JP4371976B2 - 電界電子放出装置 - Google Patents
電界電子放出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4371976B2 JP4371976B2 JP2004293251A JP2004293251A JP4371976B2 JP 4371976 B2 JP4371976 B2 JP 4371976B2 JP 2004293251 A JP2004293251 A JP 2004293251A JP 2004293251 A JP2004293251 A JP 2004293251A JP 4371976 B2 JP4371976 B2 JP 4371976B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- electron emission
- hole
- gate electrode
- field electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1における電界電子放出装置の構成を示す斜視図である。図1に示すように、基板10上には複数のカソード電極11a〜11dの各々が形成されている。また、基板10上には絶縁膜2を介して複数のゲート電極3a,3bの各々が形成されている。複数のゲート電極3a,3bの各々は列方向(図1中縦方向)に延びており、複数のカソード電極11a〜11dの各々は行方向(図1中横方向)に延びている。複数のゲート電極3a,3bの各々と複数のカソード電極11a〜11dの各々とは交差するように配置されている。複数のゲート電極3a,3bの各々と複数のカソード電極11a〜11dの各々との各交差部近傍にドットが形成されている。本実施の形態では、1つのドットが3個のゲートホール(孔)6で形成されている。3個の孔6の各々は行方向に並んでいる。列方向に延びたゲート電極3a,3bのうちいずれかに電圧を印加して、行方向に延びたカソード電極11a〜11dのうちいずれかに電圧を印加することにより、電圧を印加した電極同士が交差する位置に形成されたドットを選択することができる。なお、図1では1つのドットが3個のゲートホールで形成されている場合について示したが、このような場合に限定されるものではなく、1つのドットは、通常3個〜約5000個のゲートホールで形成されている。本願発明者らは1つのドットが約200個のゲートホールで形成されている場合を特に想定している。
図7は、本発明の実施の形態2における電界電子放出装置の構成を示す断面図である。図7に示すように、本実施の形態の電界電子放出装置1aにおいて、第2絶縁膜としての絶縁膜18がゲート電極3aに開口された孔6bの内壁面に沿って形成されている。絶縁膜18は孔6bの内壁面から下方に向かって孔6aの内壁面にまで延びており、カソード電極11bに達している。また、絶縁膜18は孔6bの内壁面から上方に向かって延びており、ゲート電極3aの上面にまで延びている。絶縁膜18付近のカソード電極11bの表面には凹部12が形成されている。カソード電極11bはアルミニウムと、1質量%のSiCuとよりなるアルミニウム合金よりなっている。ゲート電極3aはモリブデンよりなっている。
図2を参照して、本実施の形態においては、絶縁膜8の形成方法および膜の微細構造が実施の形態1の場合と異なっている。本実施の形態では、温度75℃以上85℃以下の純水に基板10を5秒以上2分以下浸漬することで、ゲート電極3aを酸化する。つまり、実施の形態1の場合よりも基板10を浸漬する時間が短い。その結果、組織が緻密ではない花弁状のベーマイトよりなる絶縁膜8が形成される。
図10は、本発明の実施の形態4における電界電子放出装置1bの構成を示す断面図である。図10に示すように、本実施の形態の電界電子放出装置1bにおいて、第2絶縁膜としての絶縁膜28がゲート電極3aに開口された孔6bの内壁面に沿って形成されている。絶縁膜28は孔6bの内壁面から下方に向かって孔6aの内壁面にまで延びており、カソード電極11bに達している。また、絶縁膜28はゲート電極3bよりも上方へ突出している。カーボンナノチューブ7は絶縁膜28で囲まれた領域内に形成されている。カソード電極11bおよびゲート電極3aは、共にアルミニウムと、1質量%のSiCuとよりなるアルミニウム合金よりなっている。
Claims (7)
- カソード電極と、
前記カソード電極上に形成され、第1の孔を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1の孔に連通する第2の孔を有するゲート電極と、
前記第1の孔の底部に形成され、かつ前記カソード電極と電気的に接続された電子放出源と、
前記第2の孔の内壁面に沿って形成された第2絶縁膜とを備えており、
前記電子放出源はカーボンナノチューブであり、
前記第2絶縁膜は平均粒径10nm以上100nm以下の粒子よりなる、電界電子放出装置。 - 前記第2絶縁膜は前記ゲート電極の上面にまで延びている、請求項1に記載の電界電子放出装置。
- 前記第2絶縁膜は前記第1の孔の内壁面にまで延びている、請求項1または2に記載の電界電子放出装置。
- 前記第2絶縁膜は前記ゲート電極よりも上方へ突出している、請求項1〜3のいずれかに記載の電界電子放出装置。
- 前記第2絶縁膜は前記カソード電極または前記ゲート電極のうち少なくともいずれか一方を構成する材料の酸化物あるいは含水酸化物である、請求項1〜4のいずれかに記載の電界電子放出装置。
- 前記カソード電極または前記ゲート電極のうち少なくともいずれか一方はアルミニウムを含み、前記第2絶縁膜はベーマイトを含む、請求項5に記載の電界電子放出装置。
