JP4331443B2

JP4331443B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4331443B2
Application number: JP2002200469A
Authority: JP
Inventors: 武美久永
Original assignee: Hirata Corp
Current assignee: Hirata Corp
Priority date: 2002-07-09
Filing date: 2002-07-09
Publication date: 2009-09-16
Anticipated expiration: 2022-07-09
Also published as: JP2004047582A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上に塗布された薬液を乾燥させるための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、液晶や半導体などの基板に薬液を塗布し、その後基板上の薬液を乾燥させる基板処理が一般的に行われている。
【０００３】
このような基板乾燥処理に用いられる乾燥方法として、基板を収容する容器内の圧力を下げて乾燥を行う減圧乾燥方法が知られている。減圧乾燥方法は、内部雰囲気を不活性ガスなどで満たすガス注入プロセスと、基板を入れ替える基板入替プロセスとを含む。基板入替プロセスでは、基板を収容している容器の蓋を開放するため、外気が流入する。そこで、基板を入れ替えるたびにガスを注入している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の減圧乾燥方法では、単に不活性ガス等の供給口があるだけであり、置換のための時間を短縮しようとすると、大量の不活性ガスを供給する必要があり、内部のゴミをまき散らしたり、強い気流によって乾燥ムラや風紋を形成したりする問題があった。
【０００５】
また、基板入替プロセスにおいて、容器の蓋が開いているときに大気を吸引して、容器内のゴミを巻き上げて基板表面にゴミが付着する可能性もあった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、基板を好適に乾燥させ、高品質の基板を生成することのできる基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明に係る基板処理装置は、
基板を載置する載置手段と、
前記載置手段に載置された基板を収容する基板収容器と、
を有し、前記基板収容器内に不活性ガスを供給しながら基板表面を減圧乾燥させる基板処理装置であって、
前記基板収容器は、その底面に、前記基板収容器内に前記不活性ガスを供給するための供給口、および前記基板収容器内の気体を排出するための排出口を有し、
前記基板処理装置は、更に、前記供給口を覆うように前記不活性ガスを拡散させる拡散部材を有し、
前記拡散部材は、
前記供給口を覆うように設けられ、複数の第１拡散孔を有する第１拡散部材と、
前記第１拡散部材を覆うように設けられ、複数の第２拡散孔を有する第２拡散部材と、
を含み、
前記第１拡散部材および前記第２拡散部材は、それらの下端と前記基板収容器の底面との間に間隙が形成されるように配置されたことを特徴とする。
【０００８】
前記拡散部材は、
前記供給口を覆うように設けられ、複数の第１拡散孔を有する第１拡散部材と、
前記第１拡散部材を覆うように設けられ、複数の第２拡散孔を有する第２拡散部材と、
を含み、
前記第１拡散部材および前記第２拡散部材は、それらの下端と前記基板収容器の底面との間に間隙が形成されるように配置されたことを特徴とする。
【０００９】
前記第１拡散部材は、断面が逆Ｕ字形状をなす長尺部材で構成され、その天井部に前記第１拡散孔を有し、
前記第２拡散部材は、無底の箱状部材で構成され、前記第１拡散部材全体を覆うように設けられ、その天井部および側壁に前記第１拡散孔よりも径小の第２拡散孔を有することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素の相対配置、表示画面等は、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１４】
＜概要＞
本発明の実施形態としての基板処理装置は、基板を載置する載置部を有し、載置部に載置された基板の周囲を基板収容器で密封し、基板収容器内を不活性ガス等の気体で充満させて、基板を乾燥させる。
【００１５】
このため、基板収容器には、気体を供給するための供給口が設けられている。また、基板収容器には、供給口から供給した気体が強い気流を生じさせないように、供給口付近に拡散部が設けられている。供給口から基板収容器内に注入されたガスは、拡散部に衝突して拡散し、基板収容器全体に穏やかに充満していく。
また、載置部に載置される基板の下面側には、基板収容器内の気体を排出するための排出口が設けられている。この排出口と載置部に載置される基板との間には、整流板が設けられており、排出口から排出される気体による気流が基板に直接的に作用することを防止する。なお、基板処理装置は、排出口から気体を排出するための減圧手段としてのポンプを含む。
【００１６】
排出口から基板収容器内の気体を吸引して基板収容器内の気圧を低下させることにより、基板上の塗膜の乾燥を促進させる。
【００１７】
基板収容器は、基板を入替えるための開閉蓋を有している。基板入替えの際には、開閉蓋を開くことにより流入した外気が、整流板の下側を通り排出口から排出される。このとき、流入した外気が基板に作用しないように、整流板は、基板よりも面積が大きく形成されている。
【００１８】
また、基板処理装置は、プロセッサを含む制御部を有し、減圧手段としてのポンプを制御して、基板収容器内の気圧を様々なパターンで変化させる。
【００１９】
＜構成＞
図１は本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。ここで、図１（ａ）は、蓋を取った状態での基板処理装置１の平面図である。ここで、点線で描かれた外枠は、かぶせる蓋の位置を示している。図１（ｂ）及び（ｃ）は基板処理装置１の内部を示すＡ−Ａ断面図及びＢ−Ｂ断面図である。
【００２０】
図１に示すように、本基板処理装置１は、開閉可能な蓋１０１と、蓋１０１を閉じた際に蓋１０１と共に密封空間を生成する有底筒形状の基板収容器１０２とを備えている。基板収容器１０２の底面には、その１つの側壁に沿うように、例えばφ３０ｍｍ程度の３つの吸入口１０３が設けられ、中央付近に、φ１００ｍｍ程度の１つの排出口１０４が設けられている。吸入口１０３は、基板収容器１０２内に所定の気体としての不活性ガスを供給するための供給口として機能する。また、排出口１０４は、基板収容器１０２内の気体を排出するためのものである。
【００２１】
また、基板を支持するための複数のリフトピン１０５が基板収容器１０２の底面を貫通しており、基板収容器１０２の外側でベースプレート１０６と接続されている。すなわち、リフトピン１０５に載置された基板は、ベースプレート１０６に連動して上下動する。リフトピン１０５と基板収容器１０２の底面との間はシールされており、基板収容器１０２からガスが漏れないように構成されている。
【００２２】
基板収容器１０２内には、排出口１０４の上方に、その底面に沿って、排出口から排出される気体による気流が基板に直接的に作用することを防止するための整流板１０７が固定されている。整流板１０７は、複数のスペーサ１０８によって、底面との間に微小間隙ｄ１（例えば２〜３ｍｍ）を形成している。整流板１０７は、リフトピン１０５を貫挿するための複数の穴を有した平らな金属板であり、図１（ａ）に示されているように、基板よりも大きく、基板収容器１０２の側壁に沿った形状をしている。従って、排出口１０４から排出されるガス（または外気）は、整流板１０７の端縁と基板収容器１０２の側壁との隙間を通って、整流板１０７の下方に潜り込むことになる。つまり、排出口１０４から排出される気体は、直接基板に沿って流れることなく、基板収容器１０２の側壁及び底面に沿った気流を形成する。これにより基板収容器１０２内の乱流の発生を防止している。
【００２３】
また、基板収容器１０２内には、吸入口１０３の上方を覆うように拡散部１０９が設けられている。拡散部１０９は、吸入口１０３から吸入したガスを第１段階として拡散させる第１拡散部材１０９ａと、第１拡散部材１０９ａを通過したガスを第２段階として更に拡散させる第２拡散部材１０９ｂとを含む。これらの拡散部材は、共に、断面が逆Ｕ字形状をした長尺の部材であり、第２拡散部材１０９ｂは、第１拡散部材１０９ａ全体を覆うように取付けられた無底の箱状部材である。第１拡散部材１０９ａは、天井と２枚の長手方向の側壁とからなり、天井には、複数の拡散孔（例えば、φ６mm）が設けられている。また、第２拡散部材１０９ｂは、天井と、２枚の長手方向の側壁と、２枚の短手方向の側壁とからなり、天井と、２枚の短手方向の側壁には、第１拡散部材１０９ａよりも径小（例えばφ３mm）の拡散孔がやはり複数設けられている。第２拡散部材１０９ｂには、第１拡散部材１０９ａよりも単位面積当たり多くの拡散孔が設けられている。
【００２４】
これらの拡散部材は、それぞれの下端位置を合わせるように長手方向の一方の側壁同士が互いに接合され、一体として基板収容器１０２の底面に取付けられる。その際、第２拡散部材１０９ｂと基板収容器１０２との間にスペーサ１１０を挟み込むことにより、図１（ｂ）に示すように、第１拡散部材１０９ａ及び第２拡散部材１０９ｂの基板側の側壁の下端と、基板収容器１０２との間に微小間隙ｄ２（例えば１ｍｍ）が形成される。これにより、吸入口１０３から流入したガスの一部は、間隙ｄ２を通り、そのまま整流板１０７の下方を通って、排出口１０４から排出される。第２拡散部材１０９ｂとスペーサ１１０とは、ねじ１１１によって固定されている。
【００２５】
図２は、拡散部１０９の基板収容器１０２に対する取り付けの様子を示す図である。
【００２６】
図２に示すように、基板収容器１０２の底面に３本の柱状のスペーサ１１０を取り付けておく。そして、第１拡散部材１０９ａの右手前側の側壁と、第２拡散部材１０９ｂの右手前側の側壁とを、不図示のボルトによって接合する。ここでは、第１拡散部材１０９ａは、１つの部材として図示しているが、同じ断面を有する２つの長尺部材から構成されていても良い。その場合、２つの長尺部材は、例えば、真ん中のスペーサ１１０部分で接合されることが考えられる。
【００２７】
第１拡散部材１０９ａと第２拡散部材１０９ｂとが接合され、一体となった拡散部１０９は、スペーサ１１０上に載置され、ボルト１１１が第２拡散部材１０９ｂに設けられたバカ穴を介してスペーサ１１０と螺合することにより、基板収容器１０２に固定される。
【００２８】
これにより、吸入口１０３上を、拡散部１０９が、微小間隙を形成しつつ覆うこととなる。
【００２９】
＜動作＞
次に、図３及び図４を用いて、前述のような構成からなる基板処理装置１において、基板の乾燥を行なう際のガス及び外気の流路について説明する。
【００３０】
図３、図４は、図１（ｂ）に対応する基板処理装置１の概略端面図であり、ガス及び外気の流路を説明するのに必要な構成のみを示している。このうち、図３は、ガス注入プロセスでの流路を示し、図４は、基板入替プロセスでの流路を示している。
【００３１】
図３に示すように、流入したガスの大部分は、第１拡散部材１０９ａの天井部分に衝突して流速が弱められ、第１拡散孔ｈ１から拡散されて流出する。そして、更に第２拡散部材１０９ｂの天井部分に衝突して更にその勢いが弱められ、拡散孔ｈ２から更に拡散されて基板収容器１０２の内部に流出する。
【００３２】
これにより、流入したガスの流圧は基板に到達するまでに十分に弱められ、基板上に風紋や乾燥ムラなどを形成することなく、排出口１０４から排出される。これにより、基板収容器１０２内部の気体の置換を行うと共に、基板収容器１０２内の減圧を行い、基板の乾燥を促進させる。
【００３３】
また、整流板１０７の下方の間隙を通って排出口１０４から排出されるため、内部のゴミを巻き上げることもない。
【００３４】
一方、基板入替えプロセスでは、図４のように蓋１０１を開放すると同時に基板をリフトピンで上方に移動する。この時、基板収容器１０２の上方から一気に外気が流入するが、整流板１０７が設けられているため、排出口１０４から不図示のポンプによって吸引すれば、図４のように基板収容器１０２の側壁に沿った流路が形成される。この流れに乗って基板収容器１０２内のガスも一緒に排出口１０４から排出される。この時、基板は、外気の流入口よりも上方に位置することになり、かつ、基板収容器１０２内部での乱流の発生が抑制されるので、外気と共に流入するごみや基板収容器１０２内部で巻き上げられたごみが基板に付着することはない。従って、基板に悪影響を及ぼすことなく迅速に基板収容器１０２内部に外気を流入し基板収容器１０２内の換気を行うことができる。
【００３５】
また、整流板の効果により、蓋１０１を開放した際にも排出口１０４から強く吸引することができるので、基板収容器１０２から溶剤の悪臭等が外部に漏れることを回避することができる。
【００３６】
＜圧力制御＞
本基板処理装置１は、減圧乾燥を更に効果的に行うために、増減する圧力とその時間及び増減圧スピードを基板ごとに設定可能である。
【００３７】
そのため、図５に示すように、基板処理装置１は、基板収容器１０２内の気圧を制御するための制御弁や圧力スイッチを備えている。これにより、図６、図７に示すように、設定圧力と経過時間及び増減圧時間を基板ごとに設定できる。従って、基板収容器１０２内の気体の流路だけでなく、流量も基板に合わせて設定が可能になり、最適の条件で基板の減圧乾燥を行うことができる。
【００３８】
（その他の実施形態）
なお、上記実施形態では、吸入口を３箇所設けたが、本発明はこれに限定されるものではなく、２箇所以下でも、４箇所以上でも良い。
【００３９】
また、拡散部材は２種類を組み合わせて設けたが、本発明はこれに限定されるものではなく、１種類でも、３種類以上を組み合わせても良い。
【００４０】
【発明の効果】
以上述べてきたとおり、本発明によれば、基板を好適に乾燥させ、高品質の基板を生成する基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置の拡散部の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置内の流路を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置内の流路を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置の圧力制御用の構成を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基板処理装置の圧力制御のレシピの例を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る基板処理装置の圧力制御ステップを示す図である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for drying a chemical applied on a substrate.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a substrate processing is generally performed in which a chemical solution is applied to a substrate such as a liquid crystal or a semiconductor, and then the chemical solution on the substrate is dried.
[0003]
As a drying method used in such a substrate drying process, a vacuum drying method is known in which drying is performed by lowering the pressure in a container that accommodates a substrate. The reduced-pressure drying method includes a gas injection process that fills the internal atmosphere with an inert gas and a substrate replacement process that replaces the substrate. In the substrate replacement process, outside air flows in to open the lid of the container containing the substrate. Therefore, gas is injected every time the substrate is replaced.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional vacuum drying method merely has a supply port for an inert gas or the like, and in order to shorten the time for replacement, it is necessary to supply a large amount of an inert gas, and internal dust is removed. There was a problem of scattering and forming uneven drying and wind ripples by a strong air current.
[0005]
Further, in the substrate replacement process, there is a possibility that the atmosphere is sucked when the container lid is open, and the dust in the container is rolled up and the dust adheres to the substrate surface.
[0006]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suitably drying a substrate and producing a high-quality substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
A mounting means for mounting the substrate;
A substrate container for accommodating the substrate placed on the placing means;
A substrate processing apparatus for drying the substrate surface under reduced pressure while supplying an inert gas into the substrate container,
The substrate container has, on its bottom surface, a supply port for supplying the inert gas into the substrate container, and a discharge port for discharging gas in the substrate container,
The substrate processing apparatus may further have a diffusion member for diffusing the inert gas so as to cover the supply port,
The diffusion member is
A first diffusion member provided to cover the supply port and having a plurality of first diffusion holes;
A second diffusion member provided to cover the first diffusion member and having a plurality of second diffusion holes;
Including
The first diffusion member and the second diffusion member are arranged so that a gap is formed between a lower end thereof and a bottom surface of the substrate container .
[0008]
The diffusion member is
A first diffusion member provided to cover the supply port and having a plurality of first diffusion holes;
A second diffusion member provided to cover the first diffusion member and having a plurality of second diffusion holes;
Including
The first diffusion member and the second diffusion member are arranged so that a gap is formed between a lower end thereof and a bottom surface of the substrate container .
[0009]
The first diffusion member is composed of a long member having a reverse U-shaped cross section, and has the first diffusion hole in the ceiling portion thereof.
The second diffusion member is a bottomless box-shaped member, is provided so as to cover the entire first diffusion member, and has a second diffusion hole whose diameter is smaller than that of the first diffusion hole in a ceiling portion and a side wall thereof. It is characterized by having .
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the relative arrangement of components, the display screen, and the like described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified.
[0014]
<Overview>
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention has a placement unit for placing a substrate, seals the periphery of the substrate placed on the placement unit with a substrate container, and inactivates the inside of the substrate container The substrate is dried by being filled with a gas such as a gas.
[0015]
For this reason, the substrate container is provided with a supply port for supplying gas. The substrate container is provided with a diffusing portion in the vicinity of the supply port so that the gas supplied from the supply port does not generate a strong airflow. The gas injected into the substrate container from the supply port collides with the diffusion portion and diffuses, and gently fills the entire substrate container.
A discharge port for discharging the gas in the substrate container is provided on the lower surface side of the substrate placed on the placement unit. A rectifying plate is provided between the discharge port and the substrate placed on the mounting portion, and prevents the airflow caused by the gas discharged from the discharge port from directly acting on the substrate. The substrate processing apparatus includes a pump as decompression means for discharging gas from the discharge port.
[0016]
By sucking the gas in the substrate container from the discharge port and reducing the atmospheric pressure in the substrate container, drying of the coating film on the substrate is promoted.
[0017]
The substrate container has an opening / closing lid for replacing the substrate. When the substrate is replaced, the outside air that flows in by opening the opening / closing lid passes through the lower side of the current plate and is discharged from the discharge port. At this time, the current plate is formed to have a larger area than the substrate so that the inflowing outside air does not act on the substrate.
[0018]
In addition, the substrate processing apparatus includes a control unit including a processor, and controls a pump as a decompression unit to change the atmospheric pressure in the substrate container in various patterns.
[0019]
<Configuration>
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to this embodiment. Here, Fig.1 (a) is a top view of the substrate processing apparatus 1 in the state which removed the cover. Here, the outer frame drawn with a dotted line indicates the position of the cover to be placed. FIGS. 1B and 1C are an AA sectional view and a BB sectional view showing the inside of the substrate processing apparatus 1.
[0020]
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a lid 101 that can be opened and closed, and a bottomed cylindrical substrate container 102 that generates a sealed space together with the lid 101 when the lid 101 is closed. . On the bottom surface of the substrate container 102, for example, three suction ports 103 with a diameter of about 30 mm are provided along one side wall, and one discharge port 104 with a diameter of about 100 mm is provided near the center. The suction port 103 functions as a supply port for supplying an inert gas as a predetermined gas into the substrate container 102. The discharge port 104 is for discharging the gas in the substrate container 102.
[0021]
A plurality of lift pins 105 for supporting the substrate pass through the bottom surface of the substrate container 102 and are connected to the base plate 106 outside the substrate container 102. That is, the substrate placed on the lift pins 105 moves up and down in conjunction with the base plate 106. The space between the lift pins 105 and the bottom surface of the substrate container 102 is sealed so that gas does not leak from the substrate container 102.
[0022]
In the substrate container 102, a rectifying plate 107 is fixed above the discharge port 104 along the bottom surface thereof to prevent an air flow caused by the gas discharged from the discharge port from directly acting on the substrate. ing. The rectifying plate 107 forms a minute gap d <b> 1 (for example, 2 to 3 mm) with the bottom surface by a plurality of spacers 108. The rectifying plate 107 is a flat metal plate having a plurality of holes through which the lift pins 105 are inserted, and is larger than the substrate and has a side wall of the substrate container 102 as shown in FIG. It has a shape along. Therefore, the gas (or outside air) discharged from the discharge port 104 enters the lower part of the rectifying plate 107 through the gap between the edge of the rectifying plate 107 and the side wall of the substrate container 102. That is, the gas discharged from the discharge port 104 does not flow directly along the substrate, but forms an air flow along the side wall and the bottom surface of the substrate container 102. This prevents the occurrence of turbulent flow in the substrate container 102.
