JP4388804B2 - 基体材料およびバリヤー層材料からなる複合材料 - Google Patents

基体材料およびバリヤー層材料からなる複合材料 Download PDF

Info

Publication number
JP4388804B2
JP4388804B2 JP2003519542A JP2003519542A JP4388804B2 JP 4388804 B2 JP4388804 B2 JP 4388804B2 JP 2003519542 A JP2003519542 A JP 2003519542A JP 2003519542 A JP2003519542 A JP 2003519542A JP 4388804 B2 JP4388804 B2 JP 4388804B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composite material
coating
barrier coating
substrate
hollow body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003519542A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004538176A (ja
JP2004538176A5 (ja
Inventor
ベーレ,シュテファン
クリッペ,ルッツ
ビッカー,マッチアス
ヴァルター,マーテン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott AG filed Critical Schott AG
Publication of JP2004538176A publication Critical patent/JP2004538176A/ja
Publication of JP2004538176A5 publication Critical patent/JP2004538176A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4388804B2 publication Critical patent/JP4388804B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/405Oxides of refractory metals or yttrium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/515Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967Absolute thicknesses specified
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975No layer or component greater than 5 mils thick
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31507Of polycarbonate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31565Next to polyester [polyethylene terephthalate, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31573Next to addition polymer of ethylenically unsaturated monomer
    • Y10T428/31587Hydrocarbon polymer [polyethylene, polybutadiene, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652Of asbestos
    • Y10T428/31667Next to addition polymer from unsaturated monomers, or aldehyde or ketone condensation product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Details Of Rigid Or Semi-Rigid Containers (AREA)
  • Packages (AREA)

