JP4308741B2 - Information recording medium and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、光学的又は電気的に情報を記録、消去、書き換え、再生することが可能な情報記録媒体とその製造方法とに関するものである。   The present invention relates to an information recording medium capable of optically or electrically recording, erasing, rewriting and reproducing information, and a method for manufacturing the same.

従来の情報記録媒体として、相変化材料を用いて形成された記録層（相変化材料層）が結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす現象を利用して情報の記録、消去、書き換えが行われる相変化形情報記録媒体がある。この相変化形情報記録媒体の中で、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書き換え、再生できるのが光学的相変化形情報記録媒体である。この光学的相変化形情報記録媒体は、レーザビームの照射により発生する熱によって記録層の相変化材料を結晶相と非晶質相との間で状態変化させ、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出して情報として読みとるものである。光学的相変化形情報記録媒体のうち、情報の消去や書き換えが可能な書き換え型光学的相変化形情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は結晶相であり、情報を記録する場合には高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を溶融して急激に冷却することによって、レーザビームが照射された部分（レーザビーム照射部）を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時より低いパワー（消去パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することにより、レーザビーム照射部を結晶相にする。従って、書き換え型光学的相変化形情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワーレベルとの間でパワーを変調させたレーザビームを記録層に照射することによって、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録する、すなわち情報を書き換えることが可能である。また、光学的相変化形情報記録媒体のうち、一回だけ情報の記録が可能で情報の消去や書き換えが不可能な追記型光学的相変化形情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は非晶質相である。この媒体に情報を記録する場合には、高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することによってレーザビーム照射部を結晶相にする。   Recording and erasing information using a phenomenon in which a recording layer (phase change material layer) formed using a phase change material causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase as a conventional information recording medium There are phase change information recording media that are rewritten. Among these phase change information recording media, an optical phase change information recording medium is capable of optically recording, erasing, rewriting and reproducing information using a laser beam. In this optical phase change information recording medium, the phase change material of the recording layer is changed between a crystalline phase and an amorphous phase by heat generated by laser beam irradiation, and the crystalline phase and the amorphous phase are changed. The difference in reflectance is detected and read as information. Among the optical phase change information recording media, in the rewritable optical phase change information recording medium capable of erasing and rewriting information, the initial state of the recording layer is generally a crystalline phase, and information is recorded. Irradiates a laser beam of high power (recording power), melts the recording layer, and rapidly cools, thereby changing the portion irradiated with the laser beam (laser beam irradiated portion) to an amorphous phase. On the other hand, when erasing information, a laser beam irradiated with a laser beam having a lower power (erase power) than that at the time of recording is applied to raise the temperature of the recording layer and gradually cool the laser beam irradiated portion to a crystalline phase. Accordingly, in the rewritable optical phase change information recording medium, the recorded layer is erased by irradiating the recording layer with a laser beam whose power is modulated between a high power level and a low power level. It is possible to record new information, that is, to rewrite the information. Further, among write-once optical phase change information recording media that can be recorded only once and cannot be erased or rewritten among optical phase change information recording media, the initial state of the recording layer is generally used. Is an amorphous phase. When recording information on this medium, the laser beam irradiation part is made into a crystalline phase by irradiating a laser beam of high power (recording power) to raise the temperature of the recording layer and gradually cooling it.

また、レーザビームを照射する代わりに電気的エネルギー（例えば電流）を印加して、発生するジュール熱によって記録層の相変化材料を状態変化させることによって情報を記録する電気的相変化形情報記録媒体もある。この電気的相変化形情報記録媒体は、例えば電流の印加により発生するジュール熱によって記録層の相変化材料を結晶相（低抵抗）と非晶質相（高抵抗）との間で状態変化させ、結晶相と非晶質相との間の電気抵抗の違いを検出して情報として読みとるものである。   Also, an electrical phase change information recording medium for recording information by applying electrical energy (for example, current) instead of irradiating a laser beam and changing the state of the phase change material of the recording layer by the generated Joule heat. There is also. In this electrical phase change information recording medium, for example, the phase change material of the recording layer is changed between a crystalline phase (low resistance) and an amorphous phase (high resistance) by Joule heat generated by application of current. The difference in electrical resistance between the crystalline phase and the amorphous phase is detected and read as information.

光学的相変化形情報記録媒体の一例として、発明者らが提案した４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭ（Digital Versatile Disk-Random Access Memory）が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。この４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭは、図１２に示す情報記録媒体１２のように、基板１上に、レーザビーム１１の入射側から見て、第１誘電体層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２誘電体層６、光吸収補正層７及び反射層８がこの順に積層された７層構造の情報層１００を有する。   An example of the optical phase change information recording medium is 4.7 GB / DVD-RAM (Digital Versatile Disk-Random Access Memory) proposed by the inventors (see, for example, Patent Document 1). The 4.7 GB / DVD-RAM has a first dielectric layer 2, a first interface layer 3 and a substrate 1 as viewed from the incident side of the laser beam 11, as in the information recording medium 12 shown in FIG. The information layer 100 has a seven-layer structure in which the recording layer 4, the second interface layer 5, the second dielectric layer 6, the light absorption correction layer 7, and the reflection layer 8 are laminated in this order.

第１誘電体層２と第２誘電体層６には、光学距離を調節して記録層４への光吸収効率を高め、記録層４が結晶相の時と非晶質相の時との間で反射率変化を大きくして信号強度を大きくする光学的な働きと、記録時に高温となる記録層４と熱に弱い基板１及びダミー基板１０等との間を断熱する熱的な働きと、がある。以前より誘電体層として使用している、８０ｍｏｌ％のＺｎＳと２０ｍｏｌ％のＳｉＯ2との混合物（以下、本明細書において（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）又は（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20と表記する。他の混合物についても同様である。）は、透明で屈折率が高く、熱伝導率が低くて断熱性も良く、機械特性及び耐湿性も良好な優れた誘電体材料である。なお、第１誘電体層２と第２誘電体層６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層４が結晶相である場合と非晶質相である場合との反射光量の変化が大きく、且つ記録層４での光吸収が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。記録層４に、化合物であるＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3とを混合したＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系相変化材料においてＧｅの一部をＳｎで置換したＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅを含む高速結晶化材料を用いることにより、初期記録・書き換え性能のみならず、優れた記録保存性（記録した信号を、長期保存後に再生できるかの指標）、及び書き換え保存性（記録した信号を、長期保存後に消去又は書き換えできるかの指標）をも実現している。 In the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6, the optical distance is adjusted to increase the light absorption efficiency to the recording layer 4, so that the recording layer 4 has a crystalline phase and an amorphous phase. An optical function to increase the signal intensity by increasing the reflectance change between them, and a thermal function to insulate between the recording layer 4 that becomes a high temperature during recording and the substrate 1 and the dummy substrate 10 that are vulnerable to heat. There is. A mixture of 80 mol% ZnS and 20 mol% SiO 2 (hereinafter referred to as (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) or (ZnS) 80 ( SiO 2 ) 20. The same applies to other mixtures.) Is an excellent dielectric that is transparent, has a high refractive index, low thermal conductivity, good heat insulation, and good mechanical properties and moisture resistance. Material. Note that the film thicknesses of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 are calculated by a calculation based on the matrix method, and the amount of reflected light varies between when the recording layer 4 is in a crystalline phase and when it is in an amorphous phase. And can be determined strictly so as to satisfy the condition that the light absorption in the recording layer 4 increases. The recording layer 4 includes Ge—Sn—Sb—Te in which Ge is partially substituted with Sn in a GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo-binary phase change material obtained by mixing GeTe and Sb 2 Te 3 as compounds. By using a high-speed crystallization material, not only the initial recording / rewriting performance, but also excellent recording storability (an indicator of whether the recorded signal can be reproduced after long-term storage) and rewriting storability (recorded signal for long-term storage) It also realizes an indicator of whether it can be erased or rewritten after storage.

第１界面層３と第２界面層５は、第１誘電体層２と記録層４、及び第２誘電体層６と記録層４との間で生じる物質移動を防止する機能を有する。この物質移動とは、第１誘電体層２及び第２誘電体層６に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を使用した場合、レーザビーム１１を記録層４に照射して記録・書き換えを繰り返す際に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）中のＳが記録層に拡散していく現象のことである。Ｓが記録層に拡散すると、繰り返し書き換え性能が悪化する。この繰り返し書き換え性能の悪化を防ぐには、Ｇｅを含む窒化物を第１界面層３及び第２界面層５に使用すると良い。 The first interface layer 3 and the second interface layer 5 have a function of preventing mass transfer that occurs between the first dielectric layer 2 and the recording layer 4 and between the second dielectric layer 6 and the recording layer 4. This mass transfer is performed by irradiating the recording layer 4 with the laser beam 11 when (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) is used for the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6. This is a phenomenon in which S in (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) diffuses into the recording layer when rewriting is repeated. When S diffuses into the recording layer, the repeated rewrite performance deteriorates. In order to prevent this repeated rewrite performance from deteriorating, it is preferable to use a nitride containing Ge for the first interface layer 3 and the second interface layer 5.

以上のような技術により、優れた書き換え性能と高い信頼性を達成して、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭを提案し、商品化するに至った。   With the above technology, excellent rewriting performance and high reliability were achieved, and 4.7 GB / DVD-RAM was proposed and commercialized.

また、情報記録媒体をさらに大容量化するための技術として、さまざまな技術が検討されている。例えば、光学的相変化形情報記録媒体においては、従来の赤色レーザより短波長の青紫色レーザを用いたり、レーザビームが入射する側の基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズを使用したりすることによって、レーザビームのスポット径をより小さくして高密度の記録を行う技術が検討されている。スポット径を小さくして記録を行うと、記録層にレーザビームが照射される時間が相対的に短くなる。このため、より短い時間で結晶化が可能となるように、記録層をより結晶化能の高い材料で形成するか、結晶化促進効果の高い層を記録層に接して設けることが必要となる。   In addition, various technologies are being studied as technologies for further increasing the capacity of information recording media. For example, in an optical phase change information recording medium, a numerical aperture (NA) is increased by using a blue-violet laser having a shorter wavelength than a conventional red laser or by reducing the thickness of the substrate on which the laser beam is incident. A technique for performing high-density recording by using an objective lens to make the spot diameter of the laser beam smaller has been studied. When recording is performed with a reduced spot diameter, the time during which the recording layer is irradiated with the laser beam becomes relatively short. For this reason, it is necessary to form the recording layer with a material having higher crystallization ability or to provide a layer having a high crystallization promoting effect in contact with the recording layer so that crystallization can be performed in a shorter time. .

また、２つの情報層を備える光学的相変化形情報記録媒体（以下、２層光学的相変化形情報記録媒体という場合がある。）を用いて記録容量を２倍に高め、且つその片面側から入射するレーザビームによって２つの情報層に対し情報の記録再生を行う技術も検討されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照。）。この２層光学的相変化形情報記録媒体では、レーザビーム入射側からみて近くに配置された情報層（以下、第１の情報層という。）を透過したレーザビームを用いて、レーザビーム入射側からみて遠くに配置された情報層（以下、第２の情報層という。）の記録再生を行うため、第１の情報層では記録層の膜厚を薄くして透過率を高めている。しかし、記録層が薄くなると、記録層が結晶化する際に形成される結晶核が減少し、また、原子が移動できる距離が短くなる。このため、記録層の膜厚が薄いほど結晶相が形成されにくくなる（結晶化速度が低下する。）。従って、記録層の膜厚が薄い第１の情報層では、記録層をより結晶化能の高い材料で形成するか、結晶化促進効果の高い界面層を記録層に接して設けることが必要であった。   Further, the recording capacity is doubled by using an optical phase change information recording medium having two information layers (hereinafter sometimes referred to as a two-layer optical phase change information recording medium), and one side of the recording capacity is increased. A technique for recording / reproducing information on two information layers using a laser beam incident from the above is also studied (see, for example, Patent Document 2 and Patent Document 3). In this two-layer optical phase change information recording medium, a laser beam transmitted through an information layer (hereinafter referred to as a first information layer) arranged close to the laser beam incident side is used. In order to perform recording / reproduction of an information layer (hereinafter referred to as a second information layer) disposed far from the distance, the thickness of the recording layer is reduced in the first information layer to increase the transmittance. However, as the recording layer becomes thinner, the number of crystal nuclei formed when the recording layer is crystallized decreases, and the distance that atoms can move is shortened. For this reason, the thinner the film thickness of the recording layer, the less the crystal phase is formed (the crystallization speed is reduced). Therefore, in the first information layer having a thin recording layer, it is necessary to form the recording layer with a material having higher crystallization ability or to provide an interface layer having a high crystallization promoting effect in contact with the recording layer. there were.

さらに、情報記録媒体の情報の記録時間を短くして情報の転送レートを高くすると、結晶化のための時間は短くなってしまう。このため、高い転送レートに対応する相変化形情報記録媒体を実現するにも、やはり記録層をより結晶化能の高い材料で形成するか、結晶化促進効果の高い界面層を記録層に接して設けることが必要であった。   Further, when the information recording time of the information recording medium is shortened to increase the information transfer rate, the time for crystallization is shortened. Therefore, in order to realize a phase change information recording medium corresponding to a high transfer rate, the recording layer is also formed of a material having higher crystallization ability, or an interface layer having a high crystallization promoting effect is in contact with the recording layer. It was necessary to install it.

そこで、従来、上記のような大容量化や高い転送レートに対応し得る媒体を実現するために、記録層に結晶化能が高い材料を用い、界面層に４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭと同様のＧｅを含む窒化物を用い、さらにこの界面層を記録層の両面に配置していた。
特開平１０−２７５３６０号公報（第２−６頁、図２） 特開２０００−３６１３０号公報（第２−１１頁、図２） 特開２００２−１４４７３６号公報（第２−１４頁、図３） Therefore, conventionally, in order to realize a medium capable of dealing with a large capacity and a high transfer rate as described above, a material having a high crystallization ability is used for the recording layer, and the interface layer is the same as 4.7 GB / DVD-RAM. The Ge-containing nitride was used, and the interface layer was further disposed on both sides of the recording layer.
JP-A-10-275360 (page 2-6, FIG. 2) JP 2000-36130 A (page 2-11, FIG. 2) Japanese Patent Laying-Open No. 2002-144736 (page 2-14, FIG. 3)

しかし、光学的相変化形情報記録媒体の結晶化速度を向上するために記録層に結晶化能を高めた材料を用いると、特に書き換え型光学的相変化形情報記録媒体において非晶質相が形成されにくくなる。このため、記録層をより高温まで加熱して記録層の溶融領域を広げて急冷しなければならなくなる。これにより、情報を記録するのにより大きなエネルギー（レーザパワー）が必要となり、記録感度が低下するという問題が生じる。また、この場合に従来のようにＧｅを含む窒化物にて形成された界面層を用いると、大きなエネルギーの印加により記録層で発生した熱で界面層の膜破壊が生じ、繰り返し書き換え性能が急激に悪化するという問題もあった。   However, when a material having an increased crystallization ability is used for the recording layer in order to improve the crystallization speed of the optical phase change information recording medium, the amorphous phase is formed in the rewritable optical phase change information recording medium. It becomes difficult to form. For this reason, the recording layer must be heated to a higher temperature to widen the melting region of the recording layer and rapidly cooled. As a result, a larger energy (laser power) is required to record information, which causes a problem that the recording sensitivity is lowered. In this case, if an interface layer formed of a nitride containing Ge as in the prior art is used, the interface layer is destroyed by the heat generated in the recording layer when a large amount of energy is applied, and the repeated rewrite performance is abrupt. There was also a problem of getting worse.

さらに、Ｇｅを含む窒化物は熱伝導率が高いため、特に界面層が厚い場合は熱が拡散しやすくなっていた。この理由からも、記録感度が低下するという問題が生じていた。   Furthermore, since the nitride containing Ge has a high thermal conductivity, the heat easily diffuses particularly when the interface layer is thick. For this reason as well, there has been a problem that the recording sensitivity is lowered.

また、Ｇｅを含む窒化物にて界面層を形成すると界面層の消衰係数が大きくなるため、界面層でより光が吸収されやすくなる。界面層でより多くの光が吸収されると、光学的相変化形情報記録媒体の結晶相での反射率と非晶質相での反射率との差が小さくなり、信号強度が低下してしまうという問題もあった。また、界面層でより多くの光が吸収されるため、さらに記録感度が低下するという問題もあった。   Further, when the interface layer is formed of a nitride containing Ge, the extinction coefficient of the interface layer is increased, so that light is more easily absorbed by the interface layer. When more light is absorbed in the interface layer, the difference between the reflectance in the crystalline phase and the reflectance in the amorphous phase of the optical phase change information recording medium decreases, and the signal intensity decreases. There was also a problem of end. In addition, since more light is absorbed by the interface layer, there is a problem that the recording sensitivity is further lowered.

本発明は、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下を抑制しつつ、記録層の結晶化速度を向上させた相変化形情報記録媒体を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a phase change information recording medium in which the crystallization speed of a recording layer is improved while suppressing a decrease in recording sensitivity, repeated rewriting performance, and signal intensity.

本発明の第１の情報記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含んでおり、前記情報層が、レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、少なくともＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置されたＣｒ含有層と、少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置されたＧａ含有層と、を含むことを特徴としている。   A first information recording medium of the present invention includes a substrate and an information layer provided on the substrate, and the information layer is formed into a crystalline phase and an amorphous state by irradiation with a laser beam or application of electrical energy. A recording layer capable of phase change between the mass phase, at least Cr and O, a Cr-containing layer disposed in contact with the first surface of the recording layer, at least Ga and O, and the recording layer And a Ga-containing layer disposed in contact with the second surface.

本発明の第２の情報記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含んでおり、前記情報層が、レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置された第１のＧａ含有層と、少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置された第２のＧａ含有層と、を含むことを特徴としている。   A second information recording medium of the present invention includes a substrate and an information layer provided on the substrate, and the information layer is formed into a crystalline phase and an amorphous state by laser beam irradiation or electrical energy application. A recording layer capable of phase change between the mass phase, at least Ga and O, a first Ga-containing layer disposed in contact with the first surface of the recording layer, and at least Ga and O, And a second Ga-containing layer disposed in contact with the second surface of the recording layer.

本発明の第３の情報記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含んでおり、前記情報層が、レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、少なくともＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置された第１のＣｒ含有層と、少なくとＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置された第２のＣｒ含有層と、少なくともＧａ及びＯを含み、前記第２のＣｒ含有層に接して配置されたＧａ含有層と、を含むことを特徴としている。   A third information recording medium of the present invention includes a substrate and an information layer provided on the substrate, and the information layer is crystallized and amorphous by irradiation with a laser beam or application of electrical energy. A recording layer capable of phase change between the mass phase, at least Cr and O, a first Cr-containing layer disposed in contact with the first surface of the recording layer, and at least Cr and O A second Cr-containing layer disposed in contact with the second surface of the recording layer, and a Ga-containing layer including at least Ga and O and disposed in contact with the second Cr-containing layer. It is characterized by that.

本発明の第４の情報記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含んでおり、前記情報層が、レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、前記記録層の第１の面側に配置された少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層と、前記記録層の第２の面側に配置された少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層と、前記記録層と前記Ｃｒ含有層との間及び前記記録層と前記Ｇａ含有層との間の少なくとも一方に前記記録層に接して配置された、主成分としてＣを含むＣ含有層と、を含むことを特徴としている。   A fourth information recording medium of the present invention includes a substrate and an information layer provided on the substrate, and the information layer is crystallized and amorphous by irradiation with a laser beam or application of electrical energy. A recording layer capable of phase change between the material phase, a Cr-containing layer containing at least Cr and O disposed on the first surface side of the recording layer, and a second surface side of the recording layer. A main layer including at least one of a Ga-containing layer containing Ga and O, and at least one of the recording layer and the Cr-containing layer and between the recording layer and the Ga-containing layer, And a C-containing layer containing C as a component.

本発明の第１の情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の第１の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いてＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われることを特徴としている。 A first information recording medium manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing the first information recording medium of the present invention described above,
(A) forming a Cr-containing layer using a Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a). It is said.

本発明の第２の情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の第２の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＧａ及びＯを含む第１のＧａ含有スパッタリングターゲットを用いて第１のＧａ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含む第２のＧａ含有スパッタリングターゲットを用いて第２のＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われることを特徴としている。 A second information recording medium manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing the above-described second information recording medium of the present invention,
(A) forming a first Ga-containing layer using a first Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a second Ga-containing layer using a second Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a). It is said.

本発明の第３の情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の第３の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含む第１のＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いて第１のＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＣｒ及びＯを含む第２のＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いて第２のＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｄ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｄ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）、工程（ｄ）の順又は工程（ｄ）、工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われることを特徴としている。 A third information recording medium manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing the above third information recording medium of the present invention,
(A) forming a first Cr-containing layer using a first Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a second Cr-containing layer using a second Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(D) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (d) are performed in the order of step (a), step (b), step (c), step (d) or step (d), step (c), step (b), step ( It is characterized by being performed in the order of a).

本発明の第４の情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の第４の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いてＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、且つ前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われ、
工程（ａ）と工程（ｂ）の間及び工程（ｂ）と工程（ｃ）との間の少なくとも一つに、主成分としてＣを含むＣ含有スパッタリングターゲットを用いてＣ含有層を成膜する工程をさらに含むことを特徴としている。 A fourth information recording medium manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing the above fourth information recording medium of the present invention,
(A) forming a Cr-containing layer using a Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
And the steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a). I,
A C-containing layer is formed using a C-containing sputtering target containing C as a main component between at least one of step (a) and step (b) and between step (b) and step (c). The method further includes a process.

本発明の情報記録媒体及びその製造方法によれば、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下が抑制され、且つ記録層の結晶化速度が向上した相変化形情報記録媒体の提供が可能となる。   According to the information recording medium and the manufacturing method thereof of the present invention, it is possible to provide a phase change type information recording medium in which a decrease in recording sensitivity, repetitive rewriting performance, and signal strength is suppressed and the crystallization speed of the recording layer is improved. Become.

本発明の第１〜第４の情報記録媒体によれば、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下が抑制され、且つ記録層の結晶化速度が向上した相変化形情報記録媒体の提供が可能となる。   According to the first to fourth information recording media of the present invention, it is possible to provide a phase change information recording medium in which a decrease in recording sensitivity, repetitive rewriting performance and signal strength is suppressed, and the crystallization speed of the recording layer is improved. It becomes possible.

本発明の第１の情報記録媒体において、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な光学的情報記録媒体の場合、Ｃｒ含有層、記録層及びＧａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されていることが好ましい。Ｃｒ含有層を記録層に対してレーザビーム入射側に配置することにより、結晶化速度を高めることができる。Ｇａ含有層を記録層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置することにより、記録層からの熱伝導を抑制してより高い記録感度を得ることができる。それゆえ、Ｃｒ含有層及びＧａ含有層をこのように配置することで、より高い記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能を得ることができる。また、このような光学的情報記録媒体の場合、情報層が、Ｃｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及びＧａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２誘電体層の少なくとも一つをさらに含んでもよい。また、情報層は、Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含んでいてもよい。このように第１及び第２誘電体層の少なくとも一つや、反射層を設けることにより、記録層の光吸収効率や信号強度を高める等の効果も得られる。なお、本明細書では、誘電体層および界面層の名称に関し、同じ情報層に含まれる誘電体層及び界面層を区別するために「第１」及び「第２」を用いており、「第１」とは記録層に対してレーザビーム入射側に配置されていることを意味し、「第２」とは記録層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置されていることを意味する。   In the first information recording medium of the present invention, when the recording layer is an optical information recording medium capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation with a laser beam, the Cr-containing layer, the recording layer, and the Ga The inclusion layers are preferably arranged in this order from the laser beam incident side. By disposing the Cr-containing layer on the laser beam incident side with respect to the recording layer, the crystallization speed can be increased. By disposing the Ga-containing layer on the side opposite to the laser beam incident side with respect to the recording layer, it is possible to suppress heat conduction from the recording layer and obtain higher recording sensitivity. Therefore, by arranging the Cr-containing layer and the Ga-containing layer in this way, higher recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance can be obtained. In the case of such an optical information recording medium, the information layer has a first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the Cr-containing layer and a Ga-containing layer opposite to the laser beam incident side. May further include at least one second dielectric layer disposed on the substrate. The information layer may further include a reflective layer disposed on the side opposite to the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. Thus, by providing at least one of the first and second dielectric layers and the reflective layer, effects such as enhancing the light absorption efficiency and signal intensity of the recording layer can be obtained. In this specification, regarding the names of the dielectric layer and the interface layer, “first” and “second” are used to distinguish between the dielectric layer and the interface layer included in the same information layer. “1” means that the recording layer is disposed on the laser beam incident side, and “second” means that the recording layer is disposed on the opposite side of the laser beam incident side. .

本発明の第１の情報記録媒体は、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であってもよい。この場合、第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが、本発明の第１の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有していることが好ましい。これにより、複数の情報層が設けられた情報記録媒体においても、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下を抑制しつつ、且つ記録層の結晶化速度を向上させることができる。本発明の第１の情報記録媒体が第１情報層〜第Ｎ情報層を含んでおり、さらに、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な光学的情報記録媒体であって、且つレーザビーム入射側から順に第１〜第Ｎの情報層が配置されている場合、少なくとも第１情報層が本発明の第１の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有しており、第１情報層に、レーザビーム入射側から、第１誘電体層、Ｃｒ含有層、記録層、Ｇａ含有層、反射層及び透過率調整層がこの順に設けられていることが好ましい。   The first information recording medium of the present invention may be an information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are laminated. In this case, it is preferable that at least one of the first information layer to the Nth information layer has the same film configuration as that of the information layer included in the first information recording medium of the present invention. Thereby, even in an information recording medium provided with a plurality of information layers, it is possible to improve the crystallization speed of the recording layer while suppressing a decrease in recording sensitivity, repeated rewriting performance and signal intensity. The first information recording medium of the present invention includes a first information layer to an Nth information layer, and the recording layer is optically capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation with a laser beam. In the case where the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side, at least the first information layer is included in the first information recording medium of the present invention. The first information layer has a first dielectric layer, a Cr-containing layer, a recording layer, a Ga-containing layer, a reflective layer, and a transmittance adjusting layer from the laser beam incident side. It is preferable that they are provided in this order.

本発明の第１の情報記録媒体では、Ｃｒ含有層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。好ましくは、Ｃｒ含有層が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含むことである。なお、この場合、Ｃｒ含有層におけるＣｒ含有濃度は５〜４０原子％が好ましく、Ｏ含有濃度は５５〜７５原子％が好ましい。また、Ｃｒ含有層におけるＣｒ2Ｏ3含有濃度は、１０〜９０ｍｏｌ％であることが好ましい。 In the first information recording medium of the present invention, the Cr-containing layer may further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. Preferably, Cr-containing layer is that it includes at least one oxide selected from ZrO 2, HfO 2, Y 2 O 3 and SiO 2, and Cr 2 O 3. In this case, the Cr content in the Cr-containing layer is preferably 5 to 40 atomic%, and the O content is preferably 55 to 75 atomic%. Further, Cr 2 O 3 content concentration in the Cr-containing layer is preferably 10~90mol%.

本発明の第１の情報記録媒体においては、Ｇａ含有層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。この場合、Ｇａ含有層が、下記の組成式：
ＧａA1Ｍ１B1Ｏ100-A1-B1（原子％） …（１）
（但し、Ｍ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ１及びＢ１が、
５＜Ａ１＜４０
２＜Ｂ１＜３０
を満たす材料を含むことが好ましい。すなわち、Ｇａ含有層におけるＧａ含有濃度は５〜４０原子％が好ましい。また、このときのＯ含有濃度は５５〜７５原子％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒを含んでいてもよく、３〜２５原子％含有していることが好ましい。 In the first information recording medium of the present invention, the Ga-containing layer may further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. In this case, the Ga-containing layer has the following composition formula:
Ga A1 M1 B1 O 100-A1-B1 (Atom%) (1)
(However, M1 is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A1 and B1 are
5 <A1 <40
2 <B1 <30
It is preferable that the material which satisfy | fills is satisfy | filled. That is, the Ga content concentration in the Ga content layer is preferably 5 to 40 atomic%. Further, the O-containing concentration at this time is preferably 55 to 75 atomic%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr, and preferably contains 3 to 25 atomic%.

また、本発明の第１の情報記録媒体においては、Ｇａ含有層が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｇａ2Ｏ3を含むことが好ましい。この場合、Ｇａ含有層が、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1（ｍｏｌ％） …（２）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ１が、
１０≦Ｃ１≦９０
を満たす材料を含むことがより好ましい。すなわち、Ｇａ含有層におけるＧａ2Ｏ3含有濃度は１０〜９０ｍｏｌ％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含んでいてもよく、５〜４０ｍｏｌ％含有していることが好ましい。 In the first information recording medium of the present invention, Ga-containing layer, at least one oxide selected from ZrO 2, HfO 2, Y 2 O 3 and SiO 2, it may include a Ga 2 O 3 preferable. In this case, the Ga-containing layer has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 (mol%) (2)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C1 is
10 ≦ C1 ≦ 90
More preferably, a material satisfying the above condition is included. That is, the Ga 2 O 3 content concentration in the Ga-containing layer is preferably 10 to 90 mol%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr 2 O 3, and preferably 5 to 40 mol%.

本発明の第２の情報記録媒体では、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な光学的情報記録媒体の場合、第１のＧａ含有層、記録層及び第２のＧａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されており、情報層が、第１のＧａ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及び第２のＧａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２誘電体層の少なくとも一つをさらに含んでいてもよい。また、情報層が、第２のＧａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含んでもよい。このように第１及び第２誘電体層の少なくとも一つや反射層を設けることにより、記録層の光吸収効率や信号強度を高める等の効果が得られる。   In the second information recording medium of the present invention, when the recording layer is an optical information recording medium capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, the first Ga-containing layer, the recording layer The first and second Ga-containing layers are disposed in this order from the laser beam incident side, and the information layer is disposed on the laser beam incident side with respect to the first Ga-containing layer. The Ga-containing layer may further include at least one second dielectric layer disposed on the side opposite to the laser beam incident side. The information layer may further include a reflective layer disposed on the side opposite to the laser beam incident side with respect to the second Ga-containing layer. By providing at least one of the first and second dielectric layers and the reflective layer in this manner, effects such as increasing the light absorption efficiency and signal intensity of the recording layer can be obtained.

本発明の第２の情報記録媒体は、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であってもよい。この場合、第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが、本発明の第２の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有していることが好ましい。これにより、複数の情報層が設けられた情報記録媒体においても、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下を抑制しつつ、且つ記録層の結晶化速度を向上させることができる。本発明の第２の情報記録媒体が第１情報層〜第Ｎ情報層を含んでおり、さらに、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な光学的情報記録媒体であって、且つレーザビーム入射側から順に第１〜第Ｎの情報層が配置されている場合、少なくとも第１情報層が本発明の第２の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有しており、第１情報層には、レーザビーム入射側から、第１誘電体層、第１のＧａ含有層、記録層、第２のＧａ含有層、反射層及び透過率調整層がこの順に設けられていることが好ましい。   The second information recording medium of the present invention may be an information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are laminated. In this case, it is preferable that at least one of the first information layer to the Nth information layer has a film configuration similar to that of the information layer included in the second information recording medium of the present invention. Thereby, even in an information recording medium provided with a plurality of information layers, it is possible to improve the crystallization speed of the recording layer while suppressing a decrease in recording sensitivity, repeated rewriting performance and signal intensity. The second information recording medium of the present invention includes a first information layer to an Nth information layer, and the recording layer is optically capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation. In the case where the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side, at least the first information layer is included in the second information recording medium of the present invention. The first information layer has a film configuration similar to that of the information layer. From the laser beam incident side, the first dielectric layer, the first Ga-containing layer, the recording layer, the second Ga-containing layer, the reflection It is preferable that the layer and the transmittance adjusting layer are provided in this order.

