JP4358936B2 - 表示装置、ゴーグル型表示装置、表示装置の作製方法及びゴーグル型表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】
本明細書で開示する発明は２つの基板を用いた表示装置、特に液晶パネルに関する。また前記表示装置を用いたゴーグル型表示装置に関する。本明細書では、ゴーグル型表示装置というが、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）と呼ばれる場合もある。
【０００３】
【従来の技術】
【０００４】
近年、基板上に半導体薄膜を形成した半導体装置、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきている。それに伴い基板上に形成した薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の開発も盛んに行われている。
【０００５】
液晶表示装置は２つの基板の間にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、液晶、配向膜、透明電極などの構成材料が積層された液晶パネルを有している。液晶パネルの２つの基板間の距離（セルギャップ）は、用いる液晶材料によっても異なるが、一般的に０．３μｍ〜１０μｍ程度となっている。
【０００６】
セルギャップは液晶層の厚さと密に関係しており、セルギャップを制御することは、液晶層の厚さを制御することになる。液晶層の厚さは液晶ディスプレイとしての表示特性と密接に関係している。
【０００７】
視野角に大きな影響を与えるリタデーションは、液晶材料の複屈折率とセルギャップとの積で決まる。また電界の強さは電圧を距離で割ったものなので、セルギャップが変化すると電界の強さも変化する。
【０００８】
よって液晶層の厚さは、液晶ディスプレイの応答速度、コントラスト、視角、色調などと密接に関係している。そのためセルギャップを表示面積内で均一に制御することは、液晶の駆動条件の安定化、さらに色むらの抑制などの点から非常に重要である。
【０００９】
セルギャップを制御する方法としては、スペーサを用いる方法と、シール材を用いる方法とが挙げられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
スペーサを用いる方法とは、絶縁物でなるスペーサを基板間に散在させ、スペーサの厚さでセルギャップを制御するものである。
【００１２】
スペーサを用いる方法において、基板上に散布されるスペーサを均一に散在させることは容易ではない。いくつもの基板上に散布されるスペーサの量を、基板１つ、１つ常に一定にするための工夫がスペーサを散布する装置に必要になるという問題があった。
【００１３】
また、１つの基板上のスペーサを均一に散布するためには、スペーサを散布するノズルの動きを工夫する必要があり、そのために装置が複雑になってしまうという問題があった。
【００１４】
また、時としてスペーサは、そのスペーサのいくつかが固まった形（凝集体）として散布されてしまうことがあり、均一性の点で問題があった。
【００１５】
さらに基板上にスペーサが均一に散布されたとしても、液晶を注入する際にスペーサが移動してしまうことがある。液晶を注入する方法の１つとして、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入するやり方がある。この方法では、液晶をセルに注入する際に、スペーサが移動してしまい、基板上に偏って散布されてしまうという問題があった。
【００１６】
またスペーサがＴＦＴ（薄膜トランジスタ）上に位置することによって、２つの基板を貼り合わせたときにＴＦＴが破損してしまうという問題もあった。
【００１７】
一方、セルギャップを制御する方法として、シール材を用いる方法がある。シール材を用いる方法とは、２つの基板をシール材を間に挟んでプレスする際にセルギャップの制御を行うものである。しかしセルギャップは一般的に０．３μｍ〜１０μｍ程度と非常に短く、機械によってセルギャップを均一に保つのが難しいという問題があった。
【００１８】
また近年、使用者が頭部に装着して使用するゴーグル型の表示装置が普及してきている。このゴーグル型の表示装置は、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）とも呼ばれ、映像を拡大してその虚像を形成するレンズ、およびそのレンズの焦点距離よりも近くに設置された液晶パネルのような表示装置を有している。使用者は、液晶パネルの表示をレンズを介して観察することによって、拡大された映像を鑑賞することができる。よって、小型でありながらも、大画面の表示を鑑賞することができる。
【００１９】
このゴーグル型表示装置は、使用者が頭部に装着して使用するため、据え置き型の表示装置と比較して本体の対衝撃性が高いことが求められる。かつ、ゴーグル型表示装置は、使用中常に動いていることになり、内部の光学系が置き型の表示装置と比較して、「ずれ」を生じ易い。
【００２０】
ゴーグル型表示装置は、液晶パネルの表示をレンズを介して観察するので、液晶パネルとレンズとの「ずれ」が表示品質の劣化に直接つながってしまうという問題があった。
【００２１】
そこで、本発明は上述の問題を鑑みてなされたものであり、上述の問題を解決する液晶表示装置、及び前記液晶表示装置を用いたゴーグル型表示装置を提供することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明では、基板をエッチング等で削ることで、基板の表面に液晶を挟持するための溝（セル構成部）を形成する。このセル構成部が形成されている基板と、同じくセル構成部が形成されている基板若しくは形成されていない基板とを貼り合わせることで、液晶が挟持される部分（セル）を有する液晶パネルを形成する。
【００２４】
セルギャップはセル構成部の深さで決定する。セル構成部が形成されている基板同志を貼り合わせた場合は、それぞれのセル構成部の深さの和がセルギャップとなる。セル構成部が形成されている基板と、セル構成部が形成されていない基板とを貼り合わせた場合は、セル構成部が形成されている基板のセル構成部の深さがセルギャップとなる。
【００２５】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００２６】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本発明ではセルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００２７】
また本発明は、上述の課題を解決するために次のような手段を採った。図１８を参照する。図１８には、本発明のゴーグル型表示装置に用いられる光学素子であるレンズと画像表示部品であるＴＦＴ基板およびバックライトとが示されている。本発明によると、レンズの一部がエッチング等で削られてセル構成部を形成している。そして、エッチング等で削られていない基板上にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板がレンズと貼り合わされており、ＴＦＴ基板とレンズのセル構成部との間に液晶が挟持される。この本願の構成の場合、ＴＦＴ基板とレンズとの相対位置がずれることはない。
【００２８】
図１８において、１８０１はレンズ、１８０２はＴＦＴ基板、１８０３はバックライト、１８０４はセル、１８０５は使用者の眼球である。レンズ１８０１にはエッチング等によって削られた溝（セル構成部）が形成されている。そしてセル構成部を有するレンズ１８０１とＴＦＴ基板１８０２とが貼り合わされることで、セル１８０４が形成される。セル１８０４には液晶が充填されている。
【００２９】
なお、バックライト１８０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【００３０】
上述のように、本発明によると、画像の表示を行う液晶パネルと、その画像を拡大し使用者の眼球に投射する光学素子（レンズ）との相対位置の経時変化がおこらない。よって、液晶パネルとレンズとの相対位置に関してはメンテナンスフリーである。
【００３１】
本発明では、２つの基板と、液晶と、シール材とを有する表示装置であって、前記２つの基板のうち少なくとも１つは、他のもう１つの基板側の面に溝を有しており、前記２つの基板はその側面に設けられた前記シール材によって貼り合わされており、前記溝には液晶が充填されていることを特徴とする表示装置を提供する。
【００３２】
本発明では、第１の基板と、前記第１の基板側の面に溝を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との側面に設けられたシール材と、前記溝に充填された液晶と、を有することを特徴とする表示装置を提供する。
【００３３】
２つの基板と、液晶と、シール材とを有する表示装置であって、前記２つの基板のうち少なくとも１つは、他のもう１つの基板側の面に溝を有しており、前記シール材は、前記２つの基板の接している部分を覆うように前記溝に設けられており、前記溝には前記液晶が充填されていることを特徴とする表示装置を提供する。
【００３４】
本発明では、第１の基板と、前記第１の基板側の面に溝を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とが接している部分を覆うように前記溝に設けられたシール材と、前記溝に充填された液晶と、を有することを特徴とする表示装置を提供する。
【００３５】
本発明では、２つの基板と、液晶と、シール材とを有する表示装置であって、前記２つの基板のうち少なくとも１つは、他のもう１つの基板側の面に溝を有しており、前記溝は前記溝を有する基板の側面の一部に及んでおり、前記２つの基板はその側面に設けられた前記シール材によって貼り合わされており、前記溝には液晶が充填されていることを特徴とする表示装置。
【００３６】
【発明の実施の形態】
【００３７】
以下に、本発明の液晶表示装置を実施例をもって詳細に説明する。
【００３８】
（実施の形態１）
【００３９】
図１に本発明の液晶表示装置が有する液晶パネルの外観図を示す。図１（Ａ）が液晶パネルの斜視図で、図１（Ｂ）が上面図である。
【００４０】
図１（Ａ）において、ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、シール材１０３、ＦＰＣ取り付け部１０４、液晶注入口１０５が図に示すように設けられている。ＴＦＴ基板１０１上には液晶を駆動させるためのＴＦＴが形成されている。ＴＦＴ基板はガラスでも石英でも良い。
【００４１】
図１（Ｂ）において、図１（Ａ）に既に示したものは同じ番号で示す。液晶注入口１０５、セル１０６、液晶１０７が図に示すように設けられている。
【００４２】
対向基板１０２のＴＦＴ基板１０１側の面をエッチングすることによりセル構成部が形成されている。例えば石英基板の場合、弗酸を用いたウェットエッチングが可能であり、また弗素を用いたプラズマエッチングでも可能である。そして対向基板１０２とＴＦＴ基板１０１とを貼り合わせることで、対向基板１０２のセル構成部とＴＦＴ基板１０１とでセル１０６が形成されている。セル１０６はＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とで形成されており、液晶１０７が充填されている。セル１０６は図１（Ｂ）では透視した図として便宜上点線で示している。
【００４３】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００４４】
液晶の注入は液晶注入口１０５から行い、液晶注入口１０５は封止材で封止されている。
【００４５】
図１（Ｂ）の破線Ａ−Ａ’における断面の概略図を図２に示す。ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、シール材１０３、液晶１０７が図に示すように設けられている。セル１０６はＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に形成されており、液晶１０７が充填されている。対向基板１０２のセル構成部の深さＬはセルギャップである。セルギャップＬはエッチングによってその長さを制御することができる。
【００４６】
ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とはシール材１０３によって貼り合わされている。シール材１０３は、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とが接している部分を覆うようにＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との側面に設けられていおり、セル１０６を封止している。
【００４７】
図３（Ａ）に、本発明の液晶セルの上面図である図１（Ｂ）の詳細図を示す。図１に示したものは同じ符号で示す。なお説明の都合上から図１（Ｂ）に示した液晶１０７は省略している。
【００４８】
ＴＦＴ基板１０１上のセル１０６の内部には、ソース信号線駆動回路１０８、ゲート信号線駆動回路１０９、画素領域１１０が図３（Ａ）に示すように設けられている。
【００４９】
破線Ｂ−Ｂ’における断面図を図３（Ｂ）に示す。ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、シール材１０３、液晶注入口１０５、画素電極１１１、対向電極１１２、引き出し配線１１３、導電性を有するフィラー１１４、導電性を有する接着剤１１５、ＦＰＣ側引き出し配線１１６、ＦＰＣ基板１１７が図３（Ｂ）に示すように設けられている。
【００５０】
液晶注入口１０５は、対向基板１０２にセル構成部をエッチングによって形成する際に同時に形成されている。液晶注入口１０５は本実施の形態では1つだけ形成されているが、複数形成することで液晶注入工程の際のセル内の排気及び液晶の注入を効率よく行えるようにしても良い。また液晶注入口１０５の大きさは適宜変更することが可能である。
【００５１】
対向電極１１２と引き出し配線１１３は導電性を有するフィラー１１４を介して接続している。なお本明細書において接続するとは、接触することで電気的に導通することを示す。引き出し配線１１３はセルの内部から外部に渡って形成されており、その一部がＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に挟まれている。セルの外部で引き出し配線１１３とＦＰＣ側引き出し配線１１６が導電性を有する接着剤１１５を介して接続されている。図示しないがＦＰＣ側引き出し配線１１６は電源に接続されており、よって対向電極１１２は電源の電位（電源電位）に保たれる。
【００５２】
図３（Ｃ）に図３（Ａ）の破線Ｃ−Ｃ’における断面図を示す。コモンパッド１１８が導電性を有するフィラー１１４を介して対向電極１１２と接続されている。図示しないがコモンパッド１１８は引き出し配線１１３と接続されており、対向電極１１２を電源電位に保っている。なおコモンパッド１１８と引き出し配線１１３とを導電性を有する膜から同時に形成しても良い。
【００５３】
ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とはシール材１０３によって貼り合わされている。シール材１０３は、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とが接している部分を覆うようにＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との側面に設けられており、セル１０６を封止している。
【００５４】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００５５】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本実施の構成ではシール材はＴＦＴ基板と対向基板との側面に設けられているため、セルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００５６】
なお本実施の形態では、対向基板をエッチングすることでセル構成部を形成していたが、ＴＦＴ基板をエッチングしセル構成部を形成しても良いし、対向基板とＴＦＴ基板の両方にセル構成部を形成する構成としても良いのは言うまでもない。
【００５７】
（実施の形態２）
実施の形態１ではシール材をセルの外部に設けていたが、本実施の形態ではシール材をセルの内部に設ける例について説明する。
【００５８】
図４に本発明の液晶表示装置が有する液晶パネルの外観図を示す。図４（Ａ）が液晶パネルの斜視図で、図４（Ｂ）が上面図である。
【００５９】
図４（Ａ）において、ＴＦＴ基板４０１、対向基板４０２、ＦＰＣ取り付け部４０４、液晶注入口４０５が図に示すように設けられている。ＴＦＴ基板４０１上には液晶を駆動させるためのＴＦＴが形成されている。
【００６０】
図４（Ｂ）において、図４（Ａ）に既に示したものは同じ番号で示す。液晶注入口４０５、セル４０６、液晶４０７が図に示すように設けられている。対向基板４０２のＴＦＴ基板４０１側の面をエッチングすることによりセル構成部が形成されている。そして対向基板４０２とＴＦＴ基板４０１と貼り合わせることで、対向基板４０２のセル構成部とＴＦＴ基板４０１とでセル４０６が形成されている。
【００６１】
セル４０６内部において、対向基板４０２とＴＦＴ基板４０１とが接している部分を覆うようにシール材４０３が設けられている。シール材４０３はセル４０６の内部に設けられているが、便宜上図４（Ｂ）では透視した図として示している。セル４０６はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２との間に形成されている。セル４０６には液晶４０７が充填されている。
【００６２】
液晶の注入は液晶注入口４０５から行い、液晶注入口４０５は封止材で封止されている。
【００６３】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００６４】
図４（Ｂ）の破線Ｄ−Ｄ’における断面の概略図を図５に示す。ＴＦＴ基板４０１、対向基板４０２、シール材４０３、液晶４０７が図に示すように設けられている。セル４０６はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とで形成されており、液晶４０７が充填されている。対向基板４０２のセル構成部の深さＬはセルギャップである。セルギャップＬはエッチングによってその長さを制御することができる。
【００６５】
ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とはシール材４０３によって貼り合わされている。シール材４０３はセル４０６内部のＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とが接している部分を覆うように設けられており、セル４０６を封止している。
【００６６】
図６（Ａ）に、本発明の液晶セルの上面図である図４（Ｂ）の詳細図を示す。図４に示したものは同じ符号で示す。なお説明の都合上から図４（Ｂ）に示した液晶４０７は省略している。
【００６７】
ＴＦＴ基板４０１上のセル４０６の内部には、ソース信号線駆動回路４０８、ゲート信号線駆動回路４０９、画素領域４１０が図６（Ａ）に示すように設けられている。
【００６８】
図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）を用いて本実施の形態の液晶パネルの貼り合わせの工程について説明する。図６（Ｂ）はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とを貼り合わせる前の状態を示している。ＴＦＴ基板４０１上に画素電極、コモンパッド、導電性を有するフィラーが図６（Ｂ）に示すように設けられている。一方対向基板４０２のＴＦＴ基板４０１側の面にはエッチングによりセル構成部４１９が形成されており、セル構成部４１９の底部には対向電極４１２が形成されている。
【００６９】
またセル構成部４１９の側部に、ＴＦＴ基板４０１と接する部分を覆うためのシール材４０３が設けられている。シール材４０３は、ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２との間に隙間を形成しないで完全に密着させるために、セル構成部４１９の側部の、ＴＦＴ基板４０１に接する方の端に設けておく。
【００７０】
図６（Ｂ）で示したＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とを矢印の方向に貼り合わせたものが、図６（Ｃ）である。図６（Ｃ）は図６（Ａ）における破線Ｅ−Ｅ’の断面図にあたる。
【００７１】
ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とを矢印の方向に貼り合わせることで、コモンパッド４１８が導電性を有するフィラー４１４を介して対向電極４１２と接続される。図示しないがコモンパッド４１８は引き出し配線を介して電源に接続されており、対向電極４１２は電源電位に保たれている。
【００７２】
ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とはシール材４０３によってセル４０６の内部で貼り合わされる。シール材４０３はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とが接している部分を覆うように、ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２との側面に設けられており、セル４０６を封止している。
【００７３】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００７４】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本実施の形態の構成ではシール材は、セル内部のＴＦＴ基板と対向基板とが接している部分を覆うように設けられているため、セルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００７５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせの形態について、実施の形態１及び実施の形態２で示したものとは別の例を示す。
【００７６】
ＴＦＴ基板７０１、対向基板７０２、シール材７０３、液晶７０７が図７に示すように設けられている。
【００７７】
対向基板７０２にはＴＦＴ基板７０１を固定して組み込むための溝（基板固定部７０５）が形成されている。そして基板固定部７０５の底部にセル構成部が形成されており、ＴＦＴ基板７０１と対向基板７０２とが貼り合わされることで、セル７０６が形成される。セル７０６には液晶７０７が充填されている。
【００７８】
基板固定部７０５の側部とＴＦＴ基板７０１の側面との間にシール材７０３が設けられており、基板固定部７０５にＴＦＴ基板７０１を固定し、セル７０６を封止している。ＴＦＴ基板７０１は、対向基板７０２の基板固定部７０５から突出していても良いし、逆に基板固定部７０５の内部に落ち込んでいても良く、基板固定部７０５に丁度納まっていても良い。
【００７９】
図７とは別の貼り合わせの例を、図８に示す。ＴＦＴ基板８０１、対向基板８０２、シール材８０３、液晶８０７が図８に示すように設けられている。対向基板８０２に設けられたセル構成部とＴＦＴ基板８０１が貼り合わされれて、セル８０６が形成されている。セル８０６内部には液晶８０７が充填されている。
【００８０】
ＴＦＴ基板８０１の向かい合う側面同志の幅は、対向基板８０２の向かい合う側面同志の幅よりも大きい。シール材８０３は、セル８０６の外部のＴＦＴ基板８０１と対向基板８０２とが接している部分を覆うように設けられており、セル８０６を封止している。
【００８１】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００８２】
（実施の形態４）
【００８３】
本実施の形態では、導電性を有するフィラーを使わずに対向電極とコモンパッドを接続する例について説明する。
【００８４】
ＴＦＴ基板９０１、対向基板９０２、シール材９０３、液晶９０７、画素電極９１１、対向電極９１２、コモンパッド９１８が図９に示すように設けられている。
【００８５】
対向基板９０２に形成されたセル構成部とＴＦＴ基板９０１が貼り合わされてセル９０６が形成される。セル９０６は液晶９０７が充填されている。対向電極９１２は対向基板９０２のセル構成部の底部及び側部を覆って、対向基板９０２の、ＴＦＴ基板９０１側の面の、セル構成部が形成されていない部分にまで延びて存在しており、コモンパッド９１８と接続している。
【００８６】
なお対向基板９０２に設けられたセル構成部の側部をテーパー状に形成しても良い。セル構成部の側部をテーパー状にすることで、対向電極９１２を成膜する際に段切れを起こしにくい。
【００８７】
本実施の形態では、直接コモンパッドと対向電極とを接続しているので、導電性を有するフィラーを用いる必要はない。
【００８８】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００８９】
（実施の形態５）
【００９０】
本実施の形態では、対向基板としてレンズを用いた液晶パネルをゴーグル型表示装置に用いた例について説明する。
【００９１】
図１０を参照する。図１０には、本実施例のゴーグル型表示装置の概略構成図が示されている。２００はゴーグル型表示装置本体、２０１Ｒおよび２０１Ｌはレンズ、２０２Ｒおよび２０２ＬはＴＦＴ基板、２０３Ｒおよび２０３Ｌはバックライトである。
【００９２】
図１１（Ａ）は、本実施例のゴーグル型表示装置の図１０におけるＡ部の断面図である。図１１に示される様に、本実施の形態においては、ゴーグル型表示装置本体２００の内部のレンズ２０１Ｒにセル構成部が形成されている。レンズ２０１Ｒのセル構成部とＴＦＴ基板２０２Ｒとが貼り合わされてセル２０５Ｒが形成されている。セル２０５Ｒは液晶が充填されている。
【００９３】
バックライト２０３Ｒからの光が、矢印の通りに使用者の眼球２０４Ｒに届く。
【００９４】
図１１（Ａ）の破線で囲った部分Ａを拡大したのが図１１（Ｂ）に相当する。ＴＦＴ基板２０２Ｒとレンズ２０１Ｒとはシール材２０７Ｒで密着している。
【００９５】
なお、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）には、図示していないが、ＴＦＴ基板２０２Ｒは一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板２０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板２０２と呼ぶこともある。
【００９６】
本実施の形態によると、画像の表示を行う液晶パネルと、その画像を拡大し使用者の眼球に投射する光学素子（レンズ）との相対位置の経時変化がおこらない。よって、液晶パネルとレンズとの相対位置に関してはメンテナンスフリーである。
【００９７】
また本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００９８】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本実施の形態の構成ではシール材は、セル内部のＴＦＴ基板と対向基板とが接している部分を覆うように設けられているため、セルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００９９】
【実施例】
【０１００】
（実施例１）
【０１０１】
ここで図１２を参照し、本発明のＴＦＴ基板の一例について説明する。なお、ゴーグル型表示装置に用いるＴＦＴ基板は、左目用も右目用も同様の構造である。
【０１０２】
本実施例では、ＴＦＴ基板はデジタルドライバを有している。ＴＦＴ基板３００は、ソース信号線駆動回路３０１、ゲート信号線駆動回路３０２、デジタルビデオデータ分割回路３０３および複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に設けられた画素領域３０４を有している。ソース信号線駆動回路３０１及びゲート信号線駆動回路３０２は画素領域３０４に設けられた複数の画素ＴＦＴを駆動する。３０５はＦＰＣ端子であり、これらのＦＰＣ端子に外部から種々の信号が入力される。
【０１０３】
ソース信号線駆動回路３０１は、シフトレジスタ回路（２４０ステージ×２のシフトレジスタ回路）、ラッチ回路１（９６０×８デジタルラッチ回路）、ラッチ回路２（９６０×８デジタルラッチ回路）、セレクタ回路１（２４０のセレクタ回路）、Ｄ／Ａ変換回路（２４０のＤＡＣ）、セレクタ回路２（２４０のセレクタ回路）（いずれも図示せず）を有している。その他、バッファ回路やレベルシフタ回路（いずれも図示せず）を有している。また、説明の便宜上、Ｄ／Ａ変換回路にはレベルシフタ回路が含まれている。
【０１０４】
３０２はゲート信号線駆動回路であり、シフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路等（いずれも図示せず）を有している。
【０１０５】
画素領域３０４は、（６４０×ＲＧＢ）×１０８０（横×縦）の画素を有している。各画素には画素ＴＦＴが配置されており、各画素ＴＦＴのソース領域にはソース信号線が、ゲート電極にはゲート信号線が電気的に接続されている。また、各画素ＴＦＴのドレイン領域には画素電極が電気的に接続されている。各画素ＴＦＴは、各画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極への画像信号（階調電圧）の供給を制御している。各画素電極に画像信号（階調電圧）が供給され、各画素電極と対向電極との間に挟まれた液晶に電圧が印加され液晶が駆動される。
【０１０６】
ここで、本実施例のＴＦＴ基板の動作および信号の流れを説明する。
【０１０７】
まず、ソース信号線駆動回路３０１の動作を説明する。シフトレジスタ回路にクロック信号（ＣＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ回路は、これらのクロック信号（ＣＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、バッファ回路等を通して後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
【０１０８】
シフトレジスタ回路からのタイミング信号は、バッファ回路等によってバッファされる。タイミング信号が供給されるソース信号線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファ回路が形成される。
【０１０９】
バッファ回路によってバッファされたタイミング信号は、ラッチ回路１に供給される。ラッチ回路１は、８ビットデジタルビデオデータを処理するラッチ回路を９６０ステージ有してる。ラッチ回路１は、前記タイミング信号が入力されると、デジタルビデオデータ分割回路３０３から供給される８ビットデジタルビデオデータを順次取り込み、保持する。
【０１１０】
ラッチ回路１の全てのステージにラッチ回路にデジタルビデオデータの書き込みが一通り終了するまでの時間は、ライン期間と呼ばれる。すなわち、ラッチ回路１の中で一番左側のステージのラッチ回路にデジタルビデオデータの書き込みが開始される時点から、一番右側のステージのラッチ回路にデジタルビデオデータの書き込みが終了する時点までの時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間と呼ぶこともある。
【０１１１】
１ライン期間の終了後、シフトレジスタ回路の動作タイミングに合わせて、ラッチ回路２にラッチシグナル（Latch Signal）が供給される。この瞬間、ラッチ回路１に書き込まれ保持されているデジタルビデオデータは、ラッチ回路２に一斉に送出され、ラッチ回路２の全ステージのラッチ回路に書き込まれ、保持される。
【０１１２】
デジタルビデオデータをラッチ回路２に送出し終えたラッチ回路１には、シフトレジスタ回路のタイミング信号に基づき、再びデジタルビデオデータ分割回路から供給されるデジタルビデオデータの書き込みが順次行われる。
【０１１３】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ回路２に書き込まれ、保持されているデジタルビデオデータが、セレクタ回路１によって順次選択され、Ｄ／Ａ変換回路に供給される。なお本実施例では、セレクタ回路１においては、１つのセレクタ回路がソース信号線４本に対応している。
【０１１４】
なお、セレクタ回路については、本出願人による特許出願である特願平９−２８６０９８号に記載されているものを用いることもできる。
【０１１５】
セレクタ回路で選択されたラッチ回路２からの８ビット・デジタルビデオデータがＤ／Ａ変換回路に供給される。
【０１１６】
Ｄ／Ａ変換回路は、８ビットのデジタルビデオデータを画像信号（階調電圧）に変換し、セレクタ回路２によって選択されるソース信号線に順次供給される。
【０１１７】
ソース信号線に供給される画像信号は、ソース信号線に接続されている画素領域の画素ＴＦＴのソース領域に供給される。
【０１１８】
ゲート信号線駆動回路３０２においては、シフトレジスタからのタイミング信号（走査信号）がバッファ回路に供給され、対応するゲート信号線（走査線）に供給される。ゲート信号線には、１ライン分の画素ＴＦＴのゲート電極が接続されており、１ライン分全ての画素ＴＦＴを同時にＯＮにしなくてはならないので、バッファ回路には電流容量の大きなものが用いられる。
【０１１９】
このように、ゲート信号線駆動回路からの走査信号によって対応する画素ＴＦＴのスイッチングが行われ、ソースドライバからの画像信号（階調電圧）が画素ＴＦＴに供給され、液晶分子が駆動される。
【０１２０】
３０３はデジタルビデオデータ分割回路（ＳＰＣ；Serial-to-Parallel Conversion Circuit）である。デジタルビデオデータ分割回路３０３は、外部から入力されるデジタルビデオデータの周波数を１／ｘに落とすための回路である（ｘは２以上の自然数）。外部から入力されるデジタルビデオデータを分割することにより、駆動回路の動作に必要な信号の周波数も1／ｘに落とすことができる。
【０１２１】
（実施例２）
【０１２２】
本実施例では図１３乃至図１６を用いて、実施の形態５で示したゴーグル型表示装置に用いられるレンズを有する液晶パネルとは別の例を示す。
【０１２３】
図１３において、１３０１はレンズ、１３０２はＴＦＴ基板、１３０３はバックライト、１３０４はセル、１３０５は使用者の眼球である。セル１３０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１３０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１２４】
なお、図１３には、図示していないが、ＴＦＴ基板１３０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１３０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１２５】
図１４において、１４０１はレンズ、１４０２はＴＦＴ基板、１４０３はバックライト、１４０４はセル、１４０５は使用者の眼球である。セル１４０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１４０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１２６】
なお、図１４には、図示していないが、ＴＦＴ基板１４０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１４０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１２７】
図１５において、１５０１はレンズ、１５０２はＴＦＴ基板、１５０３はバックライト、１５０４はセル、１５０５は使用者の眼球である。セル１５０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１５０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１２８】
なお、図１５には、図示していないが、ＴＦＴ基板１５０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１５０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１２９】
図１６において、１６０１はレンズ、１６０２はＴＦＴ基板、１６０３はバックライト、１６０４はセル、１６０５は使用者の眼球である。セル１６０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１６０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１３０】
なお、図１６には、図示していないが、ＴＦＴ基板１６０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１６０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１３１】
（実施例３）
【０１３２】
ここでは画素領域の画素ＴＦＴと、画素領域の周辺に設けられる駆動回路（ソースドライバ、ゲートドライバ、Ｄ／Ａ変換回路、デジタルビデオデータ時間階調処理回路等）のＴＦＴを同一基板上に作製する方法について工程に従って詳細に説明する。但し、説明を簡単にするために、制御回路ではシフトレジスタ回路、バッファ回路、Ｄ／Ａ変換回路などの基本回路であるＣＭＯＳ回路と、ｎチャネル型ＴＦＴとを図示することにする。
【０１３３】
図１９（Ａ）において、基板（ＴＦＴ基板）６００１には低アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。本発明ではスマートカット、ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ等のＳＯＩ基板を用いても良い。本実施例では低アルカリガラス基板を用いた。この場合、ガラス歪み点よりも１０〜２０℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておいても良い。この基板６００１のＴＦＴを形成する表面には、基板６００１からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの下地膜６００２を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を１００ｎｍ、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を６１００ｎｍの厚さに積層形成する。
【０１３４】
次に、２０〜６０５０ｎｍ（好ましくは３０〜８０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を有する半導体膜６００３ａを、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法で非晶質シリコン膜を５５ｎｍの厚さに形成した。非晶質構造を有する半導体膜としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜があり、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。また、下地膜６００２と非晶質シリコン膜６００３ａとは同じ成膜法で形成することが可能であるので、両者を連続形成しても良い。下地膜を形成した後、一旦大気雰囲気に晒さないことでその表面の汚染を防ぐことが可能となり、作製するＴＦＴの特性バラツキやしきい値電圧の変動を低減させることができる。（図１９（Ａ））
【０１３５】
そして、公知の結晶化技術を使用して非晶質シリコン膜６００３ａから結晶質シリコン膜６００３ｂを形成する。例えば、レーザー結晶化法や熱結晶化法（固相成長法）を適用すれば良い。レーザー結晶化の際に、連続発光エキシマレーザーを用いても良い。ここでは、特開平７−１３０６５２号公報で開示された技術に従って、触媒元素を用いる結晶化法で結晶質シリコン膜６００３ｂを形成した。結晶化の工程に先立って、非晶質シリコン膜の含有水素量にもよるが、４００〜５００℃で１時間程度の熱処理を行い、含有水素量を５ａｔｏｍ％以下にしてから結晶化させることが望ましい。非晶質シリコン膜を結晶化させると原子の再配列が起こり緻密化するので、作製される結晶質シリコン膜の厚さは当初の非晶質シリコン膜の厚さ（本実施例では５５ｎｍ）よりも１〜１５％程度減少した。（図１９（Ｂ））
【０１３６】
そして、結晶質シリコン膜６００３ｂを島状に分割して、島状半導体層６００４〜６００７を形成する。その後、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法により５０〜１００ｎｍの厚さの酸化シリコン膜によるマスク層６００８を形成する。（図１９（Ｃ））
【０１３７】
そしてレジストマスク６００９を設け、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層６００５〜６００７の全面にしきい値電圧を制御する目的で１×１０16〜５×１０17atoms／cm3程度の濃度でｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を添加した。ボロン（Ｂ）の添加はイオンドープ法で実施しても良いし、非晶質シリコン膜を成膜するときに同時に添加しておくこともできる。ここでのボロン（Ｂ）添加は必ずしも必要でないが、ボロン（Ｂ）を添加した半導体層６０１０〜６０１２はｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧を所定の範囲内に収めるために形成することが好ましかった。（図１９（Ｄ））
【０１３８】
駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成するために、ｎ型を付与する不純物元素を島状半導体層６０１０、６０１１に選択的に添加する。そのため、あらかじめレジストマスク６０１３〜６０１６を形成した。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）を用いれば良く、ここではリン（Ｐ）を添加すべく、フォスフィン（ＰＨ3）を用いたイオンドープ法を適用した。形成された不純物領域６０１７、６０１８のリン（Ｐ）濃度は２×１０16〜５×６００１9atoms／cm3の範囲とすれば良い。本明細書中では、ここで形成された不純物領域６０１７〜６０１９に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ-）と表す。また、不純物領域６０１９は、画素マトリクス回路の保持容量を形成するための半導体層であり、この領域にも同じ濃度でリン（Ｐ）を添加した。（図２０（Ａ））
【０１３９】
次に、マスク層６００８をフッ酸などにより除去して、図２０（Ｄ）と図２０（Ａ）で添加した不純物元素を活性化させる工程を行う。活性化は、窒素雰囲気中で５００〜６００℃で１〜４時間の熱処理や、レーザー活性化の方法により行うことができる。また、両者を併用して行っても良い。本実施例では、レーザー活性化の方法を用い、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成して、発振周波数５〜５０Ｈｚ、エネルギー密度１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2として線状ビームのオーバーラップ割合を８０〜９８％として走査して、島状半導体層が形成された基板全面を処理した。尚、レーザー光の照射条件には何ら限定される事項はなく、実施者が適宣決定すれば良い。また連続発光エキシマレーザーを用いて活性化を行っても良い。
【０１４０】
そして、ゲート絶縁膜６０２０をプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて１０〜６０５０ｎｍの厚さでシリコンを含む絶縁膜で形成する。例えば、６０２０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜を形成する。ゲート絶縁膜には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。（図２０（Ｂ））
【０１４１】
次に、ゲート電極を形成するために第１の導電層を成膜する。この第１の導電層は単層で形成しても良いが、必要に応じて二層あるいは三層といった積層構造としても良い。本実施例では、導電性の窒化物金属膜から成る導電層（Ａ）６０２１と金属膜から成る導電層（Ｂ）６０２２とを積層させた。導電層（Ｂ）６０２２はタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金膜、Ｍｏ−Ｔａ合金膜）で形成すれば良く、導電層（Ａ）６０２１は窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、窒化モリブデン（ＭｏＮ）で形成する。また、導電層（Ａ）６０２１は代替材料として、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、モリブデンシリサイドを適用しても良い。導電層（Ｂ）は低抵抗化を図るために含有する不純物濃度を低減させると良く、特に酸素濃度に関しては３０ｐｐｍ以下とすると良かった。例えば、タングステン（Ｗ）は酸素濃度を３０ｐｐｍ以下とすることで２０μΩｃｍ以下の比抵抗値を実現することができた。
【０１４２】
導電層（Ａ）６０２１は１０〜５０ｎｍ（好ましくは２０〜３０ｎｍ）とし、導電層（Ｂ）６０２２は６１００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）とすれば良い。本実施例では、導電層（Ａ）６０２１に３０ｎｍの厚さの窒化タンタル膜を、導電層（Ｂ）６０２２には３５０ｎｍのＴａ膜を用い、いずれもスパッタ法で形成した。このスパッタ法による成膜では、スパッタ用のガスのＡｒに適量のＸｅやＫｒを加えておくと、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。尚、図示しないが、導電層（Ａ）６０２１の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有効である。これにより、その上に形成される導電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、導電層（Ａ）または導電層（Ｂ）が微量に含有するアルカリ金属元素がゲート絶縁膜６０２０に拡散するのを防ぐことができる。（図２０（Ｃ））
【０１４３】
次に、レジストマスク６０２３〜６０２７を形成し、導電層（Ａ）６０２１と導電層（Ｂ）６０２２とを一括でエッチングしてゲート電極６０２８〜６０３１と容量配線６０３２を形成する。ゲート電極６０２８〜６０３１と容量配線６０３２は、導電層（Ａ）から成る６０２８ａ〜６０３２ａと、導電層（Ｂ）から成る６０２８ｂ〜６０３２ｂとが一体として形成されている。この時、駆動回路に形成するゲート電極６０２９、６０３０は不純物領域６０１７、６０１８の一部と、ゲート絶縁膜６０２０を介して重なるように形成する。（図２０（Ｄ））
【０１４４】
次いで、駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域を形成するために、ｐ型を付与する不純物元素を添加する工程を行う。ここでは、ゲート電極６０２８をマスクとして、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域はレジストマスク６０３３で被覆しておく。そして、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で不純物領域６０３４を形成した。この領域のボロン（Ｂ）濃度は３×１０20〜３×１０21atoms／cm3となるようにする。本明細書中では、ここで形成された不純物領域６０３４に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度を（ｐ+）と表す。（図２１（Ａ））
【０１４５】
次に、ｎチャネル型ＴＦＴにおいて、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域の形成を行った。レジストのマスク６０３５〜６０３７を形成し、ｎ型を付与する不純物元素が添加して不純物領域６０３８〜６０４２を形成した。これは、フォスフィン（ＰＨ3）を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリン（Ｐ）濃度を１×１０20〜１×１０21atoms／cm3とした。本明細書中では、ここで形成された不純物領域６０３８〜６０４２に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ+）と表す。（図２１（Ｂ））
【０１４６】
不純物領域６０３８〜６０４２には、既に前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）が含まれているが、それに比して十分に高い濃度でリン（Ｐ）が添加されるので、前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）の影響は考えなくても良い。また、不純物領域６０３８に添加されたリン（Ｐ）濃度は図２１（Ａ）で添加されたボロン（Ｂ）濃度の１／２〜１／３なのでｐ型の導電性が確保され、ＴＦＴの特性に何ら影響を与えることはなかった。
【０１４７】
そして、画素マトリクス回路のｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成するためのｎ型を付与する不純物添加の工程を行った。ここではゲート電極６０３１をマスクとして自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオンドープ法で添加した。添加するリン（Ｐ）の濃度は１×１０16〜５×６００１8atoms／cm3であり、図２０（Ａ）および図２１（Ａ）と図２１（Ｂ）で添加する不純物元素の濃度よりも低濃度で添加することで、実質的には不純物領域６０４３、６０４４のみが形成される。本明細書中では、この不純物領域６０４３、６０４４に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ--）と表す。（図２１（Ｃ））
【０１４８】
その後、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を活性化するために熱処理工程を行う。この工程はファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）で行うことができる。ここではファーネスアニール法で活性化工程を行った。熱処理は酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜８００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。また、基板６００１に石英基板のような耐熱性を有するものを使用した場合には、８００℃で１時間の熱処理としても良く、不純物元素の活性化と、該不純物元素が添加された不純物領域とチャネル形成領域との接合を良好に形成することができた。
【０１４９】
この熱処理において、ゲート電極６０２８〜６０３１と容量配線６０３２形成する金属膜６０２８ｂ〜６０３２ｂは、表面から５〜８０ｎｍの厚さで導電層（Ｃ）６０２８ｃ〜６０３２ｃが形成される。例えば、導電層（Ｂ）６０２８ｂ〜６０３２ｂがタングステン（Ｗ）の場合には窒化タングステン（ＷＮ）が形成され、タンタル（Ｔａ）の場合には窒化タンタル（ＴａＮ）を形成することができる。本発明では、シリコン（Ｓｉ）膜とＷＮ膜とＷ膜とを積層したもの、Ｗ膜とＳｉを有するＷ膜とを積層したもの、Ｗ膜とＳｉを有するＷ膜とＳｉとを積層したもの、Ｍｏを有するＷの膜、またはＭｏを有するＴａの膜を用いてゲート電極としても良い。また、導電層（Ｃ）６０２８ｃ〜６０３２ｃは、窒素またはアンモニアなどを用いた窒素を含むプラズマ雰囲気にゲート電極６０２８〜６０３１を晒しても同様に形成することができる。さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行った。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素、プラズマ化した水素を用いる）を行っても良い。
【０１５０】
島状半導体層が、非晶質シリコン膜から触媒元素を用いる結晶化の方法で作製された場合、島状半導体層中には微量の触媒元素が残留した。勿論、そのような状態でもＴＦＴを完成させることが可能であるが、残留する触媒元素を少なくともチャネル形成領域から除去する方がより好ましかった。この触媒元素を除去する手段の一つにリン（Ｐ）によるゲッタリング作用を利用する手段があった。ゲッタリングに必要なリン（Ｐ）の濃度は図２１（Ｂ）で形成した不純物領域（ｎ+）と同程度であり、ここで実施される活性化工程の熱処理により、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域から触媒元素をゲッタリングをすることができた。（図２１（Ｄ））
【０１５１】
活性化および水素化の工程が終了したら、ゲート配線とする第２の導電膜を形成する。この第２の導電膜は低抵抗材料であるアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）を主成分とする導電層（Ｄ）と、にチタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から成る導電層（Ｅ）とで形成すると良い。本実施例では、チタン（Ｔｉ）を０．１〜２重量％含むアルミニウム（Ａｌ）膜を導電層（Ｄ）６０４５とし、チタン（Ｔｉ）膜を導電層（Ｅ）６０４６として形成した。導電層（Ｄ）６０４５は６１００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）とすれば良く、導電層（Ｅ）６０４６は５０〜６１００（好ましくは１００〜６０５０ｎｍ）で形成すれば良い。（図２２（Ａ））
【０１５２】
そして、ゲート電極に接続するゲート配線を形成するために導電層（Ｅ）６０４６と導電層（Ｄ）６０４５とをエッチング処理して、ゲート配線６０４７、６０４８と容量配線６０４９を形成た。エッチング処理は最初にＳｉＣｌ4とＣｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いたドライエッチング法で導電層（Ｅ）の表面から導電層（Ｄ）の途中まで除去し、その後リン酸系のエッチング溶液によるウエットエッチングで導電層（Ｄ）を除去することにより、下地との選択加工性を保ってゲート配線を形成することができた。
【０１５３】
第１の層間絶縁膜６０５０は５００〜６０５００ｎｍの厚さで酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜で形成され、その後、それぞれの島状半導体層に形成されたソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース配線６０５１〜６０５４と、ドレイン配線６０５５〜６０５８を形成する。図示していないが、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜３００ｎｍ、Ｔｉ膜６０５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の積層膜とした。
【０１５４】
次に、パッシベーション膜６０５９として、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜を５０〜５００ｎｍ（代表的には１００〜３００ｎｍ）の厚さで形成する。この状態で水素化処理を行うとＴＦＴの特性向上に対して好ましい結果が得られた。例えば、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行うと良く、あるいはプラズマ水素化法を用いても同様の効果が得られた。なお、ここで後に画素電極とドレイン配線を接続するためのコンタクトホールを形成する位置において、パッシベーション膜６０５９に開口部を形成しておいても良い。（図２２（Ｃ））
【０１５５】
その後、有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜６０６０を１．０〜１．５μｍの厚さに形成する。有機樹脂としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成した。そして、第２の層間絶縁膜６０６０にドレイン配線６０５８に達するコンタクトホールを形成し、画素電極６０６１、６０６２を形成する。画素電極は、透過型液晶表示装置とする場合には透明導電膜を用いれば良く、反射型の液晶表示装置とする場合には金属膜を用いれば良い。本実施例では透過型の液晶表示装置とするために、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１００ｎｍの厚さにスパッタ法で形成した。（図２３）
【０１５６】
こうして同一基板上に、駆動回路のＴＦＴと画素領域の画素ＴＦＴとを有した基板を完成させることができた。駆動回路にはｐチャネル型ＴＦＴ６１０１、第１のｎチャネル型ＴＦＴ６１０２、第２のｎチャネル型ＴＦＴ６１０３、画素領域には画素ＴＦＴ６１０４、保持容量６１０５が形成した。本明細書では便宜上このような基板をＴＦＴ基板と呼ぶ。
【０１５７】
駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴ６１０１には、島状半導体層６００４にチャネル形成領域２０６、ソース領域６１０７ａ、６１０７ｂ、ドレイン領域６１０８ａ，６１０８ｂを有している。第１のｎチャネル型ＴＦＴ６１０２には、島状半導体層６００５にチャネル形成領域６１０９、ゲート電極６０２９と重なるＬＤＤ領域６１１０（以降、このようなＬＤＤ領域をＬovと記す）、ソース領域６１１１、ドレイン領域６１１２を有している。このＬov領域のチャネル長方向の長さは０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．０〜１．５μｍとした。第２のｎチャネル型ＴＦＴ６１０３には、島状半導体層６００６にチャネル形成領域６１１３、ＬＤＤ領域６１１４，６１１５、ソース領域６１１６、ドレイン領域６１１７を有している。このＬＤＤ領域はＬov領域とゲート電極６０３０と重ならないＬＤＤ領域（以降、このようなＬＤＤ領域をＬoffと記す）とが形成され、このＬoff領域のチャネル長方向の長さは０．３〜２．０μｍ、好ましくは０．５〜１．５μｍである。画素ＴＦＴ６１０４には、島状半導体層６００７にチャネル形成領域６１１８、６１１９、Ｌoff領域６１２０〜６１２３、ソースまたはドレイン領域６１２４〜６１２６を有している。Ｌoff領域のチャネル長方向の長さは０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．５〜２．５μｍである。さらに、容量配線６０３２、６０４９と、ゲート絶縁膜と同じ材料から成る絶縁膜と、画素ＴＦＴ６１０４のドレイン領域６１２６に接続し、ｎ型を付与する不純物元素が添加された半導体層６１２７とから保持容量６１０５が形成されている。図２３では画素ＴＦＴ６１０４をダブルゲート構造としたが、シングルゲート構造でも良いし、複数のゲート電極を設けたマルチゲート構造としても差し支えない。
【０１５８】
以上の様に本実施例では、画素ＴＦＴおよび駆動回路が要求する仕様に応じて各回路を構成するＴＦＴの構造を最適化し、半導体装置の動作性能と信頼性を向上させることを可能とすることができる。さらにゲート電極を耐熱性を有する導電性材料で形成することによりＬＤＤ領域やソース領域およびドレイン領域の活性化を容易とし、ゲート配線低抵抗材料で形成することにより、配線抵抗を十分低減できる。従って、画素領域（画面サイズ）が４インチクラス以上の表示装置にも適用することができる。
【０１５９】
（実施例４）
【０１６０】
本実施例では、実施例３で示したＴＦＴの他に、逆スタガ型のＴＦＴを用いた例を示す。
【０１６１】
図２４を参照する。図２４には、本実施例の液晶表示装置を構成する逆スタガ型のＮチャネル型ＴＦＴの断面図が示されている。なお、図２４には、１つのＮチャネル型ＴＦＴしか図示しないが、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとによってＣＭＯＳ回路を構成することもできるのは言うまでもない。また、同様の構成により画素ＴＦＴを構成できることも言うまでもない。
【０１６２】
３００１は基板であり、実施例３で説明したようなものが用いられる。３００２は酸化シリコン膜である。３００３はゲート電極である。３００４はゲイト絶縁膜である。３００５、３００６、３００７および３００８は、多結晶シリコン膜から成る活性層である。この活性層の作製にあたっては、実施例３で説明した非晶質シリコン膜の多結晶化と同様の方法が用いられた。またレーザー光（好ましくは線状レーザー光または面状レーザー光）によって、非晶質シリコン膜を結晶化させる方法をとっても良い。なお、３００５はソース領域、３００６はドレイン領域、３００７は低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）、３００８はチャネル形成領域である。３００９はチャネル保護膜であり、３０１０は層間絶縁膜である。３０１１および３０１２はそれぞれ、ソース電極、ドレイン電極である。
【０１６３】
次に、図２５を参照する。図２５には、上述とは構成が異なる逆スタガ型のＴＦＴによって液晶表示装置が構成された場合について説明する。
【０１６４】
図２５においても、１つのＮチャネル型ＴＦＴしか図示しないが、上述のようにＰチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとによってＣＭＯＳ回路を構成することもできるのは言うまでもない。また、同様の構成により画素ＴＦＴを構成できることも言うまでもない。
【０１６５】
３１０１は基板である。３１０２は酸化シリコン膜である。３１０３はゲイト電極である。３１０４はベンゾジクロブテン（ＢＣＢ）膜であり、その上面が平坦化される。３１０５は窒化シリコン膜である。ＢＣＢ膜と窒化シリコン膜とでゲイト絶縁膜を構成する。３１０６、３１０７、３１０８および３１０９は、多結晶シリコン膜から成る活性層である。この活性層の作製にあたっては、実施例３で説明した非晶質シリコン膜の多結晶化と同様の方法が用いられた。またレーザー光（好ましくは線状レーザー光または面状レーザー光）によって、非晶質シリコン膜を結晶化させる方法をとっても良い。なお、３１０６はソース領域、３１０７はレイン領域、３１０８は低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）、３１０９はチャネル形成領域である。３１１０はチャネル保護膜であり、３１１１は層間絶縁膜である。３１１２および３１１３はそれぞれ、ソース電極、ドレイン電極である。
【０１６６】
本実施例によると、ＢＣＢ膜と窒化シリコン膜とで構成されるゲイト絶縁膜が平坦化されているので、その上に成膜される非晶質シリコン膜も平坦なものになる。よって、非晶質シリコン膜を多結晶化する際に、従来の逆スタガ型のＴＦＴよりも均一な多結晶シリコン膜を得ることができる。
【０１６７】
（実施例５）
【０１６８】
本発明の液晶表示装置には、ＴＮ液晶以外にも様々な液晶を用いることが可能である。例えば、1998, SID, "Characteristics and Driving Scheme of Polymer-Stabilized Monostable FLCD Exhibiting Fast Response Time and High Contrast Ratio with Gray-Scale Capability" by H. Furue et al.や、1997, SID DIGEST, 841, "A Full-Color Thresholdless Antiferroelectric LCD Exhibiting Wide Viewing Angle with Fast Response Time" by T. Yoshida et al.や、1996, J. Mater. Chem. 6(4), 671-673, "Thresholdless antiferroelectricity in liquid crystals and its application to displays" by S. Inui et al.や、米国特許第5594569 号に開示された液晶を用いることが可能である。
【０１６９】
ある温度域において反強誘電相を示す液晶を反強誘電性液晶という。反強誘電性液晶を有する混合液晶には、電場に対して透過率が連続的に変化する電気光学応答特性を示す、無しきい値反強誘電性混合液晶と呼ばれるものがある。この無しきい値反強誘電性混合液晶は、Ｖ字型の電気光学応答特性を示すものがあり、その駆動電圧が約±２．５Ｖ程度（セル厚約１μｍ〜２μｍ）のものも見出されている。
【０１７０】
ここで、Ｖ字型の電気光学応答を示す無しきい値反強誘電性混合液晶の印加電圧に対する光透過率の特性を示す例を図１７に示す。図１７に示すグラフの縦軸は透過率（任意単位）、横軸は印加電圧である。なお、液晶表示装置の入射側の偏光板の透過軸は、液晶表示装置のラビング方向にほぼ一致する無しきい値反強誘電性混合液晶のスメクティック層の法線方向とほぼ平行に設定されている。また、出射側の偏光板の透過軸は、入射側の偏光板の透過軸に対してほぼ直角（クロスニコル）に設定されている。
【０１７１】
図１７に示されるように、このような無しきい値反強誘電性混合液晶を用いると、低電圧駆動かつ階調表示が可能となることがわかる。
【０１７２】
このような低電圧駆動の無しきい値反強誘電性混合液晶をアナログドライバを有する液晶表示装置に用いた場合には、画像信号のサンプリング回路の電源電圧を、例えば、５Ｖ〜８Ｖ程度に抑えることが可能となる。よって、ドライバの動作電源電圧を下げることができ、液晶表示装置の低消費電力化および高信頼性が実現できる。
【０１７３】
また、このような低電圧駆動の無しきい値反強誘電性混合液晶をデジタルドライバを有する液晶表示装置に用いた場合にも、Ｄ／Ａ変換回路の出力電圧を下げることができるので、Ｄ／Ａ変換回路の動作電源電圧を下げることができ、ドライバの動作電源電圧を低くすることができる。よって、液晶表示装置の低消費電力化および高信頼性が実現できる。
【０１７４】
よって、このような低電圧駆動の無しきい値反強誘電性混合液晶を用いることは、比較的ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）の幅が小さなＴＦＴ（例えば、０ｎｍ〜５００ｎｍまたは０ｎｍ〜２００ｎｍ）を用いる場合においても有効である。
【０１７５】
また、一般に、無しきい値反強誘電性混合液晶は自発分極が大きく、液晶自体の誘電率が高い。このため、無しきい値反強誘電性混合液晶を液晶表示装置に用いる場合には、画素に比較的大きな保持容量が必要となってくる。よって、自発分極が小さな無しきい値反強誘電性混合液晶を用いるのが好ましい。また、液晶表示装置の駆動方法を線順次駆動とすることにより、画素への階調電圧の書き込み期間（ピクセルフィードピリオド）を長くし、保持容量が小くてもそれを補うようにしてもよい。
【０１７６】
なお、このような無しきい値反強誘電性混合液晶を用いることによって低電圧駆動が実現されるので、液晶表示装置の低消費電力が実現される。
【０１７７】
なお、図１７に示すような電気光学特性を有する液晶であれば、いかなるものも本発明の液晶表示装置の表示媒体として用いることができる。
【０１７８】
（実施例５）
【０１７９】
本実施例においては、本発明の構造をＥＬ表示装置に用いた例を示す。図２６を参照する。本実施例のＥＬ表示装置の回路ブロック図を図２６（Ａ）に示す。図２６（Ａ）のＥＬ表示装置は、基板上に形成されたＴＦＴによって画素部４００１、画素部の周辺に配置されたデータ信号側駆動回路４００２及びゲート信号側駆動回路４００３が形成される。なお、データ側信号側駆動回路とゲート信号側駆動回路はどちらも画素部を挟んで１対で設けても構わない。
【０１８０】
データ信号側駆動回路４００２は基本的にシフトレジスタ４００２a、ラッチ（Ａ）４００２b、ラッチ（Ｂ）４００２cを含む。また、シフトレジスタ４００２aにはクロックパルス（ＣＫ）及びスタートパルス（ＳＰ）が入力され、ラッチ（Ａ）４００２bにはデジタルデータ信号（Digital Data Signals）が入力され、ラッチ（Ｂ）４００２cにはラッチ信号（Latch Signals）が入力される。
【０１８１】
本実施例では画素部に入力されるデータ信号がデジタル信号であり、また液晶表示装置と異なり電圧階調表示ではないので、「０」または「１」の情報を有するデジタルデータ信号がそのまま画素部へと入力される。
【０１８２】
画素部４００１にはマトリクス状に複数の画素４００４が配列される。画素４００４の拡大図を図２６（Ｂ）に示す。図２６（Ｂ）において、４００５はスイッチング用ＴＦＴであり、ゲート信号を入力するゲート配線４００６とデータ信号を入力するデータ配線（ソース配線ともいう）４００７に接続されている。
【０１８３】
また、４００８は電流制御用ＴＦＴであり、そのゲートはスイッチング用ＴＦＴ４００５のドレインに接続される。そして、電流制御用ＴＦＴ４００８のドレインはＥＬ素子４００９に接続され、ソースは電源供給線４０１０に接続される。ＥＬ素子４００９は電流制御用ＴＦＴ４００８に接続された陽極（画素電極）と、ＥＬ層を挟んで陽極に対向して設けられた陰極（対向電極）とでなり、陰極は所定の電源４０１１に接続されている。
【０１８４】
また、スイッチング用ＴＦＴ４００５が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用ＴＦＴ４００８のゲート電圧を保持するためにコンデンサ４０１２が設けられる。このコンデンサ４０１２はスイッチング用ＴＦＴ４００５のドレインと電源供給線４０１０とに接続されている。
【０１８５】
以上のような画素部に入力されるデジタルデータ信号は、時分割階調データ信号発生回路４０１３にて形成される。この回路ではアナログ信号又はデジタル信号でなるビデオ信号（画像情報を含む信号）を、時分割階調を行うためのデジタルデータ信号に変換すると共に、時分割階調表示を行うために必要なタイミングパルス等を発生させる回路である。
【０１８６】
典型的には、時分割階調データ信号発生回路４０１３には、１フレームをＮビット（Ｎは２以上の整数）の階調に対応した複数のサブフレームに分割する手段と、それら複数のサブフレームにおいてアドレス期間及びサステイン期間を選択する手段と、そのサステイン期間をＴs1：Ｔs2：Ｔs3：…：Ｔs(n-1)：Ｔs(n)＝２0：２-1：２-2：…：２-(n-2)：２-(n-1)となるように設定する手段とが含まれる。
【０１８７】
この時分割階調データ信号発生回路４０１３は、本実施例のＥＬ表示装置の外部に設けられても良い。その場合、そこで形成されたデジタルデータ信号が本実施例のＥＬ表示装置に入力される構成となる。この場合、本実施例のＥＬ表示装置をディスプレイとして有する電子装置は、本実施例のＥＬ表示装置と時分割階調データ信号発生回路を別の部品として含むことになる。
【０１８８】
また、時分割階調データ信号発生回路４０１３をＩＣチップなどの形で本実施例のＥＬ表示装置に実装しても良い。その場合、そのＩＣチップで形成されたデジタルデータ信号が本実施例のＥＬ表示装置に入力される構成となる。この場合、本実施例のＥＬ表示装置をディスプレイとして有する電子装置は、時分割階調データ信号発生回路を含むＩＣチップを実装した本実施例のＥＬ表示装置を部品として含むことになる。
【０１８９】
また、時分割階調データ信号発生回路４０１３を画素部４００１、データ信号側駆動回路４００２及びゲート信号側駆動回路と同一の基板上にＴＦＴでもって形成し得る。この場合、ＥＬ表示装置に画像情報を含むビデオ信号を入力すれば全て基板上で処理することができる。勿論、この場合の時分割階調データ信号発生回路は連続粒界結晶シリコン膜を活性層とするＴＦＴで形成することが望ましい。また、この場合、本実施例のＥＬ表示装置をディスプレイとして有する電子装置は、時分割階調データ信号発生回路がＥＬ表示装置自体に内蔵されており、電子装置の小型化を図ることが可能である。
【０１９０】
次に、本実施例のＥＬ表示装置について、断面構造の概略を図２７に示す。
【０１９１】
図２７において、５０１１は基板、５０１２は下地となる絶縁膜（以下、下地膜という）である。基板５０１１としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基板を用いることができる。但し、作製プロセス中の最高処理温度に耐えるものでなくてはならない。
【０１９２】
また、下地膜５０１２は特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、石英基板には設けなくても構わない。下地膜５０１２としては、珪素（シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」とは、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ、ｙは任意の整数、で示される）など珪素に対して酸素若しくは窒素を所定の割合で含ませた絶縁膜を指す。
【０１９３】
５２０１はスイッチング用ＴＦＴ、５２０２は電流制御用ＴＦＴであり、どちらもｎチャネル型ＴＦＴで形成されている。ｎチャネル型ＴＦＴの電界効果移動度はｐチャネル型ＴＦＴの電界効果移動度よりも大きいため、動作速度が早く大電流を流しやすい。また、同じ電流量を流すにもＴＦＴサイズはｎチャネル型ＴＦＴの方が小さくできる。そのため、ｎチャネル型ＴＦＴを電流制御用ＴＦＴとして用いた方が画像表示部の有効発光面積が広くなるので好ましい。
【０１９４】
ただし、本実施例において、スイッチング用ＴＦＴと電流制御用ＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴに限定する必要はなく、両方又はどちらか片方にｐチャネル型ＴＦＴを用いることも可能である。
【０１９５】
スイッチング用ＴＦＴ５２０１は、ソース領域５０１３、ドレイン領域５０１４、ＬＤＤ領域５０１５a〜５０１５d、分離領域５０１８及びチャネル形成領域５０１７a、５０１７bを含む活性層、ゲート絶縁膜５０１８、ゲート電極５０１９a、５０１９b、第１層間絶縁膜５０２０、ソース配線５０２１並びにドレイン配線５０２２を有して形成される。なお、ゲート絶縁膜５０１８又は第１層間絶縁膜５０２０は基板上の全ＴＦＴに共通であっても良いし、回路又は素子に応じて異ならせても良い。
【０１９６】
また、図２７に示すスイッチング用ＴＦＴ５２０１はゲート電極５０１９a、５０１９bが電気的に接続されており、いわゆるダブルゲート構造となっている。勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造などいわゆるマルチゲート構造（直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造）であっても良い。
【０１９７】
マルチゲート構造はオフ電流を低減する上で極めて有効であり、スイッチング用ＴＦＴのオフ電流を十分に低くすれば、それだけ図２６（Ｂ）に示すコンデンサ４０１２に必要な容量を小さくすることができる。即ち、コンデンサ４０１２の専有面積を小さくすることができるので、マルチゲート構造とすることはＥＬ素子５２０３の有効発光面積を広げる上でも有効である。
【０１９８】
さらに、スイッチング用ＴＦＴ５２０１においては、ＬＤＤ領域５０１５a〜５０１５dは、ゲート絶縁膜１８を介してゲート電極５０１７a、５０１７bと重ならないように設ける。このような構造はオフ電流を低減する上で非常に効果的である。また、ＬＤＤ領域５０１５a〜５０１５dの長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ、代表的には２．０〜２．５μｍとすれば良い。
【０１９９】
なお、チャネル形成領域とＬＤＤ領域との間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半導体層でなり、ゲート電圧が印加されない領域）を設けることはオフ電流を下げる上でさらに好ましい。また、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場合、チャネル形成領域の間に設けられた分離領域５０１８（ソース領域又はドレイン領域と同一の濃度で同一の不純物元素が添加された領域）がオフ電流の低減に効果的である。
【０２００】
次に、電流制御用ＴＦＴ５２０２は、ソース領域５０２６、ドレイン領域５０２７、ＬＤＤ領域５０２８及びチャネル形成領域５０２９を含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極５０３０、第１層間絶縁膜５０２０、ソース配線５０３１並びにドレイン配線５０３３を有して形成される。なお、ゲート電極５０３０はシングルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。
【０２０１】
図２６（Ｂ）に示すように、スイッチング用ＴＦＴのドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続されている。具体的には電流制御用ＴＦＴ５２０２のゲート電極５０３０はスイッチング用ＴＦＴ５２０１のドレイン領域５０１４とドレイン配線（接続配線とも言える）５０２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線５０３１は図２６（Ｂ）の電源供給線４０１０に接続される。
【０２０２】
電流制御用ＴＦＴ５２０２はＥＬ素子に注入される電流量を制御するための素子であり、比較的多くの電流が流れる。そのため、チャネル幅（Ｗ）はスイッチング用ＴＦＴのチャネル幅よりも大きく設計することが好ましい。また、電流制御用ＴＦＴ５２０２に過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
【０２０３】
以上のことを踏まえると、スイッチング用ＴＦＴのチャネル長をＬ１（但しＬ１＝Ｌ１a＋Ｌ１b）、チャネル幅をＷ１とし、電流制御用ＴＦＴのチャネル長をＬ２、チャネル幅をＷ２とした時、Ｗ１は０．１〜５μm（代表的には１〜３μm）、Ｗ２は０．５〜３０μm（代表的には２〜１０μm）とするのが好ましい。また、Ｌ１は０．２〜１８μm（代表的には２〜１５μm）、Ｌ２は０．１〜５０μm（代表的には１〜２０μm）とするのが好ましい。但し、以上の数値に限定する必要はない。
【０２０４】
また、図２７に示したＥＬ表示装置は、電流制御用ＴＦＴ５２０２において、ドレイン領域５０２７とチャネル形成領域５０２９との間にＬＤＤ領域５０２８が設けられ、且つ、ＬＤＤ領域５０２８がゲート絶縁膜５０１８を介してゲート電極５０３０に重なっている領域と重なっていない領域とを有する点にも特徴がある。
【０２０５】
電流制御用ＴＦＴ５２０２は、ＥＬ素子５２０３を発光させるために比較的多くの電流を流すため、ホットキャリア注入による劣化対策を講じておくことが望ましい。また、黒色を表示する際は、電流制御用ＴＦＴ５２０２をオフ状態にしておくが、その際、オフ電流が高いときれいな黒色表示ができなくなり、コントラストの低下等を招く。従って、オフ電流も抑える必要がある。
【０２０６】
ホットキャリア注入による劣化に関しては、ゲート電極に対してＬＤＤ領域が重なった構造が非常に効果的であることが知られている。しかしながら、ＬＤＤ領域全体を重ねてしまうとオフ電流が増加してしまうため、本出願人は上記構造に加えてゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を直列に設けるという新規な構造によって、ホットキャリア対策とオフ電流対策とを同時に解決している。
