JP4341560B2 - Si含有膜形成材料、Si含有膜、Si含有膜の製法、及び、半導体デバイス - Google Patents
Si含有膜形成材料、Si含有膜、Si含有膜の製法、及び、半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4341560B2 JP4341560B2 JP2005023255A JP2005023255A JP4341560B2 JP 4341560 B2 JP4341560 B2 JP 4341560B2 JP 2005023255 A JP2005023255 A JP 2005023255A JP 2005023255 A JP2005023255 A JP 2005023255A JP 4341560 B2 JP4341560 B2 JP 4341560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimethoxysilane
- containing film
- butyl
- general formula
- forming material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N CC1CCCC1 Chemical compound CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
または、上記一般式(7)の有機ハロゲン化合物と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、有機アルカリ金属、又は、有機アルカリ土類金属とを反応させて得た下記一般式(8)
窒素気流下、滴下濾斗、攪拌装置を備えた1Lの四つ口フラスコに金属マグネシウム26.7g(2.20mol)と乾燥テトラヒドロフラン0.53Lを仕込み、0℃に冷却した。これに攪拌しつつ、4−ブロモアニソール187g(1.00mol)を5時間で滴下し、室温で3時間反応させ、4−メトキシフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液を得た。
窒素気流下、滴下濾斗、攪拌装置を備えた2Lの四つ口フラスコにメチルトリメトキシラン130g(0.952mol)と乾燥テトラヒドロフラン52.0mlを仕込み、0℃に冷却した。これに攪拌しつつ、上記で調製した4−メトキシフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液1.00molを1時間で滴下し、室温で4時間反応させた。反応終了後、副生したマグネシウムメトキシド残渣を濾別除去し、得られた濾液を減圧蒸留することにより目的物であるメチル(4−メトキシフェニル)ジメトキシシラン106g(0.501mol)を得た。収率は、52.6%であった。
13C−NMR;δ4.8ppm(CH3−Si)、50.7ppm(CH3−O−Si)、55.2ppms(CH3−O−Ph)、δ113.9ppm(Ph)、δ125.0ppm(Ph)、δ135.8ppm(Ph)、δ161.5ppm(Ph)
GC−MS;Mw=212、C10H16О3Si。
Claims (8)
- 一般式(1)で表されるシラン化合物の分子量が、1000未満であることを特徴とする、請求項1に記載のSi含有膜形成材料。
- ケイ素、炭素、酸素、水素、窒素、ホウ素以外の不純物量が10ppb未満であり、かつ含水量が50ppm未満であることを特徴とする、請求項1または2に記載のSi含有膜形成材料。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のSi含有膜形成材料を原料として用い、プラズマ励起化学気相成長法により成膜することを特徴とする、Si含有膜の製法。
- 請求項4に記載の製法によって得られることを特徴とする、Si含有膜。
- 請求項5に記載のSi含有膜を、熱処理、紫外線照射処理、又は電子線処理することを特徴とする、Si含有膜の製法。
- 請求項6に記載の製法によって得られることを特徴とする、Si含有膜。
- 請求項5または7に記載の膜を絶縁膜として用いることを特徴とする、半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005023255A JP4341560B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Si含有膜形成材料、Si含有膜、Si含有膜の製法、及び、半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005023255A JP4341560B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Si含有膜形成材料、Si含有膜、Si含有膜の製法、及び、半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210791A JP2006210791A (ja) | 2006-08-10 |
JP4341560B2 true JP4341560B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=36967255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005023255A Expired - Fee Related JP4341560B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Si含有膜形成材料、Si含有膜、Si含有膜の製法、及び、半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4341560B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007254651A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tosoh Corp | 有機シラン化合物、それを含むSi含有膜形成材料、製造方法および用途 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10283348B2 (en) * | 2016-01-20 | 2019-05-07 | Versum Materials Us, Llc | High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005023255A patent/JP4341560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007254651A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tosoh Corp | 有機シラン化合物、それを含むSi含有膜形成材料、製造方法および用途 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006210791A (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5003722B2 (ja) | 有機シロキサン化合物 | |
JP4438385B2 (ja) | 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス | |
US6572923B2 (en) | Asymmetric organocyclosiloxanes and their use for making organosilicon polymer low-k dielectric film | |
JP2790439B2 (ja) | 弗素含有酸化珪素フィルムの形成法ならびにF2Si(CH3)CH2CH2Si(CH3)F2とF3SiCH2CH2CH2CH(SiF3)C2H5のそれぞれからなる合成物 | |
JP5353845B2 (ja) | 環状シロキサン化合物 | |
JP4591651B2 (ja) | 有機シラン化合物を含んでなる絶縁膜用材料、その製造方法および半導体デバイス | |
JP2008274365A (ja) | Si含有膜形成材料、Si含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス | |
US8513448B2 (en) | Cyclic siloxane compound, a material for forming Si-containing film, and its use | |
US20100140754A1 (en) | Film-forming material, silicon-containing insulating film and method for forming the same | |
JP4333480B2 (ja) | Si含有膜形成材料、およびその用途 | |
JP4479190B2 (ja) | アルケニル基含有有機シラン化合物を含んでなる絶縁膜用材料、それを用いた絶縁膜および半導体デバイス | |
JP2010067810A (ja) | Si含有膜の成膜方法、絶縁膜、並びに半導体デバイス | |
JP5019742B2 (ja) | 環状シロキサン化合物、Si含有膜形成材料、およびその用途 | |
JP4957037B2 (ja) | 有機シラン化合物、それを含むSi含有膜形成材料、製造方法および用途 | |
JP4341560B2 (ja) | Si含有膜形成材料、Si含有膜、Si含有膜の製法、及び、半導体デバイス | |
EP2194060B1 (en) | Organic silane compounds for forming silicon-containing films by plasma CVD and method for forming silicon-containing films | |
JP5040162B2 (ja) | アルケニル基含有有機シラン化合物から成るSi含有膜形成材料およびその用途 | |
CN101442003A (zh) | 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件 | |
JP4259217B2 (ja) | エステル基含有有機シラン化合物を含んでなる絶縁膜用材料およびそれを用いた絶縁膜 | |
KR20220035506A (ko) | 규소 화합물 및 이를 사용하여 막을 증착시키는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090629 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |