JP4340613B2 - リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
−投影放射ビームを供給するための放射システムと、
−投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−前記基板テーブルを支持するためのベース・フレームと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための、前記ベース・フレームから機械的に減結合された投影システムと、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムと
を備えたリソグラフィック投影装置であって、前記液体供給システムが、前記基板の局部領域に前記液体を拘束するための液体封込みシステムを備えたリソグラフィック投影装置に関する。
−マスク
マスクの概念についてはリソグラフィにおいてはよく知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射をマスク上のパターンに従って選択的に透過させ(透過型マスクの場合)、或いは選択的に反射させている(反射型マスクの場合)。マスクの場合、支持構造は、通常、入射する放射ビーム中の所望の位置に確実にマスクを保持することができ、且つ、必要に応じてマスクをビームに対して確実に移動させることができるマスク・テーブルである。
−プログラム可能ミラー・アレイ
粘弾性制御層及び反射型表面を有するマトリックス処理可能表面は、このようなデバイスの実施例の1つである。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(例えば)反射型表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス処理可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、或いは圧電駆動手段を使用することによって、1つの軸の周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、微小ミラーは、入射する放射ビームを反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとでそれぞれ異なるようにマトリックス処理することが可能であり、この方法により、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、例えば、いずれも参照により本明細書に組み込まれている米国特許US5,296,891号及びUS5,523,193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えば、必要に応じて固定或いは移動させることができるフレーム若しくはテーブルとして具体化されている。
−プログラム可能LCDアレイ
参照により本明細書に組み込まれている米国特許US5,229,872号に、このような構造の実施例の1つが記載されている。この場合の支持構造も、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、例えば、必要に応じて固定或いは移動させることができるフレーム若しくはテーブルとして具体化されている。
分かりやすくするために、本明細書の以下の特定の部分、とりわけ実施例の部分にはマスク及びマスク・テーブルが包含されているが、このような実施例の中で考察されている一般原理は、上で説明したパターン化手段のより広義のコンテキストの中で理解されたい。
−少なくとも一部が放射線感応材料の層で覆われた、ベース・フレーム上に支持された基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
−前記ベース・フレームから機械的に減結合された投影システムを使用して、パターン化された放射ビームを放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
−液体封込みシステムを使用して、基板と前記投影システムの最終エレメントの間の空間に液体を拘束するステップと
を含み、
前記装置の光軸に対して実質的に平行な方向への前記液体封込みシステムの前記最終エレメントに対する移動を、前記ベース・フレーム上のストッパによって制限された範囲内での移動にすることを可能にすることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
−投影放射ビームPB(例えばDUV放射)を供給するための放射システムEx、IL(この特定の実施例の場合、放射システムは放射源LAをさらに備えている)と、
−マスクMA(例えばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備えた、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の対物テーブル(マスク・テーブル)MTと、
−基板W(例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備えた、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2の対物テーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイからなる)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折系)とを備えている。
図に示すように、この装置は透過型(例えば透過型マスクを有する)の装置であるが、一般的には例えば反射型(例えば反射型マスクを備えた)の装置であってもよい。別法としては、この装置は、例えば上記したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなど、他の種類のパターン化手段を使用することもできる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Cに1回の照射(すなわち単一「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTがx及び/又はy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBによって照射される。
2.走査モードでは、所与の目標部分Cが単一「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。走査モードでは、マスク・テーブルMTを所与の方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に速度νで移動させることができるため、投影ビームPBでマスク画像を走査し、且つ、基板テーブルWTを同時に同じ方向又は逆方向に、速度V=Mνで移動させることができる。MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4若しくはM=1/5)。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光することができる。
20、30 機械式アイソレータ
100 シール部材
105 フランジ
110、120 ストッパ
112、127 ストッパ表面
114 ピボット・ポイント
116 ピボット可能部材
117 スクリュー部材
118 スプリング
125 ストッパ・アクチュエータ
AM 調整手段
BF ベース・フレーム
C 目標部分
CO コンデンサ
Ex、IL 放射システム(ビーム拡大器、照明システム(イルミネータ))
IF 干渉測定手段
IN インテグレータ
IN 入口
LA 放射源
LCS 液体封込みシステム
MA マスク
MT 第1の対物テーブル(マスク・テーブル)
OUT 出口
PB 投影放射ビーム
PL 投影システム(レンズ)
RF 基準フレーム
W 基板
WT 第2の対物テーブル(基板テーブル)
Claims (7)
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板テーブルを支持するためのベース・フレームと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための、前記ベース・フレームから機械的に減結合された投影システムと、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するための液体供給システムとを具備し、
前記液体供給システムが、前記液体を前記基板に拘束するための液体封込みシステムであって、前記基板テーブルの上方に、該基板テーブルから分離して設けられた液体封込みシステムを備えており、
前記投影装置の光軸に対して平行な方向への前記液体封込みシステムの移動範囲が、前記ベース・フレーム上のストッパ又は前記投影システムに取り付けられたストッパによって制限される構成になっており、
前記ストッパは、前記液体封込みシステムが前記最終エレメントからの第1の所定の距離を越えて前記最終エレメントの近くに移動することを防止する第1のストッパを備えており、
前記第1のストッパは、前記液体封込みシステムが前記最終エレメントからの第2の所定の距離を越えて前記第1の所定の距離まで前記最終エレメントの近くに移動することを制限する方向に付勢されている、
リソグラフィック投影装置。 - 前記第1のストッパが、ピボット可能部材に取り付けられているか、又はピボット可能部材の一部である、請求項1に記載のリソグラフィック投影装置。
- 前記ストッパが、前記液体封込みシステムが所定の位置を越えて前記最終エレメントから遠ざかる方向に移動することを防止するための第2のストッパを備えた、請求項1又は2に記載のリソグラフィック投影装置。
- 前記第2のストッパを移動させ、それにより前記所定の位置を変更するためのストッパ・アクチュエータをさらに備えた、請求項3に記載のリソグラフィック投影装置。
- 前記ストッパが、前記液体封込みシステムの表面と相互作用することによって前記移動範囲を制限する機械的な干渉表面である、請求項1から4までのいずれか一項に記載のリソグラフィック投影装置。
- 前記液体封込みシステムを前記方向に移動させるためのアクチュエータをさらに備えた、請求項1から5までのいずれか一項に記載のリソグラフィック投影装置。
- 少なくとも一部が放射線感応材料の層で覆われた、ベース・フレーム上に支持された基板を提供するステップと、
放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面をパターン化すべくパターン化手段を使用するステップと、
前記ベース・フレームから機械的に減結合された投影システムを使用して、パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
前記基板を保持する基板テーブルの上方に、該基板テーブルから分離して設けられた液体封込みシステムを使用して、前記基板と前記投影システムの最終エレメントの間の空間に液体を拘束するステップとを含み、
装置の光軸に対して実質的に平行な方向への前記液体封込みシステムの前記最終エレメントに対する移動を、前記ベース・フレーム上のストッパ又は前記投影システムに取り付けられたストッパによって、制限された範囲内での移動にすることを可能にし、
前記ストッパは、前記液体封込みシステムが前記最終エレメントからの第1の所定の距離を越えて前記最終エレメントの近くに移動することを防止する第1のストッパを備えており、
前記第1のストッパは、前記液体封込みシステムが前記最終エレメントからの第2の所定の距離を越えて前記第1の所定の距離まで前記最終エレメントの近くに移動することを制限する方向に付勢されている、
デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03256095A EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005109488A JP2005109488A (ja) | 2005-04-21 |
JP4340613B2 true JP4340613B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=34178627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004280795A Active JP4340613B2 (ja) | 2003-09-29 | 2004-09-28 | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7193681B2 (ja) |
EP (1) | EP1519230A1 (ja) |
JP (1) | JP4340613B2 (ja) |
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US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
-
2003
- 2003-09-29 EP EP03256095A patent/EP1519230A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-09-22 US US10/946,344 patent/US7193681B2/en active Active
- 2004-09-28 JP JP2004280795A patent/JP4340613B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005109488A (ja) | 2005-04-21 |
US20050088635A1 (en) | 2005-04-28 |
US7193681B2 (en) | 2007-03-20 |
EP1519230A1 (en) | 2005-03-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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