JP4377617B2 - コンデンサ、コンデンサ付き半導体素子、コンデンサ付き配線基板、および、半導体素子とコンデンサと配線基板とを備える電子ユニット - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、コンデンサ、コンデンサ付き半導体素子、コンデンサ付き配線基板、および半導体素子とコンデンサと配線基板とを備える電子ユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ICチップ(半導体素子)と配線基板とを直に接続せず、ICチップに対しノイズを除去しつつ良好な電力供給を行うため、ICチップと配線基板との間に、かかる配線基板の凹所に予め内蔵したコンデンサを介在させるICチップ搭載コンデンサ付き配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−349225号公報 (図1,10)
【0004】
しかしながら、上記ICチップ搭載コンデンサ付き配線基板では、その配線基板の凹所にコンデンサを絶縁樹脂を介して内蔵するため、当該配線基板のスペースを要し且つ内部配線の配置が困難になると共に、凹所を形成してコンデンサを内蔵するための工数を要する、という問題があった。
かかる問題を解決するため、ICチップの底面と配線基板の第1主面との間にコンデンサを配置することが考えられる。しかし、低い熱膨張係数のSiなどからなるICチップと高い熱膨張係数の絶縁樹脂からなる配線基板との間に、表面および裏面に接続端子を有するコンデンサを配置し且つこれらの接続端子を介してICチップおよび配線基板と接続すると、上記熱膨張率の差および上記コンデンサが一般的に低ヤング率であるため、コンデンサの本体が反ったり、何れかの接続部が破断する、という問題があった。
【0005】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、ICチップなどの半導体素子と主に絶縁樹脂からなる配線基板との間に確実に配置できるコンデンサ、該コンデンサ付き半導体素子、コンデンサ付き配線基板、半導体素子とコンデンサと配線基板とを備える電子ユニットを提供する、ことを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用ならびに発明の効果】
本発明は、上記課題を解決するため、上記コンデンサの本体を形成する誘電体層を、低熱膨張係数の誘電体層と、これよりも高熱膨張係数で且つ高誘電率の高誘電体層との積層体により構成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明のコンデンサは、半導体素子が実装される表面および配線基板の第1主面に実装される裏面を有するコンデンサ本体と、このコンデンサ本体に内蔵される内部電極と、上記コンデンサ本体における表面と裏面との間を貫通し且つ上記内部電極に接続されるビア導体と、を備え、上記コンデンサ本体は、少なくとも上記表面側および裏面側に位置し、低熱膨張係数で且つヤング率が200GPa以上である一対の誘電体層と、これらの間に位置し、高熱膨張係数で且つ上記誘電体層よりも高誘電率の高誘電体層と、を含む、ことを特徴とする。
【0007】
これによれば、少なくとも半導体素子が実装される表面側と裏面側とに低熱膨張係数である一対の誘電体層が位置し、これらの間に高熱膨張係数で且つ高誘電率の高誘電体層が位置する3層構造となっているので、裏面側に位置する一方の誘電体層は、隣接する高誘電体層の影響により熱膨張し易くなる。このため、半導体素子が実装される表面の電気的接続部はもとより、配線基板の第1主面に実装される裏面における電気的接続部も、熱的変化を受けても破断せず、且つコンデンサ自体も反らないため、安定した導通を確保することができる。
また、上記コンデンサを半導体素子と主に樹脂からなる配線基板との間に配置しても、半導体素子が実装されるコンデンサの表面および配線基板の第1主面に実装されるコンデンサの裏面における電気的接続部は、熱的変化を受けても破断せず且つコンデンサ自体も反ることがなく、安定した導通を確保することができる。
更に、前記誘電体層が200GPa以上の高ヤング率を有するので、該誘電体層が熱膨張による応力を受けても変形が小さく、その低い熱膨張特性を発揮する。
尚、上記ヤング率は、望ましくは300GPa以上である。
また、前記誘電体層の誘電率(εr)は、15未満であり、高誘電体層の誘電率(εr)は、15以上である。
【0008】
また、本発明には、前記コンデンサ本体の誘電体層の熱膨張係数は、10ppm/℃未満であり、高誘電体層の熱膨張係数は、10ppm/℃以上である、コンデンサも含まれる。
これによれば、前記誘電体層が200GPa以上の高ヤング率を有することと相まって、高誘電体層がこの高ヤング率の誘電体層間に挟まれた3層構造となり、剛性が向上する。このため、コンデンサ本体の反りを防ぎ、且つ電気的接続部の接続信頼性を一層高めることができる。
付言すれば、前記内部電極が、前記高誘電体層に内蔵され且つ間隔を明けて互いに対向している、コンデンサも本発明に含まれ得る。
【0009】
更に、本発明には、前記コンデンサ本体は、前記表面側、裏面側、および周辺部に位置する前記誘電体層と、かかる誘電体層に囲まれた当該コンデンサ本体の内側に内蔵される前記高誘電体層とからなる、コンデンサも含まれる。
これによれば、誘電体層とこれに包囲された高誘電体層とからなる2重構造となり、裏面側に位置する誘電体層は、隣接する高誘電体層の影響により熱膨張し易くなるため、前記と同様に表面および裏面側での電気的導通を確保できると共に、コンデンサ自体の反りも防止できる。
【0010】
一方、本発明のコンデンサ付き半導体素子は、前記コンデンサと、このコンデンサの表面に実装され且つ底面に接続端子を有する半導体素子と、を備えている、ことを特徴とする。これによれば、反りにくいコンデンサとその表面に実装される半導体素子とは、互いに低熱膨張係数の誘電体層の表面と半導体素子の本体底面との間で電気的に接続される。このため、コンデンサに蓄えられた電荷を最短距離で半導体素子内の回路素子に給電できると共に、上記電気的接続部は、熱的変化によっても破断することなく、安定した導通を確保することができる。
【0011】
また、本発明のコンデンサ付き配線基板は、前記コンデンサと、このコンデンサを実装する第1主面および第2主面を有し、少なくともかかる第1主面および第2主面が樹脂絶縁層により形成されている配線基板と、を備えている、ことを特徴とする。これによれば、上記配線基板とその第1主面に実装されるコンデンサとは、互いに高熱膨張係数の樹脂絶縁層と高誘電体層との間、あるいは高熱膨張係数の樹脂絶縁層と高誘電体層に隣接する誘電体層との間で電気的に接続される。このため、コンデンサに蓄えられた電荷を比較的短い導通経路で配線基板の内部配線に給電できると共に、熱的変化を受けても、コンデンサ自体が反らず、上記電気的接続部も破断することなく、安定した導通を確保することができる。尚、上記配線基板は、第1主面および第2主面が樹脂絶縁層により形成されていれば、コア基板がセラミックからなるものも含まれる。
【0012】
更に、本発明の電子ユニットは、前記コンデンサと、このコンデンサの表面に実装され且つ底面に接続端子を有する半導体素子と、上記コンデンサを実装する第1主面および第2主面を有し、少なくともかかる第1主面および第2主面が樹脂絶縁層により形成されている配線基板と、を備えている、ことを特徴とする。これによれば、コンデンサとその表面に実装される半導体素子とは、互いに低熱膨張係数の誘電体層の表面と半導体素子の本体底面との間で電気的に接続され、上記配線基板とその第1主面に実装されるコンデンサとは、互いに高熱膨張係数の樹脂絶縁層と高誘電体層などとの間で電気的に接続される。このため、コンデンサに蓄えられた電荷を、最短距離で半導体素子内の回路素子に給電したり、比較的短い導通経路で配線基板の内部配線に給電できる。しかも、熱的変化を受けても、コンデンサが反らず、半導体素子とコンデンサと配線基板との3者間の上記電気的接続部も破断することなく、安定した導通を確保することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図1(A)は、参考形態のコンデンサ1aの断面を示す。
コンデンサ1aは、図1(A)に示すように、後述する半導体素子が実装される表面2および後述する配線基板の第1主面に実装される裏面3を有するコンデンサ本体vと、表面2に形成された表面側バンプ5,8と、裏面3に形成された裏面側バンプ6,9と、を備えている。
また、コンデンサ本体vは、平面視が正方形または長方形であるほぼ板形状を呈し、図1(A)に示すように、表面2側に位置する低熱膨張係数で且つ高ヤング率(200GPa以上)の誘電体層u1と、その裏面3寄りに位置し高熱膨張係数で且つ誘電体層u1よりも高誘電率である高誘電体層u2とからなる。
【0014】
上記誘電体層u1は、低誘電率で且つ低熱膨張気数の例えばアルミナ(誘電率(εr):約10、熱膨張係数:約7ppm/℃)からなり、高誘電体層u2は、誘電体層u1よりも高誘電率で且つ高熱膨張係数の例えばBaTiO3(誘電率(εr):約2000〜3000、熱膨張係数:約13ppm/℃)からなる。
