JP4329917B2 - 等方熱硬化性接着材料を利用したスマートカード製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
発明の背景
スマートカードはバンクカード、身分証明カード、テレフォンカードなどに使用されている。スマートカードは、スマートカードの電子部品とＡＴＭ機などの受信装置のカードリーダやピックアップヘッドなどの間の（物理的直接接触又は電磁波の何れかによる）電磁結合を利用することに基づいている。このような電気結合は、読取モードのみ又は読取／書込モードを実行するために利用可能となっている。
【０００２】
通常、スマートカードは数層のプラスチックシートをサンドイッチ配列することにより製造されている。「接触」型スマートカードの場合には、カードの接触面は、機械のリーダ又はピックアップヘッド部品に物理的に直接接触するように配置される。所謂「非接触」スマートカード（即ち、電子部品が物理的接触でなくむしろ電磁波によりアクセスするようなスマートカード）の場合には、重合可能な樹脂から成る中心層が電子モジュールを全体的に包んでいる。電子モジュールは例えば集積回路チップから成り、この集積回路チップは誘導コイル型のアンテナに接続しており、このアンテナはカード本体を通して電磁波を受信し得るようになっている。
【０００３】
スマートカードの製造方法は著しく変化してきている。例えば、欧州特許第０３５０１７９号は、カードの２つの表面層の間に導入したプラスチック材料層内に電子回路要素を包んだスマートカードを開示している。更に、この方法は高張力保持部材を金型の一面に当接させることから成り、この際にスマートカードの電子部品を金型の一面に関して位置付け、その後に電子部品を包むように反応成形性高分子材料を金型内に射出している。
【０００４】
欧州特許出願第９５４００３６５．３号は非接触スマートカードの製造方法を教示している。この方法は剛体フレームを使用して、上部の熱可塑性シートと下部の熱可塑性シートの間の空所に電子モジュールを配置固定している。フレームを下部の熱可塑性シートに機械的に取り付けた後に、空所に重合可能な樹脂材料を充填している。
【０００５】
米国特許第５，３９９，８４７号は３層、即ち第１の外層、第２の外層及び中間層から成るクレジットカードを教示している。中間層はスマートカードの電子要素（例えば集積回路チップ及びアンテナ）を中間層材料内に包む熱可塑性接着材料の射出によって形成している。接着材料はコポリアミドの混合物、又は空気接触により硬化する２以上の化学反応成分を有する接着剤から製造することが好ましいとしている。このスマートカードの外層は、ポリ塩化ビニル又はポリウレタンのような多様な高分子素材から製造可能となっている。
【０００６】
米国特許第５，４１７，９０５号はプラスチック製のクレジットカードの製造方法を教示しており、そこでは２つのシェルから成る成形機が閉じてカードを製造するための空所を形成している。ラベル又はイメージ支えを各金型シェルの中に配置している。その後に金型シェルを合わせ、熱可塑性材料を金型に射出してカードを形成している。流入するプラスチックはラベル又はイメージ支えを各金型面に押し付けている。
【０００７】
米国特許第５，５１０，０７４号は、略平行な主要面を持つカード本体と、少なくとも１面に図形要素を持つ支え部材と、チップに固定した接触子配列を包含する電子モジュールとを有するスマートカードの製造方法を教示している。この製造方法は概して、（１）カードの体積と形状を形成する金型内に支え部材を配置する工程と、（２）支え部材を金型の第1の主壁に押し当て支持する工程と、（３）中空から成る容積部に熱可塑性材料を射出して支え部材が占有していない容積部分を充填する工程と、（４）射出した熱可塑性材料が完全に固化する前に電子モジュールを熱可塑性材料内の適切な位置に挿入する工程とを含んでいる。
【０００８】
米国特許第４，３３９，４０７号は電子回路保護装置をキャリアの形で開示しており、キャリアは平端面、溝及びボスを特定のオリフィスと組み合わせて特定配列した壁を有している。金型の壁部は回路アセンブリを所定の配列で支持している。キャリアの壁は弱い可撓性を有する材料から形成し、スマートカードの電子回路要素の挿入を容易にしている。キャリアは外側金型に挿入できるようになっている。このことは、キャリアの壁が相互に接近するように移動し、熱可塑性材料の射出中に回路要素を堅固に配列する原因となっている。キャリアの壁の外面は金型の壁の爪とかみ合う突起を有し、キャリアを金型内に配置固定している。金型は溜った気体を逃がすための孔も有している。
【０００９】
米国特許第５，３５０，５５３号は射出成形機内のプラスチックカードの上に装飾パターンを生じさせると共に、プラスチックカードの内部に電子回路を配置する方法を教示している。この方法は、（ａ）射出成形機内の開いた金型キャビティにフィルム（例えば装飾パターンを有するフィルム）を導入配置する工程と、（ｂ）金型キャビティを閉じてフィルムを所定位置に締付固定する工程と、（ｃ）金型の開口から電子回路チップを金型キャビティに挿入してそのチップをキャビティ内に配置する工程と、（ｄ）熱可塑性支持混合物を金型キャビティ内に射出して一体化したカードを形成する工程と、（ｅ）その後に全ての余剰材料を除き、金型キャビティを開き、カードを取り出す工程とを含んでいる。
【００１０】
米国特許第４，９６１，８９３号は集積回路チップを支持する支持要素を主な特徴とするスマートカードを教示している。支持要素はチップを金型キャビティ内に設置するために使用している。プラスチック材料をキャビティ内に射出することによりカード本体を形成し、チップをプラスチック材料内に完全に埋設している。幾つかの実施の形態においては、支持要素の縁部を各金型の荷重負担面同士の間に締め付けている。支持要素は完成したカードから剥離するフィルムになっているか、カードと一体の部分として残存するシートになっている。支持要素が剥離フィルムになっている場合には、そこに含まれている全ての図形要素が転写され、カード上に見えるように残っている。支持要素がカードと一体の部分として残存している場合には、図形要素はその表面に形成されており、カード利用者の目に見えるようになっている。
【００１１】
米国特許第５，４９８，３８８号は通し孔を有するカードボードを含むスマートカードを教示している。この孔には半導体モジュールを取り付けている。孔に樹脂を射出し、前記半導体モジュールの外部接続用の電極端子面のみを露出するような条件の下で樹脂製品を形成している。通し孔を有するカードボードを２つの対向する金型ダイの下型に取り付け、半導体モジュールを前記カードボードの孔に取り付け、下側ダイに通じるゲートを有する上側ダイを締め付け、樹脂をゲートから孔に射出することにより、カードを完成している。
【００１２】
米国特許第５，４２３，７０５号は熱可塑性射出成形材料から成形したディスク本体と、このディスク本体に一体化したラミネート層とを有するディスクを教示している。ラミネート層は外側の透明な薄層と内側の白く不透明な薄層とを含んでいる。イメージ材料はこれらの薄層の間に挟んでいる。
【００１３】
これらの全ての従来のスマートカードの製造方法は、電子部品、電子モジュール、又は電子アセンブリをスマートカード内に適切に配置固定することに或る程度関連している。電子部品を適切に取り付けていない場合には、幾分高い熱硬化性材料射出圧力の影響下で、熱可塑性材料をカード形成用又はカードコア形成用のキャビティ内に射出したときに、電子部品は一様でない位置に動くであろう。上述した従来の技術は、熱可塑性材料射出工程の間に電子部品を配置固定するために使用することの多い枠又は支えのような多様な固体保持部材を明らかに利用している。しかしながら、硬い上に鋭利な形状の本体を持つ比較的大きい機械的保持装置を使用して熱可塑性材料の射出中に電子部品を所定位置に保持することは、或る種の問題を引き起こしている。例えば、これらの比較的大きい保持装置の本体は（即ち、保持する電子部品と比較して大きく）、カードが正常（及び異常）な使用において遭遇する衝撃、撓み、及び／又は捩れ力によって不利な影響をしばしば受けている。この種の力が引き起こす損害を最小にするため、硬い上に鋭利な形状の本体の幾つかにより保持した電子部品をスマートカードの隅部に配置することも多くなっている。通常では、このように配置を制限することは、カード内に配置可能な電子部品の大きさと数を低減している。
【００１４】
その上に、この種のカードの他の要素の膨張係数と比べて、比較的大きい保持部材を形成するために使用する材料の膨張係数には差があるので、電子部品保持装置を包含して完成したカードの外面が往々にして変形する。即ち、この表面変形はカードの製造中にカードが異なる温度と圧力を受けているとき、保持部材がカード本体内に単に存在していることに由来している。このような変形は最良でも見栄えが悪く、最悪ではカードをカード読取機内のカード受部に十分平に置くことさえできなくしている。
【００１５】
何人かのスマートカード製造業者はこの問題に対処するため、（機械的相互連結ロック装置ではない）多様な接着剤を使用して保持装置の大きさを減ずることにより、熱可塑性材料射出工程の際に保持装置（及び保持装置が保持している電子部品）をカード形成キャビティ内に堅固に配置している。しかしながら、接着剤を使用して保持装置を固定することは、その他の一連の問題を引き起こしている。これらの問題は、電子部品保持装置を所定位置に固定するために使用する商業的利用可能で急速硬化する大抵の接着剤が、往々にして高収縮度を特徴としているということを中心に展開している。更に、流入する熱硬化性材料が保持装置に作用するときに比較的大きい保持装置を固定するためには、比較的多量の接着剤が必要となっている。支持装置を所定位置に固定するために必要な高収縮度を有する比較的多量の接着剤を使用することは、接着剤が付着しているプラスチックシート又は層の領域に皺を作り、そうでなければそれを変形させる傾向がある。しかも悪いことに、スマートカードの表面層を形成するために使用するプラスチックシート（例えばポリ塩化ビニルのシート）の内面の皺状変形によって作られた力は、（例えば約０．０７５〜約０．２５ｍｍの）比較的薄いシート材料の本体を通して伝わる。これらの力は往々にしてスマートカードの外面に局部的に波のような、又は曲がった、又は一様に皺の寄った性質を呈させる原因となっている。或る公差を超えた場合には、これらの波のような、又は曲がった、又は一様に皺の寄った変形は、スマートカード産業に受け入れ難くなっている。このことから、この種の変形を少なくとも最小限度に抑えるため、多くの技術が開発されてきている。あいにく、このような変形は、特にスマートカードを多様な高速接着法を用いて、大抵のスマートカードの外面を形成しているプラスチック材料（例えばポリ塩化ビニル）の薄いシートに比較的大きい保持装置を接着する際に問題となって続いている。
【００１６】
更に、上述した問題に対する完全に満足のゆく解決方法の欠如への異なる対応として、大きく硬い回路要素保持装置と、それらが所定位置に位置する硬い金属の電子部品（例えば金属アンテナループ、コンピュータチップ、コンデンサ等）との双方を、むしろ導電体として作用するような特殊な性能をも有する熱硬化性高分子接着性材料でできた比較的に薄いフィルムのような層と置き換えることが提案されている。このような材料の使用によって、スマートカードの回路要素は（例えばエッチングによって）フィルム状の導電材料の一体の部分を形成し得るようになっている。この導電高分子材料はしばしば等方熱硬化性接着（ＩＴＡ）材料と呼ばれている。
【００１７】
これらの材料は最初、電気リード線をコンピュータチップに接着し、これらの要素を接着する所謂「ゴールドバンプ」の必要性をなくすために開発して使用していた。換言すれば、ＩＴＡ材料は、コンピュータチップと電子リード線との接続のために導電接着材料として使用した金と取り替えることによって、電子部品アセンブリの費用を低く抑えるために使用していた。
【００１８】
このＩＴＡ材料は、この後に薄いフィルムのような材料に形成し、（例えば電気回路要素をＩＴＡ内にエッチングすることにより）電気回路要素を設置していた。フィルムのようなＩＴＡ材料はオランダのフィリップスエレクトロニクス社が製造している。スマートカード内に必要とする場所が少なく、コストも低いことは別にしても、ＩＴＡフィルムは、それが取り換わろうとしていた従来の金属回路要素よりもはるかに高い可撓性を持っているということを更に特徴としている。従って、ＩＴＡ回路は回路が形成する電気流路を破壊せずに、はるかに大きい撓み及び／又は捩れ力に耐えることができるようになっている。
【００１９】
あいにく、スマートカード回路要素のためのこのようなフィルム状材料の利用に関連して著しく深刻な欠点が存在してる。フィルム状材料は「本体」と機械的「剛性」を欠如しているために、スマートカード製造のために利用する製造工程の幾つかの物理的要素には適していない。例えば、フィルム状材料は一般的に剛性が十分でないために適切に処理されず、従って、スマートカードの上面即ち表面と、下面即ち裏面とをそれぞれ形成する２枚の熱硬化性材料のシートが形成する空所に適切に配置されない。従来の方法では、フィルム状のＩＴＡ材料は空所に配置され、カードを製造するための対向する金型の前部の顎部、舌部、又は縁面の締付作用により保持される。要するに、この保持技術を利用するとき、ＩＴＡフィルムの前部は成形機の前部によって把持され、ＩＴＡフィルムの後部はスマートカードの下部層の上面上に落ち着くまで空所で「沈降」するに過ぎない。
【００２０】
この後に、高温の流動体状の熱硬化性高分子材料を空所に射出する。沈降した位置で、ＩＴＡフィルムはカードのコア即ち中心部を形成する熱硬化性高分子材料の下部に埋設される傾向にある。しかしながら、電気信号の転送の都合から、ＩＴＡ材料はカードのコア部に略平坦又は水平な方位にあることが極めて好ましい。前述の顎部のような締付作用を利用するとき、ＩＴＡフィルムは急入する流動体状の高分子材料の影響下で「波のような」形状をも呈するかもしれない。実際に、薄いフィルムのようなＩＴＡ材料は、往々にして流動体状の熱硬化性高分子材料の急入によって（金型の顎部の把持作用が提供する）前部の係留具のところから断裂する。従って、全ての潜在的な利点にも拘わらず、ＩＴＡ材料はスマートカードの回路を形成する部品として通常使用されているわけではない。
【００２１】
発明の要約
出願人のＩＴＡ回路を含むスマートカード（例えばクレジットカード、本人身分証明カード、アクセス管理カード、テレフォンカード等）は、後で詳細に説明する確かな熱可塑性材料の流れを分岐するスプリッタデバイスの利用によって製造することができる。これらのデバイスは、スマートカードの回路部品として利用するべき等方熱硬化性接着（ＩＴＡ）材料のシート又はフィルムと物理的に結合する（例えば接着剤、熱接着等で）ことが好ましい。スマートカードには、「非接触」型スマートカード、「接触」型スマートカード、又はしばしば「コンビ」スマートカードと呼ばれる種類の接触／非接触の混成型がある。何れの場合も、スプリッタデバイスは流入する熱硬化性高分子材料の流れを２本の流れに分割即ち分岐する。一方の流れは概してＩＴＡ材料のシート又はフィルムの上を流れ、他方の流れは概してＩＴＡ材料の下を流れる。この流れを分岐する作用は、ＩＴＡ回路部品をスマートカードのコア領域の中心部又は近傍に略水平な方位に位置させることに役立つ。
【００２２】
ＩＴＡ回路部品をスマートカードのコア領域の中心部又は近傍に方位付け及び配置する出願人の方法は、後に詳細に説明する確かな他の特定の材料及び製造方法の利用により大いに向上させることが可能となる。例えば、出願人のＩＴＡ配置方法は、（１）後に詳細に説明する確かな「低温」、「低圧」形成方法の利用、（２）確かな熱硬化性材料流通ゲート幾何学の利用、（３）出願人のスマートカードのコア領域を形成するために必要な量よりも過剰に射出される熱硬化性高分子材料を受容するための出願人の金型の確かな受容部の利用、によって更に向上させることが可能となる。
【００２３】
出願人のスマートカードは、概して内面及び外面を有する上部層と、内面及び外面を有する下部層と、上部層及び下部層の間に挟んだ中心即ちコア層とから構成している。コア層即ち中心層はＩＴＡ材料を含んでいる。これら３つ全ての層は、コア層を形成するために使用する熱硬化性高分子材料と、上部層及び下部層を形成するための材料との間の接合作用によってスマートカード本体に一体化している。出願人の発明の幾つかの好ましい実施の形態では、この接合作用は上部層及び／又は下部層の内面を後で詳細に説明する多様な処理法を利用して増大させることができる。
【００２４】
このように、ＩＴＡシート又はフィルムに含む幾つか又は全ての電子要素（例えば、コンピュータチップ、電気回路要素、アンテナ、コンデンサ等）は、カードの中心即ちコア層を構成する熱硬化性高分子材料内に埋設している。これらの電子部品の全てをそのように埋設している場合には、電子部品はカードの電気回路要素のアンテナ構成部品を介して、スマートカード本体に受信（及び場合により送信も）する電磁波によってＡＴＭ等のスマートカードを利用する機械と通信することができる。本発明の特に好ましい実施の形態では、スマートカードの電気部品は全てスマートカードのコア層を構成する熱硬化性重合体内に完全に埋設したＩＴＡ材料の層内に配置している。また、このような配列は所謂「非接触」スマートカードを製造する。即ち、この場合には、ＩＴＡ回路部品の何れも完成スマートカードの外面のどの部分をも形成していない。
【００２５】
しかしながら、他の場合では、ＩＴＡ回路部品をスマートカードの表面の一部を形成するリーダ又はピックアップヘッドと電気的に接続して、このようなリーダがカード利用機械（例えばＡＴＭ機）と物理的に接触するようにしている。また、露出したリーダやピックアップヘッドを有するカードは往々に「接触」型スマートカードと呼ばれている。当業者はこのようなスマートカードは全て広範な商業上の利用に適合させるために、極めて精密な標準化された寸法に製造しなくてはならないと認識するだろう。例えば、ＩＳＯ規格７８１０は非接触スマートカードに８５．６ｍｍの公称長さと、５３．９８ｍｍの公称幅と、０．７６ｍｍの公称厚さを要求している。
【００２６】
本文記載の出願人のスマートカードの製造方法を探求する前に、本特許開示のために「上部」及び「下部」又は「上」及び「下」の層という用語が相対的であると見なされるべきであるということを注意すべきである。即ち、それらはこのスマートカードを製造するために使用する金型シェルの相対位置を意味している。このことから、これらの用語は絶対位置又は方位を意味すべきでない。
【００２７】
この上部又は下部という用語がどうであろうと、スマートカードを製造するための本文記載の方法は、通常（よく独特に「ＲＩＭ」と呼ばれている）反応射出成形機を使用するであろう。この種の機械は、出願人のスマートカードの２つの主要な外面層を形成する高分子材料（例えばポリ塩化ビニル）のシートの少なくとも１枚に、後で詳細に説明する確かな成形作業（特に確かな低温、低圧成形作業）を実施し得る上型シェルと下型シェルに機械的に結合している。このような上型及び下型シェルは、高分子材料成形技術に精通している者に十分に周知となっている方法で共働する。しかしながら、出願人の特別な方法に使用するため、ＲＩＭの金型シェルの少なくとも１つ、例えば上型シェルは、２つの金型シェルの間に圧力成形（例えば、低温低圧成形）する予定の前駆体スマートカード本体の厚さ、及び全体的な周辺長さを少なくとも部分的に形成するための少なくとも１つのキャビティを有するであろう。
【００２８】
ここで注記すべきことは、出願人が（「余剰」高分子材料の本体を含むであろう）「前駆体スマートカード本体」という用語を使用することは、この種の成形装置によって形成する粗成形カード本体と、余剰高分子材料を除去することにより（例えば、それらを前駆体カード本体から切り取ることにより）、そして前駆体カード本体を所定の完成品スマートカードに対する確かな規定サイズ（例えばＩＳＯ規格７８１０は８５．６ｍ×５３．９８ｍｍに規定している）に切り分けることにより形成する「完成」スマートカードとを区別することにある。このような規定サイズに切り分けることは、余剰材料を１回の切り取り／切り分け作業により除去することができる。当業者はこの種のカードを商業的製造作業に使用する成形装置が、数枚のカードを同時に製造するための多数のキャビティ（例えば２、４、６、８等）を有する金型シェルを備えていることが最も好ましいとも認識するであろう。
【００２９】
当業者は、出願人が「高分子の」、「プラスチックの」、「熱可塑性の」及び「熱硬化性の」という用語を使用することが、潜在的に広い範囲の材料に言及しているとも認識するであろう。何れにしても、出願人が使用する高分子材料は２つの下位区分の１つ、即ち熱可塑性材料又は熱硬化性材料に概略分類できるであろう。熱可塑性材料は他の重合体分子に接合しない側鎖又は団を有する（線状又は分岐状の何れかの）長鎖分子から成っている。従って、熱可塑性材料は成形可能となるように加熱と冷却によって繰り返して軟化かつ硬化することができ、その後に熱可塑性材料は所望の最終形状に固化するように冷却することができる。一般的に言えば、この種の加熱成形作業の間には、容易に感知し得る化学変化は全く生じない。逆に言えば、（樹脂のような）熱硬化性材料は、重合中に長鎖分子間に化学的架橋を形成する化学反応部分を有している。これらの線状の重合体長鎖は、互いに接合して立体的な化学構造を形成するようになる。従って、一旦この種の熱硬化性樹脂を固化すると、これらの化学架橋の少なくとも幾つかを永久に分解することなくしては、結果材料を加熱によって軟化することはできない。
【００３０】
高分子材料（熱可塑性又は熱硬化性）のどちらの形態も、出願人のスマートカードの上部層及び／又は下部層に使用することができる。このことから、出願人の上部層及び下部層を形成し得る材料に関する「重合体の」という一般的な用語を出願人が使用することは、熱可塑性材料のみならず熱硬化性材料をも含んでいると見なすべきである。しかしながら、熱硬化性重合体は出願人のスマートカードの中心即ちコア層を形成するために極めて好ましい。この好ましさには幾つかの理由がある。例えば、熱硬化性重合体は上部層及び下部層を形成するために好ましい材料（例えばポリ塩化ビニル）と一般的に接合する。熱硬化性重合体はまた、使用し易い流動体状単量体−重合体混合物、又は部分重合成形化合物の状態で商業的に得ることができ、出願人の更に好ましい低温低圧成形作業に使用するためには特に適している。
【００３１】
出願人の上部層及び下部層を形成するために使用する幾つかの代表的な高分子材料（熱可塑性又は熱硬化性）は、ポリ塩化ビニル、ポリニ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、アクリロニトリルブタジエン、スチレン、酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリエチレン、エポキシ、及びシリコンを含むであろう。このような上部層及び下部層は、ポリカーボネート、酢酸セルロース、及び酢酸セルロースブチレート含有材料のような他の高分子材料からも形成することができる。しかしながら、出願人の上部層及び下部層を形成し得る全ての高分子材料のうち、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）は、材料の透明不透明視覚特性、多様な熱硬化性材料の接合能力、印刷適応能力、及び相対的低コストのために特に好ましい。
【００３２】
出願人の射出目的のために最も好ましい熱硬化性材料は、ポリウレタン、エポキシ及び不飽和ポリエステル高分子材料である。幾つかの特例として、イソシアネートの濃縮反応により形成したポリウレタン、及び酸化プロピレン又は酸化トリクロロブチレンから誘導したポリオールは特に好ましい。出願人の方法において使用可能な多様なポリエステルのうち、「不飽和エチル基」であることを更に特徴とすることができるものは、（不飽和エチレンも含有する）融和性単量体、及び出願人の上部層及び下部層を形成する材料（例えばポリ塩化ビニル）との二重結合を通して架橋する能力のために特に好ましい。本発明を実施するために使用するより好ましいエポキシ材料は、エピクロロヒドリン及びビスフェノールＡ、又はエピクロロヒドリン、及び（グリセロールのような）脂肪族ポリオールから形成したものとなろう。それらは、出願人の上部層及び下部層を形成する幾つかの好ましい材料（例えばＰＶＣ）と結合する能力のために特に好ましい。これらの３種の一般的な熱硬化性材料（ポリウレタン、エポキシ及び不飽和ポリエステル）は、出願人の好ましい接着剤（例えば、多様なシアノアクリレートをベースとした接着剤）と化学的に反応する傾向がなく、出願人のカード本体のコア領域に見栄えの悪い「人為的間違い結果」を形成しないために好ましい。
【００３３】
次に注意すべきことは、出願人が「低温、低圧成形条件」という表現を使用することは、射出する流動体状又は半流動体状の高分子材料の温度が、低温成形するプラスチックシート（例えば出願人のスマートカードの上部層）の熱歪み温度よりも低く、圧力は約３．４５ＭＰａ（５００ｐｓｉ）よりも低い成形条件を意味すると大まかに見なすべきであるということである。本文記載の方法の好ましい幾つかの実施の形態では、出願人の方法に使用する低温成形温度が、成形するプラスチックシート材料の熱歪み温度よりも低い少なくとも３８℃（１００゜Ｆ）となろう。特殊な例として、多くのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）材料の熱歪み温度は約１１０℃（２３０゜Ｆ）となっている。このことから、出願人の方法におけるポリ塩化ビニルシートを低温成形するために使用する温度は、僅か約１１０℃（２３０゜Ｆ）〜３８℃（１００゜Ｆ）で５４℃（１３０゜Ｆ）であることが好ましい。
【００３４】
出願人の好ましい低温低圧成形方法は、好ましくは約大気圧〜約３．４５ＭＰａ（５００ｐｓｉ）の圧力の下で温度が約１３℃（５６゜Ｆ）〜約７１℃（１６０゜Ｆ）の熱硬化性高分子材料を射出することを含むであろう。出願人のカードの中心即ちコア領域に射出する熱硬化性重合体の温度は、好ましくは約０．５５ＭＰａ（８０ｐｓｉ）〜０．８３ＭＰａ（１２０ｐｓｉ）の射出圧力の下で約１８℃（６５゜Ｆ）〜約２１℃（７０゜Ｆ）であることが更に好ましい。本発明の最も好ましい幾つかの実施の形態では、流動体状又は半流動体状の熱硬化性高分子材料を、好ましい温度と圧力の条件の下にある全ての所定の成形キャビティに約０．１〜約５０グラム／秒／カード形成キャビティの流量で射出するであろう。１．５〜１．７グラム／秒／カード形成キャビティの流量は更に好ましい。これらの比較的に低い温度、圧力、及び流量の条件は、出願人のスマートカードに利用する比較的デリケートなＩＴＡ材料が受ける熱及び／又は機械的な損害を防止する傾向にある。当業者であれば、出願人のより好ましい低温低圧条件が、従来の多くの高速度スマートカード積層又は射出成形製造作業に使用するはるかに高い温度（例えば９３℃（２００゜Ｆ）〜５３８℃（１０００゜Ｆ）及び圧力（例えば３．４５ＭＰａ（５００ｐｓｉ）〜１３７．９ＭＰａ（２０，０００ｐｓｉ）とむしろ鋭く対比するということを理解するであろう。
【００３５】
次に、出願人の比較的な低温低圧成形条件を使用するためには、所定のゲート（即ち、ランナと各カード形成キャビティを連結する通路）が、従来の高温高圧作業に使用しているゲートよりも大きいことを要求していることに注意すべきである。出願人のゲートは出願人の低温低圧成形条件で射出した熱硬化性材料を迅速に通過させることができるように、従来の技術のゲートよりも相対的に大きいことが好ましい。ゲート領域は出願人のＩＴＡフィルム又は層又はシート材料の分岐部品を備えるのに好ましい位置でもある。
【００３６】
ランナ（即ち、熱硬化性材料源から個々のゲートに供給する成形装置内の主熱硬化性材料供給路）は、通常では複数ゲート又はマニホルド配列になっているので、成形装置内のゲート／カード形成キャビティ（例えば４から８のキャビティ）の総数に、出願人の方法において使用する比較的低い温度（例えば１３℃（５６゜Ｆ）〜７１℃（１６０゜Ｆ））と、比較的低い圧力（例えば大気圧〜３．４５ＭＰａ（５００ｐｓｉ））の条件で同時に供給できるべきである。この点について、出願人の低い温度と圧力の条件に基づく高分子熱硬化性材料の流量も、同様に所定のカード形成キャビティをカード形成キャビティ毎に約１０秒以内（より好ましくは約３秒以内）に完全に充填できるべきであることに注意すべきである。カード形成キャビティを充填する時間が１秒内であることは、なお一層好ましい。これらの条件を考慮して、出願人のスマートカード製造方法の確かな好ましい実施の形態は、形成すべきカードの前縁部（即ち、ゲートに接続するカードの縁部）の長さの大部分である幅を有するゲートを使用する。出願人は所定のゲートの幅が前縁部（又は同じカード形成キャビティを充填するために使用可能な複数縁部−多重ゲート）、即ち形成するスマートカードの「ゲートでつながれた」縁部の幅の約２０パーセントから約２００パーセントまでであるべきと望んでいる。
【００３７】
本発明の幾つかの適用例では、比較的に広い流入領域から、形成するカード本体の前縁部又はその近傍で終端する比較的狭いコア領域へと先細になっているゲートを利用することを要求している。例えばこれらのゲートは、熱硬化性材料供給ランナと流体結合状態にある比較的広い径（例えば約５ｍｍ〜約１０ｍｍ）の射出口から、熱硬化性材料を最終的には出願人の完成カードの中心即ちコアとなる空所に供給する比較的薄い径（例えば０．１０ｍｍ）のゲート／カードの縁部へと狭くなっている。更なる例として、約７ｍｍの初期径から約０．１３ｍｍの最小径に先細となるゲートが、出願人の好ましい低温低圧射出条件の下で特に優れた結果を作り出すということを、出願人は見い出している。
【００３８】
出願人のＩＴＡを含むスマートカードの製造において利益をもたらすために、随時使用し得るその他の特徴は、出願人の上部層及び下部層の間の空所に目的を持って射出する「余剰」高分子材料を受容する１つ以上の受容部を備えた金型シェルを利用し、全ての空気及び／又はその他の気体（例えば、高分子熱硬化性材料を組成する成分を混合する際に熱化学反応により発生する気体）を前記空所から除去することである。これらの熱硬化性材料成分は、空所に射出する直前（例えば約３０秒前）に混合することが好ましい。
【００３９】
本文記載のスマートカードにＩＴＡベース回路を利用する効果を向上させるために随時利用し得る他の特徴は、（１）上部層及び下部層の内面と射出した熱硬化性材料との間の接合反応を促進及び／又は増大させる処理の利用、（２）カードの主要面で見ることできる文字数字／図形情報を表示する表面層の利用、（３）不透明度促進（又は防止）フィルム又は層の利用、（４）成形前作業（例えば、従来型の「高温」成形前作業、又は本特許開示に記載した「低温」成形前作業）によって少なくとも部分的に前成形する上部層又は下部層の利用、そして／又は（５）熱硬化性材料に不透明度促進顔料を利用することを含んでいる。ここで、出願人の製造方法から生ずるスマートカードの外面に浮彫又は印刷を施して、文字数字／図形等の情報を表示することは云うまでもない。
【００４０】
適切に方位付けし配置したＩＴＡ回路部品の利用は別として、これらの作業の何れか又は全ての結果完成したスマートカードは、特に高品質な外面を特徴としている。本特許開示の文脈における「高品質」という用語は、略平坦な面（即ち、波、曲がり、皺、又は小さい窪みを持たない面）を意味していると見なすべきである。
【００４１】
本特許開示の出願人のスマートカード製造方法の随時利用し得る更なる特徴は、少なくとも１つの気体排出方法及び／又は少なくとも１つの余剰高分子材料受容部を利用することにもある。より好ましくは、このような少なくとも１つの受容部はカード形成キャビティ毎に存在するであろう。このような気体排出及び／又は余剰材料受容部の存在は、気体（例えば空気、及び高分子材料成分の普通の熱化学反応に関連する気体反応物）及び／又は比較的少量の流入熱硬化性高分子材料自体を、出願人の低温低圧成形作業中に空所から脱出させ、前述の受容部に受容し、及び／又は成形装置から全体的に一気に流出させる。これらの気体排出方法と余剰材料受容部は、一般的に高分子材料の射出中に空所に溜まった気体が作る欠陥を発生させないようにする働きをする。
【００４２】
このように、出願人の発明の特に好ましい実施の形態は、流動体状又は半流動体状の流動可能な成形性高分子材料を、そうでなければＩＴＡ材料が占有しない出願人のスマートカードの上部層及び下部層の間の空所に次の方法で射出することを含んでいる。即ち、（ａ）ＩＴＡ材料を空所内の所定位置に締付固定し、（ｂ）本文記載の方法に使用する成形条件（低温成形条件が好ましい）の下で流動体状又は半流動体状の熱硬化性高分子材料を空所に完全に充填し、（ｃ）少量の高分子材料をカード形成キャビティから余剰材料受容部に追い出し、及び／又は（ｄ）空所内の気体を余剰材料受容部に追い出し、及び／又はその気体を成形装置から完全に追い出す（例えば、上型シェルと下型シェルが合わさる分岐線部のところで気体を成形装置から完全に追い出す）ような十分な圧力で、上型と下型を型分岐線周辺部又は舌部においてスマートカードの上部層及び下部層に対してそれぞれ押し当てる。このように、出願人の方法に使用する金型の舌部の圧力は、熱硬化性材料の射出によって上部と下部の間の空間を（例えば約大気圧〜１．４ＭＰａ（２００ｐｓｉ）の圧力で）完全に充填するが、少量の熱硬化性材料及び全ての気体を成形装置から分岐線のところで急流出又は噴出させるような圧力のみならず、ＩＴＡ材料（及び特に前記ＩＴＡ材料と結合するスプリッタデバイス）を所定位置に十分に保持すべきである。換言すれば、好ましい実施の形態における出願人の「余剰」材料受容部は、空所に射出した余剰材料の全部を受容する必要がなく、受容しない方が好ましい。余剰の熱硬化性材料及び／又は気体は、上型舌部及び下型舌部が相互に当接する分岐線のところで成形装置全体から排出でき、排出することが好ましい。要するに、流入する流動体状又は半流動体状の熱硬化性高分子材料は、空所に完全に充満し、スマートカードのコア領域に位置するＩＴＡ及び他の全ての電子部品を浸漬し、（高分子材料の開始成分の化学反応によって生じた全ての気体ばかりでなく）上部層及び下部層の間の空所に存在する全ての空気を空所から追い出す。幾つかの好ましい実施の形態では、空気（及び反応気体）を成形装置から完全に追い出す。この種の全ての作用は、熱硬化性材料が固化して出願人のカードのコア部を形成する際で気体が熱硬化性材料内に留まっていた場合に発生する、例えば表面の「小窪み」及び／又は包まれた泡のような表面欠陥を消滅させる。
【００４３】
最後に注意すべきことは、出願人の方法に使用する上部層及び／又は下部層は、本特許開示のスマートカードを製造するために使用する成形装置内に配置する前に、キャビティに入れる形状に少なくとも部分的に成形することである。このことから、本特許開示において称する「低温低圧」成形作業は、これらの層又はシート材料が受ける全成形のごく一部である。このように、例えば本特許開示の低温低圧成形方法は、出願人のカードの上部層が受ける全成形のうちの一部を提供するに過ぎない。しかしながら、本発明のより好ましい実施の形態では、上部層は大部分、例えば少なくとも５０パーセント、より好ましくは本特許開示の低温低圧成形作業によって（成形作業によって作られるキャビティの体積の変化によって形成されるように）全成形の全部を受けるであろう。
【００４４】
このように、上部層と、ＩＴＡ材料を埋設するコア層と、下部層とを有するスマートカードを製造する出願人の方法の特に好ましい実施の形態は、（１）上部層と下部層の間にスプリッタエッジを形成するシートのような本体を備えるＩＴＡ材料のフィルム、シート、層などを、成形装置内のカード形成キャビティに供給するランナがＩＴＡ材料と結合しているスプリッタエッジに通ずる位置に配置すること、（２）ＩＴＡ材料と下部層を下型に配置すること、（３）上部層を上型に配置すること、（４）ＩＴＡ材料に結合したスプリッタエッジを把持し、かつ上部層と下部層の間に空所を形成する方法で上型を下型に対して閉じること、（５）（ａ）スプリッタデバイスの前縁の上及び下の熱硬化性高分子材料の流れによってＩＴＡ材料のフィルム、シート、層等を少なくとも部分的に方位付け配置し、（ｂ）スマートカードの少なくとも１つの層を成形装置内のキャビティに少なくとも部分的に低温低圧整形し、（ｃ）気体と余剰高分子材料を空所から除去し、（ｄ）ＩＴＡ材料のフィルム、シート、層等を熱硬化性高分子材料に略水平な方位で埋設し、そして（ｅ）熱硬化性高分子材料が上部層及び下部層の双方と接合して一体の前駆体スマートカード本体を形成する、そのような温度と圧力の条件で熱硬化性高分子材料を空所に射出すること、（６）一体の前駆体スマートカード本体を成形装置から取り除くこと、そして（７）前駆体スマートカードを所望の寸法に整えてスマートカードを形成することとを包含するであろう。本特許開示に説明する他の随時利用し得る方法は、この好ましい方法を更に拡大かつ改良してなお一層高い品質の特性を有するスマートカードを製造するために利用できる。
【００４５】
発明の詳細な説明
図１は４枚のスマートカードを同時に製造するための従来の成形装置１０の平面図を示している。流動体状又は半流動体状の熱硬化性高分子材料１２の流れを、金型２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの各キャビティ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄのゲート１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄにマニホルド状に通じる中心ランナ通路１４に射出している状態を示している。ＩＴＡ材料の長細片又はフィルム２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄは各金型内に示している。これらのＩＴＡ長細片はスマートカードに電気回路要素を供給する。想像線２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄは、流入する流動体状熱硬化性高分子材料１２の本体の前縁を示している。成形装置１０の縁部は全体的に線２６で示している。
【００４６】
図２は図１に示した概略成形装置１０の１つのキャビティ１８Ｄの切欠側面図である。このような装置において、中心ランナ通路１４は熱硬化性材料１２をカードの上部層３０及び下部層３２の間の空所２８に配分する。図２に見られるように、成形装置１０は上型半体シェル３４及び下型半体シェル３６を有している。上型半体シェル３４は最終的に完成スマートカードの上部層を形成するであろう高分子材料の上部層３０との上部層−型枠−接触の状態で示している。同様に、下型半体シェル３６はスマートカードの下部層を形成するであろう高分子材料の下部層３２と接触している。上型半体シェル３４は下型半体シェル３６のもう一方の舌部又は顎部領域４０と共働して、熱硬化性材料１２を空所２８内に射出するための開口部を上部層３０及び下部層３２の間に形成する作用をする舌部又は顎部領域３８を備えている。対向する顎部領域３８、４０の延長側部はＩＴＡ材料２２Ｄのシート、層又はフィルムの前即ち左端４４をも締め付けている。ＩＴＡ材料のシート、層又はフィルム２２Ｄは、完成スマートカードのコア領域を形成するであろうキャビティ又は空所２８内に延在している。つまり、ＩＴＡ材料２２Ｄの長細片又はフィルムはコア領域又は空所２８に含まれるであろう。ＩＴＡ材料２２Ｄのシート、層又はフィルムの右端４６は「沈降」し、下部層３２の上面５０の矢印４８で概略示す点で静止している。
【００４７】
図２は流入する流動体状高分子材料１２の流れを分岐するための後に詳細に説明する出願人のスプリッタエッジ材料を使用しない場合において、完成カードのコア領域に射出した熱硬化性高分子材料１２の本体が乾燥したときのＩＴＡフィルム２２Ｄの極めて予測し得る最終位置をも示している。また、この流れの分岐は、流入する熱硬化性高分子材料１２の流れがＩＴＡフィルムの前縁４４に達したときに発生する。換言すれば、出願人の流れを分岐するスプリッタエッジデバイス５２を使用しない場合には、図２で示したようなＩＴＡフィルム２２Ｄはスマートカードのコア領域を形成するために熱硬化性高分子材料１２を射出する前の状態と同じ「沈降」した位置に留まる傾向にある。
【００４８】
ＩＴＡ材料２２Ｄのこの「沈降」位置又は状態は、少なくとも２つの理由から望ましくない。第１に、ＩＴＡ材料２２Ｄはスマートカードの下部層３６の上面５０に直接接触（例えば点４８において）する。このことは、ＩＴＡフィルム２２Ｄをスマートカードの外面の撓み又は捩れ力によって損傷しやすくする。第２に、ＩＴＡ材料２２Ｄが含んでいる回路がカード読取装置のピックアップヘッド（図示せず）と略平行であるとき、ＩＴＡフィルム２２Ｄはスマートカード読取装置（例えばＡＴＭ）とより良好な電磁波信号通信を行う。この平行配列は、ＩＴＡフィルム２２Ｄが図２に示す「沈降」した方位よりもむしろ図５に示す略水平な方位にあるときに最も容易に得られる。従って、本発明の実施における「成功」は、ＩＴＡ材料２２Ｄがカードの下部層３４と接触しない状態にあることであろう。ＩＴＡ材料２２Ｄが完成スマートカードのコア領域において略平坦な状態、かつ略水平な方位にあれば更なる成功度が得られる。
【００４９】
図３は従来のスマートカード成形機の構造の切欠断面図である。コア又は空所領域２８をポリ塩化ビニルのような高分子材料の上部層３０と比較可能な材料（例えばポリ塩化ビニル）の下部層３２との間に形成している。熱硬化性材料１２の流れを空所２８に射出し、ＩＴＡ材料２２Ｄのフィルムに「望ましくない」波のような形状を発生させている。
【００５０】
図４は本発明開示の教示に従って同時に４枚のスマートカードを製造するための成形装置１０の平面図を示している。この成形装置は、各金型キャビティ内に存在するＩＴＡ材料の長細片２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄがスプリッタエッジデバイス５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄにそれぞれ取り付けられているという点において図１で示したものと異なっている。このようなスプリッタエッジデバイスは、カードキャビティ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄの入口に各スプリッタエッジ部品５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄを配置するシート全体の一部として形成することが好ましい。従って、これらのスプリッタエッジデバイス５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄは、金型キャビティの各ゲート１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄにおいて流入する熱硬化性材料１２の流れに直面する。
【００５１】
図５はスマートカード装置の切欠断面図であり、スマートカードのＩＴＡフィルム２２Ｄを、流入する熱硬化性高分子材料１２の流れによって適切に（即ち水平に）配置している。ＩＴＡ材料２２Ｄのフィルム状の本体の左即ち前縁４４は本特許開示において「スプリッタエッジデバイス５２」とも呼ばれるスプリッタエッジ材料５２の層を備えている。スプリッタエッジデバイス５２は、ＩＴＡ材料２２Ｄの約１倍から約１０倍の厚さであることが好ましいであろう。スプリッタエッジデバイス５２はまた、ＩＴＡフィルムを形成している材料よりも高い剛性を持つ材料で形成することが好ましいであろう。スプリッタエッジ材料５２の厚さ（及び／又は剛性）の追加は、流入する熱硬化性高分子材料１２の流れを２本の流れ１２Ａ及び１２Ｂに分離するであろう。図５に示したように、流れ１２ＡはＩＴＡ材料２２Ｄの上を流れ、流れ１２Ｂは前記ＩＴＡ材料２２Ｄの下を流れる。この流れ分岐作用はＩＴＡ材料２２Ｄにスマートカードのコア領域における略水平な方位を呈させる。この環境は、図２で示したＩＴＡ材料の「沈降」状態及び方位と、図３で示した「波のような」形状と対比されるべきであろう。
【００５２】
図６は従来のＩＴＡ材料５４の切欠断面図を示している。ＩＴＡ材料は導電材料を内部に埋設又は溶解した高分子フィルム５６から構成している。従って、電気回路要素又は部品５８、５８Ａ、５８Ｂ等（例えば、コンピュータチップ、アンテナ、コンデンサ等）は高分子材料５４の一部を形成している。例えば、このような回路部品は回路製造業者には周知の方法で高分子材料５４内にエッチングすることが可能である。これらの高分子材料５４は、フィルムのような厚さ６０（例えば約０．０１３ｍｍ〜約０．２５ｍｍ）を持つシートに製造することが可能である。
【００５３】
図７〜図１３は本発明の実施において使用可能な多様なＩＴＡ材料の形状を示している。本特許開示のために、このような形状は「ＩＴＡベース回路」、「ＩＴＡ回路材料」、「ＩＴＡ材料」、「ＩＴＡベース回路」、「ＩＴＡフィルム」、「ＩＴＡシステム」等と呼ばれる。例えば、図７はスプリッタエッジ材料５２にＩＴＡ材料５４を（例えば、接着、熱接着、２材料の一体成形等の当業者に周知の多様な方法によって）付着している。スプリッタエッジ材料５２は一般的に高分子材料、カードボード等のシート又は層であろう。スプリッタエッジ材料５２は約０．０２５ｍｍから約１．２７ｍｍの厚さを有することが好ましいであろう。スプリッタエッジ材料５２はＩＴＡフィルム厚さよりも厚い厚さを有することが好ましいであろう。
【００５４】
図７Ａは図７で示したようなＩＴＡ／スプリッタエッジのアセンブリの拡大断面図を示している。流入する高分子材料１２の流路におけるスプリッタエッジ材料５２の存在によって、熱硬化性高分子材料１２の流れ１２が異なる流れ１２Ａ、１２Ｂに分岐されている。スプリッタエッジ材料の厚さは、ＩＴＡ材料の厚さ６０の約１倍から約１０倍であることが好ましい。
【００５５】
図８はポリエチレン等の高分子材料６２のベース又は基体にＩＴＡ材料の２枚の異なるシート５４、５４’を付着した従来の配列を示している。約０．００２ミリメートルの厚さを有するポリエチレンのシートは、この目的のために効果的に使用可能である。
【００５６】
図９は図８で示した装置のようなＩＴＡシステムの切欠側面図であり、ＩＴＡ回路は２つの異なるＩＴＡ回路５４、５４’を支持するポリエチレン等の高分子材料６２の層を有している。しかしながら、図９の装置は更に高分子層６２の左側に付着したスプリッタエッジデバイス５２を備えている。
【００５７】
図１０はＩＴＡ回路デバイスを示し、高分子材料６２の層の左側をスプリッタエッジ材料５２の内部に取り付けている。高分子材料６２の層は２つのＩＴＡフィルム材料５４、５４’を分離している。
【００５８】
図１１は、ポリエチレン等の高分子材料６２の上側に付着したＩＴＡ材料５４と、高分子材料６２の下側に付着したＩＴＡ材料５４’とから成る従来のＩＴＡシステムを示している。ＩＴＡ部品５８、５８’は高分子材料６２の層を通る電気接続要素６４を介して相互に電気的に接続している。
【００５９】
図１２は図１１で示したＩＴＡベース回路がスプリッタエッジ材料６２を備えた状態を示し、材料６２はＩＴＡ材料５４の上部層に取り付けている。
【００６０】
図１３は図１１に示したＩＴＡベース回路の実施の形態がスプリッタエッジ５２を備えた状態を示し、エッジ５２はＩＴＡフィルム５４よりもむしろ高分子層６２に取り付けている。
【００６１】
図１４は本発明開示の教示に従って製造したスマートカード６６の切欠側面図を示している。完成した形状において、このようなスマートカードは上部層６８、下部層７０、及び中心即ちコア層７２とから成り、コア層７２内にはＩＴＡベース回路材料７４のフィルム又は層がコア層７２の中心の近傍に略水平な方位で存在している。ＩＴＡ材料７４内の電子回路部品は、例としてアンテナ７６、コンピュータチップ７８等が可能である。何れの場合でも、これらのＩＴＡベース回路部品は、硬化して完成スマートカードの固体状の中心即ちコア層７２を構成する熱硬化性高分子材料１２（例えば初めは流動体状又は半流動体状の熱硬化性樹脂）に埋設している。最後にスマートカードの中心即ちコア層８０となる熱硬化性高分子材料１２は、上部層６８及び下部層７０の間の空所８２に射出する。この射出す高分子材料１２は、比較的に低温低圧成形条件の下で射出することが好ましい。
【００６２】
このような熱硬化性高分子材料１２は、上部層６８の内面８４と下部層７０の内面８６との間に形成してある空所８２に射出され、そこに充満する。硬化することによって、中心即ちコア層８０の高分子材料１２は、上部層６８の内面８４と下部層７０の内面８６との双方に結合又はそうでなければ接着して、一体化したカードを製造するべきである。このような接粘力は、上部層及び下部層の内面８４、８６を幾つかの方法のうちの何れか１つの方法で処置することにより促進することができる。例えば、この技術に周知となっている接着剤は、コア層を形成する熱硬化性材料と上部層及び下部層を形成する材料（例えばポリ塩化ビニル）との間の接着力を高めるために使用し得る。例として、ミネソタマイニングアンドマニュファクチュアリングの下塗り剤製品４４７５（登録商標）は、特に上部層及び下部層の材料がポリ塩化ビニルであるときに、この接着力を高める目的のために使用できる。上部層及び／又は下部層の内面に適合し得る他の処理は、プラズマコロナ処理及び酸エッチングを含むことができる。スマートカードの厚さ８８は、熱硬化性材料１２を空所８２に射出するときに金型面（図１４には図示せず）の配置によって形成する。実際には、上部層及び下部層の間の空所に射出した熱硬化性材料１２は、スプリッタデバイス５２又はＩＴＡベース回路材料５４の層が占有していない空所８２の全部分を充填する。
【００６３】
図１４はまた、上部層及び／又は下部層６８及び／又は７０の内面に文字数字及び／又は図形情報と意匠を有するフィルムの長細片９０を設ける方法も図示している。従って、上部層６８をポリ塩化ビニルのような透明高分子材料から形成する場合には、長細片９０上の文字数字／図形情報はカード利用者に見えるであろう。例えば図１４では、この種の文字数字／図形情報を有するフィルム長細片９０を上部層６８の内面８４に配置している。これらの層の内面には、電子部品がカード本体を通して見えないようにするため、カード本体の不透明度を増加（又は減少）させる機能を有するフィルム層又は被膜のような材料層も設けることができる。
【００６４】
次に、スマートカードのＩＴＡベース回路材料５４は、下部層７０の内面８６と上部層６８の内面８４の間の略真中で略水平な方位に配置するのが好ましいということに注意すべきである。このＩＴＡベース回路５４の方位及び配置は、ゲートから流入し最後にはスマートカードの固体状のコア領域８０を形成する流動体状の熱硬化性高分子材料１２の流れ線にスプリッタエッジデバイス５２を配置したという点で、少なくとも部分的に実現する。つまり、スプリッタエッジデバイス５２は、流入する流動体状又は半流動体状高分子材料１２をＩＴＡフィルム５４の上のみならず下にも流れさせ、これにより前記フィルム５４を上、下及び側面から浸漬させるであろう。本発明のより好ましい実施の形態では、ＩＴＡ材料５４のフィルム又は層の下面は下部層７０の内面８６に物理的に直接接触せず、むしろ流入する熱硬化性材料１２に全体的に浸漬する。この環境は、スマートカードが主要面の片方又は双方、又は４つの外縁面の何れかに受けるかもしれない全ての撓み及び／又は捻り力に対して、ＩＴＡ材料５４が良好に耐えるようにする。本発明のより好ましい幾つかの実施の形態では、ＩＴＡ材料５４を下部層７０の内面８６上の約０．０７５ｍｍから約０．１３ｍｍの間隔のところに配置するであろう。
【００６５】
図１５及び図１６は、ＩＴＡ材料５４上のスプリッタデバイス５２を使用してスマートカードを製造するための出願人の方法の第１の好ましい実施の形態を示している。図１５は本発明の特に好ましい実施の形態を示しており、本発明開示の幾つかの好ましい実施の形態の教示に従って成形（低温低圧成形が好ましい）する前のポリ塩化ビニルなどのプラスチック材料６８の平坦な上部層又はシートを示している。換言すれば、図１５は高分子材料１２を射出する直前の成形機の構造を示している。この構造では、平坦な上部層６８（例えばポリ塩化ビニルの平坦なシート）を最初に上型半体シェル９４のカード形成キャビティ９８の下に配置している。下部層７０（例えばもう１枚のポリ塩化ビニルの平坦なシート）は、下型半体シェル９６の上に配置して示している。しかしながら、出願人の方法における好ましくはないが、それでも実行可能な幾つかの実施の形態では、上部層６８は上型半体シェル９４内のカード形成キャビティ９８の概略外形に前成形するか又は少なくとも部分的に前成形することが好ましい。これに対し、下型半体シェル９６は上型半体シェル９４のキャビティ９８と対比し得るキャビティを有していない。図１５では、ＩＴＡ材料５４が下部層７０の上面８６に静止している「沈降」段階になっている。
【００６６】
図１６は熱硬化性高分子材料１２を上部層６８及び下部層７０の間の空所８２に射出した結果を示している。上部層６８を上型半体シェル９４のカード形成キャビティ９８内（図１５を参照）に形成ている。流動体状又は半流動体状の熱可塑性又は熱硬化性高分子材料１２を射出するためのノズル１００は、図１５に示した上部層６８の内面８４と下部層７０の内面８６との間に形成してある空所８２に通ずるオリフィス１０２に挿入している。空所８２は平行させた上部層６８と下部層７０の左端１０４から右端１０６まで延在している。図１５では、上部層６８の外面１０８が未だ上型半体シェル９４のカード形成キャビティ９８の内面１１０に接触していない。これに対し、下部層７０の外面１１２は下型半体シェル９６の内面１１４と略平坦に当接している。
【００６７】
図１６ではＩＴＡベース回路５４を下部層７０の内面８６上に配置している。ＩＴＡ回路材料５４は下部層７０の内面８６上に約０．０７５ｍｍ〜約０．１３ｍｍの間隔で配置するのが好ましいであろう。換言すれば、流入する熱硬化性高分子材料１２は、図１６に示した間隔１２４が約０．０７５〜約０．１３ｍｍの好ましいレベルにＩＴＡ材料５４を上昇させる程度にまで、ＩＴＡベース回路５４の下の領域１１６に浸入しているであろう。また、このようなＩＴＡベース回路５４の配置は、電子部品の下における熱硬化性高分子材料５４の存在がカードの外面（即ち、下部層の外側及び／又は上面の外側）に受けるかもしれない全ての力又は衝撃からＩＴＡ回路５４を高く保護する傾向があるので好ましい。
【００６８】
図１６は本発明開示の低温低圧成形方法などの成形方法が上部層６８の上面１０８を、図１５に示す上型半体シェル９４のカード形成キャビティ９８の外形に実際にどのように適合させるかを示している。また図１６は、下部層７０の外面１１２が下型半体シェル９６の略平坦な内面１１４に押し付けて成形することを示している。このことは、本特許開示のスマートカードを製造するための特に好ましい配列方法となっている。
【００６９】
図１５及び図１６では、上型半体シェル９４の前方舌部又は顎部領域１１８と下型半体シェル９６の前方舌部又は顎部領域１２０を、相互に間隔１２２だけ離して配置して示している。（上部層及び下部層６８、７０の厚さを考慮した場合に）実際には、間隔１２２は２つの金型９４、９６の舌部又は顎部領域１１８、１２０における上部層６８と下部層７０の間の空所の幅を形成している。この間隔１２２は、熱硬化性高分子材料１２を空所８２にカードの全長（例えばその左端１０４から右端１０６まで）に渡って射出し得るようにすべきである。図１５及び図１６に示す装置の右側にある成形装置の対の一方の間隔１２２’は、左側にある成形装置の対の他方の間隔１２２とは異なるかもしれない。何れの場合にも、上型９４の後方舌部１２２’を通り抜けている上部層６８の内面１１０と、下型９６の後方舌部１２０’を通り抜けている下部層７０の内面８６との間に形成してある間隔８２’が極めて狭く、しかも有限であるように間隔１２２’がなっているべきである。即ち、この極めて狭い間隔８２’は、上部層及び下部層６８、７０の間に最初から存在していた空所８２の気体１２６（例えば空気、高分子成分反応気体等）と余剰の高分子材料とを空所８２の後部（即ち右側）から排出させるよう十分に広くなっているが、熱硬化性高分子材料１２を射出するために使用する射出圧力を十分保持するように狭くなっていることが好ましい。実際、間隔８２’は流動体状の高分子材料１２の薄層そのものさえも空所から「噴出」させ、又は「急流出」させるほど十分に広い大きさとし、これにより空所８２に存在していた又はそこで発生した全ての気体を前記空所の後部即ち右側（即ち、空所の幅を間隔矢印８２’で示したところの近傍）から、むしろ成形装置自体から排出することが好ましい。このようにして、全ての気体１２６は流入する流動体状の熱硬化性材料１２’と完全に入れ換わる。この気体排出技術は、結局は（即ち、熱硬化性材料１２の硬化で）中心即ちコア層７２を構成する熱硬化性材料１２’の本体に気泡が発生することを防止する働きをする。
【００７０】
図１７及び図１８は、図１５及び図１６に概略示した成形方法の更に好ましい実施の形態を示している。図１５及び図１６では、上部層及び下部層６８、７０の後部即ち右側１０６がそれらの金型９４、９６からそれぞれ突出している。その結果、気体１２６（空気及び化学反応生成気体）と「余剰」高分子材料（即ち、空所８２を充満させるために必要な量よりも過剰な高分子材料１２）は、金型９４、９６から除去又は排出される。この金型及び排出装置は、幾つかの熱硬化性射出材料（及び幾つかの上部層及び下部層材料）と一緒の方がその他のものと一緒の場合よりも良好に働く。しかしながら或る場合において、図１５及び図１６に示す成形装置全体が、後に続くスマートカードの製造を様々に妨げるような固化した余剰高分子材料１２’の余剰体を後に残すことが多い、ということを出願人は見い出している。要するに、この配置は成形装置全体を、カードを製造する際に使用する高速成形作業の連続サイクルによる高品質スマートカードの製造に導かない「汚れた」状態に残すことが多い。
【００７１】
図１７及び図１８に示す出願人の発明の実施の形態は、この問題を正すために利用できる。この実施の形態は、余剰材料受容キャビティ１２８を有する上型９４を利用してこの問題を正している。この余剰材料受容キャビティ１２８は、高分子材料１２を空所８２に射出することによって前記空所から排出した余剰熱硬化性材料及び気体１２６（空気、化学反応生成気体）を受容保持するように作用する。その上に、本発明の幾つかの更に好ましい実施の形態では、余剰高分子材料１２を空所８２に目的を持って射出し、カードの中心層８０にそうでなければ捕捉され混入されるであろう全ての気体１２６’を除去するであろう。出願人の余剰材料射出方法は、図１８において全体的に示した方法で余剰高分子材料５４’の中の気体の幾分かを捕捉し、又はこれらの気体の幾分又は全てを成形装置から矢印方向１３２で示す分岐線１３０のところで排出することができる。また、余剰材料受容器１２８内の「余剰」熱硬化性材料は、最後に「前駆体」カードから切り落として「完成」カードを形成する。注意すべきことは、出願人の方法の好ましい実施の形態では、上部層６８をカード形成キャビティ９８に成形することと同様な一般的な方法で、上部層６８を余剰材料受容器１２８の上部領域１３４に成形することである。図１８はまた、上部層及び／又は下部層の内面が、例えば文字数字／図形情報を有する、又は例えばカードに高い不透明さ向上性を与えることができる等の、確かな品質をカードに提供する種々の多様なフィルムを備え得ることを示している。
【００７２】
図１９及び図２０は、本発明の好ましい他の実施の形態を示しており、上部層６８及び下部層７０は単に余剰材料受容部１２８の前縁まで延在している。従って、上部層６８は図１８に示した場合のように余剰材料受容部１２８に形成しない。図２０に示した実施の形態では、捕捉した気体１２６と余剰高分子材料５４’を、図１６に示した方法のように成形装置キャビティから完全に射出するわけではなく、むしろ成形装置キャビティ全体内に存在する余剰材料受容部１２８に「捕捉」する。図１９及び図２０において、上部層６８の上部１０８が図１８に示した装置のように受容部１２８に延在しないことに注意すべきである。余剰高分子材料５４’内に捕捉しない気体１２６は、成形装置から分岐線１３０のところで排出するかもしれないし、排出することが好ましい。
【００７３】
図２１は幾分好ましくないが、それでも実行可能な本発明の実施の形態を示しており、上型９４がキャビティ９８を有するように、下型９６がキャビティ１３８を有している。
【００７４】
図２２は図１８に示した型のほぼ完成した又は前駆体であるスマートカードを成形装置から取り外しているところを示している。断面線１４０−１４０と断面線１４２−１４２は、前駆体スマートカードの左端及び右端を分岐かつ切り削って、明瞭な縁部と精密な寸法を持った完成スマートカードを形成する方法をそれぞれ示している。再び例えれば、ＩＳＯ規格７８１０はこの種のカードが１４４〜８５ｍｍの長さを有することを要求している。
【００７５】
図２３Ａ〜図２３Ｅは、所定のスマートカードを形成するために熱硬化性高分子材料１２を射出し得る多様なゲートを対比している。例えば、図２３Ａは一般にファン型ゲートと呼ばれている従来のゲート形状Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔを示している。「ファン」という用語はファン状の一般的なゲート形状を云い、そのゲートにはマニホルド状の多様なゲートに通じるランナ１４６から熱硬化性高分子材料１２が射出される。図２３Ａに示したファン状ゲートの形状は、従来の高温高圧成形方法においてよく使用されている。ファンＱ、Ｒ、Ｓ、Ｔの最も狭い部分Ｑ、Ｒは、流入する流動体状の熱硬化性高分子材料１２を受け入れる射出ポート１４８を備えている。図２３ＡＡにより良好に示すように、従来の成形装置の射出ポート１４８は、ファンの幅１５２（即ち、図２３Ａの点Ｓから点Ｔまでの距離）と比較して相対的に小さい径１５０を有しており、その領域ではゲートが、形成すべきスマートカードの概略外形線Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖを形成するキャビティに通じている。
【００７６】
図２３Ｄ〜図２３Ｅは出願人の更に好ましいゲートの形状の幾つかを対比して示している。ここで注意すべきことは、前述したが図２３Ｂ〜Ｅに示し得ないゲートを先細にすることが好ましいということである。何れの場合にも、出願人のゲートの径は従来のスマートカード成形方法で使用しているゲートよりも著しく大きくなっている。例えば、従来装置の射出ポート１４８の径１５０は大略７．０ｍｍのオーダとなっている反面で、（形成すべきクレジットカードの公称幅でもある）点Ｓから点Ｔに延びる線に沿ったファンの幅は、（ＩＳＯ規格７８１０通りに）約５４ｍｍとなっている。このことから、図２３ＡＡに示した断面図に見られるように、主高分子材料供給ランナ１４６から射出ポート１４８に通ずる図２３Ａの従来の射出ポート１４８の径は、形成すべきカードの端縁の幅１５２の約１／１０となっている。このような相対的寸法（ゲートが形成するカードの端縁の幅の約１／１０である射出ポート）は、高温高圧成形条件を熱可塑性材料に適用している従来の大抵の製造方法では十分となっている。例えば、幾つかの従来の方法は、高分子材料を９３℃（２００゜Ｆ）〜５３８℃（１０００゜Ｆ）の温度と、３．４５ＭＰａ（５００ｐｓｉ）〜１３７．９ＭＰａ（２０，０００ｐｓｉ）の圧力とで射出している。このような高温及び高圧条件は、出願人の方法で採用することが好ましい低温及び低圧条件とは著しく異なっている。
【００７７】
図２３Ａに示したような従来のランナゲートと対比すれば、出願人の射出ポート装置の幾つかは図２３Ｂ〜図２３Ｅに示される。出願人の射出ポート装置の幾つかは比較的に広いゲートを特徴としている。例えば、出願人の好ましい方法に採用するのが好ましい低温低圧条件（例えば１３℃（５６゜Ｆ）〜３８℃（１００゜Ｆ）及び大気圧〜１．４ＭＰａ（２００ｐｓｉ））の条件下で、ゲート用の射出ポート１４８’の幅即ち径１５０’が従来の製造方法で採用しているものよりも著しく広いときに、より高い品質の前駆体カード（従って完成カード）が形成されることを、出願人は見い出している。この目的のため、図２３Ｂ〜図２３Ｅは出願人の「広い射出ポート」概念の４つの変形例を示している。例えば図２３Ｂでは、射出ポート即ちゲート１４８’の径１５０’は、形成すべき前駆体カードの幅１５２’の約５０パーセントとなっている。図２３Ｃでは、射出ポート即ちゲート１４８’の幅１５０’が、前駆体カードの幅（点Ｓ’から点Ｔ’までの距離）の約８０パーセントとなっている。図２３Ｄでは、射出ポート即ちゲート１４８’の幅１５２’と、前駆体クレジットカード（Ｓ’、Ｔ’、Ｕ’、Ｖ’）の幅（点Ｓ’から点Ｔ’までの距離）とは略同一となっている。図２３（Ｅ）はカード成形装置を示しており、そこではゲートの幅１５０’が前駆体スマートカードＳ’、Ｔ’、Ｕ’、Ｖ’の（点Ｓ’から点Ｔ’までの距離によって示す）端縁の幅１５２’よりも大きく（例えば約２５％大きく）なっている。概して、出願人のゲートの幅１５０’が、このゲートが提供する前駆体カードの端縁の幅（点Ｓ’から点Ｔ’までの距離）の約２５％〜約２００％となっているときに、最良の結果が得られることを出願人は発見している。このことは、射出ポート（重ねて言及するが、図２３Ａの点Ｑから点Ｒまでの距離）が、通常そのゲートが提供するカードの端縁の幅（点Ｓから点Ｔまでの距離）の約１０パーセントよりも少なくなっている従来の大抵の（高温／高圧）装置と鋭く対比している。
【００７８】
図２４は本特許開示の好ましい幾つかの実施の形態に従って実施する成形方法を示し、１つの装置で４枚のクレジットカードを同時に成形している。その装置では、例えば（射出ノズル１００に）最も接近している２つのキャビティに、各ゲート１５２’及び１５２”を経由して流入する熱硬化性高分子材料１２が供給される。これらのゲートは、前駆体カードの幅１０６（点１５８’から点１６０’までの距離）の約１／２である幅（例えば点１５４’から点１５６’までの距離）を有し、一方、より離れている（即ち射出ノズル１００からより離れている）２つのカード形成キャビティは、前駆体カード自体の幅（１５８’から１６０’）と約同じ幅となっている射出ポートとゲートを有している。図２４に示す点線１０６は、端縁を所定の大きさに削り（余剰材料受容部１２８内の余剰熱硬化性材料を削除し）、完成スマートカード（例えばＩＳＯ規格７８１０通りの８５ｍｍの長さと５４ｍｍの幅を有するもの）を形成した後の完成スマートカードの外形を示している。更にまた、これらのカードはそれらの主要外面に文字数字／図形情報を貼付することにより、例えば当業者にとって周知となっている多種多様な印刷物及び／又はフィルムの貼付手続によって「完成」する。
【００７９】
本発明は、多くの特定例とスマートカードの熱硬化性重合体のコア領域の中心近傍に、ＩＴＡベース回路を配置する概念に委ねられる精神について説明してきたが、本文記載の発明は特許請求の範囲によってのみ範囲が制約される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ＩＴＡ材料を使用する従来のスマートカードを製造するための成形装置の切欠平面図である。
【図２】 ＩＴＡ材料のフィルムが存在する従来の成形装置の切欠側面図である。
【図３】 ＩＴＡ材料のフィルムに波のような形状を生じさせる方法で熱硬化性高分子材料を射出している成形装置の切欠側面図である。
【図４】 出願人のスマートカードを製造するための成形装置の切欠平面図であり、各カード形成キャビティに存在するＩＴＡ材料のフィルム又は層が、熱硬化性材料を受容するためのそれぞれの金型のゲートにスプリッタエッジ材料を更に備えている。
【図５】 成形装置の切欠側面図であり、熱硬化性高分子材料を本特許開示が教示する方法でゲート内に射出し、ＩＴＡ材料のフィルム又は層に結合しているスプリッタエッジを通過させている。
【図６】 出願人の発明の実施に使用し得る電気回路を包含するＩＴＡ材料の層、フィルム又はシートの切欠側面図である。
【図７】 本特許開示の概略教示に従ってスプリッタエッジ材料を備えたＩＴＡ材料の層、フィルム又はシートの切欠側面図である。図７Ａは図７のＩＴＡ材料とスプリッタエッジ材料の断面図を示している。図７Ａは本発明の実施の形態を示し、上型及び下型の「顎部」部分がスプリッタエッジ材料の上面及び下面を把持している。
【図８】 従来の装置の切欠側面図であり、２枚のＩＴＡ材料のシートがポリエチレンなどの高分子材料の層と、ＩＴＡ材料の双方のシートを高分子材料の同じ面に付着する形で結合している。
【図９】 図８に示した形で高分子材料の層に付着した２枚のＩＴＡ材料のシートの切欠側面図であるが、スプリッタエッジ材料の層が本発明の概略概念に従って付着している。
【図１０】 高分子材料のシートによって相互に分離した２枚のＩＴＡベース材料のシートから成るスマートカード回路デバイスの切欠側面図である。本発明開示の教示に従って、高分子材料の前縁部はスプリッタデバイスを備えている。
【図１１】 ２枚の分離したＩＴＡ材料のシートから成る従来のスマートカードの回路デバイスの切欠側面図であり、２枚のＩＴＡ材料のシートは２枚のＩＴＡ材料のシートを分離する高分子材料の中心層内の開口部を通して電気的に相互結合している
【図１２】 本発明の他の実施の形態を示し、スプリッタ材料層が高分子材料よりも寧ろＩＴＡ材料の１つに結合している。
【図１３】 本発明の実施の形態の切欠側面図であり、スマートカード回路デバイスが２枚のＩＴＡ材料から成り、ＩＴＡ材料がスプリッタエッジ材料を付着した高分子材料の中心層に結合している。
【図１４】 中心即ちコア領域にＩＴＡ材料を埋設し、このＩＴＡ材料にスプリッタデバイスを供給することにより成形した非接触型スマートカードの切欠側面図である。
【図１５】 本発明の第１の好ましい実施の形態を製造するための成形機の構造の切欠側面図であり、流動体状の高分子材料をカードの上部層及び下部層の間のコア領域に射出する前の確かなスマートカード部品を示している。
【図１６】 上部層及び下部層の間の空所に高分子材料を射出し、前記空所を高分子材料で充填し、スマートカードの上部層を上型のカード形成キャビティの外形に形成（低温成形作業が好ましい）し、ＩＴＡ材料をカードのコア領域の中心において略水平な方位に配置した後の図１５で示した装置を示している。
【図１７】 本発明の他の好ましい実施の形態を示し、図１５で示した成形機が余剰高分子材料及び／又は気体受容部を更に備えている。
【図１８】 図１７に示した成形機に熱硬化性高分子材料（低温低圧成形条件が好ましい）を射出した結果を示している。
【図１９】 本発明の他の好ましい実施の形態を示し、出願人のカードの上面及び下面をそれぞれ形成する成形機の構造内に示したシート又は層の構成部品が、余剰材料受容部の縁部で終端している。
【図２０】 空所（及び余剰材料受容部）を熱硬化性高分子材料で充填した後の図１９で示した装置を示している。
【図２１】 本発明の第２の実施の形態を製造する成形機の構造の切欠側面図であり、上層部及び下層部の双方を各金型キャビティ内でそれぞれ成形している。
【図２２】 図１８に概略示した装置により形成した前駆体スマートカード本体から成形機を除去する状態を示す切欠図である。
【図２３】 図２３Ａから図２３Ｅまでは、出願人の熱硬化性材料を射出するための比較可能とする多様なゲートの切欠平面図及び断面図を示している。
【図２４】 図２４は本発明開示の教示に従って複数（即ち４枚）のスマートカードを同時に製造し得る成形機を示している。
【符号の説明】
１０ 成形装置
１２ 熱硬化性高分子材料
１６ ゲート
１８ キャビティ
２０ 金型
２２ フィルム

Claims (25)

1. 流体状の熱硬化性高分子材料を金型内に射出して、電気回路要素を含み等方接着性材料からなるＩＴＡベース回路を埋設するコア層を形成し、その上下に上部層と下部層とを接着させるスマートカードの製造方法であって、
   （１）金型内においてＩＴＡベース回路の上下両方向に熱硬化性高分子材料の流れを分離させるために、ＩＴＡベース回路の厚みよりも大きい厚みを有し、かつＩＴＡベース回路よりも高い剛性を持つスプリッタエッジデバイスを、ＩＴＡベース回路の前縁に結合してスプリッタエッジデバイス／ＩＴＡベース回路アセンブリを形成すること、
   （２）流体状の熱硬化性高分子材料を上部層と下部層の間の空所に射出するゲート領域にスプリッタエッジデバイスを配置すること、
   （３）スプリッタエッジデバイス／ＩＴＡベース回路アセンブリを下型内の高分子材料製下部層の上に配置すること、
   （４）上部層を上型の下に位置させること、
   （５）上部層と下部層の間に空所を作るように上型を下型に対して閉じること、
   （６）（ａ）ＩＴＡベース回路を熱硬化性高分子材料の中心領域内に浸漬し、（ｂ）ＩＴＡベース回路が下部層と接触せず、（ｃ）スマートカードの少なくとも１つの層を上型のキャビティに少なくとも部分的に成形し、（ｄ）気体を空所から排出し、（ｅ）ＩＴＡベース回路を硬化した形状の熱硬化性高分子材料内に包み、（ｆ）熱硬化性高分子材料が上部層と下部層の双方と接着して一体の前駆体スマートカード本体を形成するような温度と圧力の条件で、流体状の熱硬化性高分子材料を空所に射出すること、
   （７）一体の前駆体スマートカード本体を成形装置から除くこと、
   （８）前駆体スマートカードを所望の寸法に整えてスマートカードを製造すること
   を包含する前記方法。
2. スプリッタエッジデバイスは、ＩＴＡベース回路を形成する材料の厚さの少なくとも２倍の厚さを有する請求項１の方法。
3. スプリッタエッジデバイスは、ＩＴＡベース回路を形成する材料よりも硬い材料から形成する請求項１の方法。
4. 熱硬化性高分子材料の余剰材料受容部を有する上型を使用することを更に包含する請求項１の方法。
5. 空所の容積よりも多い量の熱硬化性高分子材料を空所に射出して気体を前記空所から押し出すことにより気体を空所から排出することを更に包含する請求項１の方法。
6. ＩＴＡベース回路は硬化した形状の熱硬化性材料内に略水平方向を向いて存在する請求項１の方法。
7. ＩＴＡベース回路は下部層の上の少なくとも０．０１ｍｍのところに配置する請求項１の方法。
8. ＩＴＡベース回路は下部層の上の少なくとも０．０１ｍｍのところに位置するアンテナを含んでいる請求項１の方法。
9. 上部層の内面と下部層の内面は、上部層と熱硬化性高分子材料の間、そして下部層と熱硬化性高分子材料の間に強力な接着力を容易に生成するように処理する請求項１の方法。
10. 上部層の内面と下部層の内面は接着剤でそれぞれ被覆することにより処理する請求項１の方法。
11. 上部層の内面と下部層の内面はコロナ放電法により処理する請求項１の方法。
12. 熱硬化性高分子材料は空所に大気圧と３．４５ＭＰａ（５００ｐｓｉ）の間の圧力で射出する請求項１の方法。
13. 熱硬化性高分子材料は空所に０．５５ＭＰａ（８０ｐｓｉ）と０．８３ＭＰａ（１２０ｐｓｉ）の間の圧力で射出する請求項１の方法。
14. 熱硬化性高分子材料は空所に１３℃（５６゜Ｆ）と３８℃（１００゜Ｆ）の間の温度で射出する請求項１の方法。
15. 熱硬化性高分子材料は上部層と下部層の間の空所に１８℃（６５゜Ｆ）と２１℃（７０゜Ｆ）の間の温度で射出する請求項１の方法。
16. 文字数字／図形情報を有するフィルムを上部層の内面に設ける請求項１の方法。
17. 不透明さ増強材料層を上部層の内面と下部層の内面に設ける請求項１の方法。
18. ＩＴＡベース回路はチップに電気的に接続したアンテナを含んでいる請求項１の方法。
19. 上部層と下部層はポリ塩化ビニル材料の平坦なシートからそれぞれ形成する請求項１の方法。
20. 上部層はカード形成キャビティで少なくとも部分的に予め形成する請求項１の方法。
21. 上部層は上型のカード形成キャビティに成形し、下部層は下型の略平坦な面に押し付けて成形する請求項１の方法。
22. 熱硬化性高分子材料はポリウレタンである請求項１の方法。
23. 熱硬化性高分子材料はエポキシである請求項１の方法。
24. 熱硬化性高分子材料は不飽和ポリエステルである請求項１の方法。
25. 空所は形成する前駆体カードの縁幅の少なくとも２５パーセントの幅を有するゲートにより塞ぐ請求項１の方法。

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