JP4403272B2 - 分光計測方法及び分光計測装置 - Google Patents
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Description
highly doped silicon by terahertz time domain reflection」S.Nashima、外3名、アプライドフィジックスレターズ
(Applied Physics Letters)、(米国)、2001年12月10日、第79巻、第24号、pp.3923−3925(非特許文献2)には、位置精度を必要とせずに位相情報を含む反射型の測定を行う方法として、シリコン板を試料に密着させて設置する方法が記載されている。また、 特開2004−198250号公報(特許文献1)には、試料を平行平板に限定したテラヘルツパルス光を用いた測定方法が記載され、前記反射光の時系列波形に含まれる試料入射面での反射パルス光を参照信号とし、反射光の時系列波形から前記反射パルス光を除いた差分信号を試料信号とし測定を行う方法である。
遅延手段による前記パルス光の遅延量を前記相対位置に基づいて導出する分光計測装置で
ある。
れる分光計測装置である。
体を移動自在にする可動手段が付設される分光計測装置である。
レーザーパルス光発生器と前記函体が光ファイバーで接続される分光計測装置である。
手段が設置される分光計測装置である。
また、テラヘルツ帯域のテラヘルツパルス光を用いて測定試料の特性を測定するから、テラヘルツ光のフォトンエネルギー領域における光学応答を測定することができる。本発明に係るテラヘルツパルス光は、電気光学結晶、半導体、量子井戸又は高温超伝導薄膜に超短パルスレーザーを照射して発生させることができる。
また、レーザー光を前記測定試料に照射して前記相対位置の測定を行うから、高精度の位置測定を行うことができる。本発明に係る位置計測手段は、測定精度を1マイクロメートル以下に設定することができ、高精度の分光計測を提供することができる。
また、前記パルス光が、テラヘルツ帯域のテラヘルツパルス光であるから、テラヘルツ光のフォトンエネルギー領域における光学応答を測定することができる。前記テラヘルツパルス光を放出するテラヘルツ発生器としては、電気光学結晶、半導体、量子井戸又は高温超伝導薄膜などを用いることができる。前記テラヘルツ発生器は、超短パルスレーザーを照射することによりテラヘルツパルス光を放射することが可能であり、前記超短パルスレーザー光としては、数fs〜サブpsのパルスレーザー光によりテラヘルツパルス光を発生させることができる。
ヘルツパルス光発生素子が設置されるから、高効率に安定して前記テラヘルツパルス光を
放射することができる。
2 ハーフミラー
3 遅延装置
4 平面鏡
5 平面鏡
6 テラヘルツ光検出器
7 非軸放物面鏡
8 非軸放物面鏡
9 測定試料
10 非軸放物面鏡
11 非軸放物面鏡
12 テラヘルツ光発生器
13 平面鏡
14 レーザー位置センサー
14a レーザー位置センサー
14b レーザー位置センサー
15 化合物半導体
16 光ファイバ
17 収納ケース
18 3軸可動ステージ
L1 レーザーパルス
L2 レーザーパルス
L3 レーザーパルス
L4 テラヘルツパルス光
L5 テラヘルツパルス光
L6 位置検出用レーザー光
L6a 位置検出用レーザー光
L6b 位置検出用レーザー光
Claims (10)
- テラヘルツ帯域のテラヘルツパルス光を測定試料に照射し、この測定試料からの応答信号を検出して前記測定試料の特性を測定する分光計測方法において、
前記測定試料における前記テラヘルツパルス光の照射面にレーザー光を照射して、前記照射面に対して垂直な軸方向における前記測定試料と分光光学系の相対位置或いは互いに直交する三軸方向における前記測定試料と前記分光光学系の相対位置を検出し、
前記相対位置に基づいて前記応答信号の時間軸を補正することを特徴とする分光計測方法。 - 前記応答信号の時間分解測定を行う請求項1に記載の分光計測方法。
- テラヘルツ帯域のテラヘルツパルス光を測定試料に照射し、この測定試料からの応答信号を検出して前記測定試料の特性を測定する分光計測装置において、
前記測定試料に対して分光光学系を配置し、前記測定試料における前記テラヘルツパルス光の照射面にレーザー光を照射して、前記照射面に対して垂直な軸方向における前記分光光学系と前記測定試料の相対位置或いは互いに直交する三軸方向における前記分光光学系と前記測定試料の相対位置を検出する位置計測手段を備えることを特徴とする分光計測装置。 - 前記応答信号の時間分解測定を行う請求項3に記載の分光測定装置。
- 前記位置計測手段は、レーザー光を用いたレーザー位置センサーである請求項3又は4に記載の分光計測装置。
- 前記分光光学系には、前記パルス光の遅延手段が具備され、この遅延手段による前記パルス光の遅延量を前記相対位置に基づいて導出する請求項3〜5のいずれかに記載の分光計測装置。
- 前記パルス光を放射するテラヘルツパルス光発生素子が設置される請求項3〜6のいずれかに記載の分光計測装置。
- 前記分光光学系と前記位置測定手段を函体に収納し、この函体を移動自在にする可動手段が付設される請求項3〜7のいずれかに記載の分光計測装置。
- 前記函体の外部にレーザーパルス光発生器が設置され、このレーザーパルス光発生器と前記函体が光ファイバーで接続される請求項8に記載の分光計測装置。
- 前記相対位置に基づいて前記測定試料のずれを補正する駆動手段が設置される請求項3〜9に記載の分光計測装置。
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