図1(A)に示すように、高誘電体層u2には、コンデンサ本体vの厚み方向にて対向する複数の内部電極10が内蔵され、これらは、コンデンサ本体vの中央寄りの部分を貫通する複数の電源用ビア導体(ビア導体)7aまたはグランド用ビア導体(ビア導体)7bの少なくとも何れかと接続されている。これらのビア導体7a,7bは、コンデンサ本体vの平面方向に沿って交互に配置され、且つ表面・裏面側バンプ8,9と接続されている。尚、電源用ビア導体7aおよびグランド用ビア導体7bを併せて、本発明のビア導体7となる。
【0015】
ここで、コンデンサ本体vは、電源用ビア導体7aに接続される内部電極10と、グランド用ビア導体7bに接続される内部電極10とが、交互に配設されている、いわゆるビアアレイ型積層コンデンサである。この積層コンデンサにおいては、電源用ビア導体7aとグランド用ビア導体7bに接続される内部電極10とが電気的に絶縁されており、且つグランド用ビア導体7bと電源用ビア導体7aに接続される内部電極10とが電気的に絶縁されている。
更に、図1(A)に示すように、コンデンサ本体vの周辺部には、内外2列の信号用ビア導体4が、上記内部電極10内の貫通孔を通じて表面2と裏面3との間を貫通し、且つ表面・裏面側バンプ5,6と接続されている。
尚、上記内部電極10、信号用ビア導体4、上記ビア導体7、表面側バンプ5,8、および裏面側バンプ6,9は、銅、金、銀、Ni、Pd、W、Mo、Sn、Tiなどの金属、あるいはこれらの何れかをベースとする合金からなる。
【0016】
以上のコンデンサ1aによれば、高誘電体層u2に内蔵された内部電極10,10間の静電容量に応じた電荷(電力)を、電源用ビア導体7aおよび表面側バンプ8を介して、表面2に実装される半導体素子(図示せず)に最短距離で給電できる。また、表面側バンプ5、信号用ビア導体4、および裏面側バンプ6を介して、上記半導体素子と裏面3が実装される配線基板(図示せず)との間の信号の送信および受信を図ることができる。
しかも、Siなどからなる比較的低熱膨張係数の半導体素子と、主に絶縁樹脂からなる比較的高熱膨張係数の配線基板との間において、熱的変化を受けても、コンデンサ本体vが反らず、表面側バンプ5,8および裏面側バンプ6,9と接続すべき相手方の接続端子との間における電気的接続部の破断を確実に防止することができる。
従って、コンデンサ1aによれば、半導体素子の電源、および半導体素子と配線基板との間の信号の中継を安定して果たすことが可能となる。換言すれば、コンデンサ1aは、コンデンサ内蔵中継基板(インターポーザ)でもある。
【0017】
図1(B)は、本発明による1形態のコンデンサ1bの断面を示す。
コンデンサ1bは、図1(B)に示すように、前記同様の表面2および裏面3を有するコンデンサ本体vと、表面側バンプ5,8と、裏面側バンプ6,9と、を備えている。コンデンサ本体vは、表面2側に位置する前記同様の誘電体層u1と、その裏面3寄りに位置する前記同様の高誘電体層u2と、その裏面3寄りに位置する誘電体層u1とからなる、3層の積層体である。
図1(B)に示すように、中層の高誘電体層u2には、複数の内部電極10が前記同様に内蔵され、これらはコンデンサ本体vの中央寄りの部分を貫通する複数の電源用ビア導体7aまたはグランド用ビア導体7bの何れかと接続されると共に、これらのビア導体7a,7bは、表面・裏面側バンプ8,9の何れかと接続されている。
更に、図1(B)に示すように、コンデンサ本体vの周辺部には、前記同様の信号用ビア導体4が、上記内部電極10内の貫通孔を通じて表面2と裏面3との間を貫通し、且つ表面・裏面側バンプ5,6と個別に接続されている。
【0018】
以上のようなコンデンサ1bによっても、内部電極10,10間の電荷を、電源用ビア導体7aと表面側バンプ8とを介して、表面2に実装される半導体素子に最短距離で給電でき、表面・裏面側バンプ5,6および信号用ビア導体4を介して、上記半導体素子と裏面3が実装される配線基板との間の信号の送・受信を図れる。また、裏面3側にも低熱膨張係数で且つ低誘電率の比較的薄い誘電体層u1が位置しているが、コンデンサ本体vは、前記3層構造であるため、一対の誘電体層u1とその間に挟持された高誘電体層u2とが互いに熱膨張(熱収縮)に伴う応力を打ち消し合う。この結果、比較的低い熱膨張係数の半導体素子と、主に絶縁樹脂からなる比較的高い熱膨張係数の配線基板との間において、熱的変化を受けても、コンデンサ本体vが反らず、表面側バンプ5,8および裏面側バンプ6,9と接続すべき相手方の接続端子との間における電気的接続部の破断を確実に防止できる。
尚、コンデンサ1bについても、コンデンサ内蔵中継基板(インターポーザ)と言い得る。また、給電(デカップリング)機能の観点から、高誘電体層u2の位置は、コンデンサ本体vの厚さ方向の中央か、あるいはやや表面2寄り、即ち、表面2側の誘電体層u1の厚みと同等か、それよりも薄いことが望ましい。