Description

本発明は、基体材料および基体材料の一面に適用された少なくとも1つのバリヤー被膜を有する複合材料、ならびに基体材料および少なくとも1つのバリヤー被膜からなる複合材料を製造する方法に関する。
プラスチック包装の分野において、ガスおよび液体の透過を減少させるために、およびプラスチック材料を化学的攻撃またはUV照射から保護するために、基体材料、特にプラスチック基体にバリヤー被膜を設けることは有利である。バリヤー被膜は、高価な特殊プラスチックと同じ性質を高価ではないバルクプラスチックで得ることを可能にし、例えば、医薬品包装材料の分野において、ガラスをこの種のバルクプラスチックで代替することを可能にする。プラスチック基体へのバリヤー被膜の適用は、以下の出願に開示されている:
米国特許第5,798,139号 米国特許第5,833,752号 米国特許第6,001,429号。
米国特許第5,798,139号は、炭素膜で被覆したプラスチック容器の製造を記載している。炭素膜は、ガスバリヤーを形成し、かつプラスチック材料の吸着問題を解決することを目的とする。
米国特許第5,833,752号は、バリヤー被膜をプラズマから適用するシステムを開示している。プラズマを維持するために使用されるエネルギーは、エネルギーが外部電極を介して、被覆されるべき容器の内側へ導入されることを特徴とする装置により印加される。
米国特許第6,001,429号もまた、酸素キャリアガスと一緒にモノマーガスとしてHMDSOを、被覆されるべきものの内部へ通過させることによる、プラスチック基体の内部表面へのバリヤー層の適用を開示している。
米国特許第5,833,752号および/または米国特許第6,001,429号をふまえて取り組み、プラスチック材料への改善されたバリヤー作用および改善された結合を特徴とする複合材料およびこの種の複合材料を製造する方法を提供することが、本発明の目的である。
本発明によると、請求項1に記載される複合材料および請求項18に記載される方法により目的が達成される。本発明者らは、プラズマCVD方法、いわゆるPICVD方法を使用することにより、要求される良好な結合が達成され、かつ大気からの物質、プラスチックに含まれる物質、またはプラスチックから放出される物質、ならびに複合材料の表面と接触している物質に関して優れたバリヤー作用も達成されることを発見した。特に、PICVD方法の使用により、通常は50℃〜150℃の表面温度を使用することが可能になり、すなわち、熱に敏感なプラスチックに、プラスチック表面に損傷を与えることなく優れたバリヤー被膜を設けることができる。バリヤー性を有する、単分子層までに減らされた極薄層が、PlCVDプロセッサーを用いて基体材料に適用され得る。これは、材料に顕著な節約を与える。そのうえさらに、この種の層は、高度の柔軟性を特徴とする。
PICVD方法の使用はまた、多位置設備の採用を可能にし、このことは特に高スループットを導く。
本発明によれば、バリヤー被膜は、以下の材料:
SiO(x∈[0,2])、TiO(x∈[0,2])、非晶質炭化水素、導電層、SnO(x∈[0,2])、Si(x∈[0,3]またはx∈[0,1]、y∈[0,4])、Nb(x∈[0,2]、y∈[0,5])、Al(x∈[0,2]、y∈[0,3])の少なくとも1つからなる。
さらに、特に良好なバリヤー作用は、基体材料の少なくとも一面上にバリヤー被膜を有することで達成することができ、該バリヤー被膜は、プラズマインパルス化学気相堆積(PICVD)により塗布され、かつ以下の材料:
SiO(x<2、特に1.7≦x<2);
SiO(x>2、特に2<x≦2.5);
TiO(x<2、特に1.7≦x<2);
TiO(x>2、特に2<x≦2.5);
SnO(x<2、特に1.7≦x<2);
SnO(x>2、特に2<x≦2.5);
Si(y<4、特に3.5<y<4);
Si(y>4、特に4<y<4.5);
Nb(y<5、特に4<y<5);
Nb(y>5、特に5<y<6);
Al(y<3、特に2.5<Y<3);
Al(y>3、特に3<Y<3.5)の少なくとも1つからなる。
この種のわずかに亜化学量論的または超化学量論的層組成は、長い拡散径路を有する、非常に緻密でコンパクトな層をもたらす。
バリヤー被膜はまた、特に有利なことに、基体の被覆表面に対して垂直に変化する組成または構造を有し得る。この場合、変化は連続的または段階的であってもよい。段階的変化は、多層バリヤー被膜をもたらす。例として、基体表面と接触する最下層は、重なる被膜の結合層として使用され得る。この種の層は、例えば、被覆操作の間、プロセスガス中の前駆体含量を連続的または段階的に変化させることにより製造され得る。
この種のバリヤー被膜は、例えば、交互層、例えば交互TiO/SiO層などからなり得る。この場合、好ましくは、TiO層が基体と接触している。例として、交互層の個々の層は、5nm〜100nmの厚さで製造され得る。特に良好なバリヤー作用が、厚さ約100nmの層で達成され得る。しかしながら、高スループットを達成し、したがってプロセスの経済性を改善するために、より厚さの少ない層で被覆することもまた有利である。
この場合、特に良好な被覆性が、複数交互層でも達成され得る。この性質を有する複数交互層は、例えば、交互TiO/SiO/TiO/SiO/層を構成し得る。この種の交互層は、特に有利なことに、両面での被覆を含むフィルムの被覆に使用され得る。フィルムは、一般に材料の厚さがあまりないので、弱いバリヤー作用しか有さず、それにもかかわらず、その結果として交互層の良好なバリヤー作用はフィルムを通過する拡散速度が低いことを確実にする。
好ましくは、プラスチック基体は以下の材料の1つまたは複数を含む:多環式炭化水素、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリエチレン、特にHDPE、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、PES。特に、PICVD方法による適用の結果として、それ自体がすでに高密度バリヤープラスチックである多環式炭化水素(COCなど)を、その高密度バリヤープラスチックが有機物質、特に脂肪またはグリースの攻撃から保護するように被覆することが可能である。
好適な実施形態において、バリヤー被膜の厚さは1000nm未満であり、好ましくは300nm未満である。良好なバリヤー性に加えて、この種のバリヤー層はまた、高度な柔軟性を有する。そのうえさらに、そのような薄層で、バリヤー層の剥離を引き起こし得る固有な応力を回避することも特に可能である。特に好適な実施形態において、バリヤー層は、さらに別の機能、例えば光学的機能または電気的機能、あるいは引っ掻き耐性機能または反射防止機能を有する。例として、同時にバリヤー層として働く光学干渉被膜が、OLEDとして既知の有機LEDで、または光起電力電池の分野で使用され得る。
しかしながら、本発明により、非常に薄い層を製造することも可能である。この種のバリヤー被膜は、5nm以上の厚さ、好ましくは15nm以上、特に20nm以上の厚さを有し得る。
複合材料に加えて、本発明はまた、被覆反応器中でプラズマがパルスにより発生し、結果として反応器中に導入された前駆体ガスが被覆反応器中のガス雰囲気と反応して、バリヤー被膜として基体材料に堆積することを特徴とする、この種の複合材料を製造するための方法を提供する。O、N、N+NHを含む雰囲気中で、以下の前駆体材料が使用される場合、透明なバリヤー層がもたらされる:HMDSN、HMDSO、PMS、N中のシラン、TiCl。この種の材料は、TiO、SiO、およびSiバリヤー層が様々なプラスチック材料に堆積することを可能にする。例えば、O雰囲気下でTiCl前駆体ガスが使用される場合、TiOバリヤー層が堆積するが、O雰囲気下でHMDSN前駆体ガスが使用される場合、SiOバリヤー層が堆積し、N+NH雰囲気下でSiHまたはTMS前駆体が使用される場合、Si-Nバリヤー層が堆積する。
この場合、被覆反応器は、基体材料が被覆反応器中へ導入された後かつ前駆体ガスが導入される前に、有利に排気される。このことは、被覆されるべき基体を大気圧から排気された反応器中へ移すロック機構を設ける必要がないことを意味する。
被覆されるべき基体材料はまた、特に中空体からなり得る。したがって、本発明による方法は、被膜が中空体の内側および/または外側に堆積することを可能にする。内部被覆の場合、大きな圧力差は壁の薄い材料の場合に中空体が変形する可能性があるので、中空体壁が大きな圧力差により被覆されないように、中空体を取り囲む領域が被覆前に200mbar未満の圧力、好ましくは10mbar〜100mbarの圧力に排気され、同時に中空体の内部が1mbar未満、好ましくは0.3mbar〜0.05mbarのベース圧力(base pressure)に排気されることも有利である。そのうえさらに、内側のみを被覆するために、外側の空間でプラズマが着火しないような方法で、外部圧が有利に選択される。排気プロセス中でさえも圧力差が大きくなることを回避するために、この場合、有利なことに、最初に上記で記載される外部圧に達するような方法で均一に排気し、次いで内側がさらに1mbar未満、好ましくは0.05mbar〜0.3mbarのベース圧力に排気されることが可能である。
