JP4380166B2 - 光デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイスの製造方法に関し、特にヒータを有する導波路型光デバイスの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンウエハ上に光導波路を形成した光導波路基板において、光導波路基板には、光ファイバとの接着強度を十分な強度に保つための厚みを確保するために、例えば特許文献1に開示されているように、光導波路基板における光ファイバとの接合端面部分において、補強ブロックを設ける構成が用いられていた。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−124952号公報(特許請求の範囲等)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ヒータの加熱による導波路の屈折率変化を利用して光信号のオンオフを行う熱光学式光スイッチ等のような導波路型光デバイスでは、ヒータでの加熱による応答性を向上するために、ヒータとコアとの間に介在するクラッドの厚みを薄く形成することが求められており、このため補強ブロックの接合に用いる接着剤がコアを導波する光に対して与える影響が大きくなってしまう。特に、このような補強ブロックを接合するための接着剤としては、クラッドよりも屈折率が大きいものが用いられていたために、導波光の強度分布が接着剤側に偏って光ロスが大きくなってしまうものであった。
【0005】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、屈折率制御用のヒータを有する導波路型光デバイスにおいて、光ファイバ接続用の補強ブロックを設けるにあたり、光ロスが低減され、特に熱光学式光スイッチに好適に適用することができる光デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る光デバイスの製造方法は、コア4とクラッド3とからなる光導波層2に対して、屈折率制御のためのヒータ6を設けた光デバイス1において、光導波層2のヒータ6が設けられている側の面に、光ファイバ接続用の補強ブロック5を、光導波層2のクラッド3よりも屈折率が低い接着層7を介して接合して設ける。
【0007】
前記補強ブロック5は、光導波層2の端縁部のみに設ける。
【0008】
この光デバイスの製造方法では、コア4とクラッド3とからなる光導波層2の一面に、光導波層2の屈折率制御のためのヒータ6を設けた後、この光導波層2の一面における、補強ブロック5が設けられない部位に、光導波層2との間で高い表面密着力を有し且つ光導波層2に対して難接着性の位置決め用ブロック17を配置した状態で、光導波層2の一面に補強バー16を、光導波層2のクラッド3よりも屈折率が低い接着層7を介して接合して設けた後、位置決め用ブロック17を光導波層2の一面に配置した状態で、光導波層2と補強バー16とをダイシング法により端面が面一となるように同時に切削すると共に切断された補強バー16にて補強ブロック5を形成する。前記補強バー16は、ダイシング法によって切削加工される方向に長い角棒状であり、前記切削工程において前記補強バー16の長手方向に沿った1面と長手方向に直交する2面とが形成され、前記長手方向に沿った1面に光導波路の端面が形成される。
【0009】
請求項2の発明は、請求項1において、前記位置決めブロック17を不透明な部材で形成すると共に、前記接着層7を、光硬化型接着剤を光硬化させて形成することを特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0012】
図1,2は、本発明に係る光デバイス1の一例を示すものである。
【0013】
図示の光デバイス1は、コア4とクラッド3とからなる光導波層2の表面に、ヒータ6が設けられており、更にこの光導波層2のヒータ6が設けられている側の面に、補強ブロック5が設けられている。
【0014】
図示の例では、上記の光導波層2は基板8の上面に設けられている。基板8は適宜の材質から形成でき、例えばシリコン基板等から構成することができる。この基板8の厚みは特に制限されないが、0.3〜1.0mmの範囲であることが好ましい。
【0015】
光導波層2は、コア4とクラッド3とから構成され、これにより光導波路が形成されている。クラッド3は、薄膜状に形成されており、その厚みは10〜50μmの範囲であることが好ましい。
【0016】
クラッド3の内部に形成されるコア4は、光が通過するための導波路状に形成されている。コア4の形状は適宜に形成されるが、本発明の光デバイス1を熱光学式光スイッチとして形成する場合には、例えば分岐を有する導波路状に形成したコア4を一又は複数形成する。例えば1×2の分岐を有するコア4を並列に四個形成すると、4×8の熱光学式光スイッチを形成することができる。
【0017】
コア4の寸法は適宜設定されるが、コア4の光の導波方向と直交する断面寸法は、一辺が4〜10μmの範囲であることが好ましい。
【0018】
またこのコア4の一端及び他端は、光導波層2の端面で露出するように形成される。このとき、このコア4の端部が露出する箇所においては、上記の基板8及び光導波層2の端面が面一となるように形成される。尚、図示の実施形態では、基板8及び光導波層2は平面視矩形状に形成され、その基板8及び光導波層2の周囲の全ての端面が面一となるように形成されている。また図示はしていないが、コア4の一端及び他端は、光導波層2の長手方向の両端面でそれぞれ露出するように形成されている。
【0019】
上記のコア4及びクラッド3は、適宜の材質にて形成することができ、例えば石英等にて形成するほか、ポリマーにて形成することもでき、加熱時の屈折率変化の度合いが大きいポリマーにて形成することが好ましい。特にフッ素を含むポリイミド系樹脂は、光の透過性が高いと共に屈折率が低く、コア4及びクラッド3の形成材料として好適に用いることができ、このため屈折率の異なる二種のフッ素を含むポリイミド系樹脂にてコア4とクラッド3とをそれぞれ形成することが好ましい。
【0020】
またヒータ6は、光導波層2の上面(基板8側とは反対側の面)に設けられている。ヒータ6は、光導波層2の屈折率を加熱により制御するために用いられる。ヒータ6は、コア4及びクラッド3の構成に応じて適宜のパターン状に形成することができる。
【0021】
ヒータ6は例えば光導波層2の上面に金等の金属にて膜状に形成することができ、このとき光導波層2の上面にはヒータ6への給電用の配線9を形成する。この場合、配線9を介してヒータ6に電流を通電することにより発熱させて、ヒータ6による加熱を行うことができる。
【0022】
図示の例では、光導波層2の長手方向に延びたコア4が複数形成されており、このコア4に沿って複数のヒータ6が形成されると共に、このヒータに接続された配線9が形成されている。ここでヒータ6によりコア4の分岐部分を加熱することによりその屈折率を低下させると、このコア4の分岐部分に光が導波しなくなり、これにより光スイッチのスイッチング機能が発揮される。上記のヒータ6及び配線9は、例えば光導波層2の上面に金等の金属膜をパターン状に形成することで製造することができる。このとき、ヒータ6は、厚み0.1〜0.3μm、線幅4〜10μmの金属膜にて形成することが好ましい。
【0023】
図2はヒータ6の構成の一例を模式的に示したものである。ヒータ6は、基板8上に形成された光導波層2の上面に金属膜にて形成されている。このヒータ6は、分岐を有するコア4の、二股に分かれた各分岐部分の上方に、この各分岐部分に沿って形成されている。またこのヒータ6の両端には、給電用の配線9が、ヒータ6と同じく金属膜にて形成されている。
【0024】
このとき、配線9を通じてヒータ6に通電して加熱させると、そのヒータ6の下方におけるコア4の分岐部分が加熱されてその屈折率が低下し、このためその分岐部分に光が導波しなくなる。このため、ヒータ6を制御することにより、コア4の分岐部分の光の導波のオンオフを制御することができるのである。
【0025】