【０２０７】
この時、ゲート電極に重なったＬＤＤ領域の長さは０．１〜３μm（好ましくは０．３〜１．５μm）にすれば良い。長すぎては寄生容量を大きくしてしまい、短すぎてはホットキャリアを防止する効果が弱くなってしまう。また、ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域の長さは１．０〜３．５μｍ（好ましくは１．５〜２．０μｍ）にすれば良い。長すぎると十分な電流を流せなくなり、短すぎるとオフ電流を低減する効果が弱くなる。
【０２０８】
また、上記構造においてゲート電極とＬＤＤ領域とが重なった領域では寄生容量が形成されてしまうため、ソース領域５０２６とチャネル形成領域５０２９との間には設けない方が好ましい。電流制御用ＴＦＴはキャリア（ここでは電子）の流れる方向が常に同一であるので、ドレイン領域側のみにＬＤＤ領域を設けておけば十分である。
【０２０９】
また、流しうる電流量を多くするという観点から見れば、電流制御用ＴＦＴ５２０２の活性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を厚くする（好ましくは５０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは６０〜８０ｎｍ）ことも有効である。逆に、スイッチング用ＴＦＴ５２０１の場合はオフ電流を小さくするという観点から見れば、活性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を薄くする（好ましくは２０〜５０ｎｍ、さらに好ましくは２５〜４０ｎｍ）ことも有効である。
【０２１０】
以上は画素内に設けられたＴＦＴの構造について説明したが、このとき同時に駆動回路も形成される。図２７には駆動回路を形成する基本単位となるＣＭＯＳ回路が図示されている。
【０２１１】
図２７においては極力動作速度を落とさないようにしつつホットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴをＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴ５０２０４として用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、図２６に示したデータ信号駆動回路４００２、ゲート信号駆動回路４００３を指す。勿論、他の論理回路（レベルシフタ、Ａ／Ｄコンバータ、信号分割回路等）を形成することも可能である。
【０２１２】
ｎチャネル型５２０５の活性層は、ソース領域５０３５、ドレイン領域５０３６、ＬＤＤ領域５０３７及びチャネル形成領域５０３８を含み、ＬＤＤ領域５０３７はゲート絶縁膜５０１８を介してゲート電極５０３９と重なっている。
【０２１３】
ドレイン領域側のみにＬＤＤ領域を形成しているのは、動作速度を落とさないための配慮である。また、このｎチャネル型ＴＦＴ５２０５はオフ電流値をあまり気にする必要はなく、それよりも動作速度を重視した方が良い。従って、ＬＤＤ領域５０３７は完全にゲート電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが望ましい。即ち、いわゆるオフセットはなくした方がよい。
【０２１４】
また、ＣＭＯＳ回路のｐチャネル型ＴＦＴ５２０５は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。従って活性層はソース領域５０４０、ドレイン領域５０４１及びチャネル形成領域５０４２を含み、その上にはゲート絶縁膜５０１８とゲート電極５０４３が設けられる。勿論、ｎチャネル型ＴＦＴ５２０４と同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０２１５】
また、ｎチャネル型ＴＦＴ５２０４及びｐチャネル型ＴＦＴ５２０５はそれぞれ第１層間絶縁膜５０２０に覆われ、ソース配線５０４４、５０４５が形成される。また、ドレイン配線５０４６によって両者は電気的に接続される。
【０２１６】
次に、５０４７は第１パッシベーション膜であり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）を用いることができる。このパッシベーション膜５０４７は形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する役割をもつ。最終的にＴＦＴの上方に設けられるＥＬ層にはナトリウム等のアルカリ金属が含まれている。即ち、第１パッシベーション膜５０４７はこれらのアルカリ金属（可動イオン）をＴＦＴ側に侵入させない保護層としても働く。
【０２１７】
また、５０４８は第２層間絶縁膜であり、ＴＦＴによってできる段差の平坦化を行う平坦化膜としての機能を有する。第２層間絶縁膜５０４８としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。これらの有機樹脂膜は良好な平坦面を形成しやすく、比誘電率が低いという利点を有する。ＥＬ層は凹凸に非常に敏感であるため、ＴＦＴによる段差は第２層間絶縁膜で殆ど吸収してしまうことが望ましい。また、ゲート配線やデータ配線とＥＬ素子の陰極との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。従って、膜厚は０．５〜５μm（好ましくは１．５〜２．５μm）が好ましい。
【０２１８】
また、５０４９は透明導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）であり、第２層間絶縁膜５０４８及び第１パッシベーション膜５０４７にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ５２０２のドレイン配線５０３３に接続されるように形成される。なお、図２７のように画素電極５０４９とドレイン領域５０２７とが直接接続されないようにしておくと、ＥＬ層のアルカリ金属が画素電極を経由して活性層へ侵入することを防ぐことができる。
【０２１９】
画素電極５０４９の上には酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜または有機樹脂膜でなる第３層間絶縁膜５０が０．３〜１μmの厚さに設けられる。この第３層間絶縁膜５０５０は画素電極５０４９の上にエッチングにより開口部が設けられ、その開口部の縁はテーパー形状となるようにエッチングする。テーパーの角度は１０〜６０°（好ましくは３０〜５０°）とすると良い。
【０２２０】
第３層間絶縁膜５０５０の上にはＥＬ層５０５１が設けられる。ＥＬ層５０５１は単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一般的には画素電極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構造でも良い。本実施例では公知のいずれの構造を用いても良いし、ＥＬ層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
【０２２１】
有機ＥＬ材料としては、例えば、以下の米国特許又は公開公報に開示された材料を用いることができる。米国特許第４，３５６，４２９号、 米国特許第４，５３９，５０７号、 米国特許第４，７２０，４３２号、 米国特許第４，７６９，２９２号、 米国特許第４，８８５，２１１号、 米国特許第４，９５０，９５０号、 米国特許第５，０５９，８６１号、 米国特許第５，０４７，６８７号、 米国特許第５，０７３，４４６号、 米国特許第５，０５９，８６２号、 米国特許第５，０６１，６１７号、 米国特許第５，１５１，６２９号、 米国特許第５，２９４，８６９号、 米国特許第５，２９４，８７０号、特開平１０−１８９５２５号公報、特開平８−２４１０４８号公報、特開平８−７８１５９号公報。
【０２２２】
ＥＬ層は、低分子の材料であれば蒸着で、高分子の材料であればスピンコートによって成膜すればよい。
【０２２３】
なお、ＥＬ表示装置には大きく分けて四つのカラー化表示方式があり、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）に対応した三種類のＥＬ素子を形成する方式、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルターを組み合わせた方式、青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を使用してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式、がある。
【０２２４】
図２７の構造はＲＧＢに対応した三種類のＥＬ素子を形成する方式を用いた場合の例である。なお、図２７には一つの画素しか図示していないが、同一構造の画素が赤、緑又は青のそれぞれの色に対応して形成され、これによりカラー表示を行うことができる。
【０２２５】
本実施例は発光方式に関わらず実施することが可能であり、上記四つの全ての方式を本実施例に用いることができる。しかし、蛍光体はＥＬに比べて応答速度が遅く残光が問題となりうるので、蛍光体を用いない方式が望ましい。また、発光輝度を落とす要因となるカラーフィルターもなるべく使わない方が望ましいと言える。
【０２２６】
ＥＬ層５０５１の上にはＥＬ素子の陰極５０５２が設けられる。陰極５０５２としては、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。
【０２２７】
陰極５０５２はＥＬ層５０５１を形成した後、大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。陰極５０５２とＥＬ層５０５１との界面状態はＥＬ素子の発光効率に大きく影響するからである。なお、本明細書中では、画素電極（陽極）、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【０２２８】
ＥＬ層５０５１と陰極５０５２とでなる積層体は、各画素で個別に形成する必要があるが、ＥＬ層５０５１は水分に極めて弱いため、通常のフォトリソグラフィ技術を用いることができない。従って、メタルマスク等の物理的なマスク材を用い、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等の気相法で選択的に形成することが好ましい。
【０２２９】
なお、ＥＬ層を選択的に形成する方法として、インクジェット法やスクリーン印刷法等を用いることも可能であるが、これらは現状では陰極の連続形成ができないので、上述の方法の方が好ましいと言える。
【０２３０】
また、５０５３は保護電極であり、陰極５０５２を外部の水分等から保護すると同時に、各画素の陰極５０５２を接続するための電極である。保護電極５０５３としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）若しくは銀（Ａｇ）を含む低抵抗な材料を用いることが好ましい。この保護電極５０５３にはＥＬ層の発熱を緩和する放熱効果も期待できる。また、上記ＥＬ層５０５１、陰極５０５２を形成した後、大気解放しないで連続的に保護電極５０５３まで形成することも有効である。
【０２３１】
また、５０５４は第２パッシベーション膜であり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。第２パッシベーション膜５０５４を設ける目的は、ＥＬ層５０５１を水分から保護する目的が主であるが、放熱効果をもたせることも有効である。但し、上述のようにＥＬ層は熱に弱いので、なるべく低温（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）で成膜するのが望ましい。従って、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法又は溶液塗布法（スピンコーティング法）が望ましい成膜方法と言える。
【０２３２】
（実施例６）
【０２３３】
実施例１〜５に示した構造を有するＴＦＴ基板を用い、液晶表示装置を構成した例を図２８に示す。図２８は液晶表示装置の本体に相当する部位であり、液晶パネルとも呼ばれる。なお本実施例では液晶パネルのＦＰＣとの貼り合わせの部分について説明するため、便宜上シール材やセル構成部は図示しなかった。
【０２３４】
図２８において、８００１はＴＦＴ基板であり、ＴＦＴ基板８００１上に複数のＴＦＴが形成されている。これらのＴＦＴは基板上に画素部８００２、ゲート信号線駆動回路８００３、ソース信号線駆動回路８００４、ロジック回路８００５を構成する。その様なＴＦＴ基板に対して対向基板８００６が貼り合わされる。ＴＦＴ基板と対向基板８００６との間には液晶層（図示せず）が挟持される。
【０２３５】
また、図２８に示す構成では、ＴＦＴ基板８００１の側面と対向基板８００６の側面とをある１辺を除いて全てそろえることが望ましい。こうすることで大版基板からの多面取り数を効率良く増やすことができる。また、前述の一辺では、対向基板８００６の一部を除去してＴＦＴ基板８００１の一部を露出させ、そこにＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）８００７を取り付ける。ここには必要に応じてＩＣチップ（単結晶シリコン上に形成されたＭＯＳＦＥＴで構成される半導体回路）を搭載しても構わない。
【０２３６】
実施例２８で示した作製工程によって形成されたＴＦＴは極めて高い動作速度を有しているため、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波数で駆動する信号処理回路を画素部と同一の基板上に一体形成することが可能である。即ち、図２８に示す液晶パネルはシステム・オン・パネルを具現化したものである。
【０２３７】
（実施例７）
本発明の構成は、様々な電気光学装置（アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＣディスプレイ）に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示媒体として組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【０２３８】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター（リア型またはフロント型）、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図２９、図３０及び図３１に示す。
【０２３９】
図２９（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体７００１、映像入力部７００２、表示装置７００３、キーボード７００４で構成される。本発明を映像入力部７００２、表示装置７００３やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４０】
図２９（Ｂ）はビデオカメラであり、本体７１０１、表示装置７１０２、音声入力部７１０３、操作スイッチ７１０４、バッテリー７１０５、受像部７１０６で構成される。本発明を表示装置７１０２、音声入力部７１０３やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４１】
図２９（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体７２０１、カメラ部７２０２、受像部７２０３、操作スイッチ７２０４、表示装置７２０５で構成される。本発明は表示装置７２０５やその他の信号制御回路に適用できる。
【０２４２】
図２９（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体７３０１、表示装置７３０２、アーム部７３０３で構成される。本発明は表示装置７３０２やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４３】
図２９（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体７４０１、表示装置７４０２、スピーカ部７４０３、記録媒体７４０４、操作スイッチ７４０５で構成される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示装置７４０２やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４４】
図２９（Ｆ）はゲーム機であり、本体７５０１、本体用表示装置７５０２、表示装置７５０３、記録媒体７５０４、コントローラ７５０５、本体用センサ部７５０６、センサ部７５０７、ＣＰＵ部７５０８で構成される。本体用センサ部７５０６、センサ部７５０７はそれぞれコントローラ７５０５、本体７５０１から出される赤外線を感知することが可能である。本発明を本体用表示装置７５０２、表示装置７５０３やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４５】
図３０（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、光源光学系及び表示装置７６０１、スクリーン７６０２で構成される。本発明は表示装置やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４６】
図３０（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体７７０１、光源光学系及び表示装置７７０２、ミラー７７０３、ミラー７７０４、スクリーン７７０５で構成される。本発明は表示装置やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４７】
なお、図３０（Ｃ）は、図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２の構造の一例を示した図である。光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２は、光源光学系７８０１、ミラー７８０２、７８０４〜７８０６、ダイクロイックミラー７８０３、光学系７８０７、表示装置７８０８、位相差板７８０９、投射光学系７８１０で構成される。投射光学系７８１０は、投射レンズを備えた複数の光学レンズで構成される。この構成は、表示装置７８０８を三つ使用しているため三板式と呼ばれている。また、図３０（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等を設けてもよい。
【０２４８】
また、図３０（Ｄ）は、図３０（Ｃ）中における光源光学系７８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系７８０１は、リフレクター７８１１、光源７８１２、レンズアレイ７８１３、７８１４、偏光変換素子７８１５、集光レンズ７８１６で構成される。なお、図３０（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等を設けてもよい。
【０２４９】
図３０（Ｃ）は三板式の例を示したが、図３１（Ａ）は単板式の一例を示した図である。図３１（Ａ）に示した光源光学系及び表示装置は、光源光学系７９０１、表示装置７９０２、投射光学系７９０３で構成される。投射光学系７９０３は、投射レンズを備えた複数の光学レンズで構成される。図３１（Ａ）に示した光源光学系及び表示装置は図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２に適用できる。また、光源光学系７９０１は図３０（Ｄ）に示した光源光学系を用いればよい。なお、表示装置７９０２にはカラーフィルター（図示しない）が設けられており、表示映像をカラー化している。
【０２５０】
また、図３１（Ｂ）に示した光源光学系及び表示装置は、図３１（Ａ）の応用例であり、カラーフィルターを設ける代わりに、ＲＧＢの回転カラーフィルター円板７９０５を用いて表示映像をカラー化している。図３１（Ｂ）に示した光源光学系及び表示装置は図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２に適用できる。
【０２５１】
また、図３１（Ｃ）に示した光源光学系及び表示装置は、カラーフィルターレス単板式と呼ばれている。この方式は、表示装置７９１６にマイクロレンズアレイ７９１５を設け、ダイクロイックミラー（緑）７９１２、ダイクロイックミラー（赤）７９１３、ダイクロイックミラー（青）７９１４を用いて表示映像をカラー化している。投射光学系７９１７は、投射レンズを備えた複数の光学レンズで構成される。図３１（Ｃ）に示した光源光学系及び表示装置は図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２に適用できる。また、光源光学系７９１１としては、光源の他に結合レンズ、コリメータレンズを用いた光学系を用いればよい。
【０２５２】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜７のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０２５３】
【発明の効果】
【０２５４】
本発明では、２つの基板間に液晶を挟持した液晶表示装置において、基板をエッチング等で削ることで、基板の表面に液晶を挟持するための溝（セル構成部）を形成している。そしてセルギャップはセル構成部の深さで決定している。
【０２５５】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【０２５６】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本発明ではセルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さくすることが可能になった。
【０２５７】
また本発明では、ゴーグル型表示装置において、液晶パネルが有するレンズの一部がエッチング等で削られてセル構成部を形成している。そして、エッチング等で削られていない基板上にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板がレンズと貼り合わされており、ＴＦＴ基板とレンズのセル構成部との間に液晶が挟持される。
【０２５８】
上記構成を有する本発明のゴーグル型表示装置によると、レンズ等の光学素子と液晶パネルが一体となっているので、従来問題となっていた、液晶パネルとレンズとの「ずれ」による表示品質の劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液晶パネルの斜視図及び上面図。
【図２】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図３】 本発明の液晶パネルの詳しい上面図及び断面図。
【図４】 本発明の液晶パネルの斜視図及び上面図。
【図５】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図６】 本発明の液晶パネルの詳しい上面図及び断面図。
【図７】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図８】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図９】 本発明の液晶パネルの詳しい断面図。
【図１０】 本発明のゴーグル型表示装置の実施例の概略構成図。
【図１１】 本発明のゴーグル型表示装置の断面図。
【図１２】 本発明のゴーグル型表示装置の液晶パネルの概略ブロック図。
【図１３】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１４】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１５】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１６】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１７】 無しきい値反強誘電性混合液晶のＶ字型の電気光学特性を示すグラフ。
【図１８】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１９】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２０】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２１】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２２】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２３】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２４】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２５】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２６】 本発明の構成を用いたＥＬ表示装置の回路ブロック図。
【図２７】 本発明の構成を用いたＥＬ表示装置の断面構造の概略図。
【図２８】 本発明の液晶パネルの外観図。
【図２９】 本発明の構成を用いた電子機器の図。
【図３０】 本発明の構成を用いたプロジェクターの図。
【図３１】 本発明の構成を用いたプロジェクターの図。
【符号の説明】
１０１ ＴＦＴ基板
１０２ 対向基板
１０３ シール材
１０４ ＦＰＣ取り付け部
１０５ 液晶注入口
１０６ セル
１０７ 液晶
【発明の属する技術分野】
【０００２】
本明細書で開示する発明は２つの基板を用いた表示装置、特に液晶パネルに関する。また前記表示装置を用いたゴーグル型表示装置に関する。本明細書では、ゴーグル型表示装置というが、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）と呼ばれる場合もある。
【０００３】
【従来の技術】
【０００４】
近年、基板上に半導体薄膜を形成した半導体装置、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきている。それに伴い基板上に形成した薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の開発も盛んに行われている。
【０００５】
液晶表示装置は２つの基板の間にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、液晶、配向膜、透明電極などの構成材料が積層された液晶パネルを有している。液晶パネルの２つの基板間の距離（セルギャップ）は、用いる液晶材料によっても異なるが、一般的に０．３μｍ〜１０μｍ程度となっている。
