JP4315424B2 - Method for producing nanostructure - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 81
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 66
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 5
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical group [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 solar cells Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ナノメートルスケールの微小な間隔を有する凹凸構造のナノ構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
物体表面に微細な構造を作製する技術として、従来からの光や電子線によるリソグラフィ手法ではなく、アルミニウム膜の陽極酸化による細孔構造が従来より知られている。アルミニウム膜をシュウ酸や硫酸等の酸性水溶液中で陽極酸化することにより、膜に垂直方向に伸びた高アスペクトな細孔を形成でき、ある一定条件下では規則的に配列したナノホールを形成することが出来る。また、これをリン酸を含む水溶液中等に浸してアルミナを溶解することで、細孔構造の口径を広げることが出来、直径数ｎｍ〜数１００ｎｍ、深さ数十ｎｍ〜数十μｍ、間隔１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の高アスペクトなナノホールを形成することができる。
【０００３】
一方、タングステンという材料は、従来より走査型トンネル顕微鏡の探針として使用されており、電解研磨や化学エッチング等による先端の先鋭化方法が、従来より提案されている（特許文献１参照）。しかし、現在のような化学エッチング等による製造方法では、先端曲率半径が数十〜数百ｎｍと非常に大きい。
【０００４】
また酸化タングステンやアルミナは、酸化チタン等と並んで金属触媒として知られ、酸化タングステンは有機物や水分解用の光触媒や太陽電池やガスセンサーに、アルミナはＮＯx 除去用光触媒などに用いられている。近年、触媒活性をより向上させるために金属の更なる微粒子化が検討されているが、より微粒子化された金属触媒を効率よく且つ確実に得るための方法は未だ開発されていない。また、貴金属触媒等に於いては、金属微粒子の粒径がある値以下になると触媒活性がかえって低下したり耐熱性が不十分となるなど、過度な微粒子化は必ずしも有効ではない。これを改善するものとして、細線状の金属クラスター（金属細線触媒）が提案されており（特許文献２参照）、ナノメートルサイズの構造体の簡易な作製手法が幅広い応用範囲において早急に求められている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−１７９４９９号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開２００２−１０２６９８号公報（第２頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような金属のナノ構造体が求められる中で、伝導性の高いタングステンあるいは酸化タングステンによるナノメートルサイズの細線構造は、光触媒・太陽電池・ガスセンサー・走査型トンネル顕微鏡探針・ナノ細線構造等の多くの応用に活用することが出来る。
【０００８】
本発明はこのような要求に着目して成されたものであり、ナノメートルサイズのタングステンまたは酸化タングステン細線構造を簡易に大量に形成するナノ構造体の製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、タングステンを主成分とする下地層の上に細孔形成層を形成する工程（１）と、前記細孔形成層に細孔構造を形成する工程（２）と、前記細孔構造を形成した細孔形成層および下地層を陽極酸化して前記細孔構造の底部に酸化タングステン凸構造を形成し、さらに陽極酸化して前記酸化タングステン凸構造を前記細孔形成層の表面より突出して成長させて酸化タングステン細線構造を形成する工程（３）を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００１０】
前記酸化タングステン細線構造が細孔形成層の表面より突出していることが好ましい。
前記細孔構造を除去する工程を有することが好ましい。
前記酸化タングステン細線構造を還元してタングステン細線構造とする工程を有することが好ましい。
前記ナノ構造体の表面に、金属、半導体または色素の付着物を形成することが好ましい。
前記細孔構造が規則的に配列していることが好ましい。
【００１１】
前記細孔形成層に細孔構造を陽極酸化、フォトリソグラフィまたはエッチングにより形成することが好ましい。
前記細孔形成層がアルミニウムを主成分とする金属であることが好ましい。
前記酸化タングステン細線構造のアスペクト比が３以上で、細孔形成層の厚さが２００ｎｍ以上であることが好ましい。
金属が、貴金属であることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明におけるナノ構造体の製造方法は、タングステンを主成分とする下地層と、その上部に細孔形成層を形成し、この細孔形成層を通常のフォトリソグラフィやドライエッチングや陽極酸化するなどして細孔構造を形成して下地層を露出させ、下地層の陽極酸化を行って、酸化タングステン凸構造が細孔形成層の表面より突出した後に陽極酸化を停止することでナノメートルサイズの構造体（ナノ構造体）を製造するものである。
【００１７】
細孔構造も陽極酸化により行う場合、酸化タングステン凸構造の形成を一括した陽極酸化で行うことが出来、また陽極酸化条件により酸化タングステン凸構造のサイズが決まる。本発明の製造プロセスは簡略であり、従来に比べ短時間に安価にタングステンまたは酸化タングステンの細線を製造することが可能である。
【００１８】
図１は本発明のナノ構造体の製造方法の一実施態様を示す工程図である。
本発明のナノ構造体の製造方法は、図１に示すような支持基板３上にタングステンを主成分とする下地層２と細孔形成層１を積層して（工程（１））、細孔形成層１をフォトリソグラフィ、ドライエッチングまたは陽極酸化するなどして細孔構造５を形成し（工程（２））、被加工物４を陽極として陽極酸化を行い細孔構造５を下地層２まで到達させ、細孔構造５の底部に酸化タングステン凸構造６を形成し、該酸化タングステン凸構造６を成長させて細孔形成層１の表面より突出したら陽極酸化を停止して（工程（３））、酸化タングステン細線構造７を形成することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００１９】
本発明では、細孔形成層１から突出して成長した酸化タングステン凸構造を、酸化タングステン細線構造と呼ぶ。
【００２０】
例えば、シリコン等の支持基板３上に、スパッタリングやビーム蒸着などの膜積層技術によりタングステン下地層２を形成し、更にその上部に細孔形成層１としてアルミニウムやアルミニウム−シリコン合金膜のようなアルミニウムを主成分とする膜を形成し、これを被加工物４とする（図１（ａ））。これを陽極として、シュウ酸水溶液やリン酸水溶液や或いはこれらの混合酸性水溶液中にて適当な濃度・温度・電圧下で陽極酸化をすると、細孔構造５が形成される（図１（ｂ））。このとき細孔の壁面周辺のアルミニウムはアルミナとなる。細孔は膜に対して垂直に形成され、陽極酸化を続けると細孔底部が下地層２に到達し、タングステンが酸化されて体積が膨張することで細孔中に充填され、酸化タングステン凸構造６が形成される（図１（ｃ））。この後更に陽極酸化を継続すると、細孔構造５内部に酸化タングステン凸構造６が徐々に成長してアスペクト比が増大し、細孔形成層１の表面から突出して更に伸びつづけ、酸化タングステン細線構造７となる（図１（ｄ））。形成される細線のサイズは主に細孔構造５のサイズに依存し、細孔構造５の間隔は陽極酸化の印加電圧で、また細線の径は陽極酸化の溶液種類又は細孔形成後の細孔径拡大処理で、また細線の長さは陽極酸化時間及び下地層の厚さで決めることが出来る。
上記の様にして、下地層から細孔構造中を貫通して前記細孔構造の表面より突出して形成した酸化タングステン細線構造を有する酸化タングステン細線構造体を得ることができる。
また、酸化タングステン細線構造を還元することにより、下地層から細孔構造中を貫通して前記細孔構造の表面より突出して形成したタングステン細線構造を有するタングステン細線構造体を得ることができる。
【００２１】
細孔構造５の間隔は陽極酸化電圧と比例関係にあり、細孔径は陽極酸化後にリン酸水溶液に浸してアルミナを溶解することで拡大できる。例えば、シュウ酸水溶液（０．３ｍｏｌ／Ｌ）、液温１６℃、電圧４０Ｖでアルミニウムの陽極酸化を行うと、間隔約１００ｎｍ、径約１０〜２０ｎｍの細孔が形成され、これをリン酸水溶液（０．３ｍｏｌ／Ｌ）に４０分浸漬すると径は約４０〜６０ｎｍになる。
【００２２】
細孔が下地層２に到達したところで陽極酸化を中断し、細孔径を拡大してから再度陽極酸化をして酸化タングステン細線構造７を形成することで、径の大きいものを製造できる。つまり、本発明により製造される酸化タングステン細線構造７のサイズは細孔構造サイズに依存し、長さ数百ｎｍ〜数μｍ、径数ｎｍ〜数十ｎｍ、曲率半径数ｎｍの範囲にて実現することが可能である。またここで、アルミニウム膜の剥離防止等の目的で、アルミニウム膜と下地層の間にチタンやニオブ等の他種類の金属を数ｎｍ程度積層させてもよい。細孔形成層に細孔を形成する手法は、通常のフォトリソグラフィやドライエッチング等でも良い。
【００２３】
また、本発明においては、細孔構造５を形成するにあたり、細孔形成層１の表面に、規則的に配列した深さ数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の凹構造を形成しておくと、そこが細孔の形成開始点となり、規則的に配列した細孔構造が得られる。これにより、規則的に配列した酸化タングステン細線構造を製造することが出来る。
【００２４】
また、本発明においては、酸化タングステン細線構造７を形成した後に細孔構造５を除去し、酸化タングステン細線構造７のみを支持基板３上に形成することが出来る。これは、酸化タングステン細線構造７を形成した後に、被加工物４をリン酸水溶液中などの酸化タングステンを侵さず且つ細孔形成層１を溶解する液体ないし気体中に静置すればよい。このようにして得られた、酸化タングステン細線構造７のみを支持基板３上に形成した構造体を図３に示す。
【００２５】
また、図３に示す酸化タングステン細線構造７を、アニール等で酸化タングステンを還元してタングステンとし、タングステン細線構造を製造することも出来る。このようにして得られた、タングステン細線構造９を支持基板３上に形成した構造体を図４に示す。
【００２６】
また、上記の方法により得られた酸化タングステン細線構造またはタングステン細線構造を、導電層の上部に接合して探針を得ることができる。
具体的には、タングステン細線をナノピンセットで捕獲して電子ビーム溶着や接着剤で導電性基板上に貼り付ければ、近年開発が進んでいるカーボンナノチューブ探針のように、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）やピンセット用途の非常に曲率の小さい探針として用いることが出来る。またこれは、還元前の酸化タングステンを用いても良い。
【００２７】
また、本発明いおいては、酸化タングステン細線構造７ないしタングステン細線構造９の表面に、スパッタリングやビーム蒸着などの手法により、プラチナやパラジウム等の金属や半導体や色素等の付着物を形成することも出来る。図５は酸化タングステン細線構造７ないしタングステン細線構造９の表面に付着物８を形成した構造体を示す。例えば、酸化タングステンは光触媒として機能し、紫外光や可視光下で活性となるため、単独や他の光触媒と組み合わせることで、有機物や水などの分解をすることが出来る。この場合、酢酸等が生成されて触媒活性が低下することを防ぐために、プラチナなどの貴金属を表面に担持させることで生成物の分解効率が大きくなり、活性の低下を防止することができる。また、半導体や色素等を表面に付着させ、光電変換素子としても使用することが出来る。
【００２８】
また、本発明において、酸化タングステンとはタングステンが酸化された状態であれば、水和物など酸素以外の元素を含んでいても構わない。
【００２９】
【実施例】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【００３０】
実施例１
本発明の第１の方法について一例を示す。
本発明の第１の方法は、ナノ構造体の製造方法であり、図１に示すような支持基板３上にタングステンを主成分とする下地層２と細孔形成層１を積層して（工程（１））、細孔形成層１をフォトリソグラフィ、ドライエッチングまたは陽極酸化するなどして細孔構造５を下地層まで到達させ（工程（２））、細孔構造５底部に酸化タングステン凸構造６を形成し、酸化タングステン凸構造６が細孔形成層１の表面より突出したら陽極酸化を停止して（工程（３））、酸化タングステン細線構造７を形成することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００３１】
例として、規則的に配列した酸化タングステン細線構造の製造方法について述べる。図１（ａ）に示すようにシリコンに厚さ５ｎｍのチタンをスパッタリングにより積層した支持基板３の表面に、スパッタリング法により厚さ８０ｎｍのタングステン下地層２を形成し、更に細孔形成層１として厚さ３００ｎｍのアルミニウムを積層し、被加工物４とする。
【００３２】
次に、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）直描により、間隔１６０ｎｍ、深さ２０ｎｍで三角格子状に規則的に配列した凹構造（細孔開始点）をアルミニウム表面に形成し、被加工物４を陽極としてシュウ酸水溶液（０．１５ｍｏｌ／Ｌ）とリン酸水溶液（０．１５ｍｏｌ／Ｌ）の混合液中にて、液温１０℃・電圧６４Ｖで陽極酸化を行う。図１（ｂ）のように細孔構造５が形成され、このときの平面図が図２である。この条件下で形成される細孔サイズは、径４０ｎｍとなる。細孔構造が下地層２に到達し、露出したタングステンが酸化タングステンとなって体積の膨張により細孔内部に凸構造として形成され（図１（ｃ））、更に陽極酸化を継続すると酸化タングステン細線構造７が出来る（図１（ｄ））。
【００３３】
細孔が規則化している場合、下地層に細孔構造が到達する時間のばらつきがほとんど無いため、酸化タングステンの成長度合いもほぼ一定となり、長さの揃った細線となる。全体の陽極酸化を９００秒行ない形成される酸化タングステン細線構造７のサイズは、細孔よりもやや小さく、径２２ｎｍ・長さ約１μｍ・先端曲率半径５ｎｍであり、細孔構造表面から細線がまっすぐに突出した状態となる。
【００３４】
ここで、細孔構造５が下地層に到達した図１（ｃ）の状態で陽極酸化を中断し、リン酸水溶液（０．３ｍｏｌ／Ｌ）中に室温で１４５分浸漬して細孔壁のアルミナを溶解すると、細孔径が９５ｎｍ程度に広がる。この状態から再度陽極酸化を行うと、径の大きな酸化タングステン細線を得ることができる。このような体積の大きい細線を形成するには、予め下地層を厚くしておくことが好ましい。下地層の厚さによっては全て酸化され、酸化タングステンとなる。
【００３５】
またここで、陽極酸化において細孔形成層表面への気泡の付着や溶液の濃度斑を防ぐ目的で攪拌を行うことが好ましいが、激しい攪拌では突出した酸化タングステン細線が折れたり隣の細線と結合することがあるため、極力避けたほうが良い。
【００３６】
また、細孔開始点の間隔を１００ｎｍとして、混合溶液中ではなくシュウ酸水溶液（０．３ｍｏｌ／Ｌ）、液温１６℃、電圧４０Ｖで陽極酸化を行えば、先端曲率半径１ｎｍの細線が得られる。
次に、この構造をリン酸水溶液（０．３ｍｏｌ／Ｌ）に室温中で１２時間浸し、細孔形成層を溶解して除去すると、図３のように下地層２から伸びた酸化タングステン細線構造７が得られる。
【００３７】
実施例２
本発明の第２の方法について一例を示す。
本発明の第２の方法は、酸化タングステンを還元してタングステン細線構造とするナノ構造体の製造方法である。
【００３８】
例として、実施例１で作製した図３に示す酸化タングステン細線構造７を、５００℃の水素（５％）とヘリウム（９５％）の混合気体中で、１時間焼成を行い還元すると、図４に示すようなタングステン細線構造９が得られる。
【００３９】
このタングステン細線をマイクロピンセットで捕獲して、電子ビーム溶着で導電性基板上に貼り付ければ、近年開発が進んでいるカーボンナノチューブ探針のように、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や微細ピンセット用途の非常に曲率の小さい探針として用いることが出来る。用途によっては、酸化タングステン細線のまま使用しても構わない。
【００４０】
実施例３
本発明の第３の方法について一例を示す。
本発明の第３の方法は、酸化タングステン細線構造７ないしタングステン細線構造９の表面に、金属や半導体や色素等の付着物を形成することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００４１】
例として、実施例１で作製した図３に示す酸化タングステン細線構造７に、電子ビーム蒸着法でプラチナを付着して図５のようにする。酸化タングステンは光触媒として機能し、紫外光や可視光下で活性となるため、アセトアルデヒド（Ｃ2 Ｈ4 Ｏ）などの分解をすることが出来る。しかし、酸化タングステンのみではアセトアルデヒドが酸化して酢酸を生成して触媒活性が低下するため、プラチナ等の貴金属を表面に担持させて酢酸の分解効率を大きくし、活性の低下を防止することができる。この系は、可視光照射で光触媒作用を得ることが出来る。また、アルミナも白金や銀やコバルトの担持により光触媒となり、プロプレンによるＮＯ2 選択還元反応などを起こすため、酸性雨の解消を目的とした研究に用いられている。アルミナ細孔構造が残った状態で、酸化タングステン細線構造と共にプラチナを担持すれば、２系統の光触媒としても使用でき、表面積が広いことから耐熱性と触媒効果も大きくなる。
【００４２】
また、半導体や色素等を表面に付着することで、光電変換素子としても使用することが出来る。色素としてルテニウム錯体を酸化タングステン細線７の表面に付着させ（図５参照）、これを光吸収層として電解液中に浸して透明電極で封止し、光電変換素子とする。アナターゼ型微粒子状光電変換素子などに比べ、本発明の素子は針状であるため電子移動が容易となる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明のナノ構造体の製造方法は、陽極酸化ナノホール中にタングステンを主成分とする下地層の酸化物を形成し、細線を形成するものであり、規則的に配列した微細なタングステンないし酸化タングステン細線構造を簡易に大量に製造することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のナノ構造体の製造方法の一実施態様を示す工程図である。
【図２】細孔構造が形成され細孔形成層を示す平面図である。
【図３】本発明の酸化タングステン細線構造のみを支持基板上に形成した構造体を示す概略図である。
【図４】本発明のタングステン細線構造を支持基板上に形成した構造体を示す概略図である。
【図５】本発明の酸化タングステン細線構造またはタングステン細線構造の表面に付着物を形成した構造体を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 細孔形成層
２ 下地層
３ 支持基板
４ 被加工物
５ 細孔構造
６ 酸化タングステン凸構造
７ 酸化タングステン細線構造
８ 付着物
９ タングステン細線構造[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a nanostructure having a concavo-convex structure having minute intervals on the nanometer scale.
[0002]
[Background]
As a technique for producing a fine structure on the surface of an object, a pore structure based on anodization of an aluminum film is conventionally known instead of a conventional lithography method using light or an electron beam. By anodizing an aluminum film in an acidic aqueous solution such as oxalic acid or sulfuric acid, high-aspect pores extending in the direction perpendicular to the film can be formed, and regularly arranged nanoholes can be formed under certain conditions. I can do it. Further, by immersing this in an aqueous solution containing phosphoric acid or the like to dissolve alumina, the pore size of the pore structure can be expanded, and the diameter is several nm to several hundred nm, the depth is several tens nm to several tens μm, and the interval is 10 nm. Nanoholes with a high aspect of about ˜500 nm can be formed.
[0003]
On the other hand, a material called tungsten has been conventionally used as a probe of a scanning tunneling microscope, and a method for sharpening the tip by electrolytic polishing, chemical etching, or the like has been proposed (see Patent Document 1). However, in the current manufacturing method using chemical etching or the like, the radius of curvature of the tip is as large as several tens to several hundreds nm.
[0004]
The tungsten oxide or alumina are known as metal catalysts along with titanium oxide, tungsten oxide photocatalyst or a solar cell or a gas sensor for organic substances and water degradation, alumina has been used such as NO x removal photocatalytic . In recent years, in order to further improve the catalytic activity, further metal fine particles have been studied. However, a method for efficiently and reliably obtaining a metal catalyst finer particles has not been developed yet. In addition, in noble metal catalysts and the like, excessive particle formation is not always effective, for example, when the particle size of the metal fine particles is below a certain value, the catalytic activity is lowered or the heat resistance is insufficient. In order to improve this, a thin metal cluster (metal thin wire catalyst) has been proposed (see Patent Document 2), and a simple method for producing a nanometer-sized structure is urgently required in a wide range of applications. Yes.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-5-179499 [0006]
[Patent Document 2]
JP 2002-102698 A (second page)
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Among the above-mentioned demands for metal nanostructures, nanometer-sized thin wire structures with highly conductive tungsten or tungsten oxide are photocatalysts, solar cells, gas sensors, scanning tunneling microscope probes, and nanowire structures. It can be used for many applications.
[0008]
The present invention has been made paying attention to such a requirement, and provides a method for producing a nanostructure that easily forms a nanometer- sized tungsten or tungsten oxide fine wire structure in large quantities.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention includes a step (1) of forming a pore-forming layer on an underlayer containing tungsten as a main component, a step (2) of forming a pore structure in the pore-forming layer, The pore forming layer and the underlayer having the pore structure are anodized to form a tungsten oxide convex structure at the bottom of the pore structure, and further anodized to form the tungsten oxide convex structure on the surface of the pore forming layer. A method for producing a nanostructure, comprising a step (3) of forming a tungsten oxide fine wire structure by further protruding and growing.
[0010]
It is preferable that the tungsten oxide fine wire structure protrudes from the surface of the pore forming layer.
It is preferable to have a step of removing the pore structure.
It is preferable to have a step of reducing the tungsten oxide fine wire structure to a tungsten fine wire structure.
It is preferable to form a deposit of metal, semiconductor or pigment on the surface of the nanostructure.
It is preferable that the pore structure is regularly arranged.
[0011]
It is preferable to form a pore structure in the pore forming layer by anodic oxidation, photolithography or etching.
The pore forming layer is preferably a metal mainly composed of aluminum.
The aspect ratio of the tungsten oxide fine wire structure is preferably 3 or more, and the thickness of the pore forming layer is preferably 200 nm or more.
The metal is preferably a noble metal.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The method for producing a nanostructure in the present invention comprises forming a base layer mainly composed of tungsten and a pore forming layer on top thereof, and subjecting the pore forming layer to normal photolithography, dry etching, anodizing, etc. Then, the pore structure is formed to expose the underlayer, the anodization of the underlayer is performed, and the anodization is stopped after the tungsten oxide convex structure protrudes from the surface of the pore formation layer. A structure (nanostructure) is manufactured.
[0017]
When the pore structure is also formed by anodic oxidation, the tungsten oxide convex structure can be formed by batch anodic oxidation, and the size of the tungsten oxide convex structure is determined by the anodic oxidation conditions. The manufacturing process of the present invention is simple, and it is possible to manufacture tungsten or tungsten oxide fine wires in a shorter time and at a lower cost.
[0018]
FIG. 1 is a process diagram showing one embodiment of the method for producing a nanostructure of the present invention.
In the method for producing a nanostructure of the present invention, a
[0019]
In the present invention, the tungsten oxide convex structure protruding from the
[0020]
For example, a
As described above, it is possible to obtain a tungsten oxide fine wire structure having a tungsten oxide fine wire structure formed so as to penetrate the pore structure from the underlayer and protrude from the surface of the pore structure.
In addition, by reducing the tungsten oxide fine wire structure, a tungsten fine wire structure having a tungsten fine wire structure formed so as to penetrate the pore structure from the underlayer and protrude from the surface of the pore structure can be obtained.
[0021]
The interval between the pore structures 5 is proportional to the anodic oxidation voltage, and the pore diameter can be expanded by immersing in an aqueous phosphoric acid solution after anodic oxidation to dissolve alumina. For example, when anodization of aluminum is performed at an oxalic acid aqueous solution (0.3 mol / L), a liquid temperature of 16 ° C., and a voltage of 40 V, pores having an interval of about 100 nm and a diameter of about 10 to 20 nm are formed. When immersed in (0.3 mol / L) for 40 minutes, the diameter becomes about 40-60 nm.
[0022]
When the pores reach the
[0023]
Further, Oite the present invention, when forming a pore structure 5, on the surface of the
[0024]
Further, Oite the present invention, the pore structure 5 removed after forming a tungsten oxide thin line structure 7 can be formed only tungsten oxide wire structure 7 on the supporting
[0025]
Further, the tungsten oxide thin wire structure 7 shown in FIG. 3 can be reduced to tungsten by annealing or the like to produce tungsten. FIG. 4 shows the structure obtained by forming the tungsten fine wire structure 9 on the
[0026]
Further, the probe can be obtained by bonding the tungsten oxide thin wire structure or the tungsten thin wire structure obtained by the above method to the upper portion of the conductive layer.
Specifically, if a tungsten wire is captured with nanotweezers and attached to a conductive substrate by electron beam welding or adhesive, a scanning tunneling microscope (STM) is developed like a carbon nanotube probe that has been developed recently. ) And tweezers can be used as a probe with a very small curvature. In addition, tungsten oxide before reduction may be used.
[0027]
Further, in the present invention, deposits such as metals such as platinum and palladium, semiconductors, and pigments are formed on the surfaces of the tungsten oxide fine wire structure 7 to the tungsten fine wire structure 9 by a technique such as sputtering or beam evaporation. You can also. FIG. 5 shows a structure in which a deposit 8 is formed on the surface of the tungsten oxide fine wire structure 7 to the tungsten fine wire structure 9. For example, since tungsten oxide functions as a photocatalyst and becomes active under ultraviolet light or visible light, organic substances, water, and the like can be decomposed alone or in combination with other photocatalysts. In this case, in order to prevent acetic acid and the like from being generated and the catalytic activity from being lowered, by supporting a noble metal such as platinum on the surface, the decomposition efficiency of the product is increased, and the reduction in the activity can be prevented. Moreover, a semiconductor, a pigment | dye, etc. can be adhered to the surface and it can be used also as a photoelectric conversion element.
[0028]
In the present invention, tungsten oxide may contain an element other than oxygen, such as a hydrate, as long as tungsten is in an oxidized state.
[0029]
【Example】
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0030]
Example 1
An example is shown about the 1st method of this invention.
The first method of the present invention is a method for producing a nanostructure, in which a
[0031]
As an example, a method for manufacturing a regularly arranged tungsten oxide thin wire structure will be described. As shown in FIG. 1A, a
[0032]
Next, by direct drawing of FIB (Focused Ion Beam), concave structures (pore start points) regularly arranged in a triangular lattice pattern with a spacing of 160 nm and a depth of 20 nm are formed on the aluminum surface, and the workpiece 4 is anode Anodization is performed at a liquid temperature of 10 ° C. and a voltage of 64 V in a mixed solution of an oxalic acid aqueous solution (0.15 mol / L) and a phosphoric acid aqueous solution (0.15 mol / L). The pore structure 5 is formed as shown in FIG. 1B, and the plan view at this time is FIG. The pore size formed under these conditions is 40 nm in diameter. The pore structure reaches the
[0033]
When the pores are regularized, there is almost no variation in the time for the pore structure to reach the underlayer, so that the degree of growth of tungsten oxide is substantially constant, resulting in thin wires with uniform lengths. The size of the tungsten oxide fine wire structure 7 formed by performing the entire anodic oxidation for 900 seconds is slightly smaller than the pore, having a diameter of 22 nm, a length of about 1 μm, and a tip curvature radius of 5 nm, and the fine wire is straight from the surface of the pore structure. It will be in the state of protruding.
[0034]
Here, the anodic oxidation was interrupted in the state of FIG. 1 (c) when the pore structure 5 reached the underlayer, and immersed in a phosphoric acid aqueous solution (0.3 mol / L) at room temperature for 145 minutes, When alumina is dissolved, the pore diameter is expanded to about 95 nm. When anodization is performed again from this state, a tungsten oxide fine wire having a large diameter can be obtained. In order to form such a thin wire having a large volume, it is preferable to make the underlayer thick beforehand. Depending on the thickness of the underlayer, it is entirely oxidized to become tungsten oxide.
[0035]
Here, it is preferable to stir for the purpose of preventing bubbles from adhering to the surface of the pore-forming layer and uneven concentration of the solution in the anodic oxidation, but in the case of vigorous stirring, the protruding tungsten oxide fine wire is broken or bonded to the adjacent fine wire. It is better to avoid it as much as possible.
[0036]
Further, when the interval between the pore start points is set to 100 nm and anodic oxidation is performed not in the mixed solution but in an oxalic acid aqueous solution (0.3 mol / L), a liquid temperature of 16 ° C., and a voltage of 40 V, a thin wire having a tip curvature radius of 1 nm is obtained. It is done.
Next, when this structure is immersed in an aqueous phosphoric acid solution (0.3 mol / L) at room temperature for 12 hours to dissolve and remove the pore-forming layer, a tungsten oxide thin wire structure extending from the
[0037]
Example 2
An example is shown for the second method of the present invention.
The second method of the present invention is a method for producing a nanostructure by reducing tungsten oxide into a tungsten fine wire structure.
[0038]
As an example, when the tungsten oxide thin wire structure 7 shown in FIG. 3 manufactured in Example 1 is reduced by baking for 1 hour in a mixed gas of hydrogen (5%) and helium (95%) at 500 ° C., FIG. A tungsten thin wire structure 9 as shown in FIG.
[0039]
If this tungsten wire is captured by micro tweezers and attached to a conductive substrate by electron beam welding, it can be used for scanning tunneling microscopes (STM) and fine tweezers, like carbon nanotube probes that have been developed recently. It can be used as a probe with a very small curvature. Depending on the application, the tungsten oxide fine wire may be used as it is.
[0040]
Example 3
An example is shown for the third method of the present invention.
The third method of the present invention is a method for producing a nanostructure, characterized in that deposits such as metals, semiconductors and pigments are formed on the surfaces of the tungsten oxide fine wire structure 7 to the tungsten fine wire structure 9.