本発明の第２の情報記録媒体では、第１のＧａ含有層及び第２のＧａ含有層の少なくとも一つが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。この場合、第１のＧａ含有層及び／又は第２のＧａ含有層の少なくとも一つが、上記の組成式（１）を満たし、且つ、５＜Ａ１＜４０及び２＜Ｂ１＜３０を満たす材料を含むことが好ましい。すなわち、第１又は第２のＧａ含有層におけるＧａ含有濃度は５〜４０原子％が好ましい。また、このときのＯ含有濃度は５５〜７５原子％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒを含んでいてもよく、３〜２５原子％含有していることが好ましい。   In the second information recording medium of the present invention, at least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer may further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. . In this case, a material in which at least one of the first Ga-containing layer and / or the second Ga-containing layer satisfies the composition formula (1) and satisfies 5 <A1 <40 and 2 <B1 <30. It is preferable to include. That is, the Ga concentration in the first or second Ga-containing layer is preferably 5 to 40 atomic%. Further, the O-containing concentration at this time is preferably 55 to 75 atomic%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr, and preferably contains 3 to 25 atomic%.

本発明の第２の情報記録媒体では、第１のＧａ含有層及び第２のＧａ含有層の少なくとも一つが、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｇａ2Ｏ3とを含むことが好ましい。この場合、第１のＧａ含有層及び第２のＧａ含有層の少なくとも一つが、上記の組成式（２）を満たし、且つ、１０≦Ｃ１≦９０を満たす材料を含むことがより好ましい。すなわち、第１又は第２のＧａ含有層におけるＧａ2Ｏ3含有濃度は１０〜９０ｍｏｌ％が好ましい。このとき、第１及び／又は第２のＧａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含んでいてもよく、５〜４０ｍｏｌ％含有していることが好ましい。 In the second information recording medium of the present invention, at least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 . And Ga 2 O 3 . In this case, it is more preferable that at least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer contains a material that satisfies the composition formula (2) and satisfies 10 ≦ C1 ≦ 90. That is, the Ga 2 O 3 -containing concentration in the first or second Ga-containing layer is preferably 10 to 90 mol%. In this case, may not have the first and / or second Ga-containing layer further contains Cr 2 O 3, preferably contains 5 to 40 mol%.

本発明の第３の情報記録媒体では、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能である光学的情報記録媒体の場合、第１のＣｒ含有層、記録層、第２のＣｒ含有層及びＧａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されており、情報層が、第１のＣｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及び第２のＣｒ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２の誘電体層の少なくとも一つをさらに含んでいてもよい。また、情報層が、第２のＣｒ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含んでいてもよい。このように第１及び第２誘電体層の少なくとも一つや反射層を設けることにより、記録層の光吸収効率や信号強度を高める等の効果も得られる。   In the third information recording medium of the present invention, in the case of an optical information recording medium in which the recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, the first Cr-containing layer, A recording layer, a second Cr-containing layer, and a Ga-containing layer are arranged in this order from the laser beam incident side, and the information layer is arranged on the laser beam incident side with respect to the first Cr-containing layer. It may further include at least one of a second dielectric layer disposed on the side opposite to the laser beam incident side with respect to the body layer and the second Cr-containing layer. The information layer may further include a reflective layer disposed on the side opposite to the laser beam incident side with respect to the second Cr-containing layer. By providing at least one of the first and second dielectric layers and the reflective layer in this manner, effects such as increasing the light absorption efficiency and signal intensity of the recording layer can be obtained.

本発明の第３の情報記録媒体は、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であってもよい。この場合、第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが、本発明の第３の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有していることが好ましい。これにより、複数の情報層が設けられた情報記録媒体においても、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下を抑制しつつ、且つ記録層の結晶化速度を向上させることができる。本発明の第３の情報記録媒体が第１情報層〜第Ｎ情報層を含んでおり、さらに、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な光学的情報記録媒体であって、且つレーザビーム入射側から順に第１〜第Ｎの情報層が配置されている場合、少なくとも第１情報層が本発明の第３の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有しており、第１情報層には、レーザビーム入射側から、第１誘電体層、第１のＣｒ含有層、記録層、第２のＣｒ含有層、Ｇａ含有層、反射層及び透過率調整層がこの順に設けられていることが好ましい。   The third information recording medium of the present invention may be an information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are laminated. In this case, it is preferable that at least one of the first information layer to the Nth information layer has a film configuration similar to that of the information layer included in the third information recording medium of the present invention. Thereby, even in an information recording medium provided with a plurality of information layers, it is possible to improve the crystallization speed of the recording layer while suppressing a decrease in recording sensitivity, repeated rewriting performance and signal intensity. The third information recording medium of the present invention includes the first information layer to the Nth information layer, and the recording layer is optically capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation. And when the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side, at least the first information layer is included in the third information recording medium of the present invention. It has the same film configuration as the information layer. The first information layer includes, from the laser beam incident side, a first dielectric layer, a first Cr-containing layer, a recording layer, a second Cr-containing layer, Ga The content layer, the reflective layer, and the transmittance adjusting layer are preferably provided in this order.

本発明の第３の情報記録媒体では、第１のＣｒ含有層及び第２のＣｒ含有層の少なくとも一つが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。好ましくは、第１のＣｒ含有層及び第２のＣｒ含有層の少なくとも一つが、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含むことである。なお、この場合、Ｃｒ含有層におけるＣｒ含有濃度は５〜４０原子％が好ましく、Ｏ含有濃度は５５〜７５原子％が好ましい。また、Ｃｒ含有層におけるＣｒ2Ｏ3含有濃度は、１０〜９０ｍｏｌ％であることが好ましい。 In the third information recording medium of the present invention, at least one of the first Cr-containing layer and the second Cr-containing layer may further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. . Preferably, at least one of the first Cr-containing layer and the second Cr-containing layer comprises at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 , and Cr 2 O 3 . Is to include. In this case, the Cr content in the Cr-containing layer is preferably 5 to 40 atomic%, and the O content is preferably 55 to 75 atomic%. Further, Cr 2 O 3 content concentration in the Cr-containing layer is preferably 10~90mol%.

本発明の第３の情報記録媒体では、Ｇａ含有層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。この場合、Ｇａ含有層が、上記の組成式（１）を満たし、且つ、５＜Ａ１＜４０及び２＜Ｂ１＜３０を満たす材料を含むことが好ましい。すなわち、Ｇａ含有層におけるＧａ含有濃度は５〜４０原子％が好ましい。また、このときのＯ含有濃度は５５〜７５原子％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒを含んでいてもよく、３〜２５原子％含有していることが好ましい。   In the third information recording medium of the present invention, the Ga-containing layer may further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. In this case, it is preferable that the Ga-containing layer includes a material that satisfies the composition formula (1) and satisfies 5 <A1 <40 and 2 <B1 <30. That is, the Ga content concentration in the Ga content layer is preferably 5 to 40 atomic%. Further, the O-containing concentration at this time is preferably 55 to 75 atomic%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr, and preferably contains 3 to 25 atomic%.

また、Ｇａ含有層が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｇａ2Ｏ3を含むことが好ましい。この場合、Ｇａ含有層が、上記の組成式（２）を満たし、且つ、１０≦Ｃ１≦９０を満たす材料を含むことがより好ましい。すなわち、Ｇａ含有層におけるＧａ2Ｏ3含有濃度は１０〜９０ｍｏｌ％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含んでいてもよく、５〜４０ｍｏｌ％含有していることが好ましい。 The Ga-containing layer preferably contains Ga 2 O 3 and at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 . In this case, it is more preferable that the Ga-containing layer includes a material that satisfies the composition formula (2) and satisfies 10 ≦ C1 ≦ 90. That is, the Ga 2 O 3 content concentration in the Ga-containing layer is preferably 10 to 90 mol%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr 2 O 3, and preferably 5 to 40 mol%.

本発明の第４の情報記録媒体では、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能である光学的情報記録媒体の場合、Ｃｒ含有層は、記録層に対してレーザビーム入射側に配置され、Ｇａ含有層は、記録層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置されていることが好ましい。Ｃｒ含有層及びＧａ含有層をこのように配置することにより、より高い記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能を得ることができる。また、このような光学的情報記録媒体の場合、情報層が、Ｃｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及びＧａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２誘電体層の少なくとも一つをさらに含んでもよく、Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含んでいてもよい。このように第１及び第２誘電体層の少なくとも一つや反射層を設けることにより、記録層の光吸収効率や信号強度を高める等の効果も得られる。本発明の第４の情報記録媒体には、Ｃｒ含有層と記録層との間及び／又はＧａ含有層と記録層との間にＣ含有層が設けられているので、Ｃｒ含有層と記録層との間及び／又はＧａ含有層と記録層との間の密着性が向上し、高い信頼性が得られる。   In the fourth information recording medium of the present invention, in the case of an optical information recording medium in which the recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, the Cr-containing layer is a recording layer. The Ga-containing layer is preferably disposed on the side opposite to the laser beam incident side with respect to the recording layer. By arranging the Cr-containing layer and the Ga-containing layer in this manner, higher recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance can be obtained. In the case of such an optical information recording medium, the information layer has a first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the Cr-containing layer and a Ga-containing layer opposite to the laser beam incident side. May further include at least one of the second dielectric layers disposed on the substrate, and may further include a reflective layer disposed on the opposite side to the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. By providing at least one of the first and second dielectric layers and the reflective layer in this manner, effects such as increasing the light absorption efficiency and signal intensity of the recording layer can be obtained. In the fourth information recording medium of the present invention, since the C-containing layer is provided between the Cr-containing layer and the recording layer and / or between the Ga-containing layer and the recording layer, the Cr-containing layer and the recording layer And / or adhesion between the Ga-containing layer and the recording layer is improved, and high reliability is obtained.

本発明の第４の情報記録媒体は、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であってもよい。この場合、第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが、本発明の第４の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有していることが好ましい。これにより、複数の情報層が設けられた情報記録媒体においても、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下を抑制しつつ、且つ記録層の結晶化速度を向上させることができる。本発明の第４の情報記録媒体が第１情報層〜第Ｎ情報層を含んでおり、さらに、記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な光学的情報記録媒体であって、且つレーザビーム入射側から順に第１〜第Ｎの情報層が配置されている場合、少なくとも第１情報層が本発明の第４の情報記録媒体に含まれる前記した情報層と同様の膜構成を有しており、第１情報層は、Ｃｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層と、Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に順に配置された反射層及び透過率調整層とをさらに含むことが好ましい。   The fourth information recording medium of the present invention may be an information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are laminated. In this case, it is preferable that at least one of the first information layer to the Nth information layer has a film configuration similar to that of the information layer included in the fourth information recording medium of the present invention. Thereby, even in an information recording medium provided with a plurality of information layers, it is possible to improve the crystallization speed of the recording layer while suppressing a decrease in recording sensitivity, repeated rewriting performance and signal intensity. The fourth information recording medium of the present invention includes the first information layer to the Nth information layer, and the recording layer is optically capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation with a laser beam. In the case where the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side, at least the first information layer is included in the fourth information recording medium of the present invention. The first information layer has a film configuration similar to that of the information layer, the first information layer being disposed on the laser beam incident side with respect to the Cr-containing layer, and the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. It is preferable to further include a reflection layer and a transmittance adjustment layer that are sequentially disposed on the opposite side of the electrode.

本発明の第４の情報記録媒体では、Ｇａ含有層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。この場合、Ｇａ含有層が、上記の組成式（１）を満たし、且つ、５＜Ａ１＜４０及び２＜Ｂ１＜３０を満たす材料を含むことが好ましい。すなわち、Ｇａ含有層におけるＧａ含有濃度は５〜４０原子％が好ましい。また、このときのＯ含有濃度は５５〜７５原子％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒを含んでいてもよく、３〜２５原子％含有していることが好ましい。   In the fourth information recording medium of the present invention, the Ga-containing layer may further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. In this case, it is preferable that the Ga-containing layer includes a material that satisfies the composition formula (1) and satisfies 5 <A1 <40 and 2 <B1 <30. That is, the Ga content concentration in the Ga content layer is preferably 5 to 40 atomic%. Further, the O-containing concentration at this time is preferably 55 to 75 atomic%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr, and preferably contains 3 to 25 atomic%.

また、本発明の第４の情報記録媒体では、Ｇａ含有層が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｇａ2Ｏ3を含むことが好ましい。この場合、Ｇａ含有層が、上記の組成式（２）を満たし、且つ、１０≦Ｃ１≦９０を満たす材料を含むことがより好ましい。すなわち、Ｇａ含有層におけるＧａ2Ｏ3含有濃度は１０〜９０ｍｏｌ％が好ましい。このとき、Ｇａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含んでいてもよく、５〜４０ｍｏｌ％含有していることが好ましい。 In the fourth information recording medium of the present invention, the Ga-containing layer preferably contains Ga 2 O 3 and at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. . In this case, it is more preferable that the Ga-containing layer includes a material that satisfies the composition formula (2) and satisfies 10 ≦ C1 ≦ 90. That is, the Ga 2 O 3 content concentration in the Ga-containing layer is preferably 10 to 90 mol%. At this time, the Ga-containing layer may further contain Cr 2 O 3, and preferably 5 to 40 mol%.

次に、本発明の第１〜第４の情報記録媒体の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the 1st-4th information recording medium of this invention is demonstrated.

第１〜第４の製造方法によれば、記録感度、繰り返し書き換え性能及び信号強度の低下が抑制され、且つ記録層の結晶化速度が向上した第１〜第４の情報記録媒体を製造することができる。   According to the first to fourth manufacturing methods, it is possible to manufacture the first to fourth information recording media in which a decrease in recording sensitivity, repeated rewriting performance, and signal strength is suppressed, and the crystallization speed of the recording layer is improved. Can do.

本発明の第１、第３及び第４の製造方法において用いられるＣｒ含有スパッタリングターゲット（第３の製造方法においては、第１のＣｒ含有スパッタリングターゲット及び第２のＣｒ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つ）は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。このＣｒ含有スパッタリングターゲットは、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含むことが好ましい。 Cr-containing sputtering target used in the first, third, and fourth manufacturing methods of the present invention (in the third manufacturing method, at least one of the first Cr-containing sputtering target and the second Cr-containing sputtering target) May further contain at least one element selected from Zr, Hf, Y and Si. This Cr-containing sputtering target preferably contains at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 and Cr 2 O 3 .

本発明の第１〜第４製造方法において用いられるＧａ含有スパッタリングターゲット（第２の製造方法においては、第１のＧａ含有スパッタリングターゲット及び第２のＧａ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つ）は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでいてもよい。この場合、Ｇａ含有スパッタリングターゲットは、下記の組成式：
ＧａA2Ｍ１B2Ｏ100-A2-B2（原子％） …（３）
（但し、Ｍ１は、前記に同じである。）
で表され、且つ前記Ａ２及びＢ２が、
３＜Ａ２＜４２
０＜Ｂ２＜３２
を満たす材料を含むことが好ましい。このとき、Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒを含んでいてもよい。 The Ga-containing sputtering target used in the first to fourth manufacturing methods of the present invention (at least one of the first Ga-containing sputtering target and the second Ga-containing sputtering target in the second manufacturing method) is Zr, It may further contain at least one element selected from Hf, Y and Si. In this case, the Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
Ga A2 M1 B2 O 100-A2-B2 (atomic%) (3)
(However, M1 is the same as above.)
And A2 and B2 are
3 <A2 <42
0 <B2 <32
It is preferable that the material which satisfy | fills is satisfy | filled. At this time, the Ga-containing sputtering target may further contain Cr.

本発明の第１〜第４の製造方法において用いられるＧａ含有スパッタリングターゲット（第２の製造方法においては、第１のＧａ含有スパッタリングターゲット及び第２のＧａ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つ）は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｇａ2Ｏ3とを含むことが好ましい。この場合、Ｇａ含有スパッタリングターゲットは、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C2（Ｚ１）100-C2（ｍｏｌ％） …（４）
（但し、Ｚ１は、前記に同じである。）
で表され、且つ前記Ｃ２が、
８≦Ｃ２≦９２
を満たす材料を含むことがより好ましい。このとき、Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒ2Ｏ3を含んでいてもよい。 The Ga-containing sputtering target used in the first to fourth manufacturing methods of the present invention (at least one of the first Ga-containing sputtering target and the second Ga-containing sputtering target in the second manufacturing method) is ZrO. It is preferable that at least one oxide selected from 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 and Ga 2 O 3 are included. In this case, the Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C2 (Z1) 100-C2 (mol%) (4)
(However, Z1 is the same as above.)
And the C2 is
8 ≦ C2 ≦ 92
More preferably, a material satisfying the above condition is included. At this time, the Ga-containing sputtering target may further contain Cr 2 O 3 .

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following embodiment is an example, and the present invention is not limited to the following embodiment. Further, in the following embodiments, the same portions may be denoted by the same reference numerals and redundant description may be omitted.

（実施の形態１）
実施の形態１では、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態１の情報記録媒体１５の一部断面図を図１に示す。情報記録媒体１５は、レーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な光学的情報記録媒体である。 (Embodiment 1)
In Embodiment 1, an example of the information recording medium of the present invention will be described. FIG. 1 shows a partial cross-sectional view of the information recording medium 15 of the first embodiment. The information recording medium 15 is an optical information recording medium capable of recording and reproducing information by irradiation with the laser beam 11.

情報記録媒体１５には、基板１４上に情報層１６が設けられ、さらに透明層１３が設けられている。この情報記録媒体１５には、レーザビーム１１が透明層１３側から照射される。情報層１６は、レーザビーム入射側から、第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６及び反射層１０８がこの順に積層されることにより形成されている。   In the information recording medium 15, an information layer 16 is provided on a substrate 14, and a transparent layer 13 is further provided. The information recording medium 15 is irradiated with a laser beam 11 from the transparent layer 13 side. In the information layer 16, the first dielectric layer 102, the first interface layer 103, the recording layer 104, the second interface layer 105, the second dielectric layer 106, and the reflective layer 108 are laminated in this order from the laser beam incident side. It is formed by.

透明層１３は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザビームに対して光吸収が小さいことが好ましく、また、短波長域において複屈折が小さいことが好ましい。また、透明層１３に、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、或いはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、透明層１３を、例えば、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂によって情報層１６に貼り合わせることにより形成できる。   The transparent layer 13 is made of a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, and preferably has a small light absorption with respect to the laser beam used. The birefringence is preferably small in the short wavelength region. Further, the transparent layer 13 may be made of a resin such as a transparent disc-shaped polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or glass. When these materials are used, the transparent layer 13 can be formed by pasting the information layer 16 with a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin.

レーザビーム１１の波長λは、レーザビーム１１を集光した際のスポット径が波長λによって決まってしまう。レーザビーム１１の波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能であるため、高密度記録の場合、レーザビーム１１の波長は、特に４５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、波長λが３５０ｎｍ未満の場合、透明層１３等による光吸収が大きくなってしまう。このため、レーザビーム１１の波長λは３５０ｎｍ以上であることが好ましい。以上より、レーザビーム１１の波長λは、３５０〜４５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。   The wavelength λ of the laser beam 11 is determined by the wavelength λ when the laser beam 11 is condensed. As the wavelength λ of the laser beam 11 is shorter, the light can be condensed to a smaller spot diameter. Therefore, in the case of high-density recording, the wavelength of the laser beam 11 is particularly preferably 450 nm or less. On the other hand, when the wavelength λ is less than 350 nm, light absorption by the transparent layer 13 and the like is increased. Therefore, the wavelength λ of the laser beam 11 is preferably 350 nm or more. As described above, the wavelength λ of the laser beam 11 is more preferably in the range of 350 to 450 nm.

基板１４は、透明で円盤状である。基板１４には、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン又はＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを用いることができる。   The substrate 14 is transparent and disk-shaped. For the substrate 14, for example, a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin or PMMA, or glass can be used.

基板１４の情報層１６側の表面には、必要に応じてレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板１４の情報層１６側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板１４の材料としては、転写性及び量産性に優れ、且つ低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。   A guide groove for guiding the laser beam 11 may be formed on the surface of the substrate 14 on the information layer 16 side as necessary. The surface of the substrate 14 on the side opposite to the information layer 16 side is preferably smooth. As the material for the substrate 14, polycarbonate is particularly useful because of its excellent transferability and mass productivity and low cost.

基板１４の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体１５の全体の厚さが１．２ｍｍ程度となるように、０．５ｍｍ〜１．２ｍｍの範囲内であることが好ましい。なお、透明層１３の厚さが０．６ｍｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能な厚みである。）の場合、基板１４の厚さは０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、透明層１３の厚さが０．１ｍｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録再生が可能な厚みである。）の場合、基板１４の厚みは１．０５ｍｍ〜１．１５ｍｍの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the substrate 14 is preferably in the range of 0.5 mm to 1.2 mm so that it has sufficient strength and the entire thickness of the information recording medium 15 is about 1.2 mm. When the thickness of the transparent layer 13 is about 0.6 mm (NA = 0.6 is a thickness that allows good recording / reproduction), the thickness of the substrate 14 is in the range of 0.55 mm to 0.65 mm. It is preferable to be within. Further, when the thickness of the transparent layer 13 is about 0.1 mm (NA = 0.85 is a thickness capable of good recording / reproduction), the thickness of the substrate 14 is in the range of 1.05 mm to 1.15 mm. It is preferable that

以下、情報層１６の構成について詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration of the information layer 16 will be described in detail.

上述したように、情報層１６は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６及び反射層１０８を備える。   As described above, the information layer 16 includes the first dielectric layer 102, the first interface layer 103, the recording layer 104, the second interface layer 105, and the second dielectric layer 106, which are arranged in order from the incident side of the laser beam 11. And a reflective layer 108.

第１誘電体層１０２は、誘電体からなる。この第１誘電体層１０２は、記録層１０４の酸化、腐食、変形等を防止する働きと、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号振幅を大きくする働きと、を有する。第１誘電体層１０２には、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3等の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3等の弗化物又はＣを用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ2は、第１誘電体層１０２の材料として特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、非晶質材料で、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性および耐湿性が良好である。 The first dielectric layer 102 is made of a dielectric. The first dielectric layer 102 functions to prevent the recording layer 104 from being oxidized, corroded, deformed, and the like, adjusts the optical distance to increase the light absorption efficiency of the recording layer 104, and changes in the amount of reflected light before and after recording. And increasing the signal amplitude. The first dielectric layer 102 includes, for example, TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 2 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Bi 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Ga. it can be used 2 O 3, in oxides such as 2 O 3. Also, C-N, Ti-N, Zr-N, Nb-N, Ta-N, Si-N, Ge-N, Cr-N, Al-N, Ge-Si-N, Ge-Cr-N, etc. Nitride of the above can also be used. Further, sulfides such as ZnS, carbides such as SiC, fluorides such as LaF 3 or C can also be used. A mixture of the above materials can also be used. For example, ZnS-SiO 2, which is a mixture of ZnS and SiO 2 is particularly excellent as the material of the first dielectric layer 102. ZnS—SiO 2 is an amorphous material, has a high refractive index, a high deposition rate, and good mechanical properties and moisture resistance.

第１誘電体層１０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層１０４が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の反射光量の変化が大きくなるという条件を満足するように厳密に決定することができる。   The film thickness of the first dielectric layer 102 satisfies the condition that the change in the amount of reflected light between the case where the recording layer 104 is in the crystalline phase and the case where it is in the amorphous phase becomes large by calculation based on the matrix method. Can be determined strictly.

第１界面層１０３は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０２と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きを有する。第１界面層１０３は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない程度の高融点を有し、且つ、記録層１０４との密着性が良い材料にて形成されることが好ましい。記録の際に溶けない程度の高融点を有する材料であることは、高パワーのレーザビーム１１を照射した際に、第１界面層１０２の材料が溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第１界面層１０３の材料が記録層１０４に混入すると、記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下するからである。また、記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。   The first interface layer 103 has a function of preventing mass transfer that occurs between the first dielectric layer 102 and the recording layer 104 due to repeated recording. The first interface layer 103 is preferably formed of a material that absorbs less light, has a high melting point that does not dissolve during recording, and has good adhesion to the recording layer 104. The material having a high melting point that does not melt during recording is necessary for the material of the first interface layer 102 to melt and not enter the recording layer 104 when irradiated with the high-power laser beam 11. It is a characteristic. This is because when the material of the first interface layer 103 is mixed into the recording layer 104, the composition of the recording layer 104 is changed and the rewriting performance is significantly lowered. In addition, the material having good adhesion to the recording layer 104 is a characteristic necessary for ensuring reliability.

第２界面層１０５も、第１界面層１０３と同様に、繰り返し記録によって第２誘電体層１０６と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きがある。従って、同様の性質を有する材料にて形成されることが好ましい。   Similar to the first interface layer 103, the second interface layer 105 also has a function of preventing mass transfer that occurs between the second dielectric layer 106 and the recording layer 104 due to repeated recording. Therefore, it is preferable to form with the material which has the same property.

本実施の形態における第１界面層１０３及び第２界面層１０５は、次の４つ（（Ｉ）〜（IV））の組み合わせのうち何れかを用いて形成することができる。

（Ｉ）第１界面層１０３及び第２界面層１０５の一方を、少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層にて形成し、他方を、少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層にて形成する。
（II）第１界面層１０３及び第２界面層１０５の両方を、少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層にて形成する。
（III）第１界面層１０３及び第２界面層１０５の一方を、少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層にて形成し、他方を、少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層と、少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層との２層にて形成する。
（IV）第１界面層１０３及び第２界面層１０５の一方を、少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層にて形成し、他方を、少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層にて形成し、且つ、記録層とＣｒ含有層との間及び記録層とＧａ含有層との間の少なくとも一方に主成分としてＣを含むＣ含有層をさらに設ける。

本実施の形態では、（Ｉ）の組み合わせで第１界面層１０３及び第２界面層１０５を形成した場合の例について説明する。 The first interface layer 103 and the second interface layer 105 in this embodiment can be formed using any one of the following four combinations ((I) to (IV)).

(I) One of the first interface layer 103 and the second interface layer 105 is formed of a Cr-containing layer containing at least Cr and O, and the other is formed of a Ga-containing layer containing at least Ga and O.
(II) Both the first interface layer 103 and the second interface layer 105 are formed of a Ga-containing layer containing at least Ga and O.
(III) One of the first interface layer 103 and the second interface layer 105 is formed of a Cr-containing layer containing at least Cr and O, and the other is formed of a Cr-containing layer containing at least Cr and O, and at least Ga and O It forms in two layers with the Ga content layer containing.
(IV) One of the first interface layer 103 and the second interface layer 105 is formed with a Cr-containing layer containing at least Cr and O, and the other is formed with a Ga-containing layer containing at least Ga and O, and A C-containing layer containing C as a main component is further provided between at least one of the recording layer and the Cr-containing layer and between the recording layer and the Ga-containing layer.

In this embodiment, an example in which the first interface layer 103 and the second interface layer 105 are formed by a combination of (I) will be described.

本実施の形態では、第１界面層１０３は、ＣｒとＯとを含む材料又はＧａとＯとを含む材料にて形成される。すなわち、第１界面層１０３はＣｒ含有層又はＧａ含有層である。ここでのＣｒ含有層は、ＣｒとＯとにより形成された酸化物Ｃｒ2Ｏ3を含むことが好ましい。Ｇａ含有層は、ＧａとＯとにより形成された酸化物Ｇａ2Ｏ3を含むことが好ましい。Ｃｒ2Ｏ3やＧａ2Ｏ3は記録層１０４との密着性が良い材料であるため、第１界面層１０３がこれらの酸化物を含むことにより記録層１０４との密着性が向上するからである。 In the present embodiment, the first interface layer 103 is formed of a material containing Cr and O or a material containing Ga and O. That is, the first interface layer 103 is a Cr-containing layer or a Ga-containing layer. The Cr-containing layer here preferably contains an oxide Cr 2 O 3 formed of Cr and O. The Ga-containing layer preferably contains an oxide Ga 2 O 3 formed of Ga and O. Since Cr 2 O 3 and Ga 2 O 3 are materials having good adhesion to the recording layer 104, the adhesion with the recording layer 104 is improved when the first interface layer 103 contains these oxides. is there.

また、第１界面層１０３は、ＣｒとＯ又はＧａとＯの他に、Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素）をさらに含んでいてもよい。これらの元素は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2のように、酸化物として含まれていることが好ましい。例えば、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2は、透明で、融点が約２７００〜２８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料である。従って、第１界面層１０３がこれらの酸化物を含むことにより、繰り返し書き換え性能が向上する。この２種類の酸化物を混合することによって、記録層１０４と接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い情報記録媒体１５が実現できる。 In addition to Cr and O or Ga and O, the first interface layer 103 may further contain M1 (where M1 is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si). These elements are preferably contained as oxides such as ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 . For example, ZrO 2 and HfO 2 are transparent materials having a high melting point of about 2700 to 2800 ° C. and a low thermal conductivity among oxides. Therefore, when the first interface layer 103 includes these oxides, the repeated rewrite performance is improved. By mixing these two kinds of oxides, even when formed in contact with the recording layer 104, the information recording medium 15 having excellent repetitive rewriting performance and high reliability can be realized.

第１界面層１０３がＺｒＯ2及びＨｆＯ2の少なくとも一つを含む場合、記録層１０４との密着性を確保するため、第１界面層１０３に含まれるＣｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2又はＣｒ2Ｏ3−ＨｆＯ2中のＣｒ2Ｏ3含有量、或いはＧａ2Ｏ3−ＺｒＯ2又はＧａ2Ｏ3−ＨｆＯ2中のＧａ2Ｏ3の含有量は、１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。また、光吸収を小さく保つために、Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2又はＣｒ2Ｏ3−ＨｆＯ2中のＣｒ2Ｏ3含有量、或いはＧａ2Ｏ3−ＺｒＯ2又はＧａ2Ｏ3−ＨｆＯ2中のＧａ2Ｏ3の含有量は、９０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。 When the first interface layer 103 contains at least one of ZrO 2 and HfO 2 , Cr 2 O 3 —ZrO 2 or Cr 2 O contained in the first interface layer 103 is used to ensure adhesion with the recording layer 104. 3 -HfO Cr 2 O 3 content of 2, or the content of Ga 2 O 3 -ZrO 2 or Ga 2 O 3 -HfO in 2 Ga 2 O 3 is preferably not less than 10 mol%. In order to keep the light absorption decreases, Cr 2 O 3 -ZrO 2 or Cr 2 O 3 -HfO Cr 2 O 3 content of 2, or Ga 2 O 3 -ZrO 2 or Ga 2 O 3 -HfO 2 content of Ga 2 O 3 in is preferably not more than 90 mol%.

また、第１界面層１０３が元素Ｍ１としてＳｉを含む場合、ＳｉはＳｉＯ2のように酸化物として含まれることが好ましい。ＳｉＯ2を含むことにより、第１界面層１０３の透明性が高くなり、さらに記録性能に優れた情報層１６を実現できる。ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3中又はＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3中のＳｉＯ2の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、９０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。より好ましくは、１０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下である。 Further, when the first interface layer 103 includes Si as the element M1, it is preferable that Si is included as an oxide like SiO 2 . By including SiO 2 , the transparency of the first interface layer 103 is increased, and the information layer 16 having excellent recording performance can be realized. The content of SiO 2 in SiO 2 —Cr 2 O 3 or SiO 2 —Ga 2 O 3 is preferably 10 mol% or more, and preferably 90 mol% or less. More preferably, it is 10 mol% or more and 40 mol% or less.