【０００６】
セルギャップは液晶層の厚さと密に関係しており、セルギャップを制御することは、液晶層の厚さを制御することになる。液晶層の厚さは液晶ディスプレイとしての表示特性と密接に関係している。
【０００７】
視野角に大きな影響を与えるリタデーションは、液晶材料の複屈折率とセルギャップとの積で決まる。また電界の強さは電圧を距離で割ったものなので、セルギャップが変化すると電界の強さも変化する。
【０００８】
よって液晶層の厚さは、液晶ディスプレイの応答速度、コントラスト、視角、色調などと密接に関係している。そのためセルギャップを表示面積内で均一に制御することは、液晶の駆動条件の安定化、さらに色むらの抑制などの点から非常に重要である。
【０００９】
セルギャップを制御する方法としては、スペーサを用いる方法と、シール材を用いる方法とが挙げられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
スペーサを用いる方法とは、絶縁物でなるスペーサを基板間に散在させ、スペーサの厚さでセルギャップを制御するものである。
【００１２】
スペーサを用いる方法において、基板上に散布されるスペーサを均一に散在させることは容易ではない。いくつもの基板上に散布されるスペーサの量を、基板１つ、１つ常に一定にするための工夫がスペーサを散布する装置に必要になるという問題があった。
【００１３】
また、１つの基板上のスペーサを均一に散布するためには、スペーサを散布するノズルの動きを工夫する必要があり、そのために装置が複雑になってしまうという問題があった。
【００１４】
また、時としてスペーサは、そのスペーサのいくつかが固まった形（凝集体）として散布されてしまうことがあり、均一性の点で問題があった。
【００１５】
さらに基板上にスペーサが均一に散布されたとしても、液晶を注入する際にスペーサが移動してしまうことがある。液晶を注入する方法の１つとして、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入するやり方がある。この方法では、液晶をセルに注入する際に、スペーサが移動してしまい、基板上に偏って散布されてしまうという問題があった。
【００１６】
またスペーサがＴＦＴ（薄膜トランジスタ）上に位置することによって、２つの基板を貼り合わせたときにＴＦＴが破損してしまうという問題もあった。
【００１７】
一方、セルギャップを制御する方法として、シール材を用いる方法がある。シール材を用いる方法とは、２つの基板をシール材を間に挟んでプレスする際にセルギャップの制御を行うものである。しかしセルギャップは一般的に０．３μｍ〜１０μｍ程度と非常に短く、機械によってセルギャップを均一に保つのが難しいという問題があった。
【００１８】
また近年、使用者が頭部に装着して使用するゴーグル型の表示装置が普及してきている。このゴーグル型の表示装置は、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）とも呼ばれ、映像を拡大してその虚像を形成するレンズ、およびそのレンズの焦点距離よりも近くに設置された液晶パネルのような表示装置を有している。使用者は、液晶パネルの表示をレンズを介して観察することによって、拡大された映像を鑑賞することができる。よって、小型でありながらも、大画面の表示を鑑賞することができる。
【００１９】
このゴーグル型表示装置は、使用者が頭部に装着して使用するため、据え置き型の表示装置と比較して本体の対衝撃性が高いことが求められる。かつ、ゴーグル型表示装置は、使用中常に動いていることになり、内部の光学系が置き型の表示装置と比較して、「ずれ」を生じ易い。
【００２０】
ゴーグル型表示装置は、液晶パネルの表示をレンズを介して観察するので、液晶パネルとレンズとの「ずれ」が表示品質の劣化に直接つながってしまうという問題があった。
【００２１】
そこで、本発明は上述の問題を鑑みてなされたものであり、上述の問題を解決する液晶表示装置、及び前記液晶表示装置を用いたゴーグル型表示装置を提供することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明では、基板をエッチング等で削ることで、基板の表面に液晶を挟持するための溝（セル構成部）を形成する。このセル構成部が形成されている基板と、同じくセル構成部が形成されている基板若しくは形成されていない基板とを貼り合わせることで、液晶が挟持される部分（セル）を有する液晶パネルを形成する。
【００２４】
セルギャップはセル構成部の深さで決定する。セル構成部が形成されている基板同志を貼り合わせた場合は、それぞれのセル構成部の深さの和がセルギャップとなる。セル構成部が形成されている基板と、セル構成部が形成されていない基板とを貼り合わせた場合は、セル構成部が形成されている基板のセル構成部の深さがセルギャップとなる。
【００２５】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００２６】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本発明ではセルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００２７】
また本発明は、上述の課題を解決するために次のような手段を採った。図１８を参照する。図１８には、本発明のゴーグル型表示装置に用いられる光学素子であるレンズと画像表示部品であるＴＦＴ基板およびバックライトとが示されている。本発明によると、レンズの一部がエッチング等で削られてセル構成部を形成している。そして、エッチング等で削られていない基板上にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板がレンズと貼り合わされており、ＴＦＴ基板とレンズのセル構成部との間に液晶が挟持される。この本願の構成の場合、ＴＦＴ基板とレンズとの相対位置がずれることはない。
【００２８】
図１８において、１８０１はレンズ、１８０２はＴＦＴ基板、１８０３はバックライト、１８０４はセル、１８０５は使用者の眼球である。レンズ１８０１にはエッチング等によって削られた溝（セル構成部）が形成されている。そしてセル構成部を有するレンズ１８０１とＴＦＴ基板１８０２とが貼り合わされることで、セル１８０４が形成される。セル１８０４には液晶が充填されている。
【００２９】
なお、バックライト１８０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【００３０】
上述のように、本発明によると、画像の表示を行う液晶パネルと、その画像を拡大し使用者の眼球に投射する光学素子（レンズ）との相対位置の経時変化がおこらない。よって、液晶パネルとレンズとの相対位置に関してはメンテナンスフリーである。
【００３１】
本発明では、２つの基板と、液晶と、シール材とを有する表示装置であって、前記２つの基板のうち少なくとも１つは、他のもう１つの基板側の面に溝を有しており、前記２つの基板はその側面に設けられた前記シール材によって貼り合わされており、前記溝には液晶が充填されていることを特徴とする表示装置を提供する。
【００３２】
本発明では、第１の基板と、前記第１の基板側の面に溝を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との側面に設けられたシール材と、前記溝に充填された液晶と、を有することを特徴とする表示装置を提供する。
【００３３】
２つの基板と、液晶と、シール材とを有する表示装置であって、前記２つの基板のうち少なくとも１つは、他のもう１つの基板側の面に溝を有しており、前記シール材は、前記２つの基板の接している部分を覆うように前記溝に設けられており、前記溝には前記液晶が充填されていることを特徴とする表示装置を提供する。
【００３４】
本発明では、第１の基板と、前記第１の基板側の面に溝を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とが接している部分を覆うように前記溝に設けられたシール材と、前記溝に充填された液晶と、を有することを特徴とする表示装置を提供する。
【００３５】
本発明では、２つの基板と、液晶と、シール材とを有する表示装置であって、前記２つの基板のうち少なくとも１つは、他のもう１つの基板側の面に溝を有しており、前記溝は前記溝を有する基板の側面の一部に及んでおり、前記２つの基板はその側面に設けられた前記シール材によって貼り合わされており、前記溝には液晶が充填されていることを特徴とする表示装置。
【００３６】
【発明の実施の形態】
【００３７】
以下に、本発明の液晶表示装置を実施例をもって詳細に説明する。
【００３８】
（実施の形態１）
【００３９】
図１に本発明の液晶表示装置が有する液晶パネルの外観図を示す。図１（Ａ）が液晶パネルの斜視図で、図１（Ｂ）が上面図である。
【００４０】
図１（Ａ）において、ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、シール材１０３、ＦＰＣ取り付け部１０４、液晶注入口１０５が図に示すように設けられている。ＴＦＴ基板１０１上には液晶を駆動させるためのＴＦＴが形成されている。ＴＦＴ基板はガラスでも石英でも良い。
【００４１】
図１（Ｂ）において、図１（Ａ）に既に示したものは同じ番号で示す。液晶注入口１０５、セル１０６、液晶１０７が図に示すように設けられている。
【００４２】
対向基板１０２のＴＦＴ基板１０１側の面をエッチングすることによりセル構成部が形成されている。例えば石英基板の場合、弗酸を用いたウェットエッチングが可能であり、また弗素を用いたプラズマエッチングでも可能である。そして対向基板１０２とＴＦＴ基板１０１とを貼り合わせることで、対向基板１０２のセル構成部とＴＦＴ基板１０１とでセル１０６が形成されている。セル１０６はＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とで形成されており、液晶１０７が充填されている。セル１０６は図１（Ｂ）では透視した図として便宜上点線で示している。
【００４３】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００４４】
液晶の注入は液晶注入口１０５から行い、液晶注入口１０５は封止材で封止されている。
【００４５】
図１（Ｂ）の破線Ａ−Ａ’における断面の概略図を図２に示す。ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、シール材１０３、液晶１０７が図に示すように設けられている。セル１０６はＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に形成されており、液晶１０７が充填されている。対向基板１０２のセル構成部の深さＬはセルギャップである。セルギャップＬはエッチングによってその長さを制御することができる。
【００４６】
ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とはシール材１０３によって貼り合わされている。シール材１０３は、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とが接している部分を覆うようにＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との側面に設けられていおり、セル１０６を封止している。
【００４７】
図３（Ａ）に、本発明の液晶セルの上面図である図１（Ｂ）の詳細図を示す。図１に示したものは同じ符号で示す。なお説明の都合上から図１（Ｂ）に示した液晶１０７は省略している。
【００４８】
ＴＦＴ基板１０１上のセル１０６の内部には、ソース信号線駆動回路１０８、ゲート信号線駆動回路１０９、画素領域１１０が図３（Ａ）に示すように設けられている。
【００４９】
破線Ｂ−Ｂ’における断面図を図３（Ｂ）に示す。ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２、シール材１０３、液晶注入口１０５、画素電極１１１、対向電極１１２、引き出し配線１１３、導電性を有するフィラー１１４、導電性を有する接着剤１１５、ＦＰＣ側引き出し配線１１６、ＦＰＣ基板１１７が図３（Ｂ）に示すように設けられている。
【００５０】
液晶注入口１０５は、対向基板１０２にセル構成部をエッチングによって形成する際に同時に形成されている。液晶注入口１０５は本実施の形態では1つだけ形成されているが、複数形成することで液晶注入工程の際のセル内の排気及び液晶の注入を効率よく行えるようにしても良い。また液晶注入口１０５の大きさは適宜変更することが可能である。
【００５１】
対向電極１１２と引き出し配線１１３は導電性を有するフィラー１１４を介して接続している。なお本明細書において接続するとは、接触することで電気的に導通することを示す。引き出し配線１１３はセルの内部から外部に渡って形成されており、その一部がＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に挟まれている。セルの外部で引き出し配線１１３とＦＰＣ側引き出し配線１１６が導電性を有する接着剤１１５を介して接続されている。図示しないがＦＰＣ側引き出し配線１１６は電源に接続されており、よって対向電極１１２は電源の電位（電源電位）に保たれる。
【００５２】
図３（Ｃ）に図３（Ａ）の破線Ｃ−Ｃ’における断面図を示す。コモンパッド１１８が導電性を有するフィラー１１４を介して対向電極１１２と接続されている。図示しないがコモンパッド１１８は引き出し配線１１３と接続されており、対向電極１１２を電源電位に保っている。なおコモンパッド１１８と引き出し配線１１３とを導電性を有する膜から同時に形成しても良い。
【００５３】
ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とはシール材１０３によって貼り合わされている。シール材１０３は、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とが接している部分を覆うようにＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との側面に設けられており、セル１０６を封止している。
【００５４】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００５５】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本実施の構成ではシール材はＴＦＴ基板と対向基板との側面に設けられているため、セルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００５６】
なお本実施の形態では、対向基板をエッチングすることでセル構成部を形成していたが、ＴＦＴ基板をエッチングしセル構成部を形成しても良いし、対向基板とＴＦＴ基板の両方にセル構成部を形成する構成としても良いのは言うまでもない。
【００５７】
（実施の形態２）
実施の形態１ではシール材をセルの外部に設けていたが、本実施の形態ではシール材をセルの内部に設ける例について説明する。
【００５８】
図４に本発明の液晶表示装置が有する液晶パネルの外観図を示す。図４（Ａ）が液晶パネルの斜視図で、図４（Ｂ）が上面図である。
【００５９】
図４（Ａ）において、ＴＦＴ基板４０１、対向基板４０２、ＦＰＣ取り付け部４０４、液晶注入口４０５が図に示すように設けられている。ＴＦＴ基板４０１上には液晶を駆動させるためのＴＦＴが形成されている。
【００６０】
図４（Ｂ）において、図４（Ａ）に既に示したものは同じ番号で示す。液晶注入口４０５、セル４０６、液晶４０７が図に示すように設けられている。対向基板４０２のＴＦＴ基板４０１側の面をエッチングすることによりセル構成部が形成されている。そして対向基板４０２とＴＦＴ基板４０１と貼り合わせることで、対向基板４０２のセル構成部とＴＦＴ基板４０１とでセル４０６が形成されている。
【００６１】
セル４０６内部において、対向基板４０２とＴＦＴ基板４０１とが接している部分を覆うようにシール材４０３が設けられている。シール材４０３はセル４０６の内部に設けられているが、便宜上図４（Ｂ）では透視した図として示している。セル４０６はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２との間に形成されている。セル４０６には液晶４０７が充填されている。
【００６２】
液晶の注入は液晶注入口４０５から行い、液晶注入口４０５は封止材で封止されている。
【００６３】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００６４】
図４（Ｂ）の破線Ｄ−Ｄ’における断面の概略図を図５に示す。ＴＦＴ基板４０１、対向基板４０２、シール材４０３、液晶４０７が図に示すように設けられている。セル４０６はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とで形成されており、液晶４０７が充填されている。対向基板４０２のセル構成部の深さＬはセルギャップである。セルギャップＬはエッチングによってその長さを制御することができる。
【００６５】
ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とはシール材４０３によって貼り合わされている。シール材４０３はセル４０６内部のＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とが接している部分を覆うように設けられており、セル４０６を封止している。
【００６６】
図６（Ａ）に、本発明の液晶セルの上面図である図４（Ｂ）の詳細図を示す。図４に示したものは同じ符号で示す。なお説明の都合上から図４（Ｂ）に示した液晶４０７は省略している。
【００６７】
ＴＦＴ基板４０１上のセル４０６の内部には、ソース信号線駆動回路４０８、ゲート信号線駆動回路４０９、画素領域４１０が図６（Ａ）に示すように設けられている。
【００６８】
図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）を用いて本実施の形態の液晶パネルの貼り合わせの工程について説明する。図６（Ｂ）はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とを貼り合わせる前の状態を示している。ＴＦＴ基板４０１上に画素電極、コモンパッド、導電性を有するフィラーが図６（Ｂ）に示すように設けられている。一方対向基板４０２のＴＦＴ基板４０１側の面にはエッチングによりセル構成部４１９が形成されており、セル構成部４１９の底部には対向電極４１２が形成されている。
【００６９】
またセル構成部４１９の側部に、ＴＦＴ基板４０１と接する部分を覆うためのシール材４０３が設けられている。シール材４０３は、ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２との間に隙間を形成しないで完全に密着させるために、セル構成部４１９の側部の、ＴＦＴ基板４０１に接する方の端に設けておく。
【００７０】
図６（Ｂ）で示したＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とを矢印の方向に貼り合わせたものが、図６（Ｃ）である。図６（Ｃ）は図６（Ａ）における破線Ｅ−Ｅ’の断面図にあたる。
【００７１】
ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とを矢印の方向に貼り合わせることで、コモンパッド４１８が導電性を有するフィラー４１４を介して対向電極４１２と接続される。図示しないがコモンパッド４１８は引き出し配線を介して電源に接続されており、対向電極４１２は電源電位に保たれている。
【００７２】
ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とはシール材４０３によってセル４０６の内部で貼り合わされる。シール材４０３はＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２とが接している部分を覆うように、ＴＦＴ基板４０１と対向基板４０２との側面に設けられており、セル４０６を封止している。
【００７３】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００７４】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本実施の形態の構成ではシール材は、セル内部のＴＦＴ基板と対向基板とが接している部分を覆うように設けられているため、セルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００７５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせの形態について、実施の形態１及び実施の形態２で示したものとは別の例を示す。
【００７６】
ＴＦＴ基板７０１、対向基板７０２、シール材７０３、液晶７０７が図７に示すように設けられている。
【００７７】
対向基板７０２にはＴＦＴ基板７０１を固定して組み込むための溝（基板固定部７０５）が形成されている。そして基板固定部７０５の底部にセル構成部が形成されており、ＴＦＴ基板７０１と対向基板７０２とが貼り合わされることで、セル７０６が形成される。セル７０６には液晶７０７が充填されている。
【００７８】
基板固定部７０５の側部とＴＦＴ基板７０１の側面との間にシール材７０３が設けられており、基板固定部７０５にＴＦＴ基板７０１を固定し、セル７０６を封止している。ＴＦＴ基板７０１は、対向基板７０２の基板固定部７０５から突出していても良いし、逆に基板固定部７０５の内部に落ち込んでいても良く、基板固定部７０５に丁度納まっていても良い。
【００７９】
図７とは別の貼り合わせの例を、図８に示す。ＴＦＴ基板８０１、対向基板８０２、シール材８０３、液晶８０７が図８に示すように設けられている。対向基板８０２に設けられたセル構成部とＴＦＴ基板８０１が貼り合わされれて、セル８０６が形成されている。セル８０６内部には液晶８０７が充填されている。
【００８０】
ＴＦＴ基板８０１の向かい合う側面同志の幅は、対向基板８０２の向かい合う側面同志の幅よりも大きい。シール材８０３は、セル８０６の外部のＴＦＴ基板８０１と対向基板８０２とが接している部分を覆うように設けられており、セル８０６を封止している。
【００８１】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００８２】
（実施の形態４）
【００８３】
本実施の形態では、導電性を有するフィラーを使わずに対向電極とコモンパッドを接続する例について説明する。
【００８４】
ＴＦＴ基板９０１、対向基板９０２、シール材９０３、液晶９０７、画素電極９１１、対向電極９１２、コモンパッド９１８が図９に示すように設けられている。
【００８５】
対向基板９０２に形成されたセル構成部とＴＦＴ基板９０１が貼り合わされてセル９０６が形成される。セル９０６は液晶９０７が充填されている。対向電極９１２は対向基板９０２のセル構成部の底部及び側部を覆って、対向基板９０２の、ＴＦＴ基板９０１側の面の、セル構成部が形成されていない部分にまで延びて存在しており、コモンパッド９１８と接続している。
【００８６】
なお対向基板９０２に設けられたセル構成部の側部をテーパー状に形成しても良い。セル構成部の側部をテーパー状にすることで、対向電極９１２を成膜する際に段切れを起こしにくい。
【００８７】
本実施の形態では、直接コモンパッドと対向電極とを接続しているので、導電性を有するフィラーを用いる必要はない。
【００８８】
なお本実施の形態では、配向膜及び偏光板は省略している。配向膜と偏光板は、対向基板側に設けても良いし、ＴＦＴ基板側に設けても良い。また配向膜と偏光板とを、対向基板側及びＴＦＴ基板側の両方に設けても良い。
【００８９】
（実施の形態５）
【００９０】
本実施の形態では、対向基板としてレンズを用いた液晶パネルをゴーグル型表示装置に用いた例について説明する。
【００９１】
図１０を参照する。図１０には、本実施例のゴーグル型表示装置の概略構成図が示されている。２００はゴーグル型表示装置本体、２０１Ｒおよび２０１Ｌはレンズ、２０２Ｒおよび２０２ＬはＴＦＴ基板、２０３Ｒおよび２０３Ｌはバックライトである。
【００９２】
図１１（Ａ）は、本実施例のゴーグル型表示装置の図１０におけるＡ部の断面図である。図１１に示される様に、本実施の形態においては、ゴーグル型表示装置本体２００の内部のレンズ２０１Ｒにセル構成部が形成されている。レンズ２０１Ｒのセル構成部とＴＦＴ基板２０２Ｒとが貼り合わされてセル２０５Ｒが形成されている。セル２０５Ｒは液晶が充填されている。
【００９３】
バックライト２０３Ｒからの光が、矢印の通りに使用者の眼球２０４Ｒに届く。
【００９４】
図１１（Ａ）の破線で囲った部分Ａを拡大したのが図１１（Ｂ）に相当する。ＴＦＴ基板２０２Ｒとレンズ２０１Ｒとはシール材２０７Ｒで密着している。
【００９５】
なお、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）には、図示していないが、ＴＦＴ基板２０２Ｒは一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板２０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板２０２と呼ぶこともある。
【００９６】
本実施の形態によると、画像の表示を行う液晶パネルと、その画像を拡大し使用者の眼球に投射する光学素子（レンズ）との相対位置の経時変化がおこらない。よって、液晶パネルとレンズとの相対位置に関してはメンテナンスフリーである。
【００９７】
また本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【００９８】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本実施の形態の構成ではシール材は、セル内部のＴＦＴ基板と対向基板とが接している部分を覆うように設けられているため、セルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さい。
【００９９】
【実施例】
【０１００】
（実施例１）
【０１０１】
ここで図１２を参照し、本発明のＴＦＴ基板の一例について説明する。なお、ゴーグル型表示装置に用いるＴＦＴ基板は、左目用も右目用も同様の構造である。
【０１０２】
