JP4374337B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ステップ・モード
ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一の静止露光)。次に、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モード
走査モードでは、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間にマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)およびイメージ反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また走査運動の長さによってターゲット部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
(3)その他のモード
その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するようにマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に基板テーブルWTが移動もしくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射線パルスと放射線パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
C=Q/V [1]
および、
C=(ε0εrA)/d [2]
ここで、
Cは静電容量[F]
Qは静電荷[As]
Vは電位[V]
ε0は誘電率8.9e−12[F/m]
εrは真空の相対誘電率=1[]
Aはプローブ面積[m^2]
dはプローブとウェハの間の距離[m]
を使用して、プローブ19とウェハ6(あるいは静電荷の発生を走査すべきウェハ・サポート自体もしくはマスク、レチクルあるいはフィデューシャルを含む他の任意の物品)の間の電位差およびウェハ6の電荷分布を計算することができる。プローブ19をゼロにするために、接地表面25、例えばアライメントの目的で使用されるTISプレートをウェハ・ステージ26の上に使用することができる。プローブ20をゼロにすることにより、すべての電荷をプローブ20から移動させることができ、電圧をゼロに設定することができる。
C 基板のターゲット部分
IF1、IF2 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
PM 第1のポジショナ
PS 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル
1 物品サポート(ウェハ支持テーブル、ウェハ・テーブル)
2 突起
3 支持ゾーン
4 周囲の壁
6 ウェハ
7a、7b クランプ電極
9 ウェハ表面
10 マルチ・ステージ・フォトリソグラフィ装置
11 制御回路
12 マルチ・ウェハ支持テーブル
13 アライメント環境
14 レチクル
15 フォト照明環境
16 信号線
17 処理機構
18 電荷マッピング構造
19 電荷マップ
20 プローブ
21 サンプル/ホールド回路
22 A/D変換回路
23 プロセッサ
24 運動制御回路
25 接地表面
26 ウェハ・ステージ
27 分配構造
28 電子放出デバイス
Claims (20)
- 放射線ビームを提供するようになされた照明システムと、
前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を支持するようになされた物品サポートと、
前記物品を前記物品サポート対してクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされた多極クランプと、
前記物品に応答して動作し、前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷に応じて、前記多極クランプの少なくとも1つの電極をバイアスするためのバイアス電圧回路と、
を有するリソグラフィ装置。 - 前記少なくとも1つの電極をバイアスするためのバイアス電圧は、前記物品に生じる光電効果静電荷の2倍である、
請求項1記載のリソグラフィ装置。 - 前記バイアス電圧回路が状態検出回路に結合され、また前記状態検出回路に応答して動作するように構成されている、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記状態検出回路が、前記物品の前記光電効果静電荷の電荷状態を検出する検出器を有し、
前記照明システムが、極端紫外放射線ビームを提供するようになされている、
請求項3に記載のリソグラフィ装置。 - 前記状態検出回路が、前記物品の照明状態を検出する検出器を有している、
請求項3に記載のリソグラフィ装置。 - 前記物品の前記光電効果静電荷を中和するために該物品に荷電粒子を分配するためのディスペンサをさらに有している、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記物品に正の光電効果静電荷が生じ、
前記ディスペンサが電子放出デバイスを有している、
請求項6に記載のリソグラフィ装置。 - 前記ディスペンサが電荷状態検出器に応答して動作するように構成されている、
請求項6又は7に記載のリソグラフィ装置。 - 前記電荷状態検出器が容量電極を有している、
請求項8に記載のリソグラフィ装置。 - 前記電荷状態検出器が前記物品の電荷マップを提供するように構成されている、
請求項8又は9に記載のリソグラフィ装置。 - 放射線ビームを提供するようになされた照明システムと、
前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を支持するようになされた物品サポートと、
前記物品を前記物品サポートに対してクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされたクランプと、
前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷の電荷状態を検出する検出器と、
を有するリソグラフィ装置。 - 放射線ビームを提供するようになされた照明システムと、
前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を支持するようになされた物品サポートと、
前記物品を前記物品サポートに対してクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされた多極クランプと、
前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷を中和するための導電流体を分配するための流体ディスペンサと、
を有するリソグラフィ装置。 - 前記物品に正の光電効果静電荷が生じ、
前記流体ディスペンサが電子放出デバイスを有している、
請求項12に記載のリソグラフィ装置。 - 前記物品サポートが、前記放射線ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化デバイスを支持するようになされたサポートである、
請求項1〜13のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記物品サポートが、基板のターゲット部分へのパターン化放射線ビームによってパターン化する基板を支持するようになされた基板テーブルである、
請求項1〜13のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 物品を支持するようになされた物品サポートであって、
前記物品を前記物品サポートに対してクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされた多極クランプと、
前記物品に応答して動作し、前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷に応じて、前記多極クランプの少なくとも1つの電極をバイアスするためのバイアス電圧回路と、
を備えた物品サポート。 - 放射線ビームによってパターンを転送するステップと、
前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を、多極クランプを使用してクランプするステップと、
前記物品を前記ビーム光路中に移動させるステップと、
前記物品を照射している間に、前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷に応じて、前記多極クランプの少なくとも1つの電極をバイアスするステップと、
を含むデバイス製造方法。 - 放射線ビームによってパターンを転送するステップと、
前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を、多極クランプを使用してクランプするステップと、
前記物品を前記ビーム光路中に移動させるステップと、
前記物品を前記ビーム光路から除去する前に、前記ビームによって前記物品に生じる前記光電効果静電荷の電荷状態を検出するステップと、
を含むデバイス製造方法。 - 放射線ビームによってパターンを転送するステップと、
前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を、多極クランプを使用してクランプするステップと、
前記物品を前記ビーム光路中に移動させるステップと、
前記物品を前記ビーム光路から除去する前に、前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷を中和するための導電流体を分配するステップと、
を含むデバイス製造方法。 - パターンをパターン化デバイスから基板へ転送するため、および並行して転送ステップを、あるいは予備転送ステップを複数のステージに対して実行するためのマルチ・ステージ・リソグラフィ装置であって、
放射線ビームを提供するようになされた照明システムと、
複数のステージと、
を有するマルチ・ステージ・リソグラフィ装置において、
前記各ステージが、
(i)前記放射線ビームのビーム光路に配置する物品を支持するようになされたサポートであって、前記物品を前記サポートに対してクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされた多極クランプ、および、前記物品に応答して動作し、かつ、前記ビームによって前記物品に生じる光電効果静電荷に応じて、前記多極クランプの少なくとも1つの電極をバイアスするためのバイアス電圧回路を有し、前記物品が前記パターン化デバイスおよび前記基板のうちのいずれかであるサポートと、
(ii)前記ステージの状態を検出するためのステージ状態検出回路と、
(iii)前記ステージ状態検出回路によって検出された前記ステージの状態に基づいて前記バイアス電圧回路を制御するためのバイアス電圧制御回路と、
を有していることを特徴とするマルチ・ステージ・リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/970,733 US7041989B1 (en) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006128676A JP2006128676A (ja) | 2006-05-18 |
JP4374337B2 true JP4374337B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=36272269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005306503A Active JP4374337B2 (ja) | 2004-10-22 | 2005-10-21 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7041989B1 (ja) |
JP (1) | JP4374337B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7279690B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-10-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5125505B2 (ja) | 2005-04-25 | 2013-01-23 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7268357B2 (en) * | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and method |
WO2008053918A1 (fr) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de liquide, procédé de maintien de liquide, appareil d'exposition, procédé d'exposition et procédé de fabrication du dispositif |
JP5137635B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置 |
JP2017157641A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP6917479B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-08-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | システム、リソグラフィ装置、及び基板サポート上における酸化の低減又は酸化物の除去方法 |
KR20210010849A (ko) * | 2018-04-12 | 2021-01-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 정전 클램프를 포함하는 장치 및 그 장치의 작동 방법 |
US20220342315A1 (en) * | 2019-07-08 | 2022-10-27 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus |
US20220308465A1 (en) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for removing contamination |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3101954B2 (ja) * | 1990-12-27 | 2000-10-23 | 京セラ株式会社 | 静電チャックの制御装置 |
JP3664745B2 (ja) * | 1994-03-01 | 2005-06-29 | 富士通株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
JP3913355B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2007-05-09 | 株式会社アルバック | 被吸着物の処理方法 |
US5933314A (en) * | 1997-06-27 | 1999-08-03 | Lam Research Corp. | Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks |
US6178221B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-01-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography reflective mask |
JP3459790B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2003-10-27 | 山形日本電気株式会社 | 除電機能付静電チャック及び静電チャックの除電方法 |
TWI223734B (en) * | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
US6465795B1 (en) * | 2000-03-28 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Charge neutralization of electron beam systems |
US6778258B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-17 | Asml Holding N.V. | Wafer handling system for use in lithography patterning |
JP2004047511A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
US7092231B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4002169B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2007-10-31 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
TWI304158B (en) * | 2003-01-15 | 2008-12-11 | Asml Netherlands Bv | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly |
TWI275913B (en) * | 2003-02-12 | 2007-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method to detect correct clamping of an object |
EP1498777A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder and lithographic projection apparatus |
US7110091B2 (en) * | 2003-07-23 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6897945B1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7245357B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-10-22 US US10/970,733 patent/US7041989B1/en active Active
-
2005
- 2005-10-21 JP JP2005306503A patent/JP4374337B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060097201A1 (en) | 2006-05-11 |
US7041989B1 (en) | 2006-05-09 |
JP2006128676A (ja) | 2006-05-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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