[0041]
As an example, platinum is attached to the tungsten oxide fine wire structure 7 shown in FIG. 3 manufactured in Example 1 by an electron beam evaporation method as shown in FIG. Tungsten oxide functions as a photocatalyst and becomes active under ultraviolet light and visible light, so that it can decompose acetaldehyde (C 2 H 4 O) and the like. However, with tungsten oxide alone, acetaldehyde is oxidized to produce acetic acid, resulting in a decrease in catalytic activity. Thus, noble metals such as platinum are supported on the surface to increase the decomposition efficiency of acetic acid and prevent a decrease in activity. . This system can obtain a photocatalytic action by irradiation with visible light. Alumina also serves as a photocatalyst by supporting platinum, silver, and cobalt, and causes a NO 2 selective reduction reaction with proprene, and is therefore used for research aimed at eliminating acid rain. If platinum is supported together with the tungsten oxide fine wire structure with the alumina pore structure remaining, it can be used as a two-system photocatalyst, and since the surface area is large, the heat resistance and the catalytic effect are increased.
[0042]
Moreover, it can be used also as a photoelectric conversion element by attaching a semiconductor, a pigment | dye, etc. to the surface. A ruthenium complex as a dye is attached to the surface of the tungsten oxide fine wire 7 (see FIG. 5), and this is immersed in an electrolytic solution as a light absorption layer and sealed with a transparent electrode to obtain a photoelectric conversion element. Compared to an anatase type fine particle photoelectric conversion element and the like, the element of the present invention has a needle shape, and thus electron transfer is facilitated.
[0043]
【The invention's effect】
As described above, the nanostructure manufacturing method of the present invention forms an oxide of a base layer mainly composed of tungsten in anodized nanoholes to form fine lines, and is regularly arranged. Fine tungsten or tungsten oxide thin wire structures can be easily produced in large quantities.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process diagram showing one embodiment of a method for producing a nanostructure of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a pore forming layer in which a pore structure is formed.
FIG. 3 is a schematic view showing a structure in which only the tungsten oxide fine wire structure of the present invention is formed on a support substrate.
FIG. 4 is a schematic view showing a structure in which the tungsten fine wire structure of the present invention is formed on a support substrate.
FIG. 5 is a schematic view showing a tungsten oxide fine wire structure or a structure in which deposits are formed on the surface of the tungsten fine wire structure of the present invention.
[Explanation of symbols]
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Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003209786A JP4315424B2 (en) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | Method for producing nanostructure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003209786A JP4315424B2 (en) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | Method for producing nanostructure |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005076039A JP2005076039A (en) | 2005-03-24 |
| JP2005076039A5 JP2005076039A5 (en) | 2007-11-08 |
| JP4315424B2 true JP4315424B2 (en) | 2009-08-19 |
Family
ID=34402602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003209786A Expired - Fee Related JP4315424B2 (en) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | Method for producing nanostructure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4315424B2 (en) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1949451A4 (en) | 2005-08-22 | 2016-07-20 | Q1 Nanosystems Inc | Nanostructure and photovoltaic cell implementing same |
| WO2007026974A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Postech Foundation | Near-field photocatalyst including zinc oxide nanowire |
| JP5094208B2 (en) * | 2006-08-24 | 2012-12-12 | キヤノン株式会社 | Manufacturing method of structure |
| KR100848689B1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-07-28 | 고려대학교 산학협력단 | Method of Manufacturing Multilayered Nanowires and Nanowires thereof |
| KR100925184B1 (en) * | 2007-02-26 | 2009-11-06 | 한국세라믹기술원 | Processing of 3-dimensional photocatalytic parts and Activating device of it |
| JP5775288B2 (en) * | 2009-11-17 | 2015-09-09 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Semiconductor device |
| CN102418116B (en) * | 2010-09-27 | 2016-08-31 | 新奥科技发展有限公司 | The preparation method of nano-bulk base porous tungsten trioxide thin electrode and tungsten trioxide thin film electrode |
| JP2014145105A (en) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Hitachi Ltd | Nanopillar and formation method thereof, and bonding material, battery, carbon dioxide recovery/storage device and module for power conversion apparatus using nanopillar |
| TWI719316B (en) * | 2017-06-12 | 2021-02-21 | 美商應用材料股份有限公司 | Seamless tungsten fill by tungsten oxidation-reduction |
| CN111133579B (en) * | 2017-09-05 | 2023-09-01 | 应用材料公司 | Bottom-up High Aspect Ratio Hole Formation in 3D Memory Structures |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003209786A patent/JP4315424B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005076039A (en) | 2005-03-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
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