JP4383492B2 - アクティブ型発光表示パネルの駆動方法および駆動装置 - Google Patents

Description

この発明は、画素を構成する発光素子をＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）によってアクティブ駆動させると共に、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる発光表示パネルの駆動装置に関し、特に逆バイアス電圧の印加に伴う前記発光素子の発光効率の低下等を補償できるようにしたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法および駆動装置に関する。

発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。

かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子を単にマトリクス状に配列した単純マトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列したＥＬ素子の各々に、ＴＦＴからなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者の単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力を実現することができ、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。

図１は、従来のアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素１０に対応する最も基本的な回路構成の一例を示しており、これはコンダクタンスコントロール方式と呼ばれている。図１においてＮチャンネルで構成された制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートは、走査ドライバー１からの走査ラインに接続され、そのソースはデータドライバー２からのデータラインに接続されている。また制御用ＴＦＴのドレインは、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに接続されると共に、電荷保持用のコンデンサＣ１の一方の端子に接続されている。

そして、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースは、前記コンデンサＣ１の他方の端子に接続されると共に、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１に駆動電流を供給するアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続されている。また駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレインは前記ＥＬ素子Ｅ１のアノードに接続され、当該ＥＬ素子のカソードはスイッチＳＷ１を介してカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）が接続されている。なお、この図１に示した例においては、後で説明するようにＥＬ素子のカソードにはスイッチＳＷ１を介して逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）が印加できるようにも構成されている。

図１に示す構成において、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートに走査ラインを介してオン制御電圧（Ｓｅｌｅｃｔ）が供給されると、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）はソースに供給されるデータラインからの電圧（Ｖｄａｔａ）に対応した電流を、ソースからドレインに流す。したがって、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートがオン電圧の期間に、前記コンデンサＣ１が充電され、その電圧が駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートにゲート電圧として供給される。それ故、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、そのゲートとソース間電圧（Ｖｇｓ）に基づいた電流をＥＬ素子Ｅ１に流し、ＥＬ素子を発光駆動させる。

ところで、前記した有機ＥＬ素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、これに並列に接続された静電容量（寄生容量）を有していることは周知のとおりであり、また、有機ＥＬ素子は前記ダイオード特性の順方向電流にほぼ比例した強度で発光することが知られている。さらに、前記ＥＬ素子には、発光に関与しない逆方向の電圧（逆バイアス電圧）を逐次印加することで、ＥＬ素子の寿命を延ばすことができることが経験的に知られている。

そこで、図１に示した構成においては、スイッチＳＷ１を利用してＥＬ素子Ｅ１に対して順方向または逆バイアス電圧を印加することができるように構成されている。すなわち、前記したアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）、カソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）、および逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）の電位関係は、ＶＨｂｂ＞ＶＨａｎｏｄ＞ＶＬｃａｔｈになされている。したがって、図１に示すスイッチＳＷ１の状態においては、（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１の直列回路に供給される。また、図１に示すスイッチＳＷ１が逆の方向に切り換えられた場合には、（ＶＨｂｂ−ＶＨａｎｏｄ）の値の逆バイアス電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１の直列回路に供給される。

図２にも同様にＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるように構成した従来例が示されており、この例もコンダクタンスコントロール方式を適用した場合を示している。なお、図２においては図１に基づいて説明した各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図２に示す例においては、第１および第２の切り換えスイッチＳＷ１，ＳＷ２が備えられ、スイッチＳＷ１およびＳＷ２を切り換えることにより、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）とカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との接続関係を切り換えるように構成されている。

すなわち、スイッチＳＷ１およびＳＷ２が図に示す状態である場合には、（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１の直列回路に供給される。これによりＥＬ素子Ｅ１に対して順方向電流を供給することができ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のオン動作によりＥＬ素子Ｅ１を点灯状態にすることができる。また、スイッチＳＷ１およびＳＷ２が図とは逆の方向に切り換えられた場合には、同じく（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の逆バイアス電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１の直列回路に供給される。なお、前記ＶＬｃａｔｈを基準電位（グランド電圧）として用いた場合の構成が特許文献１に開示されている。

特開２００２−１６９５１０号公報

ところで、有機ＥＬ素子は電流発光型素子であるために、駆動用ＴＦＴは一般的に定電流駆動がなされる。そして、前記したとおりＥＬ素子は所定の寄生容量を有しており、さらにＥＬ素子は所定の発光閾値電圧以上になった時に、発光状態になされる。このために、ＥＬ素子に対して順方向に駆動電圧が印加されても、前記寄生容量に電荷が充電されて、発光閾値電圧に達するためには所定の時間が必要となる。また、前記したように定電流駆動がなされる関係で、そのインピーダンスが実質的に高く、前記したＥＬ素子の発光閾値電圧にまで立ち上がるには、なおさら時間を要することになる。

これに加えて、特許文献１に示されたようにＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を加える手段を採用した場合には、ＥＬ素子の前記寄生容量に対して、逆バイアス状態に電荷が蓄積されているために、順方向電圧を加えてからＥＬ素子が発光状態に至るまでの時間がさらにまた必要となる。このために、ＥＬ素子の点灯時間率が低下し、実質的に発光効率を落とすことになる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受けて、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も抱えることになる。

すなわち、前記した特許文献１に開示された発明においては、ＥＬ素子に対する逆バイアスの印加状態から、単純に順方向電圧を加えることが開示されているにとどまるものであり、前記した問題点が残されたままとなっている。

この発明は前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、特にＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を加える手段を採用したアクティブ型発光表示パネルの駆動装置において、前記ＥＬ素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間において動作するＥＬ素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電手段、または前記ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する充電手段を設けたことで、前記したような発光効率の低下、或いは階調のリニアリティーの悪化等が発生する問題を解消することができる発光表示パネルの駆動方法および駆動装置を提供することを課題とするものである。

前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかるアクティブ型発光表示パネルの駆動方法における基本態様は、発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行する期間、または前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する期間を設けた点に特徴を有する。

そして、この発明にかかる第１形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項１に記載のとおり、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行する期間において、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる前記放電動作を実行するようになされる。

また、この発明にかかる第２形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する期間において、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う前記充電動作を実行するようになされる。

また、この発明にかかる第３形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項２に記載のとおり、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する期間において、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流すことで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う前記充電動作を実行するようになされる。

また、この発明にかかる第５形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項３に記載のとおり、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する期間において、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う前記充電動作を実行するようになされる。

一方、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかるアクティブ型発光表示パネルの駆動装置における基本形態は、発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を行う放電手段、または前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段を具備した構成にされる。

そして、この発明にかかる第１形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項４に記載のとおり、前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を行う放電手段を具備した構成にされる。

また、この発明にかかる第２形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え作用に基づいて、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段を具備した構成にされる。

また、この発明にかかる第３形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項５に記載のとおり、前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行する充電用電源を備え、当該充電用電源を利用して前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段を具備した構成にされる。

また、この発明にかかる第５形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項６に記載のとおり、前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパスするバイパス制御手段を備えることで、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段を具備した構成にされる。

以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、第１ないし第５の形態に別けて、それぞれの特徴点について説明する。まず、この発明にかかる駆動装置の第１形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行させる点に特徴を有する。

そして、この発明にかかる駆動装置の第１形態における第１実施例においては、図２に示したように、第１および第２の切り換えスイッチＳＷ１，ＳＷ２を備え、スイッチＳＷ１およびＳＷ２を切り換えることにより、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）とカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との接続関係を切り換えるように構成した例に適用される。なお、以下に示す各図においては、すでに説明した各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって個々の機能および動作については適宜説明を省略する。

なお、この発明にかかる駆動装置の第１形態については、図２に示したようにコンダクタンスコントロール方式による駆動手段を利用したものに適用されるだけでなく、例えば図３に示したデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素１０を備えた発光表示パネルも好適に利用することができる。さらに、この発明にかかる駆動装置の第１形態における第１実施例は、後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。

なお、図３に示した３ＴＦＴ方式の画素１０を備えた構成においては、図２に示した構成に対して消去用ＴＦＴ（Ｔｒ３）が備えられており、ＥＬ素子Ｅ１の点灯期間の途中において、この消去用ＴＦＴ（Ｔｒ３）をオン動作させることで、コンデンサＣ１の電荷を放電させることができる。これにより、ＥＬ素子Ｅ１の点灯期間を制御することができ、デジタル的に階調表現を行うことを可能にしている。

図２および図３における第１および第２スイッチＳＷ１，ＳＷ２の切り換え動作タイミングが図４に示されている。図４に示すｔ１に至る前の点灯状態においては、第２スイッチＳＷ２はアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続されている。これを図４においては、記号“Ｈ”で示している。また、同じくｔ１に至る前の点灯状態においては、第１スイッチＳＷ１はカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続されている。これを図４においては、記号“Ｌ”で示している。

したがって、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１とを含む直列回路の電位差を画素部電圧と称呼した場合、この時の画素部電圧は、図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が印加されることになり、ＥＬ素子Ｅ１は駆動用ＴＦＴに依存して点灯可能な状態になされている。なお、図４においては、この状態を単に「点灯」と標記している。

一方、図４に示すｔ１に達した場合には、前記第２スイッチＳＷ２はカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続され、第１スイッチＳＷ１はアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続される。これにより、画素部電圧は図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の逆方向電圧が印加されることになり、前記ＥＬ素子Ｅ１には駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して、逆バイアス電圧が印加されることになる。なお、図４においては、この状態を単に「逆バイ」と標記している。この逆バイアス電圧の印加により前記ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には、逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。

続いて図４に示すｔ２に達した場合には、第２スイッチＳＷ２のみが切り換えられて、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続される。これにより、第１および第２スイッチは、共にアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続され、画素部電圧は図４に示したようにゼロ電圧、すなわち同電位の状態となる。したがって、前記ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して放電される。なお、図４においては、この状態を単に「放電」と標記している。換言すれば、前記第１および第２スイッチＳＷ１，ＳＷ２と、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）およびカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との組み合わせにより、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段を構成している。

前記した放電動作の後のｔ３において、第１スイッチＳＷ１のみが切り換えられて、カソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続される。これにより、画素部電圧は図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧になされ、再びＥＬ素子Ｅ１は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。

前記した動作によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、ＥＬ素子のアノードとカソードとを駆動用ＴＦＴを介して同電位に設定することで、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させることができる。したがって、ＥＬ素子に順方向バイアスを加えた場合には、寄生容量に対して即座に順方向バイアスに基づく電荷の蓄積を開始させることができる。

すなわち、前記ＥＬ素子の寄生容量に逆バイアス状態の電荷が蓄積されているままで、順方向バイアスを加える場合に比較すると、ＥＬ素子の発光の立ち上げを遥かに早めることができる。それ故、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

次に図５は、この発明にかかる駆動装置の第１形態の第２実施例について説明するものである。この図５においては駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、ＥＬ素子Ｅ１、およびコンデンサＣ１からなる基本構成が示されており、他は省略されている。この図５に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。

図５に示す第１形態の第２実施例においては、ＥＬ素子Ｅ１のカソード側に配置されたスイッチＳＷ１が、３入力セレクト（選択）スイッチを構成している。そして、ＥＬ素子Ｅ１のアノードとカソード間にはスイッチＳＷ３が接続されている。すなわち、スイッチＳＷ３をオンさせることによりＥＬ素子Ｅ１のアノードとカソードとを同電位の状態とすることができる。なお、図５に示すスイッチＳＷ３は、好ましくはＴＦＴにより構成される。

図５に示す状態においては、スイッチＳＷ１はＶＬｃａｔｈを選択しており、したがって、画素部には順方向電圧が供給される。この時、前記スイッチＳＷ３はオフ状態に制御される。続いてスイッチＳＷ１がＶＨｂｂを選択することにより、画素部には逆バイアス電圧が供給される。この時も、前記スイッチＳＷ３はオフ状態に制御される。この逆バイアス電圧の印加により、前記したとおりＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積される。

これに続いて、前記スイッチＳＷ１は空端子、すなわちハイインピーダンスを選択し、この時スイッチＳＷ３をオン状態に制御する。したがって、この時ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧に基づく電荷がスイッチＳＷ３を介して放電される。そして、前記放電動作の終了後にスイッチＳＷ３はオフ状態になされ、スイッチＳＷ１は図５に示すＶＬｃａｔｈを選択する状態になされる。したがって、画素部には再び順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。

この図５に示したセレクトスイッチＳＷ１の切り換え動作に連動する前記スイッチＳＷ３は、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段を構成している。したがって、図５に示す構成においても、図２ないし図４に基づいて説明した第１形態の第１実施例と同様の効果を得ることができる。なお、図５に示した構成においては、ＥＬ素子Ｅ１のカソード側に３入力セレクトスイッチＳＷ１を備えているが、ＥＬ素子Ｅ１のカソード側を固定電源とし、ＥＬ素子Ｅ１のアノード側、すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介した駆動用ＴＦＴのソースに３入力セレクトスイッチを配置しても、同様の作用効果をもたらすことができる。

次に図６は、この発明にかかる駆動装置の第２形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第２形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して発光素子の寄生容量に対して、充電動作を行なわせる点に特徴を有する。

この図６に示す第２形態においても、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１、およびコンデンサＣ１からなる基本構成が示されており、他は省略されている。そして、この図６に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。

図６に示す第２形態においても、ＥＬ素子Ｅ１のカソード側に配置されたスイッチＳＷ１が、３入力セレクト（選択）スイッチを構成しており、これにより３つの異なった電位レベルを選択できるように構成されている。すなわち、スイッチＳＷ１は図６に示すようにＶ４，Ｖ１，Ｖ３の各電位レベルを択一的に選択できるように構成されている。一方、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース側にはＶ２として示す電位レベルが印加されている。そして、図６に示す各電位レベルは、Ｖ１＞Ｖ２≧Ｖ３＞Ｖ４の関係になされている。

すなわち、ここではＶ２として示す電位レベルは、図１に示すアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に相当するものである。またＶ４として示す電位レベルはカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に相当するものであり、さらに、Ｖ１として示す電位レベルは逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）に相当する。そして、図６に示す状態においてはスイッチＳＷ１はＶ４として示す電位レベルを選択しており、この状態によると画素部には順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされている。

図６に示す状態からスイッチＳＷ１は、Ｖ１として示す電位レベルを選択する。これにより、画素部には逆バイアス電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。続いてスイッチＳＷ１は、Ｖ３として示す電位レベルを選択する。ここで、Ｖ２＝Ｖ３である場合には画素部電圧はゼロ電圧、すなわち同電位の状態となる。したがって、前記ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して放電される。

またＶ２＞Ｖ３である場合には、ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は放電されると同時に、若干順方向にプリチャージされる作用を受ける。続いて、スイッチＳＷ１は図６に示す状態に切り換えられる。これにより、画素部電圧は順方向電圧になされ、再びＥＬ素子Ｅ１は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。

図６に示す構成によると、特にＶ２≧Ｖ３の関係になされた電源とスイッチＳＷ１の選択順序により、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段、またはＥＬ素子の寄生容量に対して若干順方向電圧を充電させるプリチャージ手段を構成している。したがって、図６に示す構成においても、前記した第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

なお、図６に示す実施例においては、ＥＬ素子Ｅ１のカソード側に３入力セレクトスイッチＳＷ１を備えているが、ＥＬ素子Ｅ１のカソード側を固定電源とし、ＥＬ素子Ｅ１のアノード側、すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介した駆動用ＴＦＴのソースに３入力セレクトスイッチを配置しても、同様の作用効果をもたらすことができる。

次に図７は、この発明にかかる駆動装置の第３形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第３形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流す充電動作を実行させる点に特徴を有する。

この図７においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、ＥＬ素子Ｅ１、およびコンデンサＣ１からなる基本構成が示されており、他は省略している。そして、この図７に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。

図７に示す第３形態の駆動装置においては、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１と駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）との接続点より、前記ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行することができる充電用電源Ｖ５が用意されている。この場合、充電用電源Ｖ５は定電圧電源として構成されており、スイッチＳＷ４を介してＥＬ素子Ｅ１の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するように作用する。

すなわち、図７に示す状態においては、スイッチＳＷ１はＶＬｃａｔｈを選択しており、したがって、画素部には順方向電圧が供給される。この時、前記スイッチＳＷ４はオフ状態に制御される。続いてスイッチＳＷ１がＶＨｂｂを選択することにより、画素部には逆バイアス電圧が供給される。この時も、前記スイッチＳＷ４はオフ状態に制御される。この逆バイアス電圧の印加により、前記したとおりＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積される。

これに続いて、前記スイッチＳＷ１は図７に示す元の状態、すなわち順方向バイアスの状態に復帰する。これと同時にスイッチＳＷ４はオン状態に制御される。したがって、この時ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には、逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積されているものの、スイッチＳＷ４を介して供給される充電用電源Ｖ５の電圧が前記寄生容量に対して順方向に供給されるため、ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には、即座に充電用電源Ｖ５による順方向電圧がチャージされる。前記したとおり、充電用電源Ｖ５は定電圧電源として構成されているので、前記した順方向へのチャージ動作は瞬時にして行われる。

そして、所定の時間（前記チャージ動作が完了されるまでの時間）が経過後に、スイッチＳＷ４はオフ状態になされる。したがって、画素部には再び順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。

この図７に示したこの発明にかかる第３形態の駆動装置によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、ＥＬ素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、ＥＬ素子の寄生容量に対して充電用電源から電流を順方向に流す充電動作を実行するようになされるので、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を即座に放電させと共に、ＥＬ素子の寄生容量に対して瞬時に順方向バイアスに基づく電荷を蓄積させることができる。

これにより、ＥＬ素子の発光の立ち上げを早めることができ、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

なお、図７に示した実施例においては、スイッチＳＷ４に代えて例えばダイオードを図に示す方向に接続することも効果的である。すなわち、図７に示すように画素に順方向電圧を印加し、ＥＬ素子の寄生容量に順方向電圧が充電された時のアノード電圧レベルと、前記充電用電源Ｖ５の電圧レベルとがほぼ等しい程度に設定することで、前記ダイオードをその閾値電圧により自動的にオフ状態に制御することができる。このような構成にした場合、前記スイッチＳＷ４をオン・オフ制御する制御ロジックおよび制御ラインを格別に備える必要がなくなる。

次に図８〜図１６は、この発明にかかる駆動装置における第４形態を説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第４形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行させる点に特徴を有する。

まず、図８はこの発明にかかる駆動装置における第４形態の基本構成を示すものであり、図９はその基本動作を説明するタイミングチャートである。なお、この図８においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１、およびコンデンサＣ１からなる基本構成が示されており、他は省略されている。図９に示すようにｔ１に達する以前の点灯状態においては、図８に示すスイッチＳＷ１は図の状態になされ、画素部電圧は順方向の状態になされている。そしてｔ１に至った場合にはスイッチＳＷ１はＶＨｂｂ側に切り換えられ、これにより、画素部電圧は逆方向電圧、すなわち逆バイアス状態になされる。

この時、図８に示す実施の形態においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに対して、ＶＨａｎｏｄと同しレベルの電圧を印加するように構成されている。すなわち、コンデンサＣ１の両端電圧をＶＣｇａｔとした時、ＶＣｇａｔは電圧ゼロの状態（同電位）とする操作がなされる。一方、この状態でＥＬ素子Ｅ１の寄生容量には、逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。

そして、ｔ２に達した場合にはスイッチＳＷ１は図８に示す状態に復帰し、画素部電圧は順方向電圧の状態になされる。この時、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートには、駆動用ＴＦＴをオン状態にするに十分なバイアス電圧が供給される。すなわち、図９に示すようにＶＣｇａｔは「ゼロ充電電圧」の値に設定される。これにより、瞬時の期間（図９に示す充電期間）において、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介してＥＬ素子Ｅ１に、その点灯状態よりも大きな順方向電流が流れ、これによりＥＬ素子の寄生容量には、瞬時にして順方向電流による電荷が蓄積される。そして、ｔ３に至った場合において、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに加える電圧は、ＥＬ素子Ｅ１に所定の定電流を流すための予め設定された点灯電圧になされる。

図８の構成および図９に示した制御態様によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、ＥＬ素子の点灯動作時よりも大きな電流でＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようになされる。したがって、ＥＬ素子の発光の立ち上げを早めることができ、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

図１０は図８および図９に基づいて基本形態を説明したこの発明にかかる駆動装置における第４形態の第１実施例を示すものであり、図１１はこの場合のより詳細な動作を説明するタイミングチャートである。なお、図１０において、スイッチＳＷ５は図１に示した構成における制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）を等価的に示したものであり、この場合においては、図１０はコンダクタンスコントロール方式による画素構成になされていると言うことができる。

そして、図１０に示す構成においては、データドライバーからもたらされるＶｄａｔａは、図１１に示すように逆バイアス電圧の印加期間、順方向電流の充電期間、およびこれに続く点灯期間の各頭初のタイミングにおいて、それぞれ逆バイアスデータ電圧、充電データ電圧、点灯データ電圧をもたらすように成される。そして、これらの各データ電圧の到来時においてスイッチＳＷ５はオン状態になされ、各データ電圧に基づいて書き込み動作がなされる。なお、図１１に示すＶＣｇａｔおよび画素部電圧の設定動作パターンについては、すでに説明した図９に示すパターンと同様である。

なお、前記した図１０に示すコンダクタンスコントロール方式による画素構成に代えて、図３に示したデジタル階調駆動を実現する３ＴＦＴ方式を採用することができる。この場合においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

また、図１２はこの発明にかかる第４形態の第２実施例を示すものであり、この図１２に示す画素構成は電圧プログラミング方式と呼ばれている。この電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレインと、ＥＬ素子Ｅ１のアノードとの間にスイッチＳＷ７が直列接続されている。また、電荷保持用のコンデンサＣ１は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとソース間に接続され、スイッチＳＷ６が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとドレイン間に接続されている。加えてこの電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに対して、データラインよりスイッチＳＷ８およびコンデンサＣ２を介してデータ信号が供給されるように構成されている。

前記した電圧プログラミング方式においては、スイッチＳＷ６およびスイッチＳＷ７がオンされ、これに伴い駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のオン状態が確保される。次の瞬間にスイッチＳＷ７がオフされることにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレイン電流はスイッチＳＷ６を介して駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに回り込む。これにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート・ソース間電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のスレッショルド電圧に等しくなるまで、ゲート・ソース間電圧が押し上げられ、この時点でスイッチＳＷ６はオフされる。

そして、この時のゲート・ソース間電圧がコンデンサＣ１に保持され、このコンデンサ電圧によってＥＬ素子Ｅ１の駆動電流が制御される。すなわち、この電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）におけるスレッショルド電圧のばらつきを補償するように作用する。この図１２に示した電圧プログラミング方式による駆動手段を利用した構成においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

さらに、図１３はこの発明にかかる第４形態の第３実施例を示すものであり、この図１３に示す構成は、ここではスレッショルド電圧補正方式と呼ぶことにする。この図１３に示したスレッショルド電圧補正方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に対してＥＬ素子Ｅ１が直列接続され、また駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート・ソース間に電荷保持用のコンデンサＣ１が接続されている。すなわち、この基本構成においては、図１に示した構成と同等である。

一方、図１３に示す構成においては、データラインに接続されるスイッチＳＷ９（これは制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）と等価）と駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとの間にはＴＦＴ（Ｔｒ４）とダイオードＤ１との並列接続体が挿入されている。なお、前記ＴＦＴ（Ｔｒ４）はそのゲート・ドレイン間は短絡状態に構成されており、したがって、これはスイッチＳＷ９から駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに向かってスレッショルド特性を与える素子として機能する。

この構成によると、１つの画素内に形成された互いのＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ４）におけるスレッショルド特性は非常に近似した特性になされるので、そのスレッショルド特性を効果的にキャンセルさせることができる。この図１３に示したスレッショルド電圧補正方式を利用した構成においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

また、図１４はこの発明にかかる第４形態の第４実施例を示すものであり、この図１４に示す構成は、いわゆるカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段の例を示したものであり、これはカレントミラー動作により電荷保持用コンデンサＣ１へのデータ書き込み処理、並びにＥＬ素子Ｅ１の点灯駆動動作がなされるように構成されている。

すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）にゲートが共通接続されたＴＦＴ（Ｔｒ５）が対称的に備えられており、両ＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ５）のゲートとソース間に電荷保持用のコンデンサＣ１が接続されている。

また、前記ＴＦＴ（Ｔｒ５）のゲートとドレイン間にはスイッチＳＷ１０が接続されており、このスイッチＳＷ１０のオン動作により、両ＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ５）はカレントミラーとして機能する。すなわち、スイッチＳＷ１０のオン動作と共にスイッチＳＷ１１もオン動作されるように構成されており、これにより、スイッチＳＷ１１を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎが接続されるように構成されている。

これにより、例えばアドレス期間においてはＶＨａｎｏｄの電源から、ＴＦＴ（Ｔｒ５）、スイッチＳＷ１１を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎに流れる電流経路が形成される。またカレントミラーの作用により、電流源Ｉｃｏｎに流れる電流に対応した電流が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介してＥＬ素子Ｅ１に対して供給される。前記した動作によりコンデンサＣ１には書き込み用電流源Ｉｃｏｎに流れる電流値に対応したＴＦＴ（Ｔｒ５）のゲート電圧が書き込まれる。そして、コンデンサＣ１に所定の電圧値が書き込まれた後には、スイッチＳＷ１０はオフ状態になされ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、コンデンサＣ１に蓄積された電荷に基づいて所定の電流をＥＬ素子Ｅ１に供給するように作用し、これにより、ＥＬ素子Ｅ１は発光駆動される。

図１５は、前記したカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段においてなされる動作タイミングを示したものである。この図１５に示す動作タイミングは、すでに説明した図１１とほぼ同様になされる。ただし、前記したカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段は電流書き込み型として動作する。したがって、電流源Ｉｃｏｎによってもたらされるデータ電流Ｉｄａｔａによって書き込み動作がなされる。

そして、電流源ＩｃｏｎからもたらされるＩｄａｔａは、図１５に示すように逆バイアス電圧の印加期間、順方向電流の充電期間、およびこれに続く点灯期間の各頭初のタイミングにおいて、それぞれ逆バイアスデータ電流、充電データ電流、点灯データ電流をもたらすように成される。そして、これらの各データ電流の到来時ごとにスイッチＳＷ１０はオン状態になされ、各データ電流に基づいて書き込み動作がなされる。このような図１５に示した駆動動作を採用することにより、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができ、また階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

また、図１６はこの発明にかかる第４形態の第５実施例を示すものであり、この図１６は、電流プログラミング方式によるＥＬ素子の駆動手段の例を示したものである。この電流プログラミング方式においては、陽極側電源（ＶＨａｎｏｄ）と陰極側電源（ＶＬｃａｔｈ）との間にスイッチＳＷ１３、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）およびＥＬ素子Ｅ１の直列回路が挿入された構成とされている。また、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースとゲート間に電荷保持用のコンデンサＣ１が接続され、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとドレインとの間にはスイッチＳＷ１２が接続されている。さらに駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースにはスイッチＳＷ１４を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎが接続されている。

図１６に示した構成においては、各スイッチＳＷ１２，ＳＷ１４がオン状態になされることにより駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）もオンされ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎからの電流が流れる。この時、書き込み用電流源Ｉｃｏｎからの電流に対応した電圧がコンデンサＣ１に保持される。

一方、ＥＬ素子の発光動作時にはスイッチＳＷ１２，ＳＷ１４は、共にオフ状態になされ、スイッチＳＷ１３がオンされる。これにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース側に、陽極側電源（ＶＨａｎｏｄ）が印加され、ＥＬ素子Ｅ１の陰極には陰極側電源（ＶＬｃａｔｈ）が印加される。駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレイン電流は、前記コンデンサＣ１に保持された電荷によって決定され、ＥＬ素子の階調制御がなされる。

この図１６に示した電流プログラミング方式による駆動手段を利用した構成においても図１５に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。

以上説明した図８〜図１６に示すこの発明の第４形態にかかる駆動装置によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、ＥＬ素子の点灯動作時よりも大きな電流でＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段が具備される。したがって、前記したようにＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができると共に、階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることに寄与できる。

次に図１７は、この発明にかかる駆動装置の第５形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第５形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子に直列接続された駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行させる点に特徴を有する。

この図１７においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１、およびコンデンサＣ１からなる基本構成が示されており、他は省略して示している。そして、この図１７に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を好適に採用することができ、さらにはすでに説明した電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。

図１７に示す第５形態の駆動装置においては、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース・ドレインの各々に対して、Ｎチャンネルで構成されたＴＦＴ（Ｔｒ６）のソース・ドレインの各々が並列状態に接続されている。そして、特に図示はしていないが、Ｎチャンネルで構成されたＴＦＴ（Ｔｒ６）のゲートには、所定のバイアス電圧（定電圧）が供給されるように構成されている。すなわち、ＴＦＴ（Ｔｒ６）は定電流動作する駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）をバイパスして定電圧駆動するバイパス制御手段を構成している。

図１７に示す構成において、図に示すスイッチＳＷ１，ＳＷ２の状態でＥＬ素子Ｅ１に対して順方向電流が供給され、またスイッチＳＷ１，ＳＷ２が図とは逆の状態に切り換えられた時、ＥＬ素子Ｅ１に対して逆バイアス電圧が供給されることは、すでに説明したとおりである。この図１７に示す実施の形態によると、逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行し、ＥＬ素子Ｅ１の寄生容量に対する順方向電圧の電荷の充電量が少ない状態においては、前記ＴＦＴ（Ｔｒ６）をバイパスして、前記寄生容量に対して急速に電荷を蓄積させる充電動作が実行される。したがって、ＥＬ素子を急速に発光状態に立ち上げることができる。

一方、ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に所定の充電動作がなされた場合には、ＴＦＴ（Ｔｒ６）のソース電位が上昇するため、Ｎチャンネルにより構成された前記ＴＦＴ（Ｔｒ６）は自動的にカットオフ状態に移行し、前記したバイパス動作は停止される。

この図１７に示した第５形態の駆動装置においても、同様にＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができると共に、階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることに寄与できる。

発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素構成例を示した結線図である。 同じく発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる他の構成例を示した結線図である。 デジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成例を示した結線図である。 この発明にかかる駆動装置における第１形態の第１実施例を説明するタイミングチャートである。 同じく第１形態の第２実施例を示す結線図である。 同じく第２形態の実施例を示す結線図である。 同じく第３形態の実施例を示す結線図である。 同じく第４形態の基本構成例を示す結線図である。 図８に示す基本構成例における動作を説明するタイミングチャートである。 この発明にかかる駆動装置における第４形態の第１実施例を示す結線図である。 図１０に示す構成例における動作を説明するタイミングチャートである。 この発明にかかる駆動装置における第４形態の第２実施例を示す結線図である。 同じく第４形態の第３実施例を示す結線図である。 同じく第４形態の第４実施例を示す結線図である。 図１４に示す構成例における動作を説明するタイミングチャートである。 この発明にかかる駆動装置における第４形態の第５実施例を示す結線図である。 同じく第５形態の実施例を示す結線図である。

符号の説明

１ 走査ドライバー
２ データドライバー
１０ 画素
Ｃ１ コンデンサ
Ｄ１ ダイオード
Ｅ１ 発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉｃｏｎ 書き込み用電流源
ＳＷ１〜ＳＷ１４ スイッチ
Ｔｒ１ 制御用ＴＦＴ
Ｔｒ２ 駆動用ＴＦＴ
Ｔｒ３〜Ｔｒ６ ＴＦＴ

Claims (6)

1. 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
   前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行する期間が設けられ、
   前記放電動作を実行する期間において、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる前記放電動作を実行することを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。
2. 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
   前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する期間が設けられ、
   前記充電動作を実行する期間において、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流すことで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う前記充電動作を実行することを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。
3. 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
   前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う充電動作を実行する期間が設けられ、
   前記充電動作を実行する期間において、前記発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電を行う前記充電動作を実行することを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。
4. 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
   前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を行う放電手段が具備され、
   前記放電手段は、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を行うことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。
5. 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
   前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段が具備され、
   前記充電手段は、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行する充電用電源を備え、当該充電用電源を利用して前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行うことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。
6. 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路と、前記発光素子に逆バイアス電圧を印加する回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
   前記発光素子が前記逆バイアス電圧の印加動作を実行する期間と点灯動作を実行する期間の間に動作し、前記点灯動作とは異なる前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段が具備され、
   前記充電手段は、前記発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパスするバイパス制御手段を備えることで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行うことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。

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