ここで、コア4とヒータ6との間にはクラッド3が介在するが、ヒータ6の加熱によるコア4の屈折率変化の応答性を向上させるためには、コア4とヒータ6との間の距離ができるだけ近い方が好ましい。このため、クラッド3(光導波層2)の上面(ヒータ6が形成される面)と、クラッド3に埋設されたコア4の上端部(前記のクラッド3の上面に最も近接する部位)との間の寸法が、10〜15μmの範囲であることが好ましい。
【0026】
また、光導波層2の上面(ヒータ6が設けられている側の面)に設けられる補強ブロック5は、光デバイス1と光ファイバとの接続性を確保するために設けられる。このとき補強ブロック5は、光導波層2のコア4が露出する端面と補強ブロック5の端面とが面一となるように形成することが好ましい。このような補強ブロック5を設けることで、光ファイバ芯線や、セラミックやガラス等のフェルールに挿入されたフェルール付き光ファイバや、複数の光ファイバを基板に整列された光ファイバアレイなどを、光デバイス1のコア4の端部に接着等にて接続するにあたり、その接着強度を向上して光デバイス1と光ファイバとの接続性を確保することができるのである。
【0027】
この補強ブロック5は、適宜の材質で形成することができるが、特に石英やパイレックス(R)ガラス(パイレックス(R)はコーニング社の登録商標。以下同じ)等の光学ガラスを使用することが好ましい。
【0028】
補強ブロック5は、光導波層2の上面の全面に亘って形成しても良いが、光導波層2の端縁部のみに設けることが、より好ましい。図示の例では、光導波層2の長手方向の両端縁、すなわち光導波層2におけるコア4の一端が露出する端面側の端縁と、コア4の他端が露出する端面側の端縁とのそれぞれにおいて、光導波層2の上面に補強ブロック5を設けている。
【0029】
このように補強ブロック5を光導波層2の端縁部のみに設けると、補強ブロック5はヒータ6の上面を避けて形成することができ、ヒータ6からの熱が補強ブロック5に伝達されてヒータ6による光導波層2の加熱効率が低下してしまうことを防ぐことができて、光デバイス1の熱効率を向上することができる。またヒータ6による加熱の際の、光導波層2と補強ブロック5との熱変形量の相違により補強ブロック5と光導波層2との間の剥離が発生することを抑制することもできる。また、補強ブロック5を、光導波層2のコア4が露出する端面と補強ブロック5の端面とが面一となるように位置合わせするにあたり、補強ブロック5が形成されている側の端縁のみにおいて端面の位置合わせをすれば良くなり、補強ブロック5の位置精度を向上させることができるものである。
【0030】
そして、本発明では、光導波層2と補強ブロック5との間の接合を、光導波層2のクラッド3よりも屈折率の小さい接着層7を介して行うようにするものである。
【0031】
ここで、上記のようにヒータ6を設けた光デバイス1では、ヒータ6の熱による応答性を確保するために、クラッド3(光導波層2)の上面(ヒータ6が形成される面)と、クラッド3に埋設されたコア4の上端部(前記のクラッド3の上面に最も近接する部位)との間の寸法を小さくすることが求められ、この場合、光導波層2の上面に接着層7が配置されると、この接着層7の屈折率が、コア4における光の導波に影響を与えてしまうものであり、特に接着層7の屈折率がクラッドの屈折率よりも大きいと、導波光の強度分布が接着層7側に偏って光ロスが大きくなってしまうのであるが、本発明のように光導波層2と補強ブロック5との間の接合を、光導波層2のクラッド3よりも屈折率の小さい接着層7を介して行うようにすれば、上記のような導波光の強度分布の偏りを抑制し、光ロスを低減することができる。
【0032】
このとき、クラッド3と接着層7との屈折率の差は0を超えると共に0.2以下となるようにすると、特に上記のような光ロスを大幅に低減することができる。
【0033】
図3乃至5は、本発明の光デバイス1に対する光ファイバーの接続例を示すものである。図示の例では、光デバイス1に対して、光ファイバアレイ10を接続している。
【0034】
図示の光ファイバアレイ10は、複数の光ファイバを整列させた状態で、端部が上基板12と下基板11との間に挟持して固定することにより形成されている。上基板12と下基板11の先端面は面一に形成されており、この先端面に、光ファイバアレイ10の先端面が露出している。
【0035】
光デバイス1と光ファイバアレイ10との接続は、光デバイス1のコア4が露出する端面と、上基板12と下基板11との先端面とを接着剤等で接続すると共に、光デバイス1におけるコア4と光ファイバアレイ10を構成する光ファイバとを、自動又は手動の調芯機を用いるなどして光軸を合わせて接合することにより行われる。この接合には、適宜の接着剤を用いることができるが、この接合部位における光ロスを抑制するように接着剤を選択することが好ましい。例えば接着剤の硬化物の屈折率が光ファイバの屈折率よりも大きく、且つコア4の屈折率よりも小さくなるものを用いることが好ましい。またこの接着剤としては例えば紫外線硬化型の接着剤を用いることができる。この場合、光デバイス1のコア4が露出する端面と、上基板12と下基板11との先端面とを接着剤を介して当接させた後、図5に示すようにこの当接部位に紫外線光源13から紫外線Lを照射することにより、接着を行うことができる。
【0036】
次に、光デバイス1の製造方法について説明する。
【0037】
基板8の材料である母基板14としては、適宜の材質のものを用いることができるが、シリコン基板(シリコンウエハ)を用いることが好ましい。図示の母基板14は平面視円形状に形成されており、また所望の基板8の厚みに形成される。
【0038】
この母基板14(基板8)の一面(上面)には、光導波層2、及びヒータ6を形成する。このとき、母基板14の上面に複数のチップ形成領域15を設定し、各チップ形成領域15にそれぞれ光導波層2及びヒータ6を形成して、一つの母基板14から複数の光デバイス1を形成することができる。
【0039】
光導波層2は適宜の手法により形成することができる。たとえば母基板14の上面の略全面(図示の例では、母基板14の外縁部を除く一面の全面)に亘ってクラッド3を形成すると共に、このクラッド3に、各チップ形成領域15ごとにコア4を埋設して、各チップ形成領域15に光導波層2を形成することができる。クラッド3及びコア4は、上記のように適宜の材質により適宜の手法で形成することができるが、例えばクラッド3形成用のフッ素を含むポリイミド系樹脂による膜を形成した後、エッチング等にてこの膜にコア4のパターン状に溝を形成して、この溝内に前記のクラッド3形成用のものよりも屈折率の高いコア4形成用のフッ素を含むポリイミド系樹脂にてコア4を形成した後、更にその上にクラッド3形成用のフッ素を含むポリイミド系樹脂による膜を形成することにより、クラッド3及びコア4を形成することができる。
【0040】
またヒータ6及びその配線9も適宜の手法で形成することができるが、例えばこのヒータ6及び配線9を金などの金属膜にて形成する場合には、蒸着、スパッタリング等により形成することができる。
【0041】
図示の例では、チップ形成領域15を、母基板14上に複数列(三列)に整列するように設定することにより、一つの母基板14に複数のチップ形成領域15が設定されている。
【0042】
次に、母基板14の上のクラッド3の上面に、補強ブロック5となる補強バー16を、接着層7形成用の接着剤を介して位置決めして配置する。図示の例では、補強バー16は角棒状に形成されている。このとき補強バー16は、その長手方向が基板8におけるチップ形成領域15の整列方向と一致するように配置され、各チップ形成領域15の列の両側にそれぞれ配置されるようにし、またこのとき隣り合うチップ形成領域15の列間には一つの補強バー16が配置されるように、位置決めされる。
【0043】
接着層7形成用の接着剤としては、適宜のものが用いられるが、紫外線硬化型の接着剤を用いることが好ましい。例えばコア4の屈折率が1.527、クラッド3の屈折率が1.520である場合には、紫外線硬化型の接着剤としては、UVO−114(Epoxy Technology Inc.製;硬化物の屈折率1.451)等のようなエポキシ系のものを挙げることができる。
【0044】
チップ形成領域15に対する補強バー16の位置決めは、固定ブロック18又は位置決めブロック17を用いて行うことができ、また双方を併用して行うこともできる。
【0045】
