JP4324573B2 - 半導体装置及び実装構造体 - Google Patents
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Description
"超微細ピッチはんだバンプを形成、接続する技術を実用化〜世界初!35μmピッチはんだバンプの形成、接続を実現〜",[online],2003年12月15日,富士通株式会社,[2005年2月28日検索],インターネット<URL:http://pr.fujitsu.com/jp/news/2003/12/15.html>
本発明の目的は、バンプに一定の高さを維持させながらバンプ・ピッチを一定に保持することである。
ポストを覆うようにボールが形成されるバンプを備えた半導体装置であって、
前記ボールに対し前記ポストより濡れ性に優れる金属が前記ポストの側面に存在し、かつ、前記ポストの上面で前記ポストと前記ボールとが直に接触していることを特徴としている。
請求項1に記載の半導体装置において、
前記金属がPd、Au、Ag又はSnであることを特徴としている。
請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記ポストがCu又はNiで構成されていることを特徴としている。
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ボールがPb、In、Sn、Au、Ag、Cu、Bi又はZnのいずれかを少なくとも1つ含む材料で構成されていることを特徴としている。
請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記バンプがボール状を呈しかつ格子状に配置されたBGAであることを特徴としている。
請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置において、
フリップチップ、ウェハレベルパッケージ又はチップサイズパッケージとして用いられることを特徴としている。
請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置が被実装体に実装されていることを特徴としている。
請求項7に記載の実装構造体において、
前記半導体装置が前記被実装体に対しフリップチップ実装されていることを特徴としている。
請求項7又は8に記載の実装構造体において、
前記被実装体が実装用基板であり、
前記実装用基板がセラミック、シリコン、ガリウム砒素、ガラスエポキシ、液晶ポリマー、ポリイミド又はポリエチレンテレフタレートで構成されていることを特徴としている。
請求項7又は8に記載の実装構造体において、
前記被実装体が半導体デバイスであることを特徴としている。
始めに、本発明に係る「半導体装置」について説明する。
図1に示す通り、半導体装置100はフリップチップ、ウェハレベルパッケージ又はチップサイズパッケージとして用いられるものであり、シリコン製のウェハ2を有している。
図2(a)に示す通り、ウェハ2の能動面2b上に酸化膜3、電極4及び保護膜5が形成された状態において、公知のスパッタリング処理で第1の下地金属膜8及び第2の下地金属膜9をそれぞれ形成して、電極4及び保護膜5の全面を下地金属膜7で覆う(下地金属膜形成工程)。
次に、本発明に係る「実装構造体」について説明する。
図4に示す通り、実装構造体200は被実装体201を有しており、当該被実装体201に対して上記「1.半導体装置」で説明した半導体装置100がフリップチップ実装された構造を有している。
1 保護膜
2 ウェハ
3 酸化膜
4 電極
5 保護膜
6 開口部
7 下地金属膜
8 第1の下地金属膜
9 第2の下地金属膜
10 バンプ
11 ポスト
12 ボール
13 金属部
14 隙間
200 実装構造体
201 被実装体
Claims (10)
- ポストを覆うようにボールが形成されるバンプを備えた半導体装置であって、
前記ボールに対し前記ポストより濡れ性に優れる金属が前記ポストの側面に存在し、かつ、前記ポストの上面で前記ポストと前記ボールとが直に接触していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記金属がPd、Au、Ag又はSnであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記ポストがCu又はNiで構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ボールがPb、In、Sn、Au、Ag、Cu、Bi又はZnのいずれかを少なくとも1つ含む材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記バンプがボール状を呈しかつ格子状に配置されたBGAであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置において、
フリップチップ、ウェハレベルパッケージ又はチップサイズパッケージとして用いられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置が被実装体に実装されていることを特徴とする実装構造体。
- 請求項7に記載の実装構造体において、
前記半導体装置が前記被実装体に対しフリップチップ実装されていることを特徴とする実装構造体。 - 請求項7又は8に記載の実装構造体において、
前記被実装体が実装用基板であり、
前記実装用基板がセラミック、シリコン、ガリウム砒素、ガラスエポキシ、液晶ポリマー、ポリイミド又はポリエチレンテレフタレートで構成されていることを特徴とする実装構造体。 - 請求項7又は8に記載の実装構造体において、
前記被実装体が半導体デバイスであることを特徴とする実装構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5200837B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-06-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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