JP4386105B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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ある。
レビに至るまで幅広く利用されている。この液晶表示装置としてTN型の液晶表示装置が
よく使われ、表示装置として高い性能、品質を維持している。
りも広視野角なVA(vertically aligned)型の液晶表示装置が提案されている。VA型
の液晶表示装置の場合、一対のガラス基板間に誘電率異方性が負の液晶を封入し、一方の
ガラス基板に画素電極を、他方のガラス基板に共通電極を配置している。両ガラス基板上
には垂直配向膜を積層し、両ガラス基板の外側に互いの透過軸方向が直交するように一対
の偏光板を配置している。そして両電極間に電界が発生しないときは液晶分子が垂直配向
膜に規制されて垂直配列し、一方の偏光板を通過した直線偏光の透過光がそのまま液晶層
を通過して他方の偏光板によって遮られる。また両電極間に電界が発生するときはガラス
基板間の液晶分子が電界に対して垂直方向に傾斜して水平配列するので、一方の偏光板を
通過した直線偏光の透過光は液晶層を通過するときに複屈折され楕円偏光の通過光になり
、他方の偏光板を通過する。
画素内に複数のドメインを形成するMVA(Multi-domain vertically aligned)方式が
提案されている。これは例えば特許文献1に記載されている。
対のガラス基板のうち、一方のガラス基板上には画素電極、走査線、信号線、TFTが形
成され、他方のガラス基板にはカラーフィルタ、共通電極、突起が形成される。複数の走
査線と信号線がガラス基板上にマトリクス状に配線され、その交差部分にTFTを、走査
線と信号線で囲まれる領域内に画素電極をそれぞれ配置する。TFTのゲート電極は走査
線に、ソース電極は信号線に、ドレイン電極は画素電極にそれぞれ接続される。画素電極
に形成されるスリットは、ガラス基板の法線方向から見たときに複数の突起がジグザグ状
に形成され、スリットはこの複数の突起の間に位置し、隣り合う突起と略平行に形成され
ている。液晶分子は突起及びスリットに対して90°方向に傾斜し、突起やスリットを境
にして逆方向に傾斜する。一対のガラス基板の外側には直交ニコルの一対の偏光板が配置
され、偏光板の透過軸と突起の方向との成す角度が45°になるように設定し、偏光板の
法線方向から見たときに傾斜した液晶分子と偏光板の透過軸との成す角度が45°になる
ようにしている。傾斜した液晶分子と偏光板の透過軸との角度が45°になるとき、最も
効率よく偏光板から透過光を得ることができる。
な状態になっていないために、最適な表示状態が得られなかった。この対策として、例え
ば特許文献2では、突起の断面形状を好適化することにより、透過率を高めている。
突起部分に存在すると、その周辺の液晶層が厚くなりセルギャップにムラが生じ、突起部
分を中心に輝度ムラが発生する。この点より、突起はできるだけ低いことでセルギャップ
のムラは小さくなるが、突起を低くすることにより液晶の配向性が悪くなり、残像等の問
題が生じる。従って、従来は輝度ムラの発生と残像の発生等とが妥協できる範囲で突起の
高さを決めていた。
な表示状態が得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。
子を十分に傾斜させることができるので、突起の高さを低くして物理的に液晶分子を傾斜
させる作用を弱くさせても液晶の配向性を維持でき、最適な表示状態が得ることができる
。
高までの、突起の高さは1μm以下であることが好ましい。
記透明電極を形成することにより設けることができる。
ルタに形成した溝状の段部により液晶を配向させることができる。
図であり、図2は図1のA−A線断面図である。
3がマトリクス状に配線されている。走査線2と信号線3で囲まれる領域が1画素に相当
し、この領域内に画素電極4が配置され、走査線2と信号線3の交差部には画素電極4と
接続するスイッチング素子であるTFT5が形成される。画素電極4の一部分は絶縁膜を
介在させて隣接する走査線2と重なり、この部分が保持容量として作用する。画素電極4
には後述するスリット6が複数形成されている。7は画素電極4を覆う配向膜であり、垂
直配向処理が施されている。なお、図2では画素電極4の下方に存在する絶縁膜を省略し
ている。
ブラックマトリックス9が形成され、カラーフィルタ10が積層されている。カラーフィ
ルタ10上には例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明電極11が積層され、透明
電極11上には所定パターンの突起12が形成され、透明電極11及び突起12を垂直配
向処理が施された配向膜13で覆っている。
明電極11の間に電界が生じないときは液晶分子が配向膜7、13に規制されて垂直配列
し、画素電極4と透明電極11の間に電界が発生したときは液晶分子が水平方向に傾斜す
る。このとき液晶分子はスリット6や突起12に規制されて所定の方向に傾斜し、1画素
内に複数のドメインを形成することができる。
ぞれ配置され、第一偏光板15と第二偏光板16は互いの透過軸が直交するように設定さ
れている。第二基板8の法線方向から観察したときに、偏光板15、16の透過軸と液晶
分子の傾斜方向が約45°を成すとき、最も効率良く透過光が第二偏光板16を通過する
ことができる。そして液晶分子は突起12やスリット6に対して約90°方向に傾斜する
ため、画素内のスリット6や突起12の延在方向と第二偏光板16の透過軸とが約45°
を成すように両偏光板15、16は配置する。この実施例では第一偏光板15の透過軸が
走査線2の延在方向と一致し、第二偏光板16の透過軸が信号線3の延在方向と一致する
ように設定する。
ため、第一偏光板15を通過した直線偏光の透過光が液晶層14を直線偏光のまま通過し
て第二偏光板16で遮断され、黒表示になる。また画素電極4に所定の電圧が印加されて
画素電極4と透明電極11の間に電界が発生したとき、液晶分子が水平方向に傾斜するた
め、第一偏光板15を通過した直線偏光の透過光が液晶層14で楕円偏光になり第二偏光
板16を通過して、白表示になる。
に長孔が形成され、カラーフィルタ10の表面及び長孔を覆うように透明電極11が形成
されている。即ち、透明電極11に溝状の段部が形成された状態である。そして、この溝
状の段部を埋めるように突起12が形成されている。突起12は例えばアクリル樹脂等か
らなるレジストをフォトリソグラフィー法によって所定パターンに形成される。なお、突
起12はネガ材料で形成するよりもポジ材料で形成した方が、透過率が向上する。これは
ポジ材料の方が突起12の表面が滑らかになり、より液晶分子に対する傾斜方向への規制
力が向上するためである。また、突起の比誘電率は3〜4とすることができる。
くなるが、球状のスペーサが突起に乗ったときのセルギャップのムラが大きくなり輝度ム
ラが発生する。一方、突起を低く(約1μm以下)するとセルギャップのムラは小さくな
り輝度ムラは低減するが、逆に液晶の配向性は低下して残像等が生じやすくなる。そこで
従来は、残像等の発生と輝度ムラの発生を考慮して、突起の高さは1.2μm程度として
いた。
層14中の等電位面が溝の形状に合わせて発生する。図3は、等電位面及び液晶の配向を
説明する液晶表示装置の断面図である。なお、図3は画素電極4と透明電極11の間に電
界が発生した状態を模式的に示している。図中、破線が等電位面を示す。突起12の近傍
において、この等電位面に平行になるように液晶分子14aが傾く。その影響を受けて周
囲の液晶分子14aも同じ方向に傾斜する。
用を低下させないために突起の高さがある程度必要となり、突起を低くすることができな
かったが、本発明によれば、上記のカラーフィルタ10の溝状の段部の作用により液晶分
子14aを十分に傾斜させることができるので、突起12の高さh(透明電極11の溝状
の段部以外の平坦部から突起12の最高部まで)を従来よりも低くすることが可能となる
。
の液晶表示装置のサンプルとして、それぞれ突起の高さが0.6〜1.2μmの液晶表示
装置を作製した。そして、各サンプルの輝度ムラ及び残像を測定した。
いても、突起の高さが高くなるに従って同様に輝度ムラの発生が見られ、突起の高さが1
μm以下の場合が良好であった。これは、セルギャップのムラが液晶層14中のスペーサ
が突起部分で狭持されることによって生じるため、突起の高さに依存することを示してい
る。
.2μmの場合は良好であったが、0.6μmの場合は鑑賞に耐えられなかった。一方、
本発明の液晶表示装置では、突起の高さhが0.9〜1.2μmの場合は従来例よりも残
像が少なく、0.8μmの場合は従来例の1.2μm時の残像と同等であり、0.6〜0
.7μmの場合は従来例の1.2μm時よりもやや残像が多い程度であった。
度ムラが良好な1μm以下であることが好ましく、残像の程度を従来と同等に保ちながら
輝度ムラを低減できる点から0.8μmであることが更に好ましい。
の装置に利用することができる。
溝の作用により等電位面を溝に沿って形成することができ、液晶分子を十分に傾斜させる
ことができるので、突起の高さを低く(1μm以下)して物理的に液晶分子を傾斜させる
作用を弱くさせても液晶の配向性を維持でき、最適な表示状態が得ることができる。
に沿って透明電極を形成することにより設けることができ、液晶を配向させるのに十分な
深さの溝を得ることができる。
4 画素電極
6 スリット
7、13 配向膜
8 第二基板
10 カラーフィルタ
11 透明電極
12 突起
14 液晶層
Claims (4)
- 画素電極をマトリクス状に配置し、該画素電極上に垂直配向処理を施した配向膜が積層された第一基板と、
透明電極を形成し、該透明電極の上に前記画素電極と重なるように形成された突起と、前記透明電極と前記突起を覆う垂直配向膜処理を施した配向膜とが積層された第二基板と、
前記両基板間に液晶層と、
を有し、
前記液晶層に電界を印加しないときは液晶分子が垂直配列し、前記液晶層に電界を印加したときは前記突起によって規制される方向に液晶分子が傾斜して配列する液晶表示装置において、
前記突起は、
前記透明電極の一部であって前記画素電極と重なる位置に溝状の段部が形成され、該溝状の段部を埋めるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記溝状の段部は、帯状に延在して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記透明電極の平端部から前記突起の最高部までの前記突起の高さは1μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
- 前記第二基板側に孔部を有するカラーフィルタを設け、前記溝状の段部は、該孔部に前記透明電極を形成することにより設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
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CN104360513A (zh) * | 2014-11-05 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
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