル値を有する。図7で、前記出力ノード負荷は示さなかったが、図5の前記出力ノード負荷と対応していると見なす。前記遅延差は、図8に図示されたように、前記クロック信号SACLKが実質的に50%トランジションする時点と前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INHが50%トランジションする時点間の差であることを特徴とする。
図7に図示されたように、前記mは10を例とした。前記で、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLが前記クロック信号SACLKより先に入力された場合の遅延は、図7で、“SACLK−INH=INFINITE”の場合であって、前記両入力信号INH及びINLが十分に早く活性化されて、前記クロック信号SACLKが活性化される時、既に前記両入力信号INH及びINLはフルスイングを終えた状態をいう。
前記のように、前記クロック信号SACLKと前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INH間の遅延差値が計算されれば、図8に図示されたように、前記サブルーチンでは、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INHと所定プリチャージ電圧を維持する他の信号が入力される前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fに対し、前記活性化される入力信号INHが前記Vsとなった後、前記クロック信号SACLKが前記遅延差SACLK−INHを表すことを前記タイミングモデルにより決定する。すなわち、前記活性化される入力信号INHが前記Vsとなった時点と、前記クロック信号SACLKが実質的に50%トランジションする時点間の時間がセットアップタイムSET−UP TIMEとなる。結局、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fは、前記活性化される入力信号INHが前記Vsとなった時点から前記遅延差SACLK−INH以内に、50%トランジションが行われる前記クロック信号SACLKが入力されることとモデリングされる。
前記のように、本発明の一実施形態によるSTA装置による低電圧スイングバスの解析方法は、セルそれぞれに対するタイミングモデルを設定しておいたセルライブラリを保存する所定のデータベース、及び前記セルライブラリに基づいて設計されたデザインファイルを解析できるタイミング検証プログラムを具備したSTA装置によって低電圧スイングバスを解析する方法において、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルで示されるセルのうち感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの所定タイミングモデルを次のようなサブルーチンの実行により抽出して、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fに連結されるノードのタイミングを計算する。
すなわち、前記サブルーチンでは、まず、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの出力ノード負荷に対し、前記データベースに保存された前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLの電圧差が電源電圧であるフルスイングに該当する時、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの出力発生を制御するクロック信号SACLKと出力信号QHまたはQL間の遅延を計算し、前記サブルーチンの変数として入力されたVs決定情報であるm%値から前記フルスイング時の遅延に前記m%が合算された第1遅延値を計算する。これにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/F)タイミングモデルにより、前記第1遅延値に対応する前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLの電圧差を前記Vsと決定する。
また、前記出力ノード負荷及び前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INHのトランジションタイムSLOPEに対し、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLが前記クロック信号SACLKより先に入力された場合に対応する前記クロック信号SACLKと前記出力信号QHまたはQL間の遅延を計算し、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLが前記クロック信号SACLKより先に入力された場合の前記遅延に前記m%が合算された第2遅延値を計算する。これにより、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルにより、前記第2遅延値に対応する、前記クロック信号SACLKと前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INH間の遅延差を決定する。
次に、前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの両入力信号INH及びINLのうち活性化される信号INHと所定プリチャージ電圧を維持する他の信号が入力される前記感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fに対し、前記活性化される入力信号INHが前記Vsとなった後、前記クロック信号SACLKが前記遅延差を表すものを前記タイミングモデルとして決定する。
以上により最適な実施形態が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであって、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により定められねばならない。
本発明による低電圧スイングバスの解析方法は、低電圧スイングバスを含む半導体回路またはロジックのタイミング解析のためのSTA装置に利用できる。
一般的な低電圧スイングバス構造を表すブロック図である。 図1の低電圧スイングバス構造でのタイミング関係を説明するための波形図である。 本発明の一実施形態によるSTA装置による低電圧スイングバス解析動作を説明するためのフローチャートである。 感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのタイミングモデルに対するサブルーチンを説明するためのフローチャートである。 感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの入力電圧(INH及びINL)差と出力信号QH遅延間の関係を示すタイミングモデルファイルである。 図5のタイミングモデルファイルによる感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのクロック信号SACLKと出力信号QH間の関係を示す図である。 感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fの入力信号INHとクロック信号SACLK間遅延及び出力信号QH間遅延の関係を表すタイミングモデルファイルである。 図7のタイミングモデルファイルによる感知増幅フリップフロップSENSE AMP.F/Fのセットアップタイムを説明するための図である。

Claims (14)

  1. 静的タイミング解析装置によって低電圧スイングバスを解析する方法において、
    前記静的タイミング解析装置によって、入力されるデザインファイルを受信してタイミング検証プログラムの実行を開始する段階と、
    前記静的タイミング解析装置によって、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルに現れるセルそれぞれに対するタイミングモデルを抽出してノード別タイミングを計算する段階と、
    前記静的タイミング解析装置によって、前記タイミング検証プログラムの実行中に前記デザインファイルに現れるセルのうち感知増幅フリップフロップの所定タイミングモデルを、サブルーチンの実行により抽出して前記感知増幅フリップフロップに連結されるノードのタイミングを計算する段階と、
    前記静的タイミング解析装置によって、前記デザインファイルに存在するセルそれぞれのノード別タイミング計算が完了すれば、そのタイミング結果リポートを出力する段階と、を具備し、
    前記所定タイミングモデルは、前記感知増幅フリップフロップの二つの入力信号の電圧差と関連するディレイ情報を含むことを特徴とする静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  2. 前記サブルーチンは、
    前記感知増幅フリップフロップタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差が電源電圧のフルスイングに該当する時、一クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの出力信号間の遅延を計算する段階と、
    前記計算された遅延にm%が合算された第1遅延値を計算する段階と、
    前記第1遅延値に対応する前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差をセッティングする段階と、
    前記感知増幅フリップフロップタイミングモデルにより、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号が前記クロック信号より先に入力された場合に対応する前記クロック信号と前記出力信号間の遅延を計算する段階と、
    前記感知増幅フリップフロップの両入力信号が前記クロック信号より先に入力された場合の前記遅延に前記m%が合算された第2遅延値を計算する段階と、
    前記感知増幅フリップフロップタイミングモデルにより、前記第2遅延値に対応する、前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差を決定する段階と、
    前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号と所定プリチャージ電圧を維持する他の信号が入力される前記感知増幅フリップフロップに対し、前記クロック信号が前記遅延差を表すタイミングモデルを決定する段階と、を具備することを特徴とする請求項1に記載の静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  3. 前記mは、
    前記サブルーチン毎に別に指定されうることを特徴とする請求項2に記載の静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  4. 前記感知増幅フリップフロップに対するタイミングモデルは、
    前記感知増幅フリップフロップの出力ノード負荷に対し、前記クロック信号のトランジションタイム及び前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差別に前記クロック信号と前記出力信号間の遅延が対応するテーブル値、及び前記出力ノード負荷及び前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号のトランジションタイムに対し、前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差別に前記クロック信号と前記出力信号間の遅延が対応するテーブル値を有することを特徴とする請求項2に記載の静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  5. 前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差は、
    前記クロック信号が実質的に電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点と、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号が電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点間の差であることを特徴とする請求項2に記載の静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  6. 前記感知増幅フリップフロップは、
    前記活性化される入力信号が前記第1遅延値に対応している前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差よりなる時点と、前記クロック信号が実質的に電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点間の時間をセットアップタイムとすることを特徴とする請求項2に記載の静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  7. 前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差は、
    前記クロック信号が実質的に電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点と、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号が電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点間の差であることを特徴とする請求項4に記載の静的タイミング解析装置による低電圧スイングバスの解析方法。
  8. 感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差が電源電圧のフルスイングに該当する時、一クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの出力信号間の遅延を計算する段階と、
    前記計算された遅延にm%が合算された第1遅延値を計算する段階と、
    前記第1遅延値に対応する前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差をセッティングする段階と、
    前記感知増幅フリップフロップの両入力信号が前記クロック信号より先に入力された場合に対応する前記クロック信号と前記出力信号間の遅延に前記m%が合算された第2遅延値を計算する段階と、
    前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号と所定プリチャージ電圧を維持する他の信号とが入力される前記感知増幅フリップフロップに対し、前記第2遅延値に対応する、前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差を表すタイミングモデルを決定する段階と、を具備することを特徴とする低電圧スイングバスサブルーチン方法。
  9. 前記mは、
    前記サブルーチン毎に別に指定されうることを特徴とする請求項に記載の低電圧スイングバスサブルーチン方法。
  10. 前記感知増幅フリップフロップに対するタイミングモデルは、
    前記感知増幅フリップフロップの出力ノード負荷に対し、前記クロック信号のトランジションタイム及び前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差別に前記クロック信号と前記出力信号間の遅延が対応するテーブル値、及び前記出力ノード負荷及び前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号のトランジションタイムに対し、前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差別に前記クロック信号と前記出力信号間の遅延が対応するテーブル値を有することを特徴とする請求項に記載の低電圧スイングバスサブルーチン方法。
  11. 前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差は、
    前記クロック信号が実質的に電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点と、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号が電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点間の差であることを特徴とする請求項に記載の低電圧スイングバスサブルーチン方法。
  12. 前記感知増幅フリップフロップは、
    前記活性化される入力信号が前記第1遅延値に対応している前記感知増幅フリップフロップの両入力信号の電圧差よりなる時点と、前記クロック信号が実質的に電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点間の時間をセットアップタイムとすることを特徴とする請求項に記載の低電圧スイングバスサブルーチン方法。
  13. 前記クロック信号と前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号間の遅延差は、
    前記クロック信号が実質的に電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点と、前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号が電源電圧でフルスイングしたときの50%トランジションする時点間の差であることを特徴とする請求項10に記載の低電圧スイングバスサブルーチン方法。
  14. 前記低電圧スイングバスサブルーチン方法は、
    前記第1遅延値計算及び前記第2遅延値計算間で、
    前記感知増幅フリップフロップの出力ノード負荷、及び前記感知増幅フリップフロップの両入力信号が前記クロック信号より先に入力された場合に対応する前記感知増幅フリップフロップの両入力信号のうち活性化される信号のトランジションタイムに対する前記感知増幅フリップフロップのタイミングモデルによって、前記クロック信号と前記出力信号間の遅延を計算する段階をさらに具備することを特徴とする請求項に記載の低電圧スイングバスサブルーチン方法。
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