[0023]
A diffusion unit 109 is provided in the substrate container 102 so as to cover the upper part of the suction port 103. The diffusion unit 109 includes a first diffusion member 109a that diffuses the gas sucked from the inlet 103 as a first stage, and a second diffusion member 109b that further diffuses the gas that has passed through the first diffusion member 109a as a second stage. Including. Both of these diffusion members are long members having an inverted U-shaped cross section, and the second diffusion member 109b is a bottomless box-like member attached so as to cover the entire first diffusion member 109a. is there. The first diffusion member 109a includes a ceiling and two longitudinal side walls, and the ceiling is provided with a plurality of diffusion holes (for example, φ6 mm). The second diffusing member 109b includes a ceiling, two longitudinal side walls, and two short side walls, and the first diffusion is formed on the ceiling and the two short side walls. A plurality of diffusion holes having a diameter smaller than that of the member 109a (for example, φ3 mm) are also provided. The second diffusion member 109b is provided with more diffusion holes per unit area than the first diffusion member 109a.
[0024]
These diffusing members are attached to the bottom surface of the substrate container 102 as a single unit, with one side wall in the longitudinal direction being joined to each other so that their lower end positions are aligned. At this time, by sandwiching the spacer 110 between the second diffusion member 109b and the substrate container 102, as shown in FIG. 1B, the side walls on the substrate side of the first diffusion member 109a and the second diffusion member 109b A minute gap d2 (for example, 1 mm) is formed between the lower end of the substrate and the substrate container 102. As a result, part of the gas flowing in from the suction port 103 passes through the gap d2, passes through the lower part of the rectifying plate 107, and is discharged from the discharge port 104. The second diffusing member 109b and the spacer 110 are fixed by a screw 111.
[0025]
FIG. 2 is a diagram illustrating how the diffusion unit 109 is attached to the substrate container 102.
[0026]
As shown in FIG. 2, three columnar spacers 110 are attached to the bottom surface of the substrate container 102. Then, the side wall on the right front side of the first diffusion member 109a and the side wall on the right front side of the second diffusion member 109b are joined by a bolt (not shown). Here, the first diffusing member 109a is illustrated as one member, but may be composed of two long members having the same cross section. In that case, it is conceivable that the two long members are joined at the spacer 110 portion in the middle, for example.
[0027]
The first diffusing member 109a and the second diffusing member 109b are joined, and the diffusing portion 109 integrated is placed on the spacer 110, and the bolt 111 is inserted through a flaw hole provided in the second diffusing member 109b. By being screwed to the spacer 110, the substrate container 102 is fixed.
[0028]
As a result, the diffusion portion 109 covers the suction port 103 while forming a minute gap.
[0029]
<Operation>
Next, with reference to FIGS. 3 and 4, the flow path of the gas and the outside air when the substrate is dried in the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration will be described.
[0030]
3 and 4 are schematic end views of the substrate processing apparatus 1 corresponding to FIG. 1B, and show only the configuration necessary for explaining the flow paths of gas and outside air. Among these, FIG. 3 shows the flow path in the gas injection process, and FIG. 4 shows the flow path in the substrate replacement process.
[0031]
As shown in FIG. 3, most of the inflowing gas collides with the ceiling portion of the first diffusion member 109a, the flow velocity is weakened, and the gas diffuses out of the first diffusion hole h1 and flows out. Further, it collides with the ceiling portion of the second diffusion member 109b, and its momentum is further weakened, and further diffused from the diffusion hole h2 and flows out into the substrate container 102.
[0032]
Thereby, the flow pressure of the inflowing gas is sufficiently weakened until it reaches the substrate, and is discharged from the discharge port 104 without forming a wind pattern or drying unevenness on the substrate. Accordingly, the gas inside the substrate container 102 is replaced, and the pressure in the substrate container 102 is reduced, thereby promoting the drying of the substrate.
[0033]
Moreover, since it is discharged | emitted from the discharge port 104 through the gap | interval under the baffle plate 107, an internal dust is not rolled up.
[0034]
On the other hand, in the substrate replacement process, the lid 101 is opened as shown in FIG. At this time, outside air flows in from the upper side of the substrate container 102, but since the rectifying plate 107 is provided, if the air is sucked from the discharge port 104 by a pump (not shown), the substrate container 102 has a structure as shown in FIG. A flow path along the side wall is formed. Along with this flow, the gas in the substrate container 102 is also discharged from the discharge port 104 together. At this time, the substrate is positioned above the outside air inlet, and the generation of turbulent flow inside the substrate container 102 is suppressed. The dust wound up in step 1 does not adhere to the substrate. Therefore, the outside air can be quickly introduced into the substrate container 102 without adversely affecting the substrate to ventilate the substrate container 102.
[0035]
Further, due to the effect of the current plate, it is possible to suck strongly from the discharge port 104 even when the lid 101 is opened, so that it is possible to avoid the bad smell of the solvent from leaking from the substrate container 102 to the outside.
[0036]
<Pressure control>
The substrate processing apparatus 1 can set an increasing / decreasing pressure, a time thereof, and an increasing / decreasing speed for each substrate in order to perform drying under reduced pressure more effectively.
[0037]
Therefore, as shown in FIG. 5, the substrate processing apparatus 1 includes a control valve and a pressure switch for controlling the atmospheric pressure in the substrate container 102. Thereby, as shown in FIGS. 6 and 7, the set pressure, the elapsed time, and the pressure increase / decrease time can be set for each substrate. Therefore, not only the gas flow path in the substrate container 102 but also the flow rate can be set according to the substrate, and the substrate can be dried under reduced pressure under optimum conditions.
[0038]
(Other embodiments)
In the above embodiment, three suction ports are provided. However, the present invention is not limited to this, and may be two or less or four or more.
[0039]
Moreover, although the diffusion member was provided combining two types, this invention is not limited to this, You may combine one type or three types or more.
[0040]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus for suitably drying a substrate and generating a high-quality substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a diffusion unit of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing a flow path in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a flow path in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a configuration for pressure control of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing an example of a pressure control recipe of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view showing a pressure control step of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

Claims

基板を載置する載置手段と、
前記載置手段に載置された基板を収容する基板収容器と、
を有し、前記基板収容器内に不活性ガスを供給しながら基板表面を減圧乾燥させる基板処理装置であって、
前記基板収容器は、その底面に、前記基板収容器内に前記不活性ガスを供給するための供給口、および前記基板収容器内の気体を排出するための排出口を有し、
前記基板処理装置は、更に、前記供給口を覆うように前記不活性ガスを拡散させる拡散部材を有し、
前記拡散部材は、
前記供給口を覆うように設けられ、複数の第１拡散孔を有する第１拡散部材と、
前記第１拡散部材を覆うように設けられ、複数の第２拡散孔を有する第２拡散部材と、
を含み、
前記第１拡散部材および前記第２拡散部材は、それらの下端と前記基板収容器の底面との間に間隙が形成されるように配置されたことを特徴とする基板処理装置。A mounting means for mounting the substrate;
A substrate container for accommodating the substrate placed on the placing means;
A substrate processing apparatus for drying the substrate surface under reduced pressure while supplying an inert gas into the substrate container,
The substrate container has, on its bottom surface, a supply port for supplying the inert gas into the substrate container, and a discharge port for discharging gas in the substrate container,
The substrate processing apparatus may further have a diffusion member that diffuses the inert gas so as to cover the supply port,
The diffusion member is
A first diffusion member provided to cover the supply port and having a plurality of first diffusion holes;
A second diffusion member provided to cover the first diffusion member and having a plurality of second diffusion holes;
Including
The substrate processing apparatus, wherein the first diffusion member and the second diffusion member are arranged so that a gap is formed between a lower end thereof and a bottom surface of the substrate container .

前記第１拡散部材は、断面が逆Ｕ字形状をなす長尺部材で構成され、その天井部に前記第１拡散孔を有し、
前記第２拡散部材は、無底の箱状部材で構成され、前記第１拡散部材全体を覆うように設けられ、その天井部および側壁に前記第１拡散孔よりも径小の第２拡散孔を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。The first diffusion member is composed of a long member having a reverse U-shaped cross section, and has the first diffusion hole in the ceiling portion thereof.
The second diffusion member is a bottomless box-shaped member, is provided so as to cover the entire first diffusion member, and has a second diffusion hole whose diameter is smaller than that of the first diffusion hole in a ceiling portion and a side wall thereof. The substrate processing apparatus according to claim 1 , comprising: