JP2003233931A - Information recording medium and its manufacturing method - Google Patents

Information recording medium and its manufacturing method

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JP2003233931A
JP2003233931A JP2002350015A JP2002350015A JP2003233931A JP 2003233931 A JP2003233931 A JP 2003233931A JP 2002350015 A JP2002350015 A JP 2002350015A JP 2002350015 A JP2002350015 A JP 2002350015A JP 2003233931 A JP2003233931 A JP 2003233931A
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Japan
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layer
recording medium
information recording
dielectric layer
dielectric
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Application number
JP2002350015A
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Rie Kojima
理恵 児島
Haruhiko Habuta
晴比古 土生田
Noboru Yamada
昇 山田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an excellent information recording medium capable of simultaneously realizing reliability and repeat rewriting performance in high- density recording without providing any interface layers. <P>SOLUTION: At least a recording layer 4 and an opposite layer 8 are disposed on a substrate 1, and a phase changes occurs between a crystal phase and an amorphous layer on the recording layer 4 by an optical means or an electric means. On the substrate 1, dielectric layers 2, 6 made of materials represented by (ZrO<SB>2</SB>)X(Zn-S)<SB>100-</SB>X (mol%), X being in a range of 50≤X≤80, are disposed. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的もしくは電
気的に情報を記録し、消去し、書き換え、および再生す
る情報記録媒体ならびにその製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium for optically or electrically recording, erasing, rewriting, and reproducing information, and a manufacturing method thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】発明者は、データファイルおよび画像フ
ァイルとして使える、大容量な書き換え型相変化情報記
録媒体である、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭを開発し
た。これは既に商品化されている。The inventor has developed a large capacity rewritable phase change information recording medium, 4.7 GB / DVD-RAM, which can be used as a data file and an image file. This has already been commercialized.

【０００３】この４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭは、例え
ば日本国特許公開公報２００１−３２２３５７号（特許
文献１）に開示されている。この公報に開示されている
ＤＶＤ−ＲＡＭの構成を、図９に示す。図９に示す情報
記録媒体３１は、基板１の一方の表面に、第１の誘電体
層１０２、第１の界面層１０３、記録層４、第２の界面
層１０５、第２の誘電体層１０６、光吸収補正層７、お
よび反射層８がこの順に形成されている７層構造を有す
る。この情報記録媒体において、第１の誘電体層は、第
２の誘電体層よりも、入射されるレーザ光により近い位
置に存在する。第１の界面層と第２の界面層も同じ関係
を有する。このように、本明細書においては、情報記録
媒体が、同じ機能を有する層を２以上含む場合、入射さ
れるレーザ光から見て近い側にあるものから、順に「第
１」「第２」「第３」・・・と称する。This 4.7 GB / DVD-RAM is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 2001-322357 (Patent Document 1). The structure of the DVD-RAM disclosed in this publication is shown in FIG. The information recording medium 31 shown in FIG. 9 has a first dielectric layer 102, a first interface layer 103, a recording layer 4, a second interface layer 105, and a second dielectric layer on one surface of a substrate 1. It has a seven-layer structure in which 106, the light absorption correction layer 7, and the reflection layer 8 are formed in this order. In this information recording medium, the first dielectric layer is located closer to the incident laser light than the second dielectric layer. The first interface layer and the second interface layer have the same relationship. As described above, in the present specification, when the information recording medium includes two or more layers having the same function, the information recording medium is "first" and "second" in order from the side closer to the incident laser beam. It is called "third" ....

【０００４】第１の誘電体層１０２と第２の誘電体層１
０６は、光学距離を調節して記録層４の光吸収効率を高
め、結晶相の反射率と非晶質相の反射率との差を大きく
して信号振幅を大きくする機能を有する。従来誘電体層
の材料として使用している、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％Ｓｉ
Ｏ2は非晶質材料で、熱伝導率が低く、透明であって且
つ高屈折率を有する。また、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％Ｓｉ
Ｏ2は、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性および
耐湿性も良好である。このように、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ
％ＳｉＯ2は、誘電体層を形成するのに適した優れた材
料である。First dielectric layer 102 and second dielectric layer 1
06 has the functions of adjusting the optical distance to enhance the light absorption efficiency of the recording layer 4, and increasing the difference between the reflectance of the crystalline phase and the reflectance of the amorphous phase to increase the signal amplitude. ZnS-20 mol% Si, which is conventionally used as a material for the dielectric layer
O 2 is an amorphous material, has a low thermal conductivity, is transparent, and has a high refractive index. In addition, ZnS-20 mol% Si
O 2 has a high film formation rate during film formation, and has good mechanical properties and moisture resistance. Thus, ZnS-20 mol
% SiO 2 is a good material for forming the dielectric layer.

【０００５】第１の誘電体層１０２および第２の誘電体
層１０６の熱伝導率が低いと、記録層４にレーザ光が入
射した際に、熱を、記録層４から反射層８の方へ厚さ方
向において速やかに拡散させることができ、熱が誘電体
層１０２または１０６の面内方向に拡散しにくくなる。
即ち、誘電体層によって記録層４がより短い時間で冷却
される（即ち急冷される）こととなり、非晶質マーク
（記録マーク）が形成され易くなる。記録マークが形成
されにくい場合は、高いピークパワーで記録する必要が
あり、記録マークが形成され易い場合は低いピークパワ
ーで記録できる。誘電体層の熱伝導率が低い場合は、低
いピークパワーで記録できるので、情報記録媒体の記録
感度は高くなる。一方、誘電体層の熱伝導率が高い場合
は、高いピークパワーで記録するので、情報記録媒体の
記録感度は低くなる。情報記録媒体中の誘電体層は、熱
伝導率を精度良く測定できないほど、薄い膜の形態で存
在する。そのため、発明者らは、誘電体層の熱伝導率の
大きさを知る相対的な判断基準として、情報記録媒体の
記録感度を採用している。When the thermal conductivity of the first dielectric layer 102 and the second dielectric layer 106 is low, when the laser beam is incident on the recording layer 4, heat is transferred from the recording layer 4 to the reflective layer 8. The heat can be quickly diffused in the thickness direction, and heat is less likely to diffuse in the in-plane direction of the dielectric layer 102 or 106.
That is, the recording layer 4 is cooled (that is, rapidly cooled) in a shorter time by the dielectric layer, and an amorphous mark (recording mark) is easily formed. If the recording mark is difficult to form, it is necessary to record with high peak power, and if the recording mark is easy to form, it is possible to record with low peak power. When the thermal conductivity of the dielectric layer is low, recording can be performed with a low peak power, so the recording sensitivity of the information recording medium is high. On the other hand, when the thermal conductivity of the dielectric layer is high, recording is performed with a high peak power, so the recording sensitivity of the information recording medium becomes low. The dielectric layer in the information recording medium exists in the form of a thin film so that the thermal conductivity cannot be measured accurately. Therefore, the inventors have adopted the recording sensitivity of the information recording medium as a relative criterion for knowing the magnitude of the thermal conductivity of the dielectric layer.

【０００６】記録層４は、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅを含
む、高速で結晶化する材料を用いて形成する。かかる材
料を記録層４として有する情報記録媒体は、優れた初期
記録性能を有するだけでなく、優れた記録保存性および
書き換え保存性をも有する。相変化情報記録媒体は、記
録層４が結晶相と非晶質相との間で可逆的相変態を生じ
ることを利用して情報の記録、消去および書き換えを行
う。高パワーのレーザ光（ピークパワー）を記録層４に
照射して急冷すると、照射部が非晶質相となり記録マー
クが形成される。低パワーのレーザ光（バイアスパワ
ー）を照射して記録層を昇温して徐冷すると、照射部が
結晶相となり記録されていた情報は消去される。ピーク
パワーレベルとバイアスパワーレベルとの間でパワー変
調したレーザ光を記録層に照射することにより、既に記
録されている情報を消去しながら新しい情報に書き換え
ていくことができる。繰り返し書き換え性能は、ジッタ
値が実用上問題の無い範囲で書き換えを繰り返し得る回
数で表される。この回数が多いほど、繰り返し書き換え
性能が良いといえる。特に、データファイル用の情報記
録媒体は、優れた繰り返し書き換え性能を有することが
望まれる。The recording layer 4 is formed by using a material containing Ge-Sn-Sb-Te that crystallizes at a high speed. An information recording medium having such a material as the recording layer 4 has not only excellent initial recording performance, but also excellent recording storability and rewritable storability. The phase change information recording medium records, erases and rewrites information by utilizing the reversible phase transformation of the recording layer 4 between the crystalline phase and the amorphous phase. When the recording layer 4 is irradiated with high-power laser light (peak power) and rapidly cooled, the irradiated portion becomes an amorphous phase and recording marks are formed. When the recording layer is heated and gradually cooled by irradiating low power laser light (bias power), the irradiated portion becomes a crystalline phase and the recorded information is erased. By irradiating the recording layer with laser light whose power is modulated between the peak power level and the bias power level, it is possible to rewrite new information while erasing already recorded information. The repetitive rewriting performance is represented by the number of times rewriting can be repeated within a range in which the jitter value has no practical problem. It can be said that the larger the number of times, the better the rewriting performance is. In particular, an information recording medium for data files is desired to have excellent rewritability.

【０００７】第１の界面層１０３および第２の界面層１
０５は、第１の誘電体層１０２と記録層４との間、およ
び第２の誘電体層１０６と記録層４との間で生じる物質
移動を防止する機能を有する。ここで物質移動とは、レ
ーザ光を記録層に照射して繰り返し書き換えている間
に、第１及び第２の誘電体層ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％Ｓｉ
Ｏ2のＳが記録層に拡散していく現象をいう。多量のＳ
が記録層に拡散すると、記録層の反射率低下を引き起こ
し、繰り返し書き換え性能が悪化する。この現象は既に
知られている（非特許文献１、N. Yamada et al. Japan
ese Journal of Applied Physics Vol.37 (1998) pp. 2
104-2110参照）。また、日本国特許公開公報平１０−２
７５３６０号（特許文献２）および国際公開第ＷＯ９７
／３４２９８パンフレット（特許文献３）には、この現
象を防止する界面層を、Ｇｅを含む窒化物を使用して形
成することが開示されている。First interface layer 103 and second interface layer 1
05 has a function of preventing mass transfer that occurs between the first dielectric layer 102 and the recording layer 4 and between the second dielectric layer 106 and the recording layer 4. Here, “mass transfer” means that the first and second dielectric layers ZnS-20 mol% Si are irradiated while the recording layer is repeatedly irradiated with laser light for rewriting.
This is a phenomenon in which S of O 2 diffuses into the recording layer. A lot of S
If diffused into the recording layer, the reflectance of the recording layer is lowered, and the rewriting performance is deteriorated. This phenomenon is already known (Non-Patent Document 1, N. Yamada et al. Japan.
ese Journal of Applied Physics Vol.37 (1998) pp. 2
See 104-2110). Also, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 10-2
No. 75360 (Patent Document 2) and International Publication No. WO97.
/ 34298 pamphlet (Patent Document 3) discloses that an interface layer for preventing this phenomenon is formed using a nitride containing Ge.

【０００８】光吸収補正層１０７は、記録層４が結晶状
態であるときの光吸収率Ａｃと非晶質状態であるときの
光吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａを調整し、書き換え時にマ
ーク形状が歪まないようにする働きがある。反射層８
は、光学的には記録層４に吸収される光量を増大させる
機能を有し、熱的には記録層４で生じた熱を速やかに拡
散させて急冷し、記録層４を非晶質化し易くするという
機能を有する。反射層８はまた、多層膜を使用環境から
保護する機能を有している。The light absorption correction layer 107 adjusts the ratio Ac / Aa of the light absorption rate Ac when the recording layer 4 is in the crystalline state and the light absorption rate Aa when the recording layer 4 is in the amorphous state, and the mark shape at the time of rewriting. Has a function to prevent distortion. Reflective layer 8
Has a function of optically increasing the amount of light absorbed in the recording layer 4, and thermally thermally diffuses the heat generated in the recording layer 4 and rapidly cools it to amorphize the recording layer 4. It has the function of facilitating. The reflective layer 8 also has a function of protecting the multilayer film from the use environment.

【０００９】このように、図９に示す情報記録媒体は、
それぞれが上述のように機能する７つの層を積層した構
造とすることによって、４．７ＧＢという大容量におい
て、優れた繰り返し書き換え性能と高い信頼性を確保
し、商品化に至ったものである。As described above, the information recording medium shown in FIG.
By having a structure in which seven layers each functioning as described above are laminated, excellent repetitive rewriting performance and high reliability are secured in a large capacity of 4.7 GB, and the product has been commercialized.

【００１０】また、情報記録媒体の誘電体層に適した材
料としては、予てより種々のものが提案されている。例
えば、日本国特許公開公報平５−１５９３７３号（特許
文献４）には、光情報記録媒体において、耐熱保護層が
Ｓｉよりも融点の高い窒化物、炭化物、酸化物、硫化物
のうちの少なくとも１種以上の化合物と、低アルカリガ
ラスとの混合物により形成されていることが開示されて
いる。同公報には、高融点の化合物として、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌの炭化
物、酸化物、硫化物が例示されている。また、同公報に
は、低アルカリガラスがＳｉＯ2、ＢａＯ、Ｂ2Ｏ3、Ａ
ｌ2Ｏ3を主成分とするものであることが開示されてい
る。Various materials have been previously proposed as materials suitable for the dielectric layer of the information recording medium. For example, in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 5-159373 (Patent Document 4), in an optical information recording medium, at least a nitride, a carbide, an oxide, or a sulfide whose heat-resistant protective layer has a higher melting point than Si. It is disclosed that it is formed by a mixture of one or more compounds and a low alkali glass. In the publication, Nb, Z
Carbides, oxides and sulfides of r, Mo, Ta, Ti, Cr, Si, Zn and Al are exemplified. Further, in the publication, low-alkali glass is composed of SiO 2 , BaO, B 2 O 3 , and A.
It is disclosed that the main component is l 2 O 3 .

【００１１】[0011]

【特許文献１】特開２００１−３２２３５７号公報[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2001-322357

【特許文献２】特開平１０−２７５３６０号公報（特許
請求の範囲）[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-275360 (claims)

【特許文献３】ＷＯ９７／３４２９８（特許請求の範
囲）[Patent Document 3] WO97 / 34298 (Claims)

【特許文献４】特開平５−１５９３７３号公報（特許請
求の範囲）[Patent Document 4] Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-159373 (Claims)

【特許文献５】特開２００２−２６０２８１号公報（特
許請求の範囲）[Patent Document 5] Japanese Patent Laid-Open No. 2002-260281 (Claims)

【非特許文献１】N. Yamada et al. Japanese Journal
of Applied Physics Vol.37(1998) pp. 2104-2110[Non-Patent Document 1] N. Yamada et al. Japanese Journal
of Applied Physics Vol.37 (1998) pp. 2104-2110

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、第１及
び第２の誘電体層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2を用
いて形成した場合、Ｓの拡散防止のために誘電体層と記
録層との間には界面層が必然的に必要となる。しかしな
がら、媒体の価格を考慮すると、媒体を構成する層の数
は１つでも少ないことが望ましい。層の数が少ないと、
材料費の削減、製造装置の小型化、および製造時間短縮
による生産量の増加を実現することができ、媒体の価格
低減につながる。As described above, when the first and second dielectric layers are formed of ZnS-20 mol% SiO 2 , the dielectric layer and the recording layer are prevented to prevent S diffusion. An interfacial layer is inevitably required between and. However, considering the price of the medium, it is desirable that the number of layers constituting the medium is as small as one. With a small number of layers,
The material cost can be reduced, the manufacturing apparatus can be downsized, and the production amount can be increased by shortening the manufacturing time, which leads to the cost reduction of the medium.

【００１３】発明者は、層数を減らす一つの方法とし
て、第１の界面層および第２の界面層のうち、少なくと
も１つの界面層を無くす可能性について検討した。その
場合、繰り返し記録による誘電体層から記録層へのＳの
拡散が生じないよう、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2以
外の材料で誘電体層を形成する必要があると、発明者は
考えた。さらに、誘電体層の材料については、カルコゲ
ナイド材料である記録層との密着性が良いこと、上記７
層構造のものと同等かそれ以上の高記録感度が得られる
こと、透明であること、および記録の際に溶けないよう
に高融点を有することが望まれる。The inventor has examined the possibility of eliminating at least one of the first interface layer and the second interface layer as one method of reducing the number of layers. In that case, the inventor considered that it is necessary to form the dielectric layer with a material other than ZnS-20 mol% SiO 2 so that the diffusion of S from the dielectric layer to the recording layer due to repeated recording does not occur. Further, regarding the material of the dielectric layer, the adhesion with the recording layer which is a chalcogenide material is good, and the above 7
It is desired that a high recording sensitivity equal to or higher than that of a layer structure be obtained, that it be transparent, and that it have a high melting point so as not to melt during recording.

【００１４】本発明は、記録層と直接接するように形成
された場合でも、界面層を設けなくとも、誘電体層から
記録層へ物質が移動せず、且つ記録層との密着性が良好
である誘電体層が設けられた、優れた繰り返し書き換え
性能を有する情報記録媒体を提供することを主たる課題
としてなされたものである。According to the present invention, even when the recording layer is formed so as to be in direct contact with the recording layer, the substance does not move from the dielectric layer to the recording layer and the adhesion to the recording layer is good, even if the interface layer is not provided. The main object is to provide an information recording medium provided with a certain dielectric layer and having excellent rewritability.

【００１５】なお、上記特許文献４は、誘電体層から記
録層へ物質が移動する問題については言及していない。
したがって、この公報は、本発明が解決しようとする課
題および当該課題を解決する手段、即ち具体的な組成を
教示していないことに留意すべきである。It should be noted that the above-mentioned Patent Document 4 does not mention the problem of substance transfer from the dielectric layer to the recording layer.
Therefore, it should be noted that this publication does not teach the problem to be solved by the present invention and the means for solving the problem, that is, the specific composition.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】発明者らは、後述の実施
例で説明するように、種々の化合物を使用して、誘電体
層を形成し、誘電体層の記録層への密着性、および情報
記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。その結
果、界面層を介さずに直接記録層の上下に誘電体層を設
ける場合、記録層に拡散し易い誘電体層、例えば従来の
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で誘電体層を形成した場
合、記録層への密着性は良いが、媒体の繰り返し書き換
え性能が悪いということが判った。また、例えば、Ｚｒ
Ｏ2は、熱伝導率が低く、また融点が高いため、これを
誘電体層として使用すれば、情報記録媒体の記録感度を
高くでき、また優れた繰り返し書き換え性能を確保でき
る。しかし、ＺｒＯ2を用いて誘電体層を形成した場
合、記録層への密着性が悪いという結果が得られた。そ
の他の種々の酸化物、窒化物、硫化物、およびセレン化
物を用いて、誘電体層を記録層に接して形成した情報記
録媒体について、誘電体層の記録層への密着性および繰
り返し書き換え性能を評価した。しかし、１種類の酸化
物、窒化物、硫化物、またはセレン化物を用いて誘電体
層を形成した場合には、良好な密着性と良好な繰り返し
書き換え性能とを両立させることはできなかった。The inventors of the present invention, as will be described in the examples below, use various compounds to form a dielectric layer, and the adhesion of the dielectric layer to a recording layer, And the repetitive rewriting performance of the information recording medium was evaluated. As a result, when the dielectric layers are provided directly above and below the recording layer without interposing the interfacial layer, when the dielectric layer which is easily diffused in the recording layer, for example, the conventional dielectric layer is formed of ZnS-20 mol% SiO 2 , It was found that the adhesion to the recording layer was good, but the repetitive rewriting performance of the medium was poor. Also, for example, Zr
O 2 has a low thermal conductivity and a high melting point. Therefore, if it is used as a dielectric layer, the recording sensitivity of the information recording medium can be increased and excellent repetitive rewriting performance can be secured. However, when the dielectric layer was formed using ZrO 2 , the result was that the adhesion to the recording layer was poor. For information recording media formed by contacting the dielectric layer with the recording layer using various other oxides, nitrides, sulfides, and selenides, the adhesion of the dielectric layer to the recording layer and the rewritability Was evaluated. However, when the dielectric layer was formed using one kind of oxide, nitride, sulfide, or selenide, it was not possible to achieve both good adhesion and good rewritability.

【００１７】そこで、本発明者は、従来使用されていた
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2において、ＺｎＳと混合
する化合物をＳｉＯ2以外のものとした混合物を使用し
て誘電体層を形成することを検討した。その結果、Ｚｎ
ＳとＺｒＯ２の組み合わせが、記録層と接する誘電体層
の構成材料として適していることを見出し、本発明に至
った。Therefore, the inventor of the present invention studied the formation of the dielectric layer by using a mixture of ZnS-20 mol% SiO 2 which has been conventionally used, except that the compound to be mixed with ZnS is other than SiO 2. did. As a result, Zn
The inventors have found that the combination of S and ZrO 2 is suitable as a constituent material of the dielectric layer in contact with the recording layer, and have completed the present invention.

【００１８】即ち、本発明は、基板および記録層を含
み、前記記録層が光の照射または電気的エネルギーの印
加によって、結晶相と非晶質相との間で相変態を生じる
情報記録媒体であって、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含む
Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をさらに含む、情報記録媒
体を提供する。ここで、単に、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯ
を含む材料層としているのは、各原子がどのような化合
物として存在しているのかを問わない趣旨である。尤
も、この材料においては、ＺｒおよびＯはＺｒＯ2の形
態で存在し、ＺｎおよびＳは、ＺｎＳ、他の原子と結合
していないＺｎ、および他の原子と結合していないＳの
形態で存在していると考えられる。後述するように、Ｚ
ｎＳ、他の原子と結合していないＺｎ、および他の原子
と結合していないＳは、本明細書においては、「Ｚｎ−
Ｓ」と表示される系を構成するものとして扱われる。Ｚ
ｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含む材料から成る層は、記録層
と良好に密着するとともに、記録層との間で物質移動が
生じにくいという性質を有する。That is, the present invention is an information recording medium including a substrate and a recording layer, wherein the recording layer undergoes a phase transformation between a crystalline phase and an amorphous phase upon irradiation of light or application of electric energy. There is provided an information recording medium further including a Zr—Zn—S—O-based material layer containing Zr, Zn, S and O. Here, simply, Zr, Zn, S and O
The material layer containing is a substance that does not matter what compound each atom exists as. However, in this material, Zr and O exist in the form of ZrO 2 , and Zn and S exist in the form of ZnS, Zn not bound to other atoms, and S not bound to other atoms. it seems to do. As described below, Z
In the present specification, nS, Zn that is not bonded to another atom, and S that is not bonded to another atom are “Zn—
It is treated as a constituent of the system labeled "S". Z
The layer made of a material containing r, Zn, S, and O has properties that it adheres well to the recording layer and that mass transfer does not easily occur between the layer and the recording layer.

【００１９】本発明の情報記録媒体は、光を照射するこ
とによって、あるいは電気的エネルギーを印加すること
によって、情報を記録再生する媒体である。一般に、光
の照射は、レーザ光（即ち、レーザビーム）を照射する
ことにより実施され、電気的エネルギーの印加は記録層
に電圧を印加することにより実施される。以下、本発明
の情報記録媒体を構成するＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層
を、より具体的に説明する。The information recording medium of the present invention is a medium for recording and reproducing information by irradiating light or applying electric energy. In general, light irradiation is performed by irradiating a laser beam (that is, a laser beam), and application of electric energy is performed by applying a voltage to the recording layer. Hereinafter, the Zr-Zn-S-O-based material layer forming the information recording medium of the present invention will be described more specifically.

【００２０】より具体的には、本発明の情報記録媒体
は、式（１）：More specifically, the information recording medium of the present invention has the formula (1):

【化１１】 ＺｒBＺｎCＳDＯ100-B-C-D（原子％）...（１） （式中、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ、８≦Ｂ≦３３、３
≦Ｃ≦３０、Ｃ≦Ｄ≦２Ｃ＜４５の範囲内にあり、且つ
４０≦Ｂ＋Ｃ＋Ｄ≦８０である）で表される材料から実
質的に成るＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を、構成要素と
して含むものである。ここで、「原子％」とは、式
（１）が、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯ原子を合わせた数を
基準（１００％）として表された組成式であることを示
している。以下の式においても「原子％」の表示は、同
様の趣旨で使用されている。Embedded image Zr B Zn C S D O 100-BCD (atomic%) ... (1) (wherein B, C and D are respectively 8 ≦ B ≦ 33, 3
≦ C ≦ 30, C ≦ D ≦ 2C <45, and 40 ≦ B + C + D ≦ 80)). It is included as an element. Here, “atomic%” indicates that the formula (1) is a composition formula expressed with the total number of Zr, Zn, S and O atoms as a reference (100%). In the following formulas, the expression "atomic%" is used for the same purpose.

【００２１】式（１）において、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓおよび
Ｏの各原子が、どのような化合物として存在しているか
は問われない。このような式で材料を特定しているの
は、薄膜に形成した層の組成を調べるに際し、化合物の
組成を求めることは難しく、現実には、元素組成（即
ち、各原子の割合）のみを求める場合が多いことによ
る。前述のように、式（１）で表される材料において、
Ｚｒの殆どはＯとともにＺｒＯ２として存在し、Ｚｎの
殆どはＳとともにＺｎ−Ｓとして存在していると考えら
れる。ここで、「Ｚｎ−Ｓ」とは、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ
系材料層において、ＺｎとＳが硫化亜鉛ＺｎＳの形態だ
けで存在せず、他の原子と結合していないＺｎおよび／
または他の原子と結合していないＳが存在し得ることを
示している。したがって、Ｚｎ−Ｓは、例えば、ＺｎＳ
1.5と表される場合がある。そのような表示は、（Ｓ原
子の数）／（Ｚｎ原子の数）が１．５であることを示
す。また、この場合、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層に
は、Ｚｎ（または他の原子）と結合しない余剰のＳが存
在することとなる。式（１）においては、Ｃ≦Ｄ≦２Ｃ
であるから、式（１）で表される材料において、（Ｓの
原子数）／（Ｚｎの原子数）は、１以上２以下である。In the formula (1), it does not matter what compound each atom of Zr, Zn, S and O exists as. It is difficult to determine the composition of the compound when investigating the composition of the layer formed in the thin film because the material is specified by such a formula, and in reality, only the elemental composition (that is, the ratio of each atom) is determined. This is because there are many cases in which it is requested. As described above, in the material represented by the formula (1),
It is considered that most of Zr exists together with O as ZrO 2 and most of Zn exists together with S as Zn—S. Here, "Zn-S" means Zr-Zn-S-O.
In the system material layer, Zn and S do not exist only in the form of zinc sulfide ZnS, and Zn and / or S that are not bonded to other atoms
It also indicates that there may be S that is not bonded to another atom. Therefore, Zn-S is, for example, ZnS.
Sometimes expressed as 1.5 . Such a display indicates that (number of S atoms) / (number of Zn atoms) is 1.5. In this case, the Zr—Zn—S—O-based material layer contains excess S that does not bond with Zn (or another atom). In the formula (1), C ≦ D ≦ 2C
Therefore, in the material represented by the formula (1), (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) is 1 or more and 2 or less.

【００２２】上記式（１）で表される材料から実質的に
成るＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層は、情報記録媒体中に
おいて、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、いず
れか一方の誘電体層として存在することが好ましく、両
方の誘電体層として存在することがより好ましい。上述
の範囲でＺｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含む誘電体層におい
ては、融点が２７００℃以上であるＺｒＯ2が、透明
性、および優れた繰り返し書き換え性能を確保し、Ｚｎ
−Ｓがカルコゲナイド材料である記録層との密着性を確
保する。さらに、ＺｒＯ2の薄膜は非晶質で、ＺｎＳの
薄膜は結晶である。構造の異なる２つの材料を混合して
構造を複雑化すると、熱の伝導率を低下させることがで
きる。それにより、記録層を急冷する作用が大きくなる
から、情報記録媒体の記録感度を高くすることができ
る。したがって、この情報記録媒体は、界面層が無くて
も、記録層と誘電体層との間で剥離が生じず、また、優
れた繰り返し書き換え性能および記録感度を示す。式
（１）で表される材料の層は、情報記録媒体において、
記録層と誘電体層との間に位置する界面層としてもよ
い。In the information recording medium, the Zr-Zn-S-O-based material layer substantially made of the material represented by the above formula (1) is one of the two dielectric layers adjacent to the recording layer. It is preferable to exist as one of the dielectric layers, and it is more preferable to exist as both of the dielectric layers. In the dielectric layer containing Zr, Zn, S and O in the above range, ZrO 2 having a melting point of 2700 ° C. or higher ensures transparency and excellent rewritability,
-S secures adhesion to the recording layer which is a chalcogenide material. Further, the ZrO 2 thin film is amorphous and the ZnS thin film is crystalline. When two materials having different structures are mixed to complicate the structure, the heat conductivity can be reduced. As a result, the action of rapidly cooling the recording layer is increased, so that the recording sensitivity of the information recording medium can be increased. Therefore, this information recording medium does not cause peeling between the recording layer and the dielectric layer even without the interface layer, and exhibits excellent rewritability and recording sensitivity. In the information recording medium, the layer of the material represented by the formula (1) is
The interface layer may be located between the recording layer and the dielectric layer.

【００２３】式（１）で表される材料から実質的に成る
Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層は、式（１１）：The Zr-Zn-S-O-based material layer substantially composed of the material represented by the formula (1) has the formula (11):

【化１２】 （ＺｒＯ2）X（Ｚｎ−Ｓ）100-X（ｍｏｌ％）...（１１） （式中、Ｘは５０≦Ｘ≦８０である）で表される材料か
ら実質的に成る層であってよい。式（１１）は、Ｚｒ−
Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層がＺｒＯ2とＺｎ−Ｓとから成る
場合に、２つの成分の好ましい割合を表している。ここ
で、「ｍｏｌ％」とは、式（１１）が、各化合物（Ｚｎ
−Ｓも１つの化合物とみなす）の総数を基準（１００
％）として表わされた組成式であることを示している。
以下の式においても「ｍｏｌ％」の表示は、同様の趣旨
で使用されている。Embedded image From the material represented by (ZrO 2 ) X (Zn—S) 100-X (mol%) ... (11) (wherein X is 50 ≦ X ≦ 80), It may be a composed layer. Formula (11) is Zr-
When the Zn—S—O-based material layer is composed of ZrO 2 and Zn—S, the preferable ratio of the two components is shown. Here, “mol%” means that each compound (Zn
-S is also regarded as one compound) based on the total number (100
%) Is indicated as the composition formula.
In the following formula, the expression "mol%" is used for the same purpose.

【００２４】式（１１）で表される材料から実質的に成
る層も、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、いず
れか一方の誘電体層として存在することが好ましく、両
方の誘電体層として存在することがより好ましい。式
（１１）で表される材料から実質的に成る層を誘電体層
とすることによる効果は、式（１）で表される材料に関
連して説明したとおりである。ここで、ＺｒＯ2の含有
量は、情報記録媒体の良好な繰り返し書き換え性能を確
保するために、５０mol％以上であることが好ましい。
一方、Ｚｎ−Ｓによる密着性を確保するために、ＺｒＯ
2の含有量は８０mol％以下であることが好ましい。式
（１１）で表される材料から実質的になる層は、情報記
録媒体において、記録層と誘電体層との間に位置する界
面層としてもよい。The layer substantially consisting of the material represented by the formula (11) is also preferably present as one of the two dielectric layers adjacent to the recording layer, and both dielectric layers are present. More preferably, it is present as a body layer. The effect of using the layer substantially consisting of the material represented by the formula (11) as the dielectric layer is as described in relation to the material represented by the formula (1). Here, the content of ZrO 2 is preferably 50 mol% or more in order to ensure good repetitive rewriting performance of the information recording medium.
On the other hand, in order to secure the adhesion by Zn-S, ZrO
The content of 2 is preferably 80 mol% or less. The layer substantially made of the material represented by the formula (11) may be an interface layer located between the recording layer and the dielectric layer in the information recording medium.

【００２５】本発明の情報記録媒体において、Ｚｒ−Ｚ
ｎ−Ｓ−Ｏ系材料は、Ｓｉをさらに含み、式（２）：In the information recording medium of the present invention, Zr-Z
The n-S-O-based material further contains Si and has the formula (2):

【化１３】 ＺｒEＳｉFＺｎGＳHＯ100-E-F-G-H（原子％）...（２） （式中、Ｅ、Ｆ、ＧおよびＨはそれぞれ、１≦Ｅ≦３
０、０＜Ｆ≦２３、２≦Ｇ≦３０、Ｇ≦Ｈ≦２Ｇ＜４５
の範囲内にあり、且つ４０≦Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ≦８０であ
る）で表される材料から実質的に成る層であってよい。Embedded image Zr E Si F Zn G S H O 100-EFGH ( atomic%) ... (2) (respectively wherein, E, F, G and H are, 1 ≦ E ≦ 3
0, 0 <F ≦ 23, 2 ≦ G ≦ 30, G ≦ H ≦ 2G <45
, And 40 ≦ E + F + G + H ≦ 80).

【００２６】式（２）においても、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、
ＳおよびＯの各原子が、どのような化合物として存在し
ているかは問われず、このような式で材料を特定してい
るのは、式（１）と同じ理由による。式（２）で表され
る材料において、Ｓｉの殆どは、ＯとともにＳｉＯ2と
して存在していると考えられる。また、Ｇ≦Ｈ≦２Ｇ
は、式（２）で表される材料において、（Ｓの原子数）
／（Ｚｎの原子数）が、１以上２以下であることを示し
ている。Also in the formula (2), Zr, Si, Zn,
It does not matter what compound each atom of S and O exists as, and the material is specified by such a formula for the same reason as in the formula (1). In the material represented by the formula (2), most of Si is considered to exist as SiO 2 together with O. Also, G ≦ H ≦ 2G
Is (atomic number of S) in the material represented by the formula (2).
It is shown that / (number of Zn atoms) is 1 or more and 2 or less.

【００２７】式（２）で表される材料から実質的に成る
層も、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、いずれ
か一方の誘電体層として存在することが好ましく、両方
の誘電体層として存在することがより好ましい。Ｓｉを
含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を誘電体層とする情報
記録媒体においては、誘電体層と記録層との良好な密着
性が確保され、また、優れた繰り返し書き換え性能が確
保されることに加えて、より高い記録感度が実現され
る。これはＳｉを含むことによって、層の熱伝導率が低
くなることによると考えられる。式（２）で表される材
料から実質的になる層は、情報記録媒体において、記録
層と誘電体層との間に位置する界面層としてもよい。The layer substantially consisting of the material represented by the formula (2) is also preferably present as either one of the two dielectric layers adjacent to the recording layer, and both dielectric layers are present. More preferably, it is present as a body layer. In an information recording medium having a Zr-Zn-S-O-based material layer containing Si as a dielectric layer, good adhesion between the dielectric layer and the recording layer is ensured, and excellent repetitive rewriting performance is secured. In addition to that, higher recording sensitivity is realized. It is considered that this is because the thermal conductivity of the layer is lowered by containing Si. The layer substantially made of the material represented by the formula (2) may be an interface layer located between the recording layer and the dielectric layer in the information recording medium.

【００２８】上記Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料
層は、式（２１）：The Zr-Zn-S-O-based material layer containing Si has the formula (21):

【化１４】 （ＺｒＯ２）Y（ＳｉＯ2）Z（Ｚｎ−Ｓ）100−Y−Z（ｍｏｌ％）...（２１） （式中、ＹおよびＺはそれぞれ、２０≦Ｙ≦７０、１０
≦Ｚ≦５０の範囲内にあり、且つ５０≦Ｙ＋Ｚ≦８０で
ある）で表される材料から実質的になる層であってよ
い。式（２１）は、Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層が、ＺｒＯ２、ＳｉＯ2、およびＺｎ−Ｓの混合物
から成る場合に、３つの成分の好ましい割合を示してい
る。式（２１）で表される材料から実質的に成る層も、
記録層と隣接する誘電体層のうち、いずれか一方の誘電
体層として存在することが好ましく、両方の誘電体層と
して存在することがより好ましい。あるいは、式（２
１）で表される材料から実質的に成る層は、情報記録媒
体において、記録層と誘電体層との間に位置する界面層
としてもよい。Embedded image (ZrO 2 ) Y (SiO 2 ) Z (Zn-S) 100-Y-Z (mol%) ... (21) (wherein Y and Z are respectively 20 ≦ Y ≦ 70, 10
Within the range of ≦ Z ≦ 50, and 50 ≦ Y + Z ≦ 80), the layer may consist essentially of the material. Equation (21), Zr-Zn-S-O-based material layer containing Si is if composed of a mixture of ZrO 2, SiO 2, and Zn-S, shows a preferred ratio of the three components. A layer consisting essentially of the material represented by formula (21)
Among the dielectric layers adjacent to the recording layer, it is preferable to exist as one of the dielectric layers, and it is more preferable to exist as both of the dielectric layers. Alternatively, the formula (2
In the information recording medium, the layer substantially composed of the material represented by 1) may be an interface layer located between the recording layer and the dielectric layer.

【００２９】式（２１）で表される材料から実質的に成
る層を誘電体層とする場合、ＳｉＯ 2は、情報記録媒体
の記録感度を高める機能を有する。情報記録媒体の記録
感度を高くするためには、式（２１）において、ＳｉＯ
2の含有量（即ち、Ｚ）を、１０mol％以上とすることが
好ましい。一方、ＳｉＯ2の含有量が多すぎると、他の
成分の割合が少なくなり、記録層との密着性および情報
記録媒体の繰り返し書き換え性能が低下する。したがっ
て、ＳｉＯ2の含有量は、５０mol％以下とすることが好
ましい。さらに、ＳｉＯ2を１０〜５０mol％の範囲で調
整することによって、記録感度を調整することが可能と
なる。式（２１）で表される材料において、（Ｚｎ−
Ｓ）の含有量は、記録層との密着性を確保するために、
２０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、記録層へのＳ
の拡散を生じないようにするには、５０ｍｏｌ％以下で
あることが好ましい。したがって、式（２１）において
は、５０≦Ｙ＋Ｚ≦８０であることが好ましい。Substantially made of the material represented by the formula (21).
When the layer is a dielectric layer, SiO 2Is an information recording medium
It has the function of increasing the recording sensitivity of. Recording of information recording medium
In order to increase the sensitivity, in formula (21), SiO
2Content (ie, Z) of 10 mol% or more
preferable. On the other hand, SiO2Too much content of other
The proportion of components is reduced, and the adhesion and information to the recording layer
Repeated rewriting performance of the recording medium is deteriorated. According to
And SiO2The content of is preferably 50 mol% or less.
Good Furthermore, SiO2Adjust in the range of 10 to 50 mol%
It is possible to adjust the recording sensitivity by adjusting
Become. In the material represented by the formula (21), (Zn-
The content of S) is set in order to secure adhesion with the recording layer.
20 mol% or more is preferable, and S to the recording layer is
In order to prevent the diffusion of
Preferably there is. Therefore, in equation (21)
Is preferably 50 ≦ Y + Z ≦ 80.

【００３０】式（２１）で表される材料は、ＺｒＯ2と
ＳｉＯ2を略等しい割合で含んでもよい。その場合、こ
の材料は、下記の式（２２）：The material represented by the formula (21) may contain ZrO 2 and SiO 2 in substantially equal proportions. In that case, this material has the following formula (22):

【化１５】 （ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）...（２２） （式中、Ａは、３３≦Ａ≦６７の範囲内にある）で表さ
れる。ＺｒＳｉＯ4は、ＺｒＯ2とＳｉＯ2とを略等しい
割合で含む、複合酸化物である。ＺｒＳｉＯ4は、融点
が高く、化学量論組成であるため構造が安定している。
式（２２）で表される材料から実質的に成る層も、記録
層と隣接する誘電体層のうち、いずれか一方の誘電体層
として存在することが好ましく、両方の誘電体層として
存在することがより好ましい。式（２２）において、３
３≦Ａ≦６７とすることにより、ＺｒＳｉＯ4およびＺ
ｎ−Ｓが適切な割合で層中に存在する。したがって、式
（２２）で表される材料から実質的に成る誘電体層は、
記録層と良好に密着するとともに、情報記録媒体が、良
好な記録感度および繰り返し書き換え性能を有すること
を確保する。ＺｒＯ2とＳｉＯ2が複合酸化物であるＺｒ
ＳｉＯ4を形成している場合、ＺｒＳｉＯ4の薄膜は非晶
質である。前述のように、ＺｎＳの薄膜は結晶である。
したがって、これらの構造の異なる２つの材料を混合し
て、構造を複雑化すると、熱の伝導を低下させることが
できる。それにより、記録層を急冷する作用が大きくな
るから、情報記録媒体の記録感度を高くすることができ
る。したがって、式（２２）で表される材料から実質的
に成る誘電体層は、記録層との密着性に優れるととも
に、情報記録媒体がより良好な記録感度を有し、また良
好な繰り返し書き換え性能を有することを確保する。あ
るいは、式（２２）で表される材料から実質的に成る層
は、情報記録媒体において、記録層と誘電体層との間に
位置する界面層としてもよい。Embedded image (ZrSiO 4 ) A (Zn—S) 100-A (mol%) ... (22) (wherein A is in the range of 33 ≦ A ≦ 67). ZrSiO 4 is a composite oxide containing ZrO 2 and SiO 2 in substantially equal proportions. ZrSiO 4 has a high melting point and a stoichiometric composition, and thus has a stable structure.
The layer substantially consisting of the material represented by the formula (22) is also preferably present as either one of the dielectric layers adjacent to the recording layer, and is present as both dielectric layers. Is more preferable. In Expression (22), 3
By setting 3 ≦ A ≦ 67, ZrSiO 4 and Z
n-S is present in the layer in the proper proportions. Therefore, the dielectric layer consisting essentially of the material represented by formula (22) is
It ensures good adhesion to the recording layer and ensures that the information recording medium has good recording sensitivity and repetitive rewriting performance. Zr that is a composite oxide of ZrO 2 and SiO 2
When SiO 4 is formed, the ZrSiO 4 thin film is amorphous. As described above, the ZnS thin film is crystalline.
Therefore, when two materials having different structures are mixed to complicate the structure, heat conduction can be reduced. As a result, the action of rapidly cooling the recording layer is increased, so that the recording sensitivity of the information recording medium can be increased. Therefore, the dielectric layer substantially composed of the material represented by the formula (22) has excellent adhesion to the recording layer, the information recording medium has better recording sensitivity, and good repetitive rewriting performance. Ensure to have. Alternatively, the layer substantially consisting of the material represented by the formula (22) may be an interface layer located between the recording layer and the dielectric layer in the information recording medium.

【００３１】本発明の情報記録媒体を構成する、Ｚｒ−
Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層において、Ｚｎ原子とＳ原子は、
１≦（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）≦２の関係を満
たすことが好ましい。（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子
数）がこの範囲内にあるＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を
記録層と接するように形成して、情報記録媒体を構成す
ると、情報記録媒体は、当該Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料
層と記録層との密着性に優れ、且つ良好な繰り返し書き
換え性能と良好な記録感度を有するものとなる。（Ｓの
原子数）／（Ｚｎの原子数）は１よりも大きいことが、
より好ましい。その場合、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層
と記録層との密着性がさらに向上する。但し、（Ｓの原
子数）／（Ｚｎの原子数）は２以下であることが好まし
い。（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）が２を超える
と、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層中に含まれるＳの割合
が大きくなり、この層を記録層と接する誘電体層とした
場合には、記録層へのＳの拡散に起因して、繰り返し書
き換え性能が低下する。Zr- which constitutes the information recording medium of the present invention
In the Zn—S—O-based material layer, Zn atoms and S atoms are
It is preferable to satisfy the relation of 1 ≦ (number of S atoms) / (number of Zn atoms) ≦ 2. An information recording medium is formed by forming a Zr—Zn—S—O-based material layer having a (S atom number) / (Zn atom number) within this range so as to be in contact with the recording layer. Which has excellent adhesion between the Zr—Zn—S—O-based material layer and the recording layer, and has good rewritability and good recording sensitivity. (S atom number) / (Zn atom number) is larger than 1,
More preferable. In that case, the adhesion between the Zr—Zn—S—O-based material layer and the recording layer is further improved. However, (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) is preferably 2 or less. If the (number of S atoms) / (number of Zn atoms) exceeds 2, the proportion of S contained in the Zr—Zn—S—O-based material layer increases, and the dielectric layer is in contact with this layer. In that case, the rewriting performance deteriorates due to the diffusion of S into the recording layer.