固定ブロック18は、母基板14の平面視形状に合致する凹部19が上方に開口して形成されており、母基板14はこの凹部19内に配置されて固定される。
【0046】
またこの固定ブロック18には、凹部19の内面に向けて開口する複数の固定用溝20が設けられている。この固定用溝20は、少なくとも凹部19の内側壁から内側方に向けて開口すると共に上方に向けて開口するように形成されており、上方から補強バー16の一端及び他端を固定用溝20に嵌合させることで、補強バー16を固定ブロック18に配置された母基板14に対して所定の位置に位置決めされた状態で配置することができる。
【0047】
また位置決めブロック17は、母基板14におけるクラッド3の上面に、複数列のチップ形成領域15の各列ごとに、その列の全てのチップ形成領域15に亘って配置される。この位置決めブロック17の幅方向の寸法(各列のチップ形成領域15の並び方向と直交する横方向の寸法)は、完成された光デバイス1における両端部の補強ブロック5間の寸法と同一に形成されており、この位置決めブロック17の幅方向の両端面に接して補強バー16を配置することにより、母基板14の上面に補強バー16が位置決めして配置される。図示の例では、固定ブロック18に配置された母基板14の上面に位置決めブロック17を配置することで、補強バー16の位置を、上記の固定用溝20と共に位置決めしている。
【0048】
また上記のような位置決めブロック17は、クラッド3と補強バー16(補強ブロック5)との間からの接着剤の漏れを阻止する機能も有する。これにより、光デバイス1における光導波層2の、補強ブロック5が設けられない面に接着剤が付着することを防止して、この接着剤による光ロスの発生を防止することができる。
【0049】
また接着層7の形成のための接着剤として紫外線硬化型の接着剤を用いる場合には、位置決めブロック17として有色不透明の材質からなるものを用いると、万一クラッド3と補強バー16(補強ブロック5)との間から位置決めブロック17とクラッド3との間へ接着剤が漏れ出したとしても、紫外線照射による接着剤の硬化時に位置決めブロック17とクラッド3との間の接着剤に紫外線Lが照射されることを位置決めブロック17により防止してこの接着剤の硬化を防止することができ、補強ブロック5が設けられない面に付着した接着剤を容易に除去可能となる。
【0050】
ここで、位置決めブロック17の材質としては、適宜のものが用いられるが、上記のような接着剤の漏れを防止するためには、位置決めブロック17とクラッド3(光導波層2)との間の表面密着力が高いものを用いることが好ましく、また位置決めブロック17とクラッド3(光導波層2)とが接着されてしまうことを防止するためにクラッド3(光導波層2)に対して難接着性のものを用いることが好ましい。この場合、特にショアA硬さ20〜60のシリコーンゴム等のゴムを用いることが好ましい。また更に上記のような位置決めブロック17とクラッド3との間における接着剤の硬化を防止するためには、位置決めブロック17を紫外線Lが透過しないように有色不透明のシリコーンゴムを用いることが好ましい。
【0051】
母基板14に対して補強バー16(補強ブロック5)が位置決めされて配置された後は、接着剤を硬化する前に、各補強バー16(補強ブロック5)の平面度を調整することが好ましい。この場合、各補強バー16(補強ブロック5)の平面度を20μm以下となるようにすることが好ましく、図示の例では、平面板21を用いることにより平面度の調整を行うことにより、均一に位置決めブロックに圧力を加えて、接着層の厚みのばらつきを低減することができる。
【0052】
平面板21は、平面視形状が固定ブロック18の凹部19の平面視形状と合致する形状に形成される。またこの平面板21は、下面(平面度調整時に補強バー16(補強ブロック5)と当接する面)の平面度が、補強バー16(補強ブロック5)に要求される平面度の許容範囲となるように形成されるものであり、好ましくは平面度が20μm以下になるように形成される。
【0053】
また、平面板21は、特に接着層7を接着剤の紫外線硬化により形成する場合には、紫外線Lを透過する材質で形成することが好ましく、例えば石英や、パイレックス(R)ガラス等の光学ガラスにて形成することができる。
【0054】
平面板21にて補強バー16(補強ブロック5)の平面度を調整する場合には、例えば上記のように固定ブロック18に対して母基板14及び補強バー16が固定された状態で、更に平面板21を固定ブロック18の凹部19内に配置して、補強バー16に当接させる。これにより補強バー16の上面は平面板21の下面によって均されて、補強バー16(補強ブロック5)の平面度が調整される。
【0055】
次に、紫外線硬化性の接着剤を硬化させて接着層7を形成するにあたっては、上記のように平面板21を固定ブロック18に配置した状態で、接着剤に対して紫外線光源13から紫外線Lを照射する。この様子を一部拡大して示したのが図9である。
【0056】
このとき、紫外線Lは平面板21を透過すると共に補強バー16(補強ブロック5)も透過して接着剤に到達し、補強バー16(補強ブロック5)の平面度が調整された状態で接着層7が形成される。このとき補強バー16(補強ブロック5)は、紫外線Lが透過するように石英やパイレックス(R)ガラス等の光学ガラスにて形成しておくことが好ましい。
【0057】
このように接着層7にて補強バー16(補強ブロック5)を平面度が調整された状態でクラッド3に接着させた後、図10に示すように母基板14を個片に切断する。切断は、ダイサー22を用いたダイシングにより行うことができる。この場合、例えばリング状の治具(固着リング)の内側にUVテープを張設して、このUVテープに母基板14の下面を貼着した状態でUVテープの下面を吸着等で固定し、この状態でダイシングにより切断を行うことができる。そして切断後にUVテープに紫外線Lを照射することによりUVテープの接着力を失わせる。
【0058】
上記の切断加工は、母基板14を縦横に切断して各チップ形成領域15に相当する個片を切り出すことにより行われる。このとき図11に示すように、補強バー16はその長手方向と直交する方向に沿って複数箇所で切断されると共にその長手方向の中心線に沿って切断されるものであり、この切断された補強バー16にて、光デバイス1の補強ブロック5が形成される。
【0059】
この切断加工時には、位置決めブロック17が配置されていると、この位置決めブロック17によりクラッド3の上面(光導波層2の上面)が保護されており、このため光導波層2の上面への削りカスの付着が防止されて、光導波性能の悪化が防止される。
【0060】
そして、切断後、位置決めブロック17をクラッド3の上面(光導波層2の上面)から剥離することにより、光デバイス1が得られるのである。
【0061】
ここで、上記の補強バー16をその長手方向の中心線に沿って切断した際に形成される、補強ブロック5、光導波層2及び基板8の端面は、面一に形成されるものであり、光導波層2はこの端面にコア4が露出するように形成される。このため、光導波層2のコア4が露出する端面と、補強ブロック5及び基板8の端面とが容易に面一に形成される。ここでダイシングにより形成される端面は平滑性が高いものであるが、更にこの端面を研磨処理して更に平滑性を向上させることもできる。
【0062】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって詳述する。
【0063】
(実施例)
図6〜12に示される工程を経ることにより、光デバイス1を形成した。
【0064】
ここで、図6に示す工程では、基板8の形成のための母基板14として、厚み厚み0.525mmのシリコンウエハを用い、これに対して、屈折率1.520のフッ素を含むポリイミド系樹脂にて厚み30μmのクラッド3を形成すると共に、屈折率1.527のフッ素を含むポリイミド系樹脂にて、光導波方向と直交する断面が一辺7μmの方形状のコア4を形成し、4×8の光導波路を形成した。このとき、クラッド3の上面と、クラッド3に埋設されたコア4の上端部との間の寸法が10μmとなるようにした。またヒータ6及び配線9は、スパッタによる金製の膜にて、幅10μm、厚み0.2μmに形成した。
【0065】
また補強ブロック5の形成のための補強バー16としては、パイレックス(R)ガラス製のものを用い、位置決めブロック17はショアA硬さ30の有色不透明のシリコーンゴムにて形成したものを用いた。また接着層7の形成のための接着剤としては、エポキシ系紫外線硬化型接着剤(UVO−114;Epoxy Technology Inc.製)を用い、その紫外線硬化条件は、紫外線Lの照射強度100mW/cm2、照射時間1分として、屈折率1.451の接着層7を形成し、その厚みは10μmとした。
【0066】
また図10,11に示されるダイシング加工時でのダイシング条件は、ダイサー22として#800のブレードを用い、回転速度30000rpm、送り速度を2mm/sec以下とした。また切断後に切断端面を研磨してその表面粗さを5nmとした。
【0067】
そして、完成された光デバイス1は、全体の平面視寸法が4.5mm×19mm、基板8の厚み0.525mm、光導波層2の厚み30μm、補強ブロック5の平面視寸法が4.5mm×2mm、厚みが1mmとなるようにした。
【0068】
(比較例)
実施例において、接着層7の形成のための接着剤として、エポキシ系紫外線硬化型接着剤を用い、その紫外線硬化条件は、紫外線Lの照射強度100mW/cm2、照射時間1分として、屈折率1.542の接着層7を形成し、その厚みは10μmとした。
【0069】
それ以外は実施例1と同様にして、光デバイス1を得た。
【0070】
(評価試験)
実施例及び比較例のそれぞれにおいて、光デバイス1の一端から光を入力すると共に他端からこの光を出力させ、入力光と出力光との間の光ロスを測定した。測定は、光マルチメータにて入力光と出力光との間の光の強度の差を測定することにより行った。
【0071】
実施例における光ロスを0とした場合の、光ロスの評価結果を表1に示す。
【0072】
【表1】
【0073】
このように、接着層7として、その屈折率がクラッド3よりも小さいものを形成することにより、光ロスが低減されることが明らかとなった。
【0074】
【発明の効果】
上記のように請求項1に係る光デバイスの製造方法は、コアとクラッドとからなる光導波層に対して、屈折率制御のためのヒータを設けた光デバイスにおいて、光導波層のヒータが設けられている側の面に、光ファイバ接続用の補強ブロックを、光導波層のクラッドよりも屈折率が低い接着層を介して接合して設けるため、得られる光デバイスでは、補強ブロックを接合するための接着層の屈折率が光導波層に及ぼす影響を低減することができ、特にヒータの加熱による屈折率変化の応答性を向上するためにコアとヒータとの間に介在するクラッドの厚みを薄く形成しても接着層がコアを導波する光に対して与える影響を低減することができて、導波光の光ロスを低減することができるものである。
【0075】
また、前記補強ブロックを、光導波層の端縁部のみに設けるため、補強ブロックをヒータの上面を避けて形成することができ、ヒータからの熱が補強ブロックに伝達されてヒータによる光導波層の加熱効率が低下してしまうことを防ぐことができて、光デバイスの熱光学特性を向上することができ、またヒータによる加熱の際の、光導波層と補強ブロックとの熱変形量の相違により補強ブロックと光導波層との間の剥離が発生することを抑制することもでき、また、補強ブロックを、光導波層に対して位置合わせするにあたり、補強ブロックが形成されている側の端縁のみにおいて位置合わせをすれば良くなり、補強ブロックの位置精度を向上することができるものである。
【0076】
また、コアとクラッドとからなる光導波層の一面に、光導波層の屈折率制御のためのヒータを設けた後、この光導波層の一面における、補強ブロックが設けられない部位に、光導波層との間で高い表面密着力を有し且つ光導波層に対して難接着性の位置決め用ブロックを配置した状態で、光導波層の一面に補強バーを、光導波層のクラッドよりも屈折率が低い接着層を介して接合して設けた後、位置決め用ブロックを光導波層の一面に配置した状態で、光導波層と補強バーとをダイシング法により端面が面一となるように同時に切削すると共に切断された補強バーにて補強ブロックを形成するものであり、前記補強バーは、ダイシング法によって切削加工される方向に長い角棒状であり、前記切削工程において前記補強バーの長手方向に沿った1面と長手方向に直交する2面とが形成され、前記長手方向に沿った1面に光導波路の端面が形成される。
【0077】
このため、補強ブロックを位置決め用ブロックにて位置決めして設けることができて補強ブロックの形成位置精度を向上することができ、またこの位置決めブロックにてクラッドと補強ブロックとの間からの接着剤の漏れを阻止することができ、光デバイスにおける光導波層の、補強ブロックが設けられない面に接着剤が付着することを防止して、この接着剤による光ロスの発生を防止することができるものである。
また、光導波層と補強ブロックの端面を容易に面一になるように形成することができ、またこのダイシングによる切削時に発生する削りカスが光導波層の上面へ付着することが位置決めブロックにより防止されて、光導波性能の悪化を防止することができるものである。
【0078】
請求項2の発明は、請求項1において、前記位置決めブロックを不透明な部材で形成すると共に、前記接着層を、光硬化型接着剤を光硬化させて形成するため、光硬化型接着剤の光硬化により接着層を形成する場合に、万一クラッドと補強ブロックとの間から位置決めブロックとクラッドとの間へ接着剤が漏れ出したとしても、光照射による接着剤の硬化時に位置決めブロックとクラッドとの間の接着剤に光が照射されることを位置決めブロックにより防止してこの接着剤の硬化を防止することができ、補強ブロックが設けられない面に付着した接着剤を容易に除去可能として、接着剤による光ロスの発生を防止することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す(a)は斜視図、(b)は断面図である。
【図2】同上の実施の形態における、ヒータの配置構成を説明するための模式図である。
【図3】同上の実施の形態における、使用形態の一例を示す斜視図である。
【図4】同上の一部拡大図である。
【図5】同上の一部拡大図である。
【図6】光デバイスの製造工程の一例を示す斜視図である。
【図7】同上の製造工程の一例を示す斜視図である。
【図8】同上の製造工程の一例を示す斜視図である。
【図9】同上の製造工程の一例を示す一部拡大した斜視図である。
【図10】同上の製造工程の一例を示す斜視図である。
【図11】同上の製造工程の一例を示す一部拡大した斜視図である。
【図12】同上の製造工程の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 光デバイス
2 光導波層
3 クラッド
4 コア
5 補強ブロック
6 ヒータ
7 接着層
17 位置決めブロック
Claims (2)
- コアとクラッドとからなる光導波層に対して、屈折率制御のためのヒータを設けた光デバイスにおいて、光導波層のヒータが設けられている側の面の端縁部のみに、光ファイバ接続用の補強ブロックを、光導波層のクラッドよりも屈折率が低い接着層を介して接合して設けて成る光デバイスの製造方法であって、
コアとクラッドとからなる光導波層の一面に、光導波層の屈折率制御のためのヒータを設けた後、この光導波層の一面における、補強ブロックが設けられない部位に、光導波層との間で高い表面密着力を有し且つ光導波層に対して難接着性の位置決め用ブロックを配置した状態で、光導波層の一面に補強バーを、光導波層のクラッドよりも屈折率が低い接着層を介して接合して設けた後、位置決め用ブロックを光導波層の一面に配置した状態で、光導波層と補強バーとをダイシング法により端面が面一となるように同時に切削すると共に切断された補強バーにて補強ブロックを形成するものであり、
前記補強バーは、ダイシング法によって切削加工される方向に長い角棒状であり、前記切削工程において前記補強バーの長手方向に沿った1面と長手方向に直交する2面とが形成され、前記長手方向に沿った1面に光導波路の端面が形成されることを特徴とする光デバイスの製造方法。 - 前記位置決めブロックを不透明な部材で形成すると共に、前記接着層を、光硬化型接着剤を光硬化させて形成することを特徴とする請求項1に記載の光デバイスの製造方法。
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