【0019】
図1(C)は、更に異なる形態のコンデンサ1cの断面を示す。
コンデンサ1cも、図1(C)に示すように、前記同様の表面2および裏面3を有するコンデンサ本体vと、表面側バンプ5,8と、裏面側バンプ6,9と、を備えている。コンデンサ本体vは、表面2側と裏面3側と周辺部とに位置する前記同様の誘電体層u1と、これらに囲まれ且つ表面2側の誘電体層u1よりも裏面3寄りに位置する前記同様の高誘電体層u2と、からなる2重構造体である。図1(C)に示すように、コンデンサ本体vの中程に位置する高誘電体層u2に、複数の内部電極10が前記同様に内蔵され、これらはコンデンサ本体vの中央寄りの部分を貫通する複数の電源用ビア導体7aまたはグランド用ビア導体7bの何れかと接続される。これらのビア導体7a,7bは、表面・裏面側バンプ8,9と接続されている。
【0020】
更に、図1(C)に示すように、コンデンサ本体vの周辺部には、前記同様の信号用ビア導体4が、上記内部電極10内の貫通孔を通じて表面2と裏面3との間を貫通し、且つ表面・裏面側バンプ5,6と個別に接続されている。
以上のようなコンデンサ1cによっても、その表面2に実装される半導体素子に最短距離で給電でき、信号用ビア導体4などを介して、上記半導体素子と裏面3が実装される配線基板との間の信号の送・受信を図れる。また、コンデンサ本体vは、前記のよう2重構造であるため、周辺部の誘電体層u1とこれに包囲されたに誘電体層u2とが互いに熱膨張(熱収縮)を打ち消し合うので、半導体素子と主に絶縁樹脂からなる配線基板との間で熱的変化を受けても、当該コンデンサvは反らない。しかも、表面側バンプ5,8や裏面側バンプ6,9と接続すべき相手方の接続端子との間における電気的接続部の破断を確実に防止できる。
尚、コンデンサ1cついても、コンデンサ内蔵中継基板(インターポーザ)と言い得る。また、給電(デカップリング)機能の観点から、高誘電体層u2の位置は、コンデンサ本体vの厚さ方向の中央か、あるいはやや表面2寄り、即ち、表面2側に位置する誘電体層u1の厚みと同等か、それよりも薄いことが望ましい。
【0021】
ここで、前記コンデンサ1a〜1cの製造方法について、コンデンサ1bを例として図2により説明する。図2(A)に示すように、追って前記コンデンサ本体vの誘電体層u1,u1やその間に配置される高誘電体層u2となる複数のグリーンシートS1〜S8を予め用意する。誘電体層u1となるグリーンシートS1,S2,S7,S8は、厚みが約20〜150μmで且つアルミナを主成分とする。また、高誘電体層u2となるグリーンシートS3〜S6は、厚みが約1〜10μmでBaTiO3を主成分とし、厚みが約25〜50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)からなる図示しないキャリアフィルム上に形成されている。
先ず、図2(A)に示すように、グリーンシートS1〜S8における所定の位置に、炭酸ガスレーザなどにより、内径約90μmのビアホールhを貫通させる。この際、グリーンシートS3〜S6については、隣接する上記キャリアフィルムを貫通しないように、ビアホールhを形成する。
【0022】
次に、図示しないメタルマスクおよびスキージを用いて、図2(B)に示すように、グリーンシートS1,S2,S7,S8の各ビアホールh内に、例えばW粉末を含む導電性ペーストからなるビア導体4c,7cを充填する。また、グリーンシートS3〜S6の上面やビアホールhにスクリーン印刷により、導電性ペーストからなる内部電極10およびビア導体4c,7cを形成・充填する。
図2(B)に示すように、上記スクリーン印刷により内部電極10を形成する際、導電性ペーストからなるビア導体4cは、内部電極10と絶縁されるように形成される。また、追って電源用ビア導体7aとなる導電性ペーストからなるビア導体7cは、グリーンシートS3,S5上面の内部電極10と電気的に絶縁されるように形成される。更に、追ってグランド用ビア導体7bとなる導電性ペーストからなるビア導体7cは、グリーンシートS4,S6上面の内部電極10と電気的に絶縁されるように形成される。
【0023】
次いで、図2(B)中の矢印で示すように、グリーンシートS1〜S8を圧着しつつ積層した後、公知の温度域で所定時間にわたって焼成する。
そして、図2(B)に示すように、焼成後のグリーンシートS1の上面にスクリーン印刷により、上記同様の導電性ペーストからなるほぼ半球形の表面側バンプ5,8を、焼成後のグリーンシートS8の下面にも同様の方法で裏面側バンプ6,9を形成する。表面側バンプ5,6は信号用ビア導体4に、裏面側バンプ8,9は電源用ビア導体7aまたはグランド用ビア導体7bに接続される。
【0024】
その結果、前記図1(B)に示したような、表面2および裏面3を有するコンデンサ本体vとこれを貫通する信号用ビア導体4およびビア導体7(7a,7b)を含むコンデンサ1bが得られる。
尚、グリーンシートS7,S8にBaTiO3もを適用することで、前記コンデンサ1aを得ることができる。また、グリーンシートS3〜S6を、誘電体層u1となるアルミナ製の平面視が四角枠形のグリーンシートと、その内側に高誘電体層u2となるBaTiO3を含む絶縁性ペーストをスクリーン印刷で充填した後、前記ビアホールhの穿孔や導電性ペーストからなるビア導体4c,7cの充填などを行うことで、前記コンデンサ1cを得ることができる。
更に、誘電体層u1は、前記アルミナのほか、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラスセラミック、または低温焼成セラミックとしても良く、高誘電体層u2も前記のBaTiO3ほか、SrTiO3、PbTiO3、(Ba・Sr)TiO3としても良い。
【0025】
図3(A)は、前記コンデンサ1bの表面2にICチップ(半導体素子)12を実装する直前の状態を示す。かかるICチップ12は、例えば一辺が10mmの平板形状で且つ熱膨張係数が約3ppm/℃と低いSiの本体13からなり、MPUとして機能する回路素子(図示せず)が形成されている。また、図3(A)に示すように、本体13の底面14には、バンプ状の複数の接続端子16,18が形成されている。このうち、接続端子16は、底面14の周辺に内外2列で位置し、これらの内側に接続端子18が格子状または千鳥状に位置している。
図3(A)に示すように、ICチップ12における底面14の周辺に位置する接続端子16は、コンデンサ1bにおける表面2の周辺部に位置する表面側バンプ5と個別に対向し、ICチップ12の接続端子18は、コンデンサ1bにおける表面2の中央寄りに位置する表面側バンプ8と個別に対向している。
【0026】
コンデンサ1bの表面側バンプ5,8に溶けたハンダ19を載せた状態で、各ハンダ19にICチップ12の接続端子16,18を個別に接合する。
その結果、図3(B)に示すように、各ハンダ19を介して対向する表面側バンプ5,8と接続端子16,18とが個別に電気的接続され、コンデンサ1bの表面2にICチップ12が実装された本発明のコンデンサ付き半導体素子20が形成される。尚、コンデンサ1bの表面側バンプ5,8がハンダ19と同等の低融点の金属などからなる場合は、上記ハンダ19を省き、これらをICチップ12の接続端子16,18と直に接合するようにしても良い。
コンデンサ付き半導体素子20によれば、図3(B)に示すように、コンデンサ1bにおいて蓄えられた電荷が、電源用ビア導体7a、表面側バンプ8、ハンダ19、および接続端子18を介してICチップ12に最短距離で給電される。
【0027】
また、図3(B)に示すように、ICチップ12の接続端子16は、ハンダ19、コンデンサ1bの表面側バンプ5、信号用ビア導体4、および裏面側バンプ6に導通されている。このため、コンデンサ付き半導体素子20のコンデンサ1bを主に絶縁樹脂からなる配線基板(図示せず)の第1主面に実装した際、ICチップ12の回路素子と上記配線基板の内部配線との信号の送・受信を上記導通経路を介して行うことができる。しかも、ICチップ12のSiからなる本体13の底面14側には、コンデンサ1bの表面2側の誘電体層u1が位置するため、両者間の熱膨張係数の差を小さくできる。一方、コンデンサ1bの裏面3側に位置する高ヤング率の誘電体層u1は、隣接する高熱膨張係数の高誘電体層u2の影響により、上記配線基板との間における熱膨張係数の差を小さくできる。
【0028】
従って、以上のコンデンサ付き半導体素子20によれば、ICチップ12への安定した電力供給が行え、且つこれ自体を第1主面に実装する配線基板との信号配線を確実に取れると共に、これらが熱的変化を受けても、コンデンサ1bの本体vが反らず、且つICチップ12、コンデンサ1b、および上記配線基板の間の接続部の破断を確実に防止できる。
尚、コンデンサ付き半導体素子20のコンデンサ1bに替え、前記コンデンサ1cを用いても良い。
【0029】
図4は、コンデンサ1bを配線基板22の第1主面40に実装した本発明のコンデンサ付き配線基板46の断面を示す。