- 前記電子放出源は触媒層を挟んで前記カソード電極上に形成されている、請求項1〜6のいずれかに記載の電界電子放出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004293251A JP4371976B2 (ja) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | 電界電子放出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004293251A JP4371976B2 (ja) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | 電界電子放出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006107932A JP2006107932A (ja) | 2006-04-20 |
JP4371976B2 true JP4371976B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=36377389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004293251A Expired - Fee Related JP4371976B2 (ja) | 2004-10-06 | 2004-10-06 | 電界電子放出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4371976B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102635837B1 (ko) * | 2022-10-21 | 2024-02-14 | 어썸레이 주식회사 | 전계 방출 조립체 및 이를 포함하는 전자기파 발생 장치 |
-
2004
- 2004-10-06 JP JP2004293251A patent/JP4371976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006107932A (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4912600B2 (ja) | カーボンナノチューブの水平成長方法およびカーボンナノチューブを含む素子 | |
JP4648807B2 (ja) | カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP5247438B2 (ja) | ナノ構造物の製造方法 | |
CN101086940B (zh) | 场发射阴极装置的制造方法 | |
JP2006224296A (ja) | カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP4611228B2 (ja) | 電界電子放出装置およびその製造方法 | |
JP2006196364A (ja) | 電界電子放出素子、およびその製造方法 | |
US7554255B2 (en) | Electric field emission device having a triode structure fabricated by using an anodic oxidation process and method for fabricating same | |
JP4371976B2 (ja) | 電界電子放出装置 | |
KR100362899B1 (ko) | 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자의 제조 방법 | |
US20070200478A1 (en) | Field Emission Device | |
KR100762590B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법 | |
JP4476090B2 (ja) | 電子放出装置の製造方法 | |
RU2579777C1 (ru) | Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления | |
KR100485128B1 (ko) | 전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 제조 방법 | |
JP4590631B2 (ja) | フィールドエミッタアレイ及びその製造方法 | |
KR101034885B1 (ko) | 전계 방출 디바이스의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계 방출 디바이스 | |
JP3539305B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
KR20070046629A (ko) | 전자 방출원 및 이를 구비하는 전기 방출 소자 | |
JP2003086076A (ja) | 電界放出型電子源の電極構造 | |
KR20020041664A (ko) | 탄소 나노튜브 전계 방출 소자 및 그 제조 방법 | |
JP4093997B2 (ja) | 電子デバイスにおける電子放出を改善するための陽極酸化法 | |
JP2002134009A (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
KR20080082592A (ko) | 전자 방출 소자, 이를 구비한 전자 방출 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
KR20080082338A (ko) | 전자 방출 소자, 이를 구비한 전자 방출 디스플레이 장치및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090825 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090901 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |