JP4362173B2 - Cu超微粒子独立分散液 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、LSI基板などの半導体基板の微細な配線を形成し、ビアホール、コンタクトホールを埋設するのに使用するCu超微粒子独立分散液に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、LSI基板等の多層配線を形成する際に、導電性の均一な微細パターンを形成する金属ペーストとして、炭素数5以上のアルコール類、又は有機エステル類を含有する有機溶媒中に粒径1000Å(0.1μm)以下の金属超微粒子がその表面を該有機溶媒で覆われて個々に均一に分散しているものが知られている(例えば、第2561537号特許公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来技術の金属ペーストにおいては、次のような問題があった。すなわち、LSI基板の配線幅が0.25μm、0.18μmと微細化が進む中で、塗布された金属ペーストが配線溝内を十分に埋設する前に乾燥が始まったり、また粘度が高いために、微細な溝内部を完全に埋設することが困難となっていた。
【0004】
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、LSI基板の微細な配線溝、ビアホール、コンタクトホール等を完全に埋設することができ、導電性の均一な微細パターンを形成することができるCu超微粒子独立分散液を提供することを課題としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明のCu超微粒子独立分散液は、粘度が50cP以下であり、室温で蒸発し難くかつ半導体基板上にCu配線を形成する際の乾燥・焼成工程で蒸発するような有機溶媒と、粒径0.01μm以下のCu金属含有超微粒子とを混合して形成され、該超微粒子の表面が該有機溶媒で覆われて個々に独立して分散しているものである。該有機溶媒は、150℃以上で蒸発するものである。該有機溶媒は、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼン若しくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオールを混合したものである。その他に、炭素数5以上の炭化水素(例えば、ピネン等)、アルコール(例えば、n−ヘプタノール等)、エーテル(例えば、エチルベンジルエーテル等)、エステル(例えば、n−ブチルステアレート等)、ケトン(例えば、ジイソブチルケトン等)、有機窒素化合物(例えば、トリイソプロパノールアミン等)、有機ケイ素化合物(シリコーン油等)、有機イオウ化合物若しくはそれらの混合物を、使用するCu分散液の用途によって適宜混合する。前記Cu金属含有超微粒子は、Cu、CuO又は該CuとCuOとの混合物からなる超微粒子である。また、前記Cu金属含有超微粒子の濃度は、5〜70wt%、好ましくは15〜50wt%である。該粒子の濃度が70wt%を超えると、粘度が高くなりすぎ、また、該粒子の濃度が5wt%未満だと膜厚が小さすぎるという問題がある。前記Cu超微粒子独立分散液の粘度は20℃で50cP以下、好ましくは10cP以下である。前記Cu超微粒子独立分散液は、Cu金属含有超微粒子以外にCuへの溶解度が低く、かつ半導体基板の基材と反応しやすい金属又はこれらの金属を含む化合物を少なくとも一種含有していてもよく、これにより基材との密着性が向上する。このCu金属元素以外の金属の具体的な例としては、例えば、Mg、Al、B、Ta、Nb及びVから選ばれる金属又はこれら金属を含む化合物が挙げられる。これらの金属を含む化合物には、例えば(C17H35COO)2Mg等が挙げられる。これらの金属又は金属含有化合物のCu超微粒子独立分散液への添加量は、超微粒子の全重量基準で、0.5〜5wt%である。
【0006】
【実施例】
以下、本発明のCu超微粒子独立分散液の実施例をその分散液の使用例と共に説明する。
(実施例1)
ヘリウム圧力0.5Torrの条件下でCuを蒸発させ、ガス中蒸発法によりCuの超微粒子を生成する際に、生成過程のCu超微粒子にミネラルスピリットの蒸気を接触させて冷却回収し、溶媒中に独立した状態で分散している平均粒子径0.008μmのCu超微粒子を20wt%含有するCu超微粒子独立分散液を作製した。この分散液は粘度が室温で5cPであった。
【0007】
次いで、上記Cu超微粒子独立分散液を用いて、Si基板上に設けられたビアホールを処理した。このSi基板に形成されている絶縁膜としてのSiO2 膜には孔径0.15μm(アスペクト比5)、0.25μm(アスペクト比4)のビアホールが開けられており、ビアホールの内表面を含む基板の表面にはスパッタにより、WNのバリヤ膜が厚さ0.02μmで形成されており、またこのバリヤ膜の表面にはスパッタによりCuのシード膜が形成されている。
【0008】
上記の基板をスピンコータにセットして500rpmで回転させ、その上方から室温で上記のCu超微粒子独立分散液を滴下することによって、スピンコーティングした。ビアホール内にはこの分散液が充填され、基板の表面には平坦な該分散液の液膜が形成された。この状態の基板を10-2Torr以下の真空中、250℃の温度で、2分間加熱して有機溶媒を蒸発させ、次いで温度を300℃に上げて、CO2 ガス760Torr雰囲気中で、60分間焼成した。さらに、温度を400℃に上げて、不活性ガス中で30分間焼成した。かくして、Cu超微粒子が相互に融着して、ビアホール内がCuで空洞なく埋め込まれた縮みや割れのないCu薄膜が形成された。次いで、該ビアホールの内部以外のCu膜をCMP処理したところ、基板表面の余分なCuが除去され、ビアホール内に平坦な表面を有するCu薄膜が形成された。その比抵抗は2.0μΩcmであった。
(実施例2)
1Torrのヘリウムガス中に0.01TorrのO2 ガスを混合した雰囲気下でCuを蒸発させてCuOの超微粒子を生成し、ドデシルベンゼンとフタル酸ジエチルとの混合蒸気に接触させて冷却し、平均粒径0.01μmのCuO超微粒子を25wt%含有する粘度10cP(20℃)のCuO超微粒子独立分散液を作製した。また、このCuO超微粒子独立分散液と実施例1で作製したCu超微粒子独立分散液とを混合して、粘度7cP(20℃)のCu、CuO混合分散液を作製した。
【0009】
次いで、上記分散液を用いて、実施例1と同様にして室温で基板のビアホールを埋め込み、Cu膜を形成したところ、得られた薄膜は、いずれも焼結後も縮みや割れが生じることもなく、その比抵抗は2.0μΩcmであった。
(実施例3)
実施例1におけるCu超微粒子独立分散液の代わりに、トリデカンとフェネトールとの混合溶媒に50wt%のCu超微粒子を分散させたCu超微粒子独立分散液にMg、Al、B、Ta、Nb又はVの有機化合物の添加されたものを、実施例1と同様にして作製した。この分散液の粘度は20℃で10cPであった。
【0010】
次いで、これらの分散液を用いて、WNのバリア膜とCuシード膜を形成する工程を省き、他は実施例1と同様にして基板のビアホールを埋め込み、Cu膜を形成したところ、得られた薄膜は、焼結後も及びCMPによる平坦化処理工程中も縮みや割れが生じることもなく、基板との密着性も良好であり、その比抵抗は2.1μΩcmであった。
(実施例4)
実施例1のミネラルスピリットにα−テルピネオールを混合した溶媒中に分散させた粘度50cP(20℃)のCu超微粒子独立分散液を作製し、これを用いて、Si基板上に配線パターンを形成した。このSi基板に形成されている絶縁膜としてのSiO2 膜には幅0.25μm、深さ1μm(アスペクト比4)の溝がパターン状に形成されており、溝の内表面を含む基板の表面にはスパッタにより、WNバリヤ膜が厚さ0.02μmで形成されており、またこのバリヤ膜の表面にはスパッタによりCuのシード膜が形成されている。
【0011】
上記の基板をスピンコータにセットして500rpmで回転させ、その上方から上記のCu超微粒子独立分散液を滴下することによって、スピンコーティングした。パターン状の溝内にはこの分散液が充填され、基板の表面には平坦な該分散液の液膜が形成された。この状態の基板を10-2Torr以下の真空中、250℃の温度で、2分間加熱して有機溶媒を蒸発させ、次いで温度を300℃に上げて、不活性ガス雰囲気中で、H2Oガスの存在下(H2O分圧:10Torr)、60分間焼成した。さらに、温度を400℃に上げて、H2Oを除去した不活性ガス中で30分間焼成した。かくして、Cu超微粒子が相互に融着して、溝内がCuで空洞なく埋め込まれた縮みや割れのないCu薄膜が形成された。次いで、該溝の内部以外のCu膜をCMP処理したところ、基板表面の余分なCuが除去され、溝内に平坦な表面を有するCu薄膜が形成された。その比抵抗は2.0μΩcmであった。
【0012】
【発明の効果】
本発明のCu超微粒子独立分散液によれば、LSI基板の微細な配線溝、ビアホール、コンタクトホール等を完全に埋設することができ、導電性の均一な微細パターンを形成することができる。
Claims (2)
- 150℃以上で蒸発するミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼン若しくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオール又は炭素数5以上の炭化水素、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、有機窒素化合物、有機ケイ素化合物、有機イオウ化合物、又はその混合物を混合した有機溶媒と、粒径0.01μm以下のCu、CuO又は該CuとCuOとの混合物からなるCu金属含有超微粒子とを混合して形成され、該超微粒子の表面が前記有機溶媒で覆われて個々に独立して分散しており、該超微粒子の濃度が5〜70wt%であって、粘度が50cP以下であることを特徴とするCu超微粒子独立分散液。
- 前記Cu超微粒子独立分散液が、前記Cu金属含有超微粒子以外にCuへの溶解度が低く、かつ半導体基板の基材と反応しやすいMg、Al、B、Ta、Nb及びVから選ばれる少なくとも1つの金属又はこれらの金属を含む少なくとも1つの化合物を含有していることを特徴とする請求項1記載のCu超微粒子独立分散液。
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