配線基板22は、図4に示すように、厚み方向の中央付近に位置するコア基板23と、その表面24の上方に位置する樹脂絶縁層32,38と、コア基板23の裏面25の上方(図示で下方)に位置する樹脂絶縁層33,39と、を含んだ多層基板である。コア基板23は、厚みが約800μmの例えばガラス−エポキシ樹脂系の複合材からなり、その表面24と裏面25との間には、複数のスルーホール26、かかるスルーホール26の内壁に沿って形成され且つ銅メッキ膜からなるほぼ円筒形のスルーホール導体27、およびそれらの内側に充填される充填樹脂28が形成されている。
尚、コア基板23は、セラミックとすることもでき、かかるセラミックには、アルミナ、ガラスセラミック、ムライト、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約1000℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成セラミックを用いることもできる。
【0030】
また、図4に示すように、コア基板23の表面24と裏面25には、所定パターンを有し且つ銅メッキからなる厚みが約15μmの配線層30,31が個別に形成され、且つ上記スルーホール導体27の上端または下端と接続される。更に、樹脂絶縁層32,33は、厚みが約40μmで例えばシリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ系樹脂からなり、最上層および最下層の樹脂絶縁層(ソルダーレジスト層)38,39は、厚みが約25μmで上記同様の樹脂からなる。かかる樹脂絶縁層38,39は、第1・第2主面40,41を形成している。
更に、図4に示すように、上方の樹脂絶縁層32,38間には、銅メッキからなり且つ所定パターンを有する厚みが約15μmの配線層36が形成され、この配線層36はビア導体(フィルドビア)34を介して上記配線層30と接続されている。また、下方の樹脂絶縁層33,39間にも上記同様の配線層37が形成され、この配線層37はビア導体35を介して上記配線層31と接続されている。
【0031】
最上層と最下層の樹脂絶縁層38,39における所定の位置には、レーザ加工などによる開口部43などが形成され、それらの底面には配線層36,37から延びた第1接続端子42と第2接続端子45とが個別に位置する。
図4に示すように、第1接続端子42上には、第1主面40よりも高く突出するほぼ半球形のハンダバンプ44が設けられる。このハンダバンプ44は、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Cu系、Sn−Zn系、Pb−Sn系などの低融点合金からなり、図4に示すように、第1主面40に実装されるコンデンサ1bの裏面側バンプ6,9と個別に電気的接続される。
【0032】
一方、第2接続端子(ランド)45は、その表面にNiメッキとAuメッキとが被覆され、図示しないマザーボードなどのプリント基板との導通に活用される。即ち、配線基板22は、ランドグリッドアレイ(LGA)である。
尚、以上のような配線基板22は、公知のセミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術などにより形成される。また、第2接続端子45の表面に導体ピンまたは導体ボールを接合して、配線基板22をピングリッドアレイ(PGA)またはボールグリッドアレイ(BGA)としても良い。
【0033】
以上のコンデンサ付き配線基板46では、図4に示すように、コンデンサ1bにおいて蓄えられた電荷を、電源用ビア導体7a、裏面側バンプ9、ハンダバンプ44、および第1接続端子42を介して、配線基板22の配線層36,30などに比較的短い導通経路で給電できる。また、配線基板22における左右両側の配線層36,30などからの信号は、第1接続端子42、ハンダバンプ44、コンデンサ1bの裏面側バンプ6、および信号用ビア導体4を介して表面側バンプ5に送信される。このため、コンデンサ1bの表面2に実装される例えば前記ICチップ12の接続端子16と上記表面側バンプ5とを直に接合するか、あるいは前記ハンダ19を介して接続することにより、上記信号をICチップ12の回路素子に送信したり、これと逆向きに信号を送信することができる。
【0034】
従って、コンデンサ付き配線基板46によれば、配線基板22の内部配線への安定した電力供給が行え、且つコンデンサ1bを中継基板として、その表面2に実装されるICチップ12などと配線基板22との信号配線を確実に取れる。また、コンデンサ1bの裏面3側に位置する高ヤング率の誘電体層u1は、隣接する高熱膨張係数の高誘電体層u2の影響により、配線基板22との間における熱膨張係数の差を小さくできる。このため、これらが熱的変化を受けても、コンデンサ1bの本体vが反らず、且つコンデンサ1bと配線基板22との間の電気的接続部の破断を確実に防止できる。尚、コンデンサ付き配線基板46のコンデンサ1bに替え、前記コンデンサ1cを用いても良い。
【0035】
図5は、前記コンデンサ付き半導体素子20を配線基板22の第1主面40に実装した本発明の電子ユニット(半導体パッケージ)48の断面を示す。
即ち、図5に示すように、配線基板22の第1主面40に突出する複数のハンダバンプ44上に、コンデンサ付き半導体素子20のコンデンサ1bの裏面3に位置して対向する裏面側バンプ6,9を個別に載置し且つ所定温度に加熱する。この結果、コンデンサ1bの裏面側バンプ6,9と配線基板22の各ハンダバンプ44とは、図5に示すように、互いに接合されて電子ユニット48を得ることができる。尚、前記コンデンサ付き配線基板46のコンデンサ1bの表面側バンプ5,8上に、ICチップ12の底面に設けた接続端子18,19と直にあるいは前記ハンダ19を介して接合する方法でも、電子ユニット48が得られる。
【0036】
以上のような電子ユニット48では、図5に示すように、コンデンサ1bにおいて蓄えられた電荷を、電源用ビア導体7a、表面側バンプ8、ハンダ19、および接続端子18を介して、ICチップ12に最短距離で給電できる。
あるいは、電源用ビア導体7a、裏面側バンプ9、ハンダバンプ44、および第1接続端子42を介して、配線基板22の配線層36,30などにも比較的短い導通経路で給電することが可能である。
また、図5に示すように、配線基板22における左右両側の配線層36,30などからの信号は、第1接続端子42、ハンダバンプ44、コンデンサ1bの裏面側バンプ6、信号用ビア導体4、表面側バンプ5、ハンダ19、および接続端子16を介してICチップ12に送信される。一方、ICチップ12からの信号は、上記経路を逆向きにして、配線基板22の配線層36などに送信される。
尚、配線基板22の配線層36などからの信号は、図5で左右両側のスルーホール導体27や下層側の配線層31,37など、および第2接続端子45を介して、図示しないマザーボードなどに送信される。
【0037】
更に、ICチップ12のSiからなる本体13の底面14側には、コンデンサ1bの表面2側の誘電体層u1が位置するため、両者間の熱膨張係数の差を小さくできる。一方、コンデンサ1bの裏面3側の誘電体層u1は、隣接する高熱膨張係数の高誘電体層u2の影響により、樹脂絶縁層38,32などを含む配線基板22との間における熱膨張係数の差を小さくできる。
従って、以上のような電子ユニット48によれば、コンデンサ1bからICチップ12への安定した電力供給が行え、且つ配線基板22への電力供給も容易である。また、コンデンサ1bを中継基板としてICチップ12と配線基板22との間の信号配線も容易に形成でき、これらの動作を高速且つ正確に成さしめることが可能となる。更に、ICチップ12、コンデンサ1b、および配線基板22が熱的変化を受けても、コンデンサ1bの本体vが反らず、且つこれら3者間における電気的接続部の破断を阻止して、上記3者間での安定した導通を取ることを保障できる。尚、電子ユニット48のコンデンサ1bに替え、前記コンデンサ1cを用いても良い。
【0038】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記コンデンサ1bの製造方法は、前記グリーンシートS3〜S6の上面に内部電極10となる導体のパターンを形成し、グリーンシートS1〜S8を積層した後、レーザ加工などにより上記シートS1〜S8間を貫通する長いビアホールhを形成し、かかるビアホールhに導電性ペーストを充填してから焼成する順序にしても良い。あるいは、コンデンサ1bなどの製造方法は、ビアホールhを貫通させた前記グリーンシートS1〜S8を個別に焼成した後、導電性ペーストの充填および印刷し、上記シートS1〜S8を積層して焼成する後焼成法を行っても良い。
【0039】
また、前記半導体素子は、前記Siとほぼ同等の熱膨張係数を有する素材からなるICチップとしても良く、あるいはICチップに替えて、サーミスタ、光導電素子、パリスタ、ホール素子、フォトトランジスタ、トリガ素子、太陽電池、EFT、SCR、カプラなどとしも良い。
更に、前記配線基板22におけるコア基板23の素材は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビスマレイミド・トリアジン(BT)樹脂、エポキシ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはBT樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するPTFEなど3次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可能である。