透過性は、DIN53380に従って決定され、その開示の内容全体が本出願中で本明細書により組み込まれる。DIN53380によると、フィルムの場合、試料は透過チャンバの2か所の間に気密様式で留められる。窒素がチャンバの1か所を通じてゆっくりと流れ、一方酸素はチャンバのもう1か所を通じてゆっくりと流れる。フィルムを通過して窒素キャリアガス中へ移動した酸素は、電気化学的センサーに輸送され、ここで酸素は酸素の流れと量的に比例する電流強度を発生させる。
中空体を試験する場合、窒素キャリアガス流は直接中空体を通過する。酸素は外側から中空体に作用する。
詳細には、上記で記載された様式でPICVD方法により製造されたTiOバリヤー層およびSiOバリヤー層は、特に良好なバリヤー性を特徴とする。例えば、被覆材料を通じた酸素透過および同じく水蒸気透過は、下記の表に示されるように、被覆していない基体材料と比較して、バリヤー被膜により顕著に増加する。同じく、ポリカーボネート上のSiO被覆は、溶媒に対する高耐性を有する。バリヤー作用は、表1にBIFとして与えられる。この場合、BIFは、未被覆体の測定されたOまたは水蒸気透過性/被覆体の測定されたOまたは水蒸気透過性の商である。
未被覆体および被覆体の水蒸気透過性は、DIN53122に従って決定され、その開示の内容全体が本出願中で本明細書により組み込まれる。DIN53122によると、吸着剤を保持した皿は、ワックスを用いる試料により封鎖されて多湿雰囲気下に貯蔵される。
試料を通過した水蒸気量は、皿の重量増加が時間に対してプロットした場合に線形になるとすぐに、この増加から計算される。
品質良好な被膜に好ましいマイクロ波電力範囲は、この場合、300W〜12kW、特には600W〜11kWのパルス電力である。
本発明を、例示の実施形態および図面を参照して、以下により詳細に説明する。
表1 バリヤー被膜の作用
Figure 0004388804
以下の文章は、本発明の例示の実施形態を提供することを意図し、ここでポリカーボネートが中空体の形態の基体材料として選択されている。ポリカーボネート中空体には、本発明に従ってO/HOバリヤー層が設けられた。ボトルは、例えば、米国特許第5,736,207号(その開示の内容全体が本出願中で本明細書により組み込まれる)に記載されるのと同様な形態で、ガラスボトル用PICVD被覆ステーションで被覆された。被覆に使用される装置は、被覆されるべき受取基体の大きさの点で、米国特許第5,736,207号に開示される装置と異なっている。本発明による被覆に使用される装置では、5000mlまでの容量を有する基体の受取および被覆が可能である。3D体用の例えば、ボトルまたはバイアル用の、この種の被覆ステーションの実施形態は、図1に示される。図1に示される被覆ステーションは、真空装置1、ガス生成器3、およびマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器5からなり、マイクロ波は次いで被覆反応器中に、所定の時間プラズマを発生させ、この場合、被覆されるべき3D中空体7により形成される。そのうえさらに、被覆ステーションは、内側を被覆されるべき3D中空体7を支えるための受け装置9を含む。第一の実施形態では、3D中空体7は、内側のみを排気することができる。被覆操作の間の機械的変形を避けるために、被覆されるべき中空体の外側の空間を排気することもまた可能である。この目的のため、排気可能な受け器11が3D中空体7を取り囲んで配置される。この種の構造は、内部被覆の代わりに、またはそれと同時に外部被覆を実行することを可能にする。
3D中空体および/または受け器は、先行技術に従って真空ポンプ装置を使用して排気される。中空体により囲まれた排気されるべき体積は、この場合、好ましくは、10ml〜5000mlの範囲、特に50ml〜2000mlの範囲にある。
3D中空体は、真空ライン13を介して排気され、受け器11は、真空ライン15を介して排気される。3D中空体の内部に加えて受け器11を任意に排気することを可能にするため、弁17が設けられる。上記のように、この例示の実施形態では、3D中空体7自体の内部壁19が実際の被覆チャンバとなる。3D中空体7の内部の排気に続いて、中空体内部は、供給ライン21を介して、前駆体ガスで、例えば、HMDSNまたはHMDSOと酸素との混合物で充填され、HMDSO/HMDSNの濃度は、例えば、酸素流の1%〜10%の範囲にある。前駆体ガスおよび酸素を被覆されるべき3D中空体7内部へ導入する際のオプションとして、外部被覆のための供給ライン23を介して前駆体ガスおよび酸素を受け器11内へ通すことが可能である。この場合も、弁25が供給ライン23に配置される。充填工程後、被覆反応器中の圧力は、1.2mbar〜0.2mbarにある。排気後、マイクロ波電力が、被覆されるべき3D中空体7および/または受け器11内へ導入される。受け器または3D中空体内へのマイクロ波発生器5(例えばマグネトロンであってもよい)によるマイクロ波電力の導入は、3D中空体7の上に配置された誘電体窓27を介して行われる。マイクロ波電力を導入する他の方法、例えば、アンテナを介しても可能だろう。供給されかつ好ましくは時間調節されたマイクロ波電力を用いて、パルス化プラズマが中空体内で発生する。通常のパルス長は0.1ms〜20msで、パルス間周期が5ms〜400msの範囲である。本発明に従ってパルスを用いて被覆することの利点は、プラスチック基体にかかる熱負荷が小さいことにある。そのうえさらに、パルス間周期の間に全ガス交換を行うことができ、したがってガス組成は次のマイクロ波パルスの開始時点で常に理想的である。パルス長およびパルス間周期についての上述のパラメーター範囲は、小さい熱負荷で急速に層を成長させることと同時に組み合わせて、良好なガス交換を確保するために特に好ましいことがわかっている。上記の方法を使用して被覆された中空体の結果は、以下の表に要約される:
表2 層厚さ100nmのO/HOバリヤーを有する内部被覆されたポリカーボネートボトル
Figure 0004388804
3D中空体を被覆する代わりに、本発明に従って、シート状基体、例えば、フィルムまたはパネルを被覆することも可能である。パネル形態の基体は、例えば、LCDディスプレイ用ディスプレイカバーであってもよい。この明細書では、バリヤー被膜はまたさらなる機能性、例えば、反射防止性または引っ掻き耐性被膜などを提供し得る。
図2は、この種の本体用被覆装置を示す。図1に示されるものと同一の要素には同じ参照番号が与えられる。図1と異なり、被覆されるべき対象物はそれ自体が被覆チャンバを形成するのではなく、ホルダー30により受け器11に保持される。ホルダー30は、受け器がライン34を介して排気された後に前駆体ガスおよび酸素が受け器11に入ってくるガス排出口32を含む。プラズマは、誘電体窓27.1、27.2を介して受け器の両側に導入されるマイクロ波電力により受け器11内で着火し、基体36が被覆される。マイクロ波電力は、好ましくはパルス化される。
先行技術におけるような無線周波数(RF)での励起と比較した、マイクロ波、すなわち90MHz〜3000MHzの周波数、特に300MHz〜2500MHzの周波数を用いたプラズマ励起の利点は、特にマイクロ波励起で形成されるより薄いエッジ層である。薄いエッジ層では、プラズマのイオンは、少量のエネルギーしか吸収できず、その結果、それらは被覆されるべき基体と接触する時に低い運動エネルギーしか有さず、それによりわずかな損傷しか引き起こさないもので、例えば、熱または帯電の導入の結果としてである。これらの利点のため、マイクロ波を使用して発生したプラズマは、先行技術よりも顕著に高電力かつ高圧力で操作されることができ、例えば、堆積速度で利点をもたらす。
しかしながら、パルス化無線周波数を使用する励起もまた、様々な用途、例えば、長波長の場合、プラズマのより均一なフィールド分布を発生させ、したがって特に均一な被膜を生成させる目的で、有利であり得る。この明細書では、90MHz未満、特に10MHz〜90MHzの範囲の周波数が好適である。
本発明は、初めて、改善されたバリヤー性を有する複合材料ならびにその性質を有する材料を製造する方法を提供する。
本発明は、例示の実施形態に基づいて、以下により詳細に説明される。
例示の実施形態1:
0.5リットル容量のポリエチレンテレフタレート(PET)製のボトルを、外側で85mbarの圧力に、および内側で最初に0.09mbar未満のベース圧力に、同時に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.3mbarの圧力でボトル内部へ通す。次いで、5kWのパルス電力および2.45GHzの周波数でパルス化したマイクロ波エネルギーを導入して、容器中にプラズマを発生させる。1秒あたりの層厚成長約0.89nmの成長速度で被覆を行う。
a)酸素および水蒸気バリヤー:
90秒の間に、容器の内部は80nmのSiOで被覆される。これは、0.89nm/秒の成長速度に相当する。その後すぐに、ボトルを換気して取り出す。水蒸気透過を試験するために、重量測定法を用いるDIN53122、Part1に従って行った測定では、被覆ボトルで14.3mg/(試料×日)の値が得られ、未被覆ボトルで28.0mg/(試料×日)の水蒸気透過が測定される。これにより、2.0のバリヤー改善因子(BIF)が得られる。酸素透過性についてDIN53380−3に従って電気化学センサーを使用して行った測定では、被覆ボトルで0.018cm/(試料×日×bar)の値、および未被覆ボトルで0.15cm/(試料×日×bar)の値が得られ、したがって、O BIFは8.3である。
b)短時間被覆における酸素および水蒸気バリヤー:
18秒以内で、層厚さ20nmのSiOの内部被覆を行い、これは約1.1nm/秒の堆積速度に相当する。次いで容器にガスを流し、装置から取り出す。水蒸気透過について行った測定では、被覆ボトルで25.3mg/(試料×日)の値が得られる。これにより、1.1のHO BIFが得られる。酸素透過性について行った測定では、0.036cm(試料×日×bar)の値が得られ、したがってO BIFは4である。
c)極短時間被覆および低加熱の酸素バリヤー:
ボトルの内側を、9秒以内で層厚さ10nmのSiOで被覆する。次いで容器にガスを流し、装置から取り出す。酸素透過性について行った測定では、0.062cm/(試料×日×bar)の値が得られ、したがってO BIFは2である。短時間の被覆は、試料がわずかしか加熱されないことを意味する。
d)パルス長およびパルス間周期による加熱速度の制御:
パルス長およびパルス間周期を適切に選択することにより,被覆する間の試料の加熱に計画的な影響を与えることが可能である。0.5msのパルス長および200msのパルス間周期での1000Wのマイクロ波電力で、0.3℃/秒未満の加熱速度を達成することが可能である。このことは、特にプラスチックを被覆するのに有利であるが、これは、多くのプラスチック、例えばPETなどは、温度が80℃を超えただけでも変形および結晶化し、結果として層にクラックが形成されるかまたは層がプラスチック基体から剥離する可能性があるからである。
例示の実施形態2:
低いマイクロ波電力での高い酸素バリヤー
ポリエチレンテレフタレート(PET)製の0.5リットルボトルを、外側で85mbarの圧力、および内側で最初に0.09mbar未満のベース圧力に、同時に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.4mbarの圧力でボトル内部へ通す。次いで、1000Wのパルス電力および2.45GHzの周波数でパルス化したマイクロ波エネルギーを導入することにより、容器中にプラズマを発生させる。
98.4秒で厚さ100nmのSiO単一層を適用し、これは約1nm/秒の堆積速度に相当する。次いで試料に窒素を流して取り出す。水蒸気透過について行った測定では、被覆ボトルで18.7mg/(試料×日)、および未被覆ボトルで22.5mg/(試料×日)の値が得られる。これは、HO BIFが1.2であることを意味する。酸素透過は、未被覆ボトルで0.0015cm/(試料×日×bar)、および未被覆ボトルで0.18cm/(試料×日×bar)であり、O BIFは82となる。
例示の実施形態3:改善された結合を有する二重層:
変形1:
基体、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)製の0.5リットルボトルを、外側で85mbarの圧力、および内側で最初に0.09mbar未満のベース圧力に、同時に排気する。続いて、まず、O流れの10%に相当する高い前駆体含有量で、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.4mbarの圧力でボトル内部へ導入する。次いで、1000Wのパルス電力および2.45GHzの周波数を有するパルス化したマイクロ波エネルギーを導入して、容器中にプラズマを発生させる。厚さ5〜25nmの層が適用され、これはプラスチックとバリヤー層との間の結合剤として作用しながらも、ガスに関してわずかなバリヤー作用を有し得る。その直後に、酸素流量の2%以下に相当する低い前駆体含有量で酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を容器中へ流す。再度、パルス化マイクロ波プラズマを発生させ、25nm〜45nmの厚さで第二の層を適用する。この層はガスに対し高いバリヤー作用を有する。
変形2、結合剤/改善された結合を有するバリヤー組成物による0.51リットルPETボトル(壁厚さ0.5mm)の内部被覆:
0.5リットル容量のポリエチレンテレフタレート(PET)製のボトルを、外側で85mbarの圧力、および内側で最初に0.1mbar未満のベース圧力に、同時に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.3mbarの圧力でボトル内部へ通す。次いで、1000ワットのパルス電力および2.45GHzの周波数でパルス化したマイクロ波エネルギーを導入して、容器中にプラズマを発生させる。
i)最初に、変形1のように、有機結合剤層を適用するが、この場合は高濃度HMDSNで厚さ100nmである。
ii)これに続いて、2%のより低濃度のHMDSNへ急速にガスを交換し、層厚さ50nmの無機バリヤー層を26秒間適用し、これは1.9nm/秒の速度に相当する。
被覆により、40を著しく超える高いOバリヤー改善因子(O BIF)を有する結合剤/バリヤー組成物を製造することが可能になる。
未被覆ボトルの透過は、0.125cm/(試料×日×bar)であり、被覆ボトルの透過は、著しく低く0.003cm/(試料×日×bar)である。
その後、使用したMocon−Oxtran測定機器の分解能限界に達した。
変形3、結合剤/バリヤー組成物による0.4リットルPETボトル(壁厚さ:0.4mm)の内部被覆、バリヤー/結合剤組成物と純粋なバリヤー層との比較:
0.4リットル容量のポリエチレンテレフタレート(PET)製のボトルを、外側で85mbarの圧力、および内側で最初に0.1mbar未満のベース圧力に、同時に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.3mbarの圧力でボトル内部へ通す。次いで、1000ワットのパルス電力および2.45GHzの周波数でパルス化したマイクロ波エネルギーを導入して、容器中にプラズマを発生させる。
i)結合剤/バリヤー組成物
まず最初に、変形2のように、有機結合剤層を適用するが、この場合は高濃度HMDSNで厚さ10nmである。
これに続いて、1.5%のより低濃度のHMDSNへ急速にガスを交換し、層厚さ15nmの無機バリヤー層を11.4秒間適用する。
被覆により、以下のデータにより明らかであるような高いOバリヤー改善因子(O BIF)18.7を有する結合剤/バリヤー組成物を製造することが可能になる:
未被覆ボトルの透過は、0.196cm/(試料×日×bar)であり、被覆ボトルの透過は、0.0104cm/(試料×日×bar)未満である。
例示の実施形態4:
改善された結合を有する勾配層
ポリエチレンテレフタレート(PET)製の0.5リットルボトルを、外側で85mbarの圧力、および内側で最初に0.9mbar未満のベース圧力に、同時に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)またはヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)との混合物を、一定の圧力(例えば0.4mbar)でボトル内部へ導入し、パルス化マイクロ波プラズマを発生させる。勾配層を基体に適用する;この勾配層を製造する1つのオプションは、欧州特許第0718418Al号(その開示の内容全体が本出願中で本明細書により組み込まれる)に記載されるように、層成長の間、少なくとも1つのパラメーターとしてパルス長および/またはパルス間周期を連続的に変化させることである。別の代替例は、勾配層が、被覆パラメーターとしてマイクロ波電力、パルス長、パルス間周期、酸素または前駆体の流量の少なくとも1つを連続的または段階的に変更することにより製造されることである。勾配層は、同時に、高いバリヤー作用と合わせて改善された結合をもたらす。この種の勾配層はまた、任意の他の所望の基体にも塗布され得る。このようにして製造されたこれらの勾配層は、表面に対して垂直方向に化学量論的または構造的多様性を有する。
例示の実施形態5:
HDPE
変形1
高密度ポリエチレン(HDPE)製の中空体(容量70ml)を、0.1mbar未満の圧力に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.6mbarの圧力で容器中へ通し、パルス化マイクロ波エネルギーを2.7kWのパルス電力で導入する。プラズマが発生し、SiO層が以下の厚さで堆積する:a)70秒で80nm(1.14nm/秒の堆積速度に相当)およびb)270秒で300nm(1.11nm/秒の堆積速度に相当)。
未被覆の試料は、0.86cm/(試料×日×bar)のO透過を有し、厚さ80nmの試料は0.62cm/(試料×日×bar)のO透過を有し、厚さ300nmの試料は0.33cm/(試料×日×bar)のO透過を有する。
変形2
高密度ポリエチレン(HDPE)製の中空体(容量500ml)を、0.1mbar未満の圧力に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.3mbarの圧力で容器中へ通し、パルス化マイクロ波エネルギーを1000Wのパルス電力で導入する。プラズマが発生し、高濃度HMDSNで、a)厚さ20nmの結合剤層が堆積する。厚さ10nmのバリヤー層を12秒間この結合剤層に適用し、b)厚さ20nmの結合剤層が堆積する。厚さ80nmのバリヤー層を71.2秒間この結合剤層に適用する。
未被覆の試料は、3.04cm/(試料×日×bar)のO透過を有し、プロセスa)に従って製造された試料は、0.80cm/(試料×日×bar)のO透過を有し、プロセスb)に従って製造された試料は、0.55cm/(試料×日×bar)のO透過を有する。これにより、a)3.8およびb)5.5のO BIFが得られる。
例示の実施形態6:
PETフィルム
厚さ100μmのPETフィルムを受け器中にはめ込み、次いでこれを排気する。続いて、酸素とa)塩化チタン、b)ヘキサメチルジシラザンとの混合物を反応器に通し、圧力を0.2mbarに設定する。その際、11kWのパルス電力でマイクロ波エネルギーを片側から反応器中へ導入し、プラズマを発生させる。
a)厚さ100nmのTiO層がフィルムの片面に堆積する。次いで反応器を換気してフィルムを取り出す。DIN53122、Part1に従った水蒸気透過の測定では、被覆フィルムで0.020g/(m/日)の値が得られ、未被覆のフィルムで1.96g/(m/日)のHO透過である。したがって、HO BIFは98である。
b)厚さ100nmのSiO層が堆積する。水蒸気透過の測定では、0.4g/(m/日)の値が得られ、したがって、HO BIFは4.9である。
例示の実施形態7:
両面を被覆したPESフィルム
厚さ25μmのポリエーテルスルホン(PES)フィルムを受け器中にはめ込み、次いで受け器を排気する。続いて、酸素とa)塩化チタン、b)ヘキサメチルジシラザンとの混合物を反応器に通し、圧力を0.2mbarに設定する。その際、いずれの場合も片側から、マイクロ波エネルギーを反応器中へ導入し、プラズマを発生させる。
a)いずれの場合も11kWのパルス電力で、厚さ20nmのTiO層が両面に堆積する。DIN53380-3に従った酸素透過測定では、被覆フィルムで15.7cm/(m×日×bar)の値が得られ、未被覆のフィルムで940m(m×日×bar)のO透過が測定される。したがって、O BIFは60である。
b)いずれの場合も4kWのパルス電力で、厚さ100nmのSiO層が両面に堆積する。酸素透過測定では、1.51cm/(m×日×bar)の値が得られ、したがって、O BIFは620である。
例示の実施形態8:
1)厚さ25μmのポリスチレン(PS)、2)厚さ20μmのポリカーボネート(PC)、3)厚さ25μmのポリエーテルスルホン(PES)、4)厚さ10μmの高密度ポリエチレン(HDPE)、5)厚さ30μmのポリプロピレン(PP)、および6)厚さ25μmのフッ素化エチレン-プロピレン共重合体(FEP)、のフィルムを受け器にはめ込み、受け器を排気する。続いて、酸素とa)塩化チタン、b)ヘキサメチルジシラザンとの混合物を反応器に通し、圧力を0.2mbarに設定する。その際、マイクロ波エネルギーを、a)TiOの生成に11kW、およびb)SiOの生成に、4kWのパルス電力で反応器の片側から導入し、プラズマを発生させる。
1a)厚さ50nmのTiO層が堆積する。水蒸気透過測定では、被覆PSで0.76g/(m×日)の値が得られ、未被覆PSフィルムで91g/(m×日)のHO透過が測定される。したがって、HO BIFは120である。
1b)厚さ200nmのSiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、0.2g/(m×日)の値が得られ、したがって、HO BIFは455である。
2a)厚さ50nmのTiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、被覆PCフィルムで0.5g/(m×日)の値が得られ、未被覆PCフィルムで11.5g/(m×日)のHO透過が測定される。したがって、HO BIFは22である。
2b)厚さ50nmのSiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、0.62g/(m×日)の値が得られ、したがって、HO BIFは18である。
3a)厚さ100nmのTiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、被覆PEFフィルムで3.69g/(m×日)の値が得られ、未被覆PESフィルムで234.35g/(m×日)のHO透過が測定される。したがって、HO BIFは63である。
3b)厚さ50nmのSiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、4.13g/(m×日)の値が得られ、したがって、HO BIFは56である。
4a)厚さ50nmのTiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、被覆HDPEフィルムで1.11g/(m×日)の値が得られ、未被覆HDPEフィルムで6.63g/(m×日)のHO透過が測定される。したがって、HO BIFは6である。
4b)厚さ200nmのSiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、1.04g/(m×日)の値が得られ、したがって、HO BIFは6.3である。
5a)厚さ50nmのTiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、被覆PPフィルムで0.32g/(m×日)の値が得られ、未被覆PPフィルムで0.42g/(m×日)のHO透過が測定される。したがって、HO BIFは1.3である。
5b)厚さ50nmのSiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、0.33g/(m×日)の値が得られ、したがって、HO BIFは1.3である。
6a)いずれの場合も11kWのパルス電力で、厚さ50nmのTiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、被覆FEPフィルムで0.55g/(m×日)の値が得られ、未被覆FEPフィルムで3.64g/(m×日)のHO透過が測定される。したがって、HO BIFは6.5である。
6b)いずれの場合も4kWのパルス電力で、厚さ50nmのSiO層が片面に堆積する。水蒸気透過測定では、1.18g/(m×日)の値が得られ、したがって、HO BIFは3である。
例示の実施形態9:
交互SiO/TiO層を有するPETフィルム:
厚さ23μmのPETフィルムを受け器に入れ、受け器を排気する。次いで、以下のプロセス1)および2)を交互に繰り返し行う:
1)酸素と塩化チタンとの混合物を反応器に通し、圧力を0.2mbarに設定する。その際、11kWのパルス電力でマイクロ波エネルギーを反応器の片側から導入し、プラズマを発生させる。
2)TiO層が堆積した後、ただちに反応器を酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)とのガス混合物で排出し、次いで、同じ圧力で、ただし4kWのパルス電力でプラズマが発生して、SiO層が堆積する。
a)プロセス1)および2)を1回行い、100nmのTiOおよび100nmのSiOからなる交互層が堆積する。続いて、受け器を換気して試料を取り出す。被覆フィルムの水蒸気透過測定では、0.055g/(m×日)の値が得られ、未被覆フィルムの水蒸気透過測定では、10.87g/(m×日)の値が得られる。したがって、HO BIFは199の因子である。
b)プロセス1)および2)を2回行い、次いで、4つの個々の層からなる交互層を受け器中で換気し、試料を取り出す。被覆フィルムの水蒸気透過測定では、0.04g/(m×日)の値が得られ、未被覆フィルムの水蒸気透過測定では、10.87g/(m×日)の値が得られる。したがって、HO BIFの因子は270である。
例示の実施形態10:
Topas(COC:シクロオレフィン共重合体)製の10mlボトルを、最初に、内側で0.09mbar未満のベース圧力に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、0.5mbarの圧力でボトル内部へ通す。次いで、3.5kWのパルス電力および2.45GHzの周波数でパルス化したマイクロ波エネルギーを導入して、容器中でプラズマを発生させ、容器内側を125nmのSiOで被覆する。その直後に、ボトルを換気して取り出す。水蒸気透過測定では、被覆ボトルで0.14mg/(試料×日)の値が得られ、未被覆ボトルで0.29mg/(試料×日)の水蒸気透過が測定される。これによりバリヤー改善因子(BIF)は2となる。酸素透過性測定では、被覆ボトルで0.047cm/(試料×日)の値、および未被覆ボトルで0.15cm(試料×日×bar)の値が得られ、したがってO BIFは3.1である。
例示の実施形態11:
ポリカーボネイト(PC)製の10mlボトルを、最初に、内側で0.09mbar未満のベース圧力に排気する。続いて、酸素とヘキサメチルジシラザン(HMDSN)との混合物を、1.0mbarの圧力でボトル内部へ通す。次いで、2.8kWのパルス電力および2.45GHzの周波数でパルス化したマイクロ波エネルギーを導入して、容器でプラズマを発生させる。容器内側を、100nmのSiOで40.3秒間被覆し、これは2.48nm/秒の堆積速度に相当する。その直後に、ボトルを換気して取り出す。水蒸気透過測定では、被覆ボトルで2.3mg/(試料×日)の値が得られ、未被覆ボトルで6.6mg/(試料×日)の水蒸気透過が測定される。これによりバリヤー改善因子(BIF)は2.8となる。酸素透過性測定では、被覆ボトルで0.008cm/(試料×日)の値、および未被覆ボトルで0.158cm(試料×日×bar)の値が得られ、これはO BIFが19であることを意味する。
中空体用PICVD被覆ステーションを示す。 フィルム用PICVD被覆ステーションを示す。