また、第１界面層１０３が元素Ｍ１としてＹを含む場合も、ＹはＹ2Ｏ3のように酸化物として含まれることが好ましい。Ｙ2Ｏ3を含むことにより、より優れた繰り返し書き換え性能を有する情報層を実現できるＹ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3やＹ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3中のＹ2Ｏ3の含有量は、１０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、９０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。 Also, when the first interface layer 103 includes Y as the element M1, Y is preferably included as an oxide, such as Y 2 O 3 . By including Y 2 O 3, the content of Y 2 O 3 -Cr 2 O 3 and Y 2 O 3 -Ga in 2 O 3 Y 2 O 3, which can realize an information layer having more excellent repeated rewriting performance Is preferably 10 mol% or more, and preferably 90 mol% or less.

第１界面層１０３の膜厚は、第１界面層１０３での光吸収によって情報層１６における記録前後の反射光量の変化が小さくならないよう、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜７ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。   The thickness of the first interface layer 103 is preferably in the range of 0.5 nm to 15 nm so that the change in the amount of reflected light before and after recording in the information layer 16 does not become small due to light absorption in the first interface layer 103. More preferably, it is in the range of 1 nm to 7 nm.

第２界面層１０５は、第１界面層１０３をＣｒ含有層にて形成した場合は、ＧａとＯを含む材料にて形成される。すなわち、この場合の第２界面層１０５はＧａ層にて形成される。その中でも、ＧａとＯとがＧａ2Ｏ3を形成した酸化物を含むＧａ含有層とすることが好ましい。第１界面層１０３をＧａ含有層にて形成した場合は、第２界面層１０３はＣｒとＯとを含む材料にて形成される。すなわち、この場合の第２界面層１０５はＣｒ含有層にて形成される。その中でも、ＣｒとＯがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物を含むことが好ましい。また、第１界面層１０２と同様に、ＣｒとＯ又はＧａとＯの他に、元素Ｍ１をさらに含んでもよい。第２界面層１０５は第１界面層１０３より記録層１０４との密着性が悪い傾向にあるため、Ｃｒ2Ｏ3及びＧａ2Ｏ3の含有量は第１界面層１０３の含有量よりも多い２０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。 The second interface layer 105 is formed of a material containing Ga and O when the first interface layer 103 is formed of a Cr-containing layer. That is, the second interface layer 105 in this case is formed of a Ga layer. Among these, a Ga-containing layer containing an oxide in which Ga and O form Ga 2 O 3 is preferable. When the first interface layer 103 is formed of a Ga-containing layer, the second interface layer 103 is formed of a material containing Cr and O. That is, the second interface layer 105 in this case is formed of a Cr-containing layer. Among these, it is preferable that Cr and O include an oxide in which Cr 2 O 3 is formed. Further, similarly to the first interface layer 102, in addition to Cr and O or Ga and O, the element M1 may further be included. Since the second interface layer 105 tends to have poorer adhesion to the recording layer 104 than the first interface layer 103, the contents of Cr 2 O 3 and Ga 2 O 3 are larger than the contents of the first interface layer 103. It is preferable that it is 20 mol% or more.

第２界面層１０５の膜厚は、第１界面層１０３と同様に、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜７ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。   The film thickness of the second interface layer 105 is preferably in the range of 0.5 nm to 15 nm, and more preferably in the range of 1 nm to 7 nm, like the first interface layer 103.

第２誘電体層１０６には、第１誘電体層１０２と同様の系の材料を用いることができる。その中でも、特にＢｉ2Ｏ3とＳｉＯ2との混合物であるＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2は、熱伝導率が低く、且つＳを含まない材料であるため、第２誘電体層１０６として優れた材料である。 For the second dielectric layer 106, a material similar to that of the first dielectric layer 102 can be used. Among them, Bi 2 O 3 —SiO 2 , which is a mixture of Bi 2 O 3 and SiO 2 , is particularly excellent as the second dielectric layer 106 because it has a low thermal conductivity and does not contain S. Material.

第２誘電体層１０６の膜厚は、２ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内であることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第２誘電体層１０６の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、記録層１０４で発生した熱を効果的に反射層１０８側に拡散させることができる。   The film thickness of the second dielectric layer 106 is preferably in the range of 2 nm to 75 nm, and more preferably in the range of 2 nm to 40 nm. By selecting the film thickness of the second dielectric layer 106 within this range, the heat generated in the recording layer 104 can be effectively diffused to the reflective layer 108 side.

記録層１０４の材料は、レーザビーム１１の照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。記録層１０４は、例えばＧｅ、Ｔｅ及びＭ２（但し、Ｍ２は、Ｓｂ及びＢｉから選択される少なくとも一つの元素である。）を含む材料で形成でき、さらにＧａ及びＩｎの少なくとも一つの元素を含んでいてもよい。具体的には、記録層１０４は、Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aで表される材料で形成できる。この材料では、非晶質相が安定で低い転送レートでの記録保存性が良好で、融点の上昇と結晶化速度の低下が少なく高い転送レートでの書き換え保存性が良好となるように、０＜ａ≦６０の関係を満たすことが望ましく、４≦ａ≦４０の関係を満たすことがより好ましい。また、非晶質相が安定で、結晶化速度の低下が少ない１．５≦ｂ≦７の関係を満たすことが好ましく、２≦ｂ≦４の関係を満たすことがより好ましい。 The recording layer 104 is made of a material that causes a reversible phase change between a crystalline phase and an amorphous phase when irradiated with the laser beam 11. The recording layer 104 can be formed of a material including, for example, Ge, Te, and M2 (where M2 is at least one element selected from Sb and Bi), and further includes at least one element of Ga and In. You may go out. Specifically, the recording layer 104 can be formed of a material represented by Ge a (M2) b Te 3 + a . This material is stable so that the amorphous phase is stable, the recording stability at a low transfer rate is good, and the rewriting stability at a high transfer rate is good with little increase in melting point and decrease in crystallization speed. It is desirable to satisfy the relationship <a ≦ 60, and it is more preferable to satisfy the relationship 4 ≦ a ≦ 40. Further, it is preferable that the relationship of 1.5 ≦ b ≦ 7 is satisfied and the relationship of 2 ≦ b ≦ 4 is satisfied, in which the amorphous phase is stable and the decrease in the crystallization rate is small.

また、記録層１０４は、Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aにおいてＧｅの一部をＳｎ及びＰｂから選択される少なくとも一つの元素（Ｍ３）で置換した材料（Ｇｅ−Ｍ３）a（Ｍ２）bＴｅ3+aで形成しても良い。この材料を用いた場合、Ｇｅを置換した元素Ｍ３が結晶化能を向上させるため、記録層１０４の膜厚が薄い場合でも十分な消去率が得られる。元素Ｍ３としては、毒性がない点でＳｎがより好ましい。この材料を用いる場合も、０＜ａ≦６０（より好ましくは４≦ａ≦４０）、且つ１．５≦ｂ≦７（より好ましくは２≦ｂ≦４）であることが好ましい。 The recording layer 104 is made of a material (Ge-M3) a (M2) in which Ge is partially substituted with at least one element (M3) selected from Sn and Pb in Ge a (M2) b Te 3 + a . b You may form with Te3 + a . When this material is used, since the element M3 substituted with Ge improves the crystallization ability, a sufficient erasure rate can be obtained even when the recording layer 104 is thin. As the element M3, Sn is more preferable because of no toxicity. Also when using this material, it is preferable that 0 <a ≦ 60 (more preferably 4 ≦ a ≦ 40) and 1.5 ≦ b ≦ 7 (more preferably 2 ≦ b ≦ 4).

また、記録層１０４では、例えばＳｂとＭ４（但し、Ｍ４はＶ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＡｕから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む材料で形成することもできる。具体的には、記録層１０４は、Ｓｂx（Ｍ４）100-x（原子％）で表される材料で形成できる。ｘが５０≦ｘ≦９５を満たす場合には、記録層１０４が結晶相の場合と非晶質相の場合との間の情報記録媒体１５の反射率差を大きくでき、良好な記録再生特性が得られる。その中でも、ｘが７５≦ｘ≦９５を満たす場合には、結晶化速度が特に速く、高い転送レートにおいて良好な書き換え性能が得られる。また、５０≦ｘ≦７５の場合には、非晶質相が特に安定で、低い転送レートにおいて良好な記録性能が得られる。 Further, the recording layer 104 includes, for example, Sb and M4 (where M4 is at least one element selected from V, Mn, Ga, Ge, Se, Ag, In, Sn, Te, Pb, Bi, and Au). It can also be made of a material. Specifically, the recording layer 104 can be formed of a material represented by Sb x (M4) 100-x (atomic%). When x satisfies 50 ≦ x ≦ 95, the reflectance difference of the information recording medium 15 between the case where the recording layer 104 is in the crystalline phase and the case where it is in the amorphous phase can be increased, and good recording / reproducing characteristics can be obtained. can get. Among them, when x satisfies 75 ≦ x ≦ 95, the crystallization speed is particularly fast, and good rewriting performance can be obtained at a high transfer rate. Further, when 50 ≦ x ≦ 75, the amorphous phase is particularly stable, and good recording performance can be obtained at a low transfer rate.

記録層１０４の膜厚は、情報層１６の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内においても、記録層１０４が厚い場合には熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層１０４が薄い場合には情報層１６の反射率が小さくなる。従って、記録層１０４の膜厚は、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。   The film thickness of the recording layer 104 is preferably in the range of 6 nm to 15 nm in order to increase the recording sensitivity of the information layer 16. Even within this range, when the recording layer 104 is thick, the thermal influence on the adjacent region due to the diffusion of heat in the in-plane direction becomes large. Further, when the recording layer 104 is thin, the reflectance of the information layer 16 becomes small. Therefore, the film thickness of the recording layer 104 is more preferably in the range of 8 nm to 13 nm.

反射層１０８は、記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１０８は、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層１０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。   The reflective layer 108 has an optical function of increasing the amount of light absorbed by the recording layer 104. The reflective layer 108 also has a thermal function of quickly diffusing heat generated in the recording layer 104 and making the recording layer 104 easily amorphous. Furthermore, the reflective layer 108 also has a function of protecting the multilayer film from the environment in which it is used.

反射層１０８の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ又はＣｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特にＡｇ合金は、熱伝導率が大きいため、反射層１０８の材料として好ましい。反射層１０８の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層１０８が２００ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて情報層１６の記録感度が低下する。従って、反射層１０８の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。   As the material of the reflective layer 108, a single metal having high thermal conductivity such as Ag, Au, Cu, and Al can be used. Al-Cr, Al-Ti, Au-Pd, Au-Cr, Ag-Pd, Ag-Pd-Cu, Ag-Pd-Ti, Ag-Ru-Au, Ag-Cu-Ni, Ag-Zn- An alloy such as Al, Ag—Nd—Au, Ag—Nd—Cu, or Cu—Si can also be used. In particular, an Ag alloy is preferable as the material of the reflective layer 108 because of its high thermal conductivity. The thickness of the reflective layer 108 is preferably 30 nm or more so that the thermal diffusion function is sufficient. Even within this range, when the reflective layer 108 is thicker than 200 nm, its thermal diffusion function becomes too large, and the recording sensitivity of the information layer 16 decreases. Therefore, the thickness of the reflective layer 108 is more preferably in the range of 30 nm to 200 nm.

反射層１０８と第２誘電体層１０６の間に、反射層１０８よりも熱伝導率の低い材料にて形成された低熱伝導層をさらに配置してもよい。この場合、この低熱伝導層は、上記した反射層１０８の材料より熱伝導率の低い材料を用いて形成できる。例えば、反射層１０８にＡｇ合金を用いた場合、この低熱伝導層にはＡｌ又はＡｌ合金を用いることができる。また、低熱伝導層には、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃ等の単体や、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3等の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物及びＬａＦ3等の弗化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。低熱伝導層の膜厚は、３ｎｍ〜１００ｎｍ（より好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍ）の範囲内であることが好ましい。 A low thermal conductive layer formed of a material having a lower thermal conductivity than that of the reflective layer 108 may be further disposed between the reflective layer 108 and the second dielectric layer 106. In this case, the low thermal conductive layer can be formed using a material having a lower thermal conductivity than the material of the reflective layer 108 described above. For example, when an Ag alloy is used for the reflective layer 108, Al or an Al alloy can be used for the low thermal conductive layer. For the low thermal conductive layer, Cr, Ni, Si, C or the like, TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 , oxides such as Bi 2 O 3 , Cr 2 O 3 and Ga 2 O 3 can be used. Also, C-N, Ti-N, Zr-N, Nb-N, Ta-N, Si-N, Ge-N, Cr-N, Al-N, Ge-Si-N, Ge-Cr-N, etc. Nitride of the above can also be used. Further, sulfides such as ZnS, carbides such as SiC, and fluorides such as LaF 3 can also be used. A mixture of the above materials can also be used. The film thickness of the low thermal conductive layer is preferably in the range of 3 nm to 100 nm (more preferably 10 nm to 50 nm).

情報層１６において、記録層１０４が結晶相である場合の反射率Ｒｃ（％）及び記録層１０４が非晶質相である場合の反射率Ｒａ（％）は、Ｒａ＜Ｒｃを満たすことが好ましい。これにより、情報が記録された状態よりも情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒｃ−Ｒａ）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒｃ、Ｒａは、０．２≦Ｒａ≦１０、且つ、１２≦Ｒｃ≦４０を満たすことが好ましく、０．２≦Ｒａ≦５、且つ、１２≦Ｒｃ≦３０を満たすことがより好ましい。   In the information layer 16, the reflectance Rc (%) when the recording layer 104 is in a crystalline phase and the reflectance Ra (%) when the recording layer 104 is in an amorphous phase preferably satisfy Ra <Rc. . Thereby, the reflectance is higher in the initial state where no information is recorded than in the state where information is recorded, and the recording / reproducing operation can be performed stably. Further, it is preferable that Rc and Ra satisfy 0.2 ≦ Ra ≦ 10 and 12 ≦ Rc ≦ 40 so that a good recording / reproducing characteristic can be obtained by increasing the difference in reflectance (Rc−Ra). More preferably, 0.2 ≦ Ra ≦ 5 and 12 ≦ Rc ≦ 30 are satisfied.

情報記録媒体１５は、以下に説明する方法によって製造できる。   The information recording medium 15 can be manufactured by the method described below.

まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に情報層１６を積層する。情報層１６は多層膜からなるが、それらの各層は、成膜装置内で材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。   First, the information layer 16 is laminated on the substrate 14 (having a thickness of 1.1 mm, for example). The information layer 16 is formed of a multilayer film, and each of these layers can be formed by sequentially sputtering a sputtering target as a material in a film forming apparatus.

具体的には、まず、基板１４上に反射層１０８を成膜する。反射層１０８は、反射層１０８を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中又はＡｒガスと反応ガス（酸素ガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。   Specifically, first, the reflective layer 108 is formed on the substrate 14. The reflective layer 108 is a sputtering target made of a metal or an alloy constituting the reflective layer 108 in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas (at least one gas selected from oxygen gas and nitrogen gas). Can be formed by sputtering.

続いて、反射層１０８上に、必要に応じて低熱伝導層を成膜する。低熱伝導層は、低熱伝導層を構成する元素又は化合物からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中又はＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。   Subsequently, a low thermal conductive layer is formed on the reflective layer 108 as necessary. The low thermal conductive layer can be formed by sputtering a sputtering target made of an element or a compound constituting the low thermal conductive layer in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas.

続いて、反射層１０８上（低熱伝導層が形成されている場合は低熱伝導層上）に、第２誘電体層１０６を成膜する。第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する化合物からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中又はＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。また、第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する元素を含む金属からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすることによっても形成できる。   Subsequently, the second dielectric layer 106 is formed on the reflective layer 108 (on the low thermal conductive layer when the low thermal conductive layer is formed). The second dielectric layer 106 can be formed by sputtering a sputtering target made of a compound constituting the second dielectric layer 106 in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas. The second dielectric layer 106 can also be formed by reactive sputtering of a sputtering target made of a metal containing an element constituting the second dielectric layer 106 in a mixed gas atmosphere of Ar gas and reactive gas. .

続いて、第２誘電体層１０６上に、第２界面層１０５を成膜する。第２界面層１０５を構成する化合物からなるスパッタリングターゲット（第２界面層１０５をＣｒ含有層にて形成する場合はＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲット、Ｇａ含有層にて形成する場合はＧａ含有スパッタリングターゲット）を、Ａｒガス雰囲気中又はＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって、第２誘電体層１０６上に第２界面層１０５を形成できる。   Subsequently, a second interface layer 105 is formed on the second dielectric layer 106. Sputtering target made of a compound constituting the second interface layer 105 (when the second interface layer 105 is formed of a Cr-containing layer, a Cr-containing sputtering target containing Cr and O, and when formed of a Ga-containing layer, Ga-containing) The second interface layer 105 can be formed on the second dielectric layer 106 by sputtering the sputtering target in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas.

続いて、第２界面層１０５上に、記録層１０４を成膜する。記録層１０４は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｍ２合金からなるスパッタリングターゲット、Ｇｅ−Ｍ３−Ｔｅ−Ｍ２合金からなるスパッタリングターゲット又はＳｂ−Ｍ４合金からなるスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。   Subsequently, the recording layer 104 is formed on the second interface layer 105. According to the composition of the recording layer 104, a sputtering target made of Ge-Te-M2 alloy, a sputtering target made of Ge-M3-Te-M2 alloy, or a sputtering target made of Sb-M4 alloy is used with one power source. Can be formed by sputtering.

記録層１０４を成膜する際のスパッタリングの雰囲気ガスには、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス又はＫｒガスと反応ガスとの混合ガスを用いることができる。また、記録層１０４は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｍ２、Ｍ３、Ｓｂ及びＭ４のうち必要な元素の金属からなる各スパッタリングターゲットを、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。また、記録層１０４は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｍ２、Ｍ３、Ｓｂ及びＭ４から必要な元素を組み合わせた２元系スパッタリングターゲットや３元系スパッタリングターゲットなどを、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらの場合でも、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中、又はＫｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。   Argon gas, Kr gas, a mixed gas of Ar gas and a reactive gas, or a mixed gas of Kr gas and a reactive gas can be used as an atmosphere gas for sputtering when forming the recording layer 104. The recording layer 104 can also be formed by simultaneously sputtering each sputtering target made of a metal of a required element among Ge, Te, M2, M3, Sb, and M4 using a plurality of power supplies. The recording layer 104 is formed by simultaneously sputtering a binary sputtering target or a ternary sputtering target in which necessary elements are combined from Ge, Te, M2, M3, Sb, and M4 using a plurality of power supplies. It can also be formed. Even in these cases, it can be formed by sputtering in an Ar gas atmosphere, a Kr gas atmosphere, a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas, or a mixed gas atmosphere of Kr gas and a reactive gas.

続いて、記録層１０４上に、第１界面層１０３を成膜する。第１界面層１０３を構成する化合物からなるスパッタリングターゲット（Ｃｒ含有層にて形成する場合はＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲット、Ｇａ含有層にて形成する場合はＧａ含有スパッタリングターゲット）を、Ａｒガス雰囲気中又はＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。   Subsequently, a first interface layer 103 is formed on the recording layer 104. A sputtering target made of a compound constituting the first interface layer 103 (Cr-containing sputtering target containing Cr and O when forming with a Cr-containing layer, Ga-containing sputtering target when forming with a Ga-containing layer), Ar It can be formed by sputtering in a gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and reaction gas.

続いて、第１界面層１０３上に、第１誘電体層１０２を成膜する。第１誘電体層１０２は、第１誘電体層１０２を構成する化合物からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。また、第１誘電体層１０２は、第１誘電体層１０２を構成する元素を含む金属からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすることによっても形成できる。   Subsequently, the first dielectric layer 102 is formed on the first interface layer 103. The first dielectric layer 102 can be formed by sputtering a sputtering target made of a compound constituting the first dielectric layer 102 in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas. The first dielectric layer 102 can also be formed by reactive sputtering of a sputtering target made of a metal containing an element constituting the first dielectric layer 102 in a mixed gas atmosphere of Ar gas and reactive gas. .

最後に、第１誘電体層１０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層１３は、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン又はＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラス等の基板を用いて形成することもできる。この場合、透明層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布して、基板を第１誘電体層１０２上に密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、予め粘着性の樹脂を均一に塗布した基板を第１誘電体層１０２に密着させることもできる。   Finally, the transparent layer 13 is formed on the first dielectric layer 102. The transparent layer 13 can be formed by applying a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first dielectric layer 102 and spin-coating, and then curing the resin. The transparent layer 13 can also be formed using a transparent disc-shaped polycarbonate, a resin such as amorphous polyolefin or PMMA, or a substrate such as glass. In this case, the transparent layer 13 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first dielectric layer 102, and the substrate is the first dielectric layer 102. It can be formed by making the resin adhere to the surface after spin coating. Further, a substrate on which an adhesive resin is uniformly applied in advance can be brought into close contact with the first dielectric layer 102.

なお、第１誘電体層１０２を成膜した後、又は透明層１３を形成した後、必要に応じて、記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   In addition, after forming the first dielectric layer 102 or forming the transparent layer 13, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 104 may be performed as necessary. The recording layer 104 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

以上のようにして、情報記録媒体１５を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法等を用いることも可能である。   The information recording medium 15 can be manufactured as described above. In this embodiment, the sputtering method is used as a method for forming each layer. However, the present invention is not limited to this, but a vacuum deposition method, an ion plating method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, an MBE (Molecular Beam Epitaxy). It is also possible to use a law or the like.

（実施の形態２）
実施の形態２では、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態２の情報記録媒体１９の一部断面図を図２に示す。情報記録媒体１９は、複数の情報層を含んでおり、片面からのレーザビーム１１の照射によって各情報層に対する情報の記録再生が可能な多層構造の光学的情報記録媒体（以下、多層光学的情報記録媒体という。）である。 (Embodiment 2)
In Embodiment 2, an example of the information recording medium of the present invention will be described. A partial cross-sectional view of the information recording medium 19 of Embodiment 2 is shown in FIG. The information recording medium 19 includes a plurality of information layers, and an optical information recording medium having a multilayer structure (hereinafter referred to as multilayer optical information) capable of recording / reproducing information with respect to each information layer by irradiation with a laser beam 11 from one side. It is called a recording medium.

情報記録媒体１９には、基板１４上に、Ｎ組（ＮはＮ≧２を満たす整数）の情報層（第Ｎ情報層１８N、…、第２情報層１８2、第１情報層１８1）が光学分離層１７を介して順に積層され、さらに第１情報層１８1上に透明層１３が設けられている。なお、本明細書においては、レーザビーム１１の入射側から数えて１組目の情報層を第１情報層１８1、Ｎ組目の情報層を第Ｎ情報層１８Nという。ここで、レーザビーム１１の入射側から数えて（Ｎ−１）組目までの情報層は、レーザビーム１１の入射側から見て最も遠くに設けられた第Ｎ情報層１８Nにレーザビーム１１を到達させるために、光透過性を有している。基板１４及び透明層１３には、実施の形態１で説明したものと同様の材料を用いることができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した形状及び機能と同様である。 The information recording medium 19 has N groups (N is an integer satisfying N ≧ 2) of information layers (Nth information layer 18 N ,..., Second information layer 18 2 , first information layer 18 1 on the substrate 14. ) are laminated in this order via the optical separation layer 17, and further the transparent layer 13 is provided on a first information layer 18 1. In the present specification, the first information layer 18 1 counted from the incident side of the laser beam 11 is referred to as a first information layer 18 1 , and the Nth information layer is referred to as an Nth information layer 18 N. Here, the information layers from the incident side of the laser beam 11 to the (N−1) th set are arranged on the Nth information layer 18 N provided farthest when viewed from the incident side of the laser beam 11. In order to reach the light. For the substrate 14 and the transparent layer 13, the same materials as those described in Embodiment 1 can be used. Also, the shape and function thereof are the same as those described in the first embodiment.

光学分離層１７は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂、或いは誘電体等からなり、使用するレーザビーム１１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。   The optical separation layer 17 is made of a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, and preferably has a small light absorption with respect to the laser beam 11 to be used. It is preferable that the birefringence is small optically in the short wavelength region.

光学分離層１７は、情報記録媒体１９の第１情報層１８1、第２情報層１８2、…、第Ｎ情報層１８Nそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。光学分離層１７の厚さは、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザビーム１１の波長（λ）によって決定される焦点深度（ΔＺ）以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、焦点深度（ΔＺ）は、ΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のとき、ΔＺ＝０．２８０μｍとなり、±０．３μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、光学分離層１７の厚さは０．６μｍ以上であることが必要である。また、対物レンズを用いてレーザ光を集光可能な範囲となるように、各情報層間の距離を設定することが望ましい。従って、光学分離層１７の厚さの合計は、対物レンズが許容できる公差内（例えば５０μｍ以下）にすることが好ましい。 The optical separation layer 17 is a layer provided to distinguish the focus positions of the first information layer 18 1 , the second information layer 18 2 ,..., The Nth information layer 18 N of the information recording medium 19. The thickness of the optical separation layer 17 needs to be equal to or greater than the depth of focus (ΔZ) determined by the numerical aperture (NA) of the objective lens and the wavelength (λ) of the laser beam 11. Assuming that the reference of the light intensity at the focal point is 80% of the case of no aberration, the focal depth (ΔZ) can be approximated by ΔZ = λ / {2 (NA) 2 }. When λ = 405 nm and NA = 0.85, ΔZ = 0.280 μm, and within ± 0.3 μm is within the depth of focus. Therefore, in this case, the thickness of the optical separation layer 17 needs to be 0.6 μm or more. In addition, it is desirable to set the distance between the information layers so that the laser beam can be collected using the objective lens. Therefore, the total thickness of the optical separation layer 17 is preferably within a tolerance (for example, 50 μm or less) that the objective lens can accept.

光学分離層１７において、レーザビーム１１の入射側の表面には、必要に応じてレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されていてもよい。   In the optical separation layer 17, a guide groove for guiding the laser beam 11 may be formed on the surface on the incident side of the laser beam 11 as necessary.

この場合、片側からのレーザビーム１１の照射のみにより、第Ｋ情報層（Ｋは１＜Ｋ≦Ｎの整数）を第１〜第（Ｋ−１）情報層を透過したレーザビーム１１によって記録再生することが可能である。   In this case, recording and reproduction of the Kth information layer (K is an integer of 1 <K ≦ N) by the laser beam 11 transmitted through the first to (K−1) information layers is performed only by irradiation with the laser beam 11 from one side. Is possible.

なお、第１情報層〜第Ｎ情報層のいずれかを、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Read Only Memory））、或いは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（ＷＯ（Write Once））としてもよい。   Any one of the first information layer to the Nth information layer may be a reproduction-only information layer (ROM (Read Only Memory)) or a write-once information layer (WO (Write Once)) that can be written only once. It is good.

以下、第１情報層１８1の構成について詳細に説明する。 It will be described in detail for the first information layer 18 1 configuration.

第１情報層１８1は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第１誘電体層２０２、第１界面層２０３、記録層２０４、第２界面層２０５、反射層２０８及び透過率調整層２０９を備える。 The first information layer 18 1, first dielectric layer 202 from the incident side of the laser beam 11 are arranged in this order, the first interface layer 203, a recording layer 204, the second interface layer 205, the reflective layer 208 and the transmittance adjustment layer 209.

第１誘電体層２０２は、実施の形態１で説明した第１誘電体層１０２（図１参照。）と同様の材料にて形成でき、また、同様の機能を有する。   The first dielectric layer 202 can be formed using a material similar to that of the first dielectric layer 102 (see FIG. 1) described in Embodiment 1, and has a similar function.

第１誘電体層２０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層２０４が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の反射光量の変化が大きく、且つ記録層２０４での光吸収が大きく、且つ第１情報層１８1の透過率が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。 The thickness of the first dielectric layer 202 has a large change in the amount of reflected light between the case where the recording layer 204 is in a crystalline phase and the case where it is in an amorphous phase, and the recording layer 204 is calculated based on the matrix method. Can be strictly determined so as to satisfy the condition that the light absorption at the first layer is large and the transmittance of the first information layer 18 1 is large.

第１界面層２０３には、実施の形態１で説明した第１界面層１０３と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。   For the first interface layer 203, a material similar to that of the first interface layer 103 described in Embodiment 1 can be used. Also, their functions and shapes are the same as those of the first interface layer 103 of the first embodiment.

第２界面層２０５には、実施の形態１の第２界面層１０５と同様の系の材料を用いることができる。また、第２界面層２０５の膜厚は、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第２界面層２０５の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、記録層２０４で発生した熱を効果的に反射層２０８側に拡散させることができる。   For the second interface layer 205, the same material as that of the second interface layer 105 of Embodiment 1 can be used. The thickness of the second interface layer 205 is preferably in the range of 0.5 nm to 75 nm, and more preferably in the range of 1 nm to 40 nm. By selecting the film thickness of the second interface layer 205 within this range, the heat generated in the recording layer 204 can be effectively diffused to the reflective layer 208 side.

なお、第２界面層２０５と反射層２０８の間に、さらに誘電体層（第２誘電体層）を配置してもよい。この第２誘電体層には、第１誘電体層２０２と同様の系の材料を用いることができる。その中でも、特にＧａとＯを含む材料を用いることが好ましい。   A dielectric layer (second dielectric layer) may be further disposed between the second interface layer 205 and the reflective layer 208. A material of the same type as that of the first dielectric layer 202 can be used for the second dielectric layer. Among these, it is particularly preferable to use a material containing Ga and O.

記録層２０４は、実施の形態１で説明した記録層１０４と同様の材料を用いて形成できる。   The recording layer 204 can be formed using a material similar to that of the recording layer 104 described in Embodiment 1.

第１情報層１８1は、レーザビーム１１の入射側からみて第１情報層１８1より遠い側にある情報層に記録再生の際に必要なレーザ光量を到達させるため、透過率を高くする必要がある。従って、記録層２０４の膜厚は、９ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。 The first information layer 18 1 needs to have a high transmittance in order to reach the information layer on the side farther than the first information layer 18 1 when viewed from the incident side of the laser beam 11 and the amount of laser light necessary for recording and reproduction. There is. Therefore, the film thickness of the recording layer 204 is preferably 9 nm or less, and more preferably in the range of 2 nm to 8 nm.

反射層２０８は、記録層２０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層２０８は、記録層２０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層２０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層２０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。   The reflective layer 208 has an optical function of increasing the amount of light absorbed by the recording layer 204. The reflective layer 208 also has a thermal function of quickly diffusing heat generated in the recording layer 204 and making the recording layer 204 amorphous. Furthermore, the reflective layer 208 also has a function of protecting the multilayer film from the environment in which it is used.

反射層２０８の材料には、実施の形態１の反射層１０８と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能についても、実施の形態１の反射層１０８と同様である。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層２０８の材料として好ましい。反射層２０８の膜厚は、第１情報層１８1の透過率をできるだけ高くするため、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。反射層２０８の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡散機能が十分で、且つ第１情報層１８1における十分な反射率が確保でき、さらに第１情報層１８1の透過率も十分となる。 As the material of the reflective layer 208, the same material as that of the reflective layer 108 in Embodiment 1 can be used. Also, their functions are the same as those of the reflective layer 108 of the first embodiment. In particular, an Ag alloy is preferable as a material for the reflective layer 208 because of its high thermal conductivity. The film thickness of the reflective layer 208 is preferably in the range of 3 nm to 15 nm, and more preferably in the range of 8 nm to 12 nm, in order to make the transmittance of the first information layer 18 1 as high as possible. When the film thickness of the reflective layer 208 is within this range, the thermal diffusion function is sufficient and sufficient reflectivity in the first information layer 18 1 can be secured, and the transmittance of the first information layer 18 1 is also increased. It will be enough.

透過率調整層２０９は誘電体からなり、第１情報層１８1の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層２０９によって、記録層２０４が結晶相である場合の第１情報層１８1の透過率Ｔｃ（％）と、記録層２０４が非晶質相である場合の第１情報層１８1の透過率Ｔａ（％）とを、共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層２０９を備える第１情報層１８1では、透過率調整層２０９が無い場合に比べて、透過率ＴｃおよびＴａが２％〜１０％程度上昇する。また、透過率調整層２０９は、記録層２０４で発生した熱を効果的に拡散させる機能も有する。 The transmittance adjusting layer 209 is made of a dielectric and has a function of adjusting the transmittance of the first information layer 18 1 . This transmittance adjustment layer 209, the recording layer 204 and the first information layer 18 1 of the transmittance Tc in the case where a crystalline phase (%), the first information layer when the recording layer 204 is amorphous phase 18 Both the transmittance Ta (%) of 1 can be increased. Specifically, the first information layer 18 1 comprises a transmittance adjusting layer 209, as compared with the case where there is no transmittance adjusting layer 209, the transmittance Tc and Ta are increased by about 2% to 10%. The transmittance adjustment layer 209 also has a function of effectively diffusing heat generated in the recording layer 204.

透過率調整層２０９の屈折率ｎ及び消衰係数ｋは、第１情報層１８1の透過率Ｔｃ及びＴａを高める作用をより大きくするため、２．０≦ｎ、且つ、ｋ≦０．１を満たすことが好ましく、２．４≦ｎ≦３．０、且つ、ｋ≦０．０５を満たすことがより好ましい。 The refractive index n and the extinction coefficient k of the transmittance adjusting layer 209 are 2.0 ≦ n and k ≦ 0.1 in order to increase the effect of increasing the transmittance Tc and Ta of the first information layer 18 1. Is preferably satisfied, and more preferably 2.4 ≦ n ≦ 3.0 and k ≦ 0.05.

透過率調整層２０９の膜厚ｄは、（１／３２）λ／ｎ≦ｄ≦（３／１６）λ／ｎ又は（１７／３２）λ／ｎ≦ｄ≦（１１／１６）λ／ｎの範囲内であることが好ましく、（１／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（５／３２）λ／ｎ又は（９／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（２１／３２）λ／ｎの範囲内であることがより好ましい。なお、レーザビーム１１の波長λと透過率調整層２０９の屈折率ｎとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．０≦ｎ≦３．０とすると、膜厚ｄは３ｎｍ≦ｄ≦４０ｎｍ又は６０ｎｍ≦ｄ≦１３０ｎｍの範囲内であることが好ましく、７ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ又は６５ｎｍ≦ｄ≦１２０ｎｍの範囲内であることがより好ましいことになる。ｄをこの範囲内で選ぶことによって、第１情報層１８1の透過率Ｔｃ及びＴａを共に高くすることができる。 The film thickness d of the transmittance adjusting layer 209 is (1/32) λ / n ≦ d ≦ (3/16) λ / n or (17/32) λ / n ≦ d ≦ (11/16) λ / n. Is preferably within the range of (1/16) λ / n ≦ d ≦ (5/32) λ / n or (9/16) λ / n ≦ d ≦ (21/32) λ / n. More preferably, it is within. If the wavelength λ of the laser beam 11 and the refractive index n of the transmittance adjusting layer 209 are, for example, 350 nm ≦ λ ≦ 450 nm and 2.0 ≦ n ≦ 3.0, the film thickness d is 3 nm ≦ d ≦ 40 nm or It is preferably within the range of 60 nm ≦ d ≦ 130 nm, and more preferably within the range of 7 nm ≦ d ≦ 30 nm or 65 nm ≦ d ≦ 120 nm. By selecting d within this range, both the transmittances Tc and Ta of the first information layer 18 1 can be increased.

透過率調整層２０９には、例えば、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｓｉ−Ｏ等の酸化物を用いることができる。また、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳなどの硫化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。これらの中でも、特に、ＴｉＯ2、またはＴｉＯ2を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（ｎ＝２．６〜２．８）、消衰係数も小さい（ｋ＝０．０〜０．０５）ため、第１の情報層１８1の透過率を高める作用が大きくなる。 The transmittance adjusting layer 209 includes, for example, TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Bi 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Si An oxide such as —O can be used. Also, nitrides such as Ti-N, Zr-N, Nb-N, Ta-N, Si-N, Ge-N, Cr-N, Al-N, Ge-Si-N, Ge-Cr-N, etc. It can also be used. Further, a sulfide such as ZnS can also be used. A mixture of the above materials can also be used. Among these, in particular, it is preferable to use a material containing TiO 2 or TiO 2,. Since these materials have a large refractive index (n = 2.6 to 2.8) and a small extinction coefficient (k = 0.0 to 0.05), the transmittance of the first information layer 18 1 is increased. The effect is increased.

第１の情報層１８1の透過率ＴｃおよびＴａは、記録再生の際に必要なレーザ光量を第２の情報層１８2〜第Ｎの情報層１８Nに到達させるため、４０＜Ｔｃ、且つ、４０＜Ｔａを満たすことが好ましく、４６＜Ｔｃ、且つ、４６＜Ｔａを満たすことがより好ましい。 The transmittances Tc and Ta of the first information layer 18 1 are 40 <Tc so that the amount of laser light necessary for recording / reproduction reaches the second information layer 18 2 to the Nth information layer 18 N. , 40 <Ta is satisfied, and 46 <Tc and 46 <Ta are more preferable.

第１の情報層１８1の透過率Ｔｃ及びＴａは、−５≦（Ｔｃ−Ｔａ）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔｃ−Ｔａ）≦３を満たすことがより好ましい。透過率Ｔｃ及びＴａがこの条件を満たすことにより、レーザビーム１１の入射側からみて第１情報層１８１よりも遠くに配置された第２〜第Ｎ情報層１８2〜１８Nに情報の記録再生を行う際、第１情報層１８1における記録層２０４の状態による透過率の変化の影響が小さくなるので、良好な記録再生特性が得られる。 The transmittances Tc and Ta of the first information layer 18 1 preferably satisfy −5 ≦ (Tc−Ta) ≦ 5, and more preferably satisfy −3 ≦ (Tc−Ta) ≦ 3. When the transmittances Tc and Ta satisfy this condition, information is recorded / reproduced on / from the second to Nth information layers 18 2 to 18 N arranged farther than the first information layer 181 when viewed from the incident side of the laser beam 11. When the recording is performed, the influence of the change in transmittance due to the state of the recording layer 204 in the first information layer 18 1 is reduced, so that favorable recording / reproducing characteristics can be obtained.

第１情報層１８1において、記録層２０４が結晶相の時の反射率Ｒc1（％）と記録層１０４が非晶質相の時の反射率Ｒa1（％）とは、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録された状態よりも情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦５、且つ、４≦Ｒc1≦１５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦３、且つ、４≦Ｒc1≦１０を満たすことがより好ましい。 In the first information layer 18 1 , the reflectance R c1 (%) when the recording layer 204 is in the crystalline phase and the reflectance R a1 (%) when the recording layer 104 is in the amorphous phase are R a1 <R It is preferable to satisfy c1 . As a result, the reflectance is higher in the initial state in which no information is recorded than in the state in which the information is recorded, and the recording / reproducing operation can be performed stably. Further, R c1 and R a1 are 0.1 ≦ R a1 ≦ 5 and 4 ≦ R c1 ≦ so that the reflectance difference (R c1 −R a1 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics. 15, more preferably 0.1 ≦ R a1 ≦ 3 and 4 ≦ R c1 ≦ 10.

情報記録媒体１９は、以下に説明する方法によって製造できる。   The information recording medium 19 can be manufactured by the method described below.

まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に、（Ｎ−１）層の第Ｎ情報層１８N〜第２情報層１８2を、光学分離層１７を介して順次積層する。各情報層は、単層膜、又は多層膜からなり、それらの各層は、成膜装置内で材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、光学分離層１７は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化性樹脂を情報層上に塗布し、次に全体を回転させて樹脂を均一に延ばし（スピンコート）、その後この樹脂を硬化させることによって、形成できる。なお、光学分離層１７にレーザビーム１１の案内溝を形成する場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板１４と転写用基板とを回転させてスピンコートし、その後樹脂を硬化させ、さらにその後に転写用基板を硬化させた樹脂から剥がすことによって、表面に所定の案内溝が形成された光学分離層１７を形成できる。 First, (N−1) -th N-th information layer 18 N to second information layer 18 2 are sequentially stacked on the substrate 14 (thickness is, for example, 1.1 mm) via the optical separation layer 17. Each information layer is composed of a single layer film or a multilayer film, and each of these layers can be formed by sequentially sputtering a sputtering target as a material in a film forming apparatus. The optical separation layer 17 is formed by applying a photo-curing resin (particularly an ultraviolet-curing resin) or a slow-acting thermosetting resin on the information layer, and then rotating the whole to uniformly extend the resin (spin coating). Then, the resin can be formed by curing. When the guide groove for the laser beam 11 is formed in the optical separation layer 17, a transfer substrate (mold) having a groove having a predetermined shape on the surface is brought into close contact with the resin before curing, and then the substrate 14 and An optical separation layer 17 having a predetermined guide groove formed on the surface is formed by rotating and spin-coating the transfer substrate, then curing the resin, and then peeling the transfer substrate from the cured resin. it can.

このようにして、基板１４上に（Ｎ−１）層の情報層（第Ｎ情報層〜第２情報層）を積層し、さらに第２情報層１８2上に光学分離層１７を形成したものを用意する。 In this way, (N-1) information layers (Nth information layer to second information layer) are stacked on the substrate 14, and the optical separation layer 17 is formed on the second information layer 18 2. Prepare.

続いて、光学分離層１７上に第１情報層１８1を形成する。具体的には、まず、（ｎ−１）層の情報層および光学分離層１７が形成された基板１４を成膜装置内に配置し、光学分離層１７上に透過率調整層２０９を成膜する。透過率調整層２０９は、透過率調整層２０９を構成する化合物からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中又はＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。また、透過率調整層２０９は、透過率調整層２０９を構成する元素からなる金属をスパッタリングターゲットとして用い、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすることによっても形成できる。 Subsequently, the first information layer 18 1 is formed on the optical separation layer 17. Specifically, first, the substrate 14 on which the (n-1) information layers and the optical separation layer 17 are formed is placed in a film formation apparatus, and the transmittance adjustment layer 209 is formed on the optical separation layer 17. To do. The transmittance adjusting layer 209 can be formed by sputtering a sputtering target made of a compound constituting the transmittance adjusting layer 209 in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas. Further, the transmittance adjusting layer 209 can also be formed by reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar gas and a reactive gas using a metal composed of an element constituting the transmittance adjusting layer 209 as a sputtering target.

続いて、透過率調整層２０９上に、反射層２０８を成膜する。反射層２０８は、実施の形態１で説明した反射層１０８と同様の方法で形成できる。   Subsequently, the reflective layer 208 is formed on the transmittance adjusting layer 209. The reflective layer 208 can be formed by a method similar to that of the reflective layer 108 described in Embodiment 1.

反射層２０８と第２界面層２０５との間に第２誘電体層を設ける場合は、反射層２０８上に第２誘電体層を成膜する。第２誘電体層は、実施の形態１で説明した第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。   When a second dielectric layer is provided between the reflective layer 208 and the second interface layer 205, a second dielectric layer is formed on the reflective layer 208. The second dielectric layer can be formed by a method similar to that of the second dielectric layer 106 described in the first embodiment.

続いて、反射層２０８上（第２誘電体層を設ける構成の場合は第２誘電体層上）に、第２界面層２０５を成膜する。第２界面層２０５は、実施の形態１の第２界面層１０５と同様の方法で形成できる。   Subsequently, the second interface layer 205 is formed on the reflective layer 208 (on the second dielectric layer in the case where the second dielectric layer is provided). The second interface layer 205 can be formed by a method similar to that of the second interface layer 105 of the first embodiment.

続いて、第２界面層２０５上に記録層２０４を成膜する。記録層２０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１で説明した記録層１０４と同様の方法で形成できる。   Subsequently, the recording layer 204 is formed on the second interface layer 205. The recording layer 204 can be formed by a method similar to that for the recording layer 104 described in Embodiment 1 using a sputtering target corresponding to the composition.

続いて、記録層２０４上に、第１界面層２０３を成膜する。第１界面層２０３は、実施の形態１の第１界面層１０３と同様の方法で形成できる。   Subsequently, a first interface layer 203 is formed on the recording layer 204. The first interface layer 203 can be formed by a method similar to that of the first interface layer 103 in the first embodiment.

続いて、第１界面層２０３上に、第１誘電体層２０２を成膜する。第１誘電体層２０２は、実施の形態１で説明した第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。   Subsequently, a first dielectric layer 202 is formed on the first interface layer 203. The first dielectric layer 202 can be formed by the same method as the first dielectric layer 102 described in the first embodiment.

最後に、第１誘電体層２０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。   Finally, the transparent layer 13 is formed on the first dielectric layer 202. The transparent layer 13 can be formed by the method described in the first embodiment.

なお、第１誘電体層２０２を成膜した後、又は透明層１３を形成した後、記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   Note that after the first dielectric layer 202 is formed or after the transparent layer 13 is formed, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 204 may be performed. The recording layer 204 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

以上のようにして、情報記録媒体１９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。   The information recording medium 19 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used.

（実施の形態３）
実施の形態３では、実施の形態２における多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の情報記録媒体２０の一部断面図を図３に示す。情報記録媒体２０は、片面からのレーザビーム１１の照射によって各情報層に対する情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。 (Embodiment 3)
In the third embodiment, an example of an information recording medium in which N = 2, that is, two information layers in the multilayer optical information recording medium in the second embodiment will be described. A partial cross-sectional view of the information recording medium 20 of Embodiment 3 is shown in FIG. The information recording medium 20 is a two-layer optical information recording medium capable of recording / reproducing information with respect to each information layer by irradiation of the laser beam 11 from one side.

情報記録媒体２０は、基板１４上に順次積層された第２情報層２２、光学分離層１７、第１情報層２１及び透明層１３により構成されている。基板１４、光学分離層１７及び透明層１３には、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いることができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した形状及び機能と同様である。第１情報層２１は、実施の形態２で説明した第１情報層１８1と同様、レーザビーム１１の入射側から順に、第１誘電体層２０２、第１界面層２０３、記録層２０４、第２界面層２０５、反射層２０８及び透過率調整層２０９が積層されて形成されている。 The information recording medium 20 includes a second information layer 22, an optical separation layer 17, a first information layer 21, and a transparent layer 13 that are sequentially stacked on the substrate 14. For the substrate 14, the optical separation layer 17, and the transparent layer 13, the same materials as those described in the first and second embodiments can be used. In addition, their shapes and functions are the same as those described in the first and second embodiments. The first information layer 21, like the first information layer 18 1 described in the second embodiment, in order from the incident side of the laser beam 11, the first dielectric layer 202, the first interface layer 203, a recording layer 204, a A two-interface layer 205, a reflective layer 208, and a transmittance adjusting layer 209 are laminated.

以下、第２情報層２２の構成について詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration of the second information layer 22 will be described in detail.

第２情報層２２は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、記録層３０４、第２界面層３０５、第２誘電体層３０６及び反射層３０８を備える。第２情報層２２は、透明層１３、第１情報層２１及び光学分離層１７を透過したレーザビーム１１によって記録再生が行われる。   The second information layer 22 includes a first dielectric layer 302, a first interface layer 303, a recording layer 304, a second interface layer 305, a second dielectric layer 306, and a reflective layer arranged in order from the incident side of the laser beam 11. 308. The second information layer 22 is recorded and reproduced by the laser beam 11 that has passed through the transparent layer 13, the first information layer 21, and the optical separation layer 17.

第１誘電体層３０２には、実施の形態１で説明した第１誘電体層１０２（図１参照。）と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。   For the first dielectric layer 302, the same material as that of the first dielectric layer 102 (see FIG. 1) described in Embodiment 1 can be used, and the function and shape are also the same.

第１誘電体層３０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層３０４が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。   The film thickness of the first dielectric layer 302 satisfies the condition that the change in the amount of reflected light between the case where the recording layer 304 is in the crystalline phase and the case where it is in the amorphous phase is large by calculation based on the matrix method. Can be determined strictly.

第１界面層３０３には、実施の形態１で説明した第１界面層１０３と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。   For the first interface layer 303, a material similar to that of the first interface layer 103 described in Embodiment 1 can be used, and the function and shape are also the same.

第２界面層３０５には、実施の形態１で説明した第２界面層１０５と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。   The second interface layer 305 can be formed using the same material as that of the second interface layer 105 described in Embodiment 1, and also has the same function and shape.

第２誘電体層３０６には、実施の形態１で説明した第２誘電体層１０６と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。   For the second dielectric layer 306, the same material as that of the second dielectric layer 106 described in Embodiment 1 can be used, and the function and shape are also the same.

記録層３０４は、実施の形態１で説明した記録層１０４と同様の材料で形成できる。記録層３０４の膜厚は、第２情報層２２の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内においても、記録層３０４が厚い場合には熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層３０４が薄い場合には第２情報層２５の反射率が小さくなる。従って、記録層３０４の膜厚は、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。   The recording layer 304 can be formed using a material similar to that of the recording layer 104 described in Embodiment 1. The film thickness of the recording layer 304 is preferably in the range of 6 nm to 15 nm in order to increase the recording sensitivity of the second information layer 22. Even within this range, when the recording layer 304 is thick, the thermal influence on the adjacent region due to the diffusion of heat in the in-plane direction becomes large. Further, when the recording layer 304 is thin, the reflectance of the second information layer 25 becomes small. Accordingly, the film thickness of the recording layer 304 is more preferably in the range of 8 nm to 13 nm.

反射層３０８には、実施の形態１で説明した反射層１０８と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。   The reflective layer 308 can be formed using the same material as that of the reflective layer 108 described in Embodiment 1, and also has the same function and shape.

実施の形態１の場合と同様に、反射層３０８と第２誘電体層３０６との間に、反射層３０８よりも熱伝導率の低い材料にて形成された低熱伝導層を設けてもよい。この低熱伝導層に使用可能な材料は実施の形態１で説明したとおりであり、膜厚等も実施の形態１で説明したとおりである。   As in the case of the first embodiment, a low thermal conductive layer formed of a material having lower thermal conductivity than the reflective layer 308 may be provided between the reflective layer 308 and the second dielectric layer 306. The materials that can be used for the low thermal conductive layer are as described in the first embodiment, and the film thickness and the like are as described in the first embodiment.

情報記録媒体２０は、以下に説明する方法によって製造できる。   The information recording medium 20 can be manufactured by the method described below.

まず、第２情報層２２を形成する。具体的には、まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。   First, the second information layer 22 is formed. Specifically, first, a substrate 14 (having a thickness of, for example, 1.1 mm) is prepared and placed in a film forming apparatus.

続いて、基板１４上に反射層３０８を成膜する。このとき、基板１４にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に反射層３０８を成膜する。反射層３０８は、実施の形態１で説明した反射層１０８と同様の方法で形成できる。   Subsequently, a reflective layer 308 is formed on the substrate 14. At this time, when a guide groove for guiding the laser beam 11 is formed on the substrate 14, the reflective layer 308 is formed on the side where the guide groove is formed. The reflective layer 308 can be formed by a method similar to that of the reflective layer 108 described in Embodiment 1.

続いて、反射層３０８上に、必要に応じて低熱伝導層を成膜する。低熱伝導層の成膜方法は、実施の形態１で説明したとおりである。   Subsequently, a low thermal conductive layer is formed on the reflective layer 308 as necessary. The method for forming the low thermal conductive layer is as described in the first embodiment.

続いて、反射層３０８上（低熱伝導層を設けた場合は低熱伝導層上）に、第２誘電体層３０６を成膜する。第２誘電体層３０６は、実施の形態１で説明した第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。   Subsequently, the second dielectric layer 306 is formed on the reflective layer 308 (on the low thermal conductive layer when the low thermal conductive layer is provided). The second dielectric layer 306 can be formed by a method similar to that of the second dielectric layer 106 described in the first embodiment.

続いて、第２誘電体層３０６上に、第２界面層３０５を成膜する。第２界面層３０５は、実施の形態１で説明した第２界面層１０５と同様の方法で形成できる。   Subsequently, a second interface layer 305 is formed on the second dielectric layer 306. The second interface layer 305 can be formed by a method similar to that of the second interface layer 105 described in Embodiment 1.

続いて、第２界面層３０５上に、記録層３０４を成膜する。記録層３０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１で説明した記録層１０４と同様の方法で形成できる。   Subsequently, the recording layer 304 is formed on the second interface layer 305. The recording layer 304 can be formed by a method similar to that for the recording layer 104 described in Embodiment 1, using a sputtering target corresponding to the composition.

続いて、記録層３０４上に、第１界面層３０３を成膜する。第１界面層３０３は、実施の形態１の第１界面層１０３と同様の方法で形成できる。   Subsequently, a first interface layer 303 is formed on the recording layer 304. The first interface layer 303 can be formed by a method similar to that of the first interface layer 103 in the first embodiment.

続いて、第１界面層３０３上に、第１誘電体層３０２を成膜する。第１誘電体層３０２は、実施の形態１で説明した第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。   Subsequently, a first dielectric layer 302 is formed on the first interface layer 303. The first dielectric layer 302 can be formed by a method similar to that of the second dielectric layer 106 described in the first embodiment.

このようにして、第２情報層２２を形成する。   In this way, the second information layer 22 is formed.

続いて、第２情報層２２の第１誘電体層３０２上に光学分離層１７を形成する。光学分離層１７は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化性樹脂を第１誘電体層３０２上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、光学分離層１７がレーザビーム１１の案内溝を備える場合には、表面に溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板１４と転写用基板とを回転させてスピンコートし、樹脂を硬化させ、その後、転写用基板を樹脂から剥がすことによって、表面に案内溝が形成できる。   Subsequently, the optical separation layer 17 is formed on the first dielectric layer 302 of the second information layer 22. The optical separation layer 17 can be formed by applying a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first dielectric layer 302 and spin-coating, and then curing the resin. In the case where the optical separation layer 17 includes a guide groove for the laser beam 11, a transfer substrate (mold) having a groove formed on the surface thereof is brought into close contact with the resin before curing, and then the substrate 14, the transfer substrate, The guide groove can be formed on the surface by rotating and spin-coating to cure the resin and then peeling the transfer substrate from the resin.

なお、第１誘電体層３０２を成膜した後、又は光学分離層１７を形成した後、記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層３０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   Note that after the first dielectric layer 302 is formed or after the optical separation layer 17 is formed, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 304 may be performed. The recording layer 304 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

続いて、光学分離層１７上に第１情報層２１を形成する。具体的には、まず、光学分離層１７上に、透過率調整層２０９、反射層２０８、第２界面層２０５、記録層２０４、第１界面層２０３、及び第１誘電体層２０２をこの順序で成膜する。このとき、反射層２０８と第２界面層２０５との間に第２誘電体層を成膜してもよい。これらの各層は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。   Subsequently, the first information layer 21 is formed on the optical separation layer 17. Specifically, first, the transmittance adjusting layer 209, the reflective layer 208, the second interface layer 205, the recording layer 204, the first interface layer 203, and the first dielectric layer 202 are arranged on the optical separation layer 17 in this order. The film is formed. At this time, a second dielectric layer may be formed between the reflective layer 208 and the second interface layer 205. Each of these layers can be formed by the method described in Embodiment Mode 2.

最後に、第１誘電体層２０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。   Finally, the transparent layer 13 is formed on the first dielectric layer 202. The transparent layer 13 can be formed by the method described in the first embodiment.

なお、第１誘電体層２０２を成膜した後、又は透明層１３を形成した後、記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   Note that after the first dielectric layer 202 is formed or after the transparent layer 13 is formed, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 204 may be performed. The recording layer 204 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

また、第１誘電体層２０２を成膜した後、又は透明層１３を形成した後、第２情報層２２の記録層３０４、及び第１情報層２１の記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、第１情報層２１の記録層２０４の結晶化を先に行うと、第２情報層２２の記録層３０４を結晶化するために必要なレーザパワーが大きくなる傾向にあるため、第２情報層２２の記録層３０４を先に結晶化させることが好ましい。   In addition, after forming the first dielectric layer 202 or forming the transparent layer 13, the initial stage of crystallizing the entire surface of the recording layer 304 of the second information layer 22 and the recording layer 204 of the first information layer 21. A chemical conversion step may be performed. In this case, if the crystallization of the recording layer 204 of the first information layer 21 is performed first, the laser power required to crystallize the recording layer 304 of the second information layer 22 tends to increase. It is preferable to crystallize the recording layer 304 of the information layer 22 first.

以上のようにして、情報記録媒体２０を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。   The information recording medium 20 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used.

（実施の形態４）
実施の形態４では、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態４の情報記録媒体２３の一部断面図を図４に示す。情報記録媒体２３は、実施の形態１で説明した情報記録媒体１５と同様、レーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な光学的情報記録媒体である。 (Embodiment 4)
In the fourth embodiment, another example of the information recording medium of the present invention will be described. A partial cross-sectional view of the information recording medium 23 of Embodiment 4 is shown in FIG. The information recording medium 23 is an optical information recording medium capable of recording / reproducing information by irradiation with the laser beam 11, similarly to the information recording medium 15 described in the first embodiment.

情報記録媒体２３では、実施の形態１〜３で説明した情報記録媒体１５、１９、２０と異なり、基板２４がレーザビーム入射側に配置される。情報記録媒体２３は、基板２４上に情報層２５が積層され、さらに情報層２５に接着層２６を介してダミー基板２７が密着されることにより形成されている。   In the information recording medium 23, unlike the information recording media 15, 19, and 20 described in the first to third embodiments, the substrate 24 is disposed on the laser beam incident side. The information recording medium 23 is formed by laminating an information layer 25 on a substrate 24 and further adhering a dummy substrate 27 to the information layer 25 through an adhesive layer 26.

基板２４及びダミー基板２７は、透明で円盤状である。基板２４及びダミー基板２７には、実施の形態１で説明した基板１４と同様に、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン又はＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを用いることができる。   The substrate 24 and the dummy substrate 27 are transparent and disk-shaped. As the substrate 24 and the dummy substrate 27, for example, a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, or glass can be used in the same manner as the substrate 14 described in the first embodiment.

基板２４の第１誘電体層１０２側の表面には、レーザビーム１１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２４の第１誘電体層１０２側と反対側の表面、及びダミー基板２７の接着層２６側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板２４及びダミー基板２７の材料としては、転写性・量産性に優れ、且つ低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。なお、基板２４及びダミー基板２７の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体２３の全体の厚さが１．２ｍｍ程度となるように、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。   A guide groove for guiding the laser beam 11 may be formed on the surface of the substrate 24 on the first dielectric layer 102 side. The surface of the substrate 24 opposite to the first dielectric layer 102 side and the surface of the dummy substrate 27 opposite to the adhesive layer 26 side are preferably smooth. As the material for the substrate 24 and the dummy substrate 27, polycarbonate is particularly useful because of its excellent transferability and mass productivity and low cost. The thickness of the substrate 24 and the dummy substrate 27 is within a range of 0.3 mm to 0.9 mm so that the thickness is sufficient and the total thickness of the information recording medium 23 is about 1.2 mm. Preferably there is.

接着層２６は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。なお、接着層２６の厚さは、光学分離層１７と同様の理由により、０．６μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。   The adhesive layer 26 is made of a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and preferably has a small light absorption with respect to the laser beam 11 to be used. In particular, it is preferable that the birefringence is small. The thickness of the adhesive layer 26 is preferably in the range of 0.6 μm to 50 μm for the same reason as the optical separation layer 17.

情報層２５は、実施の形態１で説明した情報層１６と同様の膜構成を有しており、実施の形態１と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。   The information layer 25 has the same film configuration as that of the information layer 16 described in the first embodiment, and the description of the portions denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment is omitted.

情報記録媒体２３は、以下に説明する方法によって製造できる。   The information recording medium 23 can be manufactured by the method described below.

まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、情報層２５を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に情報層２５を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６及び反射層１０８を順次積層する。なお、第２誘電体層１０６と反射層１０８の間に、反射層１０８よりも熱伝導率が低い材料からなる低熱伝導層を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態１で説明したとおりである。   First, the information layer 25 is formed on the substrate 24 (having a thickness of, for example, 0.6 mm). At this time, when a guide groove for guiding the laser beam 11 is formed on the substrate 24, the information layer 25 is formed on the side where the guide groove is formed. Specifically, the substrate 24 is placed in a film forming apparatus, and the first dielectric layer 102, the first interface layer 103, the recording layer 104, the second interface layer 105, the second dielectric layer 106, and the reflective layer 108 are arranged. Laminate sequentially. Note that a low thermal conductive layer made of a material having lower thermal conductivity than the reflective layer 108 may be formed between the second dielectric layer 106 and the reflective layer 108. The method for forming each layer is as described in the first embodiment.

次に、情報層２５が積層された基板２４と、ダミー基板２７（厚さが例えば０．６ｍｍ）とを、接着層２６を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂をダミー基板２７上に塗布して、情報層２５が積層された基板２４をダミー基板２８上に密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させるとよい。また、予め粘着性の樹脂が均一に塗布されたダミー基板２７を、情報層２５が積層された基板２４に密着させることもできる。   Next, the substrate 24 on which the information layer 25 is stacked and the dummy substrate 27 (having a thickness of, for example, 0.6 mm) are bonded together using the adhesive layer 26. Specifically, a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin is applied on the dummy substrate 27, and the substrate 24 on which the information layer 25 is laminated is formed on the dummy substrate 28. The resin may be cured after spin-coating with the resin. Further, the dummy substrate 27 on which the adhesive resin is uniformly applied in advance can be brought into close contact with the substrate 24 on which the information layer 25 is laminated.

なお、情報層２５が積層された基板２４にダミー基板２７を密着させた後、記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   Note that after the dummy substrate 27 is brought into close contact with the substrate 24 on which the information layer 25 is laminated, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 104 may be performed. The recording layer 104 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

以上のようにして、情報記録媒体２３を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。   The information recording medium 23 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used.

以上のようにレーザビーム入射側に基板２４が配置された情報記録媒体２３においても、実施の形態例１〜３で説明した情報記録媒体と同様の効果を奏する。   As described above, the information recording medium 23 in which the substrate 24 is arranged on the laser beam incident side also has the same effect as the information recording medium described in the first to third embodiments.

（実施の形態５）
実施の形態５では、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態５の情報記録媒体２８の一部断面図を図５に示す。情報記録媒体２８は、実施の形態２の情報記録媒体１９と同様、複数の情報層を含んでおり、片面からのレーザビーム１１の照射によって各情報層に対する情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。 (Embodiment 5)
In the fifth embodiment, another example of the information recording medium of the present invention will be described. FIG. 5 shows a partial cross-sectional view of the information recording medium 28 according to the fifth embodiment. Similar to the information recording medium 19 of the second embodiment, the information recording medium 28 includes a plurality of information layers, and can record and reproduce information on each information layer by irradiation with the laser beam 11 from one side. An information recording medium.

