JP4388350B2 - 歪抑制回路 - Google Patents
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Description
前記歪成分が第1閾値を超えたとき前記トランジスタのドレインバイアス電圧を増大させ、前記歪成分が第1閾値とは異なる第2閾値未満となったとき前記トランジスタのドレインバイアス電圧を減少させる制御を行うドレインバイアス制御手段と、
前記歪成分が第1閾値と第2閾値との間であるとき前記トランジスタのゲートバイアス電圧を前記歪成分が最小となる方向に制御するゲートバイアス制御手段と、
を有することにより、
歪成分が最小となるようトランジスタのゲートバイアス電圧を制御でき歪抑制のバイアス制御を最適化することができ、高周波電力増幅器の消費電力を低減することができる。
(付記1)
LDMOSトランジスタを用いた高周波電力増幅器の歪抑制回路において、
前記高周波電力増幅器の入力信号及び出力信号それぞれの一部を取り出して合成することにより前記高周波電力増幅器で発生する歪成分を検出する歪成分検出手段と、
前記LDMOSトランジスタのゲートバイアス電圧を変動させ前記歪成分が最小となるよう制御するゲートバイアス制御手段を
有することを特徴とする歪抑制回路。
(付記2)
付記1記載の歪抑制回路において、
前記歪成分が第1閾値を超えたとき前記LDMOSトランジスタのドレインバイアス電圧を増大させ前記歪成分が低減するように制御するドレインバイアス制御手段を
有することを特徴とする歪抑制回路。
(付記3)
付記2記載の歪抑制回路において、
前記ドレインバイアス制御手段は、前記歪成分が第2閾値未満となったとき前記LDMOSトランジスタのドレインバイアス電圧を低下させ消費電力の低減制御を行うことを特徴とする歪抑制回路。
(付記4)
付記1記載の歪抑制回路において、
前記歪成分検出手段は、前記高周波電力増幅器の入力信号の一部を分岐する第1方向性結合器と、
前記第1方向性結合器で分岐された信号を遅延する遅延器と、
前記高周波電力増幅器の出力信号の一部を分岐する第2の方向性結合器と、
前記第2方向性結合器で分岐された信号を移相する移相器と、
前記移相器で移相された信号を減衰する減衰器と、
前記遅延器で遅延された信号と前記減衰器で減衰された信号を合成する合成器と、
前記合成器で合成された信号を検波する検波器を
有することを特徴とする歪抑制回路。
32 入力端子
34 出力端子
36,38 方向性結合器
40 遅延器
42 移相器
44 減衰器
46 合成器
48 検波器
50,60 バイアス制御部
52,62 可変抵抗
Claims (2)
- トランジスタを用いた高周波電力増幅器の歪抑制回路において、
前記高周波電力増幅器の入力信号及び出力信号それぞれの一部を取り出して合成することにより前記高周波電力増幅器で発生する歪成分を検出する歪成分検出手段と、
前記歪成分が第1閾値を超えたとき前記トランジスタのドレインバイアス電圧を増大させ、前記歪成分が第1閾値とは異なる第2閾値未満となったとき前記トランジスタのドレインバイアス電圧を減少させる制御を行うドレインバイアス制御手段と、
前記歪成分が第1閾値と第2閾値との間であるとき、前記トランジスタのゲートバイアス電圧を前記歪成分が最小となる方向に制御するゲートバイアス制御手段と、
を有することを特徴とする歪抑制回路。 - 請求項1記載の歪抑制回路において、
前記第1閾値及び第2閾値はそれぞれ、予想される最小及び最大の歪成分電圧値であることを特徴とする歪抑制回路。
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JP2003389180A JP4388350B2 (ja) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | 歪抑制回路 |
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JP2003389180A JP4388350B2 (ja) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | 歪抑制回路 |
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