Claims (36)

  1. 基体材料と、該基体材料の一面上の少なくとも1つのバリヤー被膜とからなる複合材料であって、該バリヤー被膜がプラズマインパルス化学気相堆積(PICVD)により該基体材料に適用され、かつ該バリヤー被膜がTiO(2<x≦2.5)を含むことを特徴とする複合材料。
  2. 前記バリヤー被膜がさらにSiO(2<x≦2.5)を含む請求項1に記載の複合材料。
  3. 前記基体がプラスチック基体である請求項1または2に記載の複合材料。
  4. 前記プラスチック基体が、以下の材料:
    多環式炭化水素、
    ポリカーボネート、
    ポリエチレンテレフタレート、
    ポリスチレン、
    ポリエチレン、特にHDPE、
    ポリプロピレン、
    ポリメチルメタクリレート、
    PES
    の1つまたは複数からなる請求項3に記載の複合材料。
  5. 前記多環式炭素がCOCである請求項4に記載の複合材料。
  6. 前記基体材料の両面が被覆される請求項1〜5のいずれか一項に記載の複合材料。
  7. 前記バリヤー被膜の厚さが1000nm未満である請求項1〜6のいずれか一項に記載の複合材料。
  8. 前記バリヤー被膜の厚さが5nmより大きい請求項7に記載の複合材料。
  9. 前記バリヤー被膜が、大気からの物質、前記複合材料と直接接触している物質、前記基体材料に含まれる物質、および前記基体材料から放出される物質の少なくとも一種に対してバリヤーを形成する請求項1〜8のいずれか一項に記載の複合材料。
  10. 光学的または電気的機能層を含む請求項1〜9のいずれか一項に記載の複合材料。
  11. 前記バリヤー被膜が、前記機能層を包含するように形成される請求項10に記載の複合材料。
  12. 前記バリヤー被膜が勾配層からなる請求項1〜11のいずれか一項に記載の複合材料。
  13. 該複合材料の表面に対して垂直方向に、前記バリヤー被膜の化学量論性および/または構造の段階的変化が存在する請求項1〜12のいずれか一項に記載の複合材料。
  14. 前記バリヤー被膜が、交互TiO/SiO層からなる請求項12に記載の複合材料。
  15. 前記交互層が、TiO/SiO/TiO/SiO層からなる請求項14に記載の複合材料。
  16. 前記交互層の層厚さが、5nm〜100nmの範囲にある請求項13〜15のいずれか一項に記載の複合材料。
  17. 基体材料および少なくとも1つのバリヤー被膜からなる複合材料を製造する方法であって、
    ガス雰囲気を有する被覆反応器中へ該基体材料を導入する工程;
    前駆体ガスを該被覆反応器中へ導入する工程;および
    パルスにより該被覆反応器中でプラズマを発生させて、その結果、該前駆体ガスが該被覆反応器中の該ガス雰囲気と反応する工程からなり、
    バリヤー被膜が基体に堆積して、該バリヤー被膜がTiO(2<x≦2.5)を含むように、酸素流量および前駆体流量のパラメーターの少なくとも1つを設定することを特徴とする方法。
  18. 前記バリヤー被膜がさらにSiO(2<x≦2.5)を含む請求項17に記載の方法。
  19. 前記パルスが、PICVD設備においてマイクロ波パルスまたは無線周波数パルスである請求項17または18に記載の方法。
  20. 前記マイクロ波パルスまたは無線周波数パルスが、誘電体窓または誘電体アンテナを介して導入される請求項19に記載の方法。
  21. 前記マイクロ波パルスが、90MHz〜3000MHzの範囲の周波数である請求項19または20に記載の方法。
  22. 前記無線周波数パルスが、90MHz未満の範囲の周波数である請求項19または20に記載の方法。
  23. 前記前駆体ガスが、HMDSN、HMDSO、TMS、N中のシラン、TiClの1つまたは複数からなる請求項17〜22のいずれか一項に記載の方法。
  24. 前記ガス雰囲気が、
    雰囲気、
    雰囲気、
    +NH雰囲気からなる請求項17〜23のいずれか一項に記載の方法。
  25. パルス長、パルス間周期、マイクロ波電力、酸素流量、および前駆体流量のパラメーターの少なくとも1つが連続的または段階的に変更される請求項17〜24のいずれか一項に記載の方法。
  26. 被覆が、300W〜12kWの範囲のマイクロ波電力を使用して行われる請求項17〜25のいずれか一項に記載の方法。
  27. 被覆が、0.1ms〜20msのパルス長を使用して行われる請求項17〜26のいずれか一項に記載の方法。
  28. 前記基体材料が前記被覆反応器に導入された後、かつ前駆体ガスが導入される前に、前記被覆反応器が排気される請求項17〜27のいずれか一項に記載の方法。
  29. 前記基体材料が中空体からなり、前記被膜を該中空体の内側および/または外側に堆積させる請求項17〜28のいずれか一項に記載の方法。
  30. 被覆前に、外部圧が200mbar未満に達するまで、前記中空体を内側と外側で同時に排気し、次いで排気は内側でのみ続けて1mbar未満のベース圧力までにする請求項29に記載の方法。
  31. 請求項1〜16のいずれか一項に記載の複合材料を含む中空体。
  32. 前記バリヤー被膜が、前記中空体の内側に適用されている請求項31に記載の中空体。
  33. 前記バリヤー被膜が、前記中空体の内側と外側に適用されている請求項32に記載の中空体。
  34. 前記中空体により取り囲まれる容量が、10ml〜5000mlである請求項31〜33のいずれか一項に記載の中空体。
  35. 請求項1〜16のいずれか一項に記載の複合材料からなるシート状基体。
  36. パネルからなる請求項35に記載のシート状基体。
JP2003519542A 2001-08-07 2002-08-07 基体材料およびバリヤー層材料からなる複合材料 Expired - Fee Related JP4388804B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10139305A DE10139305A1 (de) 2001-08-07 2001-08-07 Verbundmaterial aus einem Substratmaterial und einem Barriereschichtmaterial
PCT/EP2002/008853 WO2003014415A1 (de) 2001-08-07 2002-08-07 Verbundmaterial aus einem substratmaterial und einem barriereschichtmaterial

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004538176A JP2004538176A (ja) 2004-12-24
JP2004538176A5 JP2004538176A5 (ja) 2005-12-22
JP4388804B2 true JP4388804B2 (ja) 2009-12-24

Family

ID=7695019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003519542A Expired - Fee Related JP4388804B2 (ja) 2001-08-07 2002-08-07 基体材料およびバリヤー層材料からなる複合材料

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7931955B2 (ja)
EP (1) EP1415018B1 (ja)
JP (1) JP4388804B2 (ja)
AT (1) ATE411411T1 (ja)
DE (2) DE10139305A1 (ja)
WO (1) WO2003014415A1 (ja)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004001603B4 (de) * 2004-01-09 2009-03-05 Schott Ag Behälter mit Innendekor
DE102004017241B4 (de) 2004-04-05 2012-09-27 Schott Ag Verbundmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004032013B4 (de) 2004-07-02 2007-05-16 Rehau Ag & Co Multilagenschichtaufbau für Polymere, Verfahren zu dessen Herstellung und die Verwendung von Kunststoffformteilen mit dem Multilagenschichtaufbau
DE102004036063A1 (de) * 2004-07-24 2006-02-16 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabeschichtung/Sterilisation
JP4586495B2 (ja) * 2004-08-25 2010-11-24 東洋製罐株式会社 マイクロ波処理装置、マイクロ波供給・処理システム及びマイクロ波処理方法
DE102004045046B4 (de) * 2004-09-15 2007-01-04 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer elektrisch leitfähigen transparenten Beschichtung auf ein Substrat
KR20070110883A (ko) 2005-02-22 2007-11-20 도요 세이칸 가부시키가이샤 플라즈마 cvd법에 의한 증착막
DE102005025083B4 (de) * 2005-05-30 2007-05-24 Infineon Technologies Ag Thermoplast-Duroplast-Verbund und Verfahren zum Verbinden eines thermoplastischen Materials mit einem duroplastischen Material
DE102006035979A1 (de) * 2005-12-19 2007-06-28 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Anordnung zur Abreicherung von Verunreinigungen an Behältnissen und/oder zu deren Sterilisation
US8025915B2 (en) 2006-01-11 2011-09-27 Schott Ag Method of preparing a macromolecule deterrent surface on a pharmaceutical package
EP1918414A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-07 Dow Corning Corporation Film deposition of amorphous films with a graded bandgap by electron cyclotron resonance
EP1923483A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-21 Dow Corning Corporation Deposition of amorphous silicon films by electron cyclotron resonance
EP1919264A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-07 Dow Corning Corporation Device for forming a film by deposition from a plasma
EP1918966A1 (en) 2006-11-02 2008-05-07 Dow Corning Corporation Method for forming a film with a graded bandgap by deposition of an amorphous material from a plasma
EP1918965A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-07 Dow Corning Corporation Method and apparatus for forming a film by deposition from a plasma
EP1921178A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-14 Dow Corning Corporation Film deposition of amorphous films by electron cyclotron resonance
EP1918967B1 (en) * 2006-11-02 2013-12-25 Dow Corning Corporation Method of forming a film by deposition from a plasma
US20080295885A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Shing Man Lee Thick Crystalline Silicon Film On Large Substrates for Solar Applications
JP4798288B2 (ja) * 2008-05-30 2011-10-19 東洋製罐株式会社 蒸着装置
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
RU2523773C2 (ru) * 2009-05-13 2014-07-20 СиО2 Медикал Продактс, Инк., Способ по выделению газа для инспектирования поверхности с покрытием
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
US20140004022A1 (en) * 2009-07-02 2014-01-02 Sio2 Medical Products, Inc. Pecvd coating of chromatography vials
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US8968473B2 (en) * 2009-09-21 2015-03-03 Silevo, Inc. Stackable multi-port gas nozzles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
DE102010048960A1 (de) * 2010-10-18 2012-04-19 Khs Corpoplast Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
WO2012122559A2 (en) 2011-03-10 2012-09-13 KaiaTech, Inc. Method and apparatus for treating containers
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
EP2570453A1 (en) * 2011-09-14 2013-03-20 Center of Excellence Polymer Materials and Technologies (Polimat) Antimicrobial polymeric substrates
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
JP6095678B2 (ja) 2011-11-11 2017-03-15 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 薬剤パッケージ用の不動態化、pH保護又は滑性皮膜、被覆プロセス及び装置
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
JP6509734B2 (ja) 2012-11-01 2019-05-08 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 皮膜検査方法
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US20160017490A1 (en) 2013-03-15 2016-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
WO2015148471A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
KR102130470B1 (ko) * 2014-08-14 2020-07-06 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 배리어 필름 구조체 및 이를 구비하는 유기전자소자
US11077233B2 (en) 2015-08-18 2021-08-03 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
KR20170048787A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
GB201614332D0 (en) * 2016-08-22 2016-10-05 Innano As Method and system for treating a surface
DE102022105041A1 (de) 2022-03-03 2023-09-07 IonKraft GmbH Beschichtungstechnik für Kunststoffbehälter

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3441948A1 (de) * 1984-11-16 1986-05-28 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Antireflex beschichtete, transparente abdeckung von zeichen, insbesondere fuer anzeigegeraete
US5670224A (en) * 1992-11-13 1997-09-23 Energy Conversion Devices, Inc. Modified silicon oxide barrier coatings produced by microwave CVD deposition on polymeric substrates
CH685755A5 (de) * 1993-06-03 1995-09-29 Tetra Pak Suisse Sa Verfahren zur Herstellung eines Schichtstoffes.
US5679412A (en) * 1993-10-28 1997-10-21 Manfred R. Kuehnle Method and apparatus for producing gas impermeable, chemically inert container structures for food and volatile substances
JP2788412B2 (ja) * 1994-08-11 1998-08-20 麒麟麦酒株式会社 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法
DE4438359C2 (de) * 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
DE4445427C2 (de) * 1994-12-20 1997-04-30 Schott Glaswerke Plasma-CVD-Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht
WO1996033098A2 (en) 1995-04-13 1996-10-24 Xmx Corporation Gas-impermeable, chemically inert container structure and method of producingthe same
US5789139A (en) * 1995-12-27 1998-08-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Hydrazide compound and silver halide photographic photosensitive material comprising the same
US5702770A (en) * 1996-01-30 1997-12-30 Becton, Dickinson And Company Method for plasma processing
EP1340835B1 (en) * 1996-06-27 2006-10-04 Nissin Electric Co., Ltd. Object coated with carbon film and method of manufacturing the same
DE19634795C2 (de) * 1996-08-29 1999-11-04 Schott Glas Plasma-CVD-Anlage mit einem Array von Mikrowellen-Plasmaelektroden und Plasma-CVD-Verfahren
US6001429A (en) * 1997-08-07 1999-12-14 Becton Dickinson And Company Apparatus and method for plasma processing
JP3906325B2 (ja) 1997-10-09 2007-04-18 テトラ ラバル ホールデイングス アンド ファイナンス エス エイ 気体及び芳香バリア特性を備える包装積層体
JPH11170611A (ja) 1997-12-05 1999-06-29 Konica Corp 画像記録装置
JP4121619B2 (ja) 1998-06-08 2008-07-23 大日本印刷株式会社 透明バリア性フィルムおよびそれを使用した積層体
DE19901834A1 (de) * 1999-01-19 2000-07-20 Leybold Systems Gmbh Verfahren zum Beschichten von Substraten aus Kunststoff
US20010038894A1 (en) * 2000-03-14 2001-11-08 Minoru Komada Gas barrier film
JP2003535996A (ja) * 2000-06-09 2003-12-02 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー 生分解性コーティングされた基材
US6398960B1 (en) * 2000-10-31 2002-06-04 Solutions Industrial & Environmental Services, Inc. Method for remediation of aquifers
JP3730508B2 (ja) * 2000-11-13 2006-01-05 株式会社東芝 半導体記憶装置およびその動作方法
US7109070B2 (en) * 2002-08-07 2006-09-19 Schot Glas Production of a composite material having a biodegradable plastic substrate and at least one coating
KR100506941B1 (ko) * 2003-08-19 2005-08-05 삼성전자주식회사 더미 셀들을 갖는 플래쉬 메모리소자 및 그것의 소거방법들
KR100754894B1 (ko) * 2005-04-20 2007-09-04 삼성전자주식회사 더미 메모리 셀을 가지는 낸드 플래시 메모리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003014415A1 (de) 2003-02-20
DE50212906D1 (de) 2008-11-27
US20040247948A1 (en) 2004-12-09
JP2004538176A (ja) 2004-12-24
ATE411411T1 (de) 2008-10-15
EP1415018A1 (de) 2004-05-06
US7931955B2 (en) 2011-04-26
EP1415018B1 (de) 2008-10-15
DE10139305A1 (de) 2003-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4388804B2 (ja) 基体材料およびバリヤー層材料からなる複合材料
JP5362941B2 (ja) 改善された耐薬品性を有する複合材料
CA2161362C (en) Vessel of plastic having a barrier coating and a method of producing the vessel
EP1630250B1 (en) Chemical vapor deposition film formed by plasma cvd process and method for forming same
US9891473B2 (en) Laminated film, organic electroluminescence device, photoelectric converter, and liquid crystal display
EP1852522B1 (en) Vapor deposited film by plasma cvd method
JP2004538176A5 (ja)
EP2546388A1 (en) Coated substrates and methods for their preparation
EP1792726A1 (en) Transparent gas barrier film
JPH08175528A (ja) プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法
JP4887808B2 (ja) プラズマcvd法による蒸着膜
JP2006233234A (ja) プラズマcvd法による蒸着膜
Prasadam et al. Study of VO2 thin film synthesis by atomic layer deposition
Lee et al. Defect-sealing of Al2O3/ZrO2 multilayer for barrier coating by plasma-enhanced atomic layer deposition process
JP2005089859A (ja) プラズマcvd法による蒸着膜
Kim et al. Surface modification of polymeric substrates to enhance the barrier properties of an Al2O3 layer formed by PEALD process
US20030049468A1 (en) Cascade arc plasma and abrasion resistant coatings made therefrom
JP4403093B2 (ja) 複合材料およびそれを製造する方法
JP2003236976A (ja) ガスバリアー性に優れたケイ素酸化物被膜及び包装体
Fryauf et al. Scaling atomic layer deposition to astronomical optic sizes: low-temperature aluminum oxide in a meter-sized chamber
JPH11256333A (ja) 支持体上にガス状及び/又は液状物質のためのバリヤ―層を製造する方法及びそのようなバリヤ―層
US10221486B2 (en) Laminate film, organic electroluminescence device, photoelectric conversion device, and liquid crystal display
JPH11286779A (ja) 支持体上にガス状及び/又は液状物質のためのバリヤ―層を製造する方法及びそのようなバリヤ―層
WO2019064154A1 (en) CONTAINER COMPRISING A PLASMA ACTIVATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FILM
JP2003328131A (ja) ガスバリアー性に優れたケイ素酸化物膜及び包装体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041020

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041020

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050831

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20051018

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20051205

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061225

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070323

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090204

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090622

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090909

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091005

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4388804

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees