JP4390652B2 - 光情報記録方法、光情報記録装置及び光情報記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＣＤ−ＲＷに代表されるような記録材料に相変化材料を用い、照射する光の強度変調で記録・再生・消去・書換えが可能な相変化型光ディスク、特に好ましくはＤＶＤ＋ＲＷ，ＣＤ−ＲＷに代表される高速書換え型光ディスクのような光情報記録媒体、このような光情報記録媒体に対する光情報記録方法及び光情報記録装置に関する。

近年、デジタル情報の大容量化が進んでいる。大容量のデジタル情報（例えば、音声・画像など）を蓄積するためには転送速度の高速な情報記録媒体が求められている。特に、書換えが可能であることと可搬性があること、さらに広く普及している再生専用装置でも再生が可能であることから、相変化型の光情報記録媒体が注目されている。特に、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷは、既に広く普及しているＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置で再生できることから、再生互換性の高い、リムーバブルメディアとして注目されている。

ここに、近年の高速記録化の要求に伴い様々な記録方法が提案されており、その一つとして記録波形の低周波化が挙げられる。例えば、記録速度の高速化に伴い記録データの基準クロック周波数が高くなると、マルチパルス記録での加熱、冷却時間が非常に短くなり、ＬＤの発光波形の立上り時間と立下り時間の制約によって発光パルスが鈍りを生じるため、十分な加熱時間と冷却時間が確保できなくなり記録不良となってしまう。そこで、各々のデータ長に応じてクロック周期でマルチパルス数が増加するのではなく、２クロック周期で１組の加熱パルスと冷却パルスが増加するいわゆる２Ｔストラテジ方式、より一般的には、ｎクロック周期（ｎは２以上の整数）で１組の加熱パルスと冷却パルスが増加するいわゆるｎＴストラテジ方式が提案され、実用化されている。例えば、非特許文献１によれば、時間的長さｎＴのマーク形成にｍ個の照射パルスを照射して記録するとき、ｎ＝２ｍ，ｎ＝２ｍ＋１とする「２Ｔ Write Strategy」が記載されている。また、最適記録パワーを設定するγ法についても記述されている。

Orange Book Part III CD−RW Volume３ Ultra−speed（ＵＳ ＣＤ−ＲＷの標準規格書）

前述したような相変化型の光情報記録媒体の転送速度を向上させる手段は、高密度化と走査速度の高速化とが考えられるが、トラックピッチや最小マークサイズを変更する高密度化は、再生に用いる装置の光学系を変更することになり、再生互換性がなくなってしまう。これに対して、走査速度の高速化は再生装置の光学系を変更することなく転送速度を向上できるため、有効な手段とされている。

しかし、相変化型の光情報記録媒体では、記録層材料にレーザ光を照射し、記録層の熱履歴を制御することで情報の記録・書換えを行っている。即ち、記録層材料のダイナミカルな熱特性を利用して情報の記録を行っている。具体的には、溶融・急冷することでアモルファス状態とし、結晶化温度以上に加熱することで結晶状態とすることで、記録を行う。より高い走査速度での記録に対応するためには、より短い加熱時間で結晶化することが必要であり、そのため結晶化速度の速い材料を記録層材料として選定することが必須となる。

また、アモルファスマークの形成にはパルス状に強度変調した光を照射することによって行う。走査速度を高速とした場合はパルスの発光周期を短くする必要があるが、上述のような結晶化速度の高い記録層材料に対しては、隣接するパルスの余熱により結晶化が促進され、アモルファス領域が縮小する傾向にある。そのため、高い変調度を確保することが困難となっている。

これらの課題を解決するためにはパルスの発光周期の時間を長くとることで余熱を防ぐことが可能であるために、パルス照射周期を従来の１Ｔ（Ｔ；基本クロック周期）とする代わりに、前述した通り、２Ｔ或いはそれ以上とする方法がある。このような方法に関する提案例等も多数あり、その一部を例示すると以下のようなものがある。例えば、非特許文献１によれば、時間的長さｎＴのマーク形成にｍ個の照射パルスを照射して記録するとき、ｎ＝２ｍ，ｎ＝２ｍ＋１とする「２Ｔ Write Strategy」が記載されている。異なる長さのマークを同一のパルス数で記録するためにｎ＝２ｍ＋１なる奇数Ｔのマークを記録する際には最終パルス立上り時間を遅らせ、最終パルス幅を延長し、最終冷却パルス幅を延長することで対応している。

しかし、このような手法を用いた場合、最短マーク（例えば、３Ｔマーク）は一組の加熱パルスと冷却パルスとで形成する必要がある。そのため、前述のパルス周期を長くする手法が適用できない。従って、さらなる高速記録に対応するためには、この最短マークの形成方法が大きな課題となってくる。

さらに、結晶化速度の速い高速に適した記録層材料は経時安定性が悪くなる傾向にある。記録・書換え時の消去性（アモルファス→結晶）への相変化を高速で行うため、比較的低いエネルギーで記録層の状態変化が発生する。その詳細は現在解析中であるが、記録層の結晶状態が何らかの緩和現象（原子拡散，構造緩和，応力緩和，組織構造の緩和等）により、熱的・光学的特性が経時変化していくと考えられている。

上述のような記録層材料の経時変化の影響は最短マーク・最短スペースの形成に最も大きく影響することが明らかになった。そのため、光情報記録装置は経時変化した光情報記録媒体に合わせて、記録条件（照射パワー，パルス幅，位置など。一般的には「記録ストラテジ」と呼ばれる）を光情報記録媒体の状態に合わせて設定する必要がある。

本発明の目的は、経時変化した光情報記録媒体の場合であっても適正な記録条件を設定できるようにすることである。

請求項１記載の発明は、照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録方法であって、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする工程と、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする工程と、前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する工程と、測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
−０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
となる前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを記録時に用いる最適な記録条件として設定する工程と、設定された最適な前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを用いて情報の記録を行う工程と、を備え、前記最適な記録条件として設定する工程では、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求めるようにした。

請求項２記載の発明は、照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録方法であって、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、一組の長さＴｈの前記加熱パルスと長さＴｃの前記冷却パルスとにより形成される最短マーク用の前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする工程と、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする工程と、前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する工程と、測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
−０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
となる前記長さＴｈ又はＴｃを記録時に用いる最適な記録条件として設定する工程と、設定された最適な前記長さＴｈ又はＴｃを用いて情報の記録を行う工程と、を備え、前記最適な記録条件として設定する工程では、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求めるようにした。

請求項３記載の発明は、請求項２記載の光情報記録方法において、試し書きする工程において前記長さＴｈ、Ｔｃを段階的に変化させる変化量を各々ΔＴｈ，ΔＴｃとしたとき、ΔＴｃ＝−２ΔＴｈなる関係で変化させるようにした。

請求項４記載の発明は、請求項１ないし３の何れか一記載の光情報記録方法において、一次関数として近似に用いる前記アシンメトリの測定範囲を、
（Ａ１−Ａ２）＞０．２、及び
（Ａ１−Ａ２）＜−０．２
とする。

請求項５記載の発明は、照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録装置であって、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする手段と、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする手段と、前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する手段と、測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
−０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
となる前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを記録時に用いる最適な記録条件として設定する手段と、設定された最適な前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを用いて情報の記録を行う手段と、を備え、前記最適な記録条件として設定する手段は、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求める。

請求項６記載の発明は、照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録装置であって、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、一組の長さＴｈの前記加熱パルスと長さＴｃの前記冷却パルスとにより形成される最短マーク用の前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする手段と、前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする手段と、前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する手段と、測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
−０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
となる前記長さＴｈ又はＴｃを記録時に用いる最適な記録条件として設定する手段と、設定された最適な前記長さＴｈ又はＴｃを用いて情報の記録を行う手段と、を備え、前記最適な記録条件として設定する手段は、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求める。

請求項７記載の発明は、請求項６記載の光情報記録装置において、試し書きする手段は、前記長さＴｈ、Ｔｃを段階的に変化させる変化量を各々ΔＴｈ，ΔＴｃとしたとき、ΔＴｃ＝−２ΔＴｈなる関係で変化させるようにした。

請求項８記載の発明は、請求項５ないし７の何れか一記載の光情報記録装置において、一次関数として近似に用いる前記アシンメトリの測定範囲を、
（Ａ１−Ａ２）＞０．２、及び
（Ａ１−Ａ２）＜−０．２
とする。

請求項９記載の発明は、請求項１記載の発明の光情報記録方法に用いられる光情報記録媒体であって、初期の最適なパラメータ情報として、照射パワーＰｗ，Ｐｅ、アシンメトリＡ１，Ａ２、又は、その差（Ａ１−Ａ２）のうちの少なくとも一つの値が予めプリフォーマットされている。

請求項１０記載の発明は、請求項２又は３記載の発明の光情報記録方法に用いられる光情報記録媒体であって、初期の最適なパラメータ情報として、長さＴｈ，Ｔｃ、アシンメトリＡ１，Ａ２、又は、その差（Ａ１−Ａ２）のうちの少なくとも一つの値が予めプリフォーマットされている。

請求項１ないし８記載の発明によれば、最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンが最適値を設定するために最も感度が良い点に着目し、パラメータの応答の良い特殊なパターンを用いて試し書き記録することで、最適な記録パラメータを感度よく正確に設定することが可能となり、特に高速記録に対応した相変化の光情報記録媒体の経時変化が大きいことに起因する最適記録条件を補正することも可能にすることができる。又、近似を用いることで最適な設定パラメータを精度良く求めることができる。

請求項９，１０記載の発明によれば、最適条件決定のために必要な初期情報が媒体自身にプリフォーマットされているため、光情報記録媒体と光情報記録装置との互換性を向上させることができる。

本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。

［光情報記録媒体］
本発明の光情報記録方法を適用する光情報記録媒体は、書換え型光ディスクに主に適用される、相変化記録型の光情報記録媒体である。具体的には、ＤＶＤ＋ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＣＤ−ＲＷ，ＰＤ（Blu-ray Disc）などである。これらの光情報記録媒体では、基板上に積層されている（多くの場合、無機保護層によって挟まれている）結晶状態の記録層に集光した光を照射することで、記録層材料を融点近傍若しくは融点以上に加熱し溶融させ、その後、照射した光の強度を落とすことによって急冷し、アモルファスマークを形成する。一方、アモルファスマーク部分に集光した光を照射し結晶化温度付近（融点よりも低い温度）若しくは結晶化温度以上で融点以下の温度に加熱することで、結晶状態にし、アモルファスマークを消去する。

結晶−アモルファスの状態変化は可逆的な相変化であるので、温度変調、即ち、照射する光の強度変調のみで上記の相変化を起こすことができる。

また、結晶状態とアモルファス状態とで光学定数が異なる。この光物性の差を用いれば、光によって、アモルファス状態と結晶状態を判別することができる。従って、アモルファスマークによって情報を記録できる。

このような相変化記録材料としては、ＳｂＴｅを主成分とした材料が主に使われており、ＧｅＩｎＳｂＴｅ，ＡｇＩｎＳｂＴｅ，ＧｅＧａＳｂＴｅ，ＧｅＳｂＴｅ等が広く使われている。また、近年の高速記録（ＤＶＤで８倍速，ＣＤの２４倍速相当）に対応できる記録層材料としては、ＧｅＳｂＳｎ，ＧｅＩｎＳｂＳｎ系，ＧｅＩｎＳｂＳｎＴｅ，ＧａＳｂＳｎ合金，ＧａＧｅＳｂＳｎ合金，ＧａＧｅＳｂＳｎＴｅ合金などがある。これらの材料は結晶化速度が速いため、高速記録でもダイレクトオーバーライトが可能となっている。

これらの記録層は透明基板上に積層される。透明基板上には集光した光の位置決め（トラッキング）のための案内溝（グルーブ）を設けても良い。

前述の記録層は加熱による拡散や化学反応を防止するために、上下に保護層を設けても良い。保護層には記録層材料よりも高融点であり、化学反応を起こさない安定な物質が好ましく、かつ、記録・再生に用いる光の波長領域で透明であることが好ましい。具体的には、金属酸化物，硫化物，窒化物の単体若しくは混合物が好ましく、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物が一般的に用いられている。

また、記録層の上部（基板の反対側）に反射層を設けてもよい。前述の保護層を設ける場合、反射層は、保護層上に形成される。反射層を設けることによって、再生時の反射率を高く保つことができるため、再生信号の信頼性が向上する。反射層材料としては、任意の金属・合金が用いられるが、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕが一般的である。さらに、これらの金属に任意の金属元素を添加することで合金としても良い。

反射層を設けない場合若しくは反射層を設けても薄い場合は、記録時に記録層近傍に発生する熱を効率的に逃がす熱拡散層が別途必要となる。反射層が十分に厚い場合、反射層が熱拡散層を兼ねることが可能であるが、反射層がない若しくは薄い場合は別途設ける必要がある。熱拡散層としては、熱伝導率の高い任意の金属・合金材料を用いてもよい。複数の記録層を積層した多層記録媒体とする場合は、熱拡散層には高い光透過率も求められる。これらに適した材料としては、透明電極に使用される材料が好ましい。具体的にはＩＴＯ，Ｓｎ酸化物，亜鉛酸化物等が例として挙げられる。

さらに、放熱層上又は反射層上に同様の構成を積層して、多層ディスクとしてもよい。また、樹脂製の保護層を設けてもよく、基板を接着剤等を用いて貼り合わせても良い。

［光情報記録装置］
このような光情報記録媒体への情報記録は、例えば図１に概略的に示すような記録・再生装置で行う。

光情報記録媒体１に照射する光は、光ピックアップ２中のレーザダイオード３から発せられ、コリメータレンズ４、偏光ビームスプリッタ５、１／４は長板６を経て対物レンズ７で集光し媒体記録層近傍に照射することで行う。照射された光は光情報記録媒体１で反射され光ピックアップ２に戻り、偏光ビームスプリッタ５にてフォトダイオード８に入射する。

記録時の光の強度変調はストラテジ作成部９にてパルスパターンが設定さる。また、照射パワーはパワー設定部１０にて設定される。各々の出力はレーザドライバ１１を介してレーザダイオード３を駆動する。このストラテジ作成部９は、後述する第１のパターン、第２のパターンの作成や、最短マーク用の加熱パルスの長さＴｈ、冷却パルスの長さＴｃの可変設定等に用いられる。パワー設定部１０は加熱パルスの照射パワーＰｗ、冷却パルスの照射パワーＰｂ、消去パルスの照射パワーＰｅの設定等に用いられる。

記録後の信号再生は、フォトダイオード８によって、反射光が電気信号に変換される。その信号は測定機能を有する信号処理部１２にて測定される。

これらの、記録条件と再生信号は演算部１３にて対応付けられ、測定値は記録条件をパラメータとした関数として扱われる。従って、演算部１３は本発明における試し書き結果による最適条件の設定用に用いられる。

その関数を評価することで最適な記録条件をフィードバックすることが可能となる。

なお、全体を制御するコントローラ１４も設けられている。

［記録方式及びその課題］
記録される情報はマーク長、マーク間長変調方式で強度変調されて記録される。マーク長−マーク間長記録の例としては、ＣＤで採用されるＥＦＭ（８−１４変調），ＤＶＤで採用されるＥＦＭ＋，１−８変調などがある。

マーク長・マーク間長変調は、各々の時間的な長さを基本クロック周期（チャンネルビット）Ｔに対してｎＴで表される。ここで、ｎは有限な任意の自然数になるがその範囲は変調方式によって決定される。ＥＦＭ＋の場合、ｎは３〜１１，１４に設定される。

これらの長さのマークを形成するには、強度変調された光を入射及び走査することで行う。記録時の走査速度をｖとし、記録時のチャンネルビットをＴｗとするとき、ｖ×Ｔｗを一定とすることで、記録情報の密度を一定に保つことができる。

従って、高速に情報を記録するためには、走査速度ｖを大きくし、記録時のチャンネルビットＴｗを短くすることが必要となる。

ＤＶＤ＋ＲＷを通常の８倍速にて記録するためには、
ｖ＝３．４９ｍ／ｓ×８＝２７．９ｍ／ｓ
Ｔｗ＝４．７８ｎｓ
に相当する。

記録時の強度変調の方法は、「記録ストラテジ」と呼ばれる。本発明の光情報記録方法の場合、光情報記録媒体が相変化型の書換え型の光情報記録媒体であるため、照射パワーＰｗの加熱パルスと照射パワーＰｂの冷却パルスとを交互に照射することでマークを形成し、照射パワーＰｅの消去パルスを照射することによりスペースを形成することで記録を行う。各照射パワーの関係はＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂとなる。さらに、Ｐｅ＜０．６Ｐｗであることが好ましく、Ｐｂ≦１ｍＷであることが好ましい。そのパルスの数はｎＴマークに対して、ｎ−１に設定されるのが一般的である。即ち、１Ｔだけマーク長が増加した場合は前述の加熱パルスと冷却パルスを一組ずつ増加させていくことになる。つまり、照射するパルスの発光周期は１Ｔに設定される。

しかし、前述のＤＶＤの８倍速相当となると、記録時のチャンネルビット１Ｔｗが４．７８ｎｓとなってしまう。加熱パルスと冷却パルスとの長さを各々０．５Ｔｗに設定するとパルス幅は２．３９ｎｓとなる。通常レーザダイオード３の立上り時間、立下り時間は１．７ｎｓ以上であるため、０．５Ｔｗの発光パルスを照射することが不可能になる。即ち、十分高い加熱パルスの照射パワーに達することができないと同時に、十分低い冷却パルスの照射パワーに達することができない。その結果として、十分な加熱と冷却が行われずマーク形成が困難となる。

その対策として、ＵＳ ＣＤ−ＲＷで採用されたのが２Ｔストラテジである。２Ｔストラテジの例を図２に示す。マーク長ｎＴと加熱パルス数ｍの間には以下の関係が成り立つ。

ｎ＝２ｍ （ｎが偶数のとき）
ｎ＝２ｍ−１ （ｎが奇数のとき）
これにより、パルスの発光周期は２Ｔ〜３Ｔとなる。その結果、ＤＶＤの８倍速相当でパルスの発光周期はＴｗ＝９．５６〜１４．３４ｎｓとすることができる。その結果、加熱パルスの照射時間と冷却パルスの照射時間を十分取れるため、記録層を急冷状態にすることが可能となり、アモルファスマークを形成できる。

４Ｔより長いマークは先頭パルスと最終パルスの位置を制御することでマーク長をコントロールできる。

これに対して、最短マークである３Ｔマークのパターンでは１組の加熱パルスと冷却パルスとでマークを形成する必要がある。この場合、マーク長の制御を加熱パルスの照射時間（長さ）Ｔｈと冷却パルスの照射時間（長さ）Ｔｃとを制御することで行うことになる。

従来のＵＳ ＣＤ−ＲＷではこの記録ストラテジで十分な品質の記録ができていたが、より高密度のＤＶＤ＋ＲＷの８倍速では不具合が発生することが明らかになった。

前述の光情報記録媒体の記録層材料の緩和現象により、光情報記録媒体の記録層の結晶状態が経時変化すると、同一の記録ストラテジでは記録できないことが明らかになった。

その現象について以下に説明する。

光情報記録媒体１に通常のデータを記録し、ＲＦ信号をオシロスコープで観察すると図３（ａ）に示すようなアイパターンが観察される。横軸はオシロスコープ上の時間軸を表し、縦軸はフォトダイオード８の出力を電圧値として観察し、多数のスイープを重ね合わせて表示したものである。最短マーク・スペースである３Ｔ信号最低電圧値をＩ_３Ｌ、最高電圧値をＩ_３Ｈとする。また、最長マーク・スペースである１４Ｔ信号の最低電圧値をＩ_１４Ｌ、最高電圧値をＩ_１４Ｈとする。このときのアシンメトリＡは以下の式で定義される。

Ａ＝｛（Ｉ_３Ｈ＋Ｉ_３Ｌ）／２＋（Ｉ_１４Ｈ＋Ｉ_１４Ｌ）／２｝／（Ｉ_１４Ｈ−Ｉ_１４Ｌ）
ＤＶＤ＋ＲＷの規格では、−０．１≦Ａ≦０．１５である。

同一の光情報記録媒体１を温度８０℃，湿度８５％ＲＨの環境下に１００時間放置後、記録を行うとアイパターンは図３（ｂ）に示すようなパターンとなる。即ち、最短マークである３Ｔマーク直後の３Ｔスペースの最大電圧値が、他のスペース直後の最高電圧値よりも高くなってしまう。即ち、４Ｔマーク以上のマーク直後にある３Ｔスペースの最高電圧値はＩ_３Ｈであるのに対して、３Ｔマーク直後の３Ｔスペースの最高電圧値はＩ_３Ｈ＋ｄＩ_３Ｈとなる。このように、最短マークであり出現頻度の多い３Ｔスペースの信号レベルが変動してしまうため、経時変化後に記録を行うとジッタが著しく悪化することになる。即ち、経時変化後の光情報記録媒体１は同一の記録条件では記録できない。

この点、従来であれば、このような場合に最適な記録パワー、即ち、最適な加熱パルスの照射パワーＰｗを設定し直すことで対応できた。即ち、ＯＰＣ（Optimum Power Control又はOptimum Power Calibration）を行うことで対応することができた。従来のＯＰＣは、ＣＤ−ＲＷの標準規格，ＤＶＤ＋ＲＷの標準規格に規定されているγ法を用いるのが一般的であった。つまり、試し書き領域に加熱パルスの照射パワーＰｗを段階的に変化させ試し書き記録を行い、その試し書き記録部分の変調度（Ｉ_１４Ｈ−Ｉ_１４Ｌ）／Ｉ_１４Ｈを測定し、照射パワーＰｗの関数として扱う。そこから、γを求めて最適な記録パワーを算出する手法である。

しかし、高速記録に対応できる結晶化速度の高い記録層材料を用いた光情報記録媒体１において、同様の方法で照射パワーを設定してもジッタの改善が見られない。

［本発明の原理］
そこで、経時変化後の光情報記録媒体１のジッタを悪化させる主要因であるｄＩ_３Ｈを用いた最適記録条件の設定が不可欠となる。

まず、３Ｔマーク直後の３Ｔスペースを考慮しない場合の図３（ｂ）のアシンメトリＡ１は、
Ａ１＝｛（Ｉ_３Ｈ＋Ｉ_３Ｌ）／２＋（Ｉ_１４Ｈ＋Ｉ_１４Ｌ）／２｝／（Ｉ_１４Ｈ−Ｉ_１４Ｌ）
となる。

一方、全ての３Ｔ信号を考慮したアシンメトリＡ２は
Ａ２＝｛（Ｉ_３Ｈ＋α・ｄＩ_３Ｈ＋Ｉ_３Ｌ）／２＋（Ｉ_１４Ｈ＋Ｉ_１４Ｌ）／２｝
÷（Ｉ_１４Ｈ−Ｉ_１４Ｌ）
となる。ここで、αは３Ｔ直後の３Ｔスペースの存在比率を表し、０＜α＜１である。

従って、Ａ１≠Ａ２が成り立つ。この点に着目し、以下をＯＰＣのパラメータとして設定できる。

いま、Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）を加熱パルスの照射パワーＰｗの関数とすると図４（ａ）に示す通りとなる。合わせてジッタの照射パワーＰｗ依存性を図４（ｂ）に模式的に示した。Ｘ＝０となるＰｗ１でジッタが最小値となり一致する。Ｘ＞０の状態は、図３（ｂ）に相当し、Ｘ＜０では図３（ｃ）の状態となる。この傾向は経時変化後のＰｗ２にも再現する。従って、Ｘが初期と同一となるように照射パワーＰｗを設定することで、経時変化後でも良好な記録信号とできる。

これは、３Ｔマークと４Ｔ以上のマークとで、記録マークの終端形状のパワー依存性が異なるためにある。つまり、４Ｔ以上のマークではマーク最終パルスのパターンを全て同一に設定できるため、終端形状は同一である。しかし、１組のパルスでマークを形成する必要のある３Ｔマークのみ異なる依存性を示す。さらに、最短スペースである３Ｔスペースは隣接するマークの形状の影響を最も大きく受ける。その結果として、３Ｔマーク直後の３Ｔスペースのみ、経時変化の影響を顕著に受けることとなる。

また、３Ｔマークのストラテジを調整することで同様の効果を得ることができる。具体的には、図２中に示す最短パルス３Ｔの加熱パルスの長さＴｈ，冷却パルスの長さＴｃを調整することでも同様の効果を得ることができる。

以上を考慮すると、本発明の原理として、情報記録直前にＸに着目したＯＰＣを行うことで経時変化後の光情報記録媒体１に対しても適正な記録パワー及び記録ストラテジで記録できる。その際のＸの範囲は、−０．０２〜０．０２の範囲であることが好ましい。

しかし、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すアイパターンからＸを測定するのは困難である。そのため、本発明の、より具体的な例としては、以下の２種類のパターン
第１のパターン；通常のＥＦＭ＋のうち３Ｔマーク直後の３Ｔスペースを禁則としたパターン（即ち、最短マーク直後に最短スペースが並ばないパターン）
第２のパターン；通常のＥＦＭ＋にて変調されたパターン（即ち、最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含むパターン）。
を用意し、試し書きを行うようにしたものである。

第１のパターンで試し書き記録した場合のアイパターンは図３（ｄ）に示す通りとなる。即ち、点線で示した３Ｔ直後の３Ｔスペースのパターンが存在しなくなる。そのため、このような第１のパターンを用いることで、前述のアシンメトリＡ１を精度良く測定することが可能となる。

なお、光情報記録媒体１には、図５（ａ）に示すように、所定の領域（例えば、最内周部）にＰＣＡ（Power Calibration Area＝試し書き領域）２１が設けられているので、本来の記録を開始する前にこのＰＣＡ領域２１に対して試し書きを行うようにすればよい。この場合の１回分の試し書きは、例えば、図５（ｂ）に示すように、記録情報単位である１ＥＣＣブロックを用いて行われ（この１ＥＣＣブロックは１６セクタからなる）、１セクタ毎に例えば、記録パワー（照射パワー）を変化させながら試し書きを行う。

以下、実施例１〜４を参照して、上述の原理に基づく本発明の記録方法等を明らかにする。

［実施例１］
まず、光情報記録媒体１として、ＤＶＤの８倍速相当で記録できるＤＶＤ＋ＲＷメディアを作製した。即ち、ＤＶＤ＋ＲＷ用のポリカーボネート製基板に下部保護層，記録層，上部保護層，反射層を順次積層し、反射層上に接着材を塗布し基板と貼り合せることでディスク状の媒体とした。ポリカーボネート製基板には螺旋状の案内溝（グルーブ）が形成されており、その間隔（トラックピッチ）は０．７４μｍに設定した。また、グルーブにはウォブリングしており、ＡＤＩＰによりプリフォーマットされている。

下部保護層，上部保護層には、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を用いた。その組成比はモル比で７０：３０とした。その膜厚は各々７０ｎｍ，９ｎｍに設定した。記録層材料にはＧａＳｂＳｎ合金を用いた。その膜厚は１５ｎｍとした。反射層にはＡｇを用いその膜厚は１５０ｎｍに設定した。これらの薄膜形成は、全てＡｒ雰囲気を用いたマグネトロンスパッタリング法を用いて行い、膜厚の測定は可変入射角分光エリプソメータを用いて測定した。接着剤は市販のＤＶＤ用接着材であるＵＶ硬化樹脂をスピンコーティング法で塗布し、基板を貼り合わせＵＶ照射して硬化させた。

完成したディスク（光情報記録媒体１）の記録層は全面ａｓ−ｄｅｐｏ状態のため急冷状態にあり、アモルファス状態になる。従って、全面結晶化を行う初期化が必要となる。初期化は２Ｗの高出力レーザ７５μｍ×１μｍのサイズに集光し、記録層近傍に照射及び走査することで記録層を溶融結晶化させて行う。初期化の走査速度は１８ｍ／ｓとし、照射するレーザパワーを１４００ｍＷとした。完成したサンプルディスクは、未記録状態でＤＶＤ＋ＲＷの標準規格を満たすディスクとなった。

本実施例の光情報記録方法の検討には、ＤＶＤ＋ＲＷ用評価装置であるパルステック社製ＤＤＵ１０００を用いた。その光ピックアップの仕様は以下のとおりである。

対物レンズＮＡ：０．６５
波長：６６０ｎｍ
記録パワー設定範囲：１０ｍＷ〜４０ｍＷ
再生パワー：０．７ｍＷ
ＬＤ立上り時間（１０−９０％）：１．５ｎｓ
ＬＤ立下り時間（９０−１０％）：１．７ｎｓ
記録ストラテジとしては、図２に示したような２Ｔストラテジを用いた。この時、４Ｔマーク以上の加熱パルスのパルス幅を２．６９ｎｓとし、３Ｔマーク用の加熱パルスのパルス幅（長さ）Ｔｈを２．９９ｎｓ、冷却パルスのパルス幅（長さ）Ｔｃを５．０８ｎｓに設定した。また、記録時の走査速度を２７．９ｍ／ｓ，チャンネルビットＴを４．７８ｎｓと設定した。記録ストラテジ及び第１のパターン，第２のパターンはテクトロニクス社製のデータゼネレータＤＴＧ５０２７を用いて作成した（図１に示した構成例の場合であれば、記録ストラテジ及び第１のパターン，第２のパターンはストラテジ作成部９により作成される）。照射パワーに関しては、加熱パルス用の照射パワーＰｗは２０ｍＷ〜４０ｍＷの間で段階的に変化させ、消去パルス用の照射パワーＰｅはＰｅ＝０．２５×Ｐｗとし、冷却パルス用の照射パワーＰｂはＰｂ＝０．１ｍＷ固定とし、光情報記録媒体１に１０回オーバーライトを行った。

この処理が、光情報記録媒体１の試し書き領域２１に対して、照射パワーＰｗ，Ｐｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする工程又は手段と、光情報記録媒体１の試し書き領域２１に対して、照射パワーＰｗ，Ｐｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする工程又は手段として実行される。

その後、走査速度をＤＶＤの１倍速に相当する３．４９ｍ／ｓに設定し、Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）及び第２のパターンで記録した場合のジッタを測定し、照射パワーＰｗの依存性を調べた。この処理が、第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する工程又は手段として実行される。その結果を図６に示す。

この図６に示す結果によれば、−０．０２≦Ｘ≦０．０２の範囲でジッタが許容範囲９％以下となり、良好な結果が得られることが判る。従って、本実施例においては、測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）が
−０．０２≦Ｘ≦０．０２
となる照射パワーＰｗ，Ｐｅを記録時に用いる最適な記録条件として設定し（設定する工程又は手段）、このように設定された最適な照射パワーＰｗ，Ｐｅを用いて情報の記録を行うようにすればよいことが判る。

［実施例２］
実施例１で使用したものと同一条件で作成したサンプルを、８０℃，８５％ＲＨの環境に１００時間放置した。その後、室温環境下で実施例１と同様の測定を行った。その結果を図７に示す。この結果、経時変化後でもアシンメトリＡ１，Ａ２の差Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）が−０．０２〜０．０２の範囲であればジッタが９％以内に収まることが確認できた。即ち、経時変化後でも、パラメータの応答の良い特殊なパターンを用いた同様な試し書き処理手順を採ることで、最適な記録パラメータを感度よく正確に設定することが可能となり、特に高速記録に対応した相変化の光情報記録媒体１の経時変化が大きいことに起因する最適記録条件を補正できることが判る。

なお、この場合、初期の最適なパラメータ情報として、照射パワーＰｗ，Ｐｅ、アシンメトリＡ１，Ａ２、又は、その差Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）のうちの少なくとも一つの値を予め光情報記録媒体１にプリフォーマットしておけば、経時において最適条件決定のために必要な初期情報が媒体自身にプリフォーマットされている情報を利用できるため、光情報記録媒体１と光情報記録装置との互換性を向上させることができる。

この場合のプリフォーマットとしては、任意の手法を用いることができ、プリピット法、ウォブルエンコード法、フォーマット法がある。特に、ウォブルエンコード法は、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷで実際に採用されている手法であり、光情報記録媒体のアドレス情報をグルーブ（媒体上の案内溝）のウォブリングにエンコードする技術を利用している。エンコードの方法としては、ＣＤ−ＲＷのＡＴＩＰのように周波数変調を用いても、ＤＶＤ＋ＲＷのように位相変調を用いても良い。ウォブルエンコード法は、光情報記録媒体の基板成形時にアドレス情報と一緒に基板に作成されるため、生産性に優れると同時に、プリピット法のような特殊なＲＯＭピットを形成する必要がないため、基板成形も容易に行えるという利点がある。

[実施例３]
実施例２で使用したサンプル（光情報記録媒体１）の未記録部分に実施例１と同様の方法で記録を行った。但し、加熱パルス用の照射パワーＰｗは３０ｍＷで固定とした。即ち、実施例２（図７）では、ジッタが１０％を超えてしまう記録パワーである。そこで、本実施例では、記録ストラテジの設定パラメータである最短マーク用の加熱パルスの長さＴｈと冷却パルスの長さＴｃとを表１に示す条件で段階的に変化させながら、サンプル（光情報記録媒体１）の試し書き領域２１に試し書きを行なった。

この処理が、光情報記録媒体１の試し書き領域２１に対して、一組の長さＴｈの加熱パルスと長さＴｃの冷却パルスとにより形成される最短マーク用の長さＴｈ，Ｔｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする工程又は手段と、光情報記録媒体１の試し書き領域２１に対して、長さＴｈ，はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする工程又は手段として実行される。この際、長さＴｈを０．３ｎｓ増加させた場合には、長さＴｃを０．６ｎｓ減少させるようにした。即ち、各々の変化量をΔＴｈ，ΔＴｃと置くと、ΔＴｈ＝２ΔＴｃとなる関係を満たすように両者を段階的に変化させるようにした。これにより、最適値を効率よく探すことができる。

その後、Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）及びジッタを測定し、長さＴｈの依存性を調べた。この処理が、第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する工程又は手段として実行される。その結果を図８に示す。

この図８に示す結果によれば、実施例１，２の場合と同様に、−０．０２≦Ｘ≦０．０２の範囲でジッタが許容範囲９％以下となり、良好な結果が得られることが判る。従って、本実施例においては、測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）が
−０．０２≦Ｘ≦０．０２
となる長さＴｈ，Ｔｃを記録時に用いる最適な記録条件として設定し（設定する工程又は手段）、このように設定された最適な長さＴｈ，Ｔｃを用いて情報の記録を行うようにすればよいことが判る。

なお、この場合も、初期の最適なパラメータ情報として、長さＴｈ，Ｔｃ、アシンメトリＡ１，Ａ２、又は、その差Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）のうちの少なくとも一つの値を予め光情報記録媒体１にプリフォーマットしておけば、経時において最適条件決定のために必要な初期情報が媒体自身にプリフォーマットされている情報を利用できるため、光情報記録媒体１と光情報記録装置との互換性を向上させることができる。

[実施例４]
本実施例では、実施例１のデータから、Ｘ（＝Ａ１−Ａ２）を加熱パルスの照射パワーＰｗの１次関数として近似した。即ち、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの連続関数として近似して各パラメータの最適値を求めるようにした。その結果を図９に示す。

線形近似を用いた場合、Ｘ＝０近傍の測定データが近似直線と一致しない。これは、測定値が非常に近いため、第１のパターン１と第２のパターン２との差異が少なく誤差が大きくなっているためと考えられる。そのため、−０．０２≦Ｘ≦０．０２の範囲を除外する、つまり、（Ａ１−Ａ２）＞０．２、及び（Ａ１−Ａ２）＜−０．２とすることで近似直線と一致することを確認できたものである。即ち、近似を用いてパラメータの最適値を求めるには、上記の範囲を除くことが好ましい。

本発明の一実施の形態の光情報記録装置の概略構成例を示すブロック図である。 ２Ｔストラテジ方式の波形例を示す波形図である。 各種条件下におけるアイパターン例を示す特性図である。 Ｐｗ−Ｘ並びにＰｗ−ジッタ特性図である。 試し書き領域及び試し書き方式に関する説明図である。 実施例１のＰｗ−Ｘ＆ジッタ特性図である。 実施例２のＰｗ−Ｘ＆ジッタ特性図である。 実施例３のＴｈ−Ｘ＆ジッタ特性図である。 実施例４のＰｗ−Ｘ＆ジッタ特性図である。

符号の説明

１ 光情報記録媒体
２１ 試し書き領域

Claims (10)

1. 照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録方法であって、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする工程と、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする工程と、
   前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する工程と、
   測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
   −０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
   となる前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを記録時に用いる最適な記録条件として設定する工程と、
   設定された最適な前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを用いて情報の記録を行う工程と、
   を備え、
   前記最適な記録条件として設定する工程では、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求めるようにしたことを特徴とする光情報記録方法。
2. 照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録方法であって、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、一組の長さＴｈの前記加熱パルスと長さＴｃの前記冷却パルスとにより形成される最短マーク用の前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする工程と、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする工程と、
   前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する工程と、
   測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
   −０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
   となる前記長さＴｈ又はＴｃを記録時に用いる最適な記録条件として設定する工程と、
   設定された最適な前記長さＴｈ又はＴｃを用いて情報の記録を行う工程と、
   を備え、
   前記最適な記録条件として設定する工程では、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求めるようにしたことを特徴とする光情報記録方法。
3. 試し書きする工程において前記長さＴｈ、Ｔｃを段階的に変化させる変化量を各々ΔＴｈ，ΔＴｃとしたとき、ΔＴｃ＝−２ΔＴｈなる関係で変化させるようにした、ことを特徴とする請求項２記載の光情報記録方法。
4. １次関数として近似に用いる前記アシンメトリの測定範囲を、
   （Ａ１−Ａ２）＞０．２、及び
   （Ａ１−Ａ２）＜−０．２
   とする、ことを特徴とする請求項１ないし３の何れか一記載の光情報記録方法。
5. 照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録装置であって、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする手段と、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記照射パワーＰｗ又はＰｅを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする手段と、
   前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する手段と、
   測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
   −０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
   となる前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを記録時に用いる最適な記録条件として設定する手段と、
   設定された最適な前記照射パワーＰｗ，Ｐｅを用いて情報の記録を行う手段と、
   を備え、
   前記最適な記録条件として設定する手段は、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求める、ことを特徴とする光情報記録装置。
6. 照射パワーＰｗの加熱パルス、照射パワーＰｂの冷却パルス及び照射パワーＰｅの消去パルス（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を用い、マーク長、マーク間長変調方式に従い強度変調された光として前記加熱パルスと前記冷却パルスとの組合せによるパルス光を光情報記録媒体に照射及び走査することでマークを形成し、前記消去パルス光を前記光情報記録媒体に照射及び走査することでスペースを形成し、チャンネルビットＴに対してｎＴ（ｎは有限の任意の自然数）なる時間的長さを持つ情報を記録する光情報記録装置であって、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、一組の長さＴｈの前記加熱パルスと長さＴｃの前記冷却パルスとにより形成される最短マーク用の前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ばない第１のパターンを試し書きする手段と、
   前記光情報記録媒体の試し書き領域に対して、前記長さＴｈ又はＴｃを段階的に変化させながら最短マーク直後に最短スペースが並ぶパターンを含む第２のパターンを試し書きする手段と、
   前記第１のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ１と前記第２のパターンで試し書きされた領域のアシンメトリＡ２とを測定する手段と、
   測定されたアシンメトリＡ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が
   −０．０２≦（Ａ１−Ａ２）≦０．０２
   となる前記長さＴｈ又はＴｃを記録時に用いる最適な記録条件として設定する手段と、
   設定された最適な前記長さＴｈ又はＴｃを用いて情報の記録を行う手段と、
   を備え、
   前記最適な記録条件として設定する手段は、（Ａ１−Ａ２）を段階的に変化させるパラメータの１次関数として近似して各パラメータの最適値を求める、ことを特徴とする光情報記録装置。
7. 試し書きする手段は、前記長さＴｈ、Ｔｃを段階的に変化させる変化量を各々ΔＴｈ，ΔＴｃとしたとき、ΔＴｃ＝−２ΔＴｈなる関係で変化させるようにした、ことを特徴とする請求項６記載の光情報記録装置。
8. １次関数として近似に用いる前記アシンメトリの測定範囲を、
   （Ａ１−Ａ２）＞０．２、及び
   （Ａ１−Ａ２）＜−０．２
   とする、ことを特徴とする請求項５ないし７の何れか一記載の光情報記録装置。
9. 請求項１記載の発明の光情報記録方法に用いられる光情報記録媒体であって、
   初期の最適なパラメータ情報として、照射パワーＰｗ，Ｐｅ、アシンメトリＡ１，Ａ２、又は、その差（Ａ１−Ａ２）のうちの少なくとも一つの値が予めプリフォーマットされていることを特徴とする光情報記録媒体。
10. 請求項２又は３記載の発明の光情報記録方法に用いられる光情報記録媒体であって、
    初期の最適なパラメータ情報として、長さＴｈ，Ｔｃ、アシンメトリＡ１，Ａ２、又は、その差（Ａ１−Ａ２）のうちの少なくとも一つの値が予めプリフォーマットされていることを特徴とする光情報記録媒体。
    

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