【0040】
また、前記配線基板22における絶縁層32,33などの素材は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、BT樹脂、PPE樹脂、あるいは、連続気孔を有するPTFEなど3次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Eガラス、Dガラス、Qガラス、Sガラスの何れか、またはこれらのうちの2種類以上を併用したものとしても良い。
【0041】
更に、前記配線基板22における配線層30などやスルーホール導体27などの材質は、銅(Cu)メッキの他、Ag、Ni、Ni−Au系などにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
また、前記配線基板22のビア導体は、前記フィルドビア導体34などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体としても良い。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
加えて、前記配線基板22は、コア基板23の表面24および裏面25の少なくとも一方の上方に、複数の樹脂絶縁層とこれらの間に配置される複数の配線層とからなるビルドアップを備えた形態としも良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は参考形態のコンデンサを、(B)と(C)は本発明の互いに異なる形態のコンデンサを示す断面図。
【図2】(A),(B)は図1(B)のコンデンサの製造工程を示す概略図。
【図3】(A),(B)は本発明のコンデンサ付き半導体素子の製造工程または断面を示す概略図。
【図4】本発明のコンデンサ付き配線基板の断面を示す概略図。
【図5】本発明の電子ユニットの断面を示す概略図。
【符合の説明】
1b,1c…コンデンサ
2……………表面
3……………裏面
7……………ビア導体
7a…………電源用ビア導体(ビア導体)
7b…………グランド用ビア導体(ビア導体)
10…………内部電極
12…………ICチップ(半導体素子)
14…………底面
16,18…接続端子
20…………コンデンサ付き半導体素子
22…………配線基板
38,39…樹脂絶縁層
40…………第1主面
41…………第2主面
46…………コンデンサ付き配線基板
48…………電子ユニット
v……………コンデンサ本体
u1…………誘電体層
u2…………高誘電体層
Claims (6)
- 半導体素子が実装される表面および配線基板の第1主面に実装される裏面を有するコンデンサ本体と、
上記コンデンサ本体に内蔵される内部電極と、
上記コンデンサ本体における表面と裏面との間を貫通し且つ上記内部電極に接続されるビア導体と、を備え、
上記コンデンサ本体は、少なくとも上記表面側および裏面側に位置し、低熱膨張係数で且つヤング率が200GPa以上である一対の誘電体層と、これらの間に位置し、高熱膨張係数で且つ上記誘電体層よりも高誘電率の高誘電体層と、を含む、
ことを特徴とするコンデンサ。 - 前記コンデンサ本体の誘電体層の熱膨張係数は、10ppm/℃未満であり、上記コンデンサ本体の高誘電体層の熱膨張係数は、10ppm/℃以上である、
ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ。 - 前記コンデンサ本体は、前記表面側、裏面側、および周辺部に位置する前記誘電体層と、かかる誘電体層に囲まれた当該コンデンサ本体の内側に内蔵される前記高誘電体層とからなる、
ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ。 - 請求項1〜3の何れかに記載のコンデンサと、
上記コンデンサの表面に実装され且つ底面に接続端子を有する半導体素子と、を備えている、ことを特徴とするコンデンサ付き半導体素子。 - 請求項1〜3の何れかに記載のコンデンサと、
上記コンデンサを実装する第1主面および第2主面を有し、少なくともかかる第1主面および第2主面が樹脂絶縁層により形成されている配線基板と、
を備えている、ことを特徴とするコンデンサ付き配線基板。 - 請求項1〜3の何れかに記載のコンデンサと、
上記コンデンサの表面に実装され且つ底面に接続端子を有する半導体素子と、
上記コンデンサを実装する第1主面および第2主面を有し、少なくともかかる第1主面および第2主面が樹脂絶縁層により形成されている配線基板と、
を備えている、ことを特徴とする電子ユニット。
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