JP4396261B2 - Method for manufacturing plasma display panel - Google Patents

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Description

本発明は、平板型表示装置（フラットパネルディスプレイとも呼ぶ）として大型のテレビジョンや広告・情報等の公衆表示用への利用が拡大してきているプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとも記す）の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel (hereinafter also referred to as PDP), which is increasingly used for public display of large-sized televisions, advertisements, and information as a flat panel display (also referred to as a flat panel display). About.

近年、大型の平板型表示装置として希ガス放電による紫外線で蛍光体を励起発光させて画像・映像表示に利用するＰＤＰは、対角１ｍ以上になるような大型製品を目標に開発されてきた。ＰＤＰの開発は加速してきており、コンピューター等に代表される情報処理装置の表示機器として、あるいは大型のテレビジョン受信機や公衆表示用モニターとして、高性能化、低価格化、最適量産化等を目指して次々と新しい技術が開発されてきている。   In recent years, PDPs that are used for image and video display by exciting phosphors with ultraviolet light by rare gas discharge as large flat panel displays have been developed with the goal of large products with a diagonal of 1 m or more. Development of PDP is accelerating, and as a display device of information processing equipment represented by computers, etc., or as a large television receiver and monitor for public display, high performance, low price, optimum mass production, etc. New technologies are being developed one after another.

ＰＤＰには交流駆動方式と直流駆動方式があるが、ここでは一般的な交流駆動方式のＰＤＰ（以下、交流駆動方式のＰＤＰをＡＣ型ＰＤＰと記す）の構造を図６に示した。ＡＣ型ＰＤＰには各種の方式があり、図６は面放電型と呼ばれる方式の一例として、その一部を立体的に描いた斜視図で構造を示している。ＰＤＰは、ガラス製の前面板１、背面板２にそれぞれ行電極、列電極が直交配置され、画素（ピクセル）となる行・列両電極の交点及び両基板間にある隔壁により放電空間３を形成する構造となっている。   The PDP has an AC drive method and a DC drive method. Here, the structure of a general AC drive method PDP (hereinafter, the AC drive method PDP is referred to as an AC type PDP) is shown in FIG. There are various types of AC type PDP, and FIG. 6 shows a structure in a perspective view in which a part thereof is three-dimensionally illustrated as an example of a method called a surface discharge type. In the PDP, row electrodes and column electrodes are orthogonally arranged on a front plate 1 and a back plate 2 made of glass, respectively, and a discharge space 3 is formed by intersections of both row and column electrodes to be pixels (pixels) and a partition wall between both substrates. It has a structure to be formed.

図７は、従来のＡＣ型ＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図である。図７において、従来のＡＣ型ＰＤＰの製造工程は前面板の形成工程Ｓ１０、背面板の形成工程Ｓ２０及びこれらの組立工程Ｓ３０に大別される。前面板形成工程Ｓ１０は、走査電極／維持電極形成工程Ｓ１１と、誘電体層形成工程Ｓ１２と、誘電体保護膜形成工程（以下、単に保護膜形成工程とも記す）Ｓ１３からなり、その後で、保護膜形成装置から大気中に前面板１が取り出され、必然的に大気暴露工程Ｓ１４を経る。一方、背面板形成工程Ｓ２０はデータ電極形成工程Ｓ２１と、下地誘電体層形成工程Ｓ２２と、隔壁形成工程Ｓ２３と、蛍光体層形成工程Ｓ２４とからなり、組立工程Ｓ３０は、封着工程Ｓ３１、排気工程Ｓ３２、放電ガス封入工程Ｓ３３、エージング工程Ｓ３４とＰＤＰパネル完成工程Ｓ３５の各工程とからなっており、これらの工程を経てＰＤＰパネルが完成する。なお、背面板形成工程Ｓ２０においては、隔壁形成工程Ｓ２３及び蛍光体層形成工程Ｓ２４は空気中で工程が進められるので、特に大気暴露の工程を入れる必要はない。   FIG. 7 is a flowchart of a manufacturing process schematically showing a method of manufacturing a conventional AC type PDP. In FIG. 7, the manufacturing process of the conventional AC type PDP is roughly divided into a front plate forming step S10, a back plate forming step S20, and an assembly step S30 thereof. The front plate forming step S10 includes a scan electrode / sustain electrode forming step S11, a dielectric layer forming step S12, and a dielectric protective film forming step (hereinafter also simply referred to as a protective film forming step) S13. The front plate 1 is taken out from the film forming apparatus into the atmosphere, and inevitably undergoes the atmospheric exposure step S14. On the other hand, the back plate forming step S20 includes a data electrode forming step S21, a base dielectric layer forming step S22, a partition wall forming step S23, and a phosphor layer forming step S24. The assembly step S30 includes a sealing step S31, Each process includes an exhaust process S32, a discharge gas sealing process S33, an aging process S34, and a PDP panel completion process S35. A PDP panel is completed through these processes. In the back plate forming step S20, the barrier rib forming step S23 and the phosphor layer forming step S24 are performed in the air, so that it is not necessary to include an air exposure step.

以下、図６に示した従来の面放電型のＡＣ型ＰＤＰの前面板１及び背面板２の構成について、図７に示した工程と対応させながら説明する。   Hereinafter, the configuration of the front plate 1 and the back plate 2 of the conventional surface discharge AC type PDP shown in FIG. 6 will be described in correspondence with the steps shown in FIG.

前面板１は、前面ガラス基板１０上に放電の維持信号を入力するための維持電極１３及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極１４が、図７に示した走査電極／維持電極形成工程Ｓ１１を経て、それぞれ対をなして平行に複数形成されて行電極が構成されている。次いで、これら行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な誘電体層１１が誘電体層形成工程Ｓ１２を経て成膜される。更に、誘電体層１１上に放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護するための誘電体保護膜（以下、単に保護膜と記すが、保護膜を保護層と記すこともある）１２が保護膜形成工程Ｓ１３を経て形成され、保護膜形成装置から大気中に前面板１が取り出され、大気暴露工程Ｓ１４を経ている。また、隣り合う維持電極１３と走査電極１４対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリクス１５を必要に応じて形成することもあるがこの形成工程は図７には示していない。   The front plate 1 has a sustain electrode 13 for inputting a sustain signal for discharge on the front glass substrate 10 and a scan electrode 14 for inputting a scan signal for sequential display as shown in FIG. Through the formation step S11, a plurality of rows are formed in parallel to form a row electrode. Next, a transparent dielectric layer 11 for forming wall charges due to discharge is formed on these row electrodes through a dielectric layer forming step S12. Further, a dielectric protective film (hereinafter simply referred to as a protective film, but may be referred to as a protective film) 12 is provided on the dielectric layer 11 to protect the dielectric layer 11 from ion bombardment caused by discharge. Formed through the film forming step S13, the front plate 1 is taken out from the protective film forming apparatus into the atmosphere, and is subjected to the air exposure step S14. Further, in order to increase the contrast of the display surface between the pair of adjacent sustain electrodes 13 and scan electrodes 14, a black matrix 15 serving as a light shielding layer may be formed as necessary. This formation process is shown in FIG. Not.

次に、背面板２は、背面ガラス基板１６上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるデータ電極（アドレス電極とも呼ばれる）１９が、前面板１の行電極を構成する維持電極１３及び走査電極１４とそれぞれ交差する方向に、図７に示したデータ電極形成工程Ｓ２１を経て複数形成されている。データ電極１９の上にやはり放電による壁電荷を形成するための下地誘電体層１７が下地誘電体層形成工程Ｓ２２を経て成膜され、更にその上にアドレス電極１９と平行して隔壁１８が隔壁形成工程Ｓ２３により形成され、隔壁１８間には赤、青、緑各色に発光する蛍光体層２０が蛍光体層形成工程Ｓ２４を経て設けられている。   Next, the back plate 2 is a sustain electrode in which data electrodes (also referred to as address electrodes) 19 serving as column electrodes for inputting a plurality of display data signals on the back glass substrate 16 constitute row electrodes of the front plate 1. 13 and a plurality of scanning electrodes 14 are formed through the data electrode forming step S21 shown in FIG. A base dielectric layer 17 for forming wall charges due to discharge is formed on the data electrode 19 through a base dielectric layer forming step S22, and a partition wall 18 is formed on the data electrode 19 in parallel with the address electrode 19. A phosphor layer 20 that is formed in the forming step S23 and emits light in red, blue, and green colors is provided between the partition walls 18 through the phosphor layer forming step S24.

そして、前面板１と背面板２とを対向させながら貼り合せてフリットガラス等のシール材を用いて封着パネル化（封着工程Ｓ３１）して、加熱しながら脱ガス処理（排気工程Ｓ３２）を行なった後、放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施（エージング工程Ｓ３４）し、放電空間３が形成されたＰＤＰパネルが完成する（ＰＤＰパネル完成工程Ｓ３５）。   Then, the front plate 1 and the back plate 2 are bonded to face each other to form a sealing panel using a sealing material such as frit glass (sealing step S31), and degassing while being heated (exhaust step S32). After that, a rare gas mainly composed of neon (Ne), xenon (Xe) or the like is sealed as a discharge gas (discharge gas sealing step S33), and a drive pulse having a predetermined voltage and waveform is applied to each electrode of the panel. Aging for applying and discharging is performed (aging process S34), and the PDP panel in which the discharge space 3 is formed is completed (PDP panel completion process S35).

完成したＰＤＰパネルには、走査電極１４と維持電極１３及びデータ電極１９とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバＩＣが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路と共に筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極１３及び走査電極１４、アドレス電極１９に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁１８間に設けられた蛍光体層２０が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。   The completed PDP panel is connected to a circuit board on which driver ICs for driving are mounted on the electrode terminals of the electrodes in order to supply electric signals to the scan electrodes 14, the sustain electrodes 13, and the data electrodes 19. A display device is completed by incorporating it into a casing together with a signal circuit and a power circuit. By applying a voltage pulse of a predetermined signal to the sustain electrode 13, the scan electrode 14, and the address electrode 19, the enclosed rare gas is excited to emit ultraviolet rays, and the phosphor layer 20 provided between the barrier ribs 18 by the ultraviolet rays. Can excite visible light and display information.

特に、前面板１の形成工程Ｓ１０において、前面ガラス基板１０上に維持電極１３、走査電極１４と誘電体層１１を形成し、その上に、放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護すると共に、２次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜１２が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されているが、この保護膜１２は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が広く用いられている。このような電子ビーム蒸着で形成されたＭｇＯ膜は、結晶性が高く緻密な膜であり、耐スパッタ性に優れ、且つ２次電子放出係数が高いという優れた特徴を有している。しかし、従来のＰＤＰの製造方法では、前面板１はＭｇＯ膜形成後に、一旦大気に曝される。その時、ＭｇＯ膜は、大気中の水分（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）と反応して水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）などの化合物を生成し、その化合物がＭｇＯ膜の表面に析出するほか、大気中の埃やダスト等の不純物もＭｇＯ膜の表面に吸着、付着する。そして、このような保護膜（ＭｇＯ膜）１２の表面に存在する化合物や吸着、付着物を含む層（以下、化合物や吸着、付着物を含む層を単に化合物層と記す）は、周囲の環境によって、例えば、季節により変動する気温や湿度等による影響、あるいは大気中での放置時間などにより、緻密な構造になったり、厚い膜となったり、均一に化合物層が形成されず一部分のみ膜質が変わったりしてしまうなど、さまざまな膜質、膜厚の化合物からなる層が、しかも分布をもって形成される。 In particular, in the front plate 1 forming step S10, the sustain electrode 13, the scan electrode 14 and the dielectric layer 11 are formed on the front glass substrate 10, and the dielectric layer 11 is protected from ion bombardment due to discharge on the sustain electrode 13, scan electrode 14 and dielectric layer 11. For the purpose of promoting phosphor emission by secondary electron emission, the protective film 12 is formed by electron beam evaporation or the like under a predetermined condition. Magnesium oxide (MgO) is widely used as the protective film 12. It has been. The MgO film formed by such electron beam evaporation is a dense film with high crystallinity, excellent sputtering resistance, and high secondary electron emission coefficient. However, in the conventional PDP manufacturing method, the front plate 1 is once exposed to the atmosphere after the MgO film is formed. At that time, the MgO film reacts with moisture (H 2 O) and carbon dioxide (CO 2 ) in the atmosphere to produce compounds such as magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ) and magnesium carbonate (MgCO 3 ), The compound precipitates on the surface of the MgO film, and impurities such as dust and dust in the atmosphere are adsorbed and adhered to the surface of the MgO film. A layer containing a compound, adsorption, or deposit on the surface of such a protective film (MgO film) 12 (hereinafter, a layer containing the compound, adsorption or deposit is simply referred to as a compound layer) is a surrounding environment. Depending on the temperature, humidity, etc., which varies depending on the season, or due to the standing time in the atmosphere, etc., the structure becomes dense, the film becomes thick, the compound layer is not uniformly formed, and the film quality is only partially. Layers of compounds with various film qualities and thicknesses, such as changing, are formed with distribution.

この前面板１に生成・形成された化合物層は、前面板１と背面板２を貼り合せてパネル化（封着工程Ｓ３１）し、排気工程Ｓ３２、放電ガス封入工程Ｓ３３を経てＰＤＰのパネル完成後に、エージングと呼ばれる工程（エージング工程Ｓ３４）にて、ＰＤＰパネル管内を放電させ、放電ガスのプラズマのスパッタ性を利用することにより、このような化合物を除去し、ＭｇＯ膜の表面に清浄なＭｇＯ結晶面を露出させ、ＰＤＰパネルの放電特性安定化を実現させようとしている。しかし、エージング工程に多量の時間を要するだけでなく、部分的に不均一にごく薄い化合物層の膜が残るなどして、均一且つ完全に除去することは難しく、最悪なケースとして保護膜の表面を部分的に損傷させることもあった。従って、このようなＭｇＯ膜からなる保護膜１２の表面に形成された化合物層の影響のため、ＰＤＰパネルの放電特性の劣化、悪化を招き、ＰＤＰパネルの表示領域内における特性がばらつき、均一な表示ができないということを生じさせていた。そこで、前面板１に化合物層を生成・形成させないように、誘電体保護膜１２の表面を更にＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＦ2などの別の材料でコーティング被覆して第２の保護膜を形成し、保護膜１２を水分や炭酸ガスの吸着から防止するという試みが提案されている（例えば、特許文献１参照）。そして、この第２の保護膜は、大気暴露により保護膜表面に形成された化合物層と同様に、エージング工程（Ｓ３４）において、エージング放電時のスパッタ性を利用して除去している。
特許第３０７３４５１号公報（第３−５頁、第１−３図） The compound layer formed and formed on the front plate 1 is formed by attaching the front plate 1 and the back plate 2 to form a panel (sealing step S31), and through the exhausting step S32 and the discharge gas sealing step S33, the PDP panel is completed. Later, in a process called aging (aging process S34), the inside of the PDP panel tube is discharged, and by utilizing the sputtering property of the plasma of the discharge gas, such a compound is removed, and a clean MgO film is formed on the surface of the MgO film. The crystal plane is exposed to stabilize the discharge characteristics of the PDP panel. However, not only does the aging process take a lot of time, but it is difficult to remove evenly and completely because the thin compound layer remains partially uneven. The worst case is the surface of the protective film. Could be partially damaged. Therefore, due to the influence of the compound layer formed on the surface of the protective film 12 made of the MgO film, the discharge characteristics of the PDP panel are deteriorated and deteriorated, and the characteristics in the display area of the PDP panel vary and are uniform. It caused that it was not possible to display. Therefore, the surface of the dielectric protective film 12 is further coated with another material such as SiN, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, TiO 2 , or MgF 2 so that the compound layer is not formed or formed on the front plate 1. Thus, there has been proposed an attempt to form a second protective film and prevent the protective film 12 from adsorbing moisture and carbon dioxide (for example, see Patent Document 1). And this 2nd protective film is removed using the sputter | spatter property at the time of an aging discharge in an aging process (S34) similarly to the compound layer formed in the protective film surface by exposure to air | atmosphere.
Japanese Patent No. 3073451 (page 3-5, Fig. 1-3)

上述したように前面板１の保護膜１２の上部に更に第２の保護膜を形成した場合、前面板１を大気に曝しても第２の保護膜により保護膜１２の表面に水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）や炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）などの化合物が析出することはない。しかしながら、ＰＤＰパネルを組み立ててエージング工程Ｓ３４で放電を行なって、スパッタリングにより形成した第２の保護膜を除去する必要がある。更に、形成した第２の保護膜は、ＭｇＯなどの保護膜１２と同様に結晶性が高く、緻密で安定した膜であることが多く、スパッタリングによってなかなか除去できず、その下の保護膜１２が露出するまでにはより多大なエージング時間を必要とすることが多かった。また、エージング工程Ｓ３４における放電によるスパッタリングで除去された第２の保護膜の成分がＰＤＰパネル内に残留し、ＰＤＰパネルの放電特性やＰＤＰパネルで構成される表示装置の寿命特性に大きな影響を与えるという課題に加えて、第２の保護膜としてコーティング、被覆した材料そのものがＰＤＰパネルのエージング工程Ｓ３４ではがれてＰＤＰパネル内に残留し、表示装置としての品質問題を引き起こすなどの新たな課題もあった。 As described above, when the second protective film is further formed on the upper surface of the protective film 12 of the front plate 1, even if the front plate 1 is exposed to the atmosphere, magnesium hydroxide ( Compounds such as Mg (OH) 2 ) and magnesium carbonate (MgCO 3 ) do not precipitate. However, it is necessary to assemble the PDP panel and discharge in the aging step S34 to remove the second protective film formed by sputtering. Furthermore, the formed second protective film is often a dense and stable film having high crystallinity like the protective film 12 such as MgO, and cannot easily be removed by sputtering. In many cases, much aging time was required before exposure. In addition, the component of the second protective film removed by the sputtering by the discharge in the aging step S34 remains in the PDP panel, which greatly affects the discharge characteristics of the PDP panel and the life characteristics of the display device composed of the PDP panel. In addition to the above problem, there is a new problem that the material coated and coated as the second protective film is peeled off in the PDP panel aging process S34 and remains in the PDP panel, causing a quality problem as a display device. It was.

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、ＰＤＰパネルの初期放電特性の安定性、均一性を向上させるＰＤＰの製造方法を提供し、併せて、この方法でＰＤＰパネルを製造して表示領域内における特性のバラツキが少なく、均一な表示で品位の高い映像・画像が得られるＰＤＰ表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a method for manufacturing a PDP that improves the stability and uniformity of the initial discharge characteristics of the PDP panel. In addition, the PDP panel is manufactured by this method. Thus, an object of the present invention is to provide a PDP display device which can obtain a high-quality video / image with uniform display with little variation in characteristics in the display region.

上記目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１のガラス基板上に第１の電極を形成し、第１のガラス基板上と第１の電極上とに第１の誘電体層を形成し、第１の誘電体層上に保護層を形成して第１の基板を製造する工程と、第２のガラス基板上に第２の電極を形成し、第２のガラス基板上と第２の電極上とに第２の誘電体層を形成し、第２の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、隔壁の間に蛍光体層を形成して第２の基板を製造する工程と、第１の基板と第２の基板を重ね合わせて接合し、接合した基板内部を排気して放電ガスを封入する組立工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第１の基板を製造する工程に、保護層を形成した第１の基板を加熱して保護層表面の第１の化合物層を除去する工程と、保護層表面の第１の化合物層を除去した第１の基板を所定の圧力に保った水（Ｈ２Ｏ）を含むガス中に保持して保護層表面に均一な第２の化合物層を形成する工程とを有し、組立工程のエージング工程において、保護層表面に均一に形成した第２の化合物層を除去することを特徴としている。 In order to achieve the above object, a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention includes forming a first electrode on a first glass substrate, and forming a first electrode on the first glass substrate and the first electrode. Forming a first dielectric layer, forming a protective layer on the first dielectric layer, and manufacturing a first substrate; forming a second electrode on the second glass substrate; A second dielectric layer is formed on the glass substrate and the second electrode, a plurality of barrier ribs are formed on the second dielectric layer, and a phosphor layer is formed between the barrier ribs. In a method for manufacturing a plasma display panel, the method includes a step of manufacturing a substrate, an assembly step of superposing and bonding the first substrate and the second substrate, exhausting the inside of the bonded substrate, and enclosing a discharge gas. the step of the substrate manufacturing, the first compound in the protective layer surface by heating the first substrate to form a protective layer Removing the layers, uniform in the first holding to the protective layer surface of the first substrate to remove the compound layer in the gas containing water (H 2 O) was maintained at a predetermined pressure of the surface of the protective layer And a step of forming a second compound layer, and the second compound layer formed uniformly on the surface of the protective layer is removed in the aging step of the assembly step .

プラズマディスプレイパネルの製造に当たって、これらの工程を有することにより、ＭｇＯの保護膜表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着により形成された化合物層や吸着不純物による特性の不均一、不安定性を抑えた、均一且つ均質な保護膜を備えて、バラツキが小さく、特性の安定したプラズマディスプレイパネルを製造できる。   In manufacturing a plasma display panel, by having these steps, nonuniformity and instability of characteristics due to the compound layer and adsorbed impurities formed by the adsorption of moisture and carbon dioxide in the atmosphere on the MgO protective film surface are suppressed. In addition, a uniform and homogeneous protective film is provided, and a plasma display panel with small variations and stable characteristics can be manufactured.

本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面ガラス基板のＭｇＯで形成された保護膜表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着により形成された化合物層や吸着不純物による特性の不均一、不安定性を改善できるため、均一且つ均質な保護膜を備えて、特性のバラツキの小さい安定したプラズマディスプレイパネルの製造に適している。   The method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention is characterized in that the compound layer formed by the adsorption of moisture and carbon dioxide gas in the atmosphere on the surface of the protective film formed of MgO on the front glass substrate and the unevenness of characteristics due to the adsorbed impurities. Since the qualitative characteristics can be improved, it is suitable for manufacturing a stable plasma display panel having a uniform and uniform protective film and having small variations in characteristics.

また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、誘電体層の保護膜表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着による化合物層や吸着不純物の不均一、不安定性を改善できるため、バラツキの小さい安定したプラズマディスプレイパネルを製造できる効果があるほか、更に、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化して処理するので、プラズマ中の多量の活性種により第１のガラス基板の処理時間の短縮に有効である。 The plasma display panel manufacturing method of the present invention can improve the nonuniformity and instability of the compound layer and adsorbed impurities due to the adsorption of atmospheric moisture and carbon dioxide on the surface of the protective film of the dielectric layer. In addition to the effect of manufacturing a small and stable plasma display panel, and processing the gas containing water (H 2 O) into plasma, a large amount of active species in the plasma reduces the processing time of the first glass substrate. Effective for shortening.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図である。図２は、本発明の実施の形態の製造方法において、保護膜形成工程後の前面板の構造を示す拡大部分断面図である。図２は、図６に示すＡＣ型ＰＤＰのＡ−Ａ’線で前面板１を切断し、１組の維持電極１３と走査電極１４を含む部分のみを拡大して示している。図２（ａ）は保護膜の形成された前面板１に化合物層が不均一に形成された状態を、図２（ｂ）は化合物層が保護膜上に均一に存在する状態を、図２（ｃ）は薄い化合物層が保護膜上にまだらに存在する状態を、図２（ｄ）は保護膜の表面上に何もない清浄な状態をそれぞれ示している。 (First embodiment)
FIG. 1 is a flowchart of a manufacturing process schematically showing a method for manufacturing a PDP according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged partial sectional view showing the structure of the front plate after the protective film forming step in the manufacturing method according to the embodiment of the present invention. FIG. 2 shows the front plate 1 cut along the line AA ′ of the AC type PDP shown in FIG. 6, and shows only a portion including a pair of sustain electrodes 13 and scan electrodes 14. 2A shows a state in which the compound layer is formed unevenly on the front plate 1 on which the protective film is formed, and FIG. 2B shows a state in which the compound layer exists uniformly on the protective film. (C) shows a state where the thin compound layer is mottled on the protective film, and FIG. 2 (d) shows a clean state where there is nothing on the surface of the protective film.

ここで、図１が図７における従来のＰＤＰの製造方法を概略的に示す流れ図と異なるところは、前面板１の製造工程Ｓ１０において図７に示した大気暴露工程Ｓ１４に相当する第１の大気暴露工程Ｓ１４１の後に前面板保護膜処理工程Ｓ１５及び第２の大気暴露工程Ｓ１４２が追加されている点である。その他は、従来のＰＤＰの製造工程を概略的に示す図７の流れ図の工程とほとんど同じである。また、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法で製造されるＰＤＰパネルの構造は、図６に示した前面板１の構成とほとんど同じである。異なるところは、図１の前面板１の製造工程Ｓ１０における第１の大気暴露工程Ｓ１４１以降、封着工程Ｓ３１までの間に、前面板１の構造は図２（ａ）あるいは図２（ｂ）に示すように、前面板１の保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａまたは２１Ｂが一時的に形成されているところがわずかに異なっている。なお、本発明の第１の実施の形態のＰＤＰの製造方法を示す図１、及び形成される前面板の構造を示す図２においては、それぞれ従来のＰＤＰの製造方法を示す図７、及び形成される前面板の構造を示す図６と同じ構成要素には同じ符号を付している。   Here, FIG. 1 differs from the flow chart schematically showing the conventional PDP manufacturing method in FIG. 7 in that the first atmospheric air corresponding to the atmospheric exposure step S14 shown in FIG. A front plate protective film treatment step S15 and a second atmospheric exposure step S142 are added after the exposure step S141. The rest is almost the same as the process of the flowchart of FIG. 7 schematically showing the manufacturing process of the conventional PDP. Further, the structure of the PDP panel manufactured by the PDP manufacturing method according to the first embodiment of the present invention is almost the same as the configuration of the front plate 1 shown in FIG. The difference is that after the first atmospheric exposure step S141 in the manufacturing step S10 of the front plate 1 in FIG. 1 and before the sealing step S31, the structure of the front plate 1 is FIG. 2 (a) or FIG. 2 (b). As shown in FIG. 4, the compound layer 21A or 21B is temporarily formed on the surface of the protective film 12 of the front plate 1 slightly differently. 1 showing the method for manufacturing the PDP according to the first embodiment of the present invention and FIG. 2 showing the structure of the front plate to be formed, FIG. 7 and FIG. The same components as those shown in FIG. 6 showing the structure of the front plate are denoted by the same reference numerals.

続いて、本発明の第１の実施の形態における製造方法で製造されるＰＤＰの構成について、ＡＣ型ＰＤＰを例に挙げ、図６及び図２を参照しつつ、図１に示した工程と対応させて説明する。   Subsequently, regarding the configuration of the PDP manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the AC type PDP is taken as an example and corresponds to the process shown in FIG. 1 with reference to FIGS. Let me explain.

前面板１は、前面ガラス基板１０上に放電の維持信号を入力するための維持電極１３及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極１４が、図１に示した走査電極／維持電極形成工程Ｓ１１を経て、それぞれ対をなして平行にストライプ状の表示電極となる行電極が複数形成されて構成されている。次いで、これらの行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な前面側の誘電体層１１が誘電体層形成工程Ｓ１２を経て成膜される。更に、前面側の誘電体層１１上に放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護するための誘電体保護膜１２が保護膜形成工程Ｓ１３を経て形成されている。この時の前面板１の構造は図２（ｃ）の状態にある。この後、前面板１を大気中に取り出しＭｇＯ膜表面を大気に曝すと、ＭｇＯ膜と大気中の水分（Ｈ2Ｏ）及び二酸化炭素（ＣＯ2）とが反応してヒドロキシ炭酸マグネシウム（３ＭｇＣＯ3・Ｍｇ（ＯＨ）2）・３Ｈ2Ｏ）あるいは、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2：水（Ｈ2Ｏ）のみと反応する時）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3：二酸化炭素（ＣＯ2）のみと反応する時）などの化合物が生成し、この化合物がＭｇＯ膜の表面に化合物層として形成される（第１の大気暴露工程Ｓ１４１）。この時の前面板１は図２（ａ）に示すように均一ではない状態にある。続いて、ＭｇＯ膜の表面に化合物層が析出した前面板１を図３（ａ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に移送、保持し、前面板１の保護膜１２の処理を行なう（前面板保護膜処理工程Ｓ１５）。この処理後、前面板１は図２（ｂ）の状態に変わる。これらの本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法における特徴的な工程の詳しい構成、内容については後述する。なお、この後、前面板１には、隣り合う維持電極１３と走査電極１４対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリクス１５を必要に応じて形成することもあるが、この形成工程は図１には示していない。 The front plate 1 has a sustain electrode 13 for inputting a sustain signal for discharge on the front glass substrate 10 and a scan electrode 14 for inputting a scan signal for sequential display as shown in FIG. Through the formation step S11, a plurality of row electrodes are formed in parallel and forming stripe-shaped display electrodes in parallel. Next, a transparent front-side dielectric layer 11 for forming wall charges due to discharge is formed on these row electrodes through a dielectric layer forming step S12. Furthermore, a dielectric protective film 12 for protecting the dielectric layer 11 from ion bombardment due to discharge is formed on the front dielectric layer 11 through a protective film forming step S13. The structure of the front plate 1 at this time is in the state shown in FIG. Thereafter, when the front plate 1 is taken out into the atmosphere and the surface of the MgO film is exposed to the atmosphere, the MgO film reacts with moisture (H 2 O) and carbon dioxide (CO 2 ) in the atmosphere to react with magnesium hydroxy carbonate (3MgCO 3・ Mg (OH) 2 ) · 3H 2 O) or magnesium hydroxide (when reacting only with Mg (OH) 2 : water (H 2 O)), magnesium carbonate (MgCO 3 : carbon dioxide (CO 2 ) only And the like are formed as a compound layer on the surface of the MgO film (first air exposure step S141). At this time, the front plate 1 is not uniform as shown in FIG. Subsequently, the front plate 1 on which the compound layer is deposited on the surface of the MgO film is transferred and held in the vacuum vessel 31 of the front plate processing apparatus 30 shown in FIG. 3A to process the protective film 12 on the front plate 1. Performed (front plate protective film treatment step S15). After this process, the front plate 1 changes to the state shown in FIG. The detailed configuration and contents of the characteristic steps in the method of manufacturing the PDP according to the embodiment of the present invention will be described later. Thereafter, a black matrix 15 serving as a light shielding layer may be formed on the front plate 1 as a light shielding layer between the adjacent sustain electrode 13 and the pair of scanning electrodes 14 in order to increase the contrast of the display surface. This formation process is not shown in FIG.

次に、背面板２は、背面ガラス基板１６上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるデータ電極１９が、前面板１の行電極を構成する維持電極１３及び走査電極１４とそれぞれ交差する方向に、図１に示したデータ電極形成工程Ｓ２１を経てストライプ状に複数形成されている。ストライプ状のデータ電極１９の上にやはり放電による壁電荷を形成するための背面側の下地誘電体層１７が下地誘電体層形成工程Ｓ２２を経て成膜され、更にその上にストライプ状のアドレス電極１９と平行して隔壁１８が隔壁形成工程Ｓ２３により形成され、隔壁１８間には赤、青、緑各色に発光する蛍光体層２０が蛍光体層形成工程Ｓ２４を経て設けられている。   Next, the back plate 2 includes a data electrode 19 serving as a column electrode for inputting a plurality of display data signals on the back glass substrate 16, a sustain electrode 13 and a scan electrode 14 constituting the row electrode of the front plate 1. A plurality of stripes are formed in the intersecting directions through the data electrode formation step S21 shown in FIG. A base dielectric layer 17 on the back side for forming wall charges due to discharge is formed on the striped data electrode 19 through the base dielectric layer forming step S22, and the striped address electrode is further formed thereon. The barrier ribs 18 are formed in parallel with the barrier rib forming step S23, and the phosphor layers 20 that emit red, blue, and green light are provided between the barrier ribs 18 through the phosphor layer forming step S24.

そして、前面板１と背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合せてパネル化（封着工程Ｓ３１）して、加熱しながら脱ガス処理（排気工程Ｓ３２）を行なった後、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施し（エージング工程Ｓ３４）、放電空間３が形成されたＰＤＰパネルが完成する（ＰＤＰパネル完成工程Ｓ３５）。この時、ＰＤＰパネルの前面板１の断面構造は図２（ｄ）の状態にある。   Then, the front plate 1 and the back plate 2 are bonded together using a sealing material such as frit glass to form a panel (sealing step S31), and degassing (exhaust step S32) is performed while heating. After that, a rare gas mainly composed of Ne, Xe or the like is sealed as a discharge gas (discharge gas sealing step S33), and aging is performed by applying a drive pulse having a predetermined voltage and waveform to each electrode of the panel. This is carried out (aging process S34), and the PDP panel in which the discharge space 3 is formed is completed (PDP panel completion process S35). At this time, the cross-sectional structure of the front plate 1 of the PDP panel is in the state shown in FIG.

完成したＰＤＰパネルには、走査電極１４と維持電極１３及びデータ電極１９とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバＩＣが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路と共に筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極１３及び走査電極１４、アドレス電極１９に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁１８間に設けられた蛍光体層２０が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。   The completed PDP panel is connected to a circuit board on which driver ICs for driving are mounted on the electrode terminals of the electrodes in order to supply electric signals to the scan electrodes 14, the sustain electrodes 13, and the data electrodes 19. A display device is completed by incorporating it into a casing together with a signal circuit and a power circuit. By applying a voltage pulse of a predetermined signal to the sustain electrode 13, the scan electrode 14, and the address electrode 19, the enclosed rare gas is excited to emit ultraviolet rays, and the phosphor layer 20 provided between the barrier ribs 18 by the ultraviolet rays. Can excite visible light and display information.

次に、本発明の実施の形態におけるＰＤＰパネルの製造方法の特徴である前面板保護膜処理の方法について、詳しく説明する。   Next, the front plate protective film processing method, which is a feature of the PDP panel manufacturing method in the embodiment of the present invention, will be described in detail.

前面ガラス基板１０上に維持電極１３、走査電極１４と誘電体層１１を形成し、その上に、放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護すると共に、２次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜１２が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されている。続いて、保護膜１２を成膜形成した前面板１を保護膜形成装置から、大気中に取り出す。周知のように、ＭｇＯからなる保護膜１２が形成された前面板１は、大気中の二酸化炭素（ＣＯ2）、水（Ｈ2Ｏ）と反応し、ヒドロキシ炭酸マグネシウム（ｐＭｇＣＯ3・ｑＭｇ（ＯＨ）2）・ｒＨ2Ｏ：但し、ｐ、ｑ、ｒは整数）あるいは炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムからなる化合物層２１Ａが形成される（第１の大気暴露工程Ｓ１４１）。形成された化合物層２１Ａは図２（ａ）に模式的に示したように不均一になっている。保護膜１２の形成後、一旦大気中に曝されて保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を、図３（ａ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に搬送して載置台３３上に置く。載置台３３は、例えば、抵抗加熱ヒータ等の加熱手段３４により、前面板１を加熱昇温させることが可能である。 The sustain electrode 13, the scanning electrode 14, and the dielectric layer 11 are formed on the front glass substrate 10, and the dielectric layer 11 is protected from ion bombardment caused by discharge and the phosphor emits light by secondary electron emission. For the purpose of promotion, the protective film 12 is formed by electron beam evaporation or the like under predetermined conditions. Subsequently, the front plate 1 on which the protective film 12 is formed is taken out from the protective film forming apparatus into the atmosphere. As is well known, the front plate 1 on which the protective film 12 made of MgO is formed reacts with carbon dioxide (CO 2 ) and water (H 2 O) in the atmosphere to produce hydroxy magnesium carbonate (pMgCO 3 .qMg (OH). 2 ) · rH 2 O: where p, q, and r are integers) or a compound layer 21A made of magnesium carbonate or magnesium hydroxide is formed (first air exposure step S141). The formed compound layer 21A is non-uniform as schematically shown in FIG. After the formation of the protective film 12, the front plate 1 once exposed to the atmosphere and having the compound layer 21A formed on the surface of the protective film 12 is placed in the vacuum vessel 31 of the front plate processing apparatus 30 shown in FIG. And placed on the mounting table 33. The mounting table 33 can raise the temperature of the front plate 1 by heating means 34 such as a resistance heater.

引き続き、保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を処理する（前面板保護膜処理工程Ｓ１５）。前面板１の処理は２段階で行なう。第１段階の処理は加熱手段３４により前面板１を所定の温度に加熱することにより行なう。加熱により、化合物層２１Ａ中に含まれるヒドロキシ炭酸マグネシウム、あるいは炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムは分解して、気相中に水（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）となって放出されるので、化合物層２１Ａは図２（ａ）に模式的に示したような不均一性が緩和されて凹凸が緩やかになり、且つ厚さも薄くなる。この第１段階の処理の後、水（Ｈ2Ｏ）のガスを供給するガス供給装置３８を経てガス導入装置３７から真空容器３１内に導入し、排気装置３５により排気しながら圧力調整装置３６で真空容器３１内を所定の圧力に保持することにより、前面板１の第２段階の処理を実施する。 Subsequently, the front plate 1 having the compound layer 21A formed on the surface of the protective film 12 is processed (front plate protective film processing step S15). The front plate 1 is processed in two stages. The first stage process is performed by heating the front plate 1 to a predetermined temperature by the heating means 34. By heating, hydroxy magnesium carbonate, magnesium carbonate or magnesium hydroxide contained in the compound layer 21A is decomposed and released into the gas phase as water (H 2 O) or carbon dioxide (CO 2 ). In the compound layer 21A, the non-uniformity as schematically shown in FIG. 2A is relaxed, the unevenness becomes gentle, and the thickness becomes thin. After the first stage treatment, the pressure adjusting device 36 is introduced into the vacuum vessel 31 from the gas introducing device 37 through the gas supply device 38 for supplying water (H 2 O) gas, and exhausted by the exhaust device 35. Thus, the second stage of the front plate 1 is performed by maintaining the inside of the vacuum vessel 31 at a predetermined pressure.

そして、第１段階の処理を終えた化合物層２１Ａを所定の温度に加熱しつつ、水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で、排気しながら所定の圧力に保って、第２段階の処理を実施すると、図２（ａ）のような不均一な化合物層２１Ａから図２（ｂ）に示すような、均一な化合物層２１Ｂに変わる。このように、均一な化合物層２１Ｂに変わるのは、水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で、不均一な化合物層２１Ａは水（Ｈ2Ｏ）と化合物層２１Ａとの反応を一定且つ均一に制御し、結果として図２（ｂ）示す均一、且つ薄く均質なＭｇＯの保護膜１２上の化合物層２１Ｂに変わると考えられる。 Then, while heating the compound layer 21A after the first stage treatment to a predetermined temperature and keeping it at a predetermined pressure while exhausting in a gas containing water (H 2 O), the second stage process is performed. When implemented, the non-uniform compound layer 21A as shown in FIG. 2A is changed to a uniform compound layer 21B as shown in FIG. 2B. Thus, the change in the uniform compound layer 21B, in a gas containing water (H 2 O), heterogeneous compound layer 21A is water (H 2 O) and the reaction of the compound layer 21A constant and uniform As a result, it is considered that the compound layer 21B on the uniform, thin and homogeneous MgO protective film 12 shown in FIG.

なお、ここでは加熱手段３４として抵抗加熱ヒータを用いたが、載置台３３に配置する抵抗加熱ヒータの代わりにレーザビーム照射や赤外線照射による加熱も利用できる。また、加熱温度は、２００℃よりも低い温度では化合物層の分解反応が遅く処理に長時間を要し、６００℃よりも高温では、基板のガラスが変形してしまうので、２００℃〜６００℃の温度範囲が望ましい。ここでは、化合物層の除去後のパネル冷却に要する時間との兼ね合いで４００℃を採用している。   Although a resistance heater is used as the heating means 34 here, heating by laser beam irradiation or infrared irradiation can be used instead of the resistance heater arranged on the mounting table 33. Further, when the heating temperature is lower than 200 ° C., the decomposition reaction of the compound layer is slow and a long time is required for the treatment. When the heating temperature is higher than 600 ° C., the glass of the substrate is deformed. The temperature range is desirable. Here, 400 ° C. is adopted in view of the time required for panel cooling after the removal of the compound layer.

また、処理時の真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜２００Ｐａに設定すると薄くて、非常に均一な化合物層２１Ｂを保護膜１２上に備えた前面板１を得られることが、試作実験の結果から明らかになった。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１０Ｐａ以下では、化合物層２１Ａの分解反応が進み過ぎて、図２（ａ）のような不均一な状態が残る。また、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が２００Ｐａ以上でも、やはり、図２（ａ）のような不均一性が解消されない状態が残ってしまう。従って、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜２００Ｐａに設定することが望ましい。加熱温度を４００℃に設定した時、８０Ｐａに設定すると、処理時間が短くなり、非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１が得られ、最も好ましい結果となった。 Further, from the result of the prototype experiment, it is possible to obtain the front plate 1 which is thin and has a very uniform compound layer 21B on the protective film 12 when the pressure in the vacuum vessel 31 during processing is set to 10 Pa to 200 Pa. It was revealed. When the pressure in the vacuum vessel 31 of the gas containing water (H 2 O) is 10 Pa or less, the decomposition reaction of the compound layer 21A proceeds so much that the non-uniform state as shown in FIG. Further, even if the pressure in the vacuum container 31 of the gas containing water (H 2 O) is 200 Pa or more, the state where the non-uniformity as shown in FIG. Therefore, it is desirable to set the pressure in the vacuum vessel 31 of gas containing water (H 2 O) to 10 Pa to 200 Pa. When the heating temperature is set to 400 ° C. and set to 80 Pa, the processing time is shortened, and the front plate 1 having a very uniform and thin homogeneous compound layer 21B on the MgO protective film 12 is obtained. The most favorable result was obtained.

実際に、ＭｇＯの保護膜１２を形成した前面板１を大気中に取り出して、約２０分間大気暴露して、保護膜１２上に化合物層２１Ａが形成された前面板１について、前面板処理装置３０の真空容器３１内の載置台３３に載せ、加熱温度を４００℃に設定し、真空容器３１内の水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの圧力を８０Ｐａに設定して保持した時、加熱を６０分行ない、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスで処理を１０分行なうことで不均一な化合物層２１Ａが非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１に変わり、最も好ましい結果となった。 Actually, the front plate 1 on which the MgO protective film 12 is formed is taken out into the atmosphere and exposed to the atmosphere for about 20 minutes, and the front plate 1 in which the compound layer 21A is formed on the protective film 12 is treated as a front plate processing apparatus. When the heating temperature is set to 400 ° C. and the pressure of the gas containing water (H 2 O) in the vacuum container 31 is set to 80 Pa and held, the heating is performed. The non-uniform compound layer 21A is provided on the MgO protective film 12 by performing the treatment for 60 minutes with a gas containing water (H 2 O) for 60 minutes, thereby forming the non-uniform compound layer 21A on the MgO protective film 12. It changed to the front plate 1 and became the most preferable result.

このようにして、前面板保護膜処理工程Ｓ１５を実施した後、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの導入を停止し、前面板１を冷却して大気中に取り出す（第２の大気暴露工程Ｓ１４２）。前面板保護膜処理工程Ｓ１５により、均一な化合物層２１ＢがＭｇＯの保護膜１２上に形成された前面板１は、この後、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等ＭｇＯと反応する成分が含まれる雰囲気中にあっても、不均一な化合物層に変わることはほとんどない。 In this way, after performing the front plate protective film treatment step S15, the introduction of the gas containing water (H 2 O) is stopped, and the front plate 1 is cooled and taken out into the atmosphere (second atmospheric exposure step) S142). The front plate 1 in which the uniform compound layer 21B is formed on the MgO protective film 12 by the front plate protective film processing step S15 is then in an atmosphere containing components that react with MgO such as H 2 O and CO 2. Even in this case, the compound layer hardly changes into a non-uniform compound layer.

なお、上述説明した前面板保護膜処理工程Ｓ１５においては、その第２段階の処理で、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスを導入して化合物層２１Ａを処理する時に加熱も同時に行なっているが、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法においては、第２段階の処理での加熱を行なわなくても前面板１の処理が可能である。但し、第２段階の処理で加熱を行なわない場合、均一な化合物層２１Ｂに変わるのにより長時間を要することになる。 In the above-described front plate protective film processing step S15, heating is performed at the same time when the compound layer 21A is processed by introducing a gas containing water (H 2 O) in the second stage of processing. In the method for manufacturing a PDP in the first embodiment of the present invention, the front plate 1 can be processed without heating in the second stage process. However, when heating is not performed in the second stage process, it takes a long time to change to the uniform compound layer 21B.

続いて、作製した前面板１と背面板形成工程Ｓ２０で作製した背面板２と共に封着装置に移送し、前面板１と背面板２のそれぞれにガラスフリットを塗布し、各電極位置を合わせて目合わせして貼り合せてから加熱封着し（封着工程Ｓ３１）、ＰＤＰパネル内残存ガスと封着工程で発生する放出ガスとを排気（排気工程Ｓ３２）し、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施（エージング工程Ｓ３４）し、前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂをスパッタ除去してＰＤＰパネルの完成となる。前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂは薄く均一であるので、エージング時間を大幅に短縮することが可能になった。   Subsequently, the produced front plate 1 and the back plate 2 produced in the back plate forming step S20 are transferred together with the sealing device, glass frit is applied to each of the front plate 1 and the back plate 2, and the positions of the respective electrodes are adjusted. After being aligned and bonded, heat sealing is performed (sealing step S31), the residual gas in the PDP panel and the release gas generated in the sealing step are exhausted (exhaust step S32), and Ne, Xe, etc. are used as discharge gases. Is sealed (discharge gas filling step S33), and aging is performed by applying a drive pulse having a predetermined voltage and waveform to each electrode of the panel (aging step S34). The compound layer 21B formed on the surface of the MgO protective film 12 is removed by sputtering to complete the PDP panel. Since the compound layer 21B formed on the surface of the MgO protective film 12 of the front plate 1 is thin and uniform, the aging time can be greatly shortened.

なお、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法においては、前面板形成工程Ｓ１０の第２の大気暴露工程Ｓ１４２を省略することが可能である。この場合、前面板保護膜処理工程Ｓ１５が終了した後に、前面板処理装置３０から前面板１を大気に曝さずに封着装置に移送し、封着工程Ｓ３１を実施すればよい。   In the PDP manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the second atmospheric exposure step S142 of the front plate forming step S10 can be omitted. In this case, after the front plate protective film processing step S15 is completed, the front plate 1 may be transferred from the front plate processing apparatus 30 to the sealing device without being exposed to the atmosphere, and the sealing step S31 may be performed.

以上説明した製造方法で作製したＰＤＰパネルは、通常のＰＤＰパネルとほぼ同等の特性を有しているのみならず、パネル面内での特性バラツキが向上していた。例えば、放電開始電圧のパネル内でのバラツキは通常は±５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ内に収まり、また放電維持電圧のパネル内でのバラツキも、通常は±３．５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ以内のバラツキに低減、良化していた。更に実験パネルの試作をＮ増しし、各パネルの特性評価を行なったところ、パネル間の特性バラツキも約２０％低減していた。更に、第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法における保護膜の処理を行なった前面板１を用いて作製したＰＤＰパネルは、そのエージング工程Ｓ３４におけるエージング時間を従来のＰＤＰの製造方法におけるエージング時間の約１／２〜約１／３の時間に短縮できている。   The PDP panel produced by the manufacturing method described above not only has substantially the same characteristics as a normal PDP panel, but also has improved characteristic variations in the panel surface. For example, the variation of the discharge start voltage in the panel is usually about ± 5 V, but it is within ± 2.5 V, and the variation in the discharge sustain voltage in the panel is usually about ± 3.5 V. However, it was reduced and improved to within ± 2.5V. Further, when the number of prototypes of the experimental panel was increased by N and the characteristics of each panel were evaluated, the characteristic variation between the panels was reduced by about 20%. Further, in the PDP panel manufactured using the front plate 1 that has been subjected to the protective film processing in the PDP manufacturing method according to the first embodiment, the aging time in the aging step S34 is set to the aging time in the conventional PDP manufacturing method. The time can be shortened to about 1/2 to about 1/3 of the time.

（第２の実施の形態）
引き続き、本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について説明する。 (Second Embodiment)
Next, a method for manufacturing a PDP according to the second embodiment of the present invention will be described.

本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法は、図１に製造工程を概略的に流れ図で示した本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法と基本的に類似している。また、上記の第１の実施の形態における製造方法の説明において示したのと同様に、図２に示すように前面ガラス基板１０に形成された維持電極１３及び走査電極１４からなる行電極上に誘電体層１１を形成後、保護膜１２を成膜し、最終的に均一な化合物層２１Ｂを有する構造とした前面板１の構成も類似している。従って、本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法についての説明は、第１の実施の形態と異なるところに重点を置き、重複を避けるため、第１の実施の形態と同じ内容については省略するか、あるいは簡単な説明に留める。   The PDP manufacturing method according to the second embodiment of the present invention is basically similar to the PDP manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, in which the manufacturing process is schematically shown in the flowchart of FIG. Yes. Further, as shown in the description of the manufacturing method in the first embodiment, on the row electrode composed of the sustain electrode 13 and the scan electrode 14 formed on the front glass substrate 10 as shown in FIG. The structure of the front plate 1 having a structure in which a protective film 12 is formed after forming the dielectric layer 11 and finally has a uniform compound layer 21B is also similar. Therefore, in the description of the PDP manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, the same contents as those of the first embodiment are applied to place emphasis on differences from the first embodiment and avoid duplication. Is omitted or a brief description.

本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法が、第１の実施の形態におけるＰＤＰのそれと大きく異なるのは、保護膜１２を形成後、前面板１を大気中に取り出して曝すことなく、図３（ｂ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に真空搬送して保持し、前面板１の保護膜１２の処理を行なうところにある。この処理により、本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの前面板１は図２（ａ）に示す不均一な化合物層２１Ａを有する状態を経ることなく、図２（ｂ）に示す均一な化合物層２１Ｂを有する状態に変わる。図４を用いて本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰ製造方法における特徴的な工程である均一な化合物層２１Ｂを形成する方法、手順についての構成、内容について以下に説明する。   The manufacturing method of the PDP in the second embodiment of the present invention is significantly different from that of the PDP in the first embodiment, after the protective film 12 is formed and the front plate 1 is taken out into the atmosphere without being exposed. FIG. 3B shows a state in which the protective film 12 of the front plate 1 is processed by being conveyed and held in a vacuum container 31 of the front plate processing apparatus 30 shown in FIG. By this treatment, the front plate 1 of the PDP in the second exemplary embodiment of the present invention does not go through the state having the non-uniform compound layer 21A shown in FIG. The state changes to the state having the compound layer 21B. With reference to FIG. 4, a method, a configuration, and contents of a method for forming a uniform compound layer 21 </ b> B, which is a characteristic process in the PDP manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, will be described below.

保護膜１２が形成された前面板１を図３（ｂ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に真空搬送したら、パネルの載置台３３上に載置する。第２の実施の形態における載置台３３には、第１の実施の形態のような加熱手段３４は備えていない。その後、水（Ｈ2Ｏ）をのガスを供給するガス供給装置３８を経てガス導入装置３７から真空容器３１内に導入し、排気装置３５により排気しながら圧力調整装置３６で真空容器３１内を所定の圧力で一定に保って、ＭｇＯからなる保護膜１２の表面を水（Ｈ2Ｏ）を含むガスに一定時間曝して前面板１の保護膜１２を処理する（前面板保護膜処理工程Ｓ１５１）。 When the front plate 1 on which the protective film 12 is formed is vacuum-transferred into the vacuum container 31 of the front plate processing apparatus 30 shown in FIG. 3B, the front plate 1 is mounted on the panel mounting table 33. The mounting table 33 in the second embodiment is not provided with the heating means 34 as in the first embodiment. Thereafter, water (H 2 O) is introduced into the vacuum vessel 31 from the gas introduction device 37 through the gas supply device 38 for supplying gas, and the pressure adjustment device 36 evacuates the inside of the vacuum vessel 31 while evacuating the exhaust device 35. The protective film 12 of the front plate 1 is processed by exposing the surface of the protective film 12 made of MgO to a gas containing water (H 2 O) for a certain period of time while maintaining the pressure constant at a predetermined pressure (front plate protective film processing step S151). ).

処理時の真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜８０Ｐａに設定すると薄くて、非常に均一な化合物層２１Ｂを保護膜１２上に備えた前面板１を得られることが、試作実験の結果から明らかになった。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１０Ｐａ以下では、水（Ｈ2Ｏ）と保護膜１２のＭｇＯとの反応が遅くなり、しかも均一にならず図２（ｃ）のような薄くてまだらな化合物層２１Ｃの状態になってしまう。また、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が８０Ｐａ以上では、水（Ｈ2Ｏ）と保護膜１２のＭｇＯとの反応が均一にならず、図２（ａ）のような不均一な化合物層２１Ａの状態になり易い。従って、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜８０Ｐａに設定することが望ましい。６０Ｐａに設定した時、非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１が得られ、最も好ましい結果となった。更に、処理時間については、真空容器内の圧力により変動するが、形成される化合物層の膜厚、膜の状態に影響するので、薄くて均質な化合物層が形成される最適な時間を設定する。 It is clear from the result of the prototype experiment that the front plate 1 having a thin and very uniform compound layer 21B on the protective film 12 can be obtained when the pressure in the vacuum vessel 31 during processing is set to 10 Pa to 80 Pa. became. When the pressure of the gas containing water (H 2 O) in the vacuum vessel 31 is 10 Pa or less, the reaction between water (H 2 O) and MgO of the protective film 12 becomes slow and does not become uniform, as shown in FIG. Thus, the thin and mottled compound layer 21C is formed. Further, water (H 2 O) pressure in the vacuum chamber 31 of a gas containing more than 80Pa, the reaction with MgO in water (H 2 O) and the protective film 12 is not uniform, Figure 2 (a) Such a non-uniform compound layer 21A is likely to be brought about. Therefore, it is desirable to set the pressure in the vacuum vessel 31 of gas containing water (H 2 O) to 10 Pa to 80 Pa. When the pressure was set to 60 Pa, the front plate 1 having a very uniform and thin uniform compound layer 21B on the MgO protective film 12 was obtained, and the most preferable result was obtained. Furthermore, the processing time varies depending on the pressure in the vacuum vessel, but it affects the film thickness of the compound layer to be formed and the state of the film, so an optimum time for forming a thin and homogeneous compound layer is set. .

実際に、ＭｇＯの保護膜１２を形成した前面板１を大気中に取り出すことなく、前面板処理装置３０の真空容器３１内に真空搬送して載置台３３に載せて真空容器３１内の水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの圧力を６０Ｐａに設定して保持した時、約１０分間の処理で非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１が得られ、最も好ましい結果となった。 Actually, the front plate 1 on which the MgO protective film 12 is formed is not taken out into the atmosphere, but is vacuum-transferred into the vacuum vessel 31 of the front plate processing apparatus 30 and placed on the mounting table 33 to put water ( When the pressure of the gas containing H 2 O) is set to 60 Pa and maintained, the front plate 1 is provided with a very uniform and thin homogeneous compound layer 21B on the protective film 12 made of MgO after processing for about 10 minutes. Was obtained, and the most preferable result was obtained.

処理後、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの導入を停止し、前面板処理装置３０の真空容器３１から大気中に前面板１を取り出す（大気暴露工程Ｓ１４３）。前面板保護膜処理工程Ｓ１５１により、均一な化合物層２１ＢがＭｇＯの保護膜１２上に形成された前面板１は、この後、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等ＭｇＯと反応する成分が含まれる雰囲気中にあっても、不均一な化合物層に変わることがほとんどないのは、第１の実施の形態の場合と同様である。続いて、作製した前面板１と背面板形成工程Ｓ２０で作製した背面板２と共に、封着工程Ｓ３１からエージング工程Ｓ３４まで実施してＰＤＰパネルを完成させるのは第１の実施の形態と同様である。ただ、前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂは第１の実施の形態の場合よりも更に薄く均一に形成されるので、エージング時間はより一層大幅に短縮することが可能になった。 After the treatment, the introduction of the gas containing water (H 2 O) is stopped, and the front plate 1 is taken out from the vacuum vessel 31 of the front plate treatment apparatus 30 into the atmosphere (atmosphere exposure step S143). The front plate 1 in which the uniform compound layer 21B is formed on the MgO protective film 12 by the front plate protective film processing step S151 is then in an atmosphere containing components that react with MgO such as H 2 O and CO 2. Even in such a case, it is almost the same as in the case of the first embodiment that the heterogeneous compound layer hardly changes. Subsequently, the PDP panel is completed by performing the sealing process S31 to the aging process S34 together with the manufactured front panel 1 and the rear panel 2 manufactured in the rear panel forming process S20, as in the first embodiment. is there. However, since the compound layer 21B formed on the surface of the MgO protective film 12 of the front plate 1 is formed thinner and more uniform than in the first embodiment, the aging time is further greatly reduced. It became possible.

以上説明した第２の実施の形態における製造方法で作製したＰＤＰパネルは、通常のＰＤＰパネルとほぼ同等の特性を有しているのみならず、パネル面内での特性バラツキが向上していた。例えば、放電開始電圧のパネル内でのバラツキは通常は±５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ内に収まり、また放電維持電圧のパネル内でのバラツキも、通常は±３．５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ以内のバラツキに低減、良化していた。更に実験パネルの試作をＮ増しし、各パネルの特性評価を行なったところ、パネル間の特性バラツキも約２０％低減している等、第１の実施の形態における方法で作製したＰＤＰパネルと同様の特性改善の効果が得られている。また、第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法における保護膜の処理、即ち、大気に曝すことなく水（Ｈ2Ｏ）を含む低圧下のガス中に一定時間保持する処理を行なった前面板１を用いて作製したＰＤＰパネルは、前面板保護膜処理の工程の処理時間が前述の第１の実施の形態の処理方法に比べ、処理時間を約１／１０に短縮でき、更にエージング工程Ｓ３４におけるエージング時間を第１の実施の形態のＰＤＰの製造方法におけるエージング時間の約１／２の時間に短縮できている。 The PDP panel produced by the manufacturing method according to the second embodiment described above has not only substantially the same characteristics as a normal PDP panel, but also the variation in characteristics within the panel surface. For example, the variation of the discharge start voltage in the panel is usually about ± 5 V, but it is within ± 2.5 V, and the variation in the discharge sustain voltage in the panel is usually about ± 3.5 V. However, it was reduced and improved to within ± 2.5V. Furthermore, the number of experimental panels was increased by N, and the characteristics of each panel were evaluated. As a result, the variation in characteristics between panels was reduced by about 20%, and the same as the PDP panel manufactured by the method in the first embodiment. The effect of improving the characteristics is obtained. Further, the front plate subjected to the treatment of the protective film in the method of manufacturing the PDP in the second embodiment, that is, the treatment of holding in a gas under low pressure containing water (H 2 O) for a certain time without being exposed to the atmosphere. The PDP panel manufactured using No. 1 can reduce the processing time of the front plate protective film processing step to about 1/10 of the processing method of the first embodiment described above, and further the aging step S34. Is shortened to about ½ of the aging time in the method of manufacturing the PDP of the first embodiment.

（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について説明する。 (Third embodiment)
Next, a method for manufacturing a PDP in the third embodiment of the present invention will be described.

本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法は、図１に製造工程を概略的に流れ図で示した本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法と基本的に同じである。また、上記の第１の実施の形態における製造方法の説明において示したのと同様に、図２（ａ）に示すように前面ガラス基板１０に形成された維持電極１３及び走査電極１４からなる行電極上に誘電体層１１を形成後、保護膜１２を成膜し、更に保護膜１２の表面を大気に曝して、保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ａが形成された構造とした前面板１の構成及びこの化合物層２１Ａが形成された前面板１を処理するところも同じである。従って、本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法についての説明は、第１の実施の形態と異なるところに重点を置き、重複を避けるため、第１の実施の形態と同じ内容については省略するか、あるいは簡単な説明に留める。   The manufacturing method of the PDP in the third embodiment of the present invention is basically the same as the manufacturing method of the PDP in the first embodiment of the present invention whose manufacturing process is schematically shown in the flowchart of FIG. . Further, as shown in the description of the manufacturing method in the first embodiment described above, as shown in FIG. 2A, a row composed of the sustain electrodes 13 and the scan electrodes 14 formed on the front glass substrate 10. After forming the dielectric layer 11 on the electrode, the protective film 12 is formed, and the surface of the protective film 12 is further exposed to the atmosphere to form the compound layer 21A formed on the surface of the protective film 12. The same applies to the configuration of the front plate 1 and the processing of the front plate 1 on which the compound layer 21A is formed. Therefore, in the description of the PDP manufacturing method according to the third embodiment of the present invention, the same contents as those of the first embodiment are applied to place emphasis on differences from the first embodiment and avoid duplication. Is omitted or a brief description.

本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法が、第１の実施の形態におけるＰＤＰのそれと大きく異なるところは、前面板保護膜処理における処理方法にある。以下、この前面板保護膜処理方法について、詳しく説明する。   The PDP manufacturing method in the third embodiment of the present invention is greatly different from that of the PDP in the first embodiment in the processing method in the front plate protective film treatment. Hereinafter, this front plate protective film processing method will be described in detail.

ＰＤＰパネルの前面板１の保護膜１２はＭｇＯが大気中の水分や炭酸ガスと反応して、化合物層２１Ａが形成されるが、この化合物層２１Ａは、処理せずに製造工程を続けると、そのまま保護膜１２表面上に残留し、特性劣化に大きく影響を及ぼすので、ＰＤＰパネルが完成するまでに適切な処理等を実施し、除去しなければならないことは、既に本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の説明で述べた通りである。   In the protective film 12 of the front plate 1 of the PDP panel, MgO reacts with moisture and carbon dioxide in the atmosphere to form a compound layer 21A. This compound layer 21A is not processed, and the manufacturing process is continued. Since it remains on the surface of the protective film 12 as it is and greatly affects the characteristic deterioration, it is necessary to carry out appropriate processing and the like before the PDP panel is completed and remove it. This is as described in the description of the method of manufacturing the PDP in the form.

そこで、化合物層２１Ａが形成された前面板１の処理を行なわなければならないのであるが、その処理方法は本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法における前面板１の処理方法と類似しているが、少し異なる方法、装置により行なっている。本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法において特徴となる前面板１の処理は以下に示す手順で行なわれる。また、前面板１を処理するのに図５に示す本発明の第３の実施の形態のＰＤＰ製造方法における前面板処理装置を使用する。図５で、図３（ａ）に示した本発明の第１の実施の形態のＰＤＰの製造方法における前面板処理装置と同じ構成要素には同じ符号を付している。   Therefore, the treatment of the front plate 1 on which the compound layer 21A is formed must be performed, and the treatment method is similar to the treatment method of the front plate 1 in the method of manufacturing the PDP in the first embodiment of the present invention. However, it is done by a slightly different method and apparatus. The processing of the front plate 1 which is characteristic in the method for manufacturing a PDP in the third embodiment of the present invention is performed according to the following procedure. Further, the front plate processing apparatus in the PDP manufacturing method of the third embodiment of the present invention shown in FIG. 5 is used to process the front plate 1. In FIG. 5, the same components as those in the front plate processing apparatus in the method for manufacturing the PDP according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.

前面ガラス基板１０上に維持電極１３、走査電極１４と誘電体層１１を形成し、その上に、保護膜１２が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されている。続いて、保護膜１２を成膜形成した前面板１を保護膜形成装置から、大気中に取り出す。ＭｇＯからなる保護膜１２が形成された前面板１は、大気中の二酸化炭素（ＣＯ2）、水（Ｈ2Ｏ）と反応し、図２（ａ）に模式的に示したように不均一な化合物層２１Ａが形成される（第１の大気暴露工程Ｓ１４１）ことは、第１の実施の形態の場合と同じである。 A sustain electrode 13, a scan electrode 14, and a dielectric layer 11 are formed on the front glass substrate 10, and a protective film 12 is formed thereon by electron beam evaporation or the like under predetermined conditions. Subsequently, the front plate 1 on which the protective film 12 is formed is taken out from the protective film forming apparatus into the atmosphere. The front plate 1 on which the protective film 12 made of MgO is formed reacts with carbon dioxide (CO 2 ) and water (H 2 O) in the atmosphere, and is nonuniform as schematically shown in FIG. The formation of the compound layer 21A (first air exposure step S141) is the same as in the first embodiment.

保護膜１２の形成後、一旦大気中に曝された保護膜１２上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を、図５に示すような前面板処理装置４０の真空容器３１に搬送して載置台３３上に置く。載置台３３は、例えば、抵抗加熱ヒータ等の加熱手段３４により、前面板１を加熱昇温させることが可能である。   After the formation of the protective film 12, the front plate 1 on which the compound layer 21A is formed on the protective film 12 once exposed to the atmosphere is conveyed to the vacuum vessel 31 of the front plate processing apparatus 40 as shown in FIG. Place on the mounting table 33. The mounting table 33 can raise the temperature of the front plate 1 by heating means 34 such as a resistance heater.

続いて、保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を処理する（前面板保護膜処理工程Ｓ１５）。前面板１の処理は２段階で行なう。第１段階の処理は加熱手段３４により前面板１を所定の温度に加熱することにより行なう。加熱により、化合物層２１Ａは分解して、気相中に水や二酸化炭素が放出されるので、化合物層２１Ａは図２（ａ）に模式的に示したような不均一性が緩和されて凹凸が緩やかになり、且つ厚さも薄くなる。この第１段階の処理の後、水（Ｈ2Ｏ）のガスを供給するガス供給装置３８を経てガス導入装置３７から真空容器３１内に導入し、排気装置３５により排気しながら圧力調整装置３６で真空容器３１内を所定の圧力に保ちつつ、真空容器３１に具備された誘電体で構成された板材４１を介して真空容器３１外に設置されたアンテナ４２に高周波電源４３から高周波電力を供給する構成のプラズマ源により、真空容器３１内に存在する水（Ｈ2Ｏ）を含むガスを高周波放電によりプラズマ化させ、この状態で前面板１１の保護膜１２表面を後述する水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマ化で生ずるプラズマに一定時間曝すことにより、前面板１の第２段階の処理を実施する。 Subsequently, the front plate 1 having the compound layer 21A formed on the surface of the protective film 12 is processed (front plate protective film processing step S15). The front plate 1 is processed in two stages. The first stage process is performed by heating the front plate 1 to a predetermined temperature by the heating means 34. By heating, the compound layer 21A is decomposed and water and carbon dioxide are released into the gas phase. Therefore, the compound layer 21A has unevenness as shown in FIG. Becomes gentle and the thickness is also reduced. After the first stage treatment, the pressure adjusting device 36 is introduced into the vacuum vessel 31 from the gas introducing device 37 through the gas supply device 38 for supplying water (H 2 O) gas, and exhausted by the exhaust device 35. Then, high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 43 to the antenna 42 installed outside the vacuum vessel 31 through the plate 41 made of a dielectric provided in the vacuum vessel 31 while keeping the inside of the vacuum vessel 31 at a predetermined pressure. the structure of a plasma source that, a gas containing water (H 2 O) present in the vacuum chamber 31 is a plasma by radio frequency discharge, water (H 2 O to be described later protective film 12 surface of the front plate 11 in this state The second stage treatment of the front plate 1 is carried out by exposing to a plasma generated by the gasification of the gas containing a) for a certain period of time.

本発明の第３の実施の形態においては、加熱による前面板１の第１段階の処理の後に、前面板１を加熱して水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で、排気しながら所定の圧力に保ちつつ、高周波放電による水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化し、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマに曝すことにより第２段階の処理を実施している。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマ存在により、水（Ｈ2Ｏ）と化合物層２１Ａとの反応を一定且つ均一に制御することが、第１の実施の形態における方法に比べると、より促進されるために、より均一で均質、且つ薄い化合物層２１Ｂが短い時間で形成されると考えられる。 In the third embodiment of the present invention, after the first stage treatment of the front plate 1 by heating, the front plate 1 is heated and evacuated in a gas containing water (H 2 O) while being predetermined. While maintaining the pressure, the gas containing water (H 2 O) by high frequency discharge is turned into plasma and exposed to the plasma of the gas containing water (H 2 O), so that the second stage treatment is performed. By plasma the presence of a gas containing water (H 2 O), be constant and uniformly control the reaction between water (H 2 O) and the compound layer 21A is, compared to the method in the first embodiment, more In order to be promoted, it is considered that a more uniform, homogeneous and thin compound layer 21B is formed in a short time.

なお、ここでは加熱手段３４として抵抗加熱ヒータを用いたが、載置台３３に配置する抵抗加熱ヒータの代わりにレーザビーム照射や赤外線照射による加熱も利用できる。また、加熱温度は、２００℃よりも低い温度では化合物層の分解反応が遅く処理に長時間を要し、６００℃よりも高温では、基板のガラスが変形してしまうので、２００℃〜６００℃の温度範囲に設定することは第１の実施の形態の場合と同じである。加熱温度として、化合物層の除去後のパネル冷却に要する時間との兼ね合いで、第１の実施の形態と同じ４００℃を採用した。   Although a resistance heater is used as the heating means 34 here, heating by laser beam irradiation or infrared irradiation can be used instead of the resistance heater arranged on the mounting table 33. Further, when the heating temperature is lower than 200 ° C., the decomposition reaction of the compound layer is slow and a long time is required for the treatment. When the heating temperature is higher than 600 ° C., the glass of the substrate is deformed. Setting to this temperature range is the same as in the case of the first embodiment. As the heating temperature, the same 400 ° C. as in the first embodiment was adopted in consideration of the time required for panel cooling after the removal of the compound layer.

また、処理時の真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜１５０Ｐａに設定すると良好なＭｇＯの保護膜１２を備えた前面板１を得られることが、試作実験の結果から明らかになった。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１０Ｐａ以下では、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのブラズマ種のスパッタ性が高く、化合物層２１Ａの分解反応が進み過ぎて、図２（ｃ）のような不均一な状態が残るのみならず誘電体保護膜１２や蛍光体層２０にもダメージを与えてしまうことがある。また、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１５０Ｐａ以上では、プラズマが発生しにくいため、図２（ａ）のような不均一性が解消されない状態が残ってしまう。従って、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜１５０Ｐａに設定することが望ましい。また、真空容器３１内に具備された誘電体の板材４１に高周波電源４３からアンテナ４２を通して供給する電力は、単位面積当たりで５．５ｋＷ／ｍ2以上が望ましい。特に、（１１±３）ｋＷ／ｍ2前後の電力が、化合物層２１Ａの反応を適度に進めるレベルのプラズマを発生させるので、保護膜１２への影響が少なくて好ましい。５．５ｋＷ／ｍ2より少ない電力では放電の効果がほとんどなく化合物層２１と水（Ｈ2Ｏ）を含むガスとの反応が促進されず、あまりに大きい電力では放電により発生するプラズマのイオン衝撃で保護膜１２を損傷する恐れがある。また、水を含むガスをプラズマ化する方法は図５（ａ）に示した誘導結合型のプラズマ源に限られるものではなく、例えば、図５（ｂ）に示した前面板処理装置４５の真空容器３１内の金属電極４６に高周波電源４３から電力を供給してガスをプラズマ化させる構成のプラズマ源やマイクロ波を使用したプラズマ源等他のプラズマ源を用いても同様の効果が得られる。 Moreover, it became clear from the result of the prototype experiment that the front plate 1 provided with the good protective film 12 of MgO can be obtained when the pressure in the vacuum vessel 31 during processing is set to 10 Pa to 150 Pa. When the pressure in the vacuum container 31 of the gas containing water (H 2 O) is 10 Pa or less, the sputterability of the plasma species of the gas containing water (H 2 O) is high, and the decomposition reaction of the compound layer 21A proceeds too much. In addition to the non-uniform state as shown in FIG. 2C, the dielectric protective film 12 and the phosphor layer 20 may be damaged. In addition, when the pressure in the vacuum vessel 31 of the gas containing water (H 2 O) is 150 Pa or more, plasma is hardly generated, so that the non-uniformity as shown in FIG. 2A remains. Therefore, it is desirable to set the pressure in the vacuum vessel 31 of gas containing water (H 2 O) to 10 Pa to 150 Pa. The power supplied from the high frequency power supply 43 to the dielectric plate member 41 provided in the vacuum vessel 31 through the antenna 42 is preferably 5.5 kW / m 2 or more per unit area. In particular, since a power of around (11 ± 3) kW / m 2 generates plasma at a level that appropriately promotes the reaction of the compound layer 21A, it is preferable because the influence on the protective film 12 is small. When the electric power is less than 5.5 kW / m 2 , the effect of the discharge is scarce and the reaction between the compound layer 21 and the gas containing water (H 2 O) is not promoted. The protective film 12 may be damaged. Further, the method of turning the gas containing water into plasma is not limited to the inductively coupled plasma source shown in FIG. 5A, and for example, the vacuum of the front plate processing apparatus 45 shown in FIG. 5B. The same effect can be obtained by using another plasma source such as a plasma source configured to supply power from the high frequency power supply 43 to the metal electrode 46 in the container 31 to turn the gas into plasma, or a plasma source using a microwave.

実際に、ＭｇＯの保護膜１２を形成した前面板１を大気中に取り出して、約２０分間大気暴露して、保護膜１２上に化合物層２１Ａが形成された前面板１について、前面板処理装置４０の真空容器３１内の載置台３３に載せ、加熱温度を４００℃に設定し、真空容器３１内の圧力を６０Ｐａに設定して、１１ｋＷ／ｍ2の高周波電力をプラズマ源に供給した時、約１分間の処理で不均一な化合物層２１Ａが非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１に変わり、最も好ましい結果となった。 Actually, the front plate 1 on which the MgO protective film 12 is formed is taken out into the atmosphere and exposed to the atmosphere for about 20 minutes, and the front plate 1 in which the compound layer 21A is formed on the protective film 12 is treated as a front plate processing apparatus. When the high temperature power of 11 kW / m 2 is supplied to the plasma source by setting the heating temperature to 400 ° C., setting the pressure in the vacuum container 31 to 60 Pa, and placing it on the mounting table 33 in the 40 vacuum containers 31, The non-uniform compound layer 21A was changed to the front plate 1 provided with the MgO protective film 12 on the MgO protective film 12 after the non-uniform compound layer 21A was processed for about 1 minute, and the most preferable result was obtained.

このようにして、前面板保護膜処理工程Ｓ１５を実施した後、高周波電力の供給及び水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの導入を停止し、前面板１を冷却して大気中に取り出す（第２の大気暴露工程Ｓ１４２）。前面板保護膜処理工程Ｓ１５により、均一な化合物層２１ＢがＭｇＯの保護膜１２上に形成された前面板１は、この後、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等ＭｇＯと反応する成分が含まれる雰囲気中にあっても、不均一な化合物層に変わることがほとんどないことは、第１の実施の形態と同じである。 In this way, after performing the front plate protective film processing step S15, the supply of the high frequency power and the introduction of the gas containing water (H 2 O) are stopped, and the front plate 1 is cooled and taken out into the atmosphere (first) 2 atmospheric exposure step S142). The front plate 1 in which the uniform compound layer 21B is formed on the MgO protective film 12 by the front plate protective film processing step S15 is then in an atmosphere containing components that react with MgO such as H 2 O and CO 2. In this case, it is the same as in the first embodiment that the compound layer hardly changes into a non-uniform compound layer.

なお、上述説明した本発明の第３の実施の形態の前面板保護膜処理工程Ｓ１５においては、その第２段階の処理で、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスを導入し、高周波放電により水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化し、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマ中で化合物層２１Ａを曝して処理する時に加熱も同時に行なっているが、本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法においては、第２段階における加熱を行なわなくても前面板１の処理が可能である。但し、第２段階の処理で加熱を行なわない場合、均一な化合物層２１Ｂを形成するのにより長時間を要することになる。 In the front plate protective film treatment step S15 of the third embodiment of the present invention described above, a gas containing water (H 2 O) is introduced in the second stage treatment, and water is discharged by high frequency discharge. Although the gas containing (H 2 O) is turned into plasma and the compound layer 21A is exposed and processed in the plasma of the gas containing water (H 2 O), heating is also performed at the same time. In the method for manufacturing a PDP in the embodiment, the front plate 1 can be processed without heating in the second stage. However, when heating is not performed in the second stage process, it takes a long time to form the uniform compound layer 21B.

続いて、作製した前面板１と背面板形成工程Ｓ２０で作製した背面板２と共に封着装置に移送し、前面板１と背面板２のそれぞれにガラスフリットを塗布し、各電極位置を合わせて目合わせして貼り合せてから加熱封着し（封着工程Ｓ３１）、ＰＤＰパネル内残存ガスと封着工程で発生する放出ガスとを排気（排気工程Ｓ３２）し、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施（エージング工程Ｓ３４）し、前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂをスパッタ除去してＰＤＰパネルの完成となる。前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に薄く均一な化合物層２１Ｂが形成されているので、エージング時間の大幅な短縮化が可能になることも第１の実施の形態と同じである。   Subsequently, the produced front plate 1 and the back plate 2 produced in the back plate forming step S20 are transferred together with the sealing device, glass frit is applied to each of the front plate 1 and the back plate 2, and the positions of the respective electrodes are adjusted. After being aligned and bonded, heat sealing is performed (sealing step S31), the residual gas in the PDP panel and the release gas generated in the sealing step are exhausted (exhaust step S32), and Ne, Xe, etc. are used as discharge gases. Is sealed (discharge gas filling step S33), and aging is performed by applying a drive pulse having a predetermined voltage and waveform to each electrode of the panel (aging step S34). The compound layer 21B formed on the surface of the MgO protective film 12 is removed by sputtering to complete the PDP panel. Since the thin and uniform compound layer 21B is formed on the surface of the MgO protective film 12 of the front plate 1, the aging time can be greatly shortened as in the first embodiment.

以上説明した製造方法で作製したＰＤＰパネルは、通常の製造方法で作製したＰＤＰパネルに比べパネル面内での特性バラツキ及びパネル間の特性バラツキが低減できており、且つ、パネル特性そのものも向上していた。例えば、放電開始電圧のパネル内でのバラツキは通常は±５Ｖ程度あるのが、±２．０Ｖ内に収まり、また放電維持電圧のパネル内でのバラツキも、通常は±３．５Ｖ程度あるのが、±２．０Ｖ以内のバラツキに低減、良化していた。更に実験パネルをＮ増し試作し、各パネルの特性評価を行なったところ、パネル間の特性バラツキも約３０％低減していた。これらの結果は第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の保護膜処理方法で処理して作製したＰＤＰパネルの特性よりも優れた結果であった。本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の保護膜の処理時間も第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の保護膜の処理時間の約１０分から１／１０の約１分に短縮できた。また、第１の実施の形態における製造方法と同じように、エージング工程Ｓ３４におけるエージング時間を従来のＰＤＰの製造方法におけるエージング時間の約１／２〜約１／３の時間に短縮できている。   The PDP panel manufactured by the manufacturing method described above can reduce the characteristic variation in the panel surface and the characteristic variation between the panels as compared with the PDP panel manufactured by the normal manufacturing method, and the panel characteristic itself is also improved. It was. For example, the variation of the discharge start voltage in the panel is usually about ± 5 V, but it is within ± 2.0 V, and the variation in the discharge sustain voltage in the panel is usually about ± 3.5 V. However, it was reduced and improved to within ± 2.0V. Further, the number of experimental panels was increased to N, and the characteristics of each panel were evaluated. As a result, the characteristic variation between the panels was reduced by about 30%. These results were superior to the characteristics of the PDP panel manufactured by processing using the protective film processing method of the PDP manufacturing method in the first embodiment. The processing time of the protective film of the manufacturing method of the PDP in the third embodiment of the present invention is also reduced from about 10 minutes to about 1 minute of 1/10 of the processing time of the protective film of the manufacturing method of the PDP in the first embodiment. It was shortened. Further, like the manufacturing method in the first embodiment, the aging time in the aging step S34 can be shortened to about ½ to about ３ of the aging time in the conventional PDP manufacturing method.

なお、第３の実施の形態のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第１の実施の形態のように保護膜１２を形成した後に前面板１を保護膜形成装置から大気中に取り出して行なう大気暴露工程Ｓ１４を実施せずに、前面板処理装置３０の真空容器３１内に前面板１を真空搬送して、前面板１を低圧下の水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で高周波放電によるプラズマで処理を行なう方法も可能である。このような第２の実施の形態と第３の実施の形態を組み合わせた製造方法の場合、前面板処理時間が約１分に短縮できると共に、エージング時間も第３の実施の形態の製造方法の場合の約１／２の時間に短縮できるので、製造工程全体の処理時間を大幅に短縮化することが可能になる。 In the method of manufacturing the plasma display panel according to the third embodiment, after the protective film 12 is formed as in the first embodiment, the front plate 1 is taken out from the protective film forming apparatus into the atmosphere and exposed to the atmosphere. Without performing step S14, the front plate 1 is vacuum-transferred into the vacuum vessel 31 of the front plate processing apparatus 30, and the front plate 1 is plasma by high frequency discharge in a gas containing water (H 2 O) under low pressure. It is also possible to perform the process at In the case of the manufacturing method in which the second embodiment and the third embodiment are combined, the front plate processing time can be reduced to about 1 minute, and the aging time is also the same as that of the manufacturing method of the third embodiment. Since the time can be shortened to about half that of the case, the processing time of the entire manufacturing process can be greatly shortened.

本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１のガラス基板のＭｇＯの保護膜が大気中の水分や炭酸ガスにより形成される化合物層や不純物吸着層を処理して均一且つ均質な化合物層に変えることができ、ＰＤＰパネルのエージング時間を短縮できて製造工数削減に有効であるばかりでなく、プラズマディスプレイパネルの特性改善やそのバラツキも低減できるので、動作が安定した、画質の優れたＰＤＰ表示装置への利用に有用である。   In the method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention, the MgO protective film of the first glass substrate is processed into a uniform and homogeneous compound layer by treating a compound layer or impurity adsorption layer formed by moisture or carbon dioxide in the atmosphere. The PDP panel can be changed and the aging time of the PDP panel can be shortened, which is effective not only in reducing the number of manufacturing steps, but also in improving the characteristics of the plasma display panel and reducing its variation. Useful for equipment.

本発明の第１及び第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図The flowchart of the manufacturing process which shows roughly the manufacturing method of PDP in the 1st and 2nd embodiment of this invention 本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法において、保護膜形成工程後の前面板の構造を示す拡大部分断面図In the manufacturing method of PDP of embodiment of this invention, the expanded partial sectional view which shows the structure of the front board after a protective film formation process （ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１及び第２の実施の形態における製造方法で、ＰＤＰパネル前面板の保護膜に形成された化合物層を処理する装置の概略構成図(A), (b) is the manufacturing method in the 1st and 2nd embodiment of this invention, respectively, The schematic block diagram of the apparatus which processes the compound layer formed in the protective film of the PDP panel front plate 本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図The flowchart of the manufacturing process which shows schematically the manufacturing method of PDP in the 2nd Embodiment of this invention （ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施の形態の製造方法において、ＰＤＰパネル前面板に形成した保護層を処理する装置の概略構成図(A), (b) is a schematic block diagram of the apparatus which processes the protective layer formed in the PDP panel front board in the manufacturing method of the 3rd Embodiment of this invention. 一般的な面放電型ＡＣ型ＰＤＰの一部を立体的に描いて構造を示した斜視図A perspective view showing a structure of a part of a general surface discharge AC type PDP in three dimensions 従来のＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図Flow chart of a manufacturing process schematically showing a conventional method for manufacturing a PDP

符号の説明Explanation of symbols

１ 前面板
２ 背面板
３ 放電空間
１０ 前面ガラス基板
１１ 誘電体層
１２ 保護膜
１３ 維持電極
１４ 走査電極
１６ 背面ガラス基板
１７ 下地誘電体層
１８ 隔壁
１９ データ電極（アドレス電極）
２０ 蛍光体層
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ 化合物層
３０，４０，４５ 前面板処理装置
３１ 真空容器
３３ 載置台
３４ 加熱手段
３５ 排気装置
３６ 圧力調整装置
３７ ガス導入装置
３８ ガス供給装置
４１ 板材
４２ アンテナ
４３ 高周波電源
４６ 金属電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate 2 Back plate 3 Discharge space 10 Front glass substrate 11 Dielectric layer 12 Protective film 13 Sustain electrode 14 Scan electrode 16 Back glass substrate 17 Base dielectric layer 18 Bulkhead 19 Data electrode (address electrode)
20 phosphor layer 21A, 21B, 21C compound layer 30, 40, 45 front plate processing device 31 vacuum vessel 33 mounting table 34 heating means 35 exhaust device 36 pressure adjusting device 37 gas introducing device 38 gas supply device 41 plate material 42 antenna 43 high frequency Power supply 46 Metal electrode

Claims (2)

第１のガラス基板上に第１の電極を形成し、前記第１のガラス基板上と前記第１の電極上とに第１の誘電体層を形成し、前記第１の誘電体層上に保護層を形成して第１の基板を製造する工程と、第２のガラス基板上に第２の電極を形成し、前記第２のガラス基板上と前記第２の電極上とに第２の誘電体層を形成し、前記第２の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、前記隔壁の間に蛍光体層を形成して第２の基板を製造する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせて接合し、接合した基板内部を排気して放電ガスを封入する組立工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第１の基板を製造する工程に、前記保護層を形成した前記第１の基板を加熱して前記保護層表面の第１の化合物層を除去する工程と、前記保護層表面の前記第１の化合物層を除去した前記第１の基板を所定の圧力に保った水分を含むガス中に保持して前記保護層表面に均一な第２の化合物層を形成する工程とを有し、前記組立工程のエージング工程において、前記保護層表面に均一に形成した前記第２の化合物層を除去することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 A first electrode is formed on a first glass substrate, a first dielectric layer is formed on the first glass substrate and the first electrode, and the first dielectric layer is formed on the first dielectric layer. Forming a protective layer and manufacturing a first substrate; forming a second electrode on the second glass substrate; and forming a second electrode on the second glass substrate and the second electrode. Forming a dielectric layer; forming a plurality of barrier ribs on the second dielectric layer; and forming a phosphor layer between the barrier ribs to manufacture a second substrate; and And an assembly process of evacuating the inside of the joined substrate and enclosing a discharge gas in the plasma display panel manufacturing method,
In the step of manufacturing the first substrate, the step of removing the first compound layer on the surface of the protective layer by heating the first substrate on which the protective layer is formed, and the step of manufacturing the first substrate on the surface of the protective layer. wherein the first substrate is held in a gas containing water maintained at a predetermined pressure and closed and forming a uniform second compound layer on the protective layer surface, the assembly where the compound layer is removed A method of manufacturing a plasma display panel, wherein the second compound layer formed uniformly on the surface of the protective layer is removed in an aging step of the step . 前記所定の圧力に保った水分を含むガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 2. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the gas containing moisture kept at the predetermined pressure is turned into plasma.
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