JP4331160B2 - 赤外線センサおよびその駆動方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従った赤外線センサ100の構成を示す回路図である。赤外線センサ100は、半導体基板上に2行2列に配列された4個の画素を含む撮像領域と、撮像領域から得られた信号を増幅する増幅回路AMPC1およびAMPC2とを備えている。撮像領域は、通常、より多くの画素を備えているが、ここでは、便宜的に4画素とする。
第2の実施形態は、無感度画素11として光学的無感度画素を採用する。図7は、光学的無感度画素の断面図である。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同じでよい。
図8は、本発明に係る第3の実施形態に従った赤外線センサ300の構成を示す回路図である。赤外線センサ300は、無感度画素行110を複数備えている点で第1の実施形態と異なる。第3の実施形態のその他の構成は第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。便宜的に、赤外線センサ300は、2行の無感度画素行110を備えているものとする。もちろん、赤外線センサ300は、3行以上の無感度画素行110を備えていてもよい。
110 無感度画素行
120 有効画素行
5 行選択回路
6 読出し回路
20 増幅トランジスタ
21 結合容量
25 サンプリングトランジスタ
31 信号線
221 蓄積容量
Claims (13)
- 半導体基板上に二次元的に配置され、赤外線を検出する赤外線検出画素からなる有効画素行、および、赤外線の感度を有さない無感度画素からなる無感度画素行を含む撮像領域と、
前記撮像領域に行方向に配置され、前記赤外線検出画素および前記無感度画素に接続された複数の行選択線と、
前記行選択線に接続され、前記有効画素行または前記無感度画素行を選択してバイアス電圧を印加する行選択回路と、
前記撮像領域の列方向に配列され、前記赤外線検出画素および前記無感度画素に接続された複数の信号線と、
前記信号線に接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅する増幅トランジスタと、
前記信号線と前記増幅トランジスタのゲートとの間に接続された結合容量と、
前記増幅トランジスタのゲートとドレインとの間に接続されたサンプリングトランジスタと、
前記増幅トランジスタのドレインに接続され、信号電荷を蓄積する蓄積容量と、
前記蓄積容量に蓄積された信号電荷に基づく電圧を読み出す読出し回路とを備え、
前記行選択回路が前記無感度画素行を選択し、かつ前記サンプリングトランジスタが前記増幅トランジスタのドレインとゲートを導通させる第1の選択期間は、前記行選択回路が前記有効画素行を選択し、かつ前記増幅トランジスタで増幅された信号電荷を前記蓄積容量へ蓄積する第2の選択期間よりも長く設定されたことを特徴とする赤外線センサ。 - 半導体基板上に二次元的に配置され、赤外線を検出する赤外線検出画素からなる有効画素行、および、赤外線の感度を有しない無感度画素からなる複数の無感度画素行を含む撮像領域と、
前記撮像領域に行方向に配置され、前記赤外線検出画素および前記無感度画素に接続された複数の行選択線と、
前記行選択線に接続され、前記有効画素行または前記複数の無感度画素行を選択してバイアス電圧を印加する行選択回路と、
前記撮像領域の列方向に配列され、前記赤外線検出画素および前記複数の無感度画素に接続された複数の信号線と、
前記信号線に接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅する増幅トランジスタと、
前記信号線と前記増幅トランジスタとの間に接続された結合容量と、
前記増幅トランジスタのゲートとドレインとの間に接続されたサンプリングトランジスタと、
前記増幅トランジスタのドレインに接続された、信号電荷を蓄積する蓄積容量と、
前記蓄積容量に蓄積された信号電荷に基づく電圧を読み出す読出し回路とを備え、
前記行選択回路が前記無感度画素行のうち少なくとも一つを選択し、かつ前記サンプリングトランジスタが前記増幅トランジスタのドレインとゲートを導通させる第1の選択期間は、前記行選択回路が前記有効画素行を選択し、かつ前記増幅トランジスタで増幅された信号電荷を前記蓄積容量へ蓄積する第2の選択期間よりも長く設定され、
前記第1の選択期間は、前記行選択回路が前記複数の無感度画素行のうち少なくとも一つの無感度画素行を選択し、かつ前記サンプリングトランジスタが前記増幅トランジスタのドレインとゲートとを導通させる複数の無感度画素行選択期間を含むことを特徴とする赤外線センサ。 - 前記増幅トランジスタのドレインに接続され、該ドレイン電圧をリセットするリセットトランジスタをさらに備え、
前記第1の選択期間の前、および、前記第2の選択期間の前に、前記増幅トランジスタのドレイン電圧をリセットすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の赤外線センサ。 - 前記複数の無感度画素行選択期間の少なくとも一つは、前記行選択回路が前記有効画素行を選択し、かつ前記増幅トランジスタで増幅された信号電荷を前記蓄積容量へ蓄積する有効画素行選択期間と等しいことを特徴とする請求項2に記載の赤外線センサ。
- 前記増幅トランジスタのドレインに接続され、該ドレイン電圧をリセットするリセットトランジスタをさらに備え、
前記複数の無感度画素行選択期間のうち最初の期間の前に前記増幅トランジスタのドレイン電圧をリセットし、その後の無感度画素行選択期間では、前記増幅トランジスタのドレイン電圧をリセットしないことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の赤外線センサ。 - 前記増幅トランジスタのソース電位は、前記第1の選択期間と前記第2の選択期間とにおいて異なることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載された赤外線センサを具備したことを特徴とする赤外線カメラ。
- 半導体基板上に二次元的に配置され、赤外線を検出する赤外線検出画素からなる有効画素行、および、赤外線の感度を有しない無感度画素からなる無感度画素行を含む撮像領域と、前記撮像領域に行方向に配置され、前記赤外線検出画素および前記無感度画素に接続された複数の行選択線と、前記行選択線に接続され、前記有効画素行または前記無感度画素行を選択してバイアス電圧を印加する行選択回路と、前記撮像領域の列方向に配列され、前記赤外線検出画素および前記無感度画素に接続された複数の信号線と、前記信号線に接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅する増幅トランジスタと、前記信号線と前記増幅トランジスタのゲートとの間に接続された結合容量と、前記増幅トランジスタのゲートとドレインとの間に接続されたサンプリングトランジスタと、前記増幅トランジスタのドレインに接続され、信号電荷を蓄積する蓄積容量と、前記蓄積容量に蓄積された信号電荷に基づく電圧を読み出す読出し回路とを備えた赤外線センサの駆動方法であって、
当該駆動方法は、
前記行選択回路が前記無感度画素行を選択し、かつ前記サンプリングトランジスタが前記増幅トランジスタのドレインとゲートを導通させる第1の選択期間と、
前記行選択回路が前記有効画素行を選択し、かつ前記増幅トランジスタで増幅された信号電荷を前記蓄積容量へ蓄積する第2の選択期間とを含み、
前記第1の選択期間は前記第2の選択期間よりも長く設定されたことを特徴とする赤外線センサの駆動方法。 - 半導体基板上に二次元的に配置され、赤外線を検出する赤外線検出画素からなる有効画素行、および、赤外線の感度を有しない無感度画素からなる複数の無感度画素行を含む撮像領域と、
前記撮像領域に行方向に配置され、前記赤外線検出画素および前記無感度画素に接続された複数の行選択線と、
前記行選択線に接続され、前記有効画素行または前記複数の無感度画素行を選択してバイアス電圧を印加する行選択回路と、
前記撮像領域の列方向に配列され、前記赤外線検出画素および前記複数の無感度画素に接続された複数の信号線と、
前記信号線に接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅する増幅トランジスタと、
前記信号線と前記増幅トランジスタとの間に接続された結合容量と、
前記増幅トランジスタのゲートとドレインとの間に接続されたサンプリングトランジスタと、
前記増幅トランジスタのドレインに接続された、信号電荷を蓄積する蓄積容量と、
前記蓄積容量に蓄積された信号電荷に基づく電圧を読み出す読出し回路とを備えた赤外線センサの駆動方法であって、
当該駆動方法は、
前記行選択回路が前記無感度画素行のうち少なくとも一つを選択し、かつ前記サンプリングトランジスタが前記増幅トランジスタのドレインとゲートを導通させる第1の選択期間と、
前記行選択回路が前記有効画素行を選択し、かつ前記増幅トランジスタで増幅された信号電荷を前記蓄積容量へ蓄積する第2の選択期間とを含み、
前記第1の選択期間は、前記第2の選択期間よりも長く設定されており、
前記第1の選択期間は、前記行選択回路が前記複数の無感度画素行のうち少なくとも一つの無感度画素行を選択し、かつ前記サンプリングトランジスタが前記増幅トランジスタのドレインとゲートとを導通させる複数の無感度画素行選択期間を含むことを特徴とする赤外線センサ。 - 前記赤外線センサは、前記増幅トランジスタのドレインに接続されたリセットトランジスタをさらに備え、
前記第1の選択期間の前、および、前記第2の選択期間の前に、前記増幅トランジスタのドレイン電圧をリセットすることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の赤外線センサの駆動方法。 - 前記複数の無感度画素行選択期間の少なくとも一つは、前記行選択回路が前記有効画素行を選択し、かつ前記増幅トランジスタで増幅された信号電荷を前記蓄積容量へ蓄積する有効画素行選択期間と等しいことを特徴とする請求項9に記載の赤外線センサの駆動方法。
- 前記増幅トランジスタのドレインに接続され、該ドレイン電圧をリセットするリセットトランジスタをさらに備え、
前記リセットトランジスタは、前記複数の無感度画素行選択期間のうち最初の期間の前に前記増幅トランジスタのドレイン電圧をリセットし、その後の無感度画素行選択期間では、前記増幅トランジスタのドレイン電圧をリセットしないことを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の赤外線センサの駆動方法。 - 前記増幅トランジスタのソース電位は、前記第1の選択期間と前記第2の選択期間とにおいて異なることを特徴とする請求項8に記載の赤外線センサの駆動方法。
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