情報記録媒体２８は、基板２４上に光学分離層１７を介して順次積層された（Ｎ−１）組の情報層（第１情報層２９1、第２情報層２９2、…、第Ｎ−１情報層２９N-1）と、基板３０上に積層された情報層（第Ｎ情報層２９N）とが、接着層２６を介して密着された構成である。 The information recording medium 28 includes (N−1) sets of information layers (first information layer 29 1 , second information layer 29 2 ,..., N−th order) sequentially stacked on the substrate 24 via the optical separation layer 17. 1 information layer 29 N-1 ) and the information layer (Nth information layer 29 N ) laminated on the substrate 30 are in close contact with each other via the adhesive layer 26.

基板３０は、透明で円盤状の基板である。基板３０には、実施の形態１で説明した基板１４と同様に、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン又はＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを用いることができる。   The substrate 30 is a transparent and disk-shaped substrate. As the substrate 30, for example, a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, or glass can be used as in the substrate 14 described in the first embodiment.

基板３０の第Ｎ情報層２９N側の表面には、レーザビーム１１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板３０の第Ｎ情報層２９N側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板３０の材料としては、転写性・量産性に優れ、且つ低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。なお、基板３０の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体２３の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。 A guide groove for guiding the laser beam 11 may be formed on the surface of the substrate 30 on the Nth information layer 29 N side. The surface of the substrate 30 opposite to the Nth information layer 29 N side is preferably smooth. As the material of the substrate 30, polycarbonate is particularly useful because of its excellent transferability and mass productivity and low cost. The thickness of the substrate 30 is preferably in the range of 0.3 mm to 0.9 mm so that the substrate 30 has sufficient strength and the information recording medium 23 has a thickness of about 1.2 mm.

第１情報層２９1は、実施の形態２で説明した第１情報層１８1と同様の膜構成を有するため、その説明を省略する。また、その他、実施の形態２〜４と同一の符号を付した部分についても、その説明を省略する。 The first information layer 29 1 has the same film configuration as that of the first information layer 18 1 described in the second embodiment, and thus the description thereof is omitted. In addition, the description of the portions denoted by the same reference numerals as those in Embodiments 2 to 4 is omitted.

情報記録媒体２８は、以下に説明する方法によって製造できる。   The information recording medium 28 can be manufactured by the method described below.

まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層２９1を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層２９1を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第１誘電体層２０２、第１界面層２０３、記録層２０４、第２界面層２０５、反射層２０８及び透過率調整層２０９を順次積層する。なお、必要に応じて第２界面層２０５と反射層２０８の間に誘電体層（第２誘電体層）を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態２と同様である。その後、第２〜第（Ｎ−１）の情報層（（Ｎ−２）層の情報層）を、光学分離層を介して順次積層する。 First, the first information layer 29 1 is formed on the substrate 24 (thickness is, for example, 0.6 mm). At this time, when guide grooves for guiding the laser beam 11 on the substrate 24 are formed, to form the first information layer 29 1 on the side on which the guide groove is formed. Specifically, the substrate 24 is disposed in the film forming apparatus, and the first dielectric layer 202, the first interface layer 203, the recording layer 204, the second interface layer 205, the reflective layer 208, and the transmittance adjusting layer 209 are sequentially formed. Laminate. Note that a dielectric layer (second dielectric layer) may be formed between the second interface layer 205 and the reflective layer 208 as necessary. The method for forming each layer is the same as in the second embodiment. Thereafter, the second to (N-1) th information layers (information layer of the (N-2) layer) are sequentially stacked via the optical separation layer.

また、基板３０（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第Ｎ情報層２９Nを形成する。情報層は、単層膜、又は多層膜からなり、それらの各層は、実施の形態１〜４の場合と同様、成膜装置内で、材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。 Further, an Nth information layer 29 N is formed on the substrate 30 (thickness is, for example, 0.6 mm). The information layer is formed of a single layer film or a multilayer film, and each of these layers can be formed by sequentially sputtering a sputtering target as a material in the film forming apparatus as in the first to fourth embodiments.

最後に、それぞれ情報層が積層された基板２４及び基板３０を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂を第Ｎ情報層上に塗布して、第２〜第（Ｎ−１）の情報層を成膜した基板２４を第Ｎ情報層上に密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させるとよい。また、基板３０に積層された第Ｎ情報層上に予め粘着性の樹脂を均一に塗布しておき、それを基板２４上に積層された第Ｎ−１情報層に密着させることもできる。   Finally, the substrate 24 and the substrate 30 on which the information layers are laminated are bonded using the adhesive layer 27. Specifically, a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin is applied on the Nth information layer, and the second to (N-1) information layers are formed. The resin may be cured after spin-coating the deposited substrate 24 on the Nth information layer. Alternatively, an adhesive resin may be uniformly applied in advance on the Nth information layer laminated on the substrate 30 and may be in close contact with the N-1th information layer laminated on the substrate 24.

なお、基板２４と基板３０とを接合した後、第１情報層２９1に含まれる記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。 Incidentally, after joining the substrate 24 and the substrate 30, the entire surface of the recording layer 204 included in the first information layer 29 1 may be carried out an initialization process for crystallizing. The recording layer 204 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

以上のようにして、情報記録媒体２８を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。   The information recording medium 28 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used.

（実施の形態６）
実施の形態６では、実施の形態５における多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態６の情報記録媒体３１の一部断面図を図６に示す。情報記録媒体３１は、実施の形態３の情報記録媒体２０と同様、片面からのレーザビーム１１の照射によって各情報層に対して情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。 (Embodiment 6)
In the sixth embodiment, an example of an information recording medium in which N = 2, that is, two information layers in the multilayer optical information recording medium in the fifth embodiment will be described. A partial cross-sectional view of the information recording medium 31 of Embodiment 6 is shown in FIG. The information recording medium 31 is a two-layer optical information recording medium capable of recording / reproducing information with respect to each information layer by irradiation with the laser beam 11 from one side, like the information recording medium 20 of the third embodiment.

情報記録媒体３１は、基板２４上に第１情報層２１、基板３０上に第２情報層２２をそれぞれ積層し、第１情報層２１と第２情報層２２とを接着層２６を介して接合した構成である。なお、第１情報層２１及び第２情報層２２は、実施の形態３で説明した情報記録媒体に設けられた二つの情報層とそれぞれ同様の膜構成であるため、第１情報層２１及び第２情報層２２にそれぞれ含まれる各層の説明は省略する。また、基板２４、基板３０及び接着層２６についても、実施の形態４、５で説明したとおりであるため、ここでは説明を省略する。   In the information recording medium 31, the first information layer 21 and the second information layer 22 are stacked on the substrate 24 and the substrate 30, respectively, and the first information layer 21 and the second information layer 22 are bonded via the adhesive layer 26. This is the configuration. The first information layer 21 and the second information layer 22 have the same film structure as the two information layers provided in the information recording medium described in the third embodiment. The description of each layer included in each of the two information layers 22 is omitted. Further, since the substrate 24, the substrate 30, and the adhesive layer 26 are also as described in the fourth and fifth embodiments, description thereof is omitted here.

情報記録媒体３１は、以下に説明する方法によって製造できる。   The information recording medium 31 can be manufactured by the method described below.

まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、実施の形態４で説明した方法と同様の方法により第１情報層２１を形成する。   First, the first information layer 21 is formed on the substrate 24 (having a thickness of, for example, 0.6 mm) by the same method as described in the fourth embodiment.

なお、第１誘電体層２０２〜透過率調整層２０９までをそれぞれ成膜した後、必要に応じて、記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   In addition, after forming each of the first dielectric layer 202 to the transmittance adjusting layer 209, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 204 may be performed as necessary. The recording layer 204 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

また、基板３０（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第２情報層２２を形成する。このとき、基板３０にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２情報層２２を形成する。具体的には、基板３０を成膜装置内に配置し、反射層３０８、第２誘電体層３０６、第２界面層３０５、記録層３０４、第１界面層３０３及び第１誘電体層３０２を順次積層する。なお、反射層３０８と第２誘電体層３０６との間に、反射層３０８よりも熱伝導率の低い材料を用いて低熱伝導層を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３で説明した方法と同様である。   Further, the second information layer 22 is formed on the substrate 30 (thickness is, for example, 0.6 mm). At this time, when a guide groove for guiding the laser beam 11 is formed on the substrate 30, the second information layer 22 is formed on the side where the guide groove is formed. Specifically, the substrate 30 is placed in a film forming apparatus, and the reflective layer 308, the second dielectric layer 306, the second interface layer 305, the recording layer 304, the first interface layer 303, and the first dielectric layer 302 are arranged. Laminate sequentially. Note that a low thermal conductive layer may be formed between the reflective layer 308 and the second dielectric layer 306 using a material having lower thermal conductivity than the reflective layer 308. The method for forming each layer is the same as the method described in the third embodiment.

なお、第１誘電体層３０２を成膜した後、記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層３０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。   Note that after the first dielectric layer 302 is formed, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 304 may be performed. The recording layer 304 can be crystallized by irradiation with a laser beam.

最後に、第１情報層２１を積層した基板２４と第２情報層２２を積層した基板３０とを、接着層２６を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性熱硬化性樹脂等の樹脂を第１情報層２１又は第２情報層２２上に塗布して、第１情報層２１が設けられた基板２４と第２情報層２２が設けられた基板３０とを密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させるとよい。また、第１情報層２１又は第２情報層２２上に予め粘着性を有する樹脂を均一に塗布し、第１情報層２１が設けられた基板２４と第２情報層２２が設けられた基板３０とを密着させることもできる。   Finally, the substrate 24 on which the first information layer 21 is laminated and the substrate 30 on which the second information layer 22 is laminated are bonded together using the adhesive layer 26. Specifically, a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin is applied on the first information layer 21 or the second information layer 22, and the first information layer 21 is The resin may be cured after the provided substrate 24 and the substrate 30 provided with the second information layer 22 are in close contact and spin-coated. Further, a resin having adhesiveness is uniformly applied in advance on the first information layer 21 or the second information layer 22, and the substrate 24 provided with the first information layer 21 and the substrate 30 provided with the second information layer 22 are provided. Can also be brought into close contact with each other.

また、基板２４に第１情報層２１、基板３０に第２情報層２２をそれぞれ設けた段階で記録層２０４，３０２の初期化を行っていない場合は、貼り合せ工程の後、記録層２０４，３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、実施の形態３で説明した理由と同様の理由により、第２情報層２２に含まれる記録層３０４を先に結晶化させることが好ましい。   If the recording layers 204 and 302 are not initialized at the stage where the first information layer 21 is provided on the substrate 24 and the second information layer 22 is provided on the substrate 30, respectively, An initialization process for crystallizing the entire surface of 304 may be performed. In this case, it is preferable that the recording layer 304 included in the second information layer 22 is crystallized first for the same reason as described in the third embodiment.

以上のようにして、情報記録媒体３１を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。   The information recording medium 31 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used.

（実施の形態７）
実施の形態７では、実施の形態１〜６で説明した光学的情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う方法の一例について説明する。 (Embodiment 7)
In the seventh embodiment, an example of a method for recording and reproducing information on the optical information recording medium described in the first to sixth embodiments will be described.

図７に、本実施の形態における情報の記録再生方法で用いられる記録再生装置３２の一部の構成を模式的に示す。記録再生装置３２は、情報記録媒体３７を回転させるためのスピンドルモータ３３と、半導体レーザ３５及び半導体レーザ３５から出射されるレーザビーム１１を集光する対物レンズ３４を備える光学ヘッド３６とを備える。情報記録媒体３７は、実施の形態１〜６で説明した情報記録媒体の何れかであり、単数の情報層（例えば、実施の形態１で説明した情報記録媒体１５における情報層１６）又は複数の情報層（例えば、実施の形態３で説明した情報記録媒体２０における第１情報層２１及び第２情報層２２）を備える。対物レンズ３４は、レーザビーム１１を情報記録媒体３７の情報層上に集光する。   FIG. 7 schematically shows a part of the configuration of the recording / reproducing apparatus 32 used in the information recording / reproducing method of the present embodiment. The recording / reproducing apparatus 32 includes a spindle motor 33 for rotating the information recording medium 37, and an optical head 36 including a semiconductor laser 35 and an objective lens 34 that condenses the laser beam 11 emitted from the semiconductor laser 35. The information recording medium 37 is one of the information recording media described in the first to sixth embodiments, and includes a single information layer (for example, the information layer 16 in the information recording medium 15 described in the first embodiment) or a plurality of information recording media. An information layer (for example, the first information layer 21 and the second information layer 22 in the information recording medium 20 described in Embodiment 3) is provided. The objective lens 34 focuses the laser beam 11 on the information layer of the information recording medium 37.

情報記録媒体への情報の記録、消去及び上書き記録は、レーザビーム１１のパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐb（ｍＷ））との間で変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビーム１１を照射することによって、記録層の局所的な一部分に非晶質相が形成され、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビーム１１が照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビーム１１を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスは、ピークパワー、バイアスパワーのパワーレベルだけで変調されてもよいし、０〜Ｐp（ｍＷ）の範囲のパワーレベルによって変調されてもよい。 Information recording, erasing and overwriting recording on the information recording medium is performed by changing the power of the laser beam 11 between a high power peak power (P p (mW)) and a low power bias power (P b (mW)). This is done by modulating with. By irradiating the laser beam 11 with the peak power, an amorphous phase is formed in a local part of the recording layer, and the amorphous phase becomes a recording mark. Between the recording marks, a laser beam 11 having a bias power is irradiated to form a crystal phase (erased portion). When irradiating the laser beam 11 with peak power, a so-called multi-pulse formed by a pulse train is generally used. The multi-pulse may be modulated only by the power level of peak power and bias power, or may be modulated by a power level in the range of 0 to P p (mW).

また、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビーム１１の照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるパワーを再生パワー（Ｐr（ｍＷ））とし、再生パワーのレーザビーム１１を照射することによって得られる情報記録媒体３７からの信号を検出器で読みとることにより、情報信号の再生が行われる。 Further, it is lower than the power level of the peak power and the bias power, the optical state of the recording mark is not affected by the irradiation of the laser beam 11 at the power level, and sufficient for reproducing the recording mark from the information recording medium. The power from which a large amount of reflected light can be obtained is the reproduction power (P r (mW)), and the signal from the information recording medium 37 obtained by irradiating the laser beam 11 with the reproduction power is read by the detector. Playback is performed.

対物レンズ３４の開口数は、レーザビームのスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内（より好ましくは、０．６〜０．９の範囲内）であることが好ましい。レーザビーム１１の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録する際の情報記録媒体３７の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる１ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内（より好ましくは、２ｍ／秒〜１５ｍ／秒の範囲内）であることが好ましい。   The numerical aperture of the objective lens 34 is in the range of 0.5 to 1.1 (more preferably, 0.6 to 0.00) in order to adjust the spot diameter of the laser beam within the range of 0.4 μm to 0.7 μm. 9). The wavelength of the laser beam 11 is preferably 450 nm or less (more preferably in the range of 350 nm to 450 nm). The linear velocity of the information recording medium 37 when recording information is within the range of 1 m / second to 20 m / second (more preferably 2 m / second), which is less likely to cause crystallization due to reproduction light and sufficient erasing performance is obtained. In the range of ˜15 m / sec).

例えば、情報記録媒体３７が二つの情報層を備えた情報記録媒体２０（図３参照。）である場合において、第１情報層２１に対して記録を行う際には、レーザビーム１１の焦点を第１情報層２１の記録層２０４に合わせ、透明層１３を透過したレーザビーム１１によって記録層２０４に情報を記録する。情報の再生は、記録層２０４によって反射され、透明層１３を透過してきたレーザビーム１１を用いて行う。一方、第２情報層２２に対して記録を行う際には、レーザビーム１１の焦点を第２情報層２２の記録層３０４に合わせ、透明層１３、第１情報層２１及び光学分離層１７を透過したレーザビーム１１によって情報を記録する。情報の再生は、記録層３０４によって反射され、光学分離層１７、第１情報層２１及び透明層１３を透過してきたレーザビーム１１を用いて行う。   For example, when the information recording medium 37 is the information recording medium 20 having two information layers (see FIG. 3), when recording on the first information layer 21, the focus of the laser beam 11 is set. In accordance with the recording layer 204 of the first information layer 21, information is recorded on the recording layer 204 by the laser beam 11 transmitted through the transparent layer 13. Information reproduction is performed using the laser beam 11 reflected by the recording layer 204 and transmitted through the transparent layer 13. On the other hand, when recording is performed on the second information layer 22, the laser beam 11 is focused on the recording layer 304 of the second information layer 22, and the transparent layer 13, the first information layer 21, and the optical separation layer 17 are set. Information is recorded by the transmitted laser beam 11. Information reproduction is performed using the laser beam 11 reflected by the recording layer 304 and transmitted through the optical separation layer 17, the first information layer 21, and the transparent layer 13.

なお、情報記録媒体２０の基板１４及び光学分離層１７の表面にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム１１の入射側から近い方の溝面（グルーブ）に行われても良いし、遠い方の溝面（ランド）に行われても良い。また、グルーブとランドの両方に情報を記録しても良い。   When guide grooves for guiding the laser beam 11 are formed on the surface of the substrate 14 and the optical separation layer 17 of the information recording medium 20, information is stored on the groove surface (groove) closer to the laser beam 11 incident side. ) Or on a distant groove surface (land). Information may be recorded on both the groove and the land.

（実施の形態８）
本発明の情報記録媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図８は、本実施の形態の情報記録媒体３８の一部断面と、電気的情報記録再生装置の概略構成とを示す説明図である。本実施の形態の情報記録媒体３８は、電気的エネルギー（例えば電流）の印加によって情報の記録再生が可能な電気的情報記録媒体である。 (Embodiment 8)
Still another embodiment of the information recording medium of the present invention will be described. FIG. 8 is an explanatory diagram showing a partial cross section of the information recording medium 38 of this embodiment and a schematic configuration of the electrical information recording / reproducing apparatus. The information recording medium 38 of the present embodiment is an electrical information recording medium capable of recording and reproducing information by applying electrical energy (for example, current).

本実施の形態の情報記録媒体３８は、基板３９上に、下部電極４０、第１情報層４１、第２情報層４２及び上部電極４３がこの順に積層された構成である。第１情報層４１には、基板３９側から順に、第１界面層４１１、記録層４１２及び第２界面層４１３が配置されている。第２情報層４２には、基板３９側から順に、第１界面層４２１、記録層４２２及び第２界面層４２３が配置されている。   The information recording medium 38 of the present embodiment has a configuration in which a lower electrode 40, a first information layer 41, a second information layer 42, and an upper electrode 43 are laminated in this order on a substrate 39. In the first information layer 41, a first interface layer 411, a recording layer 412 and a second interface layer 413 are arranged in this order from the substrate 39 side. In the second information layer 42, a first interface layer 421, a recording layer 422, and a second interface layer 423 are arranged in this order from the substrate 39 side.

基板３９の材料としては、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス、Ａｌ2Ｏ3等のセラミック、Ｓｉ等の半導体及びＣｕ等の各種金属等を用いることができる。ここでは、基板３９としてＳｉ基板を用いた場合について説明する。 As a material of the substrate 39, resin such as polycarbonate, glass, ceramic such as Al 2 O 3 , semiconductor such as Si, various metals such as Cu, and the like can be used. Here, a case where a Si substrate is used as the substrate 39 will be described.

下部電極４０及び上部電極４３は、第１情報層４１の記録層４１２及び第２情報層４２の記録層４２２に電流を印加するために設けられた電極である。   The lower electrode 40 and the upper electrode 43 are electrodes provided for applying a current to the recording layer 412 of the first information layer 41 and the recording layer 422 of the second information layer 42.

記録層４１２，４２２は、電流の印加により発生するジュール熱によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料にて形成されており、結晶相と非晶質相との間で抵抗率が変化する現象を情報の記録に利用する。記録層４１２、４１３の材料は、実施の形態１〜６で説明した情報記録媒体に含まれる記録層と同様の材料を用いることができ、同様の方法で形成できる。   The recording layers 412 and 422 are formed of a material that causes a reversible phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by Joule heat generated by application of a current. The phenomenon in which the resistivity changes between the two is used for recording information. As the material of the recording layers 412, 413, the same material as the recording layer included in the information recording medium described in Embodiments 1 to 6 can be used, and the recording layers can be formed by the same method.

第１情報層４１において、第１界面層４１１及び第２界面層４１３は、記録層４１２の結晶化時間を調整するために設けられている。第２情報層４２において、第１界面層４２１及び第２界面層４２３は記録層４２２の結晶化時間を調整するために設けられている。   In the first information layer 41, the first interface layer 411 and the second interface layer 413 are provided to adjust the crystallization time of the recording layer 412. In the second information layer 42, the first interface layer 421 and the second interface layer 423 are provided to adjust the crystallization time of the recording layer 422.

第１界面層４１１，４２１及び第２界面層４１３，４２３の材料は、実施の形態１の第１界面層１０３及び第２界面層１０５とそれぞれ同様の材料を用いることができる。   As the materials of the first interface layers 411 and 421 and the second interface layers 413 and 423, the same materials as those of the first interface layer 103 and the second interface layer 105 of Embodiment 1 can be used, respectively.

また、下部電極４０及び上部電極４３には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の単体金属材料、或いはこれらのうちの１つまたは複数の元素を主成分とし、耐湿性の向上、或いは熱伝導率の調整等のために、適宜１つ又は複数の他の元素を添加した合金材料を用いることができる。下部電極４０及び上部電極４３は、Ａｒガス雰囲気中で、材料となる金属母材または合金母材をスパッタリングターゲットとしてスパッタリングすることによって形成できる。なお、各層の成膜方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等を用いることも可能である。   In addition, the lower electrode 40 and the upper electrode 43 are mainly composed of a single metal material such as Al, Au, Ag, Cu, Pt, or one or more of these elements, to improve moisture resistance or heat. In order to adjust conductivity, an alloy material to which one or more other elements are appropriately added can be used. The lower electrode 40 and the upper electrode 43 can be formed by sputtering a metal base material or alloy base material as a sputtering target in an Ar gas atmosphere. As a method for forming each layer, a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can be used.

次に、情報記録媒体３８に情報を記録再生する電気的情報記録再生装置４４について説明する。本実施の形態における電気的情報記録再生装置４４は、印加部４５を介して、情報記録媒体３８と電気的に接続される。この電気的情報記録再生装置４４には、情報記録媒体３８の下部電極４０と上部電極４３との間に配置された記録層４１２，４２２に電流パルスを印加するためのパルス電源４８が設けられている。パルス電源４８にはスイッチ４７が接続されており、スイッチ４７を閉じることにより情報記録媒体３８の電極間に電流パルスを印加できる。また、記録層４１２，４２２の相変化による抵抗値の変化を検出するための抵抗測定器４６が設けられている。抵抗測定器４６にはスイッチ４９が接続されており、このスイッチ４９を閉じることにより抵抗測定器４６が情報記録媒体３８に接続される。記録層４１２，４２２の少なくとも一方を、非晶質相（高抵抗状態）から結晶相（低抵抗状態）に変化させるためには、スイッチ４７を閉じて（スイッチ４９は開く）電極間に電流パルスを印加し、電流パルスが印加される部分の温度が、材料の結晶化温度より高く、且つ融点より低い温度で、結晶化時間の間保持されるようにする。結晶相から再度非晶質相に戻す場合には、結晶化時よりも相対的に高い電流パルスをより短い時間で印加し、記録層を融点より高い温度にして溶融した後、急激に冷却する。なお、電気的情報記録再生装置４４のパルス電源４８から出力される記録・消去パルス波形の例が図１１に示されているが、詳細については後述する実施例において説明する。   Next, the electrical information recording / reproducing apparatus 44 for recording / reproducing information on the information recording medium 38 will be described. The electrical information recording / reproducing apparatus 44 in the present embodiment is electrically connected to the information recording medium 38 via the application unit 45. The electrical information recording / reproducing device 44 is provided with a pulse power supply 48 for applying a current pulse to the recording layers 412 and 422 disposed between the lower electrode 40 and the upper electrode 43 of the information recording medium 38. Yes. A switch 47 is connected to the pulse power supply 48, and a current pulse can be applied between the electrodes of the information recording medium 38 by closing the switch 47. Further, a resistance measuring device 46 for detecting a change in resistance value due to a phase change of the recording layers 412 and 422 is provided. A switch 49 is connected to the resistance measuring device 46, and the resistance measuring device 46 is connected to the information recording medium 38 by closing the switch 49. In order to change at least one of the recording layers 412 and 422 from the amorphous phase (high resistance state) to the crystalline phase (low resistance state), the switch 47 is closed (the switch 49 is opened), and a current pulse is generated between the electrodes. And the temperature of the portion to which the current pulse is applied is maintained for a crystallization time at a temperature higher than the crystallization temperature of the material and lower than the melting point. When returning from the crystalline phase to the amorphous phase again, a relatively high current pulse is applied in a shorter time than when crystallizing, the recording layer is heated to a temperature higher than the melting point, and then rapidly cooled. . An example of the recording / erasing pulse waveform output from the pulse power supply 48 of the electrical information recording / reproducing apparatus 44 is shown in FIG. 11, and details will be described in an embodiment described later.

ここで、第１情報層４１の記録層４１２が非晶質相の場合の抵抗値をｒa1、記録層４１２が結晶相の場合の抵抗値をｒc1、第２情報層４２の記録層４２２が非晶質相の場合の抵抗値をｒa2、記録層４２２が結晶相の場合の抵抗値をｒc2とする。ここで、ｒc1≦ｒc2＜ｒa1＜ｒa2もしくはｒc1≦ｒc2＜ｒa2＜ｒa1もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa1＜ｒa2もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa2＜ｒa1であることによって、記録層４１２と記録層４２２の抵抗値の和を、ｒa1＋ｒa2、ｒa1＋ｒa2c2、ｒa2＋ｒc1及びｒc1＋ｒc2の４つの異なる値に設定できる。従って、電極間の抵抗値を抵抗測定器４６で測定することにより、４つの異なる状態、すなわち２値の情報を一度に検出することができる。 Here, the resistance value when the recording layer 412 of the first information layer 41 is in an amorphous phase is r a1 , the resistance value when the recording layer 412 is in a crystalline phase is r c1 , and the recording layer 422 of the second information layer 42. Let r a2 be the resistance value when is an amorphous phase, and let r c2 be the resistance value when the recording layer 422 is in a crystalline phase. Here, r c1 ≦ r c2 <r a1 <r a2 or r c1 ≦ r c2 <r a2 <r a1 or r c2 ≦ r c1 <r a1 <r a2 or r c2 ≦ r c1 <r a2 <r a1 Thus, the sum of the resistance values of the recording layer 412 and the recording layer 422 can be set to four different values of r a1 + r a2 , r a1 + r a2c2 , r a2 + r c1 and r c1 + r c2 . Therefore, by measuring the resistance value between the electrodes with the resistance measuring device 46, four different states, that is, binary information can be detected at a time.

この情報記録媒体３８をマトリクス状に多数配置することによって、図９に示すような大容量の電気的情報記録媒体５０を構成することができる。電気的情報記録媒体５０の各メモリセル５１には、微小領域に情報記録媒体３８と同様の構成が形成されている。各々のメモリセル５１への情報の記録再生は、ワード線５２及びビット線５３をそれぞれ一つ指定することによって行う。   By arranging a large number of information recording media 38 in a matrix, a large-capacity electrical information recording medium 50 as shown in FIG. 9 can be configured. Each memory cell 51 of the electrical information recording medium 50 has a configuration similar to that of the information recording medium 38 in a minute area. Information is recorded / reproduced in / from each memory cell 51 by designating one word line 52 and one bit line 53, respectively.

図１０は、電気的情報記録媒体５０を用いた、情報記録システムの一構成例を示したものである。記憶装置５４は、電気的情報記録媒体５０と、アドレス指定回路５５とを含んでいる。アドレス指定回路５５により、電気的情報記録媒体５０のワード線５２及びビット線５３がそれぞれ指定され、各々のメモリセル５１への情報の記録再生を行うことができる。また、記憶装置５４を、少なくともパルス電源５７と抵抗測定器５８とを含む外部回路５６と電気的に接続することにより、電気的情報記録媒体５０への情報の記録再生を行うことができる。   FIG. 10 shows a configuration example of an information recording system using the electrical information recording medium 50. The storage device 54 includes an electrical information recording medium 50 and an address specifying circuit 55. The address designation circuit 55 designates the word line 52 and the bit line 53 of the electrical information recording medium 50, and information can be recorded / reproduced to / from each memory cell 51. Further, by electrically connecting the storage device 54 to an external circuit 56 including at least a pulse power source 57 and a resistance measuring device 58, information can be recorded on and reproduced from the electrical information recording medium 50.

以上に説明した実施の形態１〜９の情報記録媒体では、第１界面層及び第２界面層に用いる材料として上記した（Ｉ）〜（IV）のうち（Ｉ）の例を用いて説明したが、これに限定されず、（II）〜（IV）に示した材料を用いることも当然可能であり、同様の効果が得られる。   In the information recording media of Embodiments 1 to 9 described above, the material used for the first interface layer and the second interface layer has been described using the example (I) among the above (I) to (IV). However, the present invention is not limited to this, and it is naturally possible to use the materials shown in (II) to (IV), and similar effects can be obtained.

以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

実施例１では、図１の情報記録媒体１５を作製し、第１界面層１０３及び第２界面層１０５の材料と、情報層１６の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能との関係を調べた。具体的には、第１界面層１０３及び第２界面層１０５の材料が異なる複数のサンプル（１−１〜１−５）を作製し、それぞれのサンプルについて情報層１６の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能を測定した。   In Example 1, the information recording medium 15 of FIG. 1 was produced, and the relationship between the material of the first interface layer 103 and the second interface layer 105 and the recording sensitivity, signal strength, and repetitive rewriting performance of the information layer 16 was examined. . Specifically, a plurality of samples (1-1 to 1-5) having different materials for the first interface layer 103 and the second interface layer 105 are prepared, and the recording sensitivity, signal strength, and information intensity of the information layer 16 are measured for each sample. The rewrite performance was measured repeatedly.

サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）、第２誘電体層１０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、第２界面層１０５（厚さ５ｎｍ）、記録層１０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層１０３（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 The sample was manufactured as follows. First, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 μm) for guiding the laser beam 11 were formed was prepared as the substrate 14. Then, on the polycarbonate substrate, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 80 nm) as the reflective layer 108, a (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as the second dielectric layer 106, The second interface layer 105 (thickness 5 nm), the recording layer 104 as Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), the first interface layer 103 (thickness 5 nm), and the first dielectric layer 102 (ZnS ) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness 60 nm) were sequentially laminated by a sputtering method.

最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し、ポリカーボネートシート（直径１２０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を第１誘電体層１０２に密着させて全体を回転させることによって均一な樹脂層を形成する。その後、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させることによって、厚さ１００μｍの透明層１３を形成した。その後、記録層１０４をレーザビームの照射により結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層１０３及び第２界面層１０５の材料が異なる複数のサンプルを製造した。   Finally, an ultraviolet curable resin is applied onto the first dielectric layer 102, and a polycarbonate sheet (diameter 120 mm, thickness 90 μm) is brought into close contact with the first dielectric layer 102 to rotate the entire resin layer. Form. Thereafter, the resin layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin, thereby forming a transparent layer 13 having a thickness of 100 μm. Thereafter, an initialization process for crystallizing the recording layer 104 by laser beam irradiation was performed. As described above, a plurality of samples having different materials for the first interface layer 103 and the second interface layer 105 were manufactured.

このようにして得られたサンプルについて、図７に示す記録再生装置３２を用いて、情報記録媒体１５の情報層１６の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓ及び９．８ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。以下に、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数の測定方法について説明する。   With respect to the sample thus obtained, the recording sensitivity, signal strength, and number of repeated rewrites of the information layer 16 of the information recording medium 15 were measured using the recording / reproducing apparatus 32 shown in FIG. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.85, the linear velocity of the sample during measurement is 4.9 m / s and 9.8 m / s, and the shortest mark length (2T) is 0. 149 μm. Information was recorded in the groove. A method for measuring recording sensitivity, signal strength, and number of repeated rewrites will be described below.

記録感度は、レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、記録マークの前端ジッター（記録マーク前端部におけるジッター（マーク位置の誤差））、後端ジッター（記録マーク後端部におけるジッター（マーク位置の誤差））をタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価した。なお、ジッター値が小さいほど記録性能がよい。また、ＰpとＰbは、平均ジッター値（前端ジッターと後端ジッターとの平均値）が最小となるように決定し、この時の最適Ｐpを記録感度とした。 For recording sensitivity, the laser beam 11 is power-modulated between 0 and P p (mW), and a random signal with a mark length of 0.149 μm (2T) to 0.596 μm (8T) is modulated by (1-7) modulation method. By recording and measuring the front end jitter (jitter at the front end of the recording mark (mark position error)) and rear end jitter (jitter at the rear end of the recording mark (mark position error)) with a time interval analyzer evaluated. Note that the smaller the jitter value, the better the recording performance. P p and P b are determined so that the average jitter value (the average value of the front end jitter and the rear end jitter) is minimized, and the optimum P p at this time is defined as the recording sensitivity.

信号強度は、レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、最後に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の周波数での信号振幅（carrier level）と雑音振幅（noise level）の比（ＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio））をスペクトラムアナライザーで測定し、このＣＮＲ値を用いて評価した。なお、ＣＮＲ値が大きいほど信号強度が強い。 The signal intensity is obtained by power-modulating the laser beam 11 between 0 and P p (mW) and alternately recording signals having mark lengths of 0.149 μm (2T) and 0.671 μm (9T) in the same groove 10 times, Finally, the ratio of the signal amplitude (carrier level) and noise amplitude (noise level) at the frequency of the 2T signal when the 2T signal is overwritten (CNR (Carrier to Noise Ratio)) is measured with a spectrum analyzer, and this CNR value is calculated. Evaluated. Note that the signal intensity is stronger as the CNR value is larger.

繰り返し書き換え回数は、レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を同じグルーブに連続記録し、各記録書き換え回数における前端ジッター及び後端ジッターをタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価した。１回目の平均ジッター値に対し３％増加する書き換え回数を、繰り返し書き換え回数の上限値とした。なお、ＰpとＰbは、平均ジッター値が最小となるように決定した。 The number of repeated rewrites is that the laser beam 11 is power modulated between 0 and P p (mW), and a random signal with a mark length of 0.149 μm (2T) to 0.596 μm (8T) is continuously recorded in the same groove, The front end jitter and the rear end jitter at each recording rewrite count were evaluated by measuring with a time interval analyzer. The number of rewrites that increased by 3% with respect to the first average jitter value was taken as the upper limit value of the number of repeated rewrites. Note that P p and P b were determined so that the average jitter value was minimized.

各サンプルにおける第１界面層１０３及び第２界面層１０５の材料と、情報層１６の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能の評価結果について、線速度が４．９ｍ／ｓの場合（１Ｘ）の結果を表１に、線速度が９．８ｍ／ｓの場合（２Ｘ）の結果を表２に示す。ここで、表中のＺｒ−Ｇａ−Ｏは（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏは（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50をそれぞれ表している。また、表中のＺｒ−Ｃｒ−Ｏ／Ｚｒ−Ｇａ−Ｏは、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層と（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50層との二層構造であり、且つ、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層が記録層側に配置されていることを示している。なお、１Ｘでの記録感度については、５．２ｍＷ未満を○、５．２ｍＷ以上６ｍＷ未満を△、６ｍＷ以上を×と評価した。また、２Ｘでの記録感度については、６ｍＷ未満を○、６ｍＷ以上７ｍＷ未満を△、７ｍＷ以上を×と評価した。信号強度については、１Ｘ及び２Ｘ共に、４８ｄＢ以上を○、４５ｄＢ以上４８ｄＢ未満を△、４５ｄＢ未満を×と評価した。繰り返し書き換え性能については、１Ｘ及び２Ｘ共に、繰り返し書き換え回数が１０００回以上を○、５００回以上１０００回未満を△、５００回未満を×と評価した。 Regarding the evaluation results of the recording layer sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance of the first interface layer 103 and the second interface layer 105 in each sample and the information layer 16, the linear velocity is 4.9 m / s (1X). The results are shown in Table 1, and the results when the linear velocity is 9.8 m / s (2X) are shown in Table 2. Here, Zr—Ga—O in the table represents (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 , and Zr—Cr—O represents (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 . Further, Zr—Cr—O / Zr—Ga—O in the table is a two-layer structure of (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 layers and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 layers. And (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 layers are arranged on the recording layer side. The recording sensitivity at 1X was evaluated as ◯ for less than 5.2 mW, Δ for 5.2 to 6 mW, and x for 6 mW or more. In addition, the recording sensitivity at 2X was evaluated as ◯ for less than 6 mW, Δ for 6 mW or more and less than 7 mW, and X for 7 mW or more. Regarding signal strength, both 1X and 2X were evaluated as ◯ for 48 dB or more, Δ for 45 dB or more and less than 48 dB, and × for less than 45 dB. Regarding the repetitive rewriting performance, in both 1X and 2X, the number of repetitive rewritings was evaluated as “◯” for 1000 times or more, “Δ” for 500 times or more and less than 1000 times, and “×” for less than 500 times.

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この結果、第１界面層１０３及び第２界面層１０５にＧｅ−Ｎを用いたサンプル１−１（比較例）では、１Ｘでの繰り返し書き換え性能が不十分であることが分かった。また、第１界面層１０３及び第２界面層１０５に上記（Ｉ）〜（IV）の何れかを用いているサンプル１−２、１−３、１−４及び１−５では、記録感度、信号強度、及び繰り返し書き換え性能が良好であることもわかった。これらの中でも、特に、第１界面層１０３に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50、第２界面層１０５に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いたサンプル１−５が、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能のすべてにおいて極めて良好であることがわかった。 As a result, it was found that Sample 1-1 (Comparative Example) using Ge—N for the first interface layer 103 and the second interface layer 105 has insufficient repetitive rewriting performance at 1 ×. In Samples 1-2, 1-3, 1-4, and 1-5 in which any of (I) to (IV) is used for the first interface layer 103 and the second interface layer 105, the recording sensitivity, It was also found that the signal strength and repeated rewriting performance were good. Among these, in particular, Sample 1-5 using (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 for the first interface layer 103 and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 for the second interface layer 105. However, it was found that the recording sensitivity, the signal strength, and the repeated rewriting performance were all excellent.

実施例２では、図１に示された情報記録媒体１５を作製し、第２界面層１０５の材料と、情報層１６の繰り返し書き換え性能との関係を調べた。具体的には、第２界面層１０５の材料が異なる複数のサンプル（２−２〜２−１７）を作製し、それぞれのサンプルについて情報層１６の繰り返し書き換え回数を測定した。   In Example 2, the information recording medium 15 shown in FIG. 1 was produced, and the relationship between the material of the second interface layer 105 and the repeated rewriting performance of the information layer 16 was examined. Specifically, a plurality of samples (2-2 to 2-17) having different materials for the second interface layer 105 were produced, and the number of repeated rewrites of the information layer 16 was measured for each sample.

サンプルは以下のようにして製造した。まず。基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｎｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。このポリカーボネート基板上に、反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）、第２誘電体層１０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、第２界面層１０５（厚さ５ｎｍ）、記録層１０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層１０３として（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｒＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって成膜した。 The sample was manufactured as follows. First. A polycarbonate substrate (diameter 120 nm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 μm) for guiding the laser beam 11 were formed was prepared as the substrate 14. On this polycarbonate substrate, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 80 nm) as the reflective layer 108, a (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as the second dielectric layer 106, a second The interface layer 105 (thickness 5 nm), the recording layer 104 as a Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), and the first interface layer 103 as a (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 layer (thickness) 5 nm), a (ZrS) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 60 nm) was sequentially formed as the first dielectric layer 102 by a sputtering method.

最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し、ポリカーボネートシート（直径１２０ｎｍ、厚さ９０μｍ）を第１誘電体層１０２に密着させて全体を回転させ、均一な樹脂層を形成した。次に、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させた。これにより、厚み１００μｍの透明層１３が形成された。   Finally, an ultraviolet curable resin is applied onto the first dielectric layer 102, a polycarbonate sheet (diameter 120 nm, thickness 90 μm) is brought into close contact with the first dielectric layer 102, and the whole is rotated to form a uniform resin layer. Formed. Next, the resin layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin. As a result, a transparent layer 13 having a thickness of 100 μm was formed.

その後、記録層１０４にレーザビームを照射して、記録層１０４を結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層１０４の両面に設けられた第１界面層１０３及び第２界面層１０５が共にＧａ含有層であり、且つ第２界面層１０５の材料が互いに異なる複数のサンプルを作製した。   Thereafter, an initialization process was performed in which the recording layer 104 was irradiated with a laser beam to crystallize the recording layer 104. As described above, a plurality of samples in which the first interface layer 103 and the second interface layer 105 provided on both surfaces of the recording layer 104 are both Ga-containing layers and the materials of the second interface layer 105 are different from each other are manufactured. did.

このようにして得られたサンプルについて、図７に示す記録再生装置３２を用いて情報記録媒体１５の繰り返し書き換え性能を評価した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓ及び９．８ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。繰り返し書き換え回数の測定方法は実施例１の場合と同様である。   For the sample thus obtained, the rewrite performance of the information recording medium 15 was evaluated using the recording / reproducing apparatus 32 shown in FIG. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.85, the linear velocity of the sample during measurement is 4.9 m / s and 9.8 m / s, and the shortest mark length (2T) is 0. 149 μm. Information was recorded in the groove. The method for measuring the number of repeated rewrites is the same as in the first embodiment.

情報記録媒体１５の情報層１６の第２界面層１０５の材料と、情報層１６の繰り返し書き換え性能の評価結果について、線速度が４．９ｍ／ｓの場合（１Ｘ）の結果を表３に、線速度が９．８ｍ／ｓの場合（２Ｘ）の結果を表４に示す。なお、繰り返し書き換え性能の評価については、繰り返し書き換え回数が１００００回以上を◎、１０００回以上１００００回未満を〇とした。   Regarding the material of the second interface layer 105 of the information layer 16 of the information recording medium 15 and the evaluation result of the repeated rewrite performance of the information layer 16, the result when the linear velocity is 4.9 m / s (1X) is shown in Table 3. Table 4 shows the results when the linear velocity is 9.8 m / s (2X). In addition, regarding the evaluation of the repeated rewrite performance, the number of repeated rewrites of 10,000 or more was evaluated as “◎”, and the number of repeated rewrites of 1000 or more and less than 10,000 was evaluated as “◯”.

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この結果、第２界面層１０５に組成式（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1で表される材料を用いた場合、Ｃ１が１０≦Ｃ１≦９０の範囲にあるサンプル（２−２〜２−４及び２−６〜２−１７）では、繰り返し書き換え性能が特に良好であることが確認された。 As a result, when the material represented by the composition formula (Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 is used for the second interface layer 105, the sample in which C1 is in the range of 10 ≦ C1 ≦ 90 (2-2 ˜2-4 and 2-6 to 2-17), it was confirmed that the repeated rewriting performance was particularly good.

実施例３では、図３の情報記録媒体２０を作製し、第１界面層３０３及び第２界面層３０５の材料と、第２情報層２２の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能との関係を調べた。具体的には、第１界面層３０３及び第２界面層３０５の材料が異なる複数のサンプル（３−１〜３−５）を作製し、第２情報層２２の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数を測定した。   In Example 3, the information recording medium 20 of FIG. 3 was produced, and the relationship between the material of the first interface layer 303 and the second interface layer 305 and the recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance of the second information layer 22 was determined. Examined. Specifically, a plurality of samples (3-1 to 3-5) having different materials for the first interface layer 303 and the second interface layer 305 are prepared, and the recording sensitivity, signal strength, and rewrite of the second information layer 22 are repeated. The number of times was measured.

サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、第２界面層３０５（厚さ：５ｎｍ）、記録層３０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層３０３（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 The sample was manufactured as follows. First, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 μm) for guiding the laser beam 11 were formed was prepared as the substrate 14. Then, on the polycarbonate substrate, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 80 nm) as the reflective layer 208, a (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as the second dielectric layer 306, The second interface layer 305 (thickness: 5 nm), the recording layer 304 as Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), the first interface layer 303 (thickness 5 nm), and the first dielectric layer 302 ( ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness 60 nm) were sequentially laminated by sputtering.

次に、第１誘電体層３０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した転写用基板を密着させて全体を回転させることによって均一な樹脂層を形成し、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させた後に転写用基板をはがした。この工程によって、レーザビーム１１を導く案内溝が第１情報層２１側に形成された厚さ２５μｍの光学分離層１７を形成した。   Next, an ultraviolet curable resin is applied on the first dielectric layer 302, and a transfer substrate on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 μm) are formed is brought into close contact with the first dielectric layer 302 and the whole is rotated. A uniform resin layer was formed by irradiating the resin layer with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin, and then the transfer substrate was peeled off. By this step, the optical separation layer 17 having a thickness of 25 μm in which a guide groove for guiding the laser beam 11 was formed on the first information layer 21 side was formed.

その後、光学分離層１７の上に、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ２０ｎｍ）、反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ１０ｎｍ）、第２界面層２０５として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｇａ2Ｏ3）50層（厚さ１０ｎｍ）、記録層２０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ６ｎｍ）、第１界面層２０３として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 Thereafter, a TiO 2 layer (thickness 20 nm) as the transmittance adjusting layer 209, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 10 nm) as the reflective layer 208, and a second interface layer 205 (ZrO 2 ) on the optical separation layer 17. ) 25 (SiO 2 ) 25 (Ga 2 O 3 ) 50 layers (thickness 10 nm), Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 6 nm) as the recording layer 204, and (ZrO 2 ) as the first interface layer 203 25 (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 layers (thickness 5 nm) and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness 40 nm) as the first dielectric layer 202 were sequentially laminated by sputtering. .

最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層２０２上に塗布し、ポリカーボネートシート（直径１２０ｍｍ、厚さ６５μｍ）を第１誘電体層２０２に密着させて全体を回転させることによって均一な樹脂層を形成した。次に、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させることによって、厚さ７５μｍの透明層１３を形成した。その後、第２情報層２２の記録層３０４及び第１情報層２１の記録層２０４にレーザビームを照射して、結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層３０３及び第２界面層３０５の材料が異なる複数のサンプルを製造した。   Finally, an ultraviolet curable resin is applied on the first dielectric layer 202, a polycarbonate sheet (diameter 120 mm, thickness 65 μm) is brought into close contact with the first dielectric layer 202, and the entire resin layer is rotated to rotate. Formed. Next, the resin layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin, thereby forming a transparent layer 13 having a thickness of 75 μm. Thereafter, an initialization process was performed in which the recording layer 304 of the second information layer 22 and the recording layer 204 of the first information layer 21 were irradiated with a laser beam to be crystallized. As described above, a plurality of samples having different materials for the first interface layer 303 and the second interface layer 305 were manufactured.

このようにして得られたサンプルについて、図７の記録再生装置３２を用いて、情報記録媒体２０の第２情報層２３の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓ及び９．８ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数の測定方法は実施例１の場合と同様である。   With respect to the sample thus obtained, the recording sensitivity, the signal intensity, and the number of repeated rewrites of the second information layer 23 of the information recording medium 20 were measured using the recording / reproducing apparatus 32 of FIG. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.85, the linear velocity of the sample during measurement is 4.9 m / s and 9.8 m / s, and the shortest mark length (2T) is 0. 149 μm. Information was recorded in the groove. The measurement method of the recording sensitivity, the signal strength, and the number of repeated rewrites is the same as that in the first embodiment.

情報記録媒体２０の第２情報層２２の第１界面層３０３及び第２界面層３０５の材料と、第２情報層２２の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能の評価結果について、線速度が４．９ｍ／ｓの場合（１Ｘ）の結果を表５に、線速度が９．８ｍ／ｓの場合（２Ｘ）の結果を（表６）に示す。ここで、表中のＺｒ−Ｇａ−Ｏは（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏは（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50をそれぞれ表している。また、表中のＺｒ−Ｃｒ−Ｏ／Ｚｒ−Ｇａ−Ｏは、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層と（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50層との二層構造であり、且つ、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層が記録層側に配置されていることを示している。なお、１Ｘでの記録感度については、１０．４ｍＷ未満を○、１０．４ｍＷ以上１２ｍＷ未満を△、１２ｍＷ以上を×とした。また、２Ｘでの記録感度については、１２ｍＷ未満を○、１２ｍＷ以上１４ｍＷ未満を△、１４ｍＷ以上を×と評価した。信号強度については、１Ｘ及び２Ｘ共に、４４ｄＢ以上を○、４１ｄＢ以上４４ｄＢ未満を△、４１ｄＢ未満を×とした。繰り返し書き換え性能については、１Ｘ及び２Ｘ共に、繰り返し書き換え回数が１０００回以上を○、５００回以上１０００回未満を△、５００回未満を×とした。 Regarding the evaluation results of the material of the first interface layer 303 and the second interface layer 305 of the second information layer 22 of the information recording medium 20 and the recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance of the second information layer 22, the linear velocity is 4 Table 5 shows the results for (1X) in the case of .9 m / s, and (Table 6) shows the results for (2X) in the case where the linear velocity is 9.8 m / s. Here, Zr—Ga—O in the table represents (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 , and Zr—Cr—O represents (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 . Further, Zr—Cr—O / Zr—Ga—O in the table is a two-layer structure of (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 layers and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 layers. And (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 layers are arranged on the recording layer side. Regarding the recording sensitivity at 1X, “less than 10.4 mW” is indicated as “◯”, 10.4 mW or more and less than 12 mW is indicated as “Δ”, and 12 mW or more is indicated as “x”. In addition, the recording sensitivity at 2X was evaluated as ◯ for less than 12 mW, Δ for 12 mW or more and less than 14 mW, and X for 14 mW or more. Regarding the signal intensity, both 1X and 2X were evaluated as ◯ for 44 dB or more, Δ for 41 dB or more and less than 44 dB, and x for less than 41 dB. Regarding the repetitive rewriting performance, in both 1X and 2X, the number of repetitive rewritings was set as “◯”, “500” or more and less than 1000 as “Δ”, and less than 500 as “x”.

Figure 0004308741
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この結果、第１界面層３０３及び第２界面層３０５にＧｅ−Ｎを用いたサンプル３−１（比較例）では、１Ｘでの繰り返し書き換え性能が不十分であることが分かった。また、第１界面層３０３及び第２界面層３０５に上記（Ｉ）〜（IV）の何れかを用いているサンプル３−２、３−３、３−４及び３−５では、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能が良好であることもわかった。これらの中でも、特に第１界面層３０３に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50、第２界面層３０５に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いたサンプル２−５が、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能のすべてにおいて極めて良好であることがわかった。 As a result, it was found that Sample 3-1 (Comparative Example) using Ge—N for the first interface layer 303 and the second interface layer 305 has insufficient repetitive rewriting performance at 1 ×. In Samples 3-2, 3-3, 3-4, and 3-5 in which any one of (I) to (IV) is used for the first interface layer 303 and the second interface layer 305, the recording sensitivity, It was also found that the signal strength and repeated rewriting performance were good. Among these, Sample 2-5 using (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 for the first interface layer 303 and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 for the second interface layer 305 is particularly used. It was found that the recording sensitivity, the signal strength, and the repeated rewriting performance were all excellent.

実施例４では、図３の情報記録媒体２０を作製し、第２情報層２２の第２界面層３０５の材料と、第２情報層２２の繰り返し書き換え性能との関係を調べた。具体的には、第２界面層３０５の材料が異なる第２情報層２２を含む情報記録媒体２０のサンプルを作製し、第２情報層２２の繰り返し書き換え回数を測定した。なお、本実施例のサンプルは、第１界面層３０３に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50層を用い、第２界面層３０５には実施例２で用いた表３に示す材料を用いた以外は、実施例３のサンプルと同様に作製した。 In Example 4, the information recording medium 20 of FIG. 3 was produced, and the relationship between the material of the second interface layer 305 of the second information layer 22 and the repeated rewriting performance of the second information layer 22 was examined. Specifically, a sample of the information recording medium 20 including the second information layer 22 having a different material for the second interface layer 305 was produced, and the number of repeated rewrites of the second information layer 22 was measured. In the sample of this example, (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 layer is used for the first interface layer 303, and the materials shown in Table 3 used in Example 2 are used for the second interface layer 305. A sample was prepared in the same manner as in Example 3 except that it was used.

実施例２の場合と同様に繰り返し書き換え性能を評価した結果、実施例２で得られた結果と同様、第２界面層３０５に組成式（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1で表される材料を用いた場合、Ｃ１が１０≦Ｃ１≦９０の範囲にあるサンプルでは、繰り返し書き換え性能が特に良好であることが確認された。 As a result of evaluating the repeated rewriting performance in the same manner as in Example 2, the second interface layer 305 is represented by the composition formula (Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100 -C1 as in the result obtained in Example 2. When the material to be used is used, it has been confirmed that the repetitive rewriting performance is particularly good in the sample in which C1 is in the range of 10 ≦ C1 ≦ 90.

実施例５では、図３の情報記録媒体２０を作製し、第１情報層２１の第１界面層２０３及び第２界面層２０５の材料と、第１情報層２１の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能との関係を調べた。具体的には、第１界面層２０３及び第４界面層２０５の材料が異なる複数のサンプル（５−１〜５−５）を作製し、第１情報層２１の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数を測定した。   In Example 5, the information recording medium 20 of FIG. 3 was produced, and the material of the first interface layer 203 and the second interface layer 205 of the first information layer 21 and the recording sensitivity, signal strength, and repetition of the first information layer 21 were used. The relationship with rewriting performance was investigated. Specifically, a plurality of samples (5-1 to 5-5) having different materials for the first interface layer 203 and the fourth interface layer 205 are produced, and the recording sensitivity, signal strength, and rewrite of the first information layer 21 are repeated. The number of times was measured.

サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、第２界面層３０５として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｇａ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、記録層３０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層３０３として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 The sample was manufactured as follows. First, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 μm) for guiding the laser beam 11 were formed was prepared as the substrate 14. On the polycarbonate substrate, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 80 nm) as the reflective layer 308, a (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as the second dielectric layer 306, The second interface layer 305 is a (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Ga 2 O 3 ) 50 layer (thickness 5 nm), the recording layer 304 is a Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), the second (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 layers (thickness 5 nm) as one interface layer 303 and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness 60 nm) as the first dielectric layer 302 ) Were sequentially laminated by a sputtering method.

次に、第１誘電体層３０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した転写用基板を密着させて全体を回転させることによって均一な樹脂層を形成した。次に、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させた後、転写用基板をはがした。この工程によって、レーザビーム１１を導く案内溝が第１情報層２１側に形成された厚さ２５μｍの光学分離層１７を形成した。   Next, an ultraviolet curable resin is applied on the first dielectric layer 302, and a transfer substrate on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 μm) are formed is brought into close contact with the first dielectric layer 302 and the whole is rotated. Thus, a uniform resin layer was formed. Next, the resin layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin, and then the transfer substrate was peeled off. By this step, the optical separation layer 17 having a thickness of 25 μm in which a guide groove for guiding the laser beam 11 was formed on the first information layer 21 side was formed.

その後、光学分離層１７の上に、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ２０ｎｍ）、反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ１０ｎｍ）、第４界面層２０５（厚さ１０ｎｍ）、記録層２０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ６ｎｍ）、第１界面層２０３（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 Thereafter, on the optical separation layer 17, a TiO 2 layer (thickness 20 nm) as the transmittance adjusting layer 209, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 10 nm) as the reflective layer 208, and a fourth interface layer 205 (thickness 10 nm). ), Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 6 nm) as the recording layer 204, first interface layer 203 (thickness 5 nm), and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layer as the first dielectric layer 202 ( 40 nm in thickness) were sequentially laminated by a sputtering method.

最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層２０２上に塗布し、ポリカーボネートシート（直径１２０ｍｍ、厚さ６５μｍ）を第１誘電体層２０２に密着させて全体を回転させることによって均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、厚さ７５μｍの透明層１３を形成した。その後、記録層３０４、及び記録層２０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層２０３及び第２界面層２０５の材料が異なる複数のサンプルを製造した。   Finally, an ultraviolet curable resin is applied on the first dielectric layer 202, a polycarbonate sheet (diameter 120 mm, thickness 65 μm) is brought into close contact with the first dielectric layer 202, and the entire resin layer is rotated to rotate. After forming the transparent layer 13 having a thickness of 75 μm, the resin was cured by irradiating ultraviolet rays. Thereafter, an initialization process for crystallizing the recording layer 304 and the recording layer 204 with a laser beam was performed. As described above, a plurality of samples having different materials for the first interface layer 203 and the second interface layer 205 were manufactured.

このようにして得られたサンプルについて、図７の記録再生装置３２を用いて、情報記録媒体２０の第１情報層２１の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓ及び９．８ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え回数の測定方法は実施例１の場合と同様である。   With respect to the sample obtained in this manner, the recording sensitivity, the signal intensity, and the number of repeated rewrites of the first information layer 21 of the information recording medium 20 were measured using the recording / reproducing apparatus 32 of FIG. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.85, the linear velocity of the sample during measurement is 4.9 m / s and 9.8 m / s, and the shortest mark length (2T) is 0. 149 μm. Information was recorded in the groove. The measurement method of the recording sensitivity, the signal strength, and the number of repeated rewrites is the same as that in the first embodiment.

情報記録媒体２０の第１情報層２１の第１界面層２０３及び第２界面層２０５の材料と、第１情報層２１の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能の評価結果について、線速度が４．９ｍ／ｓの場合（１Ｘ）の結果を表７に、線速度が９．８ｍ／ｓの場合（２Ｘ）の結果を表８に示す。ここで、表中のＺｒ−Ｇａ−Ｏは（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏは（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50をそれぞれ表している。また、表中のＺｒ−Ｃｒ−Ｏ／Ｚｒ−Ｇａ−Ｏは、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層と（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50層との二層構造であり、且つ、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層が記録層側に配置されていることを示している。なお、１Ｘでの記録感度については、１０．４ｍＷ未満を○、１０．４ｍＷ以上１２ｍＷ未満を△、１２ｍＷ以上を×とした。また、２Ｘでの記録感度については、１２ｍＷ未満を○、１２ｍＷ以上１４ｍＷ未満を△、１４ｍＷ以上を×とした。信号強度については、１Ｘ及び２Ｘ共に、４３ｄＢ以上を○、４０ｄＢ以上４３ｄＢ未満を△、４０ｄＢ未満を×とした。繰り返し書き換え性能については、１Ｘ及び２Ｘ共に、繰り返し書き換え回数が１０００回以上を○、５００回以上１０００回未満を△、５００回未満を×とした。 Regarding the evaluation results of the material of the first interface layer 203 and the second interface layer 205 of the first information layer 21 of the information recording medium 20 and the recording sensitivity, signal strength, and repeated rewrite performance of the first information layer 21, the linear velocity is 4 Table 7 shows the results for (1X) when .9 m / s and Table 8 shows the results for (2X) when the linear velocity is 9.8 m / s. Here, Zr—Ga—O in the table represents (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 , and Zr—Cr—O represents (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 . Further, Zr—Cr—O / Zr—Ga—O in the table is a two-layer structure of (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 layers and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 layers. And (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 layers are arranged on the recording layer side. Regarding the recording sensitivity at 1X, “less than 10.4 mW” is indicated as “◯”, 10.4 mW or more and less than 12 mW is indicated as “Δ”, and 12 mW or more is indicated as “x”. Regarding the recording sensitivity at 2X, less than 12 mW was indicated by ◯, 12 mW or more and less than 14 mW by Δ, and 14 mW or more by ×. Regarding signal strength, both 1X and 2X were evaluated as ◯ for 43 dB or more, Δ for 40 dB or more and less than 43 dB, and X for less than 40 dB. Regarding the repetitive rewriting performance, in both 1X and 2X, the number of repetitive rewritings was set as “◯”, “500” or more and less than 1000 as “Δ”, and less than 500 as “x”.

Figure 0004308741
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この結果、第１界面層２０３及び第２界面層２０５にＧｅ−Ｎを用いたサンプル５−１（比較例）では、１Ｘ及び２Ｘでの記録感度と１Ｘでの繰り返し書き換え性能が不十分であることが分かった。また、第１界面層２０３及び第２界面層２０５に上記（Ｉ）〜（IV）の何れかを用いているサンプル３−２、３−３、３−４及び３−５では、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能が良好であることもわかった。これらの中でも、特に第１界面層２０３に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50、第２界面層２０５に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いたサンプル３−５が、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能のすべてにおいて極めて良好であることがわかった。 As a result, Sample 5-1 (Comparative Example) using Ge-N for the first interface layer 203 and the second interface layer 205 has insufficient recording sensitivity at 1X and 2X and repeated rewrite performance at 1X. I understood that. In Samples 3-2, 3-3, 3-4, and 3-5 in which any one of (I) to (IV) is used for the first interface layer 203 and the second interface layer 205, the recording sensitivity, It was also found that the signal strength and repeated rewriting performance were good. Among these, in particular, Sample 3-5 using (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 for the first interface layer 203 and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 for the second interface layer 205 is used. It was found that the recording sensitivity, the signal strength, and the repeated rewriting performance were all excellent.

実施例６では、図３の情報記録媒体２０を作製し、第１情報層２１の第２界面層２０５の材料と、第１情報層２１の繰り返し書き換え性能との関係を調べた。具体的には、第２界面層２０５の材料が異なる第１情報層２１を含む情報記録媒体２０のサンプルを作製し、第１情報層２１の繰り返し書き換え回数を測定した。なお、本実施例のサンプルは、第１界面層２０３に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50層を用い、第２界面層２０５には実施例２で用いた表３に示す材料を用いた以外は、実施例５のサンプルと同様に作製した。 In Example 6, the information recording medium 20 of FIG. 3 was produced, and the relationship between the material of the second interface layer 205 of the first information layer 21 and the repeated rewriting performance of the first information layer 21 was examined. Specifically, a sample of the information recording medium 20 including the first information layer 21 having a different material for the second interface layer 205 was produced, and the number of repeated rewrites of the first information layer 21 was measured. In the sample of this example, (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 layer is used for the first interface layer 203, and the materials shown in Table 3 used in Example 2 are used for the second interface layer 205. A sample was prepared in the same manner as in Example 5 except that it was used.

実施例２の場合と同様に繰り返し書き換え性能を評価した結果、実施例２で得られた結果と同様、第２界面層２０５に組成式（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1で表される材料を用いた場合、Ｃ１が１０≦Ｃ１≦９０の範囲にあるサンプルでは、繰り返し書き換え性能が特に良好であることが確認された。 As a result of repeated rewrite performance evaluation similar to the case of Example 2, the second interface layer 205 has a composition formula (Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 as in the case of the result obtained in Example 2. When the material to be used is used, it has been confirmed that the repetitive rewriting performance is particularly good in the sample in which C1 is in the range of 10 ≦ C1 ≦ 90.

実施例７では、図４に示す情報記録媒体２３を作製し、実施例１と同様の測定及び評価を行った。   In Example 7, the information recording medium 23 shown in FIG. 4 was produced, and the same measurement and evaluation as in Example 1 were performed.

本実施例におけるサンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．３４４μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ６０ｎｍ）、第１界面層１０３（厚さ５ｎｍ）、記録層１０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第２界面層１０５（厚さ５ｎｍ）、第２誘電体層１０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 The sample in this example was manufactured as follows. First, as the substrate 24, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 0.6 mm) on which a guide groove (depth 40 nm, track pitch 0.344 μm) for guiding the laser beam 11 was prepared. On the polycarbonate substrate, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 60 nm) as the first dielectric layer 102, first interface layer 103 (thickness 5 nm), and Ge 28 Sn 3 as the recording layer 104 are formed. Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), second interface layer 105 (thickness 5 nm), (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as second dielectric layer 106, reflective layer An Ag—Pd—Cu layer (thickness: 80 nm) as 108 was sequentially laminated by a sputtering method.

その後、別途用意したダミー基板２７上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、基板２４上に形成された情報層２５の反射層１０８とダミー基板２７とを密着させて全体を回転させることによって均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。その後、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させることによって、接着層２６を介して情報層２５とダミー基板２７を接着させた。最後に、記録層１０４の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。なお、第１界面層１０３及び第２界面層１０５には、実施例１の場合と同様、表１及び表２に示された材料を用い、５つのサンプルを作製した。   Thereafter, an ultraviolet curable resin is applied onto a separately prepared dummy substrate 27, the reflective layer 108 of the information layer 25 formed on the substrate 24 and the dummy substrate 27 are brought into close contact with each other, and the entire substrate is rotated to make a uniform resin. A layer (thickness 20 μm) was formed. Thereafter, the information layer 25 and the dummy substrate 27 were bonded via the adhesive layer 26 by irradiating the resin layer with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin. Finally, an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 104 with a laser beam was performed. For the first interface layer 103 and the second interface layer 105, five samples were produced using the materials shown in Tables 1 and 2 as in the case of Example 1.

このようにして得られたサンプルについて、対物レンズの開口数、測定時のサンプルの線速度及び最短マーク長以外を実施例１と同様にして、情報記録媒体２３の情報層２５の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．６５、測定時のサンプルの線速度は８．６ｍ／ｓ及び１７．２ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２９４μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。   With respect to the sample thus obtained, the recording sensitivity and signal of the information layer 25 of the information recording medium 23 are the same as in Example 1 except for the numerical aperture of the objective lens, the linear velocity of the sample at the time of measurement, and the shortest mark length. Strength and repeated rewriting performance were measured. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.65, the linear velocity of the sample during measurement is 8.6 m / s and 17.2 m / s, and the shortest mark length is 0.294 μm. did. Information was recorded in the groove.

この結果、実施例１と同様に、第１界面層１０３及び第２界面層１０５に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50又は（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いた情報層２５では、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能が良好であることがわかった。これらの中でも、特に第１界面層１０３に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50、第２界面層１０５に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いた場合に、情報層２５の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能のすべてにおいて極めて良好な情報記録媒体２３が得られた。 As a result, as in Example 1, (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 or (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 was used for the first interface layer 103 and the second interface layer 105. It was found that the information layer 25 has good recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance. Among them, the first interface layer 103 in the case of using a (ZrO 2) 50 (Cr 2 O 3) 50, the second interface layer 105 (ZrO 2) 50 (Ga 2 O 3) 50, the information layer An extremely good information recording medium 23 was obtained in all of 25 recording sensitivities, signal intensities and repeated rewriting performance.

実施例８では、図６の情報記録媒体３１を作製し、実施例３と同様の測定及び評価を行った。   In Example 8, the information recording medium 31 of FIG. 6 was produced, and the same measurement and evaluation as in Example 3 were performed.

本実施例のサンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．３４４μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ４０ｎｍ）、第１界面層２０３として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、記録層２０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ：６ｎｍ）、第２界面層２０５として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｇａ2Ｏ3）50層（厚さ１０ｎｍ）、反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ１０ｎｍ）、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ２０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 The sample of this example was manufactured as follows. First, as the substrate 24, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 0.6 mm) on which a guide groove (depth 40 nm, track pitch 0.344 μm) for guiding the laser beam 11 was prepared. On the polycarbonate substrate, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 40 nm) is formed as the first dielectric layer 202, and (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Cr 2 ) is formed as the first interface layer 203. O 3 ) 50 layers (thickness 5 nm), Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness: 6 nm) as the recording layer 204, and (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Ga 2 ) as the second interface layer 205 O 3 ) 50 layers (thickness 10 nm), an Ag—Pd—Cu layer (thickness 10 nm) as the reflective layer 208, and a TiO 2 layer (thickness 20 nm) as the transmittance adjusting layer 209 were sequentially laminated by sputtering.

また、基板３０として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．３４４μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、第２界面層３０５（厚さ５ｎｍ）、記録層３０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層３０３（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 A polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 0.58 mm) on which guide grooves (depth 40 nm, track pitch 0.344 μm) for guiding the laser beam 11 were formed was prepared as the substrate 30. On the polycarbonate substrate, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 80 nm) as the reflective layer 308, a (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as the second dielectric layer 306, The second interface layer 305 (thickness 5 nm), the recording layer 304 as Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), the first interface layer 303 (thickness: 5 nm), and the first dielectric layer 302 ( ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 60 nm) were sequentially laminated by a sputtering method.

その後、基板３０上に形成された第２情報層２２の第１誘電体層３０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、この第１誘電体層３０２と、基板２４上に形成された第１情報層２１の透過率調整層２０９とを密着して全体を回転させることによって、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成する。次に、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させることによって、第１情報層２１と第２情報層２２とを貼り合せる接着層２６を形成した。最後に、第２情報層２２の記録層３０４及び第１情報層２１の記録層２０４の全面にレーザビームを照射し、結晶化させる初期化工程を行った。なお、第１界面層３０３及び第２界面層３０５には、実施例３の場合と同様、表５及び表６に示された材料を用い、５つのサンプルを作製した。   Thereafter, an ultraviolet curable resin is applied on the first dielectric layer 302 of the second information layer 22 formed on the substrate 30, and the first information formed on the first dielectric layer 302 and the substrate 24. A uniform resin layer (thickness 20 μm) is formed by closely contacting the transmittance adjusting layer 209 of the layer 21 and rotating the whole. Next, the adhesive layer 26 for bonding the first information layer 21 and the second information layer 22 was formed by irradiating the resin layer with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin. Finally, an initialization process was performed in which the entire surface of the recording layer 304 of the second information layer 22 and the recording layer 204 of the first information layer 21 was irradiated with a laser beam to be crystallized. Note that, for the first interface layer 303 and the second interface layer 305, five samples were prepared using the materials shown in Tables 5 and 6 as in Example 3.

このようにして得られたサンプルについて、実施例３と同様の方法によって、情報記録媒体３１の第２情報層２２の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．６５、測定時のサンプルの線速度は８．６ｍ／ｓ、及び１７．２ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２９４μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。   With respect to the sample thus obtained, the recording sensitivity, the signal strength, and the repeated rewriting performance of the second information layer 22 of the information recording medium 31 were measured by the same method as in Example 3. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.65, the linear velocity of the sample during measurement is 8.6 m / s and 17.2 m / s, and the shortest mark length is 0.294 μm. It was. Information was recorded in the groove.

この結果、実施例３と同様に、第１界面層３０３及び第２界面層３０５に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50又は（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いた第２情報層２２では、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能が良好であることがわかった。これらの中でも、特に第１界面層３０３に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50、第２界面層３０５に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いた場合に、第２情報層２２の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能のすべてにおいて極めて良好な情報記録媒体３１が得られた。 As a result, as in Example 3, (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 or (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 was used for the first interface layer 303 and the second interface layer 305. It was found that the second information layer 22 had good recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance. Among them, particularly when the first interface layer 303 (ZrO 2) 50 (Cr 2 O 3) 50, was used (ZrO 2) 50 (Ga 2 O 3) 50 to the second interface layer 305, the second An information recording medium 31 with extremely good recording sensitivity, signal strength and repeated rewriting performance of the information layer 22 was obtained.

実施例９では、図６の情報記録媒体３１を作製し、実施例５と同様の測定及び評価を行った。   In Example 9, the information recording medium 31 of FIG. 6 was produced, and the same measurement and evaluation as in Example 5 were performed.

本実施例のサンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．３４４μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ４０ｎｍ）、第１界面層２０３（厚さ５ｎｍ）、記録層２０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ６ｎｍ）、第２界面層２０５（厚さ１０ｎｍ）、反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ１０ｎｍ）、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 The sample of this example was manufactured as follows. First, as the substrate 24, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 0.6 mm) on which a guide groove (depth 40 nm, track pitch 0.344 μm) for guiding the laser beam 11 was prepared. On the polycarbonate substrate, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 40 nm) as the first dielectric layer 202, first interface layer 203 (thickness 5 nm), and Ge 28 Sn 3 as the recording layer 204 are formed. Bi 2 Te 34 layer (thickness 6 nm), second interface layer 205 (thickness 10 nm), Ag—Pd—Cu layer (thickness 10 nm) as reflection layer 208, and TiO 2 layer (thickness) as transmittance adjustment layer 209 : 20 nm) were sequentially laminated by a sputtering method.

また、基板３０として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．３４４μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（Ｂｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ１２ｎｍ）、第２界面層３０５として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｇａ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、記録層３０４としてＧｅ28Ｓｎ3Ｂｉ2Ｔｅ34層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層３０３として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。 A polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 0.58 mm) on which guide grooves (depth 40 nm, track pitch 0.344 μm) for guiding the laser beam 11 were formed was prepared as the substrate 30. Then, on the polycarbonate substrate, an Ag—Pd—Cu layer (thickness 80 nm) as the reflective layer 208, a (Bi 2 O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 layer (thickness 12 nm) as the second dielectric layer 306, The second interface layer 305 is a (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Ga 2 O 3 ) 50 layer (thickness 5 nm), the recording layer 304 is a Ge 28 Sn 3 Bi 2 Te 34 layer (thickness 10 nm), the second (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 layers (thickness 5 nm) as one interface layer 303 and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 1 nm) as the first dielectric layer 302 60 nm) were sequentially laminated by a sputtering method.

その後、紫外線硬化性樹脂を基板３０上に形成された第２情報層２２の第１誘電体層３０２上に塗布し、この第１誘電体層３０２と、基板２４上に形成された第１情報層２１の透過率調整層２０９とを密着させて全体を回転させることによって、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。次に、この樹脂層に紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させた。これにより、第１情報層２１と第２情報層２２とを貼り合せるための接着層２６が形成された。最後に、記録層３０４及び記録層２０４の全面にレーザビームを照射し、結晶化させる初期化工程を行った。なお、第１界面層２０３及び第２界面層２０５には、実施例５の場合と同様、表７及び表８に示された材料を用い、５つのサンプルを作製した。   Thereafter, an ultraviolet curable resin is applied onto the first dielectric layer 302 of the second information layer 22 formed on the substrate 30, and the first information formed on the first dielectric layer 302 and the substrate 24 is applied. A uniform resin layer (thickness: 20 μm) was formed by rotating the whole while adhering to the transmittance adjusting layer 209 of the layer 21. Next, the resin layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin. Thus, an adhesive layer 26 for bonding the first information layer 21 and the second information layer 22 was formed. Finally, an initialization process was performed in which the entire surface of the recording layer 304 and the recording layer 204 was irradiated with a laser beam to be crystallized. For the first interface layer 203 and the second interface layer 205, five samples were produced using the materials shown in Tables 7 and 8 as in Example 5.

このようにして得られたサンプルについて、実施例５と同様の方法によって、情報記録媒体３１の第１情報層２１の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３４の開口数は０．６５、測定時のサンプルの線速度は８．６ｍ／ｓ及び１７．２ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２９４μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。   With respect to the sample thus obtained, the recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance of the first information layer 21 of the information recording medium 31 were measured by the same method as in Example 5. At this time, the wavelength of the laser beam 11 is 405 nm, the numerical aperture of the objective lens 34 is 0.65, the linear velocity of the sample during measurement is 8.6 m / s and 17.2 m / s, and the shortest mark length is 0.294 μm. did. Information was recorded in the groove.

この結果、実施例５と同様に、第１界面層２０３及び第２界面層２０５に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50又は（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いた第１情報層２１では、記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能が良好であることがわかった。これらの中でも、特に第１界面層２０３に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50、第２界面層２０５に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いた場合に、第２情報層２３の記録感度、信号強度及び繰り返し書き換え性能のすべてにおいて極めて良好な情報記録媒体３１が得られた。 As a result, as in Example 5, (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 or (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 was used for the first interface layer 203 and the second interface layer 205. It was found that the first information layer 21 has good recording sensitivity, signal strength, and repeated rewriting performance. Among these, in particular, when (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 is used for the first interface layer 203 and (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 is used for the second interface layer 205, An information recording medium 31 with extremely good recording sensitivity, signal strength and repeated rewriting performance of the information layer 23 was obtained.

実施例１から実施例９で作製したサンプルにおいて、界面層として設けられたＧａ含有層と記録層との間にさらにＣｒ含有層を設けた場合についても同様の測定及び評価を行ったところ、実施例１から実施例９と同様の結果が得られた。なお、記録層とＧａ含有層との間に設けたＣｒ含有層の組成は、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50であった。 In the samples prepared in Example 1 to Example 9, the same measurement and evaluation were performed for the case where a Cr-containing layer was further provided between the Ga-containing layer provided as the interface layer and the recording layer. The same results as in Examples 1 to 9 were obtained. The composition of the Cr-containing layer provided between the recording layer and the Ga-containing layer was (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 .

実施例１から実施例９で作製したサンプルにおいて、界面層として設けられたＧａ含有層と記録層との間、又はＣｒ含有層と記録層との間の少なくともいずれか一方に、主成分としてＣを含むＣ含有層をさらに備えた場合についても同様の測定及び評価を行ったところ、実施例１から実施例９と同様の結果が得られた。なお、本実施例で用いたＣ含有層は、Ｃからなる層であった。   In the samples prepared in Example 1 to Example 9, C as a main component is provided between at least one of the Ga-containing layer provided as the interface layer and the recording layer or between the Cr-containing layer and the recording layer. When the same measurement and evaluation were performed for the case of further including a C-containing layer containing, the same results as in Example 1 to Example 9 were obtained. The C-containing layer used in this example was a layer made of C.

実施例１から実施例１１において、Ｇａ含有層がさらにＳｉを含む場合、又はＧａ含有層のＺｒの一部又は全部をＨｆ及びＹの少なくともいずれか一つの元素で置き換えた場合についても同様の測定及び評価を行ったところ、実施例１から実施例１１と同様の結果が得られた。また、Ｇａ含有層がさらにＣｒを含む場合についても実施例１から実施例１１と同様の結果が得られた。   In Example 1 to Example 11, when the Ga-containing layer further contains Si, or when part or all of Zr of the Ga-containing layer is replaced with at least one element of Hf and Y, the same measurement is performed. And when the evaluation was performed, the same results as in Example 1 to Example 11 were obtained. Moreover, the same results as in Examples 1 to 11 were obtained when the Ga-containing layer further contained Cr.

実施例１から実施例１２において、Ｃｒ含有層がさらにＳｉを含む場合、又はＣｒ含有層のＺｒの一部又は全部をＨｆ又はＹの少なくともいずれか一つの元素で置き換えた場合についても同様の実験を行ったところ、実施例１から実施例１２と同様の結果が得られた。   In Examples 1 to 12, the same experiment was performed when the Cr-containing layer further contained Si, or when a part or all of Zr of the Cr-containing layer was replaced with at least one element of Hf or Y. As a result, the same results as in Example 1 to Example 12 were obtained.

実施例１４では、図８に示した電気的情報記録媒体３８を製造して、電流の印加による記録層４１２，４２２の相変化を確認した。   In Example 14, the electrical information recording medium 38 shown in FIG. 8 was manufactured, and the phase change of the recording layers 412 and 422 due to the application of current was confirmed.

基板３９として、表面を窒化処理したＳｉ基板を準備した。このＳｉ基板の上に、下部電極４０としてＰｔを面積６μｍ×６μｍで厚さ０．１μｍ、第１情報層４１、第２情報層４２、上部電極４３としてＰｔを面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍに、順次スパッタリング法を用いて積層した。   As the substrate 39, a Si substrate whose surface was nitrided was prepared. On this Si substrate, Pt as the lower electrode 40 has an area of 6 μm × 6 μm and a thickness of 0.1 μm, and the first information layer 41, the second information layer 42, and the upper electrode 43 as Pt has an area of 5 μm × 5 μm and a thickness of 0 .1 μm were sequentially laminated using a sputtering method.

第１情報層４１は、下部電極４０上に、第１界面層４１１として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50を面積４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍ、記録層４１２としてＧｅ22Ｂｉ2Ｔｅ25を面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍ、第２界面層４１３として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｇａ2Ｏ3）50を面積４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍに、順次スパッタリング法にて成膜することにより形成された。 The first information layer 41 has (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 as an area of 4.5 μm × 5 μm and a thickness of 0.01 μm on the lower electrode 40 as the first interface layer 411. The recording layer 412 is Ge 22 Bi 2 Te 25 with an area of 5 μm × 5 μm and a thickness of 0.1 μm, and the second interface layer 413 is (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Ga 2 O 3 ) 50 with an area of 4.5 μm. The film was formed by sequentially forming a film by sputtering to a thickness of 0.01 μm at × 5 μm.

第２情報層４２は、第１情報層４１の第２界面層４１３上に、第２界面層４２１として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50を４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍ、記録層４２２としてＳｂ70Ｔｅ25Ｇｅ5を面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍ、第２界面層４２３として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｇａ2Ｏ3）50を４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍに、順次スパッタリング法にて成膜することにより形成された。 The second information layer 42 has (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 of 4.5 μm × 5 μm as the second interface layer 421 on the second interface layer 413 of the first information layer 41. And a recording layer 422 of Sb 70 Te 25 Ge 5 with an area of 5 μm × 5 μm and a thickness of 0.1 μm, and the second interface layer 423 of (ZrO 2 ) 25 (SiO 2 ) 25 (Ga 2 O 3 The film was formed by sequentially depositing 50 by 4.5 μm × 5 μm to a thickness of 0.01 μm by a sputtering method.

なお、以上のように形成された第１界面層４１１、４２１及び第２界面層４１３、４２３は絶縁体である。従って、記録層４１２、４２２に電流を流すため、第１界面層４１１、４２１及び第２界面層４１３、４２３を記録層４１２、４２２よりも小さい面積で成膜し、下部電極４０、第１情報層４１の記録層４１２、第２情報層４２の記録層４２２及び上部電極４３が互いに電気的に接続されるように、接する部分を設けている。   The first interface layers 411 and 421 and the second interface layers 413 and 423 formed as described above are insulators. Therefore, in order to pass a current through the recording layers 412, 422, the first interface layers 411, 421 and the second interface layers 413, 423 are formed in a smaller area than the recording layers 412, 422, and the lower electrode 40, the first information is recorded. A contact portion is provided so that the recording layer 412 of the layer 41, the recording layer 422 of the second information layer 42, and the upper electrode 43 are electrically connected to each other.

その後、下部電極４０及び上部電極４３にＡｕリード線をボンディングし、印加部４５を介して電気的情報記録再生装置４４を電気的情報記録媒体３８に接続した。この電気的情報記録再生装置４４により、下部電極４０と上部電極４３との間には、パルス電源４８がスイッチ４７を介して接続され、さらに、記録層４１２、４２２の相変化による抵抗値の変化が、下部電極４０と上部電極４３との間にスイッチ４９を介して接続された抵抗測定器４６によって検出される。   Thereafter, an Au lead wire was bonded to the lower electrode 40 and the upper electrode 43, and the electrical information recording / reproducing device 44 was connected to the electrical information recording medium 38 via the application unit 45. With this electrical information recording / reproducing device 44, a pulse power supply 48 is connected between the lower electrode 40 and the upper electrode 43 via a switch 47, and the resistance value changes due to the phase change of the recording layers 412, 422. Is detected by a resistance measuring device 46 connected via a switch 49 between the lower electrode 40 and the upper electrode 43.

本実施例において、第１情報層４１の記録層４１２の融点Ｔm1は６３０℃、結晶化温度Ｔx1は１７０℃、結晶化時間ｔx1は１００ｎｓであった。さらに、記録層４１２が非晶質相での抵抗値ｒa1は５００Ω、結晶相での抵抗値ｒc1は１０Ωであった。 In this example, the recording layer 412 of the first information layer 41 had a melting point T m1 of 630 ° C., a crystallization temperature T x1 of 170 ° C., and a crystallization time t x1 of 100 ns. Further, the recording layer 412 had a resistance value r a1 in the amorphous phase of 500Ω and a resistance value r c1 in the crystal phase of 10Ω.

また、第２情報層４２の記録層４２２の融点Ｔm2は５５０℃、結晶化温度Ｔx2は２００℃、結晶化時間ｔx2は５０ｎｓであった。さらに、記録層４２２が非晶質相での抵抗値ｒa2は８００Ω、結晶相での抵抗値ｒc2は２０Ωであった。 The recording layer 422 of the second information layer 42 had a melting point T m2 of 550 ° C., a crystallization temperature T x2 of 200 ° C., and a crystallization time t x2 of 50 ns. Further, the resistance value r a2 of the recording layer 422 in the amorphous phase was 800Ω, and the resistance value r c2 in the crystal phase was 20Ω.

図１１に、電気的情報記録再生装置４４のパルス電源４８から出力される記録・消去パルス波形の一例が示されている。図１１において、Ｉc1、Ic2、Ia1、Ia2、ｔc1、ｔc2、ｔa1、ｔa2は以下のことを示している。 FIG. 11 shows an example of a recording / erasing pulse waveform output from the pulse power supply 48 of the electrical information recording / reproducing apparatus 44. In FIG. 11, I c1 , I c2 , I a1 , I a2 , t c1 , t c2 , t a1 , and t a2 indicate the following.

Ic1、ｔc1：第１情報層４１の記録層４１２が非晶質相から結晶相に転移する
のに必要な電流値と時間
Ic2、ｔc2：第２情報層４２の記録層４２２が非晶質相から結晶相に転移する
のに必要な電流値と時間
Ｉa1、ｔa1：第１情報層４１の記録層４１２が結晶相から非晶質相に転移する
のに必要な電流値と時間
Ｉa2、ｔa2：第２情報層４２の記録層４２２が結晶相から非晶質相に転移する
のに必要な電流値と時間 I c1 , t c1 : the recording layer 412 of the first information layer 41 transitions from an amorphous phase to a crystalline phase
Current value and time required for
I c2 , t c2 : the recording layer 422 of the second information layer 42 transitions from an amorphous phase to a crystalline phase
Current value and time I a1 , t a1 : the recording layer 412 of the first information layer 41 transitions from a crystalline phase to an amorphous phase
Current value and time I a2 and t a2 required for the recording: the recording layer 422 of the second information layer 42 transitions from a crystalline phase to an amorphous phase
Current value and time required for

次に、本実施例における電流パルスと第１情報層４１の記録層４１２（ここでは、便宜上、第１記録層４１２とする。）及び第２情報層４２の記録層４２２（ここでは、便宜上、第２記録層４２２とする。）との関係について説明する。   Next, the current pulse and the recording layer 412 of the first information layer 41 (here, referred to as the first recording layer 412) and the recording layer 422 of the second information layer 42 (here, for convenience) in this example. The relationship with the second recording layer 422) will be described.

第１記録層４１２及び第２記録層４２２が共に非晶質相のとき（以下、状態１とする）、下部電極４０と上部電極４３との間に、図１１の記録波形５０１においてＩc1＝５ｍＡ、ｔc1＝１５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２のみが非晶質相から結晶相に転移した（以下、状態２とする）。また、状態１のとき、下部電極４０と上部電極４３の間に、図１１の記録波形５０２においてＩc2＝１０ｍＡ、ｔc2＝１００ｎｓの電流パルスを印加したところ、第２記録層４２２のみが非晶質相から結晶相に転移した（以下、状態３とする）。また、状態１のとき、下部電極４０と上部電極４３との間に、図１１の記録波形５０３においてＩc2＝１０ｍＡ、ｔc1＝１５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２及び第２記録層４２２が共に非晶質相から結晶相に転移した（以下、状態４とする）。 When both the first recording layer 412 and the second recording layer 422 are in an amorphous phase (hereinafter referred to as state 1), I c1 = I in the recording waveform 501 in FIG. 11 between the lower electrode 40 and the upper electrode 43. When a current pulse of 5 mA and t c1 = 150 ns was applied, only the first recording layer 412 changed from the amorphous phase to the crystalline phase (hereinafter referred to as state 2). In the state 1, when a current pulse of I c2 = 10 mA and t c2 = 100 ns is applied between the lower electrode 40 and the upper electrode 43 in the recording waveform 502 of FIG. 11, only the second recording layer 422 is non-exposed. Transition from the crystalline phase to the crystalline phase (hereinafter referred to as state 3). In state 1, when a current pulse of I c2 = 10 mA and t c1 = 150 ns was applied between the lower electrode 40 and the upper electrode 43 in the recording waveform 503 of FIG. 11, the first recording layer 412 and the first recording layer 412 Both the two recording layers 422 transitioned from the amorphous phase to the crystalline phase (hereinafter referred to as state 4).

次に、第１記録層４１２及び第２記録層４２２が共に結晶相で低抵抗状態の状態４のとき、下部電極４０と上部電極４３との間に、図１１の記録波形５０４においてＩa1＝２０ｍＡ、Ｉc2＝１０ｍＡ、ｔc2＝１００ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２のみが結晶相から非晶質相に転移した（状態３）。また、状態４のとき、下部電極４０と上部電極４３の間に、図１１の記録波形５０５においてＩa2＝１５ｍＡ、ｔa2＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第２記録層４２２のみが結晶相から非晶質相に転移した（状態２）。また、状態４のとき、下部電極４０と上部電極４３との間に、図１１の消去波形５０６においてＩa1＝２０ｍＡ、ｔa1＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２及び第２記録層４２２が共に結晶相から非晶質相に転移した（状態１）。 Next, when the first recording layer 412 and the second recording layer 422 are both in the crystalline phase and in the low resistance state 4, I a1 = I in the recording waveform 504 in FIG. 11 between the lower electrode 40 and the upper electrode 43. When a current pulse of 20 mA, I c2 = 10 mA, t c2 = 100 ns was applied, only the first recording layer 412 changed from the crystalline phase to the amorphous phase (state 3). In the state 4, when a current pulse of I a2 = 15 mA and t a2 = 50 ns is applied between the lower electrode 40 and the upper electrode 43 in the recording waveform 505 of FIG. 11, only the second recording layer 422 is crystallized. Transition from the phase to the amorphous phase (state 2). In state 4, when a current pulse of I a1 = 20 mA and t a1 = 50 ns is applied between the lower electrode 40 and the upper electrode 43 in the erase waveform 506 of FIG. 11, the first recording layer 412 and the first recording layer 412 Both the two recording layers 422 transitioned from the crystalline phase to the amorphous phase (state 1).

また、状態２又は状態３のとき、図１１の記録波形５０３においてＩc2＝１０ｍＡ、ｔc1＝１５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２及び第２記録層４２２が共に非晶質相から結晶相に転移した（状態４）。また、状態２又は状態３のとき、図１１の消去波形５０７においてＩa1＝２０ｍＡ、Ｉc2＝１０ｍＡ、ｔc1＝１５０ｎｓ、ｔa1＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２及び第２記録層４２２が共に結晶相から非晶質相に転移した（状態１）。また、状態２のとき、図１１の記録波形５０８においてＩa1＝２０ｍＡ、Ｉc2＝１０ｍＡ、ｔc2＝１００ｎｓ、ｔa1＝５０ｎｓ電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２が結晶相から非晶質相に転移し、第２記録層４２２が非晶質相から結晶相に転移した（状態３）。また、状態３のとき、図１１の記録波形５０９においてＩa2＝１５ｍＡ、Ｉc1＝５ｍＡ、ｔc1＝１５０ｎｓ、ｔa2＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４１２が非晶質相から結晶相に転移し、第２記録層４２２が結晶相から非晶質相に転移した（状態２）。 In the state 2 or 3, when a current pulse of I c2 = 10 mA and t c1 = 150 ns is applied in the recording waveform 503 in FIG. 11, both the first recording layer 412 and the second recording layer 422 are amorphous. Transition from the phase to the crystalline phase (state 4). Further, in the state 2 or the state 3, when a current pulse of I a1 = 20 mA, I c2 = 10 mA, t c1 = 150 ns, t a1 = 50 ns is applied in the erase waveform 507 in FIG. 11, the first recording layer 412 and Both the second recording layers 422 transitioned from the crystalline phase to the amorphous phase (state 1). In the state 2, when a current pulse of I a1 = 20 mA, I c2 = 10 mA, t c2 = 100 ns, t a1 = 50 ns is applied in the recording waveform 508 of FIG. 11, the first recording layer 412 is not in the crystal phase. Transition to the crystalline phase caused the second recording layer 422 to transition from the amorphous phase to the crystalline phase (state 3). In the state 3, when a current pulse of I a2 = 15 mA, I c1 = 5 mA, t c1 = 150 ns, t a2 = 50 ns is applied in the recording waveform 509 of FIG. 11, the first recording layer 412 is amorphous. The phase changed from the phase to the crystal phase, and the second recording layer 422 changed from the crystal phase to the amorphous phase (state 2).

以上の結果から、図８の電気的相変化形情報記録媒体３８では、第１記録層４１２及び第２記録層４２２のそれぞれを結晶相と非晶質相との間で電気的に可逆変化させることができ、４つの状態（状態１：第１記録層４１２と第２記録層４２２が共に非晶質相、状態２：第１記録層４１２が結晶相で第２記録層４２２が非晶質相、状態３：第１記録層４１２が非晶質相で第２記録層４２２が結晶相、状態４：第１記録層４１２と第２記録層４２２が共に結晶相）を実現できることがわかった。   From the above results, in the electrical phase change information recording medium 38 of FIG. 8, the first recording layer 412 and the second recording layer 422 are electrically reversibly changed between the crystalline phase and the amorphous phase. 4 states (state 1: the first recording layer 412 and the second recording layer 422 are both in an amorphous phase, state 2: the first recording layer 412 is in a crystalline phase, and the second recording layer 422 is in an amorphous state. Phase, state 3: the first recording layer 412 is in an amorphous phase, the second recording layer 422 is in a crystalline phase, and state 4: both the first recording layer 412 and the second recording layer 422 are in a crystalline phase). .

また、電気的相変化形情報記録媒体３８の繰り返し書き換え回数を測定したところ、各情報層４１、４２に第１界面層４１１、４２１及び第２界面層４１３、４２３が無い場合に比べ１０倍以上向上することも確認できた。これは、第１界面層４１１、４１３及び第２界面層４１３、４２３が、第１記録層４１２及び第２記録層４２２への下部電極４０及び上部電極４３からの物質移動を抑制しているためである。   Further, when the number of repeated rewrites of the electrical phase change information recording medium 38 was measured, the information layers 41 and 42 were 10 times or more compared to the case where the first interface layers 411 and 421 and the second interface layers 413 and 423 were not provided. It was also confirmed that it improved. This is because the first interface layers 411 and 413 and the second interface layers 413 and 423 suppress the mass transfer from the lower electrode 40 and the upper electrode 43 to the first recording layer 412 and the second recording layer 422. It is.

本発明にかかる情報記録媒体は、記録した情報を長時間保持できる性質（不揮発性）を有し、高密度の書き換え型及び追記型の光ディスク等として有用である。また電気的不揮発性メモリ等の用途にも応用できる。   The information recording medium according to the present invention has a property (nonvolatile) capable of retaining recorded information for a long time, and is useful as a high-density rewritable and write-once optical disc. It can also be applied to uses such as an electrically non-volatile memory.