本実施例では、ＴＦＴ基板はデジタルドライバを有している。ＴＦＴ基板３００は、ソース信号線駆動回路３０１、ゲート信号線駆動回路３０２、デジタルビデオデータ分割回路３０３および複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に設けられた画素領域３０４を有している。ソース信号線駆動回路３０１及びゲート信号線駆動回路３０２は画素領域３０４に設けられた複数の画素ＴＦＴを駆動する。３０５はＦＰＣ端子であり、これらのＦＰＣ端子に外部から種々の信号が入力される。
【０１０３】
ソース信号線駆動回路３０１は、シフトレジスタ回路（２４０ステージ×２のシフトレジスタ回路）、ラッチ回路１（９６０×８デジタルラッチ回路）、ラッチ回路２（９６０×８デジタルラッチ回路）、セレクタ回路１（２４０のセレクタ回路）、Ｄ／Ａ変換回路（２４０のＤＡＣ）、セレクタ回路２（２４０のセレクタ回路）（いずれも図示せず）を有している。その他、バッファ回路やレベルシフタ回路（いずれも図示せず）を有している。また、説明の便宜上、Ｄ／Ａ変換回路にはレベルシフタ回路が含まれている。
【０１０４】
３０２はゲート信号線駆動回路であり、シフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路等（いずれも図示せず）を有している。
【０１０５】
画素領域３０４は、（６４０×ＲＧＢ）×１０８０（横×縦）の画素を有している。各画素には画素ＴＦＴが配置されており、各画素ＴＦＴのソース領域にはソース信号線が、ゲート電極にはゲート信号線が電気的に接続されている。また、各画素ＴＦＴのドレイン領域には画素電極が電気的に接続されている。各画素ＴＦＴは、各画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極への画像信号（階調電圧）の供給を制御している。各画素電極に画像信号（階調電圧）が供給され、各画素電極と対向電極との間に挟まれた液晶に電圧が印加され液晶が駆動される。
【０１０６】
ここで、本実施例のＴＦＴ基板の動作および信号の流れを説明する。
【０１０７】
まず、ソース信号線駆動回路３０１の動作を説明する。シフトレジスタ回路にクロック信号（ＣＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ回路は、これらのクロック信号（ＣＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、バッファ回路等を通して後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
【０１０８】
シフトレジスタ回路からのタイミング信号は、バッファ回路等によってバッファされる。タイミング信号が供給されるソース信号線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファ回路が形成される。
【０１０９】
バッファ回路によってバッファされたタイミング信号は、ラッチ回路１に供給される。ラッチ回路１は、８ビットデジタルビデオデータを処理するラッチ回路を９６０ステージ有してる。ラッチ回路１は、前記タイミング信号が入力されると、デジタルビデオデータ分割回路３０３から供給される８ビットデジタルビデオデータを順次取り込み、保持する。
【０１１０】
ラッチ回路１の全てのステージにラッチ回路にデジタルビデオデータの書き込みが一通り終了するまでの時間は、ライン期間と呼ばれる。すなわち、ラッチ回路１の中で一番左側のステージのラッチ回路にデジタルビデオデータの書き込みが開始される時点から、一番右側のステージのラッチ回路にデジタルビデオデータの書き込みが終了する時点までの時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間と呼ぶこともある。
【０１１１】
１ライン期間の終了後、シフトレジスタ回路の動作タイミングに合わせて、ラッチ回路２にラッチシグナル（Latch Signal）が供給される。この瞬間、ラッチ回路１に書き込まれ保持されているデジタルビデオデータは、ラッチ回路２に一斉に送出され、ラッチ回路２の全ステージのラッチ回路に書き込まれ、保持される。
【０１１２】
デジタルビデオデータをラッチ回路２に送出し終えたラッチ回路１には、シフトレジスタ回路のタイミング信号に基づき、再びデジタルビデオデータ分割回路から供給されるデジタルビデオデータの書き込みが順次行われる。
【０１１３】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ回路２に書き込まれ、保持されているデジタルビデオデータが、セレクタ回路１によって順次選択され、Ｄ／Ａ変換回路に供給される。なお本実施例では、セレクタ回路１においては、１つのセレクタ回路がソース信号線４本に対応している。
【０１１４】
なお、セレクタ回路については、本出願人による特許出願である特願平９−２８６０９８号に記載されているものを用いることもできる。
【０１１５】
セレクタ回路で選択されたラッチ回路２からの８ビット・デジタルビデオデータがＤ／Ａ変換回路に供給される。
【０１１６】
Ｄ／Ａ変換回路は、８ビットのデジタルビデオデータを画像信号（階調電圧）に変換し、セレクタ回路２によって選択されるソース信号線に順次供給される。
【０１１７】
ソース信号線に供給される画像信号は、ソース信号線に接続されている画素領域の画素ＴＦＴのソース領域に供給される。
【０１１８】
ゲート信号線駆動回路３０２においては、シフトレジスタからのタイミング信号（走査信号）がバッファ回路に供給され、対応するゲート信号線（走査線）に供給される。ゲート信号線には、１ライン分の画素ＴＦＴのゲート電極が接続されており、１ライン分全ての画素ＴＦＴを同時にＯＮにしなくてはならないので、バッファ回路には電流容量の大きなものが用いられる。
【０１１９】
このように、ゲート信号線駆動回路からの走査信号によって対応する画素ＴＦＴのスイッチングが行われ、ソースドライバからの画像信号（階調電圧）が画素ＴＦＴに供給され、液晶分子が駆動される。
【０１２０】
３０３はデジタルビデオデータ分割回路（ＳＰＣ；Serial-to-Parallel Conversion Circuit）である。デジタルビデオデータ分割回路３０３は、外部から入力されるデジタルビデオデータの周波数を１／ｘに落とすための回路である（ｘは２以上の自然数）。外部から入力されるデジタルビデオデータを分割することにより、駆動回路の動作に必要な信号の周波数も1／ｘに落とすことができる。
【０１２１】
（実施例２）
【０１２２】
本実施例では図１３乃至図１６を用いて、実施の形態５で示したゴーグル型表示装置に用いられるレンズを有する液晶パネルとは別の例を示す。
【０１２３】
図１３において、１３０１はレンズ、１３０２はＴＦＴ基板、１３０３はバックライト、１３０４はセル、１３０５は使用者の眼球である。セル１３０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１３０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１２４】
なお、図１３には、図示していないが、ＴＦＴ基板１３０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１３０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１２５】
図１４において、１４０１はレンズ、１４０２はＴＦＴ基板、１４０３はバックライト、１４０４はセル、１４０５は使用者の眼球である。セル１４０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１４０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１２６】
なお、図１４には、図示していないが、ＴＦＴ基板１４０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１４０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１２７】
図１５において、１５０１はレンズ、１５０２はＴＦＴ基板、１５０３はバックライト、１５０４はセル、１５０５は使用者の眼球である。セル１５０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１５０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１２８】
なお、図１５には、図示していないが、ＴＦＴ基板１５０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１５０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１２９】
図１６において、１６０１はレンズ、１６０２はＴＦＴ基板、１６０３はバックライト、１６０４はセル、１６０５は使用者の眼球である。セル１６０４には液晶が充填されている。なお、バックライト１６０３は、ＴＦＴ基板またはレンズに固定されていても良い。
【０１３０】
なお、図１６には、図示していないが、ＴＦＴ基板１６０２は一対または一つの偏光板が形成されるようにしても良い。なお、ＴＦＴ基板１６０２と偏光板とをまとめてＴＦＴ基板と呼ぶこともある。
【０１３１】
（実施例３）
【０１３２】
ここでは画素領域の画素ＴＦＴと、画素領域の周辺に設けられる駆動回路（ソースドライバ、ゲートドライバ、Ｄ／Ａ変換回路、デジタルビデオデータ時間階調処理回路等）のＴＦＴを同一基板上に作製する方法について工程に従って詳細に説明する。但し、説明を簡単にするために、制御回路ではシフトレジスタ回路、バッファ回路、Ｄ／Ａ変換回路などの基本回路であるＣＭＯＳ回路と、ｎチャネル型ＴＦＴとを図示することにする。
【０１３３】
図１９（Ａ）において、基板（ＴＦＴ基板）６００１には低アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。本発明ではスマートカット、ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ等のＳＯＩ基板を用いても良い。本実施例では低アルカリガラス基板を用いた。この場合、ガラス歪み点よりも１０〜２０℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておいても良い。この基板６００１のＴＦＴを形成する表面には、基板６００１からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの下地膜６００２を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を１００ｎｍ、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を６１００ｎｍの厚さに積層形成する。
【０１３４】
次に、２０〜６０５０ｎｍ（好ましくは３０〜８０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を有する半導体膜６００３ａを、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法で非晶質シリコン膜を５５ｎｍの厚さに形成した。非晶質構造を有する半導体膜としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜があり、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。また、下地膜６００２と非晶質シリコン膜６００３ａとは同じ成膜法で形成することが可能であるので、両者を連続形成しても良い。下地膜を形成した後、一旦大気雰囲気に晒さないことでその表面の汚染を防ぐことが可能となり、作製するＴＦＴの特性バラツキやしきい値電圧の変動を低減させることができる。（図１９（Ａ））
【０１３５】
そして、公知の結晶化技術を使用して非晶質シリコン膜６００３ａから結晶質シリコン膜６００３ｂを形成する。例えば、レーザー結晶化法や熱結晶化法（固相成長法）を適用すれば良い。レーザー結晶化の際に、連続発光エキシマレーザーを用いても良い。ここでは、特開平７−１３０６５２号公報で開示された技術に従って、触媒元素を用いる結晶化法で結晶質シリコン膜６００３ｂを形成した。結晶化の工程に先立って、非晶質シリコン膜の含有水素量にもよるが、４００〜５００℃で１時間程度の熱処理を行い、含有水素量を５ａｔｏｍ％以下にしてから結晶化させることが望ましい。非晶質シリコン膜を結晶化させると原子の再配列が起こり緻密化するので、作製される結晶質シリコン膜の厚さは当初の非晶質シリコン膜の厚さ（本実施例では５５ｎｍ）よりも１〜１５％程度減少した。（図１９（Ｂ））
【０１３６】
そして、結晶質シリコン膜６００３ｂを島状に分割して、島状半導体層６００４〜６００７を形成する。その後、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法により５０〜１００ｎｍの厚さの酸化シリコン膜によるマスク層６００８を形成する。（図１９（Ｃ））
【０１３７】
そしてレジストマスク６００９を設け、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層６００５〜６００７の全面にしきい値電圧を制御する目的で１×１０16〜５×１０17atoms／cm3程度の濃度でｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を添加した。ボロン（Ｂ）の添加はイオンドープ法で実施しても良いし、非晶質シリコン膜を成膜するときに同時に添加しておくこともできる。ここでのボロン（Ｂ）添加は必ずしも必要でないが、ボロン（Ｂ）を添加した半導体層６０１０〜６０１２はｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧を所定の範囲内に収めるために形成することが好ましかった。（図１９（Ｄ））
【０１３８】
駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成するために、ｎ型を付与する不純物元素を島状半導体層６０１０、６０１１に選択的に添加する。そのため、あらかじめレジストマスク６０１３〜６０１６を形成した。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）を用いれば良く、ここではリン（Ｐ）を添加すべく、フォスフィン（ＰＨ3）を用いたイオンドープ法を適用した。形成された不純物領域６０１７、６０１８のリン（Ｐ）濃度は２×１０16〜５×６００１9atoms／cm3の範囲とすれば良い。本明細書中では、ここで形成された不純物領域６０１７〜６０１９に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ-）と表す。また、不純物領域６０１９は、画素マトリクス回路の保持容量を形成するための半導体層であり、この領域にも同じ濃度でリン（Ｐ）を添加した。（図２０（Ａ））
【０１３９】
次に、マスク層６００８をフッ酸などにより除去して、図２０（Ｄ）と図２０（Ａ）で添加した不純物元素を活性化させる工程を行う。活性化は、窒素雰囲気中で５００〜６００℃で１〜４時間の熱処理や、レーザー活性化の方法により行うことができる。また、両者を併用して行っても良い。本実施例では、レーザー活性化の方法を用い、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成して、発振周波数５〜５０Ｈｚ、エネルギー密度１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2として線状ビームのオーバーラップ割合を８０〜９８％として走査して、島状半導体層が形成された基板全面を処理した。尚、レーザー光の照射条件には何ら限定される事項はなく、実施者が適宣決定すれば良い。また連続発光エキシマレーザーを用いて活性化を行っても良い。
【０１４０】
そして、ゲート絶縁膜６０２０をプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて１０〜６０５０ｎｍの厚さでシリコンを含む絶縁膜で形成する。例えば、６０２０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜を形成する。ゲート絶縁膜には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。（図２０（Ｂ））
【０１４１】
次に、ゲート電極を形成するために第１の導電層を成膜する。この第１の導電層は単層で形成しても良いが、必要に応じて二層あるいは三層といった積層構造としても良い。本実施例では、導電性の窒化物金属膜から成る導電層（Ａ）６０２１と金属膜から成る導電層（Ｂ）６０２２とを積層させた。導電層（Ｂ）６０２２はタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金膜、Ｍｏ−Ｔａ合金膜）で形成すれば良く、導電層（Ａ）６０２１は窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、窒化モリブデン（ＭｏＮ）で形成する。また、導電層（Ａ）６０２１は代替材料として、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、モリブデンシリサイドを適用しても良い。導電層（Ｂ）は低抵抗化を図るために含有する不純物濃度を低減させると良く、特に酸素濃度に関しては３０ｐｐｍ以下とすると良かった。例えば、タングステン（Ｗ）は酸素濃度を３０ｐｐｍ以下とすることで２０μΩｃｍ以下の比抵抗値を実現することができた。
【０１４２】
導電層（Ａ）６０２１は１０〜５０ｎｍ（好ましくは２０〜３０ｎｍ）とし、導電層（Ｂ）６０２２は６１００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）とすれば良い。本実施例では、導電層（Ａ）６０２１に３０ｎｍの厚さの窒化タンタル膜を、導電層（Ｂ）６０２２には３５０ｎｍのＴａ膜を用い、いずれもスパッタ法で形成した。このスパッタ法による成膜では、スパッタ用のガスのＡｒに適量のＸｅやＫｒを加えておくと、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。尚、図示しないが、導電層（Ａ）６０２１の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有効である。これにより、その上に形成される導電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、導電層（Ａ）または導電層（Ｂ）が微量に含有するアルカリ金属元素がゲート絶縁膜６０２０に拡散するのを防ぐことができる。（図２０（Ｃ））
【０１４３】
次に、レジストマスク６０２３〜６０２７を形成し、導電層（Ａ）６０２１と導電層（Ｂ）６０２２とを一括でエッチングしてゲート電極６０２８〜６０３１と容量配線６０３２を形成する。ゲート電極６０２８〜６０３１と容量配線６０３２は、導電層（Ａ）から成る６０２８ａ〜６０３２ａと、導電層（Ｂ）から成る６０２８ｂ〜６０３２ｂとが一体として形成されている。この時、駆動回路に形成するゲート電極６０２９、６０３０は不純物領域６０１７、６０１８の一部と、ゲート絶縁膜６０２０を介して重なるように形成する。（図２０（Ｄ））
【０１４４】
次いで、駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域を形成するために、ｐ型を付与する不純物元素を添加する工程を行う。ここでは、ゲート電極６０２８をマスクとして、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域はレジストマスク６０３３で被覆しておく。そして、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で不純物領域６０３４を形成した。この領域のボロン（Ｂ）濃度は３×１０20〜３×１０21atoms／cm3となるようにする。本明細書中では、ここで形成された不純物領域６０３４に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度を（ｐ+）と表す。（図２１（Ａ））
【０１４５】
次に、ｎチャネル型ＴＦＴにおいて、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域の形成を行った。レジストのマスク６０３５〜６０３７を形成し、ｎ型を付与する不純物元素が添加して不純物領域６０３８〜６０４２を形成した。これは、フォスフィン（ＰＨ3）を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリン（Ｐ）濃度を１×１０20〜１×１０21atoms／cm3とした。本明細書中では、ここで形成された不純物領域６０３８〜６０４２に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ+）と表す。（図２１（Ｂ））
【０１４６】
不純物領域６０３８〜６０４２には、既に前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）が含まれているが、それに比して十分に高い濃度でリン（Ｐ）が添加されるので、前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）の影響は考えなくても良い。また、不純物領域６０３８に添加されたリン（Ｐ）濃度は図２１（Ａ）で添加されたボロン（Ｂ）濃度の１／２〜１／３なのでｐ型の導電性が確保され、ＴＦＴの特性に何ら影響を与えることはなかった。
【０１４７】
そして、画素マトリクス回路のｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成するためのｎ型を付与する不純物添加の工程を行った。ここではゲート電極６０３１をマスクとして自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオンドープ法で添加した。添加するリン（Ｐ）の濃度は１×１０16〜５×６００１8atoms／cm3であり、図２０（Ａ）および図２１（Ａ）と図２１（Ｂ）で添加する不純物元素の濃度よりも低濃度で添加することで、実質的には不純物領域６０４３、６０４４のみが形成される。本明細書中では、この不純物領域６０４３、６０４４に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ--）と表す。（図２１（Ｃ））
【０１４８】
その後、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を活性化するために熱処理工程を行う。この工程はファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）で行うことができる。ここではファーネスアニール法で活性化工程を行った。熱処理は酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜８００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。また、基板６００１に石英基板のような耐熱性を有するものを使用した場合には、８００℃で１時間の熱処理としても良く、不純物元素の活性化と、該不純物元素が添加された不純物領域とチャネル形成領域との接合を良好に形成することができた。
【０１４９】
この熱処理において、ゲート電極６０２８〜６０３１と容量配線６０３２形成する金属膜６０２８ｂ〜６０３２ｂは、表面から５〜８０ｎｍの厚さで導電層（Ｃ）６０２８ｃ〜６０３２ｃが形成される。例えば、導電層（Ｂ）６０２８ｂ〜６０３２ｂがタングステン（Ｗ）の場合には窒化タングステン（ＷＮ）が形成され、タンタル（Ｔａ）の場合には窒化タンタル（ＴａＮ）を形成することができる。本発明では、シリコン（Ｓｉ）膜とＷＮ膜とＷ膜とを積層したもの、Ｗ膜とＳｉを有するＷ膜とを積層したもの、Ｗ膜とＳｉを有するＷ膜とＳｉとを積層したもの、Ｍｏを有するＷの膜、またはＭｏを有するＴａの膜を用いてゲート電極としても良い。また、導電層（Ｃ）６０２８ｃ〜６０３２ｃは、窒素またはアンモニアなどを用いた窒素を含むプラズマ雰囲気にゲート電極６０２８〜６０３１を晒しても同様に形成することができる。さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行った。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素、プラズマ化した水素を用いる）を行っても良い。
【０１５０】
島状半導体層が、非晶質シリコン膜から触媒元素を用いる結晶化の方法で作製された場合、島状半導体層中には微量の触媒元素が残留した。勿論、そのような状態でもＴＦＴを完成させることが可能であるが、残留する触媒元素を少なくともチャネル形成領域から除去する方がより好ましかった。この触媒元素を除去する手段の一つにリン（Ｐ）によるゲッタリング作用を利用する手段があった。ゲッタリングに必要なリン（Ｐ）の濃度は図２１（Ｂ）で形成した不純物領域（ｎ+）と同程度であり、ここで実施される活性化工程の熱処理により、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域から触媒元素をゲッタリングをすることができた。（図２１（Ｄ））
【０１５１】
活性化および水素化の工程が終了したら、ゲート配線とする第２の導電膜を形成する。この第２の導電膜は低抵抗材料であるアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）を主成分とする導電層（Ｄ）と、にチタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から成る導電層（Ｅ）とで形成すると良い。本実施例では、チタン（Ｔｉ）を０．１〜２重量％含むアルミニウム（Ａｌ）膜を導電層（Ｄ）６０４５とし、チタン（Ｔｉ）膜を導電層（Ｅ）６０４６として形成した。導電層（Ｄ）６０４５は６１００〜４００ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）とすれば良く、導電層（Ｅ）６０４６は５０〜６１００（好ましくは１００〜６０５０ｎｍ）で形成すれば良い。（図２２（Ａ））
【０１５２】
そして、ゲート電極に接続するゲート配線を形成するために導電層（Ｅ）６０４６と導電層（Ｄ）６０４５とをエッチング処理して、ゲート配線６０４７、６０４８と容量配線６０４９を形成た。エッチング処理は最初にＳｉＣｌ4とＣｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いたドライエッチング法で導電層（Ｅ）の表面から導電層（Ｄ）の途中まで除去し、その後リン酸系のエッチング溶液によるウエットエッチングで導電層（Ｄ）を除去することにより、下地との選択加工性を保ってゲート配線を形成することができた。