本発明の実施の形態１の情報記録媒体の構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of the information recording medium of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２の情報記録媒体の構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of the information recording medium of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３の情報記録媒体の構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of the information recording medium of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態４の情報記録媒体の構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of the information recording medium of Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態５の情報記録媒体の構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of the information recording medium of Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態６の情報記録媒体の構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of the information recording medium of Embodiment 6 of this invention. 本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一例について一部構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a part structure about an example of the recording / reproducing apparatus which records / reproduces information with respect to the information recording medium of this invention. 本発明の実施の形態８における情報記録媒体の一部断面と、その情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う電気的情報記録再生装置の構成とを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the partial cross section of the information recording medium in Embodiment 8 of this invention, and the structure of the electrical information recording / reproducing apparatus which records / reproduces information with respect to the information recording medium. 本発明の実施の形態８における大容量の電気的情報記録媒体の構成の一部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a part of structure of the large capacity | capacitance electrical information recording medium in Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態８における電気的情報記録媒体とその記録再生システムとの構成の一部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a part of structure of the electrical information recording medium and its recording / reproducing system in Embodiment 8 of this invention. 本発明の電気的情報記録媒体に印加する記録・消去パルス波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the recording / erasing pulse waveform applied to the electrical information recording medium of this invention. 従来の情報記録媒体の一例である４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭの構成を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the structure of 4.7 GB / DVD-RAM which is an example of the conventional information recording medium.

符号の説明Explanation of symbols

１１ レーザビーム
１２ 情報記録媒体
１３ 透明層
１４ 基板
１５ 情報記録媒体
１６ 情報層
１７ 光学分離層
１８1〜１８N 第１〜第Ｎ情報層
１９ 情報記録媒体
２０ 情報記録媒体
２１ 第１情報層
２２ 第２情報層
２３ 情報記録媒体
２４ 基板
２５ 情報層
２６ 接着層
２７ ダミー基板
２８ 情報記録媒体
２９1〜２９N 第１〜第Ｎ情報層
３０ 基板
３１ 情報記録媒体
３２ 記録再生装置
３３ スピンドルモータ
３４ 対物レンズ
３５ 半導体レーザ
３６ 光学ヘッド
３７ 情報記録媒体
３８ 情報記録媒体
３９ 基板
４０ 下部電極
４１ 第１情報層
４２ 第２情報層
４３ 上部電極
４４ 電気的情報記録再生装置
４５ 印加部
４６ 抵抗測定器
４７ スイッチ
４８ パルス電源
４９ スイッチ
５０ 電気的情報記録媒体
５１ メモリセル
５２ ワード線
５３ ビット線
５４ 記憶装置
５５ アドレス指定回路
５６ 外部回路
５７ パルス電源
５８ 抵抗測定器
１００ 情報層
１０２ 第１誘電体層
１０３ 第１海面層
１０４ 記録層
１０５ 第２界面層
１０６ 第２誘電体層
１０８ 反射層
２０２ 第１誘電体層
２０３ 第１界面層
２０４ 記録層
２０５ 第２界面層
２０８ 反射層
２０９ 透過率調整層
３０２ 第１誘電体層
３０３ 第１界面層
３０４ 記録層
３０５ 第２界面層
３０６ 第２誘電体層
３０８ 反射層
４１１ 第１界面層
４１２ 記録層
４１３ 第２界面層
４２１ 第１界面層
４２２ 記録層
４２３ 第２界面層
５０１〜５０９ 記録波形 11 Laser beam 12 Information recording medium 13 Transparent layer 14 Substrate 15 Information recording medium 16 Information layer 17 Optical separation layers 18 1 to 18 N First to Nth information layers 19 Information recording medium 20 Information recording medium 21 First information layer 22 First 2 information layer 23 information recording medium 24 substrate 25 information layer 26 adhesive layer 27 dummy substrate 28 information recording media 29 1 to 29 N 1st to Nth information layers 30 substrate 31 information recording medium 32 recording / reproducing apparatus 33 spindle motor 34 objective lens 35 Semiconductor laser 36 Optical head 37 Information recording medium 38 Information recording medium 39 Substrate 40 Lower electrode 41 First information layer 42 Second information layer 43 Upper electrode 44 Electrical information recording / reproducing device 45 Application unit 46 Resistance measuring instrument 47 Switch 48 Pulse Power supply 49 Switch 50 Electrical information recording medium 51 Memory cell 52 Word line 53 Bit line 54 Storage device 55 Addressing circuit 56 External circuit 57 Pulse power supply 58 Resistance measuring device 100 Information layer 102 First dielectric layer 103 First sea surface layer 104 Recording layer 105 Second interface layer 106 Second dielectric layer 108 Reflective layer 202 First dielectric Layer 203 first interface layer 204 recording layer 205 second interface layer 208 reflective layer 209 transmittance adjusting layer 302 first dielectric layer 303 first interface layer 304 recording layer 305 second interface layer 306 second dielectric layer 308 reflecting layer 411 First interface layer 412 Recording layer 413 Second interface layer 421 First interface layer 422 Recording layer 423 Second interface layers 501 to 509 Recording waveform

Claims (62)

基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
少なくともＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置されたＣｒ含有層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置されたＧａ含有層と、を含み、
前記Ｇａ含有層が、下記の組成式：
Ｇａ A1 Ｍ B1 Ｏ 100-A1-B1 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ１及びＢ１が、
５＜Ａ１＜４０
２＜Ｂ１＜３０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A Cr-containing layer comprising at least Cr and O and disposed in contact with the first surface of the recording layer;
A Ga-containing layer that includes at least Ga and O and is disposed in contact with the second surface of the recording layer ,
The Ga-containing layer has the following composition formula:
Ga A1 M B1 O 100-A1-B1 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A1 and B1 are
5 <A1 <40
2 <B1 <30
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements . 前記記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であり、
前記Ｃｒ含有層、前記記録層及び前記Ｇａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されている請求項１に記載の情報記録媒体。 The recording layer is capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation,
The information recording medium according to claim 1, wherein the Cr-containing layer, the recording layer, and the Ga-containing layer are arranged in this order from the laser beam incident side. 前記情報層が、前記Ｃｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及び前記Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２誘電体層の少なくとも一つをさらに含む請求項２に記載の情報記録媒体。   A first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the Cr-containing layer; and a second dielectric layer disposed on the opposite side to the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. The information recording medium according to claim 2, further comprising at least one. 前記情報層が、前記Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む請求項２に記載の情報記録媒体。   The information recording medium according to claim 2, wherein the information layer further includes a reflective layer disposed on a side opposite to the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. 第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であって、前記第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが前記情報層である請求項１に記載の情報記録媒体。   An information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are stacked, and at least one of the first information layer to the Nth information layer is the information layer The information recording medium according to claim 1. 前記記録層はレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であって、レーザビーム入射側から順に前記第１〜第Ｎの情報層が配置されており、
少なくとも前記第１情報層が前記情報層であって、前記第１情報層には、レーザビーム入射側から、第１誘電体層、前記Ｃｒ含有層、前記記録層、前記Ｇａ含有層、反射層及び透過率調整層がこの順に設けられている請求項５に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side,
At least the first information layer is the information layer, and the first information layer includes, from the laser beam incident side, a first dielectric layer, the Cr-containing layer, the recording layer, the Ga-containing layer, and a reflective layer. The information recording medium according to claim 5, wherein the transmittance adjusting layer is provided in this order. 前記Ｃｒ含有層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む請求項１に記載の情報記録媒体。   The information recording medium according to claim 1, wherein the Cr-containing layer further contains at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. 前記Ｃｒ含有層が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む請求項７に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 7, wherein the Cr-containing layer contains at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 and Cr 2 O 3 . 前記Ｇａ含有層がさらにＣｒを含む請求項１に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 1 , wherein the Ga-containing layer further contains Cr. 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
少なくともＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置されたＣｒ含有層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置されたＧａ含有層と、を含み、
前記Ｇａ含有層が、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ１が、
１０≦Ｃ１≦９０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A Cr-containing layer comprising at least Cr and O and disposed in contact with the first surface of the recording layer;
A Ga-containing layer that includes at least Ga and O and is disposed in contact with the second surface of the recording layer,
The Ga-containing layer has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C1 is
10 ≦ C1 ≦ 90
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements. 前記Ｇａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項１０に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 10 , wherein the Ga-containing layer further contains Cr 2 O 3 . 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置された第１のＧａ含有層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置された第２のＧａ含有層と、を含み、
前記第１のＧａ含有層及び前記第２のＧａ含有層の少なくとも一つが、下記の組成式：
Ｇａ A1 Ｍ B1 Ｏ 100-A1-B1 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ１及びＢ１が、
５＜Ａ１＜４０
２＜Ｂ１＜３０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A first Ga-containing layer including at least Ga and O and disposed in contact with the first surface of the recording layer;
Including at least Ga and O, and a second Ga-containing layer disposed in contact with the second surface of the recording layer ,
At least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer has the following composition formula:
Ga A1 M B1 O 100-A1-B1 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A1 and B1 are
5 <A1 <40
2 <B1 <30
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements . 前記記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であり、前記第１のＧａ含有層、前記記録層及び前記第２のＧａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されており、
前記情報層が、前記第１のＧａ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及び前記第２のＧａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２誘電体層の少なくとも一つをさらに含む請求項１２に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first Ga-containing layer, the recording layer, and the second Ga-containing layer are on a laser beam incident side. Are arranged in this order from
The information layer is disposed on a side opposite to the laser beam incident side with respect to the first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer. The information recording medium according to claim 12 , further comprising at least one of a second dielectric layer. 前記記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であり、前記第１のＧａ含有層、前記記録層及び前記第２のＧａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されており、
前記情報層が、前記第２のＧａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む請求項１２に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first Ga-containing layer, the recording layer, and the second Ga-containing layer are on a laser beam incident side. Are arranged in this order from
The information recording medium according to claim 12 , wherein the information layer further includes a reflective layer disposed on a side opposite to the laser beam incident side with respect to the second Ga-containing layer. 第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であって、前記第１情報層〜第Ｎの情報層の少なくとも一つが前記情報層である請求項１２に記載の情報記録媒体。 An information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are stacked, wherein at least one of the first information layer to the Nth information layer is the information layer The information recording medium according to claim 12 . 前記記録層はレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であって、レーザビーム入射側から順に前記第１〜第Ｎの情報層が配置されており、
少なくとも前記第１情報層が前記情報層であって、前記第１情報層には、レーザビーム入射側から、第１誘電体層、前記第１のＧａ含有層、前記記録層、前記第２のＧａ含有層、反射層及び透過率調整層がこの順に設けられている請求項１５に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side,
At least the first information layer is the information layer, and the first information layer includes a first dielectric layer, the first Ga-containing layer, the recording layer, and the second information layer from the laser beam incident side. The information recording medium according to claim 15 , wherein a Ga-containing layer, a reflective layer, and a transmittance adjusting layer are provided in this order. 前記第１のＧａ含有層及び前記第２のＧａ含有層の少なくとも一つがさらにＣｒを含む請求項１２に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 12 , wherein at least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer further contains Cr. 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置された第１のＧａ含有層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置された第２のＧａ含有層と、を含み、
前記第１のＧａ含有層及び前記第２のＧａ含有層の少なくとも一つが、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ１が、
１０≦Ｃ１≦９０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A first Ga-containing layer including at least Ga and O and disposed in contact with the first surface of the recording layer;
Including at least Ga and O, and a second Ga-containing layer disposed in contact with the second surface of the recording layer,
At least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C1 is
10 ≦ C1 ≦ 90
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements. 前記第１のＧａ含有層及び前記第２のＧａ含有層の少なくとも一つがさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項１８に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 18 , wherein at least one of the first Ga-containing layer and the second Ga-containing layer further contains Cr 2 O 3 . 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
少なくともＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置された第１のＣｒ含有層と、
少なくとＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置された第２のＣｒ含有層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記第２のＣｒ含有層に接して配置されたＧａ含有層と、を含み、
前記Ｇａ含有層が、下記の組成式：
Ｇａ A1 Ｍ B1 Ｏ 100-A1-B1 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ１及びＢ１が、
５＜Ａ１＜４０
２＜Ｂ１＜３０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A first Cr-containing layer including at least Cr and O and disposed in contact with the first surface of the recording layer;
A second Cr-containing layer comprising at least Cr and O and disposed in contact with the second surface of the recording layer;
At least include Ga and O, see containing and a Ga-containing layer disposed in contact with the second Cr-containing layer,
The Ga-containing layer has the following composition formula:
Ga A1 M B1 O 100-A1-B1 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A1 and B1 are
5 <A1 <40
2 <B1 <30
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements . 前記記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であり、前記第１のＣｒ含有層、前記記録層、前記第２のＣｒ含有層及び前記Ｇａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されており、
前記情報層が、前記第１のＣｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及び前記第２のＣｒ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２の誘電体層の少なくとも一つをさらに含む請求項２０に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first Cr-containing layer, the recording layer, the second Cr-containing layer, and the Ga-containing layer Are arranged in this order from the laser beam incident side,
The information layer is disposed on a side opposite to the laser beam incident side with respect to the first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the first Cr-containing layer and the second Cr-containing layer. The information recording medium according to claim 20 , further comprising at least one of a second dielectric layer. 前記記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であり、前記第１のＣｒ含有層、前記記録層、前記第２のＣｒ含有層及び前記Ｇａ含有層がレーザビーム入射側からこの順に配置されており、
前記情報層が、前記第２のＣｒ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む請求項２０に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first Cr-containing layer, the recording layer, the second Cr-containing layer, and the Ga-containing layer Are arranged in this order from the laser beam incident side,
21. The information recording medium according to claim 20 , wherein the information layer further includes a reflective layer disposed on a side opposite to the laser beam incident side with respect to the second Cr-containing layer. 第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であって、前記第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが前記情報層である請求項２０に記載の情報記録媒体。 An information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are stacked, and at least one of the first information layer to the Nth information layer is the information layer The information recording medium according to claim 20 . 前記記録層はレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であって、レーザビーム入射側から順に前記第１〜第Ｎの情報層が配置されており、
少なくとも前記第１情報層が前記情報層であって、前記第１情報層には、レーザビーム入射側から、第１誘電体層、前記第１のＣｒ含有層、前記記録層、前記第２のＣｒ含有層、前記Ｇａ含有層、反射層及び透過率調整層がこの順に設けられている請求項２３に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation, and the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side,
At least the first information layer is the information layer, and the first information layer includes a first dielectric layer, the first Cr-containing layer, the recording layer, and the second information layer from the laser beam incident side. The information recording medium according to claim 23 , wherein a Cr-containing layer, the Ga-containing layer, a reflective layer, and a transmittance adjusting layer are provided in this order. 前記第１のＣｒ含有層及び前記第２のＣｒ含有層の少なくとも一つが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む請求項２０に記載の情報記録媒体。 21. The information recording medium according to claim 20 , wherein at least one of the first Cr-containing layer and the second Cr-containing layer further contains at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. 前記第１のＣｒ含有層及び前記第２のＣｒ含有層の少なくとも一つが、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む請求項２５に記載の情報記録媒体。 At least one of the first Cr-containing layer and the second Cr-containing layer includes at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 and Cr 2 O 3. The information recording medium according to claim 25 . 前記Ｇａ含有層がさらにＣｒを含む請求項２０に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 20 , wherein the Ga-containing layer further contains Cr. 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
少なくともＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第１の面に接して配置された第１のＣｒ含有層と、
少なくとＣｒ及びＯを含み、前記記録層の第２の面に接して配置された第２のＣｒ含有層と、
少なくともＧａ及びＯを含み、前記第２のＣｒ含有層に接して配置されたＧａ含有層と、を含み、
前記Ｇａ含有層が、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ１が、
１０≦Ｃ１≦９０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A first Cr-containing layer including at least Cr and O and disposed in contact with the first surface of the recording layer;
A second Cr-containing layer comprising at least Cr and O and disposed in contact with the second surface of the recording layer;
A Ga-containing layer including at least Ga and O and disposed in contact with the second Cr-containing layer,
The Ga-containing layer has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C1 is
10 ≦ C1 ≦ 90
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements. 前記Ｇａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項２８に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 28 , wherein the Ga-containing layer further contains Cr 2 O 3 . 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
前記記録層の第１の面側に配置された、少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層と、
前記記録層の第２の面側に配置された、少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層と、
前記記録層と前記Ｃｒ含有層との間及び前記記録層と前記Ｇａ含有層との間の少なくとも一方に前記記録層に接して配置された、主成分としてＣを含むＣ含有層と、を含み、
前記Ｇａ含有層が、下記の組成式：
Ｇａ A1 Ｍ B1 Ｏ 100-A1-B1 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ１及びＢ１が、
５＜Ａ１＜４０
２＜Ｂ１＜３０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A Cr-containing layer including at least Cr and O, disposed on the first surface side of the recording layer;
A Ga-containing layer containing at least Ga and O, disposed on the second surface side of the recording layer;
Anda C-containing layer containing disposed in contact with the recording layer on at least one, and C as main components between and between the recording layer and the Ga-containing layer and the recording layer and the Cr-containing layer ,
The Ga-containing layer has the following composition formula:
Ga A1 M B1 O 100-A1-B1 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A1 and B1 are
5 <A1 <40
2 <B1 <30
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements . 前記記録層がレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であり、
前記Ｃｒ含有層は、前記記録層に対してレーザビーム入射側に配置され、前記Ｇａ含有層は、前記記録層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置されている請求項３０に記載の情報記録媒体。 The recording layer is capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation,
The Cr-containing layer is disposed on the laser beam incident side with respect to the recording layer, the Ga-containing layer, according to the recording layer a laser beam incident side with claim 30, which is arranged on the opposite side with respect to Information recording medium. 前記情報層が、前記Ｃｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層及び前記Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された第２誘電体層の少なくとも一つをさらに含む請求項３１に記載の情報記録媒体。 A first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the Cr-containing layer; and a second dielectric layer disposed on the opposite side to the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. 32. The information recording medium according to claim 31 , further comprising at least one. 前記情報層が、前記Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む請求項３１に記載の情報記録媒体。 32. The information recording medium according to claim 31 , wherein the information layer further includes a reflective layer disposed on a side opposite to the laser beam incident side with respect to the Ga-containing layer. 第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が積層された多層構造の情報記録媒体であって、前記第１情報層〜第Ｎ情報層の少なくとも一つが前記情報層である請求項３０に記載の情報記録媒体。 An information recording medium having a multilayer structure in which a first information layer to an Nth information layer (N is an integer of 2 or more) are stacked, and at least one of the first information layer to the Nth information layer is the information layer The information recording medium according to claim 30 . 前記記録層はレーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能であって、レーザビーム入射側から順に前記第１〜第Ｎ情報層が配置されており、
少なくとも前記第１情報層が前記情報層であって、前記第１情報層は、前記Ｃｒ含有層に対してレーザビーム入射側に配置された第１誘電体層と、前記Ｇａ含有層に対してレーザビーム入射側と反対側に順に配置された反射層及び透過率調整層とをさらに含む請求項３４に記載の情報記録媒体。 The recording layer can change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation with a laser beam, and the first to Nth information layers are arranged in order from the laser beam incident side,
At least the first information layer is the information layer, and the first information layer has a first dielectric layer disposed on the laser beam incident side with respect to the Cr-containing layer, and the Ga-containing layer. 35. The information recording medium according to claim 34 , further comprising a reflection layer and a transmittance adjustment layer disposed in order on the side opposite to the laser beam incident side. 前記Ｃｒ含有層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む請求項３０に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 30 , wherein the Cr-containing layer further contains at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. 前記Ｃｒ含有層が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む請求項３６に記載の情報記録媒体。 The Cr-containing layer, ZrO 2, HfO 2, Y 2 O 3 and the information recording medium according to claim 36 comprising at least one oxide selected from SiO 2, and Cr 2 O 3. 前記Ｇａ含有層がさらにＣｒを含む請求項３０に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 30 , wherein the Ga-containing layer further contains Cr. 基板と、前記基板上に設けられた情報層とを含み、
前記情報層が、
レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層と、
前記記録層の第１の面側に配置された、少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有層と、
前記記録層の第２の面側に配置された、少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有層と、
前記記録層と前記Ｃｒ含有層との間及び前記記録層と前記Ｇａ含有層との間の少なくとも一方に前記記録層に接して配置された、主成分としてＣを含むＣ含有層と、を含み、
前記Ｇａ含有層が、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C1（Ｚ１）100-C1（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ１が、
１０≦Ｃ１≦９０
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体。 A substrate, and an information layer provided on the substrate,
The information layer is
A recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of a laser beam or application of electrical energy;
A Cr-containing layer including at least Cr and O, disposed on the first surface side of the recording layer;
A Ga-containing layer containing at least Ga and O, disposed on the second surface side of the recording layer;
A C-containing layer containing C as a main component, disposed in contact with the recording layer between at least one of the recording layer and the Cr-containing layer and between the recording layer and the Ga-containing layer. ,
The Ga-containing layer has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C1 (Z1) 100-C1 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C1 is
10 ≦ C1 ≦ 90
An information recording medium comprising a material satisfying the above requirements. 前記Ｇａ含有層がさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項３９に記載の情報記録媒体。 The information recording medium according to claim 39 including the Ga-containing layer further Cr 2 O 3. 請求項１に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いてＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われるとともに、
前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットが、下記の組成式：
Ｇａ A2 Ｍ B2 Ｏ 100-A2-B2 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ２及びＢ２が、
３＜Ａ２＜４２
０＜Ｂ２＜３２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for manufacturing the information recording medium according to claim 1,
(A) forming a Cr-containing layer using a Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a) ,
The Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
Ga A2 M B2 O 100-A2-B2 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A2 and B2 are
3 <A2 <42
0 <B2 <32
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills . 前記Ｃｒ含有スパッタリングターゲットが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む請求項４１に記載の情報記録媒体の製造方法。 42. The method of manufacturing an information recording medium according to claim 41 , wherein the Cr-containing sputtering target further contains at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. 前記Ｃｒ含有スパッタリングターゲットが、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む請求項４２に記載の情報記録媒体の製造方法。 The Cr-containing sputtering target, ZrO 2, HfO 2, Y 2 O 3 and at least one oxide selected from SiO 2, the method of manufacturing an information recording medium according to claim 42 including a Cr 2 O 3. 前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒを含む請求項４１に記載の情報記録媒体の製造方法。 42. The method of manufacturing an information recording medium according to claim 41 , wherein the Ga-containing sputtering target further contains Cr. 請求項１０に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いてＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われるとともに、
前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットが、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C2（Ｚ１）100-C2（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ２が、
８≦Ｃ２≦９２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for manufacturing the information recording medium according to claim 10, comprising:
(A) forming a Cr-containing layer using a Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a),
The Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C2 (Z1) 100-C2 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C2 is
8 ≦ C2 ≦ 92
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills. 前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項４５に記載の情報記録媒体の製造方法。 The method for manufacturing an information recording medium according to claim 45 , wherein the Ga-containing sputtering target further contains Cr 2 O 3 . 請求項１２に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＧａ及びＯを含む第１のＧａ含有スパッタリングターゲットを用いて第１のＧａ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含む第２のＧａ含有スパッタリングターゲットを用いて第２のＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われるとともに、
前記第１のＧａ含有スパッタリングターゲット及び前記第２のＧａ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つが、下記の組成式：
Ｇａ A2 Ｍ B2 Ｏ 100-A2-B2 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ２及びＢ２が、
３＜Ａ２＜４２
０＜Ｂ２＜３２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for manufacturing the information recording medium according to claim 12 , comprising:
(A) forming a first Ga-containing layer using a first Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a second Ga-containing layer using a second Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a) ,
At least one of the first Ga-containing sputtering target and the second Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
Ga A2 M B2 O 100-A2-B2 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A2 and B2 are
3 <A2 <42
0 <B2 <32
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills . 前記第１のＧａ含有スパッタリングターゲット及び前記第２のＧａ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つがさらにＣｒを含む請求項４７に記載の情報記録媒体の製造方法。 48. The method of manufacturing an information recording medium according to claim 47 , wherein at least one of the first Ga-containing sputtering target and the second Ga-containing sputtering target further contains Cr. 請求項１８に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＧａ及びＯを含む第１のＧａ含有スパッタリングターゲットを用いて第１のＧａ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含む第２のＧａ含有スパッタリングターゲットを用いて第２のＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われるとともに、
前記第１のＧａ含有スパッタリングターゲット及び前記第２のＧａ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つが、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C2（Ｚ１）100-C2（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ２が、
８≦Ｃ２≦９２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for producing the information recording medium according to claim 18, comprising:
(A) forming a first Ga-containing layer using a first Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a second Ga-containing layer using a second Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a),
At least one of the first Ga-containing sputtering target and the second Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C2 (Z1) 100-C2 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C2 is
8 ≦ C2 ≦ 92
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills. 前記第１のＧａ含有スパッタリングターゲット及び前記第２のＧａ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つがさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項４９に記載の情報記録媒体の製造方法。 Manufacturing method of the first Ga-containing sputtering target and the information recording medium of claim 49 wherein at least one of the second Ga-containing sputtering target further comprising Cr 2 O 3. 請求項２０に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含む第１のＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いて第１のＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＣｒ及びＯを含む第２のＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いて第２のＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｄ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｄ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）、工程（ｄ）の順又は工程（ｄ）、工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われるとともに、
前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットが、下記の組成式：
Ｇａ A2 Ｍ B2 Ｏ 100-A2-B2 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ２及びＢ２が、
３＜Ａ２＜４２
０＜Ｂ２＜３２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for manufacturing the information recording medium according to claim 20 ,
(A) forming a first Cr-containing layer using a first Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a second Cr-containing layer using a second Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(D) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (d) are performed in the order of step (a), step (b), step (c), step (d) or step (d), step (c), step (b), step ( a) in order ,
The Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
Ga A2 M B2 O 100-A2-B2 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A2 and B2 are
3 <A2 <42
0 <B2 <32
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills . 前記第１のＣｒ含有スパッタリングターゲット及び前記第２のＣｒ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む請求項５１に記載の情報記録媒体の製造方法。 52. The manufacturing of the information recording medium according to claim 51 , wherein at least one of the first Cr-containing sputtering target and the second Cr-containing sputtering target further contains at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. Method. 前記第１のＣｒ含有スパッタリングターゲット及び前記第２のＣｒ含有スパッタリングターゲットの少なくとも一つが、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む請求項５２に記載の情報記録媒体の製造方法。 At least one of the first Cr-containing sputtering target and the second Cr-containing sputtering target is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 , Cr 2 O 3 , 53. A method for manufacturing an information recording medium according to claim 52 , comprising: 前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒを含む請求項５１に記載の情報記録媒体の製造方法。 52. The method of manufacturing an information recording medium according to claim 51 , wherein the Ga-containing sputtering target further contains Cr. 請求項２８に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含む第１のＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いて第１のＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＣｒ及びＯを含む第２のＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いて第２のＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｄ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）〜（ｄ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）、工程（ｄ）の順又は工程（ｄ）、工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われるとともに、
前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットが、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C2（Ｚ１）100-C2（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ２が、
８≦Ｃ２≦９２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for producing the information recording medium according to claim 28, comprising:
(A) forming a first Cr-containing layer using a first Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a second Cr-containing layer using a second Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(D) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
Including
The steps (a) to (d) are performed in the order of step (a), step (b), step (c), step (d) or step (d), step (c), step (b), step ( a) in order,
The Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C2 (Z1) 100-C2 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C2 is
8 ≦ C2 ≦ 92
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills. 前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項５５に記載の情報記録媒体の製造方法。 Method of manufacturing an information recording medium according to claim 55 wherein the Ga-containing sputtering target further comprising Cr 2 O 3. 請求項３０に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いてＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、且つ前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われ、
工程（ａ）と工程（ｂ）の間及び工程（ｂ）と工程（ｃ）との間の少なくとも一つに、主成分としてＣを含むＣ含有スパッタリングターゲットを用いてＣ含有層を成膜する工程をさらに含み、
前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットが、下記の組成式：
Ｇａ A2 Ｍ B2 Ｏ 100-A2-B2 （原子％）
（但し、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）
で表され、且つ前記Ａ２及びＢ２が、
３＜Ａ２＜４２
０＜Ｂ２＜３２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for producing the information recording medium according to claim 30 , comprising:
(A) forming a Cr-containing layer using a Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
And the steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a). I,
A C-containing layer is formed using a C-containing sputtering target containing C as a main component between at least one of step (a) and step (b) and between step (b) and step (c). Further comprising a step ,
The Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
Ga A2 M B2 O 100-A2-B2 (Atom%)
(However, M is at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si.)
And A2 and B2 are
3 <A2 <42
0 <B2 <32
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills . 前記Ｃｒ含有スパッタリングターゲットが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む請求項５７に記載の情報記録媒体の製造方法。 58. The method of manufacturing an information recording medium according to claim 57 , wherein the Cr-containing sputtering target further includes at least one element selected from Zr, Hf, Y, and Si. 前記Ｃｒ含有スパッタリングターゲットが、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む請求項５８に記載の情報記録媒体の製造方法。 The Cr-containing sputtering target, ZrO 2, HfO 2, Y 2 O 3 and at least one oxide selected from SiO 2, the method of manufacturing an information recording medium according to claim 58 including a Cr 2 O 3. 前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒを含む請求項５７に記載の情報記録媒体の製造方法。 The method for manufacturing an information recording medium according to claim 57 , wherein the Ga-containing sputtering target further contains Cr. 請求項３９に記載の情報記録媒体を製造する方法であって、
（ａ）少なくともＣｒ及びＯを含むＣｒ含有スパッタリングターゲットを用いてＣｒ含有層を成膜する工程と、
（ｂ）レーザビームの照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化可能な記録層を成膜する工程と、
（ｃ）少なくともＧａ及びＯを含むＧａ含有スパッタリングターゲットを用いてＧａ含有層を成膜する工程と、
を含み、且つ前記工程（ａ）〜（ｃ）が、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）の順又は工程（ｃ）、工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われ、
工程（ａ）と工程（ｂ）の間及び工程（ｂ）と工程（ｃ）との間の少なくとも一つに、主成分としてＣを含むＣ含有スパッタリングターゲットを用いてＣ含有層を成膜する工程をさらに含み、
前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットが、下記の組成式：
（Ｇａ2Ｏ3）C2（Ｚ１）100-C2（ｍｏｌ％）
（但し、Ｚ１は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物である。）
で表され、且つ前記Ｃ２が、
８≦Ｃ２≦９２
を満たす材料を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 A method for producing the information recording medium according to claim 39,
(A) forming a Cr-containing layer using a Cr-containing sputtering target containing at least Cr and O;
(B) forming a recording layer capable of phase change between a crystalline phase and an amorphous phase by laser beam irradiation or electrical energy application;
(C) forming a Ga-containing layer using a Ga-containing sputtering target containing at least Ga and O;
And the steps (a) to (c) are performed in the order of step (a), step (b), step (c) or step (c), step (b), step (a). I,
A C-containing layer is formed using a C-containing sputtering target containing C as a main component between at least one of step (a) and step (b) and between step (b) and step (c). Further comprising a step,
The Ga-containing sputtering target has the following composition formula:
(Ga 2 O 3 ) C2 (Z1) 100-C2 (mol%)
(However, Z1 is at least one oxide selected from ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2. )
And the C2 is
8 ≦ C2 ≦ 92
The manufacturing method of the information recording medium characterized by including the material which satisfy | fills. 前記Ｇａ含有スパッタリングターゲットがさらにＣｒ2Ｏ3を含む請求項６１に記載の情報記録媒体の製造方法。
Method of manufacturing an information recording medium according to claim 61 wherein the Ga-containing sputtering target further comprising Cr 2 O 3.
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