【０１５３】
第１の層間絶縁膜６０５０は５００〜６０５００ｎｍの厚さで酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜で形成され、その後、それぞれの島状半導体層に形成されたソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース配線６０５１〜６０５４と、ドレイン配線６０５５〜６０５８を形成する。図示していないが、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜３００ｎｍ、Ｔｉ膜６０５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の積層膜とした。
【０１５４】
次に、パッシベーション膜６０５９として、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜を５０〜５００ｎｍ（代表的には１００〜３００ｎｍ）の厚さで形成する。この状態で水素化処理を行うとＴＦＴの特性向上に対して好ましい結果が得られた。例えば、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行うと良く、あるいはプラズマ水素化法を用いても同様の効果が得られた。なお、ここで後に画素電極とドレイン配線を接続するためのコンタクトホールを形成する位置において、パッシベーション膜６０５９に開口部を形成しておいても良い。（図２２（Ｃ））
【０１５５】
その後、有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜６０６０を１．０〜１．５μｍの厚さに形成する。有機樹脂としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成した。そして、第２の層間絶縁膜６０６０にドレイン配線６０５８に達するコンタクトホールを形成し、画素電極６０６１、６０６２を形成する。画素電極は、透過型液晶表示装置とする場合には透明導電膜を用いれば良く、反射型の液晶表示装置とする場合には金属膜を用いれば良い。本実施例では透過型の液晶表示装置とするために、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１００ｎｍの厚さにスパッタ法で形成した。（図２３）
【０１５６】
こうして同一基板上に、駆動回路のＴＦＴと画素領域の画素ＴＦＴとを有した基板を完成させることができた。駆動回路にはｐチャネル型ＴＦＴ６１０１、第１のｎチャネル型ＴＦＴ６１０２、第２のｎチャネル型ＴＦＴ６１０３、画素領域には画素ＴＦＴ６１０４、保持容量６１０５が形成した。本明細書では便宜上このような基板をＴＦＴ基板と呼ぶ。
【０１５７】
駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴ６１０１には、島状半導体層６００４にチャネル形成領域２０６、ソース領域６１０７ａ、６１０７ｂ、ドレイン領域６１０８ａ，６１０８ｂを有している。第１のｎチャネル型ＴＦＴ６１０２には、島状半導体層６００５にチャネル形成領域６１０９、ゲート電極６０２９と重なるＬＤＤ領域６１１０（以降、このようなＬＤＤ領域をＬovと記す）、ソース領域６１１１、ドレイン領域６１１２を有している。このＬov領域のチャネル長方向の長さは０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．０〜１．５μｍとした。第２のｎチャネル型ＴＦＴ６１０３には、島状半導体層６００６にチャネル形成領域６１１３、ＬＤＤ領域６１１４，６１１５、ソース領域６１１６、ドレイン領域６１１７を有している。このＬＤＤ領域はＬov領域とゲート電極６０３０と重ならないＬＤＤ領域（以降、このようなＬＤＤ領域をＬoffと記す）とが形成され、このＬoff領域のチャネル長方向の長さは０．３〜２．０μｍ、好ましくは０．５〜１．５μｍである。画素ＴＦＴ６１０４には、島状半導体層６００７にチャネル形成領域６１１８、６１１９、Ｌoff領域６１２０〜６１２３、ソースまたはドレイン領域６１２４〜６１２６を有している。Ｌoff領域のチャネル長方向の長さは０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．５〜２．５μｍである。さらに、容量配線６０３２、６０４９と、ゲート絶縁膜と同じ材料から成る絶縁膜と、画素ＴＦＴ６１０４のドレイン領域６１２６に接続し、ｎ型を付与する不純物元素が添加された半導体層６１２７とから保持容量６１０５が形成されている。図２３では画素ＴＦＴ６１０４をダブルゲート構造としたが、シングルゲート構造でも良いし、複数のゲート電極を設けたマルチゲート構造としても差し支えない。
【０１５８】
以上の様に本実施例では、画素ＴＦＴおよび駆動回路が要求する仕様に応じて各回路を構成するＴＦＴの構造を最適化し、半導体装置の動作性能と信頼性を向上させることを可能とすることができる。さらにゲート電極を耐熱性を有する導電性材料で形成することによりＬＤＤ領域やソース領域およびドレイン領域の活性化を容易とし、ゲート配線低抵抗材料で形成することにより、配線抵抗を十分低減できる。従って、画素領域（画面サイズ）が４インチクラス以上の表示装置にも適用することができる。
【０１５９】
（実施例４）
【０１６０】
本実施例では、実施例３で示したＴＦＴの他に、逆スタガ型のＴＦＴを用いた例を示す。
【０１６１】
図２４を参照する。図２４には、本実施例の液晶表示装置を構成する逆スタガ型のＮチャネル型ＴＦＴの断面図が示されている。なお、図２４には、１つのＮチャネル型ＴＦＴしか図示しないが、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとによってＣＭＯＳ回路を構成することもできるのは言うまでもない。また、同様の構成により画素ＴＦＴを構成できることも言うまでもない。
【０１６２】
３００１は基板であり、実施例３で説明したようなものが用いられる。３００２は酸化シリコン膜である。３００３はゲート電極である。３００４はゲイト絶縁膜である。３００５、３００６、３００７および３００８は、多結晶シリコン膜から成る活性層である。この活性層の作製にあたっては、実施例３で説明した非晶質シリコン膜の多結晶化と同様の方法が用いられた。またレーザー光（好ましくは線状レーザー光または面状レーザー光）によって、非晶質シリコン膜を結晶化させる方法をとっても良い。なお、３００５はソース領域、３００６はドレイン領域、３００７は低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）、３００８はチャネル形成領域である。３００９はチャネル保護膜であり、３０１０は層間絶縁膜である。３０１１および３０１２はそれぞれ、ソース電極、ドレイン電極である。
【０１６３】
次に、図２５を参照する。図２５には、上述とは構成が異なる逆スタガ型のＴＦＴによって液晶表示装置が構成された場合について説明する。
【０１６４】
図２５においても、１つのＮチャネル型ＴＦＴしか図示しないが、上述のようにＰチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとによってＣＭＯＳ回路を構成することもできるのは言うまでもない。また、同様の構成により画素ＴＦＴを構成できることも言うまでもない。
【０１６５】
３１０１は基板である。３１０２は酸化シリコン膜である。３１０３はゲイト電極である。３１０４はベンゾジクロブテン（ＢＣＢ）膜であり、その上面が平坦化される。３１０５は窒化シリコン膜である。ＢＣＢ膜と窒化シリコン膜とでゲイト絶縁膜を構成する。３１０６、３１０７、３１０８および３１０９は、多結晶シリコン膜から成る活性層である。この活性層の作製にあたっては、実施例３で説明した非晶質シリコン膜の多結晶化と同様の方法が用いられた。またレーザー光（好ましくは線状レーザー光または面状レーザー光）によって、非晶質シリコン膜を結晶化させる方法をとっても良い。なお、３１０６はソース領域、３１０７はレイン領域、３１０８は低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）、３１０９はチャネル形成領域である。３１１０はチャネル保護膜であり、３１１１は層間絶縁膜である。３１１２および３１１３はそれぞれ、ソース電極、ドレイン電極である。
【０１６６】
本実施例によると、ＢＣＢ膜と窒化シリコン膜とで構成されるゲイト絶縁膜が平坦化されているので、その上に成膜される非晶質シリコン膜も平坦なものになる。よって、非晶質シリコン膜を多結晶化する際に、従来の逆スタガ型のＴＦＴよりも均一な多結晶シリコン膜を得ることができる。
【０１６７】
（実施例５）
【０１６８】
本発明の液晶表示装置には、ＴＮ液晶以外にも様々な液晶を用いることが可能である。例えば、1998, SID, "Characteristics and Driving Scheme of Polymer-Stabilized Monostable FLCD Exhibiting Fast Response Time and High Contrast Ratio with Gray-Scale Capability" by H. Furue et al.や、1997, SID DIGEST, 841, "A Full-Color Thresholdless Antiferroelectric LCD Exhibiting Wide Viewing Angle with Fast Response Time" by T. Yoshida et al.や、1996, J. Mater. Chem. 6(4), 671-673, "Thresholdless antiferroelectricity in liquid crystals and its application to displays" by S. Inui et al.や、米国特許第5594569 号に開示された液晶を用いることが可能である。
【０１６９】
ある温度域において反強誘電相を示す液晶を反強誘電性液晶という。反強誘電性液晶を有する混合液晶には、電場に対して透過率が連続的に変化する電気光学応答特性を示す、無しきい値反強誘電性混合液晶と呼ばれるものがある。この無しきい値反強誘電性混合液晶は、Ｖ字型の電気光学応答特性を示すものがあり、その駆動電圧が約±２．５Ｖ程度（セル厚約１μｍ〜２μｍ）のものも見出されている。
【０１７０】
ここで、Ｖ字型の電気光学応答を示す無しきい値反強誘電性混合液晶の印加電圧に対する光透過率の特性を示す例を図１７に示す。図１７に示すグラフの縦軸は透過率（任意単位）、横軸は印加電圧である。なお、液晶表示装置の入射側の偏光板の透過軸は、液晶表示装置のラビング方向にほぼ一致する無しきい値反強誘電性混合液晶のスメクティック層の法線方向とほぼ平行に設定されている。また、出射側の偏光板の透過軸は、入射側の偏光板の透過軸に対してほぼ直角（クロスニコル）に設定されている。
【０１７１】
図１７に示されるように、このような無しきい値反強誘電性混合液晶を用いると、低電圧駆動かつ階調表示が可能となることがわかる。
【０１７２】
このような低電圧駆動の無しきい値反強誘電性混合液晶をアナログドライバを有する液晶表示装置に用いた場合には、画像信号のサンプリング回路の電源電圧を、例えば、５Ｖ〜８Ｖ程度に抑えることが可能となる。よって、ドライバの動作電源電圧を下げることができ、液晶表示装置の低消費電力化および高信頼性が実現できる。
【０１７３】
また、このような低電圧駆動の無しきい値反強誘電性混合液晶をデジタルドライバを有する液晶表示装置に用いた場合にも、Ｄ／Ａ変換回路の出力電圧を下げることができるので、Ｄ／Ａ変換回路の動作電源電圧を下げることができ、ドライバの動作電源電圧を低くすることができる。よって、液晶表示装置の低消費電力化および高信頼性が実現できる。
【０１７４】
よって、このような低電圧駆動の無しきい値反強誘電性混合液晶を用いることは、比較的ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）の幅が小さなＴＦＴ（例えば、０ｎｍ〜５００ｎｍまたは０ｎｍ〜２００ｎｍ）を用いる場合においても有効である。
【０１７５】
また、一般に、無しきい値反強誘電性混合液晶は自発分極が大きく、液晶自体の誘電率が高い。このため、無しきい値反強誘電性混合液晶を液晶表示装置に用いる場合には、画素に比較的大きな保持容量が必要となってくる。よって、自発分極が小さな無しきい値反強誘電性混合液晶を用いるのが好ましい。また、液晶表示装置の駆動方法を線順次駆動とすることにより、画素への階調電圧の書き込み期間（ピクセルフィードピリオド）を長くし、保持容量が小くてもそれを補うようにしてもよい。
【０１７６】
なお、このような無しきい値反強誘電性混合液晶を用いることによって低電圧駆動が実現されるので、液晶表示装置の低消費電力が実現される。
【０１７７】
なお、図１７に示すような電気光学特性を有する液晶であれば、いかなるものも本発明の液晶表示装置の表示媒体として用いることができる。
【０１７８】
（実施例５）
【０１７９】
本実施例においては、本発明の構造をＥＬ表示装置に用いた例を示す。図２６を参照する。本実施例のＥＬ表示装置の回路ブロック図を図２６（Ａ）に示す。図２６（Ａ）のＥＬ表示装置は、基板上に形成されたＴＦＴによって画素部４００１、画素部の周辺に配置されたデータ信号側駆動回路４００２及びゲート信号側駆動回路４００３が形成される。なお、データ側信号側駆動回路とゲート信号側駆動回路はどちらも画素部を挟んで１対で設けても構わない。
【０１８０】
データ信号側駆動回路４００２は基本的にシフトレジスタ４００２a、ラッチ（Ａ）４００２b、ラッチ（Ｂ）４００２cを含む。また、シフトレジスタ４００２aにはクロックパルス（ＣＫ）及びスタートパルス（ＳＰ）が入力され、ラッチ（Ａ）４００２bにはデジタルデータ信号（Digital Data Signals）が入力され、ラッチ（Ｂ）４００２cにはラッチ信号（Latch Signals）が入力される。
【０１８１】
本実施例では画素部に入力されるデータ信号がデジタル信号であり、また液晶表示装置と異なり電圧階調表示ではないので、「０」または「１」の情報を有するデジタルデータ信号がそのまま画素部へと入力される。
【０１８２】
画素部４００１にはマトリクス状に複数の画素４００４が配列される。画素４００４の拡大図を図２６（Ｂ）に示す。図２６（Ｂ）において、４００５はスイッチング用ＴＦＴであり、ゲート信号を入力するゲート配線４００６とデータ信号を入力するデータ配線（ソース配線ともいう）４００７に接続されている。
【０１８３】
また、４００８は電流制御用ＴＦＴであり、そのゲートはスイッチング用ＴＦＴ４００５のドレインに接続される。そして、電流制御用ＴＦＴ４００８のドレインはＥＬ素子４００９に接続され、ソースは電源供給線４０１０に接続される。ＥＬ素子４００９は電流制御用ＴＦＴ４００８に接続された陽極（画素電極）と、ＥＬ層を挟んで陽極に対向して設けられた陰極（対向電極）とでなり、陰極は所定の電源４０１１に接続されている。
【０１８４】
また、スイッチング用ＴＦＴ４００５が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用ＴＦＴ４００８のゲート電圧を保持するためにコンデンサ４０１２が設けられる。このコンデンサ４０１２はスイッチング用ＴＦＴ４００５のドレインと電源供給線４０１０とに接続されている。
【０１８５】
以上のような画素部に入力されるデジタルデータ信号は、時分割階調データ信号発生回路４０１３にて形成される。この回路ではアナログ信号又はデジタル信号でなるビデオ信号（画像情報を含む信号）を、時分割階調を行うためのデジタルデータ信号に変換すると共に、時分割階調表示を行うために必要なタイミングパルス等を発生させる回路である。
【０１８６】
典型的には、時分割階調データ信号発生回路４０１３には、１フレームをＮビット（Ｎは２以上の整数）の階調に対応した複数のサブフレームに分割する手段と、それら複数のサブフレームにおいてアドレス期間及びサステイン期間を選択する手段と、そのサステイン期間をＴs1：Ｔs2：Ｔs3：…：Ｔs(n-1)：Ｔs(n)＝２0：２-1：２-2：…：２-(n-2)：２-(n-1)となるように設定する手段とが含まれる。
【０１８７】
この時分割階調データ信号発生回路４０１３は、本実施例のＥＬ表示装置の外部に設けられても良い。その場合、そこで形成されたデジタルデータ信号が本実施例のＥＬ表示装置に入力される構成となる。この場合、本実施例のＥＬ表示装置をディスプレイとして有する電子装置は、本実施例のＥＬ表示装置と時分割階調データ信号発生回路を別の部品として含むことになる。
【０１８８】
また、時分割階調データ信号発生回路４０１３をＩＣチップなどの形で本実施例のＥＬ表示装置に実装しても良い。その場合、そのＩＣチップで形成されたデジタルデータ信号が本実施例のＥＬ表示装置に入力される構成となる。この場合、本実施例のＥＬ表示装置をディスプレイとして有する電子装置は、時分割階調データ信号発生回路を含むＩＣチップを実装した本実施例のＥＬ表示装置を部品として含むことになる。
【０１８９】
また、時分割階調データ信号発生回路４０１３を画素部４００１、データ信号側駆動回路４００２及びゲート信号側駆動回路と同一の基板上にＴＦＴでもって形成し得る。この場合、ＥＬ表示装置に画像情報を含むビデオ信号を入力すれば全て基板上で処理することができる。勿論、この場合の時分割階調データ信号発生回路は連続粒界結晶シリコン膜を活性層とするＴＦＴで形成することが望ましい。また、この場合、本実施例のＥＬ表示装置をディスプレイとして有する電子装置は、時分割階調データ信号発生回路がＥＬ表示装置自体に内蔵されており、電子装置の小型化を図ることが可能である。
【０１９０】
次に、本実施例のＥＬ表示装置について、断面構造の概略を図２７に示す。
【０１９１】
図２７において、５０１１は基板、５０１２は下地となる絶縁膜（以下、下地膜という）である。基板５０１１としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基板を用いることができる。但し、作製プロセス中の最高処理温度に耐えるものでなくてはならない。
【０１９２】
また、下地膜５０１２は特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、石英基板には設けなくても構わない。下地膜５０１２としては、珪素（シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」とは、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ、ｙは任意の整数、で示される）など珪素に対して酸素若しくは窒素を所定の割合で含ませた絶縁膜を指す。
【０１９３】
５２０１はスイッチング用ＴＦＴ、５２０２は電流制御用ＴＦＴであり、どちらもｎチャネル型ＴＦＴで形成されている。ｎチャネル型ＴＦＴの電界効果移動度はｐチャネル型ＴＦＴの電界効果移動度よりも大きいため、動作速度が早く大電流を流しやすい。また、同じ電流量を流すにもＴＦＴサイズはｎチャネル型ＴＦＴの方が小さくできる。そのため、ｎチャネル型ＴＦＴを電流制御用ＴＦＴとして用いた方が画像表示部の有効発光面積が広くなるので好ましい。
【０１９４】
ただし、本実施例において、スイッチング用ＴＦＴと電流制御用ＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴに限定する必要はなく、両方又はどちらか片方にｐチャネル型ＴＦＴを用いることも可能である。
【０１９５】
スイッチング用ＴＦＴ５２０１は、ソース領域５０１３、ドレイン領域５０１４、ＬＤＤ領域５０１５a〜５０１５d、分離領域５０１８及びチャネル形成領域５０１７a、５０１７bを含む活性層、ゲート絶縁膜５０１８、ゲート電極５０１９a、５０１９b、第１層間絶縁膜５０２０、ソース配線５０２１並びにドレイン配線５０２２を有して形成される。なお、ゲート絶縁膜５０１８又は第１層間絶縁膜５０２０は基板上の全ＴＦＴに共通であっても良いし、回路又は素子に応じて異ならせても良い。
【０１９６】
また、図２７に示すスイッチング用ＴＦＴ５２０１はゲート電極５０１９a、５０１９bが電気的に接続されており、いわゆるダブルゲート構造となっている。勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造などいわゆるマルチゲート構造（直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造）であっても良い。
【０１９７】
マルチゲート構造はオフ電流を低減する上で極めて有効であり、スイッチング用ＴＦＴのオフ電流を十分に低くすれば、それだけ図２６（Ｂ）に示すコンデンサ４０１２に必要な容量を小さくすることができる。即ち、コンデンサ４０１２の専有面積を小さくすることができるので、マルチゲート構造とすることはＥＬ素子５２０３の有効発光面積を広げる上でも有効である。
【０１９８】
さらに、スイッチング用ＴＦＴ５２０１においては、ＬＤＤ領域５０１５a〜５０１５dは、ゲート絶縁膜１８を介してゲート電極５０１７a、５０１７bと重ならないように設ける。このような構造はオフ電流を低減する上で非常に効果的である。また、ＬＤＤ領域５０１５a〜５０１５dの長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ、代表的には２．０〜２．５μｍとすれば良い。
【０１９９】
なお、チャネル形成領域とＬＤＤ領域との間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半導体層でなり、ゲート電圧が印加されない領域）を設けることはオフ電流を下げる上でさらに好ましい。また、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場合、チャネル形成領域の間に設けられた分離領域５０１８（ソース領域又はドレイン領域と同一の濃度で同一の不純物元素が添加された領域）がオフ電流の低減に効果的である。
【０２００】
次に、電流制御用ＴＦＴ５２０２は、ソース領域５０２６、ドレイン領域５０２７、ＬＤＤ領域５０２８及びチャネル形成領域５０２９を含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極５０３０、第１層間絶縁膜５０２０、ソース配線５０３１並びにドレイン配線５０３３を有して形成される。なお、ゲート電極５０３０はシングルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。
【０２０１】
図２６（Ｂ）に示すように、スイッチング用ＴＦＴのドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続されている。具体的には電流制御用ＴＦＴ５２０２のゲート電極５０３０はスイッチング用ＴＦＴ５２０１のドレイン領域５０１４とドレイン配線（接続配線とも言える）５０２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線５０３１は図２６（Ｂ）の電源供給線４０１０に接続される。
【０２０２】
電流制御用ＴＦＴ５２０２はＥＬ素子に注入される電流量を制御するための素子であり、比較的多くの電流が流れる。そのため、チャネル幅（Ｗ）はスイッチング用ＴＦＴのチャネル幅よりも大きく設計することが好ましい。また、電流制御用ＴＦＴ５２０２に過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
【０２０３】
以上のことを踏まえると、スイッチング用ＴＦＴのチャネル長をＬ１（但しＬ１＝Ｌ１a＋Ｌ１b）、チャネル幅をＷ１とし、電流制御用ＴＦＴのチャネル長をＬ２、チャネル幅をＷ２とした時、Ｗ１は０．１〜５μm（代表的には１〜３μm）、Ｗ２は０．５〜３０μm（代表的には２〜１０μm）とするのが好ましい。また、Ｌ１は０．２〜１８μm（代表的には２〜１５μm）、Ｌ２は０．１〜５０μm（代表的には１〜２０μm）とするのが好ましい。但し、以上の数値に限定する必要はない。
【０２０４】
また、図２７に示したＥＬ表示装置は、電流制御用ＴＦＴ５２０２において、ドレイン領域５０２７とチャネル形成領域５０２９との間にＬＤＤ領域５０２８が設けられ、且つ、ＬＤＤ領域５０２８がゲート絶縁膜５０１８を介してゲート電極５０３０に重なっている領域と重なっていない領域とを有する点にも特徴がある。
【０２０５】
電流制御用ＴＦＴ５２０２は、ＥＬ素子５２０３を発光させるために比較的多くの電流を流すため、ホットキャリア注入による劣化対策を講じておくことが望ましい。また、黒色を表示する際は、電流制御用ＴＦＴ５２０２をオフ状態にしておくが、その際、オフ電流が高いときれいな黒色表示ができなくなり、コントラストの低下等を招く。従って、オフ電流も抑える必要がある。
【０２０６】
ホットキャリア注入による劣化に関しては、ゲート電極に対してＬＤＤ領域が重なった構造が非常に効果的であることが知られている。しかしながら、ＬＤＤ領域全体を重ねてしまうとオフ電流が増加してしまうため、本出願人は上記構造に加えてゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を直列に設けるという新規な構造によって、ホットキャリア対策とオフ電流対策とを同時に解決している。
【０２０７】
この時、ゲート電極に重なったＬＤＤ領域の長さは０．１〜３μm（好ましくは０．３〜１．５μm）にすれば良い。長すぎては寄生容量を大きくしてしまい、短すぎてはホットキャリアを防止する効果が弱くなってしまう。また、ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域の長さは１．０〜３．５μｍ（好ましくは１．５〜２．０μｍ）にすれば良い。長すぎると十分な電流を流せなくなり、短すぎるとオフ電流を低減する効果が弱くなる。
【０２０８】
また、上記構造においてゲート電極とＬＤＤ領域とが重なった領域では寄生容量が形成されてしまうため、ソース領域５０２６とチャネル形成領域５０２９との間には設けない方が好ましい。電流制御用ＴＦＴはキャリア（ここでは電子）の流れる方向が常に同一であるので、ドレイン領域側のみにＬＤＤ領域を設けておけば十分である。
【０２０９】
また、流しうる電流量を多くするという観点から見れば、電流制御用ＴＦＴ５２０２の活性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を厚くする（好ましくは５０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは６０〜８０ｎｍ）ことも有効である。逆に、スイッチング用ＴＦＴ５２０１の場合はオフ電流を小さくするという観点から見れば、活性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を薄くする（好ましくは２０〜５０ｎｍ、さらに好ましくは２５〜４０ｎｍ）ことも有効である。
【０２１０】
以上は画素内に設けられたＴＦＴの構造について説明したが、このとき同時に駆動回路も形成される。図２７には駆動回路を形成する基本単位となるＣＭＯＳ回路が図示されている。
【０２１１】
図２７においては極力動作速度を落とさないようにしつつホットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴをＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴ５０２０４として用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、図２６に示したデータ信号駆動回路４００２、ゲート信号駆動回路４００３を指す。勿論、他の論理回路（レベルシフタ、Ａ／Ｄコンバータ、信号分割回路等）を形成することも可能である。
【０２１２】
ｎチャネル型５２０５の活性層は、ソース領域５０３５、ドレイン領域５０３６、ＬＤＤ領域５０３７及びチャネル形成領域５０３８を含み、ＬＤＤ領域５０３７はゲート絶縁膜５０１８を介してゲート電極５０３９と重なっている。
【０２１３】
ドレイン領域側のみにＬＤＤ領域を形成しているのは、動作速度を落とさないための配慮である。また、このｎチャネル型ＴＦＴ５２０５はオフ電流値をあまり気にする必要はなく、それよりも動作速度を重視した方が良い。従って、ＬＤＤ領域５０３７は完全にゲート電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが望ましい。即ち、いわゆるオフセットはなくした方がよい。
【０２１４】
また、ＣＭＯＳ回路のｐチャネル型ＴＦＴ５２０５は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。従って活性層はソース領域５０４０、ドレイン領域５０４１及びチャネル形成領域５０４２を含み、その上にはゲート絶縁膜５０１８とゲート電極５０４３が設けられる。勿論、ｎチャネル型ＴＦＴ５２０４と同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０２１５】
また、ｎチャネル型ＴＦＴ５２０４及びｐチャネル型ＴＦＴ５２０５はそれぞれ第１層間絶縁膜５０２０に覆われ、ソース配線５０４４、５０４５が形成される。また、ドレイン配線５０４６によって両者は電気的に接続される。
【０２１６】
次に、５０４７は第１パッシベーション膜であり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）を用いることができる。このパッシベーション膜５０４７は形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する役割をもつ。最終的にＴＦＴの上方に設けられるＥＬ層にはナトリウム等のアルカリ金属が含まれている。即ち、第１パッシベーション膜５０４７はこれらのアルカリ金属（可動イオン）をＴＦＴ側に侵入させない保護層としても働く。
【０２１７】
また、５０４８は第２層間絶縁膜であり、ＴＦＴによってできる段差の平坦化を行う平坦化膜としての機能を有する。第２層間絶縁膜５０４８としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。これらの有機樹脂膜は良好な平坦面を形成しやすく、比誘電率が低いという利点を有する。ＥＬ層は凹凸に非常に敏感であるため、ＴＦＴによる段差は第２層間絶縁膜で殆ど吸収してしまうことが望ましい。また、ゲート配線やデータ配線とＥＬ素子の陰極との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。従って、膜厚は０．５〜５μm（好ましくは１．５〜２．５μm）が好ましい。
【０２１８】
また、５０４９は透明導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）であり、第２層間絶縁膜５０４８及び第１パッシベーション膜５０４７にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ５２０２のドレイン配線５０３３に接続されるように形成される。なお、図２７のように画素電極５０４９とドレイン領域５０２７とが直接接続されないようにしておくと、ＥＬ層のアルカリ金属が画素電極を経由して活性層へ侵入することを防ぐことができる。
【０２１９】
画素電極５０４９の上には酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜または有機樹脂膜でなる第３層間絶縁膜５０が０．３〜１μmの厚さに設けられる。この第３層間絶縁膜５０５０は画素電極５０４９の上にエッチングにより開口部が設けられ、その開口部の縁はテーパー形状となるようにエッチングする。テーパーの角度は１０〜６０°（好ましくは３０〜５０°）とすると良い。
【０２２０】
第３層間絶縁膜５０５０の上にはＥＬ層５０５１が設けられる。ＥＬ層５０５１は単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一般的には画素電極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構造でも良い。本実施例では公知のいずれの構造を用いても良いし、ＥＬ層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
【０２２１】
有機ＥＬ材料としては、例えば、以下の米国特許又は公開公報に開示された材料を用いることができる。米国特許第４，３５６，４２９号、 米国特許第４，５３９，５０７号、 米国特許第４，７２０，４３２号、 米国特許第４，７６９，２９２号、 米国特許第４，８８５，２１１号、 米国特許第４，９５０，９５０号、 米国特許第５，０５９，８６１号、 米国特許第５，０４７，６８７号、 米国特許第５，０７３，４４６号、 米国特許第５，０５９，８６２号、 米国特許第５，０６１，６１７号、 米国特許第５，１５１，６２９号、 米国特許第５，２９４，８６９号、 米国特許第５，２９４，８７０号、特開平１０−１８９５２５号公報、特開平８−２４１０４８号公報、特開平８−７８１５９号公報。
【０２２２】
ＥＬ層は、低分子の材料であれば蒸着で、高分子の材料であればスピンコートによって成膜すればよい。
【０２２３】
なお、ＥＬ表示装置には大きく分けて四つのカラー化表示方式があり、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）に対応した三種類のＥＬ素子を形成する方式、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルターを組み合わせた方式、青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を使用してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式、がある。
【０２２４】
図２７の構造はＲＧＢに対応した三種類のＥＬ素子を形成する方式を用いた場合の例である。なお、図２７には一つの画素しか図示していないが、同一構造の画素が赤、緑又は青のそれぞれの色に対応して形成され、これによりカラー表示を行うことができる。
【０２２５】
本実施例は発光方式に関わらず実施することが可能であり、上記四つの全ての方式を本実施例に用いることができる。しかし、蛍光体はＥＬに比べて応答速度が遅く残光が問題となりうるので、蛍光体を用いない方式が望ましい。また、発光輝度を落とす要因となるカラーフィルターもなるべく使わない方が望ましいと言える。
【０２２６】
ＥＬ層５０５１の上にはＥＬ素子の陰極５０５２が設けられる。陰極５０５２としては、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。
【０２２７】
陰極５０５２はＥＬ層５０５１を形成した後、大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。陰極５０５２とＥＬ層５０５１との界面状態はＥＬ素子の発光効率に大きく影響するからである。なお、本明細書中では、画素電極（陽極）、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【０２２８】
ＥＬ層５０５１と陰極５０５２とでなる積層体は、各画素で個別に形成する必要があるが、ＥＬ層５０５１は水分に極めて弱いため、通常のフォトリソグラフィ技術を用いることができない。従って、メタルマスク等の物理的なマスク材を用い、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等の気相法で選択的に形成することが好ましい。
【０２２９】
なお、ＥＬ層を選択的に形成する方法として、インクジェット法やスクリーン印刷法等を用いることも可能であるが、これらは現状では陰極の連続形成ができないので、上述の方法の方が好ましいと言える。
【０２３０】
また、５０５３は保護電極であり、陰極５０５２を外部の水分等から保護すると同時に、各画素の陰極５０５２を接続するための電極である。保護電極５０５３としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）若しくは銀（Ａｇ）を含む低抵抗な材料を用いることが好ましい。この保護電極５０５３にはＥＬ層の発熱を緩和する放熱効果も期待できる。また、上記ＥＬ層５０５１、陰極５０５２を形成した後、大気解放しないで連続的に保護電極５０５３まで形成することも有効である。
【０２３１】
また、５０５４は第２パッシベーション膜であり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。第２パッシベーション膜５０５４を設ける目的は、ＥＬ層５０５１を水分から保護する目的が主であるが、放熱効果をもたせることも有効である。但し、上述のようにＥＬ層は熱に弱いので、なるべく低温（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）で成膜するのが望ましい。従って、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法又は溶液塗布法（スピンコーティング法）が望ましい成膜方法と言える。
【０２３２】
（実施例６）
【０２３３】
実施例１〜５に示した構造を有するＴＦＴ基板を用い、液晶表示装置を構成した例を図２８に示す。図２８は液晶表示装置の本体に相当する部位であり、液晶パネルとも呼ばれる。なお本実施例では液晶パネルのＦＰＣとの貼り合わせの部分について説明するため、便宜上シール材やセル構成部は図示しなかった。
【０２３４】
図２８において、８００１はＴＦＴ基板であり、ＴＦＴ基板８００１上に複数のＴＦＴが形成されている。これらのＴＦＴは基板上に画素部８００２、ゲート信号線駆動回路８００３、ソース信号線駆動回路８００４、ロジック回路８００５を構成する。その様なＴＦＴ基板に対して対向基板８００６が貼り合わされる。ＴＦＴ基板と対向基板８００６との間には液晶層（図示せず）が挟持される。
【０２３５】
また、図２８に示す構成では、ＴＦＴ基板８００１の側面と対向基板８００６の側面とをある１辺を除いて全てそろえることが望ましい。こうすることで大版基板からの多面取り数を効率良く増やすことができる。また、前述の一辺では、対向基板８００６の一部を除去してＴＦＴ基板８００１の一部を露出させ、そこにＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）８００７を取り付ける。ここには必要に応じてＩＣチップ（単結晶シリコン上に形成されたＭＯＳＦＥＴで構成される半導体回路）を搭載しても構わない。
【０２３６】
実施例２８で示した作製工程によって形成されたＴＦＴは極めて高い動作速度を有しているため、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波数で駆動する信号処理回路を画素部と同一の基板上に一体形成することが可能である。即ち、図２８に示す液晶パネルはシステム・オン・パネルを具現化したものである。
【０２３７】
（実施例７）
本発明の構成は、様々な電気光学装置（アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＣディスプレイ）に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示媒体として組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【０２３８】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター（リア型またはフロント型）、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図２９、図３０及び図３１に示す。
【０２３９】
図２９（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体７００１、映像入力部７００２、表示装置７００３、キーボード７００４で構成される。本発明を映像入力部７００２、表示装置７００３やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４０】
図２９（Ｂ）はビデオカメラであり、本体７１０１、表示装置７１０２、音声入力部７１０３、操作スイッチ７１０４、バッテリー７１０５、受像部７１０６で構成される。本発明を表示装置７１０２、音声入力部７１０３やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４１】
図２９（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体７２０１、カメラ部７２０２、受像部７２０３、操作スイッチ７２０４、表示装置７２０５で構成される。本発明は表示装置７２０５やその他の信号制御回路に適用できる。
【０２４２】
図２９（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体７３０１、表示装置７３０２、アーム部７３０３で構成される。本発明は表示装置７３０２やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４３】
図２９（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体７４０１、表示装置７４０２、スピーカ部７４０３、記録媒体７４０４、操作スイッチ７４０５で構成される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示装置７４０２やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４４】
図２９（Ｆ）はゲーム機であり、本体７５０１、本体用表示装置７５０２、表示装置７５０３、記録媒体７５０４、コントローラ７５０５、本体用センサ部７５０６、センサ部７５０７、ＣＰＵ部７５０８で構成される。本体用センサ部７５０６、センサ部７５０７はそれぞれコントローラ７５０５、本体７５０１から出される赤外線を感知することが可能である。本発明を本体用表示装置７５０２、表示装置７５０３やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４５】
図３０（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、光源光学系及び表示装置７６０１、スクリーン７６０２で構成される。本発明は表示装置やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４６】
図３０（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体７７０１、光源光学系及び表示装置７７０２、ミラー７７０３、ミラー７７０４、スクリーン７７０５で構成される。本発明は表示装置やその他の信号制御回路に適用することができる。
【０２４７】
なお、図３０（Ｃ）は、図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２の構造の一例を示した図である。光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２は、光源光学系７８０１、ミラー７８０２、７８０４〜７８０６、ダイクロイックミラー７８０３、光学系７８０７、表示装置７８０８、位相差板７８０９、投射光学系７８１０で構成される。投射光学系７８１０は、投射レンズを備えた複数の光学レンズで構成される。この構成は、表示装置７８０８を三つ使用しているため三板式と呼ばれている。また、図３０（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等を設けてもよい。
【０２４８】
また、図３０（Ｄ）は、図３０（Ｃ）中における光源光学系７８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系７８０１は、リフレクター７８１１、光源７８１２、レンズアレイ７８１３、７８１４、偏光変換素子７８１５、集光レンズ７８１６で構成される。なお、図３０（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等を設けてもよい。
【０２４９】
図３０（Ｃ）は三板式の例を示したが、図３１（Ａ）は単板式の一例を示した図である。図３１（Ａ）に示した光源光学系及び表示装置は、光源光学系７９０１、表示装置７９０２、投射光学系７９０３で構成される。投射光学系７９０３は、投射レンズを備えた複数の光学レンズで構成される。図３１（Ａ）に示した光源光学系及び表示装置は図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２に適用できる。また、光源光学系７９０１は図３０（Ｄ）に示した光源光学系を用いればよい。なお、表示装置７９０２にはカラーフィルター（図示しない）が設けられており、表示映像をカラー化している。
【０２５０】
また、図３１（Ｂ）に示した光源光学系及び表示装置は、図３１（Ａ）の応用例であり、カラーフィルターを設ける代わりに、ＲＧＢの回転カラーフィルター円板７９０５を用いて表示映像をカラー化している。図３１（Ｂ）に示した光源光学系及び表示装置は図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２に適用できる。
【０２５１】
また、図３１（Ｃ）に示した光源光学系及び表示装置は、カラーフィルターレス単板式と呼ばれている。この方式は、表示装置７９１６にマイクロレンズアレイ７９１５を設け、ダイクロイックミラー（緑）７９１２、ダイクロイックミラー（赤）７９１３、ダイクロイックミラー（青）７９１４を用いて表示映像をカラー化している。投射光学系７９１７は、投射レンズを備えた複数の光学レンズで構成される。図３１（Ｃ）に示した光源光学系及び表示装置は図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）中における光源光学系及び表示装置７６０１、７７０２に適用できる。また、光源光学系７９１１としては、光源の他に結合レンズ、コリメータレンズを用いた光学系を用いればよい。
【０２５２】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜７のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０２５３】
【発明の効果】
【０２５４】
本発明では、２つの基板間に液晶を挟持した液晶表示装置において、基板をエッチング等で削ることで、基板の表面に液晶を挟持するための溝（セル構成部）を形成している。そしてセルギャップはセル構成部の深さで決定している。
【０２５５】
本発明は上記構成によって、スペーサやシール材によってセルギャップを制御する必要がなくなり、容易にセルギャップを均一に保つことが可能になった。
【０２５６】
またシール材でセルギャップを制御した場合、２つの基板をシール材で貼り合わせて形成されたセルの内部を真空にし、液晶注入口を液晶に浸してからセルの外部の気圧を上げることで液晶をセルに注入する際、セルの内部と外部の気圧差が大きいために、シール材に負担がかかっていた。しかし本発明ではセルの内部と外部の気圧差が大きくてもシール材にかかる負担が小さくすることが可能になった。
【０２５７】
また本発明では、ゴーグル型表示装置において、液晶パネルが有するレンズの一部がエッチング等で削られてセル構成部を形成している。そして、エッチング等で削られていない基板上にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板がレンズと貼り合わされており、ＴＦＴ基板とレンズのセル構成部との間に液晶が挟持される。
【０２５８】
上記構成を有する本発明のゴーグル型表示装置によると、レンズ等の光学素子と液晶パネルが一体となっているので、従来問題となっていた、液晶パネルとレンズとの「ずれ」による表示品質の劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液晶パネルの斜視図及び上面図。
【図２】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図３】 本発明の液晶パネルの詳しい上面図及び断面図。
【図４】 本発明の液晶パネルの斜視図及び上面図。
【図５】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図６】 本発明の液晶パネルの詳しい上面図及び断面図。
【図７】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図８】 本発明の液晶パネルの断面図。
【図９】 本発明の液晶パネルの詳しい断面図。
【図１０】 本発明のゴーグル型表示装置の実施例の概略構成図。
【図１１】 本発明のゴーグル型表示装置の断面図。
【図１２】 本発明のゴーグル型表示装置の液晶パネルの概略ブロック図。
【図１３】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１４】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１５】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１６】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１７】 無しきい値反強誘電性混合液晶のＶ字型の電気光学特性を示すグラフ。
【図１８】 本発明のゴーグル型表示装置の概略構成図である。
【図１９】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２０】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２１】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２２】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２３】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２４】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２５】 ＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図２６】 本発明の構成を用いたＥＬ表示装置の回路ブロック図。
【図２７】 本発明の構成を用いたＥＬ表示装置の断面構造の概略図。
【図２８】 本発明の液晶パネルの外観図。
【図２９】 本発明の構成を用いた電子機器の図。
【図３０】 本発明の構成を用いたプロジェクターの図。
【図３１】 本発明の構成を用いたプロジェクターの図。
【符号の説明】
１０１ ＴＦＴ基板
１０２ 対向基板
１０３ シール材
１０４ ＦＰＣ取り付け部
１０５ 液晶注入口
１０６ セル
１０７ 液晶
Claims (4)
- 第１の基板と、
前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、
前記第１の基板と対向する前記第２の基板面の一部に形成された溝と、
前記溝の内部側面に設けられたシール材と、
前記溝と前記シール材に囲まれた内部とに充填された液晶と、
を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが前記シール材によって貼り合わされていることを特徴とする表示装置。 - 第１の基板と、
前記第１の基板と対向して配置された光学素子として機能する第２の基板と、
前記第１の基板と対向する前記第２の基板面の一部に形成された溝と、
前記溝の内部側面に設けられたシール材と、
前記溝と前記シール材に囲まれた内部とに充填された液晶と、
を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが前記シール材によって貼り合わされていることを特徴とするゴーグル型表示装置。 - 第１の基板と第２の基板との間に液晶を挟持する表示装置の作製方法であって、
前記第２の基板の一部に溝を形成する第１の工程と、
前記第１の工程で形成した前記溝の内部側面にシール材を設ける第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記溝が前記第１の基板と対向するように前記シール材により貼り合わせる第３の工程と、
前記溝と前記シール材に囲まれた内部とに前記液晶を充填する第４の工程と、
から少なくともなることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第１の基板と光学素子として機能する第２の基板との間に液晶を挟持するゴーグル型表示装置の作製方法であって、
前記第２の基板の一部に溝を形成する第１の工程と、
前記第１の工程で形成した前記溝の内部側面にシール材を設ける第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記溝が前記第１の基板と対向するように前記シール材により貼り合わせる第３の工程と、
前記溝と前記シール材に囲まれた内部とに前記液晶を充填する第４の工程と、
から少なくともなることを特徴とするゴーグル型表示装置の作製方法。
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