【００３２】上記式（１）、（１１）、（２）、（２
１）および（２２）で表される式はいずれも、１≦（Ｓ
の原子数）／（Ｚｎの原子数）≦２を満たす。したがっ
て、これらの式で表される材料のＳの含有量はいずれ
も、３３原子％以下となり、従来の（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）（Ｚｎ36.4Ｓ36.4Ｓｉ9.0Ｏ
18.2（原子％））に含まれるＳの含有量（３６．４原子
％）よりも少ない。即ち、上記各式で表される材料は、
Ｚｎの原子数に対するＳの原子数の割合を規定すること
により、当該材料で形成された層（具体的には誘電体
層）と記録層との良好な密着性を維持しつつ、情報記録
媒体の記録層の結晶化性能および繰り返し書き換え性能
等を低下させないことを確保している。The above formulas (1), (11), (2), (2)
The expressions represented by 1) and (22) are both 1 ≦ (S
The number of atoms of) / (the number of atoms of Zn) ≦ 2. Therefore, the content of S in the materials represented by these formulas is 33 atomic% or less, and the conventional (ZnS) 80 (Si
O 2 ) 20 (mol%) (Zn 36.4 S 36.4 Si 9.0 O
18.2 (atomic%)) is less than the S content (36.4 atomic%). That is, the materials represented by the above formulas are
By defining the ratio of the number of S atoms to the number of Zn atoms, an information recording medium can be obtained while maintaining good adhesion between a layer (specifically a dielectric layer) formed of the material and the recording layer. It is ensured that the crystallization performance and repetitive rewriting performance of the recording layer are not deteriorated.

【００３３】上記本発明の情報記録媒体は、その記録層
において、相変態が可逆的に生じるものであることが好
ましい。即ち、本発明の情報記録媒体は、書き換え型情
報記録媒体として好ましく提供される。The information recording medium of the present invention is preferably one in which the phase transformation reversibly occurs in its recording layer. That is, the information recording medium of the present invention is preferably provided as a rewritable information recording medium.

【００３４】相変態が可逆的に生じる記録層は、具体的
には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅおよびＳｂ−Ｔｅから選択される、い
ずれか１つの材料を含むことが好ましい。これらはいず
れも高速結晶化材料である。したがって、これらの材料
で記録層を形成すると、高密度且つ高転送速度で記録で
き、また、信頼性（具体的には記録保存性または書き換
え保存性）の点でも優れた情報記録媒体が得られる。The recording layer in which the phase transformation reversibly occurs is specifically Ge-Sb-Te, Ge-Sn-Sb-Te, G
e-Bi-Te, Ge-Sn-Bi-Te, Ge-Sb
-Bi-Te, Ge-Sn-Sb-Bi-Te, Ag-
It is preferable to include any one material selected from In-Sb-Te and Sb-Te. All of these are high speed crystallization materials. Therefore, when the recording layer is formed of these materials, it is possible to obtain an information recording medium capable of recording at a high density and a high transfer rate and having excellent reliability (specifically, recording storability or rewriting storability). .

【００３５】本発明の情報記録媒体は、２つ以上の記録
層を有するものであってよい。そのような情報記録媒体
は、例えば、基板の一方の表面の側に、２つの記録層が
誘電体層および中間層等を介して積層された、片面２層
構造を有するものである。片面２層構造の情報記録媒体
は、片側から光を照射して、２つの記録層に情報を記録
するものである。この構造によれば、記録容量を大きく
することが可能となる。あるいは、本発明の情報記録媒
体は、基板の両方の面に記録層が形成されたものであっ
てよい。The information recording medium of the present invention may have two or more recording layers. Such an information recording medium has, for example, a single-sided two-layer structure in which two recording layers are laminated on one surface side of a substrate with a dielectric layer, an intermediate layer and the like interposed therebetween. The information recording medium having a single-sided, double-layer structure records information in two recording layers by irradiating light from one side. According to this structure, the recording capacity can be increased. Alternatively, the information recording medium of the present invention may have a recording layer formed on both surfaces of the substrate.

【００３６】本発明の情報記録媒体において、記録層の
膜厚は１５ｎｍ以下であることが望ましい。１５ｎｍを
超えると、記録層に加えられた熱が面内に拡散し、厚さ
方向に拡散しにくくなる。In the information recording medium of the present invention, the thickness of the recording layer is preferably 15 nm or less. When it exceeds 15 nm, the heat applied to the recording layer diffuses in the plane, and it becomes difficult to diffuse in the thickness direction.

【００３７】本発明の情報記録媒体は、基板の一方の表
面に、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、およ
び反射層がこの順に形成された構成を有するものであっ
てよい。この構成を有する情報記録媒体は、光の照射に
より記録される媒体である。本明細書において、「第１
の誘電体層」とは、入射される光に対してより近い位置
にある誘電体層をいい、「第２の誘電体層」とは、入射
される光に対してより遠い位置にある誘電体層をいう。
即ち、照射される光は、第１の誘電体層から、記録層を
経由して、第２の誘電体層に到達する。この構成の情報
記録媒体は、例えば、波長６６０ｎｍ付近のレーザ光で
記録再生する場合に用いられる。The information recording medium of the present invention has a structure in which a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer are formed in this order on one surface of a substrate. You may The information recording medium having this structure is a medium which is recorded by irradiation of light. In the present specification, “first
The "dielectric layer of" is a dielectric layer located closer to the incident light, and the "second dielectric layer" is a dielectric layer located farther from the incident light. The body layer.
That is, the irradiated light reaches the second dielectric layer from the first dielectric layer via the recording layer. The information recording medium having this configuration is used, for example, when recording / reproducing with a laser beam having a wavelength near 660 nm.

【００３８】本発明の情報記録媒体がこの構成を有する
場合、第１の誘電体層および第２の誘電体層のうち少な
くとも１つの誘電体層が、上記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層（具体的には、上記式（１）、（１１）、（２）、
（２１）および（２２）で表される材料のいずれか１つ
から実質的に成る層）である。好ましくは、両方の誘電
体層が、上記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層である。その
場合、両方の誘電体層は、同一組成の層としてよく、あ
るいは異なる組成の層としてよい。When the information recording medium of the present invention has this structure, at least one of the first dielectric layer and the second dielectric layer is a Zr-Zn-S-O-based material layer. (Specifically, the above formulas (1), (11), (2),
A layer consisting essentially of any one of the materials represented by (21) and (22). Preferably, both dielectric layers are the Zr-Zn-S-O-based material layers. In that case, both dielectric layers may be layers of the same composition or layers of different composition.

【００３９】本発明の情報記録媒体は、基板の一方の表
面に、反射層、第２の誘電体層、記録層、および第１の
誘電体層がこの順に形成された構成を有するものであっ
てよい。この構成は、光が入射する基板の厚さを薄くす
る必要がある場合に採用される。具体的には、波長４０
５ｎｍ付近の短波長のレーザ光で記録再生する場合に、
対物レンズの開口数ＮＡを例えば０．８５と大きくし
て、焦点位置を浅くする場合に、この構成の情報記録媒
体が使用される。このような波長および開口数ＮＡを使
用するには、光が入射する基板の厚さを、例えば６０〜
１２０μｍ程度にする必要がある。そのような薄い基板
の表面には、層を形成することが困難である。したがっ
て、この構成の情報記録媒体は、光が入射されない基板
を支持体として、その一方の表面に反射層等を順次形成
することにより形成されたものとして特定される。The information recording medium of the present invention has a structure in which a reflective layer, a second dielectric layer, a recording layer, and a first dielectric layer are formed in this order on one surface of a substrate. You may This configuration is adopted when it is necessary to reduce the thickness of the substrate on which light is incident. Specifically, the wavelength 40
When recording / reproducing with laser light of short wavelength around 5 nm,
The information recording medium having this configuration is used when the numerical aperture NA of the objective lens is increased to, for example, 0.85 to make the focal position shallow. In order to use such a wavelength and numerical aperture NA, the thickness of the substrate on which light is incident is set to, for example, 60 to
It should be about 120 μm. It is difficult to form a layer on the surface of such a thin substrate. Therefore, the information recording medium having this configuration is specified as a medium formed by sequentially forming a reflective layer or the like on one surface of the substrate on which the light is not incident as the support.

【００４０】本発明の情報記録媒体がこの構成を有する
場合、第１の誘電体層および第２の誘電体層のうち少な
くとも１つの誘電体層が、上記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層である。好ましくは、両方の誘電体層が、上記Ｚｒ
−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層である。その場合、両方の誘電
体層は、同一組成の層としてよく、あるいは異なる組成
の層としてよい。When the information recording medium of the present invention has this structure, at least one of the first dielectric layer and the second dielectric layer is a Zr-Zn-S-O-based material layer. Is. Preferably, both dielectric layers are Zr
-Zn-S-O-based material layer. In that case, both dielectric layers may be layers of the same composition or layers of different composition.

【００４１】本発明はまた、本発明の情報記録媒体を製
造する方法として、上述したＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料
層を、スパッタリング法で形成する工程を含む製造方法
を提供する。スパッタリング法によれば、スパッタリン
グターゲットの組成と略同じ組成を有するＺｒ−Ｚｎ−
Ｓ−Ｏ系材料層を形成できる。したがって、この製造方
法によれば、スパッタリングターゲットを適切に選択す
ることにより、所望の組成のＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料
層を容易に形成できる。The present invention also provides a method for producing the information recording medium of the present invention, which includes a step of forming the above-mentioned Zr—Zn—S—O based material layer by a sputtering method. According to the sputtering method, Zr-Zn- having a composition substantially the same as the composition of the sputtering target.
An S-O material layer can be formed. Therefore, according to this manufacturing method, the Zr—Zn—S—O-based material layer having a desired composition can be easily formed by appropriately selecting the sputtering target.

【００４２】具体的には、スパッタリングターゲットと
して、下記の式（１０）：Specifically, as a sputtering target, the following formula (10):

【化１６】 ＺｒbＺｎcＳdＯ100-b-c-d（原子％）...（１０） （式中、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、１１≦ｂ≦３０、
５≦ｃ≦２７、ｃ≦ｄ≦２ｃ＜４０の範囲内にあり、且
つ４０≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦８０である）で表される材料から
実質的に成るものを使用できる。式（１０）は、後述す
る式（１１０）で表される材料を元素組成で表した式に
相当する。したがって、このターゲットによれば、上記
式（１０）で表される材料から実質的に成る層を形成す
ることができる。 Embedded image Zr b Zn c S d O 100-bcd (atomic%) ... (10) (wherein b, c and d are respectively 11 ≦ b ≦ 30,
5 ≦ c ≦ 27, c ≦ d ≦ 2c <40, and 40 ≦ b + c + d ≦ 80) can be used. The formula (10) corresponds to a formula in which the material represented by the formula (110) described later is represented by the elemental composition. Therefore, according to this target, it is possible to form a layer substantially made of the material represented by the above formula (10).

【００４３】スパッタリングによる形成される層の元素
組成は、スパッタリング装置、スパッタリング条件、お
よびスパッタリングターゲットの寸法等によって、スパ
ッタリングターゲットの元素組成と異なる場合がある。
そのような差異が、上記式（１０）で表される材料から
成るスパッタリングターゲットを使用した場合に生じる
としても、形成される層の元素組成は、少なくとも上記
式（１）で表されるものとなる。The elemental composition of the layer formed by sputtering may differ from the elemental composition of the sputtering target depending on the sputtering apparatus, sputtering conditions, dimensions of the sputtering target, and the like.
Even if such a difference occurs when a sputtering target made of the material represented by the above formula (10) is used, the elemental composition of the formed layer is at least represented by the above formula (1). Become.

【００４４】本発明の情報記録媒体の製造方法において
は、スパッタリングターゲットとして、式（１１０）：In the method of manufacturing the information recording medium of the present invention, the sputtering target is represented by the formula (110):

【化１７】 （ＺｒＯ2）x（Ｚｎ−Ｓ）100-ｘ（ｍｏｌ％）...（１１０） （式中、ｘは５０≦ｘ≦８０である）で表される材料か
ら実質的に成るものを使用してよい。これは、スパッタ
リングターゲットの組成を、ＺｒＯ2とＺｎ−Ｓの割合
で表した式に相当する。このようにスパッタリングター
ゲットを特定しているのは、通常、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓおよ
びＯを含む材料から成るスパッタリングターゲットは、
この２つの成分の組成が表示されて販売されていること
による。また、発明者は、市販のスパッタリングターゲ
ットのＸ線マイクロアナライザーで分析して得た元素組
成が、表示されている組成から算出される元素組成と略
等しくなることを（即ち、組成表示（公称組成）が適正
であること）を確認している。したがって、このスパッ
タリングターゲットによれば、式（１１）で表される材
料から実質的に成る層が形成される。Embedded image From a material represented by (ZrO 2 ) x (Zn-S) 100-x (mol%) ... (110) (where x is 50 ≦ x ≦ 80), May be used. This corresponds to the formula in which the composition of the sputtering target is represented by the ratio of ZrO 2 and Zn—S. As described above, the sputtering target is usually specified by a sputtering target made of a material containing Zr, Zn, S and O.
This is because the composition of these two components is displayed and sold. In addition, the inventor has found that the elemental composition obtained by analyzing with an X-ray microanalyzer of a commercially available sputtering target is approximately equal to the elemental composition calculated from the displayed composition (that is, the compositional expression (nominal composition ) Is appropriate). Therefore, according to this sputtering target, a layer substantially made of the material represented by the formula (11) is formed.

【００４５】本発明の情報記録媒体の製造方法において
は、Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を形成する
ために、スパッタリングターゲットとして、式（２
０）：In the method of manufacturing the information recording medium of the present invention, in order to form the Zr-Zn-S-O-based material layer containing Si, the sputtering target of formula (2) is used.
0):

【化１８】 ＺｒeＳｉfＺｎgＳhＯ100-e-f-g-h（原子％）...（２０） （式中、ｅ、ｆ、ｇおよびｈはそれぞれ、３≦ｅ≦２
７、１＜ｆ≦２０、５≦ｇ≦２７、ｇ≦ｈ≦２ｇ＜４０
の範囲内にあり、且つ４０≦ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ≦８０であ
る）で表される材料から実質的に成るものを用いてよ
い。このスパッタリングターゲットを使用すれば、式
（２１）または式（２）で表される材料から実質的に成
る層が形成される。Embedded image Zr e Si f Zn g S h O 100-efgh ( atomic%) ... (20) (wherein, e, f, g and h each, 3 ≦ e ≦ 2
7, 1 <f ≦ 20, 5 ≦ g ≦ 27, g ≦ h ≦ 2g <40
And is substantially composed of a material represented by the formula 40 ≦ e + f + g + h ≦ 80. When this sputtering target is used, a layer consisting essentially of the material represented by formula (21) or formula (2) is formed.

【００４６】本発明の情報記録媒体の製造方法において
は、スパッタリングターゲットとして、式（２１０）：In the method of manufacturing the information recording medium of the present invention, the sputtering target is represented by the formula (210):

【化１９】 （ＺｒＯ2）y（ＳｉＯ2）z（Ｚｎ−Ｓ）100-y-z（ｍｏｌ％）...（２１０） （式中、ｙおよびｚはそれぞれ、２０≦ｙ≦７０、およ
び１０≦ｚ≦５０の範囲内にあり、且つ５０≦ｙ＋ｚ≦
８０である）で表される材料から実質的に成るものを使
用してよい。このようにスパッタリングターゲットを特
定しているのは、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｉ、ＳおよびＯを含む
材料から成るスパッタリングターゲットが、通常、Ｚｒ
Ｏ2、ＳｉＯ2、およびＺｎ−Ｓの組成が表示されて、販
売されていることによる。発明者らは、式（２１０）の
ように組成が表示されているターゲットについても、組
成表示（即ち、公称組成）が適正であることを確認して
いる。したがって、このスパッタリングターゲットによ
れば、式（２１）で表される材料から実質的に成る層が
形成される。Embedded image (ZrO 2 ) y (SiO 2 ) z (Zn-S) 100-yz (mol%) ... (210) (wherein y and z are 20 ≦ y ≦ 70 and 10 respectively) ≦ z ≦ 50, and 50 ≦ y + z ≦
Of 80) may be used. The sputtering target is specified in this way because the sputtering target made of a material containing Zr, Zn, Si, S and O is usually Zr.
This is because the compositions of O 2 , SiO 2 , and Zn—S are displayed and sold. The inventors have confirmed that the composition display (that is, the nominal composition) is appropriate even for the target whose composition is displayed as in Expression (210). Therefore, according to this sputtering target, a layer substantially composed of the material represented by the formula (21) is formed.

【００４７】上記式（２１０）で示されるスパッタリン
グターゲットは、ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含
むものであってよい。その場合、スパッタリングターゲ
ットは、式（２２０）：The sputtering target represented by the above formula (210) may contain ZrO 2 and SiO 2 in substantially equal proportions. In that case, the sputtering target has the formula (220):

【化２０】 （ＺｒＳｉＯ4）a（Ｚｎ−Ｓ）100−a（ｍｏｌ％）...（２２０） （式中、ａは、３３≦ａ≦６７の範囲内にある）で表さ
れる材料から実質的に成るものである。このスパッタリ
ングターゲットによれば、式（２２）で示される材料か
ら実質的に成る層が形成される。Embedded image A material represented by (ZrSiO 4 ) a (Zn—S) 100-a (mol%) ... (220) (where a is in the range of 33 ≦ a ≦ 67) Consists essentially of. According to this sputtering target, a layer substantially composed of the material represented by the formula (22) is formed.

【００４８】上記式（１０）、（１１０）、（２０）、
（２１０）および（２２０）は、いずれも１≦（Ｓの原
子数）／（Ｚｎの原子数）≦２の関係を満たす。したが
って、これらの式で表される材料から実質的に成るスパ
ッタリングターゲットを使用すれば、１≦（Ｓの原子
数）／（Ｚｎの原子数）≦２の関係にある、Ｚｒ−Ｚｎ
−Ｓ−Ｏ系材料層が形成される。The above equations (10), (110), (20),
Both (210) and (220) satisfy the relationship of 1 ≦ (number of S atoms) / (number of Zn atoms) ≦ 2. Therefore, if a sputtering target consisting essentially of the materials represented by these formulas is used, the relationship of 1 ≦ (number of S atoms) / (number of Zn atoms) ≦ 2 is satisfied.
A —S—O based material layer is formed.

【００４９】[0049]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的
なものであり、本発明は以下の実施形態に限定されな
い。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiments are exemplifications, and the present invention is not limited to the following embodiments.

【００５０】（実施の形態１）本発明の実施の形態１と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る、光情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光
情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 1) As Embodiment 1 of the present invention, an example of an optical information recording medium for recording and reproducing information using a laser beam will be described. FIG. 1 shows a partial cross section of the optical information recording medium.

【００５１】図１に示す情報記録媒体２５は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層２、記録層４、第２の誘
電体層６、光吸収補正層７、および反射層８がこの順に
形成され、さらに接着層９でダミー基板１０が接着され
た構成を有する。この構成の情報記録媒体は、波長６６
０ｎｍ付近の赤色域のレーザビームで記録再生する、
４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭとして使用できる。この構
成の情報記録媒体には、基板１側からレーザ光１２が入
射され、それにより情報の記録及び再生が実施される。
情報記録媒体２５は、第１の界面層１０３および第２の
界面層１０５を有していない点において図９に示す従来
の情報記録媒体３１と相違する。The information recording medium 25 shown in FIG. 1 has a first dielectric layer 2, a recording layer 4, a second dielectric layer 6, a light absorption correction layer 7, and a reflection layer on one surface of a substrate 1. 8 is formed in this order, and the dummy substrate 10 is further bonded by the adhesive layer 9. The information recording medium having this structure has a wavelength of 66
Recording and reproduction with a laser beam in the red region near 0 nm,
It can be used as 4.7 GB / DVD-RAM. A laser beam 12 is incident on the information recording medium having this configuration from the substrate 1 side, whereby information is recorded and reproduced.
The information recording medium 25 is different from the conventional information recording medium 31 shown in FIG. 9 in that it does not have the first interface layer 103 and the second interface layer 105.

【００５２】実施の形態１においては、第１の誘電体層
２および第２の誘電体層６がともに、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料層である。In the first embodiment, both the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 are Zr-Zn-S-.
It is an O-based material layer.

【００５３】一般に、誘電体層の材料には、１）透明で
あること、２）融点が高く、記録の際に溶融しないこ
と、および３）カルコゲナイド材料である記録層との密
着性が良好であることが要求される。透明であること
は、基板１側から入射されたレーザ光１２を通過させて
記録層４に到達させるために必要な特性である。この特
性は、特に入射側の第１の誘電体層に要求される。高い
融点は、ピークパワーレベルのレーザ光を照射したとき
に、誘電体層の材料が記録層に混入しないことを確保す
るために必要な特性である。誘電体層の材料が記録層に
混入すると、繰り返し書き換え性能が著しく低下する。
カルコゲナイド材料である記録層との密着性が良好であ
ることは、情報記録媒体の信頼性を確保するために必要
な特性である。さらに、誘電体層の材料は、得られる情
報記録媒体が、従来の情報記録媒体（即ち、ＺｎＳ−２
０ｍｏｌ％ＳｉＯ2から成る誘電体層と記録層との間に
界面層が位置する媒体）と同等かそれ以上の記録感度を
有するように選択する必要がある。Generally, the material of the dielectric layer is 1) transparent, 2) has a high melting point and does not melt during recording, and 3) has good adhesion to the recording layer which is a chalcogenide material. Required to be present. The transparency is a characteristic necessary for allowing the laser light 12 incident from the substrate 1 side to pass through and reach the recording layer 4. This property is particularly required for the first dielectric layer on the incident side. The high melting point is a characteristic necessary for ensuring that the material of the dielectric layer does not mix into the recording layer when irradiated with the laser beam of the peak power level. If the material of the dielectric layer is mixed in the recording layer, the rewriting performance will be significantly deteriorated.
Good adhesion to the recording layer, which is a chalcogenide material, is a characteristic necessary for ensuring the reliability of the information recording medium. Further, as the material of the dielectric layer, the obtained information recording medium is a conventional information recording medium (that is, ZnS-2).
It should be selected so as to have a recording sensitivity equal to or higher than that of a medium in which the interface layer is located between the dielectric layer made of 0 mol% SiO 2 and the recording layer.

【００５４】Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層は、ＺｒＯ2
とＺｎ−Ｓの混合物から実質的に成る層であることが好
ましい。ＺｒＯ2は、透明で、高い融点（約２７００
℃）を有し、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料で
ある。Ｚｎ−Ｓは、カルコゲナイド材料である記録層と
の密着性が良い。したがって、この２種類の成分の混合
物を含む層を第１および第２の誘電体層２および６と
し、これらを図示するように記録層４と接するように形
成することによって、繰り返し書き換え性能に優れ、且
つ記録層と誘電体層との間の密着性が良好である、情報
記録媒体２５を実現し得る。ＺｒＯ2とＺｎ−Ｓの混合
物は、上記式（１１）、即ち、（ＺｒＯ2）X（Ｚｎ−
Ｓ）100-X（ｍｏｌ％）で表される。ＺｒＯ2の含有量
（即ち、Ｘ）は、繰り返し書き換え性能を確保するため
に、５０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。また、記
録層との密着性を確保するために、Ｚｎ−Ｓの含有量は
２０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。したがって、
Ｘは５０以上８０以下の範囲内にあることが好ましい。
さらに、前述したようにＺｎ−Ｓは、Ｓの原子数／Ｚｎ
の原子数が１以上２以下である化合物である。The Zr-Zn-S-O-based material layer is made of ZrO 2
It is preferably a layer consisting essentially of a mixture of Zn and Sn. ZrO 2 is transparent and has a high melting point (approximately 2700
C.) and has low thermal conductivity among oxides. Zn-S has good adhesion to the recording layer which is a chalcogenide material. Therefore, by forming the layers containing the mixture of the two kinds of components as the first and second dielectric layers 2 and 6 and forming them so as to be in contact with the recording layer 4 as shown in the drawing, excellent rewriting performance is excellent. Moreover, it is possible to realize the information recording medium 25 having good adhesion between the recording layer and the dielectric layer. The mixture of ZrO 2 and Zn—S has the above formula (11), that is, (ZrO 2 ) X (Zn—
S) Represented by 100-X (mol%). The content of ZrO 2 (that is, X) is preferably 50 mol% or more in order to secure the repeated rewriting performance. Further, in order to secure the adhesiveness to the recording layer, the content of Zn-S is preferably 20 mol% or more. Therefore,
X is preferably in the range of 50 or more and 80 or less.
Furthermore, as described above, Zn-S is the number of S atoms / Zn.
Is a compound having 1 or more and 2 or less atoms.

【００５５】第１および第２の誘電体層２および６は、
Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層であってよい。
Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層は、ＺｒＯ2、
Ｚｎ−ＳおよびＳｉＯ2の混合物から実質的に成ってい
ることが好ましい。この混合物は、上記式（２１）、即
ち、（ＺｒＯ2）Y（ＳｉＯ2）Z（Ｚｎ−Ｓ）100−Y− Z
（ｍｏｌ％）で表される。この式において、ＹおよびＺ
はそれぞれ、２０≦Ｙ≦７０、１０≦Ｚ≦５０の範囲内
にあり、５０≦Ｙ＋Ｚ≦８０である。The first and second dielectric layers 2 and 6 are
It may be a Zr—Zn—S—O-based material layer containing Si.
The Zr—Zn—S—O-based material layer containing Si is ZrO 2 ,
It is preferable that consists essentially of a mixture of Zn-S and SiO 2. This mixture has the above formula (21): (ZrO 2 ) Y (SiO 2 ) Z (Zn-S) 100-Y- Z
(Mol%). In this equation, Y and Z
Are in the ranges of 20 ≦ Y ≦ 70, 10 ≦ Z ≦ 50, and 50 ≦ Y + Z ≦ 80, respectively.

【００５６】ＳｉＯ2を含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料
層は、情報記録媒体の記録感度を高める。また、ＳｉＯ
2の割合を調整することにより、記録感度を調整するこ
とが可能となる。ＳｉＯ2によって記録感度を高くする
ためには、混合物中のＳｉＯ2の含有量は、少なくとも
１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。一方、ＳｉＯ
2の含有量が多いと記録層４との密着性が悪くなるた
め、ＳｉＯ2の含有量は５０ｍｏｌ％以下であることが
好ましい。ＺｒＯ2およびＺｎ−Ｓが奏する機能は、先
に説明したとおりであり、適切な割合で混合されること
により、情報記録媒体の性能を適切なものとする。Ｚｒ
Ｏ2−ＳｉＯ2−（Ｚｎ−Ｓ）混合物の場合、記録層との
密着性を確保するために、（Ｚｎ−Ｓ）は２０ｍｏｌ％
以上含まれることが好ましい。また、記録層４へのＳの
拡散が生じないように、（Ｚｎ−Ｓ）の含有量は５０ｍ
ｏｌ％以下であることが好ましい。したがって、式（２
１）において、Ｙ＋Ｚの範囲は、５０以上８０以下であ
ることが好ましい。SiO2Containing Zr-Zn-S-O-based material
The layer enhances the recording sensitivity of the information recording medium. Also, SiO
2The recording sensitivity can be adjusted by adjusting the ratio of
And are possible. SiO2To increase the recording sensitivity
In order to2The content of at least
It is preferably 10 mol% or more. On the other hand, SiO
2When the content of P is large, the adhesion to the recording layer 4 becomes poor.
Therefore, SiO2Content of 50mol% or less
preferable. ZrO2And the function of Zn-S is
As described in and be mixed in the proper proportions.
Therefore, the performance of the information recording medium is made appropriate. Zr
O2-SiO2-(Zn-S) mixture with the recording layer
In order to secure adhesion, (Zn-S) is 20 mol%
The above is preferably included. In addition, S of the recording layer 4
The content of (Zn-S) is 50 m so that diffusion does not occur.
It is preferably ol% or less. Therefore, the formula (2
In 1), the range of Y + Z is 50 or more and 80 or less.
Preferably.

【００５７】上記ＳｉＯ2を含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系
材料層は、ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含んでも
よい。その場合、ＺｒＯ2とＳｉＯ2は、ＺｒＳｉＯ4を
形成していることが好ましい。ＺｒＳｉＯ4が形成され
ている混合物は、上記式（２２）、即ち、（ＺｒＳｉＯ
4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）で表される。この
式において、Ａは、３３≦Ａ≦６７の範囲内にある。The Zr-Zn-S-O-based material layer containing SiO 2 may contain ZrO 2 and SiO 2 in substantially equal proportions. In that case, ZrO 2 and SiO 2 preferably form ZrSiO 4 . The mixture in which ZrSiO 4 is formed has the above formula (22), that is, (ZrSiO 4
4 ) A (Zn-S) 100-A (mol%). In this formula, A is in the range of 33 ≦ A ≦ 67.

【００５８】ＺｒＳｉＯ4は、透明で、高い融点（約２
５５０℃）を融し、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い
材料である。したがって、このＺｒＳｉＯ4と、記録層
との密着性が良好なＺｎ−Ｓとの組み合わせから成る層
を、第１誘電体層２および／または第２誘電体層６と
し、記録層４と接するように配置することによって、繰
り返し書き換え性能に優れ、且つ記録層と誘電体層との
間の密着性が良好である、情報記録媒体２５を実現でき
る。良好な繰り返し書き換え性能を確保するために、Ｚ
ｒＳｉＯ4−（Ｚｎ−Ｓ）中のＺｒＳｉＯ4含有量は３３
ｍｏｌ％以上であることが好ましい。良好な密着性を確
保するために、Ｚｎ−Ｓ含有量は３３ｍｏｌ％以上が好
ましい。したがって、上記式（２２）において、Ａは３
３≦Ａ≦６７の範囲内にあることが好ましい。ZrSiO 4 is transparent and has a high melting point (about 2
(550 ° C.) and has a low thermal conductivity among oxides. Therefore, a layer made of a combination of ZrSiO 4 and Zn—S having good adhesion to the recording layer is used as the first dielectric layer 2 and / or the second dielectric layer 6 so as to be in contact with the recording layer 4. By disposing the information recording medium 25, it is possible to realize the information recording medium 25 that has excellent rewriting performance and good adhesion between the recording layer and the dielectric layer. In order to secure good rewriting performance, Z
rSiO 4 - (Zn-S) ZrSiO 4 content in the 33
It is preferably at least mol%. In order to ensure good adhesion, the Zn-S content is preferably 33 mol% or more. Therefore, in the above formula (22), A is 3
It is preferably within the range of 3 ≦ A ≦ 67.

【００５９】さらに、上記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層
において、Ｓの原子数はＺｎの原子数より多くてもよ
い。その場合、Ｓの原子数はＺｎの原子数の２倍以下で
あることが好ましい。Ｓの原子数が多いほど、記録層と
Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層との密着性が良好になる傾
向にある。これは、Ｚｎと結合しない余剰なＳが、記録
層と当該層との密着性を向上させる役割をしているため
であると考えられる。一方、Ｓの原子数が多くなるほ
ど、より多くのＳが記録層へ拡散するため、記録層の結
晶化性能が低下する、または光学的な変化（｜Ｒｃ−Ｒ
ａ｜）が小さくなる。したがって、（Ｓの原子数）／
（Ｚｎの原子数）の比は、記録層への密着性と、Ｓの記
録層への拡散の度合いとを考慮して選択する必要があ
る。Further, in the Zr-Zn-S-O-based material layer, the number of S atoms may be larger than the number of Zn atoms. In that case, it is preferable that the number of S atoms is not more than twice the number of Zn atoms. The larger the number of S atoms, the better the adhesion between the recording layer and the Zr—Zn—S—O-based material layer. It is considered that this is because the surplus S that does not bond with Zn plays a role of improving the adhesiveness between the recording layer and the layer. On the other hand, as the number of S atoms increases, more S diffuses into the recording layer, so that the crystallization performance of the recording layer deteriorates or an optical change (| Rc-R
a |) becomes small. Therefore, (number of S atoms) /
The ratio of (the number of Zn atoms) must be selected in consideration of the adhesion to the recording layer and the degree of diffusion of S into the recording layer.

【００６０】なお、酸化物硫化物混合誘電体層の組成
は、例えばＸ線マイクロアナライザ−（ＸＭＡ）やラザ
フォード後方散乱（ＲＢＳ）により測定することがで
き、構造は、例えばＸ線回折により分析することができ
る。The composition of the oxide sulfide mixed dielectric layer can be measured by, for example, X-ray microanalyzer (XMA) or Rutherford backscattering (RBS), and the structure is analyzed by, for example, X-ray diffraction. be able to.

【００６１】組成を分析すると、含まれる各々の元素の
原子％が得られる。例えば、式（１１）で表される材料
において、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）＝１であ
り、Ｘ＝５０の場合、元素組成は、おおよそＺｒ20Ｏ40
Ｚｎ20Ｓ20（原子％）となる。また、（Ｓの原子数）／
（Ｚｎの原子数）＝２であり、Ｘ＝８０である場合、組
成は、元素組成は、おおよそＺｒ26.7Ｏ53.3Ｚｎ6.7Ｓ
13.3（原子％）となる。この元素組成は、いずれも、式
（１）のＢ、Ｃ、ＤおよびＢ＋Ｃ＋Ｄの範囲を満たす。Analysis of the composition yields atomic% of each element contained. For example, in the material represented by the formula (11), (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) = 1, and when X = 50, the elemental composition is approximately Zr 20 O 40.
It becomes Zn 20 S 20 (atomic%). Also, (number of S atoms) /
When (number of Zn atoms) = 2 and X = 80, the composition is approximately Zr 26.7 O 53.3 Zn 6.7 S
It becomes 13.3 (atomic%). All of these elemental compositions satisfy the ranges of B, C, D and B + C + D in the formula (1).

【００６２】また、式（２１）で表される材料におい
て、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）＝１であり、且
つＹ＝２０、Ｚ＝３０である場合、元素組成は、おおよ
そＺｒ 8Ｓｉ12Ｏ40Ｚｎ20Ｓ20（原子％）となる。ま
た、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）＝２であり、且
つＹ＝７０、Ｚ＝１０である場合、元素組成は、おおよ
そＺｒ23.3Ｓｉ3.3Ｏ53.3Ｚｎ6.7Ｓ13.4（原子％）とな
る。これらの組成は、いずれも、式（２）のＥ、Ｆ、Ｇ
およびＨ、ならびにＥ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈの範囲を満たす。In addition, the material represented by the formula (21)
And (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) = 1, and
When Y = 20 and Z = 30, the elemental composition is
Zr 8Si12O40Zn20S20(Atomic%). Well
In addition, (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) = 2, and
When Y = 70 and Z = 10, the elemental composition is
Zr23.3Si3.3O53.3Zn6.7S13.4(Atomic%)
It All of these compositions have E, F, and G of the formula (2).
And H, and E + F + G + H.

【００６３】式（２２）で表される材料において、（Ｓ
の原子数）／（Ｚｎの原子数）＝１であり、且つＡ＝３
３である場合、元素組成は、おおよそＺｒ9.9Ｓｉ9.9Ｏ
39.8Ｚｎ20.2Ｓ20.2（原子％）となる。また、（Ｓの原
子数）／（Ｚｎの原子数）＝２であり、且つＡ＝６７の
場合、元素組成は、おおよそＺｒ13.4Ｓｉ13.4Ｏ53.4Ｚ
ｎ6.6Ｓ13.2（原子％）となる。In the material represented by the formula (22), (S
Atom number) / (Zn atom number) = 1, and A = 3
When it is 3, the elemental composition is approximately Zr 9.9 Si 9.9 O
It becomes 39.8 Zn 20.2 S 20.2 (atomic%). Further, when (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) = 2 and A = 67, the elemental composition is approximately Zr 13.4 Si 13.4 O 53.4 Z.
It becomes n 6.6 S 13.2 (atomic%).

【００６４】第１の誘電体層２および第２の誘電体層６
は、各々の光路長（即ち、誘電体層の屈折率ｎと誘電体
層の膜厚ｄとの積ｎｄ）を変えることにより、結晶相の
記録層４の光吸収率Ａｃ（％）と非晶質相の記録層４の
光吸収率Ａａ（％）、記録層４が結晶相であるときの情
報記録媒体２５の光反射率Ｒｃ（％）と記録層４が非晶
質相であるときの情報記録媒体２５の光反射率Ｒａ
（％）、記録層４が結晶相である部分と非晶質相である
部分の情報記録媒体２５の光の位相差Δφを調整する機
能を有する。記録マークの再生信号振幅を大きくして、
信号品質を上げるためには、反射率差（｜Ｒｃ−Ｒａ
｜）または反射率比（Ｒｃ／Ｒａ）が大きいことが望ま
しい。また、記録層４がレーザ光を吸収するように、Ａ
ｃおよびＡａも大きいことが望ましい。これらの条件を
同時に満足するように第１の誘電体層２および第２の誘
電体層６の光路長を決定する。それらの条件を満足する
光路長は、例えばマトリクス法（例えば久保田広著「波
動光学」岩波新書、１９７１年、第３章を参照）に基づ
く計算によって正確に決定することができる。First dielectric layer 2 and second dielectric layer 6
By changing each optical path length (that is, the product nd of the refractive index n of the dielectric layer and the film thickness d of the dielectric layer), the optical absorption rate Ac (%) of the recording layer 4 in the crystal phase is When the light absorption rate Aa (%) of the recording layer 4 in the crystalline phase, the light reflection rate Rc (%) of the information recording medium 25 when the recording layer 4 is in the crystalline phase, and when the recording layer 4 is in the amorphous phase Of the information recording medium 25 of Ra
(%), It has a function of adjusting the phase difference Δφ of light of the information recording medium 25 between the portion where the recording layer 4 is the crystalline phase and the portion where the recording layer 4 is the amorphous phase. Increase the playback signal amplitude of the recording mark,
In order to improve the signal quality, the reflectance difference (| Rc-Ra
|) Or the reflectance ratio (Rc / Ra) is desirably large. In addition, A is set so that the recording layer 4 absorbs the laser beam.
It is desirable that c and Aa are also large. The optical path lengths of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 are determined so that these conditions are simultaneously satisfied. The optical path length satisfying those conditions can be accurately determined by calculation based on, for example, the matrix method (see, for example, Hiro Kubota, "Wave Optics", Iwanami Shinsho, 1971, Chapter 3).

【００６５】上記において説明した、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料は、その組成に応じて異なる屈折率を有する。
上記式（１１）で表される材料は、２．３〜２．４の屈
折率を有し、上記式（２１）で表される材料は、１．８
〜２．４の屈折率を有し、上記式（２２）で表される材
料は、１．８〜２．１の屈折率を有する。誘電体層の屈
折率をｎ、膜厚をｄ（ｎｍ）、レーザ光１２の波長をλ
（ｎｍ）とした場合、光路長ｎｄは、ｎｄ＝ａλで表さ
れる。ここで、ａは正の数とする。情報記録媒体２５の
記録マークの再生信号振幅を大きくして信号品質を向上
させるには、例えば、１５％≦Ｒｃ且つＲａ≦２％であ
ることが好ましい。また、書き換えによるマーク歪みを
無くす又は小さくするには、１．１≦Ａｃ／Ａａである
ことが好ましい。これらの好ましい条件が同時に満たさ
れるように第１の誘電体層２および第２の誘電体層６の
光路長（ａλ）を、マトリクス法に基づく計算により正
確に求めた。得られた光路長（ａλ）、ならびにλおよ
びｎから、誘電体層の厚さｄを求めた。その結果、第１
の誘電体層２の厚さは、好ましくは１００ｎｍ〜２００
ｎｍであり、より好ましくは１３０ｎｍ〜１７０ｎｍで
あることがわかった。また、第２の誘電体層６の厚さ
は、好ましくは、２０ｎｍ〜７０ｎｍであり、より好ま
しくは、３０ｎｍ〜６０ｎｍであることが判った。As described above, Zr-Zn-S-
The O-based material has a different refractive index depending on its composition.
The material represented by the above formula (11) has a refractive index of 2.3 to 2.4, and the material represented by the above formula (21) is 1.8.
The material represented by the formula (22) has a refractive index of 1.8 to 2.1. The refractive index of the dielectric layer is n, the film thickness is d (nm), and the wavelength of the laser beam 12 is λ.
(Nm), the optical path length nd is represented by nd = aλ. Here, a is a positive number. In order to increase the reproduction signal amplitude of the recording mark of the information recording medium 25 and improve the signal quality, for example, 15% ≦ Rc and Ra ≦ 2% are preferable. Further, in order to eliminate or reduce the mark distortion due to rewriting, it is preferable that 1.1 ≦ Ac / Aa. The optical path lengths (aλ) of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 were accurately obtained by calculation based on the matrix method so that these preferable conditions were satisfied at the same time. The thickness d of the dielectric layer was determined from the obtained optical path length (aλ) and λ and n. As a result, the first
The thickness of the dielectric layer 2 is preferably 100 nm to 200 nm.
It was found that the thickness was nm, and more preferably 130 nm to 170 nm. Further, it has been found that the thickness of the second dielectric layer 6 is preferably 20 nm to 70 nm, more preferably 30 nm to 60 nm.

【００６６】基板１は、通常、透明な円盤状の板であ
る。誘電体層および記録層等を形成する側の表面には、
レーザ光を導くための案内溝が形成されていてもよい。
案内溝を基板に形成した場合、基板の断面を見ると、グ
ルーブ部とランド部とが形成される。グルーブ部は２つ
の隣接するランド部の間に位置するともいえる。したが
って、案内溝が形成された表面は、側壁でつながれた頂
面と底面とを有することとなる。本明細書において、底
面を「グルーブ面」と呼び、頂面を「ランド面」と呼
ぶ。したがって、図１〜図６において、面２３はグルー
ブ面に相当し、面２４はランド面に相当する。レーザ光
１２の方向において、グルーブ面は常にレーザ光１２に
近い側にあり、ランド面は常にレーザ光から遠い側にあ
る。記録マークは、記録層において、グルーブ面に相当
する記録層の表面に記録されるか（グルーブ記録）、ラ
ンド面に相当する記録層の表面に記録されるか（ランド
記録）、あるいはグルーブおよびランド両方の面に相当
する記録層の表面に記録される（ランド−グルーブ記
録）。図１に示す態様において基板１のグルーブ面２３
とランド面２４の段差は、４０ｎｍ〜６０ｎｍであるこ
とが好ましい。後述する図２、図３および図６に示す態
様の情報記録媒体を構成する基板１においても、グルー
ブ面２３とランド面２４との段差はこの範囲であること
が好ましい。また、層を形成しない側の表面は、平滑で
あることが望ましい。基板１の材料として、ポリカーボ
ネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ
のような樹脂、またはガラスを挙げることができる。成
形性、価格、および機械強度を考慮すると、ポリカーボ
ネートが好ましく使用される。図示した形態において、
基板１の厚さは、０．５〜０．７ｍｍ程度である。The substrate 1 is usually a transparent disc-shaped plate. On the surface where the dielectric layer and the recording layer are formed,
A guide groove for guiding the laser light may be formed.
When the guide groove is formed in the substrate, the groove portion and the land portion are formed when the cross section of the substrate is viewed. It can be said that the groove portion is located between two adjacent land portions. Therefore, the surface on which the guide groove is formed has the top surface and the bottom surface connected by the side wall. In this specification, the bottom surface is called a "groove surface" and the top surface is called a "land surface". Therefore, in FIGS. 1 to 6, the surface 23 corresponds to the groove surface and the surface 24 corresponds to the land surface. In the direction of the laser beam 12, the groove surface is always on the side closer to the laser beam 12, and the land surface is always on the side farther from the laser beam. The recording marks are recorded on the surface of the recording layer corresponding to the groove surface (groove recording), on the surface of the recording layer corresponding to the land surface (land recording), or in the recording layer. Data is recorded on the surface of the recording layer corresponding to both surfaces (land-groove recording). In the embodiment shown in FIG. 1, the groove surface 23 of the substrate 1
The step difference between the land surface 24 and the land surface 24 is preferably 40 nm to 60 nm. Also in the substrate 1 forming the information recording medium of the modes shown in FIGS. 2, 3 and 6 which will be described later, it is preferable that the step difference between the groove surface 23 and the land surface 24 is within this range. In addition, it is desirable that the surface on which no layer is formed be smooth. As the material of the substrate 1, polycarbonate, amorphous polyolefin or PMMA
Resins such as, or glass. Polycarbonate is preferably used in consideration of moldability, price, and mechanical strength. In the illustrated form,
The substrate 1 has a thickness of about 0.5 to 0.7 mm.

【００６７】記録層４は、光の照射または電気的エネル
ギーの印加によって、結晶相と非晶質相との間で相変態
を起こし、記録マークが形成される層である。相変態が
可逆的であれば、消去や書き換えを行うことができる。
可逆的相変態材料としては、高速結晶化材料である、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−ＴｅもしくはＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅを用い
ることが好ましい。具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの場
合、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系組成であることが好
ましく、その場合、４Ｓｂ2Ｔｅ3≦ＧｅＴｅ≦２５Ｓｂ
2Ｔｅ3であることが好ましい。ＧｅＴｅ＜４Ｓｂ2Ｔｅ3
の場合、記録前後の反射光量の変化が小さく、読み出し
信号の品質が低下する。２５Ｓｂ2Ｔｅ3＜ＧｅＴｅの場
合、結晶相と非晶質相間の体積変化が大きく、繰り返し
書き換え性能が低下する。Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりも結晶化速度が速い。Ｇｅ−Ｓｎ
−Ｓｂ−Ｔｅは、例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元
系組成のＧｅの一部をＳｎで置換したものである。記録
層４において、Ｓｎの含有量は、２０原子％以下である
ことが好ましい。２０原子％を越えると、結晶化速度が
速すぎて、非晶質相の安定性が損なわれ、記録マークの
信頼性が低下する。Ｓｎの含有量は記録条件に合わせて
調整することができる。The recording layer 4 is a layer in which a recording mark is formed by causing phase transformation between a crystalline phase and an amorphous phase by irradiation of light or application of electric energy. If the phase transformation is reversible, it can be erased or rewritten.
As the reversible phase change material, G which is a high-speed crystallization material
It is preferable to use e-Sb-Te or Ge-Sn-Sb-Te. Specifically, Ge-Sb-Te case is preferably a GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo-binary system composition, in which case, 4Sb 2 Te 3 ≦ GeTe ≦ 25Sb
2 Te 3 is preferred. GeTe <4Sb 2 Te 3
In this case, the change in the amount of reflected light before and after recording is small, and the quality of the read signal deteriorates. In the case of 25Sb 2 Te 3 <GeTe, the volume change between the crystalline phase and the amorphous phase is large, and the rewriting performance is deteriorated. Ge-Sn-Sb-Te is
Crystallization rate is faster than Ge-Sb-Te. Ge-Sn
—Sb-Te is, for example, GeTe—Sb 2 Te 3 in which a part of Ge in the pseudo binary system composition is replaced with Sn. In the recording layer 4, the Sn content is preferably 20 atomic% or less. If it exceeds 20 atomic%, the crystallization rate is too fast, the stability of the amorphous phase is impaired, and the reliability of the recording mark is reduced. The Sn content can be adjusted according to the recording conditions.

【００６８】また、記録層４は、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、また
はＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−ＴｅのようなＢｉを含む材
料で形成することもできる。ＢｉはＳｂよりも結晶化し
やすい。したがって、Ｓｂの少なくとも一部をＢｉで置
換することによっても、記録層の結晶化速度を向上させ
ることができる。The recording layer 4 is made of Ge-Bi-Te, G
It can also be formed of a Bi-containing material such as e-Sn-Bi-Te, Ge-Sb-Bi-Te, or Ge-Sn-Sb-Bi-Te. Bi is easier to crystallize than Sb. Therefore, the crystallization rate of the recording layer can also be improved by substituting Bi for at least part of Sb.

【００６９】Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅは、ＧｅＴｅとＢｉ2Ｔ
ｅ3の混合物である。この混合物においては、８Ｂｉ2Ｔ
ｅ3≦ＧｅＴｅ≦２５Ｂｉ2Ｔｅ3であることが好まし
い。ＧｅＴｅ＜８Ｂｉ2Ｔｅ3の場合、結晶化温度が低下
し、記録保存性が劣化しやすくなる。２５Ｂｉ2Ｔｅ3＜
ＧｅＴｅの場合、結晶相と非晶質相間の体積変化が大き
く、繰り返し書き換え性能が低下する。Ge-Bi-Te is GeTe and Bi 2 T.
It is a mixture of e 3 . In this mixture, 8 Bi 2 T
It is preferable that e 3 ≦ GeTe ≦ 25Bi 2 Te 3 . In the case of GeTe <8Bi 2 Te 3 , the crystallization temperature lowers, and the record storability tends to deteriorate. 25Bi 2 Te 3 <
In the case of GeTe, the volume change between the crystalline phase and the amorphous phase is large, and the rewriting performance is deteriorated.

【００７０】Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅは、Ｇｅ−Ｂｉ−
ＴｅのＧｅの一部をＳｎで置換したものに相当する。Ｓ
ｎの置換濃度を調整して、記録条件に合わせて結晶化速
度を制御することが可能である。Ｓｎ置換は、Ｂｉ置換
と比較して、記録層の結晶化速度の微調整により適して
いる。記録層において、Ｓｎの含有量は１０原子％以下
であることが好ましい。１０原子％を越えると、結晶化
速度が速くなりすぎるために、非晶質相の安定性が損な
われ、記録マークの保存性が低下する。Ge-Sn-Bi-Te is Ge-Bi-
This corresponds to the case where a part of Ge of Te is replaced with Sn. S
It is possible to control the crystallization rate according to the recording conditions by adjusting the substitution concentration of n. Sn substitution is more suitable for fine adjustment of the crystallization rate of the recording layer than Bi substitution. In the recording layer, the Sn content is preferably 10 atomic% or less. If it exceeds 10 atomic%, the crystallization rate becomes too fast, so that the stability of the amorphous phase is impaired and the storage stability of the record mark is deteriorated.

【００７１】Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅは、Ｇｅ−
Ｓｂ−ＴｅのＧｅの一部をＳｎで置換し、さらにＳｂの
一部をＢｉで置換したものに相当する。これは、ＧｅＴ
ｅ、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3およびＢｉ2Ｔｅ3の混合物に
相当する。この混合物においては、Ｓｎ置換濃度とＢｉ
置換濃度を調整して、記録条件に合わせて結晶化速度を
制御することが可能である。Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−
Ｔｅにおいては、４（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3≦（Ｇｅ−Ｓ
ｎ）Ｔｅ≦２５（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3であることが好ま
しい。（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ＜４（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3の
場合、記録前後の反射光量の変化が小さく、読み出し信
号品質が低下する。２５（Ｓｂ−Ｂｉ） 2Ｔｅ3＜（Ｇｅ
−Ｓｎ）Ｔｅの場合、結晶相と非晶質相間の体積変化が
大きく、繰り返し書き換え性能が低下する。また、記録
層において、Ｂｉの含有量は１０原子％以下であること
が好ましく、Ｓｎの含有量は２０原子％以下であること
が好ましい。ＢｉおよびＳｎの含有量がそれぞれこの範
囲内にあれば、良好な記録マークの保存性が得られる。Ge-Sn-Sb-Bi-Te is Ge-
Part of Ge in Sb-Te is replaced with Sn, and
It corresponds to a part of which is replaced with Bi. This is GeT
e, SnTe, Sb2Te3And Bi2Te3To a mixture of
Equivalent to. In this mixture, Sn substitution concentration and Bi
Adjust the substitution concentration to adjust the crystallization speed according to the recording conditions.
It is possible to control. Ge-Sn-Sb-Bi-
In Te, 4 (Sb-Bi)2Te3≤ (Ge-S
n) Te ≦ 25 (Sb-Bi)2Te3Preferred to be
Good (Ge-Sn) Te <4 (Sb-Bi)2Te3of
If the amount of reflected light before and after recording is small, the read signal
No. quality deteriorates. 25 (Sb-Bi) 2Te3<(Ge
In the case of -Sn) Te, the volume change between the crystalline phase and the amorphous phase is
The repetitive rewriting performance is deteriorated. Also record
Bi content in the layer is 10 atomic% or less
Is preferable, and the Sn content is 20 atomic% or less.
Is preferred. The contents of Bi and Sn are each within this range.
Within the range, good storage stability of recording marks can be obtained.

【００７２】可逆的に相変態を起こす材料としては、そ
の他に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ−Ｇｅ、Ｓｂを７０原子％以上含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅが挙げられる。Other materials that cause reversible phase transformation are Ag-In-Sb-Te and Ag-In-Sb-.
Ge-Sb-T containing Te-Ge and Sb in 70 atomic% or more
e.

【００７３】非可逆的相変態材料としては、日本国特許
公報平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）
に開示されるように、ＴｅＯｘ＋α（αはＰｄ、Ｇｅ等
である）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相
変態材料である情報記録媒体は、記録が一度だけ可能で
ある、いわゆるライトワンスタイプのものである。その
ような情報記録媒体においても、記録時の熱により誘電
体層中の原子が記録層中に拡散して、信号の品質を低下
させるという問題がある。したがって、本発明は、書き
換え可能な情報記録媒体だけでなく、ライトワンス型の
情報記録媒体にも好ましく適用される。As an irreversible phase change material, Japanese Patent Publication No. 7-25209 (Patent No. 2006849).
It is preferred to use TeOx + α (α is Pd, Ge etc.) as disclosed in US Pat. The information recording medium whose recording layer is an irreversible phase change material is a so-called write-once type in which recording can be performed only once. Even in such an information recording medium, there is a problem that atoms in the dielectric layer are diffused into the recording layer due to heat at the time of recording and the signal quality is deteriorated. Therefore, the present invention is preferably applied not only to a rewritable information recording medium but also to a write-once type information recording medium.

【００７４】記録層４は、前述のように、その厚さが１
５ｎｍ以下であることが好ましく、１２ｎｍ以下である
ことがより好ましい。The recording layer 4 has a thickness of 1 as described above.
It is preferably 5 nm or less, and more preferably 12 nm or less.

【００７５】光吸収補正層７は、前述のように、記録層
４が結晶状態であるときの光吸収率Ａｃと非晶質状態で
あるときの光吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａを調整し、書き
換え時にマーク形状が歪まないようにする働きがある。
光吸収補正層７は、屈折率が高く、且つ適度に光を吸収
する材料で形成されることが好ましい。例えば、屈折率
ｎが３以上６以下、消衰係数ｋが１以上４以下である材
料を用いて、光吸収補正層７を形成できる。具体的に
は、Ｇｅ−Ｃｒ、およびＧｅ−Ｍｏ等の非晶質のＧｅ合
金、Ｓｉ−Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍｏ、およびＳｉ−Ｗ等の非晶
質のＳｉ合金、Ｔｅ化物、ならびにＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＳｎＴｅ、およびＰｂＴｅ等の
結晶性の金属、半金属及び半導体材料から選択される材
料を使用することが好ましい。光吸収補正層７の膜厚
は、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが好ましく、３０ｎ
ｍ〜５０ｎｍであることがより好ましい。As described above, the light absorption correction layer 7 adjusts the ratio Ac / Aa of the light absorption rate Ac when the recording layer 4 is in the crystalline state and the light absorption rate Aa when it is in the amorphous state. , It works to prevent the mark shape from being distorted during rewriting.
The light absorption correction layer 7 is preferably formed of a material having a high refractive index and appropriately absorbing light. For example, the light absorption correction layer 7 can be formed using a material having a refractive index n of 3 or more and 6 or less and an extinction coefficient k of 1 or more and 4 or less. Specifically, amorphous Ge alloys such as Ge—Cr and Ge—Mo, amorphous Si alloys such as Si—Cr, Si—Mo, and Si—W, Te compounds, and Ti and Zr. , Nb,
It is preferable to use a material selected from crystalline metals such as Ta, Cr, Mo, W, SnTe, and PbTe, semimetals, and semiconductor materials. The thickness of the light absorption correction layer 7 is preferably 20 nm to 80 nm and is 30 n.
It is more preferably m to 50 nm.

【００７６】反射層８は、光学的には記録層４に吸収さ
れる光量を増大させ、熱的には記録層４で生じた熱を速
やかに拡散させて記録層４を急冷し、非晶質化し易くす
る機能を有する。さらに、反射層８は、記録層４および
誘電体層２および６を含む多層膜を使用環境から保護す
る。反射層８の材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、およびＣｕ等の熱伝導率の高い単体金属材料が挙げ
られる。反射層８は、その耐湿性を向上させる目的で、
ならびに／あるいは熱伝導率または光学特性（例えば、
光反射率、光吸収率または光透過率）を調整する目的
で、上記の金属材料から選択される１つまたは複数の元
素に、他の１つまたは複数の元素を添加した材料を使用
して形成してよい。具体的には、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔ
ｉ、またはＡｕ−Ｃｒ等の合金材料を用いることができ
る。これらの材料は何れも耐食性に優れ且つ急冷機能を
有する優れた材料である。同様の目的は、反射層８を２
以上の層で形成することによっても達成され得る。反射
層８の厚さは５０〜１８０ｎｍであることが好ましく、
６０ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましい。The reflective layer 8 optically increases the amount of light absorbed in the recording layer 4, and thermally thermally diffuses the heat generated in the recording layer 4 to rapidly cool the recording layer 4 and to make it amorphous. It has the function of facilitating qualification. Furthermore, the reflective layer 8 protects the multilayer film including the recording layer 4 and the dielectric layers 2 and 6 from the use environment. Examples of the material of the reflective layer 8 include Al, Au, A
Examples include simple metal materials having high thermal conductivity such as g and Cu. The reflective layer 8 is for the purpose of improving its moisture resistance.
And / or thermal conductivity or optical properties (eg,
For the purpose of adjusting the light reflectance, the light absorption rate or the light transmittance, a material obtained by adding one or more other elements to the one or more elements selected from the above metal materials is used. May be formed. Specifically, Al-Cr, Al-T
i, Ag-Pd, Ag-Pd-Cu, Ag-Pd-T
An alloy material such as i or Au—Cr can be used. All of these materials are excellent materials having excellent corrosion resistance and a rapid cooling function. For the same purpose, the reflective layer 8 is 2
It can also be achieved by forming the above layers. The thickness of the reflective layer 8 is preferably 50 to 180 nm,
More preferably, it is 60 nm to 100 nm.

【００７７】図示した情報記録媒体２５において、接着
層９は、ダミー基板１０を反射層８に接着するために設
けられる。接着層９は、耐熱性及び接着性の高い材料、
例えば、紫外線硬化性樹脂等の接着樹脂を用いて形成し
てよい。具体的には、アクリル樹脂を主成分とする材料
またはエポキシ樹脂を主成分とする材料で、接着層９を
形成してよい。また、必要に応じて、接着層９を形成す
る前に、紫外線硬化性樹脂よりなる、厚さ５〜２０μｍ
の保護層を反射層８の表面に設けてもよい。接着層９の
厚さは好ましくは１５〜４０μｍであり、より好ましく
は２０〜３５μｍである。In the illustrated information recording medium 25, the adhesive layer 9 is provided to adhere the dummy substrate 10 to the reflective layer 8. The adhesive layer 9 is a material having high heat resistance and adhesiveness,
For example, it may be formed using an adhesive resin such as an ultraviolet curable resin. Specifically, the adhesive layer 9 may be formed of a material containing an acrylic resin as a main component or a material containing an epoxy resin as a main component. If necessary, before forming the adhesive layer 9, a thickness of 5 to 20 μm made of an ultraviolet curable resin is used.
This protective layer may be provided on the surface of the reflective layer 8. The thickness of the adhesive layer 9 is preferably 15 to 40 μm, more preferably 20 to 35 μm.

【００７８】ダミー基板１０は、情報記録媒体２５の機
械的強度を高めるとともに、第１の誘電体層２から反射
層８までの積層体を保護する。ダミー基板１０の好まし
い材料は、基板１の好ましい材料と同じである。ダミー
基板１０を貼り合わせた情報記録媒体２５において、機
械的な反り、および歪み等が発生しないように、ダミー
基板１０と基板１は、実質的に同一材料で形成され、同
じ厚さを有することが好ましい。The dummy substrate 10 enhances the mechanical strength of the information recording medium 25 and protects the laminated body from the first dielectric layer 2 to the reflective layer 8. The preferred material for the dummy substrate 10 is the same as the preferred material for the substrate 1. In the information recording medium 25 to which the dummy substrate 10 is attached, the dummy substrate 10 and the substrate 1 are formed of substantially the same material and have the same thickness so that mechanical warp, distortion, etc. do not occur. Is preferred.

【００７９】実施の形態１の情報記録媒体は、１つの記
録層を有する片面構造ディスクである。本発明の情報記
録媒体は、２つの記録層を有してよい。例えば、実施の
形態１において反射層８まで積層したものを、反射層８
同士を対向させて、接着層を介して貼り合わせることに
よって、両面構造の情報記録媒体が得られる。この場
合、２つの積層体の貼り合わせは、接着層を遅効性樹脂
で形成し、圧力と熱の作用を利用して実施する。反射層
８の上に保護層を設ける場合には、保護層まで形成した
積層体を、保護層同士を対向させて貼り合わせることに
より、両面構造の情報記録媒体を得る。The information recording medium of the first embodiment is a single-sided structure disc having one recording layer. The information recording medium of the present invention may have two recording layers. For example, what is laminated up to the reflective layer 8 in the first embodiment is used as the reflective layer 8
An information recording medium having a double-sided structure can be obtained by making them face each other and bonding them via an adhesive layer. In this case, the two laminated bodies are bonded to each other by forming an adhesive layer with a slow-acting resin and utilizing the action of pressure and heat. When the protective layer is provided on the reflective layer 8, the laminated body having the protective layer formed thereon is laminated with the protective layers facing each other to obtain an information recording medium having a double-sided structure.

【００８０】続いて、実施の形態１の情報記録媒体２５
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２５は、案内
溝（グルーブ面２３とランド面２４）が形成された基板
１を成膜装置に配置し、基板１の案内溝が形成された表
面に第１の誘電体層２を成膜する工程（工程ａ）、記録
層４を成膜する工程（工程ｂ）、第２の誘電体層６を成
膜する工程（工程ｃ）、光吸収補正層７を成膜する工程
（工程ｄ）および反射層８を成膜する工程（工程ｅ）を
順次実施し、さらに、反射層８の表面に接着層９を形成
する工程、およびダミー基板１０を貼り合わせる工程を
実施することにより、製造される。以下の説明を含む本
明細書において、各層に関して、「表面」というとき
は、特に断りのない限り、各層が形成されたときの露出
している表面（厚さ方向に垂直な表面）を指すものとす
る。Subsequently, the information recording medium 25 of the first embodiment
A method of manufacturing the will be described. In the information recording medium 25, the substrate 1 on which guide grooves (groove surface 23 and land surface 24) are formed is arranged in a film forming apparatus, and the first dielectric layer 2 is formed on the surface of the substrate 1 on which the guide groove is formed. A step of forming a film (step a), a step of forming a recording layer 4 (step b), a step of forming a second dielectric layer 6 (step c), a step of forming a light absorption correction layer 7 ( By sequentially performing the step d) and the step of forming the reflective layer 8 (step e), the step of forming the adhesive layer 9 on the surface of the reflective layer 8 and the step of bonding the dummy substrate 10 , Manufactured. In the present specification including the following description, the term “surface” with respect to each layer refers to an exposed surface (surface perpendicular to the thickness direction) when each layer is formed, unless otherwise specified. And

【００８１】最初に、基板１の案内溝が形成された面
に、第１の誘電体層２を成膜する工程ａを実施する。工
程ａは、スパッタリングにより実施される。スパッタリ
ングは、高周波電源を用いて、Ａｒガス雰囲気中または
Ａｒガスと酸素との混合ガス雰囲気中で実施する。First, the step a of forming the first dielectric layer 2 on the surface of the substrate 1 on which the guide groove is formed is carried out. Step a is performed by sputtering. The sputtering is performed using a high frequency power source in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and oxygen.

【００８２】工程ａで使用されるスパッタリングターゲ
ットとしては、上記の式（１１０）、即ち、（Ｚｒ
Ｏ2）x（Ｚｎ−Ｓ）100-ｘ（ｍｏｌ％）で表され、ｘ
が、５０≦Ｘ≦８０の範囲内にある材料から実質的に成
るターゲットを使用できる。このターゲットによれば、
上記式（１１）で表される材料から実質的に成る層が形
成される。As the sputtering target used in the step a, the above formula (110), that is, (Zr
O 2 ) x (Zn-S) 100-x (mol%), x
However, a target consisting essentially of a material in the range 50 ≦ X ≦ 80 can be used. According to this target
A layer substantially consisting of the material represented by the above formula (11) is formed.

【００８３】あるいは、スパッタリングターゲットは、
上記の式（２１０）、即ち、（ＺｒＯ2）y（ＳｉＯ2）
ｚ（Ｚｎ−Ｓ）100−ｙ−ｚ（ｍｏｌ％）で表され、ｙ
およびｚがそれぞれ、２０≦ｙ≦７０、および１０≦ｚ
≦５０の範囲内にあり、且つ５０≦ｙ＋ｚ≦８０である
材料から実質的に成るターゲットを使用できる。このタ
ーゲットによれば、上記式（２１）で表される材料から
実質的に成る層が形成される。Alternatively, the sputtering target is
The above formula (210), that is, (ZrO 2 ) y (SiO 2 )
z (Zn-S) 100-yz (mol%), y
And z are 20 ≦ y ≦ 70 and 10 ≦ z, respectively.
Targets in the range ≦ 50 and consisting essentially of 50 ≦ y + z ≦ 80 can be used. According to this target, a layer substantially made of the material represented by the above formula (21) is formed.

【００８４】あるいは、スパッタリングターゲットは、
上記の式（２２０）、即ち、（ＺｒＳｉＯ4）a（Ｚｎ−
Ｓ）100−a（ｍｏｌ％）で表され、ａが３３≦ａ≦６７
の範囲内にある材料から実質的に成るものであってよ
い。このターゲットによれば、式（２２）で表される材
料から実質的に成る層が形成される。Alternatively, the sputtering target is
The above formula (220), that is, (ZrSiO 4 ) a (Zn-
S) is represented by 100-a (mol%), and a is 33 ≦ a ≦ 67.
May substantially consist of materials within the range. According to this target, a layer substantially made of the material represented by the formula (22) is formed.

【００８５】次に、工程ｂを実施して、第１の誘電体層
２の表面に、記録層４を成膜する。工程ｂもまた、スパ
ッタリングにより実施される。スパッタリングは、直流
電源を用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスとＮ
2ガスの混合ガス雰囲気中で実施する。スパッタリング
ターゲットは、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅおよびＳｂ−Ｔｅのうち、
いずれか１つの材料を含むものを使用する。成膜後の記
録層４は非晶質状態である。Then, step b is carried out to form the recording layer 4 on the surface of the first dielectric layer 2. Step b is also performed by sputtering. The sputtering is performed by using a DC power supply in an Ar gas atmosphere or Ar gas and N 2.
Conduct in a mixed gas atmosphere of 2 gases. The sputtering target is Ge-Sb-Te, Ge-Sn-Sb-.
Te, Ge-Bi-Te, Ge-Sn-Bi-Te, G
e-Sb-Bi-Te, Ge-Sn-Sb-Bi-T
Of e, Ag-In-Sb-Te and Sb-Te,
A material containing any one material is used. The recording layer 4 after the film formation is in an amorphous state.

【００８６】次に、工程ｃを実施して、記録層４の表面
に、第２の誘電体層６を成膜する。工程ｃは、工程ａと
同様に実施される。第２の誘電体層６は、第１の誘電体
層２とは、異なる材料から成るスパッタリングターゲッ
トを用いて形成してよい。Next, step c is carried out to form a second dielectric layer 6 on the surface of the recording layer 4. Step c is performed in the same manner as step a. The second dielectric layer 6 may be formed by using a sputtering target made of a material different from that of the first dielectric layer 2.

【００８７】次に、工程ｄを実施して、第２の誘電体層
６の表面に、光吸収補正層７を成膜する。工程ｄにおい
ては、直流電源または高周波電源を用いて、スパッタリ
ングを実施する。スパッタリングターゲットとして、Ｇ
ｅ−Ｃｒ、およびＧｅ−Ｍｏ等の非晶質Ｇｅ合金、Ｓｉ
−ＣｒおよびＳｉ−Ｍｏ等の非晶質Ｓｉ合金、Ｔｅ化
物、ならびにＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、ＳｎＴｅ、およびＰｂＴｅ等の結晶性の金属、半金
属、および半導体材料から選択される材料から成るもの
を用いる。スパッタリングは、一般には、Ａｒガス雰囲
気中で実施する。Then, step d is carried out to form a light absorption correction layer 7 on the surface of the second dielectric layer 6. In step d, sputtering is performed using a DC power supply or a high frequency power supply. G as a sputtering target
Amorphous Ge alloys such as e-Cr and Ge-Mo, Si
Amorphous Si alloys such as —Cr and Si—Mo, Te compounds, and Ti, Zr, Nb, Ta, Cr, Mo,
A material selected from crystalline metals such as W, SnTe, and PbTe, semimetals, and materials selected from semiconductor materials is used. Sputtering is generally performed in an Ar gas atmosphere.

【００８８】次に、工程ｅを実施して、光吸収補正層７
の表面に、反射層８を成膜する。工程ｅはスパッタリン
グにより実施される。スパッタリングは、直流電源また
は高周波電源を用いて、Ａｒガス雰囲気中で実施する。
スパッタリングターゲットとしては、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ
−Ｔｉ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｔｉ、またはＡｕ−Ｃｒ等の合金材料より成るものを使
用できる。Next, step e is carried out to carry out the light absorption correction layer 7
The reflective layer 8 is formed on the surface of the. Step e is performed by sputtering. Sputtering is carried out in an Ar gas atmosphere using a DC power supply or a high frequency power supply.
As the sputtering target, Al-Cr, Al
-Ti, Ag-Pd, Ag-Pd-Cu, Ag-Pd-
A material made of an alloy material such as Ti or Au-Cr can be used.

【００８９】上記のように、工程ａ〜ｅは、いずれもス
パッタリング工程である。したがって、工程ａ〜ｅは、
１つのスパッタリング装置内において、ターゲットを順
次変更して連続的に実施してよい。あるいは、工程ａ〜
ｅはそれぞれ独立したスパッタリング装置を用いて実施
してよい。As described above, the steps a to e are all sputtering steps. Therefore, the steps a to e are
The target may be sequentially changed and continuously carried out in one sputtering apparatus. Alternatively, steps a to
e may be carried out using independent sputtering devices.

【００９０】反射層８を成膜した後、第１誘電体層２か
ら反射層８まで順次積層した基板１をスパッタリング装
置から取り出す。それから、反射層８の表面に、紫外線
硬化性樹脂を例えばスピンコート法により塗布する。塗
布した紫外線硬化性樹脂に、ダミー基板１０を密着させ
て、紫外線をダミー基板１０側から照射して、樹脂を硬
化させ、貼り合わせ工程を終了させる。After forming the reflective layer 8, the substrate 1 in which the first dielectric layer 2 to the reflective layer 8 are sequentially stacked is taken out from the sputtering apparatus. Then, an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the reflective layer 8 by, for example, a spin coating method. The dummy substrate 10 is brought into close contact with the applied ultraviolet curable resin, and ultraviolet rays are irradiated from the dummy substrate 10 side to cure the resin, and the bonding step is completed.

【００９１】貼り合わせ工程が終了した後は、必要に応
じて初期化工程を実施する。初期化工程は、非晶質状態
である記録層４を、例えば半導体レーザを照射して、結
晶化温度以上に昇温して結晶化させる工程である。初期
化工程は貼り合わせ工程の前に実施してもよい。このよ
うに、工程ａ〜ｅ、接着層の形成工程、およびダミー基
板の貼り合わせ工程を順次実施することにより、実施の
形態１の情報記録媒体２５を製造することができる。After the bonding process is completed, an initialization process is carried out if necessary. The initialization step is a step of irradiating the recording layer 4 in an amorphous state with, for example, a semiconductor laser to raise the temperature above the crystallization temperature to crystallize. The initialization process may be performed before the bonding process. In this way, the information recording medium 25 of the first embodiment can be manufactured by sequentially performing the steps a to e, the adhesive layer forming step, and the dummy substrate bonding step.

【００９２】（実施の形態２）本発明の実施の形態２と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る、光情報記録媒体の別の例を説明する。図２に、その
光情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 2) As Embodiment 2 of the present invention, another example of an optical information recording medium for recording and reproducing information using a laser beam will be described. FIG. 2 shows a partial cross section of the optical information recording medium.

【００９３】図２に示す情報記録媒体２６は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層２、記録層４、第２の界
面層１０５、第２の誘電体層１０６、光吸収補正層７、
および反射層８がこの順に形成され、さらに接着層９で
ダミー基板１０が接着された構成を有する。図２に示す
情報記録媒体２６は、第１の界面層１０３を有していな
い点において、図９に示す従来の情報記録媒体３１と相
違する。また、情報記録媒体２６は、記録層４の上に第
２の界面層１０５を介して第２の誘電体層１０６が積層
されている点において、図１に示す実施の形態１の情報
記録媒体２５と相違する。情報記録媒体２６において
は、第１の誘電体層２が、実施の形態１と同様に、Ｚｒ
−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層である。その他、図２におい
て、図１で使用した符号と同じ符号は、同じ要素を表
し、図１を参照して説明した材料および方法で形成され
るものである。したがって、図１に関連して既に説明し
た要素については、その詳細な説明を省略する。The information recording medium 26 shown in FIG. 2 has the first dielectric layer 2, the recording layer 4, the second interface layer 105, the second dielectric layer 106, and the light absorbing layer on one surface of the substrate 1. Correction layer 7,
The reflective layer 8 is formed in this order, and the dummy substrate 10 is further bonded by the adhesive layer 9. The information recording medium 26 shown in FIG. 2 is different from the conventional information recording medium 31 shown in FIG. 9 in that it does not have the first interface layer 103. The information recording medium 26 is the information recording medium of the first embodiment shown in FIG. 1 in that the second dielectric layer 106 is laminated on the recording layer 4 via the second interface layer 105. Different from 25. In the information recording medium 26, the first dielectric layer 2 is made of Zr as in the first embodiment.
-Zn-S-O-based material layer. 2, the same reference numerals as those used in FIG. 1 represent the same elements and are formed by the materials and methods described with reference to FIG. Therefore, detailed description of the elements already described with reference to FIG. 1 will be omitted.

【００９４】この形態の情報記録媒体２６は、第２の誘
電体層１０６を、従来の情報記録媒体で使用されていた
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形成した構成に相当す
る。したがって、第２の界面層１０５は、繰り返しの記
録により第２の誘電体層１０６と記録層４との間で生じ
る物質移動を防止するために設けられる。第２の界面層
１０５は、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、
Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−ＮもしくはＴａ−Ｎ等の窒化物または
これらを含む窒化酸化物、またはＡｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、
ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2もしくはＺｒＯ2
等の酸化物、炭素、またはＳｉＣ等の炭化物、またはＬ
ａＦ3等のフッ化物で形成される。あるいは、これらの
化合物を混合した、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ
3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ
3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＨｆＯ2−
ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5−Ｃｒ2Ｏ3、またはＴａ2
Ｏ 5−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3等を用いることもできる。ある
いは、第２の界面層１０５は、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層であってもよい。界面層の厚さは１〜１０ｎｍであ
ることが好ましく、２〜５ｎｍであることがより好まし
い。界面層の厚さが大きいと、基板１の表面に形成され
た第１の誘電体層２から反射層８までの積層体の光反射
率および光吸収率が変化して、記録消去性能に影響を与
える。The information recording medium 26 of this form is
The electric layer 106 was used in the conventional information recording medium.
ZnS-20 mol% SiO2Corresponding to the structure formed in
It Therefore, the second interfacial layer 105 is repeatedly recorded.
Caused by the recording between the second dielectric layer 106 and the recording layer 4.
It is provided to prevent the mass transfer. Second interface layer
105 is Si-N, Al-N, Zr-N, Ti-N,
Nitride such as Ge-N, Cr-N or Ta-N, or
Nitric oxide containing these, or Al2O3, Cr2O3,
HfO2, SiO2, Ta2OFive, TiO2Or ZrO2
Such as oxides, carbon, or carbides such as SiC, or L
aF3And the like. Or these
Compounds mixed, Ge-Cr-N, ZrO2-Cr2O
3, ZrO2-SiO2-C, ZrO2-SiO2-Cr2O
3, ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3, HfO2−
SiO2-Cr2O3, Ta2OFive-Cr2O3, Or Ta2
O Five-Cr2O3-LaF3Etc. can also be used. is there
The second interface layer 105 is made of a Zr—Zn—S—O-based material.
It may be a material layer. The thickness of the interface layer is 1 to 10 nm
Is preferable, and more preferably 2 to 5 nm.
Yes. When the thickness of the interface layer is large, it is formed on the surface of the substrate 1.
Light reflection of the laminated body from the first dielectric layer 2 to the reflective layer 8
Rate and light absorptance change, which affects the recording and erasing performance.
Get

【００９５】続いて、実施の形態２の情報記録媒体２６
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２６は、基板
１の案内溝が形成された表面に第１の誘電体層２を成膜
する工程（工程ａ）、記録層４を成膜する工程（工程
ｂ）、第２の界面層１０５を成膜する工程（工程ｆ）、
第２の誘電体層１０６を成膜する工程（工程ｇ）、光吸
収補正層７を成膜する工程（工程ｄ）および反射層８を
成膜する工程（工程ｅ）を順次実施し、さらに反射層８
の表面に接着層９を形成する工程、およびダミー基板１
０を貼り合わせる工程を実施することにより、製造され
る。工程ａ、ｂ、ｄ、およびｅは、実施の形態１に関連
して説明したとおりであるから、ここではその説明を省
略する。以下、実施の形態１の情報記録媒体の製造にお
いて実施されない工程のみ、説明する。Subsequently, the information recording medium 26 of the second embodiment
A method of manufacturing the will be described. In the information recording medium 26, the step of forming the first dielectric layer 2 on the surface of the substrate 1 in which the guide groove is formed (step a), the step of forming the recording layer 4 (step b), and the second step A step of forming the interface layer 105 (step f),
The step of forming the second dielectric layer 106 (step g), the step of forming the light absorption correction layer 7 (step d), and the step of forming the reflective layer 8 (step e) are sequentially performed, and Reflective layer 8
Of forming the adhesive layer 9 on the surface of the substrate, and the dummy substrate 1
It is manufactured by carrying out the step of bonding 0. The steps a, b, d, and e are the same as those described in connection with the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here. Hereinafter, only steps that are not performed in manufacturing the information recording medium of the first embodiment will be described.

【００９６】工程ｆは、記録層４を形成した後で実施さ
れ、記録層４の表面に第２の界面層１０５を成膜する工
程である。工程ｆにおいても、スパッタリングが実施さ
れる。工程ｆは、高周波電源を使用し、Ｇｅを含むスパ
ッタリングターゲットを用いて、ＡｒガスとＮ2ガスの
混合ガス雰囲気中で実施する、反応性スパッタリング工
程であってよい。この反応性スパッタリングによれば、
Ｇｅ−Ｎを含む界面層が記録層４の表面に形成される。
あるいは、工程ｆにおいては、高周波電源を使用し、Ｚ
ｒＯ2を含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒ
ガス雰囲気中でスパッタリングを実施し、それにより、
ＺｒＯ2を含む界面層を形成してよい。あるいは、工程
ｆにおいては、高周波電源を使用し、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2
−Ｃｒ2Ｏ3を含むスパッタリングターゲットを用いて、
Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングを実施し、それによ
り、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3を含む界面層を形成し
てよい。あるいは、工程ｆにおいては、高周波電源を使
用し、ＬａＦ3を含むスパッタリングターゲットを用い
て、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングを実施し、それ
により、ＬａＦ3を含む界面層を形成してよい。Step f is a step which is carried out after forming the recording layer 4 and forms the second interface layer 105 on the surface of the recording layer 4. Sputtering is also performed in step f. Step f may be a reactive sputtering step that is performed in a mixed gas atmosphere of Ar gas and N 2 gas using a high-frequency power source and a sputtering target containing Ge. According to this reactive sputtering,
An interface layer containing Ge—N is formed on the surface of the recording layer 4.
Alternatively, in step f, a high frequency power source is used and Z
Using a sputtering target containing rO 2 , Ar
Sputtering is carried out in a gas atmosphere, whereby
An interface layer containing ZrO 2 may be formed. Alternatively, in step f, a high frequency power source is used and ZrO 2 —SiO 2 is used.
Using a sputtering target containing -Cr 2 O 3,
Sputtering may be performed in an Ar gas atmosphere to form an interface layer containing ZrO 2 —SiO 2 —Cr 2 O 3 . Alternatively, in step f, a high frequency power supply may be used and a sputtering target containing LaF 3 may be used to perform sputtering in an Ar gas atmosphere, thereby forming an interface layer containing LaF 3 .

【００９７】次に、工程ｇを実施して、第２の界面層１
０５の表面に、第２の誘電体層１０６を成膜する。工程
ｇにおいては、高周波電源を使用し、例えばＺｎＳ−２
０ｍｏｌ％ＳｉＯ2から成るスパッタリングターゲット
を用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスとＯ2ガ
スの混合ガス雰囲気中で、スパッタリングを実施する。
それにより、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2から成る層
が形成される。その後、ダミー基板１０を貼り合わせる
工程が終了した後、実施の形態１に関連して説明したよ
うに、必要に応じて初期化工程を実施して、情報記録媒
体２６を得る。Next, step g is performed to carry out the second interface layer 1
The second dielectric layer 106 is formed on the surface of 05. In step g, a high frequency power source is used, for example ZnS-2
Sputtering is performed in an Ar gas atmosphere or in a mixed gas atmosphere of Ar gas and O 2 gas using a sputtering target made of 0 mol% SiO 2 .
Thereby, a layer made of ZnS-20 mol% SiO 2 is formed. Then, after the step of attaching the dummy substrate 10 is completed, as described in connection with the first embodiment, the initialization step is performed as necessary to obtain the information recording medium 26.

【００９８】（実施の形態３）本発明の実施の形態３と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る、光情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図３
に、その光情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 3) As Embodiment 3 of the present invention, still another example of an optical information recording medium for recording and reproducing information using a laser beam will be described. Figure 3
A partial cross section of the optical information recording medium is shown in FIG.

【００９９】図３に示す情報記録媒体２７は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層１０２、第１の界面層１
０３、記録層４、第２の誘電体層６、光吸収補正層７、
および反射層８がこの順に形成され、さらに接着層９で
ダミー基板１０が接着された構成を有する。図３に示す
情報記録媒体２７は、第２の界面層１０５を有していな
い点において、図９に示す従来の情報記録媒体３１と相
違する。また、情報記録媒体２７は、基板１と記録層４
の間に第１の誘電体層１０２と第１の界面層１０３がこ
の順に積層されている点において、図１に示す実施の形
態１の情報記録媒体２５と相違する。情報記録媒体２７
においては、第２の誘電体層６が、実施の形態１と同様
に、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層である。その他、図３
において、図１で使用した符号と同じ符号は、同じ要素
を表し、図１を参照して説明した材料および方法で形成
されるものである。したがって、図１で既に説明した要
素については、その詳細な説明を省略する。The information recording medium 27 shown in FIG. 3 has the first dielectric layer 102 and the first interface layer 1 on one surface of the substrate 1.
03, recording layer 4, second dielectric layer 6, light absorption correction layer 7,
The reflective layer 8 is formed in this order, and the dummy substrate 10 is further bonded by the adhesive layer 9. The information recording medium 27 shown in FIG. 3 is different from the conventional information recording medium 31 shown in FIG. 9 in that it does not have the second interface layer 105. The information recording medium 27 includes the substrate 1 and the recording layer 4.
This is different from the information recording medium 25 of the first embodiment shown in FIG. 1 in that the first dielectric layer 102 and the first interface layer 103 are laminated in this order between the two. Information recording medium 27
In the above, the second dielectric layer 6 is a Zr—Zn—S—O-based material layer, as in the first embodiment. Others, Figure 3
1, the same reference numerals as those used in FIG. 1 represent the same elements and are formed by the materials and methods described with reference to FIG. Therefore, detailed description of the elements already described in FIG. 1 will be omitted.

【０１００】この形態の情報記録媒体２７は、第１の誘
電体層１０２を、従来の情報記録媒体で使用されていた
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形成した構成に相当す
る。したがって、第１の界面層１０３は、繰り返しの記
録により第１の誘電体層１０２と記録層４との間で生じ
る物質移動を防止するために設けられる。第１の界面層
１０３の好ましい材料および厚さは、図２を参照して説
明した実施の形態２の情報記録媒体２６の第２の界面層
１０５と同じである。したがって、それについての詳細
な説明は省略する。The information recording medium 27 of this embodiment corresponds to the structure in which the first dielectric layer 102 is formed of ZnS-20 mol% SiO 2 used in the conventional information recording medium. Therefore, the first interface layer 103 is provided to prevent the mass transfer that occurs between the first dielectric layer 102 and the recording layer 4 due to repeated recording. The preferable material and thickness of the first interface layer 103 are the same as those of the second interface layer 105 of the information recording medium 26 of the second embodiment described with reference to FIG. Therefore, detailed description thereof will be omitted.

【０１０１】続いて、実施の形態３の情報記録媒体２７
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２７は、基板
１の案内溝が形成された面に第１の誘電体層１０２を成
膜する工程（工程ｈ）、第１の界面層１０３を成膜する
工程（工程ｉ）、記録層４を成膜する工程（工程ｂ）、
第２の誘電体層６を成膜する工程（工程ｃ）、光吸収補
正層７を成膜する工程（工程ｄ）および反射層８を成膜
する工程（工程ｅ）を順次実施し、さらに反射層８の表
面に接着層９を形成する工程、およびダミー基板１０を
貼り合わせる工程を実施することにより、製造される。
工程ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、実施の形態１に関連して
説明したとおりであるから、ここではその説明を省略す
る。以下、実施の形態１の情報記録媒体の製造において
実施されない工程のみ、説明する。Next, the information recording medium 27 of the third embodiment
A method of manufacturing the will be described. In the information recording medium 27, a step of forming the first dielectric layer 102 on the surface of the substrate 1 in which the guide groove is formed (step h), a step of forming the first interface layer 103 (step i), A step of forming the recording layer 4 (step b),
The step of forming the second dielectric layer 6 (step c), the step of forming the light absorption correction layer 7 (step d), and the step of forming the reflective layer 8 (step e) are sequentially performed, and It is manufactured by performing the step of forming the adhesive layer 9 on the surface of the reflective layer 8 and the step of adhering the dummy substrate 10.
Steps b, c, d, and e are the same as those described in connection with the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here. Hereinafter, only steps that are not performed in manufacturing the information recording medium of the first embodiment will be described.

【０１０２】工程ｈは、基板１の表面に第１の誘電体層
１０２を成膜する工程である。その具体的な方法は、実
施の形態２の製造方法に関連して説明した工程ｇと同様
である。工程ｉは、第１の誘電体層１０２の表面に第１
の界面層１０３を成膜する工程である。その具体的な方
法は、実施の形態２の製造方法に関連して説明した工程
ｆと同様である。その後、ダミー基板１０を貼り合わせ
る工程が終了した後、実施の形態１に関連して説明した
ように、必要に応じて初期化工程を実施して、情報記録
媒体２７を得る。Step h is a step of forming the first dielectric layer 102 on the surface of the substrate 1. The specific method is the same as step g described in connection with the manufacturing method of the second embodiment. Step i is the first step on the surface of the first dielectric layer 102.
This is a process of forming the interface layer 103 of. The specific method is the same as step f described in connection with the manufacturing method of the second embodiment. Then, after the step of attaching the dummy substrate 10 is completed, the initialization step is performed as necessary as described in connection with the first embodiment, and the information recording medium 27 is obtained.

【０１０３】（実施の形態４）本発明の実施の形態４と
して、レーザ光を情報の記録および再生を実施する、光
情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図４に、その
光情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 4) As Embodiment 4 of the present invention, another example of an optical information recording medium for recording and reproducing information with a laser beam will be described. FIG. 4 shows a partial cross section of the optical information recording medium.

【０１０４】図４に示す情報記録媒体２８は、基板１０
１の一方の表面に反射層８、第２の誘電体層６、記録層
４、および第１の誘電体層２をこの順に形成し、さらに
接着層９でダミー基板１１０が接着された構成を有す
る。この情報記録媒体２８は、第１の界面層１０３およ
び第２の界面層１０５を有していない点において図９に
示す従来の情報記録媒体３１と相違する。また、この構
成の情報記録媒体は、光吸収補正層７を有していない点
において図１に示す構成の情報記録媒体２５と相違す
る。The information recording medium 28 shown in FIG.
A reflective layer 8, a second dielectric layer 6, a recording layer 4, and a first dielectric layer 2 are formed in this order on one surface of No. 1 and a dummy substrate 110 is bonded by an adhesive layer 9. Have. This information recording medium 28 is different from the conventional information recording medium 31 shown in FIG. 9 in that it does not have the first interface layer 103 and the second interface layer 105. Further, the information recording medium having this structure is different from the information recording medium 25 having the structure shown in FIG. 1 in that it does not have the light absorption correction layer 7.

【０１０５】この構成の情報記録媒体２８には、ダミー
基板１１０側からレーザ光１２が入射され、それにより
情報の記録および再生が実施される。情報記録媒体の記
録密度を高くするためには、短波長のレーザ光を使用す
るとともに、レーザビームをより絞り込んで、記録層に
小さな記録マークを形成する必要がある。ビームを絞り
込むためには、対物レンズの開口数ＮＡをより大きくす
ることが必要となる。しかし、ＮＡが大きくなると、焦
点位置が浅くなる。そこで、レーザ光が入射する基板を
薄くする必要がある。図４に示す情報記録媒体２８にお
いて、レーザ光が入射される側のダミー基板１１０は、
記録層等を形成する際の支持体として機能する必要がな
いため、その厚さを小さくすることができる。したがっ
て、この構成によれば、より高密度の記録が可能な大容
量情報記録媒体２８を得ることができる。具体的には、
この構成によれば、波長約４０５ｎｍの青紫色域のレー
ザ光を記録再生に使用する、容量が２５ＧＢの情報記録
媒体を得ることができる。The laser beam 12 is incident on the information recording medium 28 of this structure from the dummy substrate 110 side, and thereby recording and reproducing of information is performed. In order to increase the recording density of the information recording medium, it is necessary to use a laser beam having a short wavelength and further narrow the laser beam to form a small recording mark on the recording layer. In order to narrow the beam, it is necessary to increase the numerical aperture NA of the objective lens. However, as NA increases, the focal position becomes shallower. Therefore, it is necessary to thin the substrate on which the laser light is incident. In the information recording medium 28 shown in FIG. 4, the dummy substrate 110 on the laser light incident side is
Since it is not necessary to function as a support when forming the recording layer and the like, the thickness can be reduced. Therefore, according to this structure, it is possible to obtain the large-capacity information recording medium 28 capable of high-density recording. In particular,
With this configuration, it is possible to obtain an information recording medium having a capacity of 25 GB, which uses laser light in the blue-violet region having a wavelength of about 405 nm for recording and reproduction.

【０１０６】この情報記録媒体においても、第１および
第２の誘電体層２および６は、実施の形態１と同様に、
Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層である。Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料層は、反射層等の形成順序および記録容量に関
係無く、誘電体層として適用される。Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料層に含まれる材料は、実施の形態１に関連して
説明したとおりであるから、それらについての詳細な説
明は省略する。Also in this information recording medium, the first and second dielectric layers 2 and 6 are the same as in the first embodiment.
It is a Zr-Zn-S-O-based material layer. Zr-Zn-S-
The O-based material layer is applied as a dielectric layer regardless of the order of forming the reflective layer and the like and the recording capacity. Zr-Zn-S-
The materials contained in the O-based material layer are as described in relation to the first embodiment, so detailed description thereof will be omitted.

【０１０７】前述のように、この情報記録媒体２８は、
短い波長のレーザ光で記録再生するのに適している。し
たがって、第１および第２の誘電体層２および６の厚さ
は、例えば、λ＝４０５ｎｍであるときの好ましい光路
長から求める。情報記録媒体２８の記録マークの再生信
号振幅を大きくして信号品質を向上させるために、例え
ば２０％≦Ｒｃ且つＲａ≦５％を満足するように第１の
誘電体層２および第２の誘電体層６の光路長ｎｄをマト
リクス法に基づく計算により厳密に決定した。その結
果、前述のような屈折率を有するＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系
材料から成る層を第１および第２の誘電体層２および６
とする場合、第１の誘電体層２の厚さは好ましくは３０
ｎｍ〜１００ｎｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜８
０ｎｍであることが判った。また、第２の誘電体層６の
厚さは、好ましくは３ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ま
しくは１０ｎｍ〜３０ｎｍであることが判った。As described above, this information recording medium 28 is
It is suitable for recording and reproducing with laser light of short wavelength. Therefore, the thicknesses of the first and second dielectric layers 2 and 6 are obtained from the preferable optical path length when λ = 405 nm, for example. In order to increase the reproduction signal amplitude of the recording mark of the information recording medium 28 and improve the signal quality, for example, the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 2 and the second dielectric layer 2 satisfy 20% ≦ Rc and Ra ≦ 5%. The optical path length nd of the body layer 6 was strictly determined by calculation based on the matrix method. As a result, the first and second dielectric layers 2 and 6 are formed of the Zr—Zn—S—O-based material having the above-described refractive index.
In that case, the thickness of the first dielectric layer 2 is preferably 30
nm to 100 nm, more preferably 50 nm to 8
It was found to be 0 nm. Further, it has been found that the thickness of the second dielectric layer 6 is preferably 3 nm to 50 nm, more preferably 10 nm to 30 nm.

【０１０８】基板１０１は、実施の形態１の基板１と同
様、透明な円盤状の板である。基板１０１としては、直
径が５０ｍｍ〜１２０ｍｍ程度のものが使用される。基
板１０１の反射層等を形成する側の表面には、レーザ光
を導くための案内溝が形成されていてもよい。案内溝を
形成した場合、実施の形態１と同様に、面２３をグルー
ブ面２３と呼び、面２４をランド面と呼ぶ。グル−ブ面
２３とランド面２４の段差は、１０ｎｍ〜３０ｎｍであ
ることが好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍであることがよ
り好ましい。また、層を形成しない側の表面は、平滑で
あることが望ましい。基板１０１の材料としては、実施
の形態１の基板１の材料と同じ材料を挙げることができ
る。基板１０１の厚さは、好ましくは０．８〜１．２ｍ
ｍ程度である。基板１０１の好ましい厚さは、実施の形
態１の基板１のそれよりも大きい。これは、後述するよ
うに、ダミー基板１１０の厚さが薄いために、基板１０
１で情報記録媒体の強度を確保する必要があることによ
る。The substrate 101 is a transparent disc-shaped plate like the substrate 1 of the first embodiment. As the substrate 101, a substrate having a diameter of about 50 mm to 120 mm is used. A guide groove for guiding the laser light may be formed on the surface of the substrate 101 on which the reflective layer and the like are formed. When the guide groove is formed, the surface 23 is called the groove surface 23 and the surface 24 is called the land surface, as in the first embodiment. The step difference between the groove surface 23 and the land surface 24 is preferably 10 nm to 30 nm, and more preferably 15 nm to 25 nm. In addition, it is desirable that the surface on which no layer is formed be smooth. The material of the substrate 101 can be the same as the material of the substrate 1 of the first embodiment. The thickness of the substrate 101 is preferably 0.8 to 1.2 m
It is about m. The preferable thickness of substrate 101 is larger than that of substrate 1 of the first embodiment. This is because the dummy substrate 110 is thin, as will be described later.
This is because it is necessary to secure the strength of the information recording medium in 1.

【０１０９】ダミー基板１１０は、基板１０１同様、透
明な円盤状の板である。前述のように、図４に示す構成
によれば、ダミー基板１１０の厚さを小さくすることに
よって、短波長のレーザ光で記録することが可能とな
る。したがって、ダミー基板１１０の厚さは、４０μｍ
〜１１０μｍであることが好ましい。接着層９とダミー
基板１１０を合わせた厚さが５０μｍ〜１２０μｍであ
ることがより好ましい。Like the substrate 101, the dummy substrate 110 is a transparent disc-shaped plate. As described above, according to the configuration shown in FIG. 4, it is possible to record with the laser light of the short wavelength by reducing the thickness of the dummy substrate 110. Therefore, the thickness of the dummy substrate 110 is 40 μm.
It is preferably about 110 μm. More preferably, the total thickness of the adhesive layer 9 and the dummy substrate 110 is 50 μm to 120 μm.

【０１１０】ダミー基板１１０は薄いので、ポリカーボ
ネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ
のような樹脂で形成することが好ましく、特にポリカー
ボネートで形成することが好ましい。また、ダミー基板
１１０は、レーザ光１２入射側に位置するため、光学的
には短波長域における複屈折が小さいものであることが
好ましい。Since the dummy substrate 110 is thin, polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA is used.
It is preferable to form the above resin, and it is particularly preferable to form the polycarbonate. Further, since the dummy substrate 110 is located on the laser light 12 incident side, it is preferable that the dummy substrate 110 is optically small in birefringence in the short wavelength region.

【０１１１】反射層８は、実施の形態１の反射層８と同
様の材料で、同様の厚さに形成してよい。図示した形態
において、反射層８にＡｇを含む材料を用いる場合に
は、反射層８を２層構造または２以上の層を含む構造と
することが好ましい。第２の誘電体層６に含まれるＳと
反射層８に含まれるＡｇとが、Ａｇ2Ｓを形成すること
を防ぐためである。２層構造の反射層は、例えば、基板
１０１の表面にＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕから成る層を形成し、
その上にＡｌ−Ｃｒから成る層を形成することにより形
成される。この場合、第２の誘電体層６は、Ａｌ−Ｃｒ
層の表面に形成される。Ａｌ−Ｃｒ層は、第２の誘電体
層中のＳと反射層中のＡｇが反応することを防ぐ。第２
の誘電体層８と、Ａｇを含む層との間に位置する層の厚
さは、５ｎｍ以上であることが好ましい。The reflective layer 8 may be made of the same material as the reflective layer 8 of the first embodiment and may have the same thickness. In the illustrated embodiment, when a material containing Ag is used for the reflective layer 8, the reflective layer 8 preferably has a two-layer structure or a structure including two or more layers. This is to prevent S contained in the second dielectric layer 6 and Ag contained in the reflective layer 8 from forming Ag 2 S. The reflective layer having a two-layer structure has, for example, a layer made of Ag-Pd-Cu formed on the surface of the substrate 101,
It is formed by forming a layer made of Al-Cr thereon. In this case, the second dielectric layer 6 is Al-Cr.
Formed on the surface of the layer. The Al-Cr layer prevents reaction between S in the second dielectric layer and Ag in the reflective layer. Second
The thickness of the layer located between the dielectric layer 8 and the layer containing Ag is preferably 5 nm or more.

【０１１２】接着層９は、透明な紫外線硬化性樹脂で形
成することが好ましい。接着層９の厚さは５〜１５μｍ
であることが好ましい。接着層９がダミー基板１１０の
機能を兼ね備え、５０μｍ〜１２０μｍの厚さとなるよ
うに形成できれば、ダミー基板１１０を省略することも
できる。The adhesive layer 9 is preferably formed of a transparent ultraviolet curable resin. The thickness of the adhesive layer 9 is 5 to 15 μm
Is preferred. If the adhesive layer 9 also has the function of the dummy substrate 110 and can be formed to have a thickness of 50 μm to 120 μm, the dummy substrate 110 can be omitted.

【０１１３】その他、実施の形態１と同一の符号を付し
た要素は、既に実施の形態１に関連して説明したとおり
であるので、その説明を省略する。Other elements having the same reference numerals as those in the first embodiment are the same as those already described in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

【０１１４】この形態の情報記録媒体の変形例において
は、例えば、第１の誘電体層のみをＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ
系材料層とし、第２の誘電体層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％
ＳｉＯ2で形成して、第２の誘電体層と記録層との間に
第２の界面層を形成し得る。その場合において、反射層
がＡｇを含む場合には、反射層を上記のように２層構造
として、第２の誘電体層中のＳが反射層中のＡｇと反応
しないようにすることが好ましい。また、実施の形態４
の情報記録媒体の別の変形例においては、第２の誘電体
層のみをＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層とし、第１の誘電
体層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2として、第１の誘
電体層と記録層との間に第１の界面層を形成し得る。In the modification of the information recording medium of this aspect, for example, only the first dielectric layer is made of Zr-Zn-S-O.
System material layer, and the second dielectric layer is ZnS-20 mol%
It may be formed of SiO 2 to form a second interface layer between the second dielectric layer and the recording layer. In that case, when the reflective layer contains Ag, it is preferable that the reflective layer has a two-layer structure as described above so that S in the second dielectric layer does not react with Ag in the reflective layer. . In addition, the fourth embodiment
In another modified example of the information recording medium, the second dielectric layer is a Zr—Zn—S—O-based material layer only, and the first dielectric layer is a ZnS—20 mol% SiO 2 layer. A first interface layer may be formed between the dielectric layer and the recording layer.

【０１１５】続いて、実施の形態４の情報記録媒体２８
の製造方法を説明する。情報記録媒体２８は、案内溝
（グルーブ面２３とランド面２４）が形成された基板１
０１を成膜装置に配置し、基板１０１の案内溝が形成さ
れた表面に反射層８を成膜する工程（工程ｅ）、第２の
誘電体層６を成膜する工程（工程ｃ）、記録層４を成膜
する工程（工程ｂ）、および第１の誘電体層２を成膜す
る工程（工程ａ）を順次実施し、さらに、第１の誘電体
層２の表面に接着層９を形成する工程、およびダミー基
板１１０を貼り合わせる工程を実施することにより、製
造される。Subsequently, the information recording medium 28 of the fourth embodiment
The manufacturing method of will be described. The information recording medium 28 includes a substrate 1 on which guide grooves (groove surface 23 and land surface 24) are formed.
01 is placed in the film forming apparatus, and the step of forming the reflective layer 8 on the surface of the substrate 101 in which the guide groove is formed (step e), the step of forming the second dielectric layer 6 (step c), The step of forming the recording layer 4 (step b) and the step of forming the first dielectric layer 2 (step a) are sequentially performed, and further, the adhesive layer 9 is formed on the surface of the first dielectric layer 2. It is manufactured by carrying out the step of forming and the step of bonding the dummy substrate 110.

【０１１６】最初に、工程ｅを実施して、基板１０１の
案内溝が形成された面に、反射層８を成膜する。工程ｅ
を実施する具体的な方法は、実施の形態１に関連して説
明したとおりである。次に、工程ｃ、工程ｂ、および工
程ａをこの順に実施する。工程ｃ、ｂおよびａを実施す
る具体的な方法は、実施の形態１に関連して説明したと
おりである。この形態の情報記録媒体の製造方法におい
ては、各工程の実施順序が、実施の形態１の情報記録媒
体の製造方法におけるそれと異なる。First, step e is carried out to form the reflective layer 8 on the surface of the substrate 101 on which the guide groove is formed. Process e
The specific method for carrying out is as described in connection with the first embodiment. Next, step c, step b, and step a are performed in this order. The specific method of performing steps c, b, and a is as described in connection with the first embodiment. In the method of manufacturing the information recording medium of this embodiment, the order of performing the steps is different from that in the method of manufacturing the information recording medium of the first embodiment.

【０１１７】第１の誘電体層２を成膜した後、反射層８
から第１の誘電体層２まで順次積層した基板１０１を、
スパッタリング装置から取り出す。それから、第１の誘
電体層２の上に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコー
ト法により塗布する。塗布した紫外線硬化性樹脂に、ダ
ミー基板１１０を密着させて、紫外線をダミー基板１１
０側から照射して樹脂を硬化させ、貼り合わせ工程を終
了させる。接着層９を、６０μｍ〜１２０μｍの厚さと
なるように形成し、これに紫外線を照射することによっ
て、ダミー基板１１０を貼り合わせる工程を省略するこ
とができる。After forming the first dielectric layer 2, the reflective layer 8 is formed.
To the first dielectric layer 2 are sequentially laminated on the substrate 101,
Take out from the sputtering device. Then, an ultraviolet curable resin is applied onto the first dielectric layer 2 by, for example, a spin coat method. The dummy substrate 110 is brought into close contact with the applied ultraviolet curable resin to expose the dummy substrate 11 to ultraviolet rays.
The resin is cured by irradiation from the 0 side, and the bonding step is completed. The step of bonding the dummy substrate 110 can be omitted by forming the adhesive layer 9 to have a thickness of 60 μm to 120 μm and irradiating the adhesive layer 9 with ultraviolet rays.

【０１１８】貼り合わせ工程が終了した後は、必要に応
じて初期化工程を実施する。初期化工程の方法は、実施
の形態１に関連して説明したとおりである。After the bonding step is completed, an initialization step is carried out if necessary. The method of the initialization process is as described in relation to the first embodiment.

【０１１９】（実施の形態５）本発明の実施の形態５と
して、レーザ光を用いて記録および再生を実施する、光
情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図５に、その
光情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 5) As Embodiment 5 of the present invention, still another example of an optical information recording medium for carrying out recording and reproduction using a laser beam will be described. FIG. 5 shows a partial cross section of the optical information recording medium.

【０１２０】図５に示す情報記録媒体２９は、基板１０
１の一方の表面に第２情報層２２、中間層１６、および
第１情報層２１がこの順に形成され、さらに接着層９を
介してダミー基板１１０が積層された構成である。より
詳しくは、第２情報層２２は、基板１０１の一方の表面
に第２の反射層２０、第５の誘電体層１９、第２の記録
層１８、および第４の誘電体層１７がこの順に形成され
て成る。中間層１６は、第４の誘電体層１７の表面に形
成される。第１情報層２１は、この中間層１６の表面
に、第３の誘電体層１５、第１の反射層１４、第２の誘
電体層６、第１の記録層１３、および第１の誘電体層２
がこの順に形成されて成る。この形態においても、レー
ザ光１２は、ダミー基板１１０の側から入射される。ま
た、この形態の情報記録媒体においては、２つの記録層
にそれぞれ情報を記録できる。したがって、この構成に
よれば、上記実施の形態４の２倍程度の容量を有する、
情報記録媒体を得ることができる。具体的には、この構
成によれば、例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域の
レーザ光を記録再生に使用する、容量が５０ＧＢの情報
記録媒体を得ることができる。The information recording medium 29 shown in FIG.
The second information layer 22, the intermediate layer 16, and the first information layer 21 are formed in this order on one surface of No. 1, and the dummy substrate 110 is further laminated via the adhesive layer 9. More specifically, the second information layer 22 includes the second reflective layer 20, the fifth dielectric layer 19, the second recording layer 18, and the fourth dielectric layer 17 on one surface of the substrate 101. It is formed in order. The intermediate layer 16 is formed on the surface of the fourth dielectric layer 17. The first information layer 21 has the third dielectric layer 15, the first reflective layer 14, the second dielectric layer 6, the first recording layer 13, and the first dielectric layer on the surface of the intermediate layer 16. Body layer 2
Are formed in this order. Also in this form, the laser light 12 is incident from the dummy substrate 110 side. Further, in the information recording medium of this aspect, information can be recorded in each of the two recording layers. Therefore, according to this configuration, the capacity is about twice that of the fourth embodiment,
An information recording medium can be obtained. Specifically, according to this configuration, for example, it is possible to obtain an information recording medium having a capacity of 50 GB, which uses laser light in the blue-violet region near the wavelength of 405 nm for recording and reproduction.

【０１２１】第１情報層２１における記録再生は、ダミ
ー基板１１０を通過したレーザ光１２によって行われ
る。第２情報層２２における記録再生は、ダミー基板１
１０、第１情報層２１および中間層１６を通過したレー
ザ光１２によって実施される。Recording / reproduction on the first information layer 21 is performed by the laser beam 12 that has passed through the dummy substrate 110. Recording / reproduction on the second information layer 22 is performed by the dummy substrate 1
The laser light 12 that has passed through the first information layer 21 and the intermediate layer 16 is used.

【０１２２】図５に示す形態の情報記録媒体２９におい
ても、第５の誘電体層１９、第４の誘電体層１７、第２
の誘電体層６、および第１の誘電体層２はいずれも、Ｚ
ｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層であることが好ましい。この
材料層を使用すれば、第１の記録層１３と第１の誘電体
層２との間、第１の記録層１３と第２の誘電体層６との
間、第２の記録層１８と第４の誘電体層１７との間、第
２の記録層１８と第５の誘電体層１９との間の界面層が
不要となる。Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層の具体的な材
料は、実施の形態１に関連して説明したとおりであるか
ら、それらについての詳細な説明は省略する。Also in the information recording medium 29 of the form shown in FIG. 5, the fifth dielectric layer 19, the fourth dielectric layer 17, and the second dielectric layer 17 are formed.
The dielectric layer 6 and the first dielectric layer 2 of
It is preferably an r-Zn-S-O-based material layer. If this material layer is used, between the first recording layer 13 and the first dielectric layer 2, between the first recording layer 13 and the second dielectric layer 6, and between the second recording layer 18 And the fourth dielectric layer 17, and the interface layer between the second recording layer 18 and the fifth dielectric layer 19 becomes unnecessary. The specific material of the Zr—Zn—S—O-based material layer is as described in relation to the first embodiment, so detailed description thereof will be omitted.

【０１２３】第５の誘電体層１９と第２の誘電体層６
は、反射層と記録層との間で断熱層として機能する。第
５および第２の誘電体層１９および６の膜厚は、好まし
くは３ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ
〜３０ｎｍである。Fifth dielectric layer 19 and second dielectric layer 6
Functions as a heat insulating layer between the reflective layer and the recording layer. The thickness of the fifth and second dielectric layers 19 and 6 is preferably 3 nm to 50 nm, more preferably 10 nm.
~ 30 nm.

【０１２４】また、第４の誘電体層１７および第１の誘
電体層２の膜厚は、好ましくは３０ｎｍ〜１００ｎｍで
あり、より好ましくは５０ｎｍ〜８０ｎｍである。The film thicknesses of the fourth dielectric layer 17 and the first dielectric layer 2 are preferably 30 nm to 100 nm, more preferably 50 nm to 80 nm.

【０１２５】このように、図５に示すような片面２層構
造の情報記録媒体においても、記録層の両側に位置する
誘電体層をＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層とすることによ
って、誘電体層を界面層を介することなく、記録層と直
接的に接するように形成できる。したがって、本発明に
よれば、片面２層構造の情報記録媒体についても、全体
を構成する層の数を減らすことができる。As described above, also in the information recording medium having the single-sided two-layer structure as shown in FIG. 5, the dielectric layers located on both sides of the recording layer are made of Zr—Zn—S—O type material layers, The dielectric layer can be formed so as to be in direct contact with the recording layer without interposing the interface layer. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the number of layers constituting the entire information recording medium having a single-sided two-layer structure.

【０１２６】第３の誘電体層１５は、中間層１６と第１
の反射層１４との間に位置する。第３の誘電体層１５
は、第１情報層２１の光透過率を高める機能を有するよ
う、透明で、高い屈折率（２．３≦ｎ）を有することが
好ましい。また、第３の誘電体層１５は、反射層と同様
に、第１の記録層１３の熱を速やかに拡散させる機能を
有するように、熱伝導率がより高い材料から成ることが
好ましい。これらの条件を満足する材料は、ＴｉＯ2お
よびＣｒ2Ｏ3である。また、ＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3との混
合物であって、Ｃｒ2Ｏ3の割合が４０ｍｏｌ％以上であ
る混合物を用いてよい。第３の誘電体層１５の膜厚は１
０ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。The third dielectric layer 15 includes the intermediate layer 16 and the first dielectric layer 15.
Between the reflective layer 14 and the reflective layer 14. Third dielectric layer 15
Is preferably transparent and has a high refractive index (2.3 ≦ n) so as to have a function of increasing the light transmittance of the first information layer 21. The third dielectric layer 15 is preferably made of a material having a higher thermal conductivity so as to have a function of quickly diffusing the heat of the first recording layer 13, like the reflective layer. Materials satisfying these conditions are TiO 2 and Cr 2 O 3 . Further, a mixture of ZrO 2 and Cr 2 O 3 , in which the proportion of Cr 2 O 3 is 40 mol% or more, may be used. The thickness of the third dielectric layer 15 is 1
It is preferably 0 nm to 30 nm.

【０１２７】基板１０１は、実施の形態４の基板１０１
と同様のものである。したがって、ここでは、基板１０
１に関する詳細な説明を省略する。The substrate 101 is the substrate 101 of the fourth embodiment.
Is similar to. Therefore, here, the substrate 10
A detailed description of 1 will be omitted.

【０１２８】第２の反射層２０は、実施の形態１の反射
層８と同様のものである。また、第２の記録層１８は、
実施の形態１の記録層４と同様のものである。したがっ
て、ここでは、第２の反射層２０および第２の記録層１
８に関する詳細な説明を省略する。Second reflective layer 20 is similar to reflective layer 8 of the first embodiment. In addition, the second recording layer 18 is
This is the same as the recording layer 4 of the first embodiment. Therefore, here, the second reflective layer 20 and the second recording layer 1
A detailed description of No. 8 will be omitted.

【０１２９】中間層１６は、第１情報層２１におけるレ
ーザ光の焦点位置と、第２情報層２２における焦点位置
とが有意に異なるようにするために設けられる。中間層
１６には、必要に応じて第１情報層２１側に案内溝が形
成されている。中間層１６は、紫外線硬化性樹脂で形成
することができる。中間層１６は、レーザ光１２が効率
よく第２情報層２２に到達するよう、記録再生する波長
λの光に対して透明であることが望ましい。中間層１６
の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザ光波長λに
より決定される焦点深度ΔＺ以上であることを要する。
ΔＺは、ΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ
＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の時、ΔＺ＝０．２８μ
ｍとなる。さらに、この値の±０．３μｍの範囲内は焦
点深度の範囲に含まれるので、中間層１６は、０．８μ
ｍ以上の厚さであることを要する。また、中間層１６の
厚さは、第１情報層２１の第１の記録層１３および第２
情報層２２の第２の記録層１８間の距離が、対物レンズ
の集光可能な範囲内にあるように、ダミー基板１１０の
厚さと合わせて、使用する対物レンズについて許容でき
る基板厚公差内にすることが好ましい。したがって、中
間層の厚さは１０μｍ〜４０μｍであることが好まし
い。The intermediate layer 16 is provided so that the focal position of the laser light on the first information layer 21 and the focal position on the second information layer 22 are significantly different. A guide groove is formed in the intermediate layer 16 on the side of the first information layer 21 as necessary. The intermediate layer 16 can be formed of an ultraviolet curable resin. The intermediate layer 16 is preferably transparent to the light having the wavelength λ to be recorded / reproduced so that the laser light 12 reaches the second information layer 22 efficiently. Middle layer 16
Must have a depth of focus ΔZ or more determined by the numerical aperture NA of the objective lens and the laser light wavelength λ.
ΔZ can be approximated by ΔZ = λ / {2 (NA) 2 }. λ
= 405 nm, NA = 0.85, ΔZ = 0.28μ
m. Furthermore, since the range of ± 0.3 μm of this value is included in the range of the depth of focus, the thickness of the intermediate layer 16 is 0.8 μm.
It is necessary that the thickness is m or more. The thickness of the intermediate layer 16 is the same as that of the first recording layer 13 and the second information layer 21 of the first information layer 21.
The distance between the second recording layers 18 of the information layers 22 is within the allowable substrate thickness tolerance of the objective lens used together with the thickness of the dummy substrate 110 so that the distance between the second recording layers 18 is within the range where the objective lens can collect light. Preferably. Therefore, the thickness of the intermediate layer is preferably 10 μm to 40 μm.

【０１３０】中間層１６は、必要に応じて樹脂層を複数
層、積層して構成してよい。具体的には、第４の誘電体
層１７を保護する層と、案内溝を有する層との２層構成
にしてよい。The intermediate layer 16 may be formed by laminating a plurality of resin layers if necessary. Specifically, it may have a two-layer structure of a layer for protecting the fourth dielectric layer 17 and a layer having a guide groove.

【０１３１】第１の反射層１４は、第１の記録層１３の
熱を速やかに拡散させる機能を有する。また、第２情報
層２２を記録再生する際には、第１情報層２１を透過し
たレーザ光１２を使用するので、第１情報層２１は全体
として高い光透過率を有する必要があり、好ましくは、
４５％以上の光透過率を有する。そのため、第１の反射
層１４は、第２の反射層２０と比較して、その材料およ
び厚さが限定される。第１の反射層１４の光吸収を少な
くするために、第１の反射層１４は、厚さを薄くして、
小さい消衰係数、および大きい熱伝導率を有することが
望ましい。具体的には、第１の反射層１４は、好ましく
は、Ａｇを含む合金で、膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下
となるように形成される。第１の反射層１４がＡｇを含
み、第２の誘電体層６がＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層で
ある場合には、第１の反射層１４中のＡｇと第２の誘電
体層６中のＳが反応することを防ぐために、これらの２
つの層の間に、５ｎｍ〜１０ｎｍ程度のＳを含まない実
質的に透明である層を設けることが好ましい。そのよう
な層は、例えば、ＴｉＯ2，Ｃｒ2Ｏ3，またはＣｒ2Ｏ3
−ＺｒＯ2（４０ｍｏｌ％≦Ｃｒ2Ｏ3）で形成される。The first reflective layer 14 has a function of quickly diffusing the heat of the first recording layer 13. Further, when recording / reproducing the second information layer 22, the laser beam 12 that has passed through the first information layer 21 is used, so the first information layer 21 must have a high light transmittance as a whole, which is preferable. Is
It has a light transmittance of 45% or more. Therefore, the material and thickness of the first reflective layer 14 are limited as compared with the second reflective layer 20. In order to reduce the light absorption of the first reflective layer 14, the first reflective layer 14 has a small thickness,
It is desirable to have a low extinction coefficient and a high thermal conductivity. Specifically, the first reflective layer 14 is preferably an alloy containing Ag and is formed so as to have a film thickness of 5 nm or more and 15 nm or less. When the first reflective layer 14 contains Ag and the second dielectric layer 6 is a Zr-Zn-S-O-based material layer, Ag in the first reflective layer 14 and the second dielectric layer In order to prevent S in layer 6 from reacting with these 2
It is preferable to provide a substantially transparent layer containing no S of about 5 nm to 10 nm between the two layers. Such a layer may be, for example, TiO 2 , Cr 2 O 3 , or Cr 2 O 3
-ZrO formed by 2 (40mol% ≦ Cr 2 O 3).

【０１３２】第１の記録層１３もまた、第１情報層２１
の高い光透過率を確保するために、第２の記録層１８と
比較して、その材料および膜厚が限定される。第１の記
録層１３は、好ましくは、その結晶相における透過率と
その非晶質相における透過率の平均が４５％以上になる
ように形成する。そのため、第１の記録層１３の膜厚は
７ｎｍ以下とすることが好ましい。第１の記録層１３を
構成する材料は、このように薄い膜厚であっても、溶融
急冷によって良好な記録マークが形成され、品質の高い
信号が再生できること、ならびに昇温徐冷により記録マ
ークを消去できることを確保し得るように、選択され
る。具体的には、可逆的相変態材料であるＧｅＴｅ−Ｓ
ｂ2Ｔｅ3系材料のようなＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、またはＧｅ
Ｔｅ−Ｓｂ 2Ｔｅ3系材料のＧｅの一部をＳｎで置換した
Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、またはＢｉを含む、Ｇｅ−Ｂ
ｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ
−Ｔｅ、もしくはＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅで、第
１の記録層１３を形成することが好ましい。The first recording layer 13 is also the first information layer 21.
Of the second recording layer 18 in order to secure a high light transmittance of
By comparison, its material and film thickness are limited. First note
The recording layer 13 preferably has a transmittance in its crystalline phase and
The average transmittance of the amorphous phase is 45% or more
To form. Therefore, the film thickness of the first recording layer 13 is
It is preferably 7 nm or less. The first recording layer 13
Even if the material to be composed has such a thin film thickness, it will melt
Good quality recording marks are formed by rapid cooling
The signal can be reproduced and the recording medium is
Selected to ensure that the
It Specifically, GeTe-S which is a reversible phase change material
b2Te3Ge-Sb-Te, or Ge, like system materials
Te-Sb 2Te3Part of Ge of the system material was replaced with Sn
Ge-B containing Ge-Sn-Sb-Te or Bi
i-Te, Ge-Sn-Bi-Te, Ge-Sb-Bi
-Te, or Ge-Sn-Sb-Bi-Te,
It is preferable to form one recording layer 13.

【０１３３】接着層９は、実施の形態４の接着層９と同
様、透明な紫外線硬化性樹脂で形成することが好まし
い。接着層９の厚さは５〜１５μｍであることが好まし
い。Like the adhesive layer 9 of the fourth embodiment, the adhesive layer 9 is preferably formed of a transparent ultraviolet curable resin. The thickness of the adhesive layer 9 is preferably 5 to 15 μm.

【０１３４】ダミー基板１１０は、実施の形態４のダミ
ー基板１１０と同様のものである。したがって、ここで
はダミー基板に関する詳細な説明を省略する。また、こ
の形態においても、接着層９がダミー基板１１０の機能
を兼ね備え、５０μｍ〜１２０μｍの厚さとなるように
形成できれば、ダミー基板１１０を省略することもでき
る。The dummy substrate 110 is similar to the dummy substrate 110 of the fourth embodiment. Therefore, a detailed description of the dummy substrate is omitted here. Also in this embodiment, if the adhesive layer 9 also has the function of the dummy substrate 110 and can be formed to have a thickness of 50 μm to 120 μm, the dummy substrate 110 can be omitted.

【０１３５】以上において、記録層を有する情報層を２
つ有する構成の情報記録媒体を説明した。複数の記録層
を有する情報記録媒体は、この構成に限定されず、情報
層を３つ以上含む構成とすることも可能である。また、
図示した形態の変形例は、例えば２つの情報層のうち、
一つを可逆的相変態を生じる記録層を有する情報層と
し、一つを非可逆的相変態を生じる記録層を有する情報
層としたものである。In the above, the number of information layers having recording layers is 2
The information recording medium having the structure described above has been described. The information recording medium having a plurality of recording layers is not limited to this structure, and may have a structure including three or more information layers. Also,
A modification of the illustrated form is, for example, of the two information layers,
One is an information layer having a recording layer that causes a reversible phase transformation, and one is an information layer that has a recording layer that causes an irreversible phase transformation.

【０１３６】また、情報層を３つ有する情報記録媒体に
おいては、３つの情報層のうち一つを再生専用の情報層
とし、一つを可逆的相変態を生じる記録層を有する情報
層とし、一つを非可逆的相変態を生じる記録層を有する
情報層とすることも可能である。このように、情報層を
２以上有する情報記録媒体には、種々の形態のものがあ
る。いずれの形態においても、誘電体層をＺｒ−Ｚｎ−
Ｓ−Ｏ系材料層とすることによって、記録層と誘電体層
との間に界面層を設ける必要を無くすことができる。In an information recording medium having three information layers, one of the three information layers is a read-only information layer, and one is an information layer having a recording layer which causes reversible phase transformation, It is also possible to use one as an information layer having a recording layer that causes an irreversible phase transformation. As described above, there are various types of information recording media having two or more information layers. In either form, the dielectric layer is made of Zr-Zn-
By using the S—O based material layer, it is possible to eliminate the need for providing an interface layer between the recording layer and the dielectric layer.

【０１３７】続いて、実施の形態５の情報記録媒体２９
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２９は、基板
１０１に第２の反射層２０を成膜する工程（工程ｊ）、
第５の誘電体層１９を成膜する工程（工程ｋ）、第２の
記録層１８を成膜する工程（工程ｌ）、および第４の誘
電体層１７を成膜する工程（工程ｍ）を順次実施した
後、第４の誘電体層１７の表面に中間層１６を形成する
工程を実施し、それから中間層１６の表面に第３の誘電
体層１５を成膜する工程（工程ｎ）、第１の反射層１４
を成膜する工程（工程ｏ）、第２の誘電体層６を成膜す
る工程（工程ｐ）、第１の記録層１３を成膜する工程
（工程ｑ）、および第１の誘電体層２を成膜する工程
（工程ｒ）を順次実施し、さらに、第１の誘電体層２の
表面に接着層９を形成する工程、およびダミー基板１１
０を貼り合わせる工程を実施することにより、製造され
る。Then, the information recording medium 29 of the fifth embodiment.
A method of manufacturing the will be described. In the information recording medium 29, the step of forming the second reflective layer 20 on the substrate 101 (step j),
The step of forming the fifth dielectric layer 19 (step k), the step of forming the second recording layer 18 (step l), and the step of forming the fourth dielectric layer 17 (step m). And the step of forming the intermediate layer 16 on the surface of the fourth dielectric layer 17, and then forming the third dielectric layer 15 on the surface of the intermediate layer 16 (step n). , The first reflective layer 14
Film forming step (step o), forming the second dielectric layer 6 (step p), forming the first recording layer 13 (step q), and the first dielectric layer 2 is sequentially performed, and further, a step of forming the adhesive layer 9 on the surface of the first dielectric layer 2 and the dummy substrate 11 are performed.
It is manufactured by carrying out the step of bonding 0.

【０１３８】工程ｊ〜ｍは、第２情報層２２を形成する
工程に相当する。工程ｊは、基板１０１の案内溝が形成
された面に、第２の反射層２０を成膜する工程である。
工程ｊは、実施の形態１の工程ｅと同様にして実施され
る。次に、工程ｋを実施して、第２の反射層２０の表面
に、第５の誘電体層１９を成膜する。工程ｋは、実施の
形態１の工程ｃと同様にして実施される。次に、工程ｌ
を実施して、第５の誘電体層１９の表面に、第２の記録
層１８を成膜する。工程ｌは、実施の形態１の工程ｂと
同様にして実施される。最後に、工程ｍを実施して、第
２の記録層１８の表面に、第４の誘電体層１７を成膜す
る。工程ｍは、実施の形態１の工程ａと同様にして実施
される。Steps j to m correspond to the step of forming the second information layer 22. Step j is a step of forming the second reflective layer 20 on the surface of the substrate 101 on which the guide groove is formed.
Process j is performed in the same manner as process e of the first embodiment. Next, step k is performed to form a fifth dielectric layer 19 on the surface of the second reflective layer 20. Step k is performed in the same manner as step c in the first embodiment. Next, step l
Then, the second recording layer 18 is formed on the surface of the fifth dielectric layer 19. Step l is performed in the same manner as step b of the first embodiment. Finally, step m is performed to form the fourth dielectric layer 17 on the surface of the second recording layer 18. Step m is performed in the same manner as step a in the first embodiment.

【０１３９】工程ｊ〜ｍにより第２情報層２２を形成し
た基板１０１を、スパッタリング装置から取り出し、中
間層１６を形成する。中間層１６は次の手順で形成され
る。まず、第４の誘電体層１７の表面に、紫外線硬化性
樹脂を例えばスピンコートにより塗布する。次に、案内
溝が形成されたポリカーボネート基板の案内溝側を、紫
外線硬化性樹脂に密着させる。その状態で紫外線を照射
して樹脂を硬化させた後、案内溝が形成されたポリカー
ボネート基板を剥離する。それにより、案内溝が紫外線
硬化性樹脂に転写されて、図示するような案内溝を有す
る中間層１６が形成される。別法において、中間層１６
は、第４の誘電体層１７を保護する層を紫外線硬化性樹
脂で形成し、その上に案内溝を有する層を形成すること
により、形成してよい。その場合、得られる中間層は２
層構造である。The substrate 101 on which the second information layer 22 is formed in steps j to m is taken out from the sputtering apparatus, and the intermediate layer 16 is formed. The intermediate layer 16 is formed by the following procedure. First, an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the fourth dielectric layer 17 by, for example, spin coating. Next, the guide groove side of the polycarbonate substrate on which the guide groove is formed is brought into close contact with the ultraviolet curable resin. In that state, ultraviolet rays are irradiated to cure the resin, and then the polycarbonate substrate on which the guide groove is formed is peeled off. Thereby, the guide groove is transferred to the ultraviolet curable resin, and the intermediate layer 16 having the guide groove as shown is formed. Alternatively, the intermediate layer 16
May be formed by forming a layer for protecting the fourth dielectric layer 17 with an ultraviolet curable resin and forming a layer having a guide groove thereon. In that case, the resulting intermediate layer is 2
It is a layered structure.

【０１４０】中間層１６まで形成した基板１０１を再び
スパッタリング装置に配置して、中間層１６の表面に第
１情報層２１を形成する。第１情報層２１を形成する工
程は、工程ｎ〜ｒに相当する。The substrate 101 on which the intermediate layer 16 has been formed is placed again in the sputtering apparatus to form the first information layer 21 on the surface of the intermediate layer 16. The step of forming the first information layer 21 corresponds to steps n to r.

【０１４１】工程ｎは、中間層１６の案内溝を有する面
に、第３の誘電体層１５を成膜する工程である。工程ｎ
においては、高周波電源を使用し、ＴｉＯ2またはＣｒ2
Ｏ3から成るスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒ
ガス雰囲気中またはＡｒガスとＯ2ガスの混合ガス雰囲
気中で、スパッタリングを実施する。あるいは、工程ｎ
においては、ＺｒＯ2およびＣｒ2Ｏ3の混合物から成る
スパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中
で、スパッタリングを実施してよい。あるいは、工程ｎ
においては、ＴｉまたはＣｒから成るスパッタリングタ
ーゲットを用いて、ＡｒガスとＯ2ガスの混合ガス雰囲
気中にて反応性スパッタリングを実施してよい。Step n is a step of forming the third dielectric layer 15 on the surface of the intermediate layer 16 having the guide groove. Process n
In the case of using a high frequency power source, TiO 2 or Cr 2
Ar using a sputtering target composed of O 3
Sputtering is performed in a gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and O 2 gas. Alternatively, step n
In, the sputtering may be performed in an Ar gas atmosphere using a sputtering target made of a mixture of ZrO 2 and Cr 2 O 3 . Alternatively, step n
In the above, reactive sputtering may be performed in a mixed gas atmosphere of Ar gas and O 2 gas using a sputtering target made of Ti or Cr.

【０１４２】次に、工程ｏを実施して、第３の誘電体層
１５の表面に第１の反射層１４を成膜する。工程ｏにお
いては、直流電源を使用し、Ａｇを含む合金のスパッタ
リングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中でスパッ
タリングを実施する。工程ｐを実施する前に、工程ｎを
再度実施してもよい。これは、第１の反射層１４がＡｇ
等、Ｓと反応する元素を含む場合に、その反応を防止す
る層を形成する工程に相当する。Next, step o is carried out to form the first reflective layer 14 on the surface of the third dielectric layer 15. In step o, sputtering is carried out in an Ar gas atmosphere using a DC power supply and a sputtering target of an alloy containing Ag. The step n may be performed again before the step p is performed. This is because the first reflective layer 14 is Ag
In the case where an element that reacts with S is included, the step corresponds to the step of forming a layer that prevents the reaction.

【０１４３】次に、工程ｐを実施して、第１の反射層１
４の表面に第２の誘電体層６を成膜する。工程ｐは、工
程ｋと同様にして実施される。Next, step p is carried out to carry out the first reflection layer 1
A second dielectric layer 6 is deposited on the surface of 4. Step p is performed in the same manner as step k.

【０１４４】次に、工程ｑを実施して、第２の誘電体層
６の表面に第１の記録層１３を成膜する。工程ｑにおい
ては、直流電源を使用し、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、およびＧｅ−Ｓｎ−
Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅから選択されるいずれか１つの材料を
含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲
気中またはＡｒガスとＮ2ガスの混合ガス雰囲気中でス
パッタリングを実施する。Next, step q is carried out to form the first recording layer 13 on the surface of the second dielectric layer 6. In step q, a DC power supply is used, and Ge-Sb-Te, Ge-S is used.
n-Sb-Te, Ge-Bi-Te, Ge-Sn-Bi
-Te, Ge-Sb-Bi-Te, and Ge-Sn-
Sputtering is performed in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar gas and N 2 gas using a sputtering target containing any one material selected from Sb-Bi-Te.

【０１４５】次に、工程ｒを実施して、第１の記録層１
３の表面に第１の誘電体層２を成膜する。工程ｒは工程
ｍと同様にして実施される。このように、工程ｎ〜ｒを
順次実施して、第１情報層２１を形成する。Next, step r is carried out to carry out the first recording layer 1
The first dielectric layer 2 is deposited on the surface of 3. Step r is performed in the same manner as step m. Thus, steps n to r are sequentially performed to form the first information layer 21.

【０１４６】第１情報層２１まで形成した基板１０１を
スパッタリング装置から取り出す。それから、第１の誘
電体層２の表面に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコ
ート法により塗布する。塗布した紫外線硬化性樹脂に、
ダミー基板１１０を密着させて、紫外線をダミー基板１
１０側から照射して樹脂を硬化させ、貼り合わせ工程を
終了させる。実施の形態５の情報記録媒体の製造方法に
おいても、実施の形態４の情報記録媒体の製造方法と同
様にして、ダミー基板１１０を貼り合わせる工程を省略
することもできる。The substrate 101 on which the first information layer 21 has been formed is taken out from the sputtering apparatus. Then, an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the first dielectric layer 2 by, for example, a spin coating method. To the applied UV curable resin,
The dummy substrate 110 is brought into close contact with the dummy substrate 1 so that ultraviolet rays can be emitted from the dummy substrate 1.
Irradiation is performed from the 10 side to cure the resin, and the bonding step is completed. Also in the method of manufacturing the information recording medium of the fifth embodiment, the step of attaching the dummy substrate 110 can be omitted in the same manner as the method of manufacturing the information recording medium of the fourth embodiment.

【０１４７】貼り合わせ工程が終了した後は、必要に応
じて、第２情報層２２および第１情報層２１の初期化工
程を実施する。初期化工程は、中間層を形成する前もし
くは後に、第２情報層２２について実施し、ダミー基板
１１０の貼り合わせ工程の前もしくは後に、第１情報層
２１について実施してよい。初期化工程を実施する方法
は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。After the bonding process is completed, the initialization process of the second information layer 22 and the first information layer 21 is carried out if necessary. The initialization step may be performed on the second information layer 22 before or after forming the intermediate layer, and may be performed on the first information layer 21 before or after the step of attaching the dummy substrate 110. The method of performing the initialization step is as described in relation to the first embodiment.

【０１４８】（実施の形態６）本発明の実施の形態６と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図６に、そ
の光情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 6) As Embodiment 6 of the present invention, still another example of an information recording medium for recording and reproducing information using laser light will be described. FIG. 6 shows a partial cross section of the optical information recording medium.

【０１４９】図６に示す情報記録媒体３０は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層１０２、第１の界面層
３、記録層４、第２の界面層５、第２の誘電体層１０
６、光吸収補正層７、および反射層８がこの順に形成さ
れ、さらに接着層９でダミー基板１０が接着された構成
を有する。図６に示す情報記録媒体３０においては、第
１および第２の界面層３および５を、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料層としている。その他、図６において、図１で
使用した符号と同じ符号は、同じ要素を表し、図１を参
照して説明した材料および方法で形成されるものであ
る。したがって、図１を参照して既に説明した要素につ
いては、その詳細な説明を省略する。The information recording medium 30 shown in FIG. 6 has a first dielectric layer 102, a first interface layer 3, a recording layer 4, a second interface layer 5, and a second interface layer on one surface of a substrate 1. Dielectric layer 10
6, the light absorption correction layer 7, and the reflection layer 8 are formed in this order, and the dummy substrate 10 is further adhered by the adhesive layer 9. In the information recording medium 30 shown in FIG. 6, the first and second interface layers 3 and 5 are made of Zr-Zn-S-.
It is an O-based material layer. 6, the same reference numerals as those used in FIG. 1 represent the same elements and are formed by the materials and the methods described with reference to FIG. Therefore, detailed description of the elements already described with reference to FIG. 1 will be omitted.

【０１５０】この形態の情報記録媒体は、第１および第
２の誘電体層１０２および１０６を、従来の情報記録媒
体で使用されていたＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形
成した構成に相当する。このような構成において、Ｚｒ
−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層は、第１および第２の界面層３
および５として使用できる。第１および第２の界面層３
および５の好ましい材料は、実施の形態１の第１および
第２の誘電体層２および６のそれと同じである。したが
って、それらについての詳細な説明は省略する。第１お
よび第２の界面層３および５の厚さは、記録消去性能に
影響を与えないように、１〜１０ｎｍであることが好ま
しく、約２〜７ｎｍであることがより好ましい。Ｚｒ−
Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層である界面層は、従来のＧｅを含
む窒化物から成る界面層と比較して、材料コストが安価
である、消衰係数が小さい（透明性が高い）、ならびに
融点が高く熱的に安定であるといった利点を有する。The information recording medium of this embodiment corresponds to a structure in which the first and second dielectric layers 102 and 106 are made of ZnS-20 mol% SiO 2 used in the conventional information recording medium. In such a configuration, Zr
The —Zn—S—O-based material layer includes the first and second interface layers 3
And 5 can be used. First and second interface layer 3
The preferred materials for and 5 are the same as those for the first and second dielectric layers 2 and 6 of the first embodiment. Therefore, detailed description thereof will be omitted. The thickness of the first and second interface layers 3 and 5 is preferably 1 to 10 nm, and more preferably about 2 to 7 nm so as not to affect the recording / erasing performance. Zr-
The interface layer, which is a Zn—S—O-based material layer, has a lower material cost, a smaller extinction coefficient (higher transparency), and a lower interface cost than a conventional interface layer made of a nitride containing Ge. It has an advantage that it has a high melting point and is thermally stable.

【０１５１】続いて、実施の形態６の情報記録媒体３０
を製造する方法を説明する。情報記録媒体３０は、基板
１の案内溝が形成された面に第１の誘電体層１０２を成
膜する工程（工程ｈ）、第１の界面層３を成膜する工程
（工程ｓ）、記録層４を成膜する工程（工程ｂ）、第２
の界面層５を成膜する工程（工程ｔ）、第２の誘電体層
１０６を成膜する工程（工程ｇ）、光吸収補正層７を成
膜する工程（工程ｄ）および反射層８を成膜する工程
（工程ｅ）を順次実施し、さらに反射層８の表面に接着
層９を形成する工程、およびダミー基板１０を貼り合わ
せる工程を実施することにより、製造される。工程ｂ、
ｄおよびｅは、実施の形態１に関連して説明したとおり
であり、工程ｇは実施の形態２に関連して説明したとお
りであり、工程ｈは実施の形態３に関連して説明したと
おりであるから、ここでは、その説明を省略する。Next, the information recording medium 30 of the sixth embodiment.
A method of manufacturing the will be described. In the information recording medium 30, a step of forming the first dielectric layer 102 on the surface of the substrate 1 in which the guide groove is formed (step h), a step of forming the first interface layer 3 (step s), Second step of forming the recording layer 4 (step b)
The step of forming the interface layer 5 (step t), the step of forming the second dielectric layer 106 (step g), the step of forming the light absorption correction layer 7 (step d), and the reflection layer 8 It is manufactured by sequentially performing the step of forming a film (step e), further forming the adhesive layer 9 on the surface of the reflective layer 8, and adhering the dummy substrate 10. Step b,
d and e are as described in connection with the first embodiment, step g is as described in connection with the second embodiment, and step h is as described in connection with the third embodiment. Therefore, the description thereof is omitted here.

【０１５２】工程ｓは、第１の誘電体層１０２の表面に
第１の界面層３を成膜する工程である。工程ｓは、実施
の形態１の工程ａと同様にして実施される。工程ｔは、
記録層４の表面に第２の界面層５を成膜する工程であ
る。工程ｔは、実施の形態１の工程ｃと同様にして実施
される。Step s is a step of forming the first interface layer 3 on the surface of the first dielectric layer 102. Step s is performed in the same manner as step a in the first embodiment. Step t is
It is a step of forming the second interface layer 5 on the surface of the recording layer 4. Step t is performed in the same manner as step c in the first embodiment.

【０１５３】以上、図１〜図６を参照して、本発明の情
報記録媒体の実施形態として、レーザ光で記録再生する
光情報記録媒体を説明した。本発明の光情報記録媒体は
これらの形態に限定されない。本発明の光情報記録媒体
は、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を、構成層の１つとし
て、好ましくは記録層と接するように設ける限りにおい
て、任意の形態をとりうる。また、本発明の光情報記録
媒体は、種々の波長で記録するのに適している。したが
って、本発明の光情報記録媒体は、例えば、波長６３０
〜６８０ｎｍのレーザ光で記録再生するＤＶＤ−ＲＡＭ
またはＤＶＤ−Ｒ、および波長４００〜４５０ｎｍのレ
ーザ光で記録再生する大容量光ディスク等であってよ
い。As described above, with reference to FIGS. 1 to 6, an optical information recording medium for recording / reproducing with a laser beam has been described as an embodiment of the information recording medium of the present invention. The optical information recording medium of the present invention is not limited to these forms. The optical information recording medium of the present invention can take any form as long as the Zr—Zn—S—O-based material layer is provided as one of the constituent layers, preferably in contact with the recording layer. Further, the optical information recording medium of the present invention is suitable for recording at various wavelengths. Therefore, the optical information recording medium of the present invention has, for example, a wavelength of 630.
DVD-RAM for recording / reproducing with laser light up to 680 nm
Alternatively, it may be a DVD-R, a large-capacity optical disc that records and reproduces with a laser beam having a wavelength of 400 to 450 nm, or the like.

【０１５４】（実施の形態７）本発明の実施の形態７と
して、電気的エネルギーを印加して情報の記録および再
生を実施する情報記録媒体の一例を示す。図７に、その
情報記録媒体の一部断面を示す。(Embodiment 7) As Embodiment 7 of the present invention, an example of an information recording medium for recording and reproducing information by applying electric energy will be shown. FIG. 7 shows a partial cross section of the information recording medium.

【０１５５】図７は、基板２０１の表面に、下部電極２
０２、記録部２０３および上部電極２０４がこの順に形
成されたメモリ２０７である。メモリ２０７の記録部２
０３は、円柱状の記録層２０５および記録層２０５を取
り囲む誘電体層２０６を含む構成を有する。先に図１〜
図６を参照して説明した光情報記録媒体とは異なり、こ
の形態のメモリ２０７においては、記録層２０５および
誘電体層２０６は、同一面上に形成され、それらは積層
された関係にない。しかし、記録層２０５および誘電体
層２０６はともに、メモリ２０７においては、基板２０
１、下部および上部電極２０２および２０４を含む積層
体の一部を構成しているから、それぞれ「層」と呼び得
るものである。したがって、本発明の情報記録媒体に
は、記録層と誘電体層が同一面上にある形態のものも含
まれる。In FIG. 7, the lower electrode 2 is formed on the surface of the substrate 201.
02, the recording portion 203, and the upper electrode 204 are the memory 207 formed in this order. Recording unit 2 of memory 207
03 has a structure including a cylindrical recording layer 205 and a dielectric layer 206 surrounding the recording layer 205. Figure 1
Unlike the optical information recording medium described with reference to FIG. 6, in the memory 207 of this form, the recording layer 205 and the dielectric layer 206 are formed on the same surface, and they are not in a laminated relationship. However, in the memory 207, both the recording layer 205 and the dielectric layer 206 are included in the substrate 20.
Since they constitute a part of the laminated body including the first, lower and upper electrodes 202 and 204, they can be called “layers”. Therefore, the information recording medium of the present invention includes a recording layer and a dielectric layer on the same surface.

【０１５６】基板２０１として、具体的には、Ｓｉ基板
などの半導体基板、またはポリカーボネート基板、Ｓｉ
Ｏ２基板およびＡｌ２Ｏ３基板などの絶縁性基板を、基
板２０１として使用できる。下部電極２０２および上部
電極２０４は、適当な導電材料で形成される。下部電極
２０２および上部電極２０４は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、ＷおよびＣｒならびにこれらの混合
物のような金属をスパッタリングすることにより形成さ
れる。As the substrate 201, specifically, a semiconductor substrate such as a Si substrate, a polycarbonate substrate, or a Si substrate is used.
An insulating substrate such as an O 2 substrate and an Al 2 O 3 substrate can be used as the substrate 201. The lower electrode 202 and the upper electrode 204 are formed of a suitable conductive material. The lower electrode 202 and the upper electrode 204 are, for example, Au, Ag,
It is formed by sputtering metals such as Pt, Al, Ti, W and Cr and mixtures thereof.

【０１５７】記録部２０３を構成する記録層２０５は、
電気的エネルギーを印加することによって、相変化する
材料から成り、相変化部と称することもできる。記録層
２０５は、電気的エネルギーを印加することによって生
じるジュール熱によって、結晶相と非晶質相との間で相
変化する材料で形成される。記録層２０５の材料として
は、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｂｉ−ＴｅおよびＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅ系材料が使用され、より具体的には、ＧｅＴｅ−Ｓｂ
２Ｔｅ３系又はＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３系材料が使用さ
れる。The recording layer 205 constituting the recording section 203 is
It is made of a material that undergoes a phase change by applying electric energy, and can also be called a phase change portion. The recording layer 205 is formed of a material that undergoes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase due to Joule heat generated by applying electric energy. Examples of the material of the recording layer 205 include Ge-Sb-Te and Ge-Sn-Sb-T.
e, Ge-Bi-Te, Ge-Sn-Bi-Te, Ge
-Sb-Bi-Te and Ge-Sn-Sb-Bi-T
An e-based material is used, and more specifically, GeTe-Sb
2 Te 3 based or GeTe—Bi 2 Te 3 based materials are used.

【０１５８】記録部２０３を構成する誘電体層２０６
は、上部電極２０４および下部電極２０２との間に電圧
を印加することによって、記録層２０５に流れた電流が
周辺部に逃げることを防止し、記録層２０５を電気的お
よび熱的に絶縁する機能を有する。したがって、誘電体
層２０６は、断熱部と称することもできる。誘電体層２
０６は、Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層であり、具体的に
は、上記式（１）、（１１）、（２）、（２１）または
（２２）で表される材料から実質的に成る層である。Ｚ
ｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層は、高融点であること、加熱
された場合でも材料層中の原子が拡散しにくいこと、な
らびに熱伝導率が低いことから、好ましく用いられる。Dielectric layer 206 constituting recording section 203
Has a function of preventing a current flowing in the recording layer 205 from escaping to the peripheral portion by applying a voltage between the upper electrode 204 and the lower electrode 202, and electrically and thermally insulating the recording layer 205. Have. Therefore, the dielectric layer 206 can also be referred to as a heat insulating portion. Dielectric layer 2
06 is a Zr-Zn-S-O-based material layer, and specifically, is substantially made of a material represented by the above formula (1), (11), (2), (21) or (22). Is a layer. Z
The r-Zn-S-O-based material layer is preferably used because it has a high melting point, atoms in the material layer do not easily diffuse even when heated, and the thermal conductivity is low.

【０１５９】このメモリ２０７については、後述の実施
例において、その作動方法とともにさらに説明する。This memory 207 will be further described together with its operating method in the embodiments described later.

【０１６０】[0160]

【実施例】（実施例１）実施例１では、本発明を完成す
るに至るまでの予備試験として、実施の形態１にて図１
を参照しながら上述した情報記録媒体２５と同様の構造
を有し、第１の誘電体層および第２の誘電体層が互いに
同じ組成を有する材料から成る情報記録媒体を、これら
誘電体層の材料を表１に示すように種々変化させて作製
した。EXAMPLES Example 1 In Example 1, as a preliminary test until completion of the present invention, FIG.
The information recording medium having the same structure as that of the information recording medium 25 described above with reference to the above, and the first dielectric layer and the second dielectric layer are made of materials having the same composition, The materials were prepared by various changes as shown in Table 1.

【０１６１】以下、情報記録媒体の作製方法について説
明するが、理解を容易にするために、各構成要素の参照
番号として図１の情報記録媒体２５における構成要素と
同じ番号を用いるものとする（尚、後述の実施例の情報
記録媒体についてもこれと同様に、対応する情報記録媒
体における構成要素と同じ番号を用いるものとする）。Hereinafter, a method of manufacturing the information recording medium will be described. For ease of understanding, the same reference numerals as those of the constituent elements of the information recording medium 25 of FIG. It is to be noted that the same numbers are used for the information recording mediums of the examples described later as well as the components of the corresponding information recording mediums).

【０１６２】まず、基板１として、深さ５６ｎｍ、トラ
ックピッチ（基板の主面に平行な面内におけるグルーブ
表面およびランド表面の中心間距離）０．６１５μｍの
案内溝が片側表面に予め設けられた、直径１２０ｍｍ、
厚み０．６ｍｍの円形のポリカーボネート基板を準備し
た。First, as the substrate 1, a guide groove having a depth of 56 nm and a track pitch (center-to-center distance between groove surface and land surface in a plane parallel to the main surface of the substrate) of 0.615 μm was previously provided on one surface. , Diameter 120 mm,
A circular polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm was prepared.

【０１６３】この基板１の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を１５０ｎｍの
厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）の記録層
４を９ｎｍの厚さで、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍ
ｏｌ％）の第２の誘電体層６を５０ｎｍの厚さで、Ｇｅ
80Ｃｒ20（原子％）の光吸収補正層７を４０ｎｍの厚さ
で、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層８を８０ｎｍの厚さで、
スパッタリング法により以下のようにして順次成膜し
た。On this substrate 1, (ZnS) 80 (SiO 2
2 ) 20 (mol%) of the first dielectric layer 2 having a thickness of 150 nm, Ge 27 Sn 8 Sb 12 Te 53 (atomic%) of the recording layer 4 having a thickness of 9 nm, and (ZnS) 80 ( SiO 2 ) 20 (m
ol%) second dielectric layer 6 with a thickness of 50 nm and Ge
The light absorption correction layer 7 of 80 Cr 20 (atomic%) has a thickness of 40 nm, and the reflection layer 8 of Ag-Pd-Cu has a thickness of 80 nm.
Films were sequentially formed by the sputtering method as follows.

【０１６４】第１の誘電体層２を成膜する工程において
は、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の組成を
有するスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚
み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー４００Ｗで、
Ａｒガス（９７％）とＯ2ガス（３％）との混合ガスを
導入して高周波スパッタリングを行った。スパッタ時の
圧力は約０．１３Ｐａとした。In the step of forming the first dielectric layer 2, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) having a composition of (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) was attached to the film forming apparatus. With a power of 400W,
High frequency sputtering was performed by introducing a mixed gas of Ar gas (97%) and O 2 gas (3%). The pressure during sputtering was about 0.13 Pa.

【０１６５】記録層４を成膜する工程においては、Ｇｅ
Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系組成のＧｅの一部をＳｎで置
換したＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタ
リングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成
膜装置に取り付け、パワー１００Ｗで、Ａｒガス（９７
％）とＮ2ガス（３％）との混合ガスを導入して直流ス
パッタリングを行った。スパッタ時の圧力は約０．１３
Ｐａとした。In the step of forming the recording layer 4, Ge is used.
Te-Sb 2 Te 3 pseudo-binary system a portion of the Ge composition consisting Ge-Sn-Sb-Te-based material obtained by substituting Sn sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6mm) mounting the film forming apparatus, power 100W Then, Ar gas (97
%) And N 2 gas (3%) were introduced to perform DC sputtering. The pressure during sputtering is about 0.13
It was Pa.

【０１６６】第２の誘電体層６を成膜する工程は、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層６が実質的に同じ組
成を有するように、層厚さを変えたこと以外は上記の第
１の誘電体層２を成膜する工程と同様にして、実施し
た。The step of forming the second dielectric layer 6 includes the first step.
Of the first dielectric layer 2 except that the layer thickness is changed so that the dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 have substantially the same composition. It was carried out.

【０１６７】光吸収補正層７を成膜する工程において
は、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の組成を有する材料から成
るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６
ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー３００Ｗで、Ａｒ
ガス（１００％）を導入して直流スパッタリングを行っ
た。スパッタ時の圧力は約０．４Ｐａとした。In the step of forming the light absorption correction layer 7, a sputtering target (diameter: 100 mm, thickness: 6) made of a material having a composition of Ge 80 Cr 20 (atomic%).
(mm) is attached to the film forming apparatus, and the power is 300 W, and Ar is
Gas (100%) was introduced to perform DC sputtering. The pressure during sputtering was about 0.4 Pa.

【０１６８】反射層８を成膜する工程においては、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｃｕの組成を有する材料から成るスパッタリン
グターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装
置に取り付け、パワー２００Ｗで、Ａｒガス（１００
％）を導入して直流スパッタリングを行った。スパッタ
時の圧力は約０．４Ｐａとした。In the step of forming the reflective layer 8, Ag is used.
A sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of —Pd—Cu was attached to a film forming apparatus, and a power of 200 W and an Ar gas (100
%) Was introduced and DC sputtering was performed. The pressure during sputtering was about 0.4 Pa.

【０１６９】以上のようにして基板１の上に第１の誘電
体層２、記録層４、第２の誘電体層６、光吸収補正層７
および反射層８を順次成膜して積層体を形成した後、紫
外線硬化性樹脂を反射層８の上に塗布し、塗布した紫外
線硬化性樹脂の上に、ダミー基板１０として直径１２０
ｍｍ、厚み０．６ｍｍの円形のポリカーボネート基板を
密着させた。そして、ダミー基板１０の側から紫外線を
照射して樹脂を硬化させた。これにより、硬化した樹脂
から成る接着層９が３０μｍの厚さで形成され、ダミー
基板１０を接着層９を介して積層体に貼り合わせた。As described above, the first dielectric layer 2, the recording layer 4, the second dielectric layer 6, and the light absorption correction layer 7 are formed on the substrate 1.
The reflective layer 8 and the reflective layer 8 are sequentially formed to form a laminated body, and then an ultraviolet curable resin is applied onto the reflective layer 8, and a diameter 120 is formed as a dummy substrate 10 on the applied ultraviolet curable resin.
A circular polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm and a thickness of 0.6 mm was closely attached. Then, the resin was cured by irradiating ultraviolet rays from the dummy substrate 10 side. As a result, the adhesive layer 9 made of the cured resin was formed to a thickness of 30 μm, and the dummy substrate 10 was attached to the laminated body via the adhesive layer 9.

【０１７０】貼り合わせ後、初期化工程として、波長８
１０ｎｍの半導体レーザを使って、情報記録媒体２５の
記録層４を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領域内で
ほぼ全面に亘って結晶化させた。これにより初期化工程
が終了し、サンプル番号１−１の情報記録媒体２５の作
製が完了した。After the bonding, the wavelength 8 is used as an initialization process.
Using a 10 nm semiconductor laser, the recording layer 4 of the information recording medium 25 was crystallized over almost the entire area within an annular region having a radius of 22 to 60 mm. As a result, the initialization process was completed, and the production of the information recording medium 25 of sample number 1-1 was completed.

【０１７１】さらに、第１の誘電体層２および第２の誘
電体層６の材料が表１に示す材料から成る点を除いてサ
ンプル番号１−１の情報記録媒体２５と同様の構成を有
する、サンプル番号１−２〜１−１２の情報記録媒体２
５を作製した。これら情報記録媒体２５は、第１の誘電
体層および第２の誘電体層の成膜工程を変更した点を除
いて、上記のサンプル番号１−１の情報記録媒体２５の
場合と同様にして作製した。Further, it has the same structure as the information recording medium 25 of sample number 1-1, except that the materials of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 are the materials shown in Table 1. , Information recording medium 2 of sample numbers 1-2 to 1-12
5 was produced. The information recording medium 25 is the same as the information recording medium 25 of the sample number 1-1, except that the film forming steps of the first dielectric layer and the second dielectric layer are changed. It was made.

【０１７２】サンプル番号１−２〜１−１２の情報記録
媒体２５を作製するために、第１の誘電体層２および第
２の誘電体層６の成膜工程において、ＳｉＯ2、Ｚｎ
Ｓ、（ＺｎＳｅ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｒＯ2、（ＺｒＯ2）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ
％）、ＺｒＳｉＯ4、Ｇｅ90Ｃｒ10（原子％）、（Ｂｉ2
Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、ＴｅＯ2、および
（ＴｅＯ2）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の組成を有す
る材料から成るスパッタリングターゲット（いずれも直
径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）をそれぞれ用いた。In order to manufacture the information recording medium 25 of sample numbers 1-2 to 1-12, in the film forming process of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6, SiO 2 , Zn
S, (ZnSe) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%), Zn
Se, ZrO 2 , (ZrO 2 ) 80 (SiO 2 ) 20 (mol
%), ZrSiO 4 , Ge 90 Cr 10 (atomic%), (Bi 2
Sputtering target made of a material having a composition of O 3 ) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%), TeO 2 and (TeO 2 ) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) (all having a diameter of 100 mm and a thickness of 6 mm) Were used respectively.

【０１７３】また、パワーは、スパッタリングターゲッ
トとして用いる材料の融点等に応じて調節し、具体的に
は、サンプル番号１−２については１ｋＷ、サンプル番
号１−３〜１−５についてはサンプル番号１−１と同じ
く４００Ｗ、サンプル番号１−６〜１−８については５
００Ｗ、サンプル番号１−９については３００Ｗ、サン
プル番号１−１０〜１−１２については２００Ｗとし
た。スパッタ時の圧力は、サンプル番号１−９で約１．
３３Ｐａとしたが、その他のサンプルではサンプル番号
１−１と同じく約０．１３Ｐａとした。成膜装置に導入
するガスには、サンプル番号１−２および１−１０〜１
−１２についてはサンプル番号１−１と同じくＡｒガス
（９７％）とＯ2ガス（３％）との混合ガスを用い、サ
ンプル番号１−３〜１−８についてはＡｒガス（１００
％）を用い、サンプル番号１−９については、Ａｒガス
（６０％）とＮ2ガス（４０％）との混合ガスを用い
た。The power is adjusted according to the melting point of the material used as the sputtering target. Specifically, the sample number 1-2 is 1 kW, and the sample numbers 1-3 to 1-5 are sample number 1 Same as -1, 400W, 5 for sample numbers 1-6 to 1-8
00W, 300W for sample numbers 1-9, and 200W for sample numbers 1-10 to 1-12. The pressure during sputtering was about 1.
Although it was set to 33 Pa, it was set to about 0.13 Pa in other samples as in the case of sample number 1-1. Sample numbers 1-2 and 1-10-1 were used for the gas introduced into the film forming apparatus.
For -12, a mixed gas of Ar gas (97%) and O 2 gas (3%) was used similarly to sample number 1-1, and for sample numbers 1-3 to 1-8, Ar gas (100%) was used.
%) Was used, and for sample numbers 1-9, a mixed gas of Ar gas (60%) and N 2 gas (40%) was used.

【０１７４】尚、第１および第２の誘電体層の成膜工程
において、サンプル番号１−９の情報記録媒体の場合に
は混合ガス中のＮ２がスパッタリングターゲットからス
パッタされたＧｅおよびＣｒと反応してＧｅ−Ｃｒ−Ｎ
の誘電体層を形成した。他のサンプルの場合には、成膜
された誘電体層は、用いたスパッタリングターゲットと
実質的に同じ組成を有するであろうと考えた。In the step of forming the first and second dielectric layers, in the case of the information recording medium of sample number 1-9, N 2 in the mixed gas was mixed with Ge and Cr sputtered from the sputtering target. Reacts with Ge-Cr-N
Of the dielectric layer was formed. In the case of other samples, it was believed that the deposited dielectric layer would have substantially the same composition as the sputtering target used.

【０１７５】加えて、比較のために、図９に示すよう
な、第１の誘電体層１０２と記録層４との間および第２
の誘電体層１０６と記録層４との間に、第１の界面層１
０３および第２の界面層１０５をそれぞれ備える従来の
構成の情報記録媒体３１を作製した。第１の界面層１０
３および第２の界面層１０５はいずれもＧｅ−Ｃｒ−Ｎ
から成り、厚さ５ｎｍで形成した。In addition, for comparison, as shown in FIG. 9, between the first dielectric layer 102 and the recording layer 4 and the second dielectric layer 102.
Between the dielectric layer 106 and the recording layer 4 of the first interfacial layer 1
03 and the second interface layer 105, an information recording medium 31 having a conventional structure was produced. First interface layer 10
3 and the second interface layer 105 are both Ge-Cr-N
And has a thickness of 5 nm.

【０１７６】この従来構成の情報記録媒体３１は、第１
の界面層１０３および第２の界面層１０５を成膜した点
を除いてサンプル番号１−１の情報記録媒体と同様の作
製条件により作製した。第１の界面層１０３の成膜工程
においては、Ｇｅ90Ｃｒ10（原子％）の組成を有する材
料から成るスパッタリングターゲット（直径１００ｍ
ｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー３００
Ｗで、Ａｒガス（６０％）とＮ２ガス（４０％）との混
合ガスを導入して、約１．３３Ｐａの圧力下、高周波ス
パッタリングを行った。この結果、混合ガス中のＮ２が
スパッタリングターゲットからスパッタされたＧｅおよ
びＣｒと反応してＧｅ−Ｃｒ−Ｎの第１の界面層１０３
を形成した。第２の界面層１０５の成膜工程もこれと同
様の条件で実施した。The information recording medium 31 of this conventional structure is the first
The information recording medium was manufactured under the same conditions as those of the information recording medium of Sample No. 1-1 except that the interface layer 103 and the second interface layer 105 were formed. In the film forming process of the first interface layer 103, a sputtering target (diameter 100 m) made of a material having a composition of Ge 90 Cr 10 (atomic%) is used.
m, thickness 6 mm) is attached to the film forming apparatus and the power is 300
With W, a mixed gas of Ar gas (60%) and N 2 gas (40%) was introduced, and high frequency sputtering was performed under a pressure of about 1.33 Pa. As a result, N 2 in the mixed gas reacts with Ge and Cr sputtered from the sputtering target to cause the Ge-Cr-N first interface layer 103.
Was formed. The film forming process of the second interface layer 105 was also performed under the same conditions.

【０１７７】以上のようにして得られたサンプル番号１
−１〜１−１２の情報記録媒体２５および比較例（従来
構成）の情報記録媒体３１について、誘電体層の密着性
および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価し
た。後述するように、密着性は剥離の有無により、繰り
返し書き換え性能は繰り返し回数により評価した。これ
らの結果を、繰り返し書き換え性能の評価の際に求めた
ピークパワー（Ｐｐ）と共に表１に示す。尚、サンプル
番号１−１〜１−１２の情報記録媒体２５および比較例
の情報記録媒体３１はいずれも本発明の範囲に属するも
のでない。Sample No. 1 obtained as described above
With respect to the information recording media 25 of -1 to 1-12 and the information recording medium 31 of the comparative example (conventional structure), the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated. As described later, the adhesiveness was evaluated by the presence or absence of peeling, and the rewriting performance was evaluated by the number of repetitions. These results are shown in Table 1 together with the peak power (Pp) obtained at the time of evaluating the rewriting performance. Note that neither the information recording medium 25 of sample numbers 1-1 to 1-12 nor the information recording medium 31 of the comparative example belong to the scope of the present invention.

【０１７８】情報記録媒体２５における誘電体層の密着
性の評価は、高温高湿条件下での剥離の有無に基づいて
行った。具体的には、初期化工程後の情報記録媒体２５
を、温度９０℃で相対湿度８０％の高温高湿槽に１００
時間放置した後、記録層とこれに接する誘電体層の間、
より詳細には記録層４と第１の誘電体層２および第２の
誘電体層６の少なくとも一方との間で剥離が発生してい
ないか、光学顕微鏡を使って目視で調べた。もちろん、
剥離の無いものが密着性の評価が高く、剥離の有るもの
は密着性の評価が低い。The adhesion of the dielectric layer on the information recording medium 25 was evaluated based on the presence or absence of peeling under high temperature and high humidity conditions. Specifically, the information recording medium 25 after the initialization process
In a high temperature and high humidity tank with a temperature of 90 ° C and a relative humidity of 80%.
After leaving for a while, between the recording layer and the dielectric layer in contact with it,
More specifically, it was visually examined using an optical microscope whether peeling occurred between the recording layer 4 and at least one of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6. of course,
Those without peeling have a high evaluation of adhesion, and those with peeling have a low evaluation of adhesion.

【０１７９】また、情報記録媒体２５の繰り返し書き換
え性能の評価は、繰り返し回数を指標として行い、繰り
返し回数は以下の条件で決定した。Further, the repetitive rewriting performance of the information recording medium 25 was evaluated using the number of times of repetition as an index, and the number of times of repetition was determined under the following conditions.

【０１８０】情報記録媒体２５に情報を記録するため
に、情報記録媒体２５を回転させるスピンドルモータ
と、レーザ光１２を発する半導体レーザを備えた光学ヘ
ッドと、レーザ光１２を情報記録媒体２５の記録層４上
に集光させる対物レンズとを具備した一般的な構成の情
報記録システムを用いた。情報記録媒体２５の評価にお
いては、波長６６０ｎｍの半導体レーザと開口数０．６
の対物レンズを使用し、４．７ＧＢ容量相当の記録を行
った。情報記録媒体２５を回転させる線速度は８．２ｍ
／秒とした。また、後述の平均ジッタ値を求める際のジ
ッタ値の測定には、タイムインターバルアナライザーを
用いた。In order to record information on the information recording medium 25, a spindle motor for rotating the information recording medium 25, an optical head provided with a semiconductor laser for emitting the laser beam 12, and recording the laser beam 12 on the information recording medium 25. An information recording system having a general configuration including an objective lens for focusing light on the layer 4 was used. In the evaluation of the information recording medium 25, a semiconductor laser with a wavelength of 660 nm and a numerical aperture of 0.6
Using the objective lens of, the recording corresponding to the capacity of 4.7 GB was performed. The linear velocity for rotating the information recording medium 25 is 8.2 m.
/ Sec. A time interval analyzer was used for measuring the jitter value when obtaining the average jitter value described later.

【０１８１】まず、繰り返し回数を決定する際の測定条
件を決めるために、ピークパワー（Ｐｐ）およびバイア
スパワー（Ｐｂ）を以下の手順で設定した。上記のシス
テムを用いて、レーザ光１２を、高パワーレベルのピー
クパワー（ｍＷ）と低パワーレベルのバイアスパワー
（ｍＷ）との間でパワー変調しながら情報記録媒体２５
に向けて照射して、マーク長０．４２μｍ（３Ｔ）〜
１．９６μｍ（１４Ｔ）のランダム信号を（グルーブ記
録により）記録層４の同一のグルーブ表面に１０回記録
した。そして、前端間のジッタ値および後端間のジッタ
値を測定し、これらの平均値として平均ジッタ値を求め
た。バイアスパワーを一定の値に固定し、ピークパワー
を種々変化させた各記録条件について平均ジッタ値を測
定し、ピークパワーを徐々に増加させて、ランダム信号
の平均ジッタ値が１３％に達したときのピークパワーの
１．３倍のパワーを仮にＰｐ１と決めた。次に、ピーク
パワーをＰｐ１に固定し、バイアスパワーを種々変化さ
せた各記録条件について平均ジッタ値を測定し、ランダ
ム信号の平均ジッタ値が１３％以下となったときの、バ
イアスパワーの上限値および下限値の平均値をＰｂに設
定した。そして、バイアスパワーをＰｂに固定し、ピー
クパワーを種々変化させた各記録条件について平均ジッ
タ値を測定し、ピークパワーを徐々に増加させて、ラン
ダム信号の平均ジッタ値が１３％に達したときのピーク
パワーの１．３倍のパワーをＰｐに設定した。このよう
にして設定したＰｐおよびＰｂの条件で記録した場合、
例えば１０回繰り返し記録において、８〜９％の平均ジ
ッタ値が得られた。システムのレーザパワー上限値を考
慮すれば、Ｐｐ≦１４ｍＷ、Ｐｂ≦８ｍＷを満足するこ
とが望ましい。First, the peak power (Pp) and the bias power (Pb) were set in the following procedure in order to determine the measurement conditions when determining the number of repetitions. Using the system described above, the laser light 12 is power-modulated between the peak power (mW) of the high power level and the bias power (mW) of the low power level, and the information recording medium 25.
The mark length is 0.42 μm (3T) ~
A random signal of 1.96 μm (14T) was recorded on the same groove surface of the recording layer 4 (by groove recording) 10 times. Then, the jitter value between the front end and the jitter value between the rear ends were measured, and an average jitter value was obtained as an average value thereof. When the average jitter value is measured under each recording condition in which the bias power is fixed to a fixed value and the peak power is variously changed, and the peak power is gradually increased until the average jitter value of the random signal reaches 13%. The power of 1.3 times the peak power of 1 was temporarily determined as Pp1. Next, the average jitter value was measured under each recording condition in which the peak power was fixed to Pp1 and the bias power was variously changed. The upper limit value of the bias power when the average jitter value of the random signal was 13% or less And the average value of the lower limit values was set to Pb. Then, when the bias power is fixed to Pb and the average jitter value is measured under each recording condition in which the peak power is variously changed, the peak power is gradually increased, and when the average jitter value of the random signal reaches 13%. The peak power of 1.3 times was set to Pp. When recording under the conditions of Pp and Pb set in this way,
For example, in repeated recording 10 times, an average jitter value of 8 to 9% was obtained. Considering the laser power upper limit of the system, it is desirable to satisfy Pp ≦ 14 mW and Pb ≦ 8 mW.

【０１８２】繰り返し書き換え性能の指標となる繰り返
し回数は、本実施例では平均ジッタ値に基づいて決定し
た。上記のようにして設定したＰｐとＰｂとでレーザ光
をパワー変調しながら情報記録媒体２５に向けて照射し
て、マーク長０．４２μｍ（３Ｔ）〜１．９６μｍ（１
４Ｔ）のランダム信号を（グルーブ記録により）同一の
グルーブ表面に所定回数繰り返して連続記録した後、平
均ジッタ値を測定した。繰り返し回数は、１、２、３、
５、１０、１００、２００および５００回、１０００〜
１００００回の範囲では１０００回毎、ならびに２００
００〜１０００００回の範囲では１００００回毎とし
た。平均ジッタ値が１３％に達したときを繰り返し書き
換えの限界として判断し、このときの繰り返し回数によ
り繰り返し書き換え性能を評価した。もちろん、繰り返
し回数が大きいほど繰り返し書き換え性能が高い。情報
記録媒体が、コンピュータの外部メモリとして用いられ
る場合には、繰り返し回数は１０万回以上が好ましく、
画像音声レコーダ用途であれば１万回以上が好ましい。The number of times of repetition, which is an index of repetitive rewriting performance, was determined based on the average jitter value in this embodiment. The laser light is power-modulated by Pp and Pb set as described above, and is irradiated toward the information recording medium 25, and the mark length is 0.42 μm (3T) to 1.96 μm (1
An average jitter value was measured after continuously recording a random signal of 4T) on the same groove surface by a predetermined number of times (by groove recording). The number of repetitions is 1, 2, 3,
5, 10, 100, 200 and 500 times, 1000-
In the range of 10,000 times, every 1000 times and 200
In the range of 00 to 100,000 times, it was set to every 10,000 times. When the average jitter value reached 13%, it was judged as the limit of repeated rewriting, and the repeated rewriting performance was evaluated by the number of times of repetition at this time. Of course, the larger the number of repetitions, the higher the repetitive rewriting performance. When the information recording medium is used as an external memory of a computer, the number of repetitions is preferably 100,000 or more,
For image / audio recorder applications, 10,000 times or more is preferable.

【０１８３】[0183]

【表１】 [Table 1]

【０１８４】表１に示すように、サンプル番号１−１〜
１−８の情報記録媒体のうち、剥離が無い（密着性が高
い）情報記録媒体（即ち、サンプル番号１−１および１
−３〜１−５）については繰り返し回数が１０００００
回に全く満たない（繰り返し書き換え性能が低い）のに
対して、剥離が有る（密着性が低い）情報記録媒体（即
ち、サンプル番号１−２および１−６〜１−８）につい
ては繰り返し回数が１０００００回を上回る（繰り返し
書き換え性能が高い）という傾向が見られた。As shown in Table 1, sample numbers 1-1 to 1-1
Among the information recording media of Nos. 1-8, there is no peeling (high adhesion) (that is, sample numbers 1-1 and 1).
-3 to 1-5), the number of repetitions is 100,000
The number of repetitions for the information recording mediums having peeling (low adhesion) (i.e., sample numbers 1-2 and 1-6 to 1-8), while the total number of times is less than (repetitive rewriting performance is low). Was more than 100,000 times (repetitive rewriting performance was high).

【０１８５】また、サンプル番号１−９および１−１０
の情報記録媒体については、ピークパワー１４ｍＷ以下
では十分な記録マークが形成できず、よって、低記録感
度であった。この理由としては、これらサンプルにおけ
る誘電体層の材料の熱伝導率が、他のサンプルのものに
比べて高いことが予想された。Sample numbers 1-9 and 1-10
With respect to the information recording medium (1), sufficient recording marks could not be formed at a peak power of 14 mW or less, and thus the recording sensitivity was low. The reason for this was that the thermal conductivity of the material of the dielectric layer in these samples was expected to be higher than that of other samples.

【０１８６】また、サンプル番号１−１１および１−１
２の情報記録媒体では書き換えができず、記録時に誘電
体層の材料が溶けて記録層に混ざっていた。これは、こ
れらサンプルにおける誘電体層の材料の融点が他の材料
のものよりも低いためと考えられる。Sample numbers 1-11 and 1-1
The information recording medium No. 2 could not be rewritten and the material of the dielectric layer was melted and mixed with the recording layer during recording. It is considered that this is because the melting point of the material of the dielectric layer in these samples is lower than that of other materials.

【０１８７】これに対して、従来構成の比較例の情報記
録媒体（これは界面層を備える）では、剥離が無く、且
つ、繰り返し回数も１０００００回以上であって、密着
性および繰り返し書き換え性能が共に高かった。On the other hand, in the information recording medium of the comparative example of the conventional structure (which has the interface layer), there is no peeling and the number of repetitions is 100,000 times or more, and the adhesion and the rewriting performance are good. Both were expensive.

【０１８８】さらに、サンプル番号１−１〜１−８の情
報記録媒体をＰｐについて比較すると、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20、（ＺｎＳｅ）80（ＳｉＯ2）20および
ＺｒＳｉＯ4を誘電体層の材料にそれぞれ用いた情報記
録媒体（即ち、それぞれサンプル番号１−１、１−４お
よび１−８）はＰｐが低く、よって、高記録感度であっ
た。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20と（ＺｎＳｅ）80（Ｓ
ｉＯ2）20を誘電体層の材料にそれぞれ用いた情報記録
媒体（即ち、それぞれサンプル番号１−１および１−
４）を比較すると、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を用い
たもののほうが繰り返し書き換え性能に優れていた。Further, comparing the information recording media of sample numbers 1-1 to 1-8 with respect to Pp, (ZnS)
Information recording media using 80 (SiO 2 ) 20 , (ZnSe) 80 (SiO 2 ) 20 and ZrSiO 4 as the material of the dielectric layer (that is, sample numbers 1-1, 1-4 and 1-8, respectively). Had a low Pp and therefore high recording sensitivity. (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 and (ZnSe) 80 (S
information recording media using iO 2 ) 20 as the material of the dielectric layers (ie, sample numbers 1-1 and 1-
Comparing 4), the one using (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 was superior in repetitive rewriting performance.

【０１８９】以上のような予備試験の結果によれば、記
録層に接する誘電体層の材料として、酸化物、窒化物、
セレン化物、硫化物、またはこれらのいずれかとＳｉＯ
2とを組み合わせた混合物を用いたサンプル番号１−１
〜１−１２の情報記録媒体のうち、高い密着性および高
い繰り返し書き換え性能を同時に満足するものは存在し
なかった。しかしながら、本実施例で明らかになったこ
とは、ＺｒＯ2を含む材料またはＺｒＯ2およびＳｉＯ2
を含む材料を誘電体層の材料に用いた情報記録媒体（サ
ンプル番号１−６〜１−８）は繰り返し書き換え性能に
優れており、特に、ＺｒＳｉＯ4から成る材料を誘電体
層の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号１−８）
は繰り返し書き換え性能に優れ、且つ高記録感度である
ことであった。また、ＺｎＳまたはＺｎＳｅを含む材料
を誘電体層の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号
１−１、１−３〜１−５）は記録層との密着性に優れ、
且つ高記録感度であること、ならびにＺｎＳを含む材料
を誘電体層の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号
１−１および１−３）は、ＺｎＳｅを含む材料を用いた
もの（サンプル番号１−４および１−５）よりも、繰り
返し書き換え性能に優れていることも明らかになった。According to the results of the preliminary test as described above, as the material of the dielectric layer in contact with the recording layer, oxide, nitride,
Selenide, sulfide, or any of these and SiO
Sample number 1-1 using a mixture of 2 and
Among the information recording media of Nos. 1 to 12, none of them simultaneously satisfied high adhesion and high repetitive rewriting performance. However, it was revealed in the present embodiment, the material comprising a ZrO 2 or ZrO 2 and SiO 2
Information recording medium of the material used in the material of the dielectric layer comprising (sample number 1-6～1-8) has excellent repeated rewriting performance, in particular, use a material consisting of ZrSiO 4 in the material of the dielectric layer Information recording medium (Sample No. 1-8)
Was excellent in repetitive rewriting performance and had high recording sensitivity. Further, the information recording media (Sample Nos. 1-1, 1-3 to 1-5) using the material containing ZnS or ZnSe as the material of the dielectric layer have excellent adhesion to the recording layer,
In addition, the information recording mediums (Sample Nos. 1-1 and 1-3) that have a high recording sensitivity and that use a material containing ZnS as a material for the dielectric layer are those that use a material containing ZnSe (Sample No. 1). -4 and 1-5), it was also found to be superior in repeated rewriting performance.

【０１９０】予備試験としての本実施例の結果から、Ｚ
ｒＯ2とＺｎＳとの混合物、ＺｒＯ2とＳｉＯ2とＺｎＳ
との混合物、またはＺｒＳｉＯ4とＺｎＳとの混合物を
誘電体層材料とすることにより、高い密着性および高い
繰り返し書き換え性能を同時に達成することが期待でき
た。From the results of this example as a preliminary test, Z
Mixture of rO 2 and ZnS, ZrO 2 , SiO 2 and ZnS
It was expected that high adhesion and high repetitive rewriting performance could be achieved at the same time by using a mixture thereof with or a mixture of ZrSiO 4 and ZnS as the dielectric layer material.

【０１９１】（実施例２）実施例２では、高い密着性お
よび高い繰り返し書き換え性能を同時に達成することを
目的として、ＺｒＯ2とＺｎＳとを混合したＺｒ−Ｚｎ
−Ｓ−Ｏ系材料層を誘電体層に用いた。Example 2 In Example 2, Zr—Zn mixed with ZrO 2 and ZnS was prepared for the purpose of simultaneously achieving high adhesion and high rewritability.
The —S—O based material layer was used as the dielectric layer.

【０１９２】本実施例においても、実施例１と同様に、
第１の誘電体層および第２の誘電体層が互いに同じ組成
を有する材料から成る情報記録媒体２５（図１）を、こ
れら誘電体層の材料を表２に示すように種々変化させて
作製した。実施例２では、（ＺｒＯ2）X（ＺｎＳ）
100-X（ｍｏｌ％）と表記される系の材料について誘電
体層に用いるのに適した組成範囲を調べるために、第１
および第２の誘電体層の材料を、表２に示すようにＺｒ
Ｏ2の含有率Ｘ（モル％）を種々変化させて情報記録媒
体を作製した。尚、「Ｚｎ−Ｓ」ではなく、「ＺｎＳ」
と表記する場合、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）が
ほぼ１である組成を示すものである（以下の実施例にお
いても特にことわりのない限り同様とする）。Also in this embodiment, as in the first embodiment,
An information recording medium 25 (FIG. 1) in which the first dielectric layer and the second dielectric layer are made of materials having the same composition as each other is prepared by variously changing the materials of these dielectric layers as shown in Table 2. did. In Example 2, (ZrO 2 ) X (ZnS)
In order to investigate the composition range suitable for use in the dielectric layer for the material of the system described as 100-X (mol%),
And the material of the second dielectric layer is Zr as shown in Table 2.
Information recording media were produced by changing the content X (mol%) of O 2 variously. In addition, not "Zn-S" but "ZnS"
In the case of notation, it indicates a composition in which (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) is approximately 1 (the same applies to the following examples unless otherwise specified).

【０１９３】本実施例の情報記録媒体は、第１および第
２の誘電体層の材料が表２に示す材料から成る点を除い
て、実施例１の情報記録媒体２５と同様の構成とし、第
１および第２の誘電体層の成膜工程を変更した点を除い
てこれと同様にして作製した。サンプル番号２−１〜２
−９の情報記録媒体を作製するために、第１の誘電体層
および第２の誘電体層の成膜工程において、表２に示す
所定の組成を有する材料から成るスパッタリングターゲ
ット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）をそれぞれ用い
た。また、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜
工程において、いずれのサンプルについても、パワーを
４００Ｗとし、圧力を約０．１３Ｐａとし、成膜装置に
導入するガスにはＡｒガス（１００％）を用いた。The information recording medium of this example has the same structure as the information recording medium 25 of Example 1 except that the materials of the first and second dielectric layers are the materials shown in Table 2. It was produced in the same manner as this except that the film forming steps of the first and second dielectric layers were changed. Sample numbers 2-1 to 2
In order to manufacture the information recording medium of −9, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 100 mm, thickness 6 mm) was used. Further, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, the power was 400 W, the pressure was about 0.13 Pa, and the gas introduced into the film forming apparatus was Ar for all samples. Gas (100%) was used.

【０１９４】スパッタリング法により成膜された誘電体
層は、用いたスパッタリングターゲットと実質的に同じ
組成を有すると見なした。尚、特に言及しない限り、後
述の実施例についても同様とする。The dielectric layer formed by the sputtering method was considered to have substantially the same composition as the sputtering target used. The same applies to the examples described below unless otherwise specified.

【０１９５】以上のようにして得られたサンプル番号２
−１〜２−９の情報記録媒体について、実施例１と同様
にして、誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表２に示す。また、実施例１にて作製したサンプ
ル番号１−１、１−３および１−６の情報記録媒体につ
いても同様に評価した結果を表２に示す。さらに、比較
のために、実施例１にて作製した図１０に示す従来構成
の情報記録媒体３１についても同様に評価した結果も表
２に示す（後述の実施例に関する表３〜８および１０も
同様とする）。Sample No. 2 obtained as described above
Regarding the information recording media of -1 to 2-9, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated in the same manner as in Example 1. These results are used as the peak power (Pp) obtained when the rewriting performance is evaluated.
It is shown together with Table 2. Table 2 shows the results of the same evaluations of the information recording media of Sample Nos. 1-1, 1-3 and 1-6 produced in Example 1. Further, for comparison, the results of the similar evaluation of the information recording medium 31 having the conventional structure shown in FIG. 10 and manufactured in Example 1 are also shown in Table 2 (see Tables 3 to 8 and 10 for Examples described later). The same shall apply).

【０１９６】[0196]

【表２】 [Table 2]

【０１９７】表２に示すように、誘電体層材料中のＺｎ
Ｓおよび酸化物の含有率が等しいサンプル番号２−２お
よび１−１の情報記録媒体（界面層なし）とを比較する
と（これらは同じ構造を有する）、サンプル番号１−１
の情報記録媒体では繰り返し回数が１０００回であるの
に対し、サンプル番号２−２の情報記録媒体では４００
０回となる結果が得られた。従来の（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の材料よりも（ＺｎＳ）80（ＺｒＯ2）20の材料
の方が大きい繰り返し回数が得られるという結果から、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2の系の材料よりもＺｎＳ−ＺｒＯ2の系
の材料のほうが誘電体層材料に適していることがわかっ
た。As shown in Table 2, Zn in the dielectric layer material
Comparing with the information recording media of sample numbers 2-2 and 1-1 (without an interface layer) having the same S and oxide contents (they have the same structure), sample number 1-1
In the information recording medium of No. 2, the number of repetitions is 1000, while in the information recording medium of Sample No. 2-2, it is 400.
A result of 0 times was obtained. Conventional (ZnS) 80 (Si
From the result that a larger number of repetitions can be obtained with the material of (ZnS) 80 (ZrO 2 ) 20 than the material of O 2 ) 20 ,
It has been found that the ZnS-ZrO 2 -based material is more suitable as the dielectric layer material than the ZnS-SiO 2 -based material.

【０１９８】また、（ＺｒＯ2）X（ＺｎＳ）100-X（ｍ
ｏｌ％）の式にて表記され、Ｘ≦８０を満たす組成範囲
のＺｒＯ2−ＺｎＳ系の材料を誘電体層の材料に用いた
情報記録媒体（サンプル番号１−３、および２−１〜２
−８）において、剥離が発生せず、よって高い密着性が
確保できた。また、上記式中、５０≦Ｘの組成範囲のＺ
ｒＯ2−ＺｎＳ系の材料を誘電体層の材料に用いた情報
記録媒体（サンプル番号２−５〜２−９および１−６）
において、１００００回以上の繰り返し回数が得られ
た。従って、本実施例の結果から、上記式中のＸが５０
≦Ｘ≦８０を満たす組成範囲の材料が好ましいことが確
認された。また、この組成範囲のＺｒＯ2−ＺｎＳ系の
材料を誘電体層の材料に用いた情報記録媒体において、
ピークパワーＰｐは、表２より１４ｍＷ未満であった。
このように、本発明に言うＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層
を誘電体層に用いると、界面層の存在しない構成の、図
１に示す情報記録媒体２５において、高い密着性および
高い繰り返し書き換え性能が得られ、さらにはＰｐ＜１
４ｍＷも得られた。Further, (ZrO 2 ) X (ZnS) 100-X (m
information recording medium (sample numbers 1-3, and 2-1 to 2 ) in which a ZrO 2 —ZnS-based material having a composition range satisfying X ≦ 80 is used as the material of the dielectric layer.
In -8), peeling did not occur, and thus high adhesion could be secured. Further, in the above formula, Z in the composition range of 50 ≦ X is
Information recording medium using sample of rO 2 —ZnS system as material of dielectric layer (sample numbers 2-5 to 2-9 and 1-6)
In, the number of repetitions of 10,000 or more was obtained. Therefore, from the results of this example, X in the above formula is 50
It was confirmed that a material having a composition range satisfying ≦ X ≦ 80 was preferable. Further, in an information recording medium using a ZrO 2 —ZnS-based material having this composition range as the material for the dielectric layer,
From Table 2, the peak power Pp was less than 14 mW.
As described above, when the Zr—Zn—S—O-based material layer according to the present invention is used for the dielectric layer, in the information recording medium 25 shown in FIG. 1 having no interface layer, high adhesion and high repetition rate are obtained. Rewriting performance is obtained, and Pp <1
4mW was also obtained.

【０１９９】（実施例３）実施例３では、高記録感度の
情報記録媒体を実現することを目的として、ＺｒＯ2−
ＺｎＳ系の材料にＳｉＯ2を混合したものを誘電体層の
材料に用いた情報記録媒体を作製した。本実施例におい
ても、実施例１と同様に、第１の誘電体層と第２の誘電
体層が互いに同じ組成を有する材料から成る情報記録媒
体２５を、これら誘電体層の材料を表３に示すように種
々変化させて作製した。実施例３では、（ＺｒＯ2）
Y（ＳｉＯ2）Z（ＺｎＳ）100−Y−Z（ｍｏｌ％）（式
中、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）はほぼ１であ
る）と表記される系の材料について誘電体層に用いるの
に適した組成範囲を調べるために、第１および第２の誘
電体層の材料を、表３に示すようにＺｒＯ2およびＳｉ
Ｏ2の含有率ＹおよびＺ（モル％）を種々変化させて情
報記録媒体を作製した。ここで、Ｙ＋Ｚ＝５０となる４
種類の組成、および、Ｙ＋Ｚ＝８０となる７種類の組成
について調べた。Example 3 In Example 3, ZrO 2 − was used for the purpose of realizing an information recording medium with high recording sensitivity.
An information recording medium was prepared using a mixture of ZnS-based material and SiO 2 as a material for the dielectric layer. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the information recording medium 25 made of a material in which the first dielectric layer and the second dielectric layer have the same composition as each other is shown in Table 3. As shown in FIG. In Example 3, (ZrO 2 )
Y (SiO 2 ) Z (ZnS) 100-Y-Z (mol%) (where (number of S atoms) / (number of Zn atoms) is approximately 1) In order to investigate the composition range suitable for use in the body layer, the materials of the first and second dielectric layers were set to ZrO 2 and Si as shown in Table 3.
Information recording media were produced by varying the O 2 content Y and Z (mol%) variously. Here, 4 where Y + Z = 50
The types of compositions and the seven types of compositions with Y + Z = 80 were examined.

【０２００】本実施例の情報記録媒体も、実施例２と同
じく、第１および第２の誘電体層の材料が表３に示す材
料から成る点を除いて、実施例１の情報記録媒体２５と
同様の構成とし、第１および第２の誘電体層の成膜工程
を変更した点を除いてこれと同様の条件で作製した。サ
ンプル番号３−１〜３−１１の情報記録媒体を作製する
ために、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜工
程において、表３に示す所定の組成を有する材料から成
るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６
ｍｍ）をそれぞれ用いた。また、第１の誘電体層および
第２の誘電体層の成膜工程は、実施例２と同じ条件で実
施した。The information recording medium of Example 1 is also the same as Example 2, except that the materials for the first and second dielectric layers are the materials shown in Table 3. A structure similar to that was used, and was manufactured under the same conditions as those except that the film forming steps of the first and second dielectric layers were changed. In order to manufacture the information recording media of Sample Nos. 3-1 to 3-11, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, it is made of a material having a predetermined composition shown in Table 3. Sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6
mm) were used respectively. In addition, the film forming steps of the first dielectric layer and the second dielectric layer were performed under the same conditions as in Example 2.

【０２０１】以上のようにして得られたサンプル番号３
−１〜３−１１の情報記録媒体について、実施例１と同
様にして誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表３に示す。Sample No. 3 obtained as described above
Regarding the information recording media of -1 to 3-11, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated in the same manner as in Example 1. These results are used as the peak power (Pp) obtained when the rewriting performance is evaluated.
Are shown in Table 3.

【０２０２】[0202]

【表３】 [Table 3]

【０２０３】表３に示すように、（ＺｒＯ2）Y（ＳｉＯ
2）Z（ＺｎＳ）100−Y−Z（ｍｏｌ％）の式にて表記さ
れ、Ｙ＋Ｚ＝５０を満たす組成範囲のＺｒＯ2−ＳｉＯ2
−ＺｎＳ系の材料を誘電体層の材料に用いた情報記録媒
体（サンプル番号３−１〜３−４）のうち、２０≦Ｙ≦
４０且つ１０≦Ｚ≦３０の組成範囲のもの（サンプル番
号３−２〜３−４）で、剥離が発生せず、２００００回
の繰り返し回数、１１．８ｍＷ以下のピークパワーＰｐ
という良好な結果が得られた。これら情報記録媒体と誘
電体層材料中のＺｎＳの含有率が等しいサンプル番号２
−５の情報記録媒体（表２を参照のこと）では、繰り返
し回数は１００００回、Ｐｐは１２．６ｍＷであった。
よって、この比較から、ＺｒＯ2−ＺｎＳ系材料にＳｉ
Ｏ2を混合した材料を誘電体層の材料に用いることによ
り、高記録感度化が図れ、繰り返し書き換え性能が向上
することがわかった。As shown in Table 3, (ZrO 2 ) Y (SiO 2
2) Z (ZnS) 100- Y-Z ( labeled by a formula: mol%), Y + Z = ZrO 2 composition ranges satisfying 50 -SiO 2
Among the information recording media (Sample Nos. 3-1 to 3-4) using the ZnS-based material as the material of the dielectric layer, 20 ≦ Y ≦
In the composition range of 40 and 10 ≦ Z ≦ 30 (sample numbers 3-2 to 3-4), peeling did not occur, the number of repetitions was 20000 times, and the peak power Pp was 11.8 mW or less.
Good results were obtained. Sample number 2 in which the content rates of ZnS in the information recording medium and the dielectric layer material are equal
In the information recording medium of -5 (see Table 2), the number of repetitions was 10,000 and Pp was 12.6 mW.
Therefore, from this comparison, ZrO 2 —ZnS-based material is
It was found that by using a material mixed with O 2 as the material of the dielectric layer, high recording sensitivity can be achieved and repetitive rewriting performance can be improved.

【０２０４】上記式にて表記され、Ｙ＋Ｚ＝８０を満た
す組成範囲のＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ系の材料を誘電
体層の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号３−５
〜３−１１）のうち、３０≦Ｙ≦７０且つ１０≦Ｚ≦５
０の組成範囲のもの（サンプル番号３−７〜３−１１）
で、剥離が発生せず、１０００００回以上の繰り返し回
数、１２．９ｍＷ以下のピークパワーＰｐという良好な
結果が得られた。これら情報記録媒体と誘電体層材料中
のＺｎＳの含有率が等しいサンプル番号２−８情報記録
媒体（表２を参照のこと）では、繰り返し回数は７００
００回、Ｐｐは１３．６ｍＷであった。よって、この比
較からも、ＺｒＯ2−ＺｎＳ系材料にＳｉＯ2を混合する
ことにより、高記録感度化が図れ、繰り返し書き換え性
能が向上することがわかった。An information recording medium (Sample No. 3-5) using a ZrO 2 --SiO 2 --ZnS based material represented by the above formula and having a composition range satisfying Y + Z = 80 as a material for the dielectric layer.
To 3-11), 30 ≦ Y ≦ 70 and 10 ≦ Z ≦ 5
0 composition range (Sample Nos. 3-7 to 3-11)
No peeling occurred, and good results of 100,000 or more repetitions and a peak power Pp of 12.9 mW or less were obtained. In the sample number 2-8 information recording medium (see Table 2) in which the content of ZnS in the dielectric layer material is equal to those of the information recording medium, the number of repetitions is 700.
00 times, Pp was 13.6 mW. Therefore, also from this comparison, it was found that by mixing SiO 2 with the ZrO 2 —ZnS-based material, high recording sensitivity can be achieved and repetitive rewriting performance can be improved.

【０２０５】従って、本実施例の結果から、誘電体層の
材料には、上記式中のＹおよびＺが２０≦Ｙ≦７０且つ
１０≦Ｚ≦５０を満たす組成範囲の材料が好ましいこと
が確認された。Therefore, from the results of this example, it is confirmed that the material of the dielectric layer is preferably a material having a composition range in which Y and Z in the above formula satisfy 20 ≦ Y ≦ 70 and 10 ≦ Z ≦ 50. Was done.

【０２０６】（実施例４）実施例４では、高い密着性お
よび高い繰り返し書き換え性能を同時に達成することを
目的として、ＺｒＳｉＯ4とＺｎＳとを混合したＺｒ−
Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を誘電体層に用いた。本実施例に
おいても、実施例１と同様に第１の誘電体層２および第
２の誘電体層６が互いに同じ組成を有する材料から成る
情報記録媒体２５（図１）を、これら誘電体層の材料を
表４に示すように種々変化させて作製した。実施例４で
は、（ＺｒＳｉＯ4）A（ＺｎＳ）100−A（ｍｏｌ％）
（式中、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）はほぼ１で
ある）と表記される系の材料について誘電体層に用いる
のに適した組成範囲を調べるために、第１および第２の
誘電体層の材料を、表４に示すようにＺｒＳｉＯ4の含
有率Ａ（モル％）を種々変化させて情報記録媒体を作製
した。(Example 4) In Example 4, Zr- mixed ZrSiO 4 and ZnS was used for the purpose of simultaneously achieving high adhesion and high rewritability.
A Zn-S-O based material layer was used as the dielectric layer. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the information recording medium 25 (FIG. 1) in which the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 are made of materials having the same composition as each other is used. Various materials were prepared as shown in Table 4 to fabricate. In Example 4, (ZrSiO 4 ) A (ZnS) 100-A (mol%)
In order to investigate the composition range suitable for use in the dielectric layer for the material of the system represented by (wherein (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) is approximately 1), the first and Information recording media were prepared by changing the ZrSiO 4 content A (mol%) of the material of the second dielectric layer as shown in Table 4.

【０２０７】本実施例の情報記録媒体も、実施例２と同
じく、第１および第２の誘電体層の材料が表４に示す材
料から成る点を除いて、実施例１の情報記録媒体２５と
同様の構成とし、第１および第２の誘電体層の成膜工程
を変更した点を除いてこれと同様の条件で作製した。サ
ンプル番号４−１〜４−９の情報記録媒体を作製するた
めに、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜工程
において、表４に示す所定の組成を有する材料から成る
スパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍ
ｍ）をそれぞれ用いた。また、第１の誘電体層および第
２の誘電体層の成膜工程は、実施例２と同じ条件で実施
した。The information recording medium of this example is also the same as that of example 2 except that the materials of the first and second dielectric layers are the materials shown in Table 4. A structure similar to that was used, and was manufactured under the same conditions as those except that the film forming steps of the first and second dielectric layers were changed. In order to manufacture the information recording media of Sample Nos. 4-1 to 4-9, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, it is made of a material having a predetermined composition shown in Table 4. Sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 m
m) were used respectively. In addition, the film forming steps of the first dielectric layer and the second dielectric layer were performed under the same conditions as in Example 2.

【０２０８】以上のようにして得られたサンプル番号４
−１〜４−９の情報記録媒体について、実施例１と同様
にして、誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表４に示す。また、実施例１にて作製したサンプ
ル番号１−３および１−８の情報記録媒体についても同
様に評価した結果を表４に示す。Sample No. 4 obtained as described above
Regarding the information recording media of -1 to 4-9, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated in the same manner as in Example 1. These results are used as the peak power (Pp) obtained when the rewriting performance is evaluated.
Are shown in Table 4. Table 4 shows the results of the same evaluations of the information recording media of sample numbers 1-3 and 1-8 produced in Example 1.

【０２０９】[0209]

【表４】 [Table 4]

【０２１０】表４に示すように、（ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚ
ｎＳ）100−A（ｍｏｌ％）の式にて表記され、Ａ≦６７
を満たす組成範囲のＺｒＳｉＯ4−ＺｎＳ系の材料を誘
電体層の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号１−
３および４−１〜４−８）において、剥離が発生せず、
よって高い密着性が確保できた。また、上記式中、３３
≦Ａの組成範囲のＺｒＯ2−ＺｎＳ系の材料を誘電体層
の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号４−５〜４
−９および１−８）において、繰り返し回数が１０００
００回に達した。よって、３３≦Ａ≦６７の組成範囲の
もの（サンプル番号４−５〜４−８）で、剥離が発生せ
ず、１０００００回の繰り返し回数が得られた。また、
この組成範囲において、従来構成のものとほぼ同等のピ
ークパワーＰｐが得られた。従って、誘電体層の材料に
は、上記式中のＡが３３≦Ａ≦６７を満たす組成範囲の
材料が好ましいことが確認された。このように、本発明
に言うＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を誘電体層に用いる
と、界面層の存在しない構成の、図１に示す情報記録媒
体２５において、従来構成とほぼ同等もしくはそれ以上
の性能が得られた。As shown in Table 4, (ZrSiO 4 ) A (Z
nS) 100-A (mol%), and A ≦ 67
An information recording medium using a ZrSiO 4 —ZnS-based material having a composition range that satisfies
3 and 4-1 to 4-8), peeling did not occur,
Therefore, high adhesion could be secured. Also, in the above formula, 33
An information recording medium using a ZrO 2 —ZnS-based material having a composition range of ≦ A as a material for a dielectric layer (sample numbers 4-5 to 4-4).
-9 and 1-8), the number of repetitions is 1000
Reached 00 times. Therefore, in the composition range of 33 ≦ A ≦ 67 (Sample Nos. 4-5 to 4-8), peeling did not occur, and the number of repetitions of 100,000 times was obtained. Also,
In this composition range, a peak power Pp almost equal to that of the conventional structure was obtained. Therefore, it was confirmed that as the material of the dielectric layer, a material having a composition range in which A in the above formula satisfies 33 ≦ A ≦ 67 is preferable. As described above, when the Zr—Zn—S—O-based material layer according to the present invention is used as the dielectric layer, the information recording medium 25 shown in FIG. Higher performance was obtained.

【０２１１】（実施例５）実施例５では、Ｚｒ−Ｚｎ−
Ｓ−Ｏ系材料層においてＺｎ−Ｓの形態で存在するＺｎ
とＳとの好ましい組成比の範囲を調べた。本実施例にお
いても、実施例１と同様に、第１の誘電体層および第２
の誘電体層が互いに同じ組成を有する材料から成る情報
記録媒体２５を、これら誘電体層の材料を表５に示すよ
うに種々変化させて作製した。実施例５では、（ＺｒＳ
ｉＯ4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）と表記される
系の材料について誘電体層に用いるのに適した組成範囲
を調べるために、第１および第２の誘電体層の材料を、
表５に示すように、３３≦Ａ≦６７の範囲において、
（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）を種々変化させて情
報記録媒体を作製した。ここで、Ａ＝３３、４３、５４
および６７の各条件につき、（Ｓの原子数）／（Ｚｎの
原子数）＝０．５、１．５、２、および２．５となる１
６種類の組成について調べた。(Example 5) In Example 5, Zr-Zn-
Zn existing in the form of Zn-S in the S-O material layer
The range of the preferable composition ratio of S and S was investigated. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the first dielectric layer and the second dielectric layer
The information recording medium 25, in which the dielectric layers of No. 1 and No. 3 were made of materials having the same composition, was produced by variously changing the materials of the dielectric layers as shown in Table 5. In Example 5, (ZrS
iO 4) A (Zn-S ) 100-A ( in order to examine the composition range suitable for use in the dielectric layer for mol%) and the material of the system, denoted, the first and second dielectric layers Material
As shown in Table 5, in the range of 33 ≦ A ≦ 67,
Information recording media were manufactured by variously changing (number of S atoms) / (number of Zn atoms). Here, A = 33, 43, 54
For each of the conditions 67 and 67, (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) = 0.5, 1.5, 2, and 2.5 1
Six compositions were investigated.

【０２１２】本実施例の情報記録媒体も、実施例２と同
じく、第１および第２の誘電体層の材料が表５に示す材
料から成る点を除いて、実施例１の情報記録媒体２５と
同様の構成とし、第１および第２の誘電体層の成膜工程
を変更した点を除いてこれと同様の条件で作製した。サ
ンプル番号５−１〜５−１６の情報記録媒体を作製する
ために、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜工
程において、表５に示す所定の組成を有する材料から成
るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６
ｍｍ）をそれぞれ用いた。また、第１の誘電体層および
第２の誘電体層の成膜工程は、実施例２と同じ条件で実
施した。Like the information recording medium of Example 2, the information recording medium of Example 1 also includes the information recording medium 25 of Example 1 except that the materials for the first and second dielectric layers are the materials shown in Table 5. A structure similar to that was used, and was manufactured under the same conditions as those except that the film forming steps of the first and second dielectric layers were changed. In order to manufacture the information recording media of Sample Nos. 5-1 to 5-16, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, the material having the predetermined composition shown in Table 5 is used. Sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6
mm) were used respectively. In addition, the film forming steps of the first dielectric layer and the second dielectric layer were performed under the same conditions as in Example 2.

【０２１３】以上のようにして得られたサンプル番号５
−１〜５−１６の情報記録媒体について、実施例１と同
様にして誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表５に示す。また、実施例４にて作製したサンプ
ル番号４−５〜４−８の情報記録媒体についても同様に
評価した結果を表５に示す。尚、以下、（Ｓの原子数）
／（Ｚｎの原子数）を単にＳ／Ｚｎとも表記する。Sample No. 5 obtained as described above
Regarding the information recording media of -1 to 5-16, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated in the same manner as in Example 1. These results are used as the peak power (Pp) obtained when the rewriting performance is evaluated.
It is shown in Table 5 together with. Table 5 shows the results of the same evaluations of the information recording media of sample numbers 4-5 to 4-8 produced in Example 4. In the following, (number of S atoms)
/ (Number of Zn atoms) is also simply referred to as S / Zn.

【０２１４】[0214]

【表５】 [Table 5]

【０２１５】表５に示すように、（ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚ
ｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）の式にて表記され（式中、
３３≦Ａ≦６７）、Ｓ／Ｚｎ＝０．５を満たす（ＺｒＳ
ｉＯ 4）−（Ｚｎ−Ｓ）系の材料を誘電体層の材料に用
いた全ての情報記録媒体（サンプル番号５−１、５−
５、５−９および５−１３）で剥離が発生した。他方、
Ｓ／Ｚｎ＝１〜２．５である（ＺｒＳｉＯ4）−（Ｚｎ
−Ｓ）系の材料を誘電体層の材料に用いた他の情報記録
媒体（４−５〜４−８、５−２〜５−４、５−６〜５−
８、５−１０〜５−１２および５−１４〜５−１６）で
は、剥離は発生しなかった。As shown in Table 5, (ZrSiOFour)A(Z
n-S)100−AIt is expressed by the formula (mol%) (where
33 ≦ A ≦ 67) and S / Zn = 0.5 are satisfied (ZrS
iO Four)-(Zn-S) -based material is used as the material of the dielectric layer
All the information recording media (sample numbers 5-1 and 5-
Peeling occurred at 5, 5-9 and 5-13). On the other hand,
S / Zn = 1 to 2.5 (ZrSiOFour)-(Zn
-S) Other information recording using the material of the dielectric layer as the material
Medium (4-5 to 4-8, 5-2 to 5-4, 5-6 to 5-
8, 5-10-5-12 and 5-14-5-16)
No peeling occurred.

【０２１６】密着性評価試験は所定条件下に１００時間
放置したときの剥離の有無に基づくものであるが、更
に、剥離が発生するまで密着性評価試験と同条件（９０
℃で相対湿度８０％の）下で放置し続けたところ、Ｓ／
Ｚｎが大きいほど、剥離が発生するまでの時間が長くな
った。具体的には、Ｓ／Ｚｎ＝１では２００時間、Ｓ／
Ｚｎ＝１．５では３００時間、Ｓ／Ｚｎ＝２では４００
時間、Ｓ／Ｚｎ＝２．５で５００時間、剥離が発生しな
かった。The adhesion evaluation test is based on the presence / absence of peeling when left for 100 hours under predetermined conditions.
When left standing at 80 ° C and 80% relative humidity), S /
The larger the Zn, the longer the time until peeling occurred. Specifically, if S / Zn = 1, 200 hours, S / Zn
300 hours for Zn = 1.5, 400 for S / Zn = 2
No peeling occurred for 500 hours at S / Zn = 2.5.

【０２１７】また、上記式中、Ｓ／Ｚｎ＝２．５を満た
す（ＺｒＳｉＯ4）−（Ｚｎ−Ｓ）系の材料を誘電体層
の材料に用いた情報記録媒体（サンプル番号５−４、５
−８、５−１２および５−１６）で、繰り返し回数が１
００００回に満たなかった。他方、Ｓ／Ｚｎ＝０．５〜
２．０である（ＺｒＳｉＯ4）−（Ｚｎ−Ｓ）系の材料
を誘電体層の材料に用いた他の情報記録媒体（４−５〜
４−８、５−１〜５−３、５−５〜５−７、５−９〜５
−１１および５−１３〜５−１５）では、１００００回
以上の繰り返し回数が得られた。In addition, in the above formula, an information recording medium (sample number 5-4, which uses a (ZrSiO 4 )-(Zn-S) -based material satisfying S / Zn = 2.5 as the material of the dielectric layer, 5
-8, 5-12 and 5-16), the number of repetitions is 1
It was less than 0000 times. On the other hand, S / Zn = 0.5-
Another information recording medium using a (ZrSiO 4 )-(Zn-S) -based material of 2.0 as the material of the dielectric layer (4-5 to
4-8, 5-1-5-3, 5-5-5-7, 5-9-5
-11 and 5-13 to 5-15), a repetition number of 10,000 or more was obtained.

【０２１８】また、全ての情報記録媒（サンプル番号４
−５〜４−８および５−１〜５−１６）において、従来
構成のものとほぼ同等のピークパワーＰｐが得られた。
上記式中、Ａが同一の場合、Ｓ／Ｚｎが大きいほうが、
情報記録媒体のピークパワーが低く、記録感度は高感度
になった。Further, all information recording media (sample number 4
In -5 to 4-8 and 5-1 to 5-16), a peak power Pp almost equal to that of the conventional configuration was obtained.
In the above formula, when A is the same, the larger S / Zn is,
The peak power of the information recording medium was low and the recording sensitivity became high.

【０２１９】従って、高い密着性および高い繰り返し書
き換え性能を同時に実現するためには、誘電体層の材料
には、上記式中のＡが３３≦Ａ≦６７を満たし、かつ、
１≦（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）≦２を満たす組
成範囲の材料が好ましいことが確認された。Therefore, in order to simultaneously realize high adhesion and high rewritability, the material of the dielectric layer is such that A in the above formula satisfies 33 ≦ A ≦ 67, and
It was confirmed that a material having a composition range satisfying 1 ≦ (number of S atoms) / (number of Zn atoms) ≦ 2 is preferable.

【０２２０】なお、（ＺｒＯ2）X（Ｚｎ−Ｓ）
100-X（ｍｏｌ％）（式中、５０≦Ｘ≦８０）にて表記
される（ＺｒＯ2）−（Ｚｎ−Ｓ）系の材料、および
（ＺｒＯ2）Y（ＳｉＯ2）Z（Ｚｎ−Ｓ）100−Y−Z（ｍ
ｏｌ％）（式中、５０≦Ｙ＋Ｚ≦８０、２０≦Ｙ≦７
０、１０≦Ｚ≦５０）にて表記される（ＺｒＯ2）−
（ＳｉＯ2）−（Ｚｎ−Ｓ）系の材料についても同様
に、１≦（Ｓの原子数）／（Ｚｎの原子数）≦２を満た
すことが好ましいという結果が得られた。It should be noted that (ZrO 2 ) X (Zn-S)
100-X (mol%) (in the formula, 50 ≦ X ≦ 80), a (ZrO 2 ) — (Zn—S) -based material, and (ZrO 2 ) Y (SiO 2 ) Z (Zn— S) 100-Y-Z (m
ol%) (wherein 50 ≦ Y + Z ≦ 80, 20 ≦ Y ≦ 7
0,10 ≦ Z ≦ 50) (ZrO 2 ) −
Similarly, for the (SiO 2 )-(Zn-S) -based material, it was found that it is preferable that 1 ≦ (the number of S atoms) / (the number of Zn atoms) ≦ 2.

【０２２１】（実施例６）実施例６では、実施の形態２
にて図２を参照しながら上述した情報記録媒体２６と同
様の構造を有し、第１の誘電体層および第２の誘電体層
が互いに異なる組成を有する材料から成り、第２の誘電
体層と記録層との間に第２の界面層を備える情報記録媒
体を作製した。Example 6 In Example 6, the second embodiment will be described.
2 has a structure similar to that of the information recording medium 26 described above with reference to FIG. 2, and the first dielectric layer and the second dielectric layer are made of materials having different compositions, and the second dielectric layer An information recording medium having a second interface layer between the layer and the recording layer was produced.

【０２２２】本実施例の情報記録媒体２６は次のように
して作製した。まず、基板１として、深さ５６ｎｍ、ト
ラックピッチ（基板の主面に平行な面内におけるグルー
ブ表面およびランド表面の中心間距離）０．６１５μｍ
の案内溝が片側表面に予め設けられた、直径１２０ｍ
ｍ、厚み０．６ｍｍの円形のポリカーボネート基板を準
備した。The information recording medium 26 of this example was manufactured as follows. First, as the substrate 1, a depth of 56 nm, a track pitch (center-to-center distance between groove surface and land surface in a plane parallel to the main surface of the substrate) 0.615 μm
120m diameter with a guide groove on one side
A circular polycarbonate substrate having a m and a thickness of 0.6 mm was prepared.

【０２２３】この基板１の上に、（ＺｒＳｉＯ4）
54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を１５
０ｎｍの厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）
記録層４を９ｎｍの厚さで、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎの第２の界
面層１０５を３ｎｍの厚さで、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層１０６を５０ｎ
ｍの厚さで、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の光吸収補正層７
を４０ｎｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層８を８
０ｎｍの厚さで、スパッタリング法により順次成膜し
た。ここで、第２の界面層１０５および第２の誘電体層
１０６の各材料は、図９を参照しながら上述した従来の
情報記録媒体３１におけるものと同様である。On this substrate 1, (ZrSiO 4 )
The first dielectric layer 2 made of 54 (ZnS) 46 (mol%)
Ge 27 Sn 8 Sb 12 Te 53 (atomic%) with a thickness of 0 nm
The recording layer 4 has a thickness of 9 nm, the second interface layer 105 of Ge—Cr—N has a thickness of 3 nm, and (ZnS) 80 (Si
The second dielectric layer 106 of O 2 ) 20 (mol%) is set to 50 n.
Light absorption correction layer 7 of Ge 80 Cr 20 (atomic%) with a thickness of m
With a thickness of 40 nm and a reflective layer 8 of Ag-Pd-Cu 8
A film having a thickness of 0 nm was sequentially formed by a sputtering method. Here, the materials of the second interface layer 105 and the second dielectric layer 106 are the same as those in the conventional information recording medium 31 described above with reference to FIG.

【０２２４】本実施例の情報記録媒体２６は、第１の誘
電体層２の成膜工程を変更した点ならびに記録層４の成
膜工程と第２の誘電体層１０６の成膜工程との間に第２
の界面層１０５の成膜工程を追加した点を除いて、実施
例１のサンプル番号１−１の情報記録媒体の場合と同様
にして作製した。第１の誘電体層２の成膜工程において
は、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）の組
成を有するスパッタリングターゲット（直径１００ｍ
ｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー４００
Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入して、約０．１３Ｐ
ａの圧力下、高周波スパッタリングを行った。第２の界
面層１０５を成膜する工程は、実施例１にて上述した比
較例の従来構成の情報記録媒体３１の作製方法における
第２の界面層１０５を成膜する工程と同様にして実施し
た。尚、第２の誘電体層１０６を成膜する工程は、実施
例１にて上述したサンプル番号１−１の情報記録媒体２
５の作製方法における第２の誘電体膜６を成膜する工程
と同様であり、従来構成の情報記録媒体３１の作製方法
における第２の誘電体層１０６を成膜する工程と同様で
もある。The information recording medium 26 of this embodiment is different from the film forming process of the first dielectric layer 2 in that the film forming process of the recording layer 4 and the film forming process of the second dielectric layer 106 are performed. Second between
The information recording medium was prepared in the same manner as in the case of the information recording medium of Sample No. 1-1 of Example 1 except that the step of forming the interface layer 105 was added. In the film formation process of the first dielectric layer 2, a sputtering target (diameter 100 m) having a composition of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%) was used.
m, thickness 6 mm) is attached to the film forming apparatus, and the power is 400
About 0.13P by introducing Ar gas (100%) with W
High-frequency sputtering was performed under the pressure of a. The step of forming the second interface layer 105 is performed in the same manner as the step of forming the second interface layer 105 in the method of manufacturing the information recording medium 31 having the conventional configuration of the comparative example described in Example 1. did. The step of forming the second dielectric layer 106 is performed by the information recording medium 2 of the sample number 1-1 described in the first embodiment.
This is the same as the step of forming the second dielectric film 6 in the manufacturing method of No. 5 and the same as the step of forming the second dielectric layer 106 in the manufacturing method of the information recording medium 31 having the conventional configuration.

【０２２５】以上のようにして得られたサンプル番号６
−１の情報記録媒体２６について、誘電体層の密着性お
よび情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を、実施例１
にて上述したのとほぼ同様にして評価したが、本実施例
では、密着性の評価は、記録層４とこれに接する第１の
誘電体層２との間で剥離が発生していないかどうか調べ
ることにより実施した。また、繰り返し書き換え性能の
評価は、グルーブ記録だけでなくランド記録も行って
（即ち、ランド−グルーブ記録により）グルーブ記録お
よびランド記録のそれぞれについて繰り返し回数を調べ
ることにより実施した。これらの結果を、繰り返し書き
換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）およ
びバイアスパワー（Ｐｂ）と共に表６に示す。加えて、
比較のために、実施例１にて作製した図９に示す従来構
成の情報記録媒体３１について同様に評価した結果も表
６に示す。Sample No. 6 obtained as described above
For the information recording medium 26 of No. -1, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated as in Example 1.
The evaluation was made in the same manner as described in 1. above, but in this example, the adhesion was evaluated by checking whether peeling occurred between the recording layer 4 and the first dielectric layer 2 in contact therewith. It was carried out by investigating. Further, the repetitive rewriting performance was evaluated by performing land recording as well as groove recording (that is, by land-groove recording) and examining the number of repetitions of each of groove recording and land recording. The results are shown in Table 6 together with the peak power (Pp) and the bias power (Pb) obtained when the rewriting performance was evaluated. in addition,
For comparison, Table 6 also shows the result of the similar evaluation of the information recording medium 31 having the conventional structure shown in FIG.

【０２２６】[0226]

【表６】 [Table 6]

【０２２７】表６に示すように、第１の誘電体層２の材
料のみに（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）
を用い、基板１の上にスパッタリング法により形成する
層（即ち、反射層８までの層）の層数を６層とした本実
施例のサンプル番号６−１の情報記録媒体２６で、総数
を７層とした比較例の従来構成の情報記録媒体３１と同
等の密着性、繰り返し回数、ピークパワー、およびバイ
アスパワーが得られた。尚、本実施例では、第１の誘電
体層２として、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）4 6（ｍｏ
ｌ％）の組成を有する材料から成る層（Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ
−Ｏ系材料層）を用いたが、この組成は一例であり、Ｚ
ｒＳｉＯ4−ＺｎＳ系の材料では、ＺｒＳｉＯ4の含有率
が３３〜６７ｍｏｌ％である組成範囲に亘って、本実施
例と同様に良好な結果が得られた。さらに、第１の誘電
体層２として、他のＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用い
てもよい。As shown in Table 6, only (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%) was used for the material of the first dielectric layer 2.
In the information recording medium 26 of the sample number 6-1 of this embodiment, the total number of layers (that is, the layers up to the reflective layer 8) formed on the substrate 1 by the sputtering method is 6 layers. The adhesiveness, the number of repetitions, the peak power, and the bias power equivalent to those of the information recording medium 31 having the conventional structure of seven layers were obtained. In this example, the first dielectric layer 2 was made of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 4 6 (mo
layer (Zr—Zn—S) having a composition of 1%).
-O-based material layer) was used, but this composition is an example, and Z
With the rSiO 4 —ZnS-based material, good results were obtained as in the present example over the composition range in which the ZrSiO 4 content was 33 to 67 mol%. Further, another Zr—Zn—S—O-based material layer may be used as the first dielectric layer 2.

【０２２８】（実施例７）実施例７では、実施の形態３
にて図３を参照しながら上述した情報記録媒体２７と同
様の構造を有し、第１の誘電体層および第２の誘電体層
が異なる組成を有する材料から成り、第１の誘電体層と
記録層との間に第１の界面層を備える情報記録媒体を作
製した。Example 7 In Example 7, the third embodiment will be described.
1. The first dielectric layer has the same structure as the information recording medium 27 described above with reference to FIG. 3, and the first dielectric layer and the second dielectric layer are made of materials having different compositions. An information recording medium having a first interface layer between the recording layer and the recording layer was produced.

【０２２９】本実施例の情報記録媒体２７は次のように
して作製した。まず、実施例１と同様の基板１を準備
し、この基板１の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層１０２を１５０ｎｍの
厚さで、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎの第１の界面層１０３を５ｎｍ
の厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）の記録
層４を９ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）
46の第２の誘電体層６を５０ｎｍの厚さで、Ｇｅ80Ｃｒ
20（原子％）の光吸収補正層７を４０ｎｍの厚さで、Ａ
ｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層８を８０ｎｍの厚さで、スパッ
タリング法により順次成膜した。ここで、第１の誘電体
層１０２および第１の界面層１０３の各材料は、図９を
参照しながら上述した従来の情報記録媒体３１における
ものと同様である。The information recording medium 27 of this example was manufactured as follows. First, a substrate 1 similar to that of Example 1 was prepared, and (ZnS) 80 (SiO 2 ) was formed on the substrate 1.
The first dielectric layer 102 of 20 (mol%) has a thickness of 150 nm, and the first interface layer 103 of Ge—Cr—N has a thickness of 5 nm.
The recording layer 4 of Ge 27 Sn 8 Sb 12 Te 53 (atomic%) with a thickness of 9 nm and a thickness of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS).
46 second dielectric layer 6 with a thickness of 50 nm and Ge 80 Cr
20 (atomic%) of the light absorption correction layer 7 with a thickness of 40 nm
The reflective layer 8 of g-Pd-Cu having a thickness of 80 nm was sequentially formed by the sputtering method. Here, the respective materials of the first dielectric layer 102 and the first interface layer 103 are the same as those in the conventional information recording medium 31 described above with reference to FIG.

【０２３０】本実施例の情報記録媒体２７は、第１の誘
電体層１０２の成膜工程と記録層４の成膜工程との間に
第１の界面層１０３の成膜工程を追加した点ならびに第
２の誘電体層６の成膜工程を変更した点を除いて、実施
例１のサンプル番号１−１の情報記録媒体の場合と同様
にして作製した。第１の界面層１０３を成膜する工程
は、実施例１にて上述した比較例の従来構成の情報記録
媒体３１の作製方法における第１の界面層を成膜する工
程と同様にして実施した。また、第２の誘電体層６の成
膜工程は、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46の組成を有
するスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み
６ｍｍ）を用い、成膜装置に導入するガスをＡｒガス
（１００％）とし、パワーを４００Ｗとし、圧力を約
０．１３Ｐａとして実施した。尚、第１の誘電体層１０
２を成膜する工程は、実施例１にて上述したサンプル番
号１−１の情報記録媒体２５の作製方法における第１の
誘電体層２を成膜する工程と同様であり、従来構成の情
報記録媒体３１の作製方法における第１の誘電体層２を
成膜する工程と同様でもある。In the information recording medium 27 of this embodiment, a film forming process of the first interface layer 103 is added between the film forming process of the first dielectric layer 102 and the film forming process of the recording layer 4. Further, it was produced in the same manner as the information recording medium of sample number 1-1 of Example 1 except that the film forming process of the second dielectric layer 6 was changed. The step of forming the first interface layer 103 was performed in the same manner as the step of forming the first interface layer in the method of manufacturing the information recording medium 31 having the conventional configuration of the comparative example described in Example 1. . In the step of forming the second dielectric layer 6, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) having a composition of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 is used, and the gas introduced into the film forming apparatus is Ar gas. (100%), the power was 400 W, and the pressure was about 0.13 Pa. The first dielectric layer 10
The step of forming the second dielectric film 2 is similar to the step of forming the first dielectric layer 2 in the method of manufacturing the information recording medium 25 of the sample number 1-1 described in the first embodiment. This is also the same as the step of forming the first dielectric layer 2 in the method of manufacturing the recording medium 31.

【０２３１】以上のようにして得られた本実施例のサン
プル番号７−１の情報記録媒体２７について、誘電体層
の密着性および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能
を、実施例１にて上述したのとほぼ同様にして評価した
が、本実施例では、密着性の評価は、記録層４とこれに
接する第２の誘電体層６との間で剥離が発生していない
かどうか調べることにより実施した。これらの結果を、
繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー
（Ｐｐ）と共に表７に示す。Regarding the information recording medium 27 of sample No. 7-1 of this example obtained as described above, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were described above in Example 1. However, in this example, the adhesion was evaluated by checking whether peeling occurred between the recording layer 4 and the second dielectric layer 6 in contact with the recording layer 4. Carried out. These results
Table 7 shows the peak power (Pp) obtained at the time of evaluating the repetitive rewriting performance.

【０２３２】[0232]

【表７】 [Table 7]

【０２３３】表７に示すように、第２の誘電体層６の材
料のみに（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）
を用い、基板１の上にスパッタリング法により形成する
層（即ち、反射層８までの層）の層数を６層とした本実
施例のサンプル番号７−１の情報記録媒体２７で、総数
を７層とした比較例の従来構成の情報記録媒体３１と同
等の密着性、繰り返し回数、ピークパワー、およびバイ
アスパワーが得られた。また、本実施例にて作製したサ
ンプル番号７−１の情報記録媒体２７の（凹凸のない平
面部における）Ｒｃ実測値は２０％であり、Ｒａ実測値
は３％であった。尚、本実施例では、第２の誘電体層６
として、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）4 6（ｍｏｌ％）
の組成を有する材料から成る層（Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系
材料層）を用いたが、この組成は一例であり、ＺｒＳｉ
Ｏ4−ＺｎＳ系の材料では、ＺｒＳｉＯ4の含有率が３３
〜６７ｍｏｌ％である組成範囲に亘って、本実施例と同
様に良好な結果が得られた。さらに、第２の誘電体層６
として、他のＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用いてもよ
い。As shown in Table 7, only (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%) was used for the material of the second dielectric layer 6.
In the information recording medium 27 of sample No. 7-1 of this example, in which the number of layers (that is, the layers up to the reflective layer 8) formed on the substrate 1 by the sputtering method is 6 using The adhesiveness, the number of repetitions, the peak power, and the bias power equivalent to those of the information recording medium 31 having the conventional structure of seven layers were obtained. Further, the measured Rc value (on the flat portion having no unevenness) of the information recording medium 27 of sample number 7-1 manufactured in this example was 20%, and the measured Ra value was 3%. In the present embodiment, the second dielectric layer 6
As (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 4 6 (mol%)
A layer (Zr—Zn—S—O-based material layer) made of a material having the composition described above was used, but this composition is an example.
In the O 4 —ZnS-based material, the content ratio of ZrSiO 4 is 33
Good results were obtained as in this example over the composition range of ˜67 mol%. In addition, the second dielectric layer 6
Alternatively, another Zr—Zn—S—O-based material layer may be used.

【０２３４】（実施例８）実施例８では、実施の形態４
にて図４を参照しながら上述した情報記録媒体２８と同
様の構造を有する情報記録媒体を作製した。Example 8 In Example 8, Embodiment 4 will be described.
Then, an information recording medium having the same structure as the information recording medium 28 described above with reference to FIG. 4 was produced.

【０２３５】本実施例の情報記録媒体２８は次のように
して作製した。まず、基板１０１として、深さ２１ｎ
ｍ、トラックピッチ（基板の主面に平行な面内における
グルーブ表面およびグルーブ表面の中心間距離）０．３
２μｍの案内溝が片側表面に予め設けられた、直径１２
０ｍｍ、厚み１．１ｍｍの円形のポリカーボネート基板
を準備した。The information recording medium 28 of this example was manufactured as follows. First, as the substrate 101, a depth of 21n
m, track pitch (distance between the groove surface and the center of the groove surface in a plane parallel to the main surface of the substrate) 0.3
2 μm diameter guide groove with a diameter of 12
A circular polycarbonate substrate having a thickness of 0 mm and a thickness of 1.1 mm was prepared.

【０２３６】この基板１０１の上に、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ
およびＡｌＣｒの２層構造の反射層８をそれぞれ８０ｎ
ｍおよび１０ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｚｎ
Ｓ）4 6（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層６を１６ｎｍの厚
さで、Ｇｅ37.5Ｓｂ11Ｔｅ51. 5（原子％）の記録層４を
１１ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）
46（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を６８ｎｍの厚さ
で、スパッタリング法により順次成膜した。On this substrate 101, Ag-Pd-Cu is formed.
And a reflective layer 8 having a two-layer structure of AlCr and 80 n respectively.
m and a thickness of 10 nm, (ZrSiO 4 ) 54 (Zn
S) 4 6 a second dielectric layer 6 of (mol%) with a thickness of 16 nm, a Ge 37.5 Sb 11 Te 51. recording layer 4 of the 5 (atomic%) with a thickness of 11 nm, (ZrSiO 4) 54 (ZnS)
46 (mol%) of the first dielectric layer 2 having a thickness of 68 nm was sequentially formed by the sputtering method.

【０２３７】反射層８を成膜する工程は、次のようにし
て実施した。まず、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの層を、実施例１
のサンプル番号１−１の情報記録媒体の作製方法におけ
る反射層の成膜工程と同様にして形成した。次いで、Ａ
ｌＣｒの組成を有する材料から成るスパッタリングター
ゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取
り付け、Ａｒガス（１００％）を導入して、約０．４Ｐ
ａの圧力下、パワー２００Ｗで直流スパッタリングを行
った。これにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの層の上ＡｌＣｒ
の層を形成し、２層構造の反射層８を形成した。The step of forming the reflective layer 8 was carried out as follows. First, a layer of Ag-Pd-Cu was formed in Example 1
It was formed in the same manner as in the film forming step of the reflective layer in the method of manufacturing the information recording medium of Sample No. 1-1. Then A
A sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of 1Cr was attached to a film forming apparatus, Ar gas (100%) was introduced, and a sputtering target of about 0.4P was obtained.
Direct-current sputtering was performed with a power of 200 W under the pressure of a. This allows AlCr on the Ag-Pd-Cu layer.
Then, the reflective layer 8 having a two-layer structure was formed.

【０２３８】第２の誘電体層６を成膜する工程において
は、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）4 6（ｍｏｌ％）の組
成を有する材料から成るスパッタリングターゲット（直
径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パ
ワー４００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入して、約
０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを行っ
た。In the step of forming the second dielectric layer 6, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 4 6 (mol%) is formed. It was attached to a film apparatus, Ar gas (100%) was introduced with a power of 400 W, and high frequency sputtering was performed under a pressure of about 0.13 Pa.

【０２３９】記録層４を成膜する工程においては、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー１００Ｗで、Ａｒガス（９７％）とＮ2ガス
（３％）の混合ガスを導入して直流スパッタリングを行
った。スパッタ時の圧力は約０．１３Ｐａとした。In the step of forming the recording layer 4, Ge is used.
A sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a —Sb—Te-based material was attached to a film forming apparatus, and a mixed gas of Ar gas (97%) and N 2 gas (3%) was introduced with a power of 100 W to form a direct current. Sputtering was performed. The pressure during sputtering was about 0.13 Pa.

【０２４０】第１の誘電体層２を成膜する工程は、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層６が実質的に同じ組
成を有するように、層厚さを変えたこと以外は上記の第
２の誘電体層６を成膜する工程と同様にして、実施し
た。The step of forming the first dielectric layer 2 includes the first step.
Of the second dielectric layer 6 except that the layer thickness is changed so that the dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 have substantially the same composition. It was carried out.

【０２４１】以上のようにして基板１０１の上に反射層
８、第２の誘電体層６、記録層４および第１の誘電体層
２を順次成膜して積層体を形成した後、紫外線硬化性樹
脂を第１の誘電体層２の上に塗布し、塗布した紫外線硬
化性樹脂の上に、ダミー基板１１０として直径１２０ｍ
ｍ、厚み９０μｍの円形のポリカーボネート基板を密着
させた。そして、ダミー基板１１０の側から紫外線を照
射して樹脂を硬化させた。これにより、硬化した樹脂か
ら成る接着層９が１０μｍの厚さで形成され、ダミー基
板１１０を接着層９を介して積層体に貼り合わせた。As described above, after the reflective layer 8, the second dielectric layer 6, the recording layer 4 and the first dielectric layer 2 are sequentially formed on the substrate 101 to form a laminated body, ultraviolet rays are applied. A curable resin is applied on the first dielectric layer 2 and a diameter of 120 m is used as a dummy substrate 110 on the applied ultraviolet curable resin.
A circular polycarbonate substrate having a thickness of m and a thickness of 90 μm was adhered. Then, the resin was cured by irradiating ultraviolet rays from the dummy substrate 110 side. As a result, the adhesive layer 9 made of the cured resin was formed to a thickness of 10 μm, and the dummy substrate 110 was attached to the laminated body via the adhesive layer 9.

【０２４２】貼り合わせ後、初期化工程として、波長６
７０ｎｍの半導体レーザを使って、情報記録媒体２８の
記録層４を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領域内で
ほぼ全面に亘って結晶化させた。これにより初期化工程
が終了し、サンプル番号８−１の情報記録媒体２８の作
製が完了した。After the bonding, the wavelength 6 is used as an initialization process.
Using a 70 nm semiconductor laser, the recording layer 4 of the information recording medium 28 was crystallized over almost the entire area within an annular region having a radius of 22 to 60 mm. As a result, the initialization process was completed, and the production of the information recording medium 28 of sample number 8-1 was completed.

【０２４３】加えて、比較のために、第１の誘電体層２
と記録層４との間および第２の誘電体層６と記録層４と
の間に、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎの第１の界面層１０３および第
２の界面層１０５をそれぞれ備え、且つ、第１の誘電体
層２および第２の誘電体層６に代えて、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層１０２
および第２の誘電体層１０６を備える点を除いて、本実
施例の情報記録媒体と同様の構成を有する、比較例の情
報記録媒体を作製した（図示せず）。第１の界面層１０
３および第２の界面層１０５はいずれも厚さ５ｍｍで形
成した。In addition, for comparison, the first dielectric layer 2
And a recording layer 4, and between the second dielectric layer 6 and the recording layer 4, a Ge—Cr—N first interface layer 103 and a second interface layer 105, respectively, and In place of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6, (ZnS)
80 (SiO 2 ) 20 (mol%) first dielectric layer 102
An information recording medium of a comparative example having the same structure as the information recording medium of the present example except that the second dielectric layer 106 is provided (not shown). First interface layer 10
Both 3 and the second interface layer 105 were formed to have a thickness of 5 mm.

【０２４４】この比較例の情報記録媒体は、第１の界面
層１０３および第２の界面層１０５を成膜する工程なら
びに第１の誘電体層１０２および第２の誘電体層１０６
を成膜する工程を、実施例１にて作製した比較例の従来
構成の情報記録媒体３１の作製方法におけるものと同様
にして実施した点を除いて、本実施例の情報記録媒体の
作製方法と同様にして作製した。In the information recording medium of this comparative example, the steps of forming the first interface layer 103 and the second interface layer 105, and the first dielectric layer 102 and the second dielectric layer 106.
The method for producing the information recording medium of the present example, except that the step of forming a film is carried out in the same manner as in the method for producing the information recording medium 31 of the conventional configuration of the comparative example produced in Example 1. Was prepared in the same manner as in.

【０２４５】以上のようにして得られたサンプル番号８
−１の情報記録媒体２８および比較例の情報記録媒体
（図示せず）について、誘電体層の密着性および情報記
録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。これらの結
果を、繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピーク
パワー（Ｐｐ）と共に表８に示す。Sample No. 8 obtained as described above
With respect to the information recording medium 28 of No. 1 and the information recording medium of the comparative example (not shown), the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated. These results are shown in Table 8 together with the peak power (Pp) obtained at the time of evaluating the rewriting performance.

【０２４６】本実施例にて、情報記録媒体２８における
誘電体層の密着性の評価は実施例１と同様の条件で行っ
た。これに対して、情報記録媒体２８の繰り返し書き換
え性能の評価は、実施例１と同じく繰り返し回数を指標
とした点は共通するが、実施例１とは異なる条件によっ
た。In this example, the adhesion of the dielectric layer on the information recording medium 28 was evaluated under the same conditions as in Example 1. On the other hand, the evaluation of the repetitive rewriting performance of the information recording medium 28 is similar to that of the first embodiment in that the number of repetitions is used as an index, but is different from that of the first embodiment.

【０２４７】情報記録媒体２８の繰り返し書き換え性能
の評価に際し、実施例１の場合と同様の構成の情報記録
システムにて、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数
０．８５の対物レンズを使用し、２３ＧＢ容量相当の記
録を行った。情報記録媒体２８を回転させる線速度は５
ｍ／秒とした。また、ＣＮＲ（即ち、信号振幅とノイズ
の比）および消去率の測定には、スペクトラムアナライ
ザーを用いた。In evaluating the repetitive rewriting performance of the information recording medium 28, a semiconductor laser having a wavelength of 405 nm and an objective lens having a numerical aperture of 0.85 were used in an information recording system having the same structure as in Example 1, and 23 GB was used. Recording was made corresponding to the capacity. The linear velocity for rotating the information recording medium 28 is 5
m / sec. A spectrum analyzer was used to measure the CNR (that is, the ratio of signal amplitude to noise) and the erasure rate.

【０２４８】まず、繰り返し回数を決定する際の測定条
件を決めるために、ピークパワー（Ｐｐ）およびバイア
スパワー（Ｐｂ）を以下の手順で設定した。レーザ光１
２を、高パワーレベルのピークパワー（ｍＷ）と低パワ
ーレベルのバイアスパワー（ｍＷ）との間でパワー変調
しながら情報記録媒体２８に向けて照射して、マーク長
０．１６μｍの２Ｔ信号を記録層４の同一のグルーブ表
面に１０回記録した。２Ｔ信号を１０回記録した後、Ｃ
ＮＲを測定した。２Ｔ信号の１０回記録の際、バイアス
パワーを一定の値に固定し、ピークパワーを種々変化さ
せた各記録条件についてＣＮＲを測定し、信号振幅が飽
和するときの最小のピークパワーの１．２倍のパワーを
Ｐｐに設定した。また、上記と同様にして２Ｔ信号を１
０回記録した後、信号を再生して２Ｔ信号の振幅を測定
し、さらに、該グルーブ表面に９Ｔ信号を１回重ね書き
し、信号を再生して２Ｔ信号の振幅を測定し、１０回記
録後に測定した振幅を基準とする２Ｔ信号の減衰率を消
去率として求めた。２Ｔ信号の１０回記録および９Ｔ信
号の１回重ね書きの際、ピークパワーを先に設定したＰ
ｐに固定し、バイアスパワーを種々変化させた各パワー
条件について、以上のように定義される消去率を求め、
消去率が２５ｄＢ以上となるバイアスパワー範囲の中心
値をＰｂに設定した。システムのレーザパワー上限値を
考慮すれば、Ｐｐ≦７ｍＷ、Ｐｂ≦３．５ｍＷを満足す
ることが望ましい。First, the peak power (Pp) and the bias power (Pb) were set in the following procedure in order to determine the measurement conditions when determining the number of repetitions. Laser light 1
2 is irradiated toward the information recording medium 28 while performing power modulation between the peak power (mW) at the high power level and the bias power (mW) at the low power level, and a 2T signal having a mark length of 0.16 μm is emitted. Recording was performed 10 times on the same groove surface of the recording layer 4. After recording 2T signal 10 times, C
The NR was measured. When recording 2T signals 10 times, the CNR was measured under each recording condition in which the bias power was fixed to a constant value and the peak power was variously changed, and the minimum peak power of 1.2 when the signal amplitude was saturated was measured. Double power was set to Pp. In addition, the 2T signal is set to 1 in the same manner as above.
After recording 0 times, the signal is reproduced to measure the amplitude of the 2T signal, and the 9T signal is overwritten once on the groove surface, and the signal is reproduced to measure the amplitude of the 2T signal, and recorded 10 times. The attenuation rate of the 2T signal based on the amplitude measured later was determined as the erasing rate. At the time of recording 2T signal 10 times and overwriting 9T signal 1 time, the peak power was set to P first.
For each power condition that is fixed to p and the bias power is variously changed, the erasing rate defined as above is obtained,
The center value of the bias power range where the erasing rate was 25 dB or more was set to Pb. Considering the laser power upper limit of the system, it is desirable to satisfy Pp ≦ 7 mW and Pb ≦ 3.5 mW.

【０２４９】繰り返し書き換え性能の指標となる繰り返
し回数は、本実施例ではＣＮＲおよび消去率に基づいて
決定した。上記のようにして設定したＰｐとＰｂとでレ
ーザ光をパワー変調しながら情報記録媒体２８に向けて
照射して、２Ｔ信号を同一のグルーブ表面に所定回数繰
り返して連続記録した後、ＣＮＲを測定し、また、消去
率を求めた。消去率は、上記と同様に、所定回数記録し
た後およびその上に９Ｔ信号を１回重ね書きした後に２
Ｔ信号を測定し、所定回数記録した後に測定した２Ｔ信
号の振幅に対する、９Ｔ信号を１回重ね書きした後に測
定した２Ｔ信号の振幅の減衰率により求めた。繰り返し
回数は、１、２、３、５、１０、１００、２００、５０
０、１０００、２０００、３０００、５０００、７００
０、１００００回とした。１０回繰り返した場合のＣＮ
Ｒおよび消去率を基準として、ＣＮＲが２ｄＢ低下する
か、または消去率が５ｄＢ低下したときを繰り返し書き
換えの限界と判断し、このときの繰り返し回数により繰
り返し書き換え性能を評価した。もちろん、繰り返し回
数が大きいほど繰り返し書き換え性能が高い。情報記録
媒体２８の繰り返し回数は１万回以上が好ましい。The number of times of repetition, which is an index of repetitive rewriting performance, was determined based on the CNR and the erasing rate in this embodiment. After the laser light is power-modulated by Pp and Pb set as described above, the information recording medium 28 is irradiated and the 2T signal is continuously recorded on the same groove surface a predetermined number of times continuously, and then the CNR is measured. Then, the erasing rate was calculated. Similarly to the above, the erasure rate is 2 after the recording is performed a predetermined number of times and the 9T signal is once overwritten thereon.
The T signal was measured, and the amplitude of the 2T signal was recorded for a predetermined number of times, and the attenuation rate of the amplitude of the 2T signal measured after the 9T signal was overwritten once was calculated. The number of repetitions is 1, 2, 3, 5, 10, 100, 200, 50
0, 1000, 2000, 3000, 5000, 700
It was 0, 10,000 times. CN when repeated 10 times
Based on R and the erasure rate, when the CNR decreased by 2 dB or the erasure rate decreased by 5 dB, it was judged to be the limit of repetitive rewriting, and the rewriting performance was evaluated by the number of times of repetition at this time. Of course, the larger the number of repetitions, the higher the repetitive rewriting performance. The number of repetitions of the information recording medium 28 is preferably 10,000 or more.

【０２５０】[0250]

【表８】 [Table 8]

【０２５１】本実施例のサンプル番号８−１の情報記録
媒体２８では、図１に示すような情報記録媒体２５と比
べて、基板上への各層の成膜順が逆であること、記録条
件（レーザ波長やレンズの開口数）が異なること、なら
びに記録容量が約５倍に増えていることに関係なく、第
１の誘電体層２および第２の誘電体層６として、（Ｚｒ
ＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）の組成を有する
材料から成る層（Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層）を用い
ることによって、界面層を設けることなく、良好な性能
が得られた。また、本実施例にて作製したサンプル番号
８−１の情報記録媒体２８の（凹凸のない平面部におけ
る）Ｒｃ実測値は２０％であり、Ｒａ実測値は３％であ
った。表８から、サンプル番号８−１の情報記録媒体２
８は、第１および第２の界面層を設けた比較例の情報記
録媒体と同等の性能を示すことが確認された。In the information recording medium 28 of sample No. 8-1 of the present example, the order of film formation of each layer on the substrate is opposite to that of the information recording medium 25 shown in FIG. The first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 are made of (Zr) regardless of the fact that the laser wavelength and the numerical aperture of the lens are different and the recording capacity is increased by about 5 times.
By using a layer (Zr—Zn—S—O-based material layer) made of a material having a composition of SiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%), good performance can be obtained without providing an interface layer. It was Further, the measured Rc value (on the flat portion having no unevenness) of the information recording medium 28 of Sample No. 8-1 manufactured in this example was 20%, and the measured Ra value was 3%. From Table 8, information recording medium 2 of sample number 8-1
It was confirmed that No. 8 exhibited the same performance as the information recording medium of the comparative example provided with the first and second interface layers.

【０２５２】本実施例のサンプル番号８−１の情報記録
媒体２８では、第１および第２の誘電体層の双方にＺｒ
ＳｉＯ4−ＺｎＳの系の材料から成る層を用いたが、他
のＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用いてもよい。In the information recording medium 28 of sample No. 8-1 of this example, Zr was formed on both the first and second dielectric layers.
Although the layer made of the SiO 4 —ZnS-based material is used, another Zr—Zn—S—O-based material layer may be used.

【０２５３】また、本実施例の情報記録媒体２８では、
第１および第２の誘電体層の双方にＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ
系材料層を用いることとしたが、本発明はこれに限定さ
れない。一例として、第１および第２の誘電体層のいず
れか一方にＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用い、他方の
誘電体層に、例えば従来の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）2 0
（ｍｏｌ％）の組成を有する材料を用い、該他方の誘電
体層と記録層との間に界面層を設ける構成としてもよ
い。この場合においても、本実施例と同様な結果が得ら
れた。従って、誘電体層としてＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層を用いることにより、従来、第１および第２の誘電
体層と記録層との間にそれぞれ用いていた２つの界面層
のうち少なくとも一方、好ましくは双方を減らすことが
でき、且つ、比較例の情報記録媒体と同等の性能を確保
することができる。In the information recording medium 28 of this embodiment,
Zr—Zn—S—O for both the first and second dielectric layers
Although the system material layer is used, the present invention is not limited to this. As an example, a Zr—Zn—S—O-based material layer is used for one of the first and second dielectric layers, and the other dielectric layer is formed of, for example, conventional (ZnS) 80 (SiO 2 ) 2 0.
A material having a composition of (mol%) may be used, and an interface layer may be provided between the other dielectric layer and the recording layer. Also in this case, the same result as that of this example was obtained. Therefore, by using the Zr—Zn—S—O-based material layer as the dielectric layer, at least one of the two interface layers conventionally used between the first and second dielectric layers and the recording layer is used. On the other hand, it is possible to reduce both, and it is possible to secure the same performance as that of the information recording medium of the comparative example.

【０２５４】（実施例９）実施例９では、実施の形態５
にて図５を参照しながら上述した情報記録媒体２９と同
様の構造を有する情報記録媒体を作製した。Example 9 In Example 9, Embodiment 5 will be described.
Then, an information recording medium having the same structure as the information recording medium 29 described above with reference to FIG. 5 was produced.

【０２５５】本実施例の情報記録媒体２９は次のように
して作製した。まず、実施例８と同様の基板１０１を準
備し、この基板１０１の上に、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕおよび
ＡｌＣｒの２層構造の第２の反射層２０をそれぞれ８０
ｎｍおよび１０ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｚ
ｎＳ）57（ｍｏｌ％）の第５の誘電体層１９を１６ｎｍ
の厚さで、Ｇｅ37.5Ｓｂ11Ｔｅ51.5（原子％）の第２の
記録層１８を１１ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）
43（ＺｎＳ）57（ｍｏｌ％）の第４の誘電体層１７を６
８ｎｍの厚さで、スパッタリング法により順次成膜し
た。これにより、基板１０１の上に、第２情報層２２が
形成された。The information recording medium 29 of this example was manufactured as follows. First, the same substrate 101 as in Example 8 was prepared, and the second reflective layer 20 having a two-layer structure of Ag—Pd—Cu and AlCr was formed on the substrate 101 by 80.
nm and 10 nm thick, (ZrSiO 4 ) 43 (Z
nS) 57 (mol%) of the fifth dielectric layer 19 of 16 nm
The second recording layer 18 of Ge 37.5 Sb 11 Te 51.5 (atomic%) with a thickness of 11 nm and a thickness of (ZrSiO 4 )
43 (ZnS) 57 (mol%) of the fourth dielectric layer 17
A film having a thickness of 8 nm was sequentially formed by a sputtering method. As a result, the second information layer 22 was formed on the substrate 101.

【０２５６】第２の反射層２０および第２の記録層１８
を成膜する工程は、実施例８の情報記録媒体２８の作製
方法における、反射層８および記録層４を成膜する工程
と同様の条件でそれぞれ実施した。また、第５の誘電体
層１９および第４の誘電体層１７を成膜する工程は、
（ＺｒＳｉＯ4）43（ＺｎＳ）57（ｍｏｌ％）の組成を
有する材料から成るスパッタリングターゲット（直径１
００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を用いたこと以外は、実施例８
の情報記録媒体２８の作製方法における第２の誘電体層
６および第１の誘電体層２を成膜する工程とそれぞれ同
様の条件で実施した。Second reflective layer 20 and second recording layer 18
The step of forming a film was performed under the same conditions as the step of forming the reflective layer 8 and the recording layer 4 in the method of manufacturing the information recording medium 28 of Example 8. In addition, the step of forming the fifth dielectric layer 19 and the fourth dielectric layer 17 includes
A sputtering target (diameter: 1) having a composition of (ZrSiO 4 ) 43 (ZnS) 57 (mol%)
Example 8 except that a thickness of 00 mm and a thickness of 6 mm) was used.
The process was performed under the same conditions as the steps of forming the second dielectric layer 6 and the first dielectric layer 2 in the method of manufacturing the information recording medium 28.

【０２５７】次に、第２情報層２２の上に、例えばスピ
ンコートにより、紫外線硬化性樹脂を塗布し、塗布した
紫外線硬化性樹脂の上に、表面に案内溝が設けられたポ
リカーボネート基板を、その案内溝を密着させて配置す
る。そして、ポリカーボネート基板の側から紫外線を照
射して樹脂を硬化させ、ポリカーボネート基板を中間層
１６から剥離した。これにより、硬化した樹脂から成
り、溝を転写した中間層１６が３０μｍの厚さで形成さ
れた。Next, an ultraviolet curable resin is applied on the second information layer 22 by, for example, spin coating, and a polycarbonate substrate having guide grooves on the surface is applied on the applied ultraviolet curable resin. The guide groove is placed in close contact. Then, the polycarbonate substrate was irradiated with ultraviolet rays to cure the resin, and the polycarbonate substrate was peeled from the intermediate layer 16. As a result, the intermediate layer 16 made of the cured resin and having the transferred grooves was formed with a thickness of 30 μm.

【０２５８】そして、第１の初期化工程として、波長６
７０ｎｍの半導体レーザを使って、第２情報層２２の第
２の記録層１８を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領
域内でほぼ全面に亘って結晶化させた。Then, as the first initialization step, the wavelength 6
The 70 nm semiconductor laser was used to crystallize the second recording layer 18 of the second information layer 22 over substantially the entire area within an annular region having a radius of 22 to 60 mm.

【０２５９】次に、以上のようにして得た積層体の中間
層１６の上に、ＴｉＯ2の第３の誘電体層１５を１５ｎ
ｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの第１の反射層１４を１
０ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）43（ＺｎＳ）57（ｍ
ｏｌ％）の第２の誘電体層６を１２ｎｍの厚さで、Ｇｅ
38Ｓｂ10Ｔｅ52（原子％）の第１の記録層１３を６ｎｍ
の厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）43（ＺｎＳ）57（ｍｏｌ
％）の第１の誘電体層２を４５ｎｍの厚さで、スパッタ
リング法により順次成膜した。これにより、第１情報層
２１が形成された。尚、必要に応じて、第１の反射層１
４と第２の誘電体層６との間にＣｒ2Ｏ3の薄膜層を５ｎ
ｍの厚さで設けてもよい。Next, 15 n of a third dielectric layer 15 of TiO 2 is formed on the intermediate layer 16 of the laminated body obtained as described above.
The first reflective layer 14 made of Ag-Pd-Cu has a thickness of 1 m.
With a thickness of 0 nm, (ZrSiO 4 ) 43 (ZnS) 57 (m
ol%) second dielectric layer 6 with a thickness of 12 nm and Ge
The first recording layer 13 of 38 Sb 10 Te 52 (atomic%) is set to 6 nm.
Thickness of (ZrSiO 4 ) 43 (ZnS) 57 (mol
%) Of the first dielectric layer 2 having a thickness of 45 nm was sequentially formed by the sputtering method. As a result, the first information layer 21 was formed. If necessary, the first reflective layer 1
5n of Cr 2 O 3 thin film layer between the second dielectric layer 6 and the second dielectric layer 6
It may be provided with a thickness of m.

【０２６０】第３の誘電体層１５を成膜する工程におい
ては、ＴｉＯ2の組成を有する材料から成るスパッタリ
ングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を用
い、パワー４００Ｗで、Ａｒガス（９７％）とＯ２ガス
（３％）との混合ガスを導入して、約０．１３Ｐａの圧
力下、高周波スパッタリングを行った。In the step of forming the third dielectric layer 15, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of TiO 2 was used, and a power of 400 W and Ar gas (97%) were used. A mixed gas with O 2 gas (3%) was introduced, and high frequency sputtering was performed under a pressure of about 0.13 Pa.

【０２６１】第１の反射層１４を成膜する工程は、層厚
さを変えたこと以外は、上記の第２の反射層２０におけ
るＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕの層の形成条件と同様の条件で実施
した。The step of forming the first reflection layer 14 is the same as the formation conditions of the Ag-Pd-Cu layer in the second reflection layer 20 except that the layer thickness is changed. Carried out.

【０２６２】第２の誘電体層６を成膜する工程は、（Ｚ
ｒＳｉＯ4）43（ＺｎＳ）57の組成を有する材料から成
るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６
ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー５００Ｗで、Ａｒ
ガス（１００％）を導入して、約０．１３の圧力下、高
周波スパッタリングを行った。The step of forming the second dielectric layer 6 is performed by (Z
A sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6) made of a material having the composition of rSiO 4 ) 43 (ZnS) 57.
mm) is attached to the film forming apparatus, and the power is 500 W and Ar
High frequency sputtering was performed under a pressure of about 0.13 by introducing gas (100%).

【０２６３】第１の記録層１３を成膜する工程において
は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタリングタ
ーゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に
取り付け、パワー５０Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導
入して、直流スパッタリングを行った。スパッタ時の圧
力は約０．１３Ｐａとした。In the step of forming the first recording layer 13, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a Ge—Sb—Te-based material was attached to the film forming apparatus, the power was 50 W, and the Ar gas (100 mm) was used. %) Was introduced and DC sputtering was performed. The pressure during sputtering was about 0.13 Pa.

【０２６４】第１の誘電体層２を成膜する工程は、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層６が実質的に同じ組
成を有するように、層厚さを変えたこと以外は上記の第
２の誘電体層６を成膜する工程と同様にして、実施し
た。The step of forming the first dielectric layer 2 includes the first step.
Of the second dielectric layer 6 except that the layer thickness is changed so that the dielectric layer 2 and the second dielectric layer 6 have substantially the same composition. It was carried out.

【０２６５】以上のようにして基板１０１の上に第１の
誘電体層２まで成膜して積層体を形成した後、紫外線硬
化性樹脂を第１の誘電体層２の上に塗布し、塗布した紫
外線硬化性樹脂の上に、ダミー基板１１０として直径１
２０ｍｍ、厚み６５μｍの円形のポリカーボネート基板
を密着させた。そして、ダミー基板１１０の側から紫外
線を照射して樹脂を硬化させた。これにより、硬化した
樹脂から成る接着層９が１０μｍの厚さで形成され、ダ
ミー基板１１０を接着層９を介して積層体に貼り合わせ
た。After the first dielectric layer 2 is formed on the substrate 101 to form a laminated body as described above, an ultraviolet curable resin is applied on the first dielectric layer 2. A dummy substrate 110 having a diameter of 1 is formed on the applied ultraviolet curable resin.
A circular polycarbonate substrate having a thickness of 20 mm and a thickness of 65 μm was adhered. Then, the resin was cured by irradiating ultraviolet rays from the dummy substrate 110 side. As a result, the adhesive layer 9 made of the cured resin was formed to a thickness of 10 μm, and the dummy substrate 110 was attached to the laminated body via the adhesive layer 9.

【０２６６】貼り合わせ後、第２の初期化工程として、
波長６７０ｎｍの半導体レーザを使って、第１情報層２
１の第１の記録層１３を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の
環状領域内でほぼ全面に亘って結晶化させた。これによ
り、サンプル番号９−１の情報記録媒体２９の作製が完
了した。After the bonding, as a second initialization step,
Using the semiconductor laser having a wavelength of 670 nm, the first information layer 2
The first recording layer 13 of No. 1 was crystallized over almost the entire area within an annular region having a radius of 22 to 60 mm. This completes the production of the information recording medium 29 of sample number 9-1.

【０２６７】以上のようにして得られたサンプル番号９
−１の情報記録媒体２９について、第１情報層２１およ
び第２情報層２２毎に、誘電体層の密着性および情報記
録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。これらの結
果を、繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピーク
パワー（Ｐｐ）およびバイアスパワー（Ｐｂ）と共に表
９に示す。Sample No. 9 obtained as described above
Regarding the information recording medium 29 of -1, the adhesion of the dielectric layer and the rewritability of the information recording medium were evaluated for each of the first information layer 21 and the second information layer 22. These results are shown in Table 9 together with the peak power (Pp) and the bias power (Pb) obtained when the repeated rewriting performance was evaluated.

【０２６８】本実施例にて、情報記録媒体２９における
誘電体層の密着性の評価は実施例１と同様の条件で行っ
たが、第１情報層２１と第２情報層２２のそれぞれにつ
いて剥離の有無を調べた点で異なる。また、情報記録媒
体２９の繰り返し書き換え性能の評価は、実施例８とほ
ぼ同様の条件により行ったが、情報記録媒体２９の第１
情報層２１と第２情報層２２のそれぞれに２３ＧＢ容量
相当の記録を行って、第１情報層２１と第２情報層２２
のそれぞれについて繰り返し回数を調べた点で異なる。
第１情報層２１に記録する際には、レーザ光１２を第１
の記録層１３に焦点させ、第２情報層２２を記録する際
には、レーザ光１２を第２の記録層１８に焦点させた。
システムのレーザパワー上限値を考慮すれば、第１の情
報層２１でＰｐ≦１４ｍＷ、Ｐｂ≦７ｍＷ（第２情報層
２２では、第１情報層２１を通ってきたレーザ光１２を
使うのでこれらＰｐおよびＰｂの約半分の値）を満足す
ることが望ましい。In this example, the adhesion of the dielectric layer on the information recording medium 29 was evaluated under the same conditions as in Example 1, but the first information layer 21 and the second information layer 22 were peeled off. The difference is that the presence or absence of is checked. The evaluation of the repetitive rewriting performance of the information recording medium 29 was performed under substantially the same conditions as in Example 8.
Recording corresponding to a 23 GB capacity is performed on each of the information layer 21 and the second information layer 22, and the first information layer 21 and the second information layer 22 are recorded.
The difference is that the number of repetitions was examined for each of the.
When recording on the first information layer 21, the laser beam 12 is first
When recording the second information layer 22 by focusing on the recording layer 13 of No. 2, the laser beam 12 was focused on the second recording layer 18.
Considering the laser power upper limit of the system, Pp ≦ 14 mW and Pb ≦ 7 mW in the first information layer 21 (the second information layer 22 uses the laser light 12 that has passed through the first information layer 21. And about half the value of Pb).

【０２６９】[0269]

【表９】 [Table 9]

【０２７０】表９に示すように、本実施例のサンプル番
号９−１の情報記録媒体２９では、図１に示すような情
報記録媒体２５と比べて、基板上への各層の成膜順が逆
であること、基板上に２つ以上の情報層があること、記
録条件が異なること、ならびに記録容量が約１０倍に増
えていることに関係なく、第１誘電体層２、第２誘電体
層６、第４誘電体層１７および第５の誘電体層１９とし
て、ＺｒＳｉＯ４−ＺｎＳの系の材料から成る層を用い
ることによって、良好な性能が得られた。また、本実施
例にて作製したサンプル番号９−１の情報記録媒体２９
の（凹凸のない平面部における）第１情報層２１のＲｃ
設計値は６％とし、Ｒａ設計値は０．７％であった。第
２情報層２２のＲｃ設計値は２５％であり、Ｒａ設計値
は３％であった。As shown in Table 9, in the information recording medium 29 of sample No. 9-1 of this example, the order of film formation of each layer on the substrate was higher than that of the information recording medium 25 shown in FIG. Despite the opposite, that there are two or more information layers on the substrate, that the recording conditions are different, and that the recording capacity has increased by about 10 times, the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 2 Good performance was obtained by using, as the body layer 6, the fourth dielectric layer 17, and the fifth dielectric layer 19, layers made of a ZrSiO 4 —ZnS-based material. In addition, the information recording medium 29 of sample number 9-1 produced in this example
Rc of the first information layer 21 (in the flat portion having no unevenness)
The design value was 6% and the Ra design value was 0.7%. The Rc design value of the second information layer 22 was 25%, and the Ra design value was 3%.

【０２７１】本実施例のサンプル番号９−１の情報記録
媒体２９では、第１の誘電体層２、第２の誘電体層６、
第４の誘電体層１７および第５の誘電体層１９の全てに
ＺｒＳｉＯ４−ＺｎＳの系の材料から成る層を用いた
が、他のＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層（例えばＺｒＯ２
−ＳｉＯ２−ＺｎＳの系の材料であって、ＺｒＯ２およ
びＳｉＯ２の含有量が異なる材料から成る層）を誘電体
層に用いても良好な性能が得られた。In the information recording medium 29 of sample No. 9-1 of this example, the first dielectric layer 2, the second dielectric layer 6,
Although a layer made of a ZrSiO 4 —ZnS-based material is used for all of the fourth dielectric layer 17 and the fifth dielectric layer 19, another Zr—Zn—S—O-based material layer (for example, ZrO 2
Good performance was obtained even when a layer made of a material of the type —SiO 2 —ZnS and having different contents of ZrO 2 and SiO 2 ) was used as the dielectric layer.

【０２７２】また、本実施例の情報記録媒体２９では、
第１の誘電体層２、第２の誘電体層６、第４の誘電体層
１７および第５の誘電体層１９の全てにＺｒ−Ｚｎ−Ｓ
−Ｏ系材料層を用いることとしたが、本発明はこれに限
定されない。一例として、これら誘電体層のうち少なく
とも一つにＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用い、残りの
誘電体層に、例えば従来の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
（ｍｏｌ％）の組成を有する材料を用い、該残りの誘電
体層と記録層との間に界面層を設ける構成としてもよ
い。この場合においても本実施例と同様な結果が得られ
た。In the information recording medium 29 of this embodiment,
Zr-Zn-S is formed on all of the first dielectric layer 2, the second dielectric layer 6, the fourth dielectric layer 17, and the fifth dielectric layer 19.
Although the -O-based material layer is used, the present invention is not limited to this. As an example, a Zr—Zn—S—O-based material layer is used for at least one of these dielectric layers, and the remaining dielectric layers are formed of, for example, conventional (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20
A material having a composition of (mol%) may be used, and an interface layer may be provided between the remaining dielectric layer and the recording layer. Also in this case, the same results as in this example were obtained.

【０２７３】さらに、本実施例の情報記録媒体２９で
は、第１の誘電体層２、第２の誘電体層６、第４の誘電
体層１７および第５の誘電体層１９の全てに、同じ組成
の材料層を用いたが、これら誘電体層のうちの少なくと
も任意の二つについて、異なる組成の材料を用いること
もできる。その場合にも本実施例の結果と同程度に良好
な性能が得られた。Furthermore, in the information recording medium 29 of the present embodiment, all of the first dielectric layer 2, the second dielectric layer 6, the fourth dielectric layer 17 and the fifth dielectric layer 19, Although material layers of the same composition were used, materials of different composition could be used for at least any two of these dielectric layers. Even in that case, a good performance comparable to the result of this example was obtained.

【０２７４】（実施例１０）実施例１０では、実施の形
態６にて図６を参照しながら上述した情報記録媒体３０
と同様の構造を有する情報記録媒体を作製した。本実施
例の情報記録媒体３０においては、上述までの実施例１
〜９の情報記録媒体における誘電体層とは異なり、第１
の界面層３および第２の界面層５にＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ
系材料層を用いたものである。Example 10 In Example 10, the information recording medium 30 described in the sixth embodiment with reference to FIG. 6 was used.
An information recording medium having the same structure as the above was produced. In the information recording medium 30 of this embodiment, the first embodiment described above is used.
No. 1 to 9 are different from the dielectric layer in the information recording medium.
On the interfacial layer 3 and the second interfacial layer 5 of
It uses a system material layer.

【０２７５】本実施例の情報記録媒体３０は次のように
して作製した。まず、実施例１と同様の基板１を準備
し、この基板１の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ２）
20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層１０２を１５０ｎｍの
厚さで、（ＺｒＳｉＯ４）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）
の第１の界面層３を５ｎｍの厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ８Ｓｂ
12Ｔｅ53（原子％）の記録層４を９ｎｍの厚さで、（Ｚ
ｒＳｉＯ４）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）の第２の界面
層５を５ｎｍの厚さで、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ２）
20（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層１０６を５０ｎｍの厚
さで、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の光吸収補正層７を４０
ｎｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層８を８０ｎｍ
の厚さで、スパッタリング法により順次成膜した。ここ
で、第１の誘電体層１０２および第２の誘電体層１０６
の各材料は、図９を参照しながら上述した従来の情報記
録媒体３１に備えられるものと同様である。The information recording medium 30 of this example was manufactured as follows. First, the same substrate 1 as in Example 1 was prepared, and (ZnS) 80 (SiO 2 ) was added on the substrate 1.
The first dielectric layer 102 of 20 (mol%) with a thickness of 150 nm is formed by (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%).
The first interface layer 3 of 5 nm thick with Ge 27 Sn 8 Sb
The recording layer 4 of 12 Te 53 (atomic%) is formed with a thickness of 9 nm (Z
The second interfacial layer 5 of rSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%) is formed to a thickness of 5 nm, and is (ZnS) 80 (SiO 2 ).
The second dielectric layer 106 of 20 (mol%) is formed to a thickness of 50 nm, and the light absorption correction layer 7 of Ge 80 Cr 20 (atomic%) is formed to 40 nm.
The reflective layer 8 of Ag-Pd-Cu has a thickness of 80 nm.
The film having the thickness of 1 was sequentially formed by the sputtering method. Here, the first dielectric layer 102 and the second dielectric layer 106.
The respective materials are the same as those provided in the conventional information recording medium 31 described above with reference to FIG.

【０２７６】この情報記録媒体３０は、第１の界面層３
および第２の界面層５の材料が異なる点を除いて、実施
例１にて作製した従来構成の情報記録媒体３１（図９を
参照のこと）と同様であり、第１の界面層３および第２
の界面層５の成膜工程を除いてこれと同様にして作製し
た。第１の界面層３および第２の界面層５の成膜工程
は、（ＺｒＳｉＯ４）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）の組
成を有する材料から成るスパッタリングターゲット（直
径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パ
ワー４００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入して、約
０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを行っ
た。This information recording medium 30 includes the first interface layer 3
And the information recording medium 31 of the conventional configuration (see FIG. 9) produced in Example 1 except that the material of the second interface layer 5 is different. Second
The film was formed in the same manner as the above except the film forming process of the interface layer 5. In the film forming process of the first interface layer 3 and the second interface layer 5, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%) is formed. It was attached to a film apparatus, Ar gas (100%) was introduced with a power of 400 W, and high frequency sputtering was performed under a pressure of about 0.13 Pa.

【０２７７】以上のようにして得られたサンプル番号１
０−１の情報記録媒体３０について、誘電体層の密着性
および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を、実施例
１にて上述したのとほぼ同様にして評価したが、本実施
例では、密着性の評価は、記録層４とこれに接する界面
層の間、より詳細には記録層と第１の界面層３および第
２の界面層５の少なくとも一方との間で剥離が発生して
いないかどうか調べることにより実施した。また、繰り
返し書き換え性能の評価は、グルーブ記録だけでなくラ
ンド記録も行って（即ち、ランド−グルーブ記録によ
り）グルーブ記録およびランド記録のそれぞれについて
繰り返し回数を調べることにより実施した。これらの結
果を１０に示す。加えて、比較のために、実施例１にて
作製した図９に示す従来構成の情報記録媒体３１につい
て同様に評価した結果も表１０に示す。Sample number 1 obtained as described above
With respect to the information recording medium 30 of 0-1, the adhesion of the dielectric layer and the repeated rewriting performance of the information recording medium were evaluated in substantially the same manner as described above in Example 1. The evaluation was made whether peeling occurred between the recording layer 4 and the interface layer in contact with the recording layer 4, more specifically, between the recording layer and at least one of the first interface layer 3 and the second interface layer 5. It was carried out by investigating. Further, the repetitive rewriting performance was evaluated by performing land recording as well as groove recording (that is, by land-groove recording) and examining the number of repetitions of each of groove recording and land recording. The results are shown in 10. In addition, for comparison, Table 10 also shows the result of the similar evaluation of the information recording medium 31 of the conventional structure shown in FIG.

【０２７８】[0278]

【表１０】 [Table 10]

【０２７９】表１０に示すように、界面層の材料に（Ｚ
ｒＳｉＯ４）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ％）を用いた本実
施例のサンプル番号１０−１の情報記録媒体３０で、比
較例の従来構成の情報記録媒体３１と同等の性能が得ら
れた。As shown in Table 10, the material of the interface layer is (Z
The information recording medium 30 of sample No. 10-1 of this example using rSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol%) provided the same performance as the information recording medium 31 of the conventional structure of the comparative example.

【０２８０】本実施例によれば、界面層としてＺｒ−Ｚ
ｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用い、情報記録媒体の層数は従来
と同じであり、減らない。しかし、このようなＺｒ−Ｚ
ｎ−Ｓ−Ｏ系材料から成る界面層は、従来のＧｅ−Ｃｒ
−Ｎの界面層のように反応性スパッタリングに依らず、
Ａｒガスのみの雰囲気下でのスパッタリングで形成可能
である。従って、本実施例によれば、界面層自体の組成
バラツキや膜厚分布が従来のＧｅ−Ｃｒ−Ｎの界面層よ
りも小さくなり、製造の容易性や安定性を向上させるこ
とができる。According to this embodiment, Zr-Z is used as the interface layer.
The number of layers of the information recording medium is the same as the conventional one, using the n-S-O-based material layer, and does not decrease. However, such Zr-Z
The interface layer made of an n-S-O-based material is a conventional Ge-Cr
Unlike the -N interface layer, which does not rely on reactive sputtering,
It can be formed by sputtering in an atmosphere of only Ar gas. Therefore, according to this embodiment, the composition variation and the film thickness distribution of the interface layer itself are smaller than those of the conventional Ge-Cr-N interface layer, and the easiness of manufacture and the stability can be improved.

【０２８１】尚、本実施例のサンプル番号１０−１の情
報記録媒体３０では、第１の界面層３および第２の界面
層５として、（ＺｒＳｉＯ４）54（ＺｎＳ）46（ｍｏｌ
％）の組成を有する材料から成る層（Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料層）を用いたが、この組成は一例であり、他の
Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用いてもよい。また、第
１の界面層３と第２の界面層５として、互いに組成の異
なるＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用いてもよい。In the information recording medium 30 of sample No. 10-1 of this example, (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 (mol) was used as the first interface layer 3 and the second interface layer 5.
%) Of the layer (Zr-Zn-S-
O-based material layer) was used, but this composition is an example, and another Zr—Zn—S—O-based material layer may be used. Further, as the first interface layer 3 and the second interface layer 5, Zr—Zn—S—O based material layers having different compositions may be used.

【０２８２】（実施例１１）実施例１１では、実施の形
態４にて図４を参照しながら説明した情報記録媒体２８
と同様の構造を有する情報記録媒体を、記録層４の材料
を種々変化させて作製した。Example 11 In Example 11, the information recording medium 28 explained in Embodiment 4 with reference to FIG.
An information recording medium having the same structure as was prepared by changing the material of the recording layer 4 variously.

【０２８３】本実施例の情報記録媒体２８は、第２の誘
電体層および第１の誘電体層が共に（ＺｒＯ2）50（Ｓ
ｉＯ2）30（ＺｎＳ）20（ｍｏｌ％）から成り、記録層
の材料が表１１に示す材料（即ち、各サンプルにつき、
Ｇｅ35Ｓｎ10Ｓｂ4Ｔｅ51（原子％）、Ｇｅ45Ｂｉ4Ｔｅ
51（原子％）、Ｇｅ42Ｓｎ3Ｂｉ4Ｔｅ51（原子％）、Ｇ
ｅ45Ｓｂ2Ｂｉ2Ｔｅ51（原子％）、Ｇｅ42Ｓｎ3Ｓｂ3Ｂ
ｉ1Ｔｅ51（原子％）、Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ77Ｔｅ18（原子
％）およびＳｂ77Ｔｅ18Ｇｅ5（原子％））から成る点
を除いて、実施例８の情報記録媒体２８と同様の構成と
し、第１および第２の誘電体層の成膜工程ならびに記録
層の成膜工程を変更した点を除いてこれと同様にして作
製した。In the information recording medium 28 of this example, both the second dielectric layer and the first dielectric layer are (ZrO 2 ) 50 (S
iO 2 ) 30 (ZnS) 20 (mol%), and the material of the recording layer is shown in Table 11 (that is, for each sample,
Ge 35 Sn 10 Sb 4 Te 51 (atomic%), Ge 45 Bi 4 Te
51 (atomic%), Ge 42 Sn 3 Bi 4 Te 51 (atomic%), G
e 45 Sb 2 Bi 2 Te 51 (atomic%), Ge 42 Sn 3 Sb 3 B
i 1 Te 51 (atomic%), Ag 2 In 3 Sb 77 Te 18 (atomic%) and Sb 77 Te 18 Ge 5 (atomic%)), the same as the information recording medium 28 of Example 8. And the same procedure except that the steps of forming the first and second dielectric layers and the steps of forming the recording layer were changed.

【０２８４】実施例８と同様に、基板１０１の上に、Ａ
ｇ−Ｐｄ−ＣｕおよびＡｌＣｒの２層構造の反射層８を
それぞれ８０ｎｍおよび１０ｎｍの厚さで、（Ｚｒ
Ｏ2）50（ＳｉＯ2）30（ＺｎＳ）20（ｍｏｌ％）の第２
の誘電体層６を１６ｎｍの厚さで、表１１に示す材料か
ら成る記録層４を１１ｎｍ、（ＺｒＯ2）50（ＳｉＯ2）
30（ＺｎＳ）20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を６８
ｎｍの厚さで、スパッタリング法により順次成膜した。As in the eighth embodiment, A
The reflective layer 8 having a two-layer structure of g-Pd-Cu and AlCr
At thicknesses of 80 nm and 10 nm respectively, (Zr
O2)50(SiO2)30(ZnS)20(Mol%) second
The dielectric layer 6 of 16 nm thick and made of the material shown in Table 11
The recording layer 4 consisting of 11 nm, (ZrO2)50(SiO2)
30(ZnS)20(Mol%) of the first dielectric layer 2 is 68
Films having a thickness of nm were sequentially formed by a sputtering method.

【０２８５】本実施例の情報記録媒体２８を作製するた
め、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜工程に
おいては、（ＺｒＯ2）50（ＳｉＯ2）30（ＺｎＳ）
20（ｍｏｌ％）の組成を有する材料から成るスパッタリ
ングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を用い
た。また、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜
工程において、いずれのサンプルについても、パワーを
４００Ｗとし、圧力を約０．１３Ｐａとし、成膜装置に
導入するガスにはＡｒガス（１００％）を用いた。In order to manufacture the information recording medium 28 of this example, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, (ZrO 2 ) 50 (SiO 2 ) 30 (ZnS) was used.
A sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of 20 (mol%) was used. Further, in the film forming process of the first dielectric layer and the second dielectric layer, the power was 400 W, the pressure was about 0.13 Pa, and the gas introduced into the film forming apparatus was Ar for all samples. Gas (100%) was used.

【０２８６】また、サンプル番号１１−１〜１１−７の
情報記録媒体２８を作製するために、記録層の成膜工程
においては、表１１に示す所定の組成を有する材料から
成るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み
６ｍｍ）をそれぞれ用いた。また、記録層の成膜工程
は、いずれのサンプルについても、パワーを１００Ｗと
し、圧力を約０．１３Ｐａとし、成膜装置に導入するガ
スにはＡｒガス（９７％）とＮ2ガス（３％）との混合
ガスを用いた。Further, in order to manufacture the information recording mediums 28 of sample numbers 11-1 to 11-7, in the film forming process of the recording layer, the sputtering target (diameter of the material having the predetermined composition shown in Table 11 (diameter 100 mm and a thickness of 6 mm) were used. Further, in the film forming process of the recording layer, the power was 100 W, the pressure was about 0.13 Pa, and the gas introduced into the film forming apparatus was Ar gas (97%) and N 2 gas (3%) for all the samples. %) Was used.

【０２８７】スパッタリング法により成膜された記録層
は、用いたスパッタリングターゲットと実質的に同じ組
成を有すると見なした。The recording layer formed by the sputtering method was considered to have substantially the same composition as the sputtering target used.

【０２８８】その他の成膜工程、貼り合わせ工程および
初期化工程は、実施例８と同様である。The other film forming process, bonding process and initialization process are the same as in the eighth embodiment.

【０２８９】以上のようにして得られたサンプル番号１
１−１〜１１−７の情報記録媒体について、実施例８と
ほぼ同様にして、誘電体層の密着性および情報記録媒体
の繰り返し書き換え性能を評価した。これらの結果を、
繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー
（Ｐｐ）と共に表１１に示す。尚、情報記録媒体２８の
評価条件については、情報記録媒体を回転させる線速度
を１０ｍ／秒とした点で、実施例８の評価条件と異な
る。その他については、実施例８の場合と同様に、波長
４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レン
ズを使用し、グルーブ表面に２３ＧＢ容量相当の記録を
行った。Sample No. 1 obtained as described above
About the information recording mediums 1-1 to 11-7, the adhesion of the dielectric layer and the rewritable performance of the information recording medium were evaluated in substantially the same manner as in Example 8. These results
Table 11 shows the peak power (Pp) obtained in the evaluation of the repetitive rewriting performance. The evaluation condition of the information recording medium 28 is different from the evaluation condition of Example 8 in that the linear velocity for rotating the information recording medium was 10 m / sec. Other than that, as in the case of Example 8, a semiconductor laser having a wavelength of 405 nm and an objective lens having a numerical aperture of 0.85 were used, and recording corresponding to a 23 GB capacity was performed on the groove surface.

【０２９０】[0290]

【表１１】 [Table 11]

【０２９１】表１１によれば、記録層４の材料を種々変
化させても、線速度１０ｍ／秒の条件で、高い密着性お
よび高い繰り返し回数ならびに適切なパワ−レベルが得
られた。このように、（ＺｒＯ2）50（ＳｉＯ2）30（Ｚ
ｎＳ）20（ｍｏｌ％）から成る材料を第１および第２の
誘電体層の材料に用いると、界面層を設けない構成の情
報記録媒体において良好な性能が得られた。According to Table 11, even if the material of the recording layer 4 was variously changed, a high adhesion, a high number of repetitions and an appropriate power level were obtained under the condition of the linear velocity of 10 m / sec. Thus, (ZrO 2 ) 50 (SiO 2 ) 30 (Z
When a material composed of nS) 20 (mol%) was used as the material for the first and second dielectric layers, good performance was obtained in the information recording medium having no interface layer.

【０２９２】（実施例１２）以上の実施例１〜１１で
は、光学的手段によって情報を記録する情報記録媒体を
作製したが、実施例１２では、図７に示すような、電気
的手段によって情報を記録する情報記録媒体２０７を作
製した。本実施例の情報記録媒体２０７はいわゆるメモ
リである。(Embodiment 12) In the above Embodiments 1 to 11, an information recording medium for recording information by optical means was produced. In Embodiment 12, however, information is recorded by electric means as shown in FIG. An information recording medium 207 for recording was prepared. The information recording medium 207 of this embodiment is a so-called memory.

【０２９３】本実施例の情報記録媒体２０７は次のよう
にして作製した。まず、表面を窒化処理した、長さ５ｍ
ｍ、幅５ｍｍおよび厚さ１ｍｍのＳｉ基板２０１を準備
し、この基板２０１の上に、Ａｕの下部電極２０２を
１．０ｍｍ×１．０ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、Ｇ
ｅ38Ｓｂ10Ｔｅ52（化合物としてはＧｅ8Ｓｂ2Ｔｅ11と
表記される）の相変化部２０５を直径０．２ｍｍの円形
領域に厚さ０．１μｍで、（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｚｎ
Ｓ）46の断熱部２０６を０．６ｍｍ×０．６ｍｍの領域
（但し相変化部２０５を除く）に相変化部２０５と同じ
厚さで、Ａｕの上部電極２０４を０．６ｍｍ×０．６ｍ
ｍの領域に厚さ０．１μｍで、スパッタリング法により
順次積層した。The information recording medium 207 of this example was manufactured as follows. First, nitriding the surface, length 5m
A Si substrate 201 having a size of m, a width of 5 mm and a thickness of 1 mm is prepared, and an Au lower electrode 202 is provided on the substrate 201 in a region of 1.0 mm × 1.0 mm with a thickness of 0.1 μm.
The phase change portion 205 of e 38 Sb 10 Te 52 (which is expressed as Ge 8 Sb 2 Te 11 as a compound) was formed in a circular region having a diameter of 0.2 mm with a thickness of 0.1 μm, and (ZrSiO 4 ) 54 (ZnSiO 4 ) 54 (ZnSiO 4 ).
S) The heat insulating part 206 of 46 has the same thickness as the phase change part 205 in the area of 0.6 mm × 0.6 mm (excluding the phase change part 205), and the upper electrode 204 of Au is 0.6 mm × 0.6 m.
m region with a thickness of 0.1 μm was sequentially laminated by a sputtering method.

【０２９４】相変化部２０５を成膜する工程では、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー１００Ｗで、Ａｒガス（１００％）の混合ガ
スを導入して直流スパッタリングを行った。スパッタ時
の圧力は約０．１３Ｐａとした。また、断熱部２０６を
成膜する工程では、（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46の
組成を有する材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー５００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入し
て、約０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを
行った。これら工程でのスパッタリングは、相変化部２
０５および断熱部２０６が互いに積層しないように、成
膜すべき面以外の領域をマスク治具で覆って各々行っ
た。尚、相変化部２０５および断熱部２０６の形成の順
序は問わず、いずれを先に行ってもよい。In the step of forming the phase change portion 205, Ge is used.
A sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a —Sb—Te-based material was attached to a film forming apparatus, and a DC mixed gas was introduced at a power of 100 W by introducing a mixed gas of Ar gas (100%). The pressure during sputtering was about 0.13 Pa. Further, in the step of forming the film of the heat insulating section 206, a sputtering target (diameter 100 mm, thickness 6 mm) made of a material having a composition of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 was attached to the film forming apparatus, and a power of 500 W was used to supply Ar gas. (100%) was introduced, and high frequency sputtering was performed under a pressure of about 0.13 Pa. The sputtering in these steps is performed by the phase change part 2
05 and the heat insulating portion 206 were covered with a mask jig so that the regions other than the surface on which the film was to be formed were covered so as not to be laminated on each other. The order of forming the phase change portion 205 and the heat insulating portion 206 is not limited, and either of them may be formed first.

【０２９５】相変化部２０５および断熱部２０６は記録
部２０３を構成し、相変化部２０５が本発明に言うとこ
ろの記録層に該当し、断熱部２０６が本発明に言うとこ
ろのＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層に該当する。The phase change section 205 and the heat insulation section 206 constitute the recording section 203. The phase change section 205 corresponds to the recording layer in the present invention, and the heat insulation section 206 corresponds to the Zr-Zn- in the present invention. It corresponds to the S-O based material layer.

【０２９６】尚、下部電極２０２を成膜する工程および
上部電極２０４を成膜する工程は、スパッタリング法に
よる電極形成技術の分野において一般的な方法で実施で
きるので、詳細な説明は省略する。Since the step of forming the lower electrode 202 and the step of forming the upper electrode 204 can be carried out by a general method in the field of electrode forming technology by the sputtering method, detailed description thereof will be omitted.

【０２９７】以上のようにして作製した本実施例の情報
記録媒体２０７に電気的エネルギーを印加することによ
って相変化部２０５にて相変化が起こることを、図８に
示すシステムにより確認した。図８に示す情報記録媒体
２０７の断面図は、図７に示す情報記録媒体２０７の線
Ａ−Ｂに沿って厚さ方向に切断した断面を示している。It was confirmed by the system shown in FIG. 8 that a phase change occurred in the phase change section 205 when electric energy was applied to the information recording medium 207 of this example manufactured as described above. The sectional view of the information recording medium 207 shown in FIG. 8 shows a section taken along the line AB of the information recording medium 207 shown in FIG. 7 in the thickness direction.

【０２９８】より詳細には、図８に示すように、２つの
印加部２１２を下部電極２０２および上部電極２０４に
Ａｕリード線でそれぞれボンディングすることによっ
て、印加部２１２を介して電気的書き込み／読み出し装
置２１４を情報記録媒体（メモリ）２０７に接続した。
この電気的書き込み／読み出し装置２１４において、下
部電極２０２と上部電極２０４に各々接続されている印
加部２１２の間には、パルス発生部２０８がスイッチ２
１０を介して接続され、また、抵抗測定器２０９がスイ
ッチ２１１を介して接続されていた。抵抗測定器２０９
は、抵抗測定器２０９によって測定される抵抗値の高低
を判定する判定部２１３に接続されていた。パルス発生
部２０８によって印加部２１２を介して上部電極２０４
および下部電極２０２の間に電流パルスを流し、下部電
極２０２と上部電極２０４との間の抵抗値を抵抗測定器
２０９によって測定し、この抵抗値の高低を判定部２１
３で判定した。一般に、相変化部２０５の相変化によっ
て抵抗値が変化するため、この判定結果に基づいて、相
変化部２０５の相の状態を知ることができる。More specifically, as shown in FIG. 8, the two application portions 212 are bonded to the lower electrode 202 and the upper electrode 204 by Au lead wires respectively, so that electrical writing / reading is performed via the application portions 212. The device 214 was connected to the information recording medium (memory) 207.
In this electrical writing / reading device 214, a pulse generator 208 is provided between the lower electrode 202 and an upper electrode 204, and a pulse generator 208 is provided between the applying parts 212.
10 and the resistance measuring instrument 209 was connected via the switch 211. Resistance measuring instrument 209
Was connected to the determination unit 213 that determines whether the resistance value measured by the resistance measuring device 209 is high or low. The pulse generator 208 applies the upper electrode 204 via the applying unit 212.
A current pulse is caused to flow between the lower electrode 202 and the lower electrode 202, and the resistance value between the lower electrode 202 and the upper electrode 204 is measured by the resistance measuring instrument 209.
It was judged by 3. In general, the resistance value changes due to the phase change of the phase change unit 205, so that the state of the phase of the phase change unit 205 can be known based on the determination result.

【０２９９】本実施例の場合、相変化部２０５の融点は
６３０℃、結晶化温度は１７０℃、結晶化時間は１３０
ｎｓであった。下部電極２０２と上部電極２０４の間の
抵抗値は、相変化部２０５が非晶質相状態では１０００
Ω、結晶相状態では２０Ωであった。相変化部２０５が
非晶質相状態（即ち高抵抗状態）のとき、下部電極２０
２と上部電極２０４の間に、２０ｍＡ、１５０ｎｓの電
流パルスを印加したところ、下部電極２０２と上部電極
２０４の間の抵抗値が低下し、相変化部２０５が非晶質
相状態から結晶相状態に転移した。次に、相変化部２０
５が結晶相状態（即ち低抵抗状態）のとき、下部電極２
０２と上部電極２０４の間に、２００ｍＡ、１００ｎｓ
の電流パルスを印加したところ、下部電極２０２と上部
電極２０４の間の抵抗値が上昇し、相変化部２０５が結
晶相から非晶質相に転移した。In the case of this embodiment, the melting point of the phase change portion 205 is 630 ° C., the crystallization temperature is 170 ° C., and the crystallization time is 130.
It was ns. The resistance value between the lower electrode 202 and the upper electrode 204 is 1000 when the phase change portion 205 is in the amorphous phase state.
Ω, and 20Ω in the crystalline phase state. When the phase change portion 205 is in an amorphous phase state (that is, a high resistance state), the lower electrode 20
When a current pulse of 20 mA and 150 ns is applied between the upper electrode 204 and the upper electrode 204, the resistance value between the lower electrode 202 and the upper electrode 204 decreases, and the phase change portion 205 changes from the amorphous phase state to the crystalline phase state. Transferred to. Next, the phase change unit 20
When 5 is in a crystalline phase state (that is, a low resistance state), the lower electrode 2
02 and the upper electrode 204, 200mA, 100ns
When the current pulse was applied, the resistance value between the lower electrode 202 and the upper electrode 204 increased, and the phase change portion 205 transitioned from the crystalline phase to the amorphous phase.

【０３００】以上の結果から、相変化部２０５の周囲の
断熱部２０６として（ＺｒＳｉＯ4）54（ＺｎＳ）46の
組成を有する材料から成る層を用い、電気的エネルギー
を付与することによって相変化部（記録層）にて相変態
を生起させることができ、よって、情報記録媒体２０７
が、情報を記録する機能を有することが確認できた。From the above results, a layer made of a material having a composition of (ZrSiO 4 ) 54 (ZnS) 46 was used as the heat insulating portion 206 around the phase change portion 205, and the phase change portion was obtained by applying electric energy. A phase transformation can be caused in the (recording layer), and therefore the information recording medium 207
However, it was confirmed that it has a function of recording information.

【０３０１】本実施例のように、円柱状の相変化部２０
５の周囲に、誘電体である（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｚｎ
Ｓ）46の断熱部２０６を設けると、上部電極２０４およ
び下部電極２０２との間に電圧を印加することによって
相変化部２０５に流れた電流がその周辺部に逃げること
が効果的に低減され、従って、電流により生じるジュー
ル熱によって相変化部２０５の温度を効率的に上昇させ
ることができる。特に、相変化部２０５を非晶質相状態
に転移させる場合には、相変化部２０５のＧｅ38Ｓｂ10
Ｔｅ52を一旦溶融させて急冷する過程が必要であるが、
断熱部２０６を相変化部２０５の周囲に設けることによ
って、より小さい電流で相変化部２０５の温度を融点以
上に上げることができる。As in this embodiment, the columnar phase change portion 20 is
Around ( 5 ) is (ZrSiO 4 ) 54 (Zn
S) 46 provided with the heat insulating portion 206 effectively reduces the escape of the current flowing in the phase change portion 205 to the peripheral portion thereof by applying a voltage between the upper electrode 204 and the lower electrode 202, Therefore, the temperature of the phase change portion 205 can be efficiently raised by the Joule heat generated by the current. In particular, when the phase change portion 205 is transformed to the amorphous phase state, Ge 38 Sb 10 of the phase change portion 205 is used.
It is necessary to melt Te 52 once and quench it.
By providing the heat insulating portion 206 around the phase change portion 205, the temperature of the phase change portion 205 can be raised to the melting point or higher with a smaller current.

【０３０２】断熱部２０６の（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｚｎ
Ｓ）46は、高融点であり、熱による原子拡散も生じにく
いので、情報記録媒体２０７のような電気的メモリに適
用することが可能である。また、相変化部２０５の周囲
に断熱部２０６が存在すると、断熱部２０６が障壁とな
って相変化部２０５は記録部２０３の面内において電気
的および熱的に実質的に隔離されるので、情報記録媒体
２０７に、複数の相変化部２０５を断熱部２０６で互い
に隔離された状態で設けて、情報記録媒体２０７のメモ
リ容量を増やしたり、アクセス機能やスイッチング機能
を向上させることができる。尚、情報記録媒体２０７自
体を複数個つなぐことも可能である。The (ZrSiO 4 ) 54 (Zn
Since S) 46 has a high melting point and atomic diffusion due to heat hardly occurs, it can be applied to an electric memory such as the information recording medium 207. Further, when the heat insulating portion 206 exists around the phase change portion 205, the heat insulating portion 206 serves as a barrier and the phase change portion 205 is substantially electrically and thermally isolated within the plane of the recording portion 203. It is possible to increase the memory capacity of the information recording medium 207 and improve the access function and the switching function by providing the information recording medium 207 with a plurality of phase change portions 205 separated from each other by the heat insulating portion 206. It is also possible to connect a plurality of information recording media 207 themselves.

【０３０３】以上、種々の実施例を通じて本発明の情報
記録媒体について説明してきたが、光学的手段で記録す
る情報記録媒体および電気的手段で記録する情報記録媒
体のいずれにもＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を用いるこ
とができ、このような本発明の情報記録媒体によれば、
従来の情報記録媒体に比べて優れた効果が得られる。Although the information recording medium of the present invention has been described above through various embodiments, Zr-Zn-S can be used for both the information recording medium for recording by optical means and the information recording medium for recording by electric means. An —O-based material layer can be used, and according to such an information recording medium of the present invention,
An excellent effect can be obtained as compared with the conventional information recording medium.

【０３０４】[0304]

【発明の効果】本発明は、記録層と直接接して形成する
誘電体層を、好ましくはＺｒＯ2−（Ｚｎ−Ｓ）系材
料、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−（Ｚｎ−Ｓ）系材料またはＺｒ
ＳｉＯ4−（Ｚｎ−Ｓ）系材料で形成することを特徴と
する。この特徴によれば、従来の光情報記録媒体が有し
ていた、記録層と誘電体層との間の界面層を無くして、
層数を減少できるとともに、信頼性が高く、優れた繰り
返し書き換え性能および高記録感度が確保された光情報
記録媒体を実現することができる。また、これらの材料
の層を、電気的エネルギーを印加する情報記録媒体にお
いて、記録層を断熱するための誘電体層として使用すれ
ば、小さい電気的エネルギーで記録層の相変化を生じさ
せることができる。According to the present invention, the dielectric layer formed in direct contact with the recording layer is preferably a ZrO 2- (Zn--S) type material, a ZrO 2 --SiO 2- (Zn--S) type material or a Zr.
It is characterized by being formed of a SiO 4 — (Zn—S) -based material. According to this feature, the interface layer between the recording layer and the dielectric layer, which the conventional optical information recording medium has, is eliminated,
It is possible to realize an optical information recording medium in which the number of layers can be reduced, reliability is high, and excellent rewritability and high recording sensitivity are ensured. Further, if layers of these materials are used as a dielectric layer for insulating the recording layer in an information recording medium to which electric energy is applied, a small electric energy can cause a phase change of the recording layer. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の光情報記録媒体の一例を示す部分断
面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of an optical information recording medium of the present invention.

【図２】 本発明の光情報記録媒体の別の例を示す部分
断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing another example of the optical information recording medium of the present invention.

【図３】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing still another example of the optical information recording medium of the present invention.

【図４】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing still another example of the optical information recording medium of the present invention.

【図５】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing still another example of the optical information recording medium of the present invention.

【図６】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing still another example of the optical information recording medium of the present invention.

【図７】 電気的エネルギーの印加により情報が記録さ
れる本発明の情報記録媒体の一例を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing an example of the information recording medium of the present invention in which information is recorded by applying electric energy.

【図８】 図７に示す情報記録媒体を使用するシステム
の一例を示す模式図である。8 is a schematic diagram showing an example of a system using the information recording medium shown in FIG.

【図９】 従来の情報記録媒体の一例を示す部分断面図
である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing an example of a conventional information recording medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，１０１，２０１ 基板 ２，１０２ 第１の誘電体層 ３，１０３ 第１の界面層 ４ 記録層 ５，１０５ 第２の界面層 ６，１０６ 第２の誘電体層 ７ 光吸収補正層 ８ 反射層 ９ 接着層 １０，１１０ ダミー基板 １２ レーザ光 １３ 第１の記録層 １４ 第１の反射層 １５ 第３の誘電体層 １６ 中間層 １７ 第４の誘電体層 １８ 第２の記録層 １９ 第５の誘電体層 ２０ 第２の反射層 ２１ 第１情報層 ２２ 第２情報層 ２３ グルーブ面 ２４ ランド面 ２５、２６，２７，２８，２９，３０，３１，２０７
情報記録媒体 ２０２ 下部電極 ２０３ 記録部 ２０４ 上部電極 ２０５ 相変化部（記録層） ２０６ 断熱部（誘電体層） ２０８ パルス発生部 ２０９ 抵抗測定器 ２１０，２１１ スイッチ ２１２ 印加部 ２１３ 判定部 ２１４ 電気的書き込み／読み出し装置1, 101, 201 substrate 2, 102 first dielectric layer 3, 103 first interface layer 4 recording layer 5, 105 second interface layer 6, 106 second dielectric layer 7 light absorption correction layer 8 reflection Layer 9 Adhesive Layer 10, 110 Dummy Substrate 12 Laser Light 13 First Recording Layer 14 First Reflection Layer 15 Third Dielectric Layer 16 Intermediate Layer 17 Fourth Dielectric Layer 18 Second Recording Layer 19 Fifth Dielectric layer 20 second reflective layer 21 first information layer 22 second information layer 23 groove surface 24 land surface 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 207
Information recording medium 202 Lower electrode 203 Recording part 204 Upper electrode 205 Phase change part (recording layer) 206 Thermal insulation part (dielectric layer) 208 Pulse generating part 209 Resistance measuring instrument 210, 211 Switch 212 Applying part 213 Judging part 214 Electrical writing / Reading device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB13 JB35 LA17 5D121 AA04 EE03 EE09    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Noboru Yamada             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 5D029 JA01 JB13 JB35 LA17                 5D121 AA04 EE03 EE09

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板および記録層を含み、前記記録層が
光の照射または電気的エネルギーの印加によって、結晶
相と非晶質相との間で相変態を生じる情報記録媒体であ
って、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−
Ｏ系材料層をさらに含む、情報記録媒体。1. An information recording medium comprising a substrate and a recording layer, wherein the recording layer undergoes a phase transformation between a crystalline phase and an amorphous phase upon irradiation with light or application of electrical energy, and Zr , Zn, S and O containing Zr-Zn-S-
An information recording medium further including an O-based material layer. 【請求項２】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、式
（１）： 【化１】 ＺｒBＺｎCＳDＯ100-B-C-D（原子％）...（１） （式中、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ、８≦Ｂ≦３３、３
≦Ｃ≦３０、Ｃ≦Ｄ≦２Ｃ＜４５の範囲内にあり、且つ
４０≦Ｂ＋Ｃ＋Ｄ≦８０である）で表される材料から実
質的に成る、請求項１に記載の情報記録媒体。Wherein said Zr-Zn-S-O-based material layer has the formula (1): ## STR1 ## Zr B Zn C S D O 100 -BCD ( atomic%) ... (1) (wherein , B, C and D are 8 ≦ B ≦ 33 and 3 respectively.
The information recording medium according to claim 1, which is substantially in the range of ≤C≤30, C≤D≤2C <45, and 40≤B + C + D≤80. 【請求項３】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、さ
らにＳｉを含み、式（２）： 【化２】 ＺｒEＳｉFＺｎGＳHＯ100-E-F-G-H（原子％）...（２） （式中、Ｅ、Ｆ、ＧおよびＨはそれぞれ、１≦Ｅ≦３
０、０＜Ｆ≦２３、２≦Ｇ≦３０、Ｇ≦Ｈ≦２Ｇ＜４５
の範囲内にあり、且つ４０≦Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ≦８０であ
る）で表される材料から実質的に成る、請求項１に記載
の情報記録媒体。Wherein the Zr-Zn-S-O-based material layer further comprises Si, equation (2): ## STR2 ## Zr E Si F Zn G S H O 100-EFGH ( atomic%) .. . (2) (wherein E, F, G, and H are each 1 ≦ E ≦ 3
0, 0 <F ≦ 23, 2 ≦ G ≦ 30, G ≦ H ≦ 2G <45
The information recording medium according to claim 1, wherein the information recording medium is substantially in the range of 40 ≦ E + F + G + H ≦ 80. 【請求項４】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、式
（１１）： 【化３】 （ＺｒＯ2）X（Ｚｎ−Ｓ）100-X（ｍｏｌ％）...（１１） （式中、Ｘは５０≦Ｘ≦８０である）で表される材料か
ら実質的に成る、請求項２に記載の情報記録媒体。4. The Zr—Zn—S—O-based material layer has the formula (11): embedded image (ZrO 2 ) X (Zn—S) 100-X (mol%) ... (11) The information recording medium according to claim 2, consisting essentially of a material represented by the formula: wherein X is 50 ≦ X ≦ 80. 【請求項５】 前記Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層が、式（２１）： 【化４】 （ＺｒＯ２）Y（ＳｉＯ2）Z（Ｚｎ−Ｓ）100−Y−Z（ｍｏｌ％）...（２１） （式中、ＹおよびＺはそれぞれ、２０≦Ｙ≦７０、１０
≦Ｚ≦５０の範囲内にあり、且つ５０≦Ｙ＋Ｚ≦８０で
ある）で表される材料から実質的に成る、請求項３に記
載の情報記録媒体。5. The Zr—Zn—S—O-based material layer containing Si has the formula (21): embedded image (ZrO 2 ) Y (SiO 2 ) Z (Zn—S) 100-Y—Z (Mol%) ... (21) (wherein Y and Z are respectively 20 ≦ Y ≦ 70, 10
The information recording medium according to claim 3, wherein the information recording medium is in the range of ≤Z≤50 and is substantially composed of a material represented by 50≤Y + Z≤80. 【請求項６】 前記式（２１）で表される材料が、Ｚｒ
Ｏ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含み、式（２２）： 【化５】 （ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）...（２２） （式中、Ａは、３３≦Ａ≦６７の範囲内にある）で表さ
れる、請求項５に記載の情報記録媒体。6. The material represented by the formula (21) is Zr.
O 2 and SiO 2 are contained in a substantially equal ratio, and the formula (22): (ZrSiO 4 ) A (Zn-S) 100-A (mol%) ... (22) (where A is , 33 ≦ A ≦ 67), the information recording medium according to claim 5. 【請求項７】 相変態が可逆的に生じる請求項１〜６の
いずれか１項に記載の情報記録媒体。7. The information recording medium according to claim 1, wherein the phase transformation occurs reversibly. 【請求項８】 記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−
Ｂｉ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅおよびＳｂ−Ｔｅ
から選択される、いずれか１つの材料を含む請求項７に
記載の情報記録媒体。8. The recording layer is made of Ge-Sb-Te, Ge-S.
n-Sb-Te, Ge-Bi-Te, Ge-Sn-Bi
-Te, Ge-Sb-Bi-Te, Ge-Sn-Sb-
Bi-Te, Ag-In-Sb-Te and Sb-Te
The information recording medium according to claim 7, comprising any one material selected from the following. 【請求項９】 記録層の膜厚が、１５ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の情
報記録媒体。9. The information recording medium according to claim 1, wherein the recording layer has a film thickness of 15 nm or less. 【請求項１０】 記録層を２つ以上備えている請求項１
〜９のいずれか１項に記載の情報記録媒体。10. A recording medium comprising two or more recording layers.
10. The information recording medium according to any one of items 9 to 9. 【請求項１１】 基板の一方の表面に、第１の誘電体
層、記録層、第２の誘電体層、および反射層がこの順に
形成されており、前記第１の誘電体層および前記第２の
誘電体層のうち少なくともいずれか１つの誘電体層が、
前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層であって、前記記録層
と界面を接している請求項１〜１０のいずれか１項に記
載の情報記録媒体。11. A first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer are formed in this order on one surface of a substrate, and the first dielectric layer and the first dielectric layer are formed. At least one of the two dielectric layers is
The information recording medium according to any one of claims 1 to 10, which is the Zr-Zn-S-O-based material layer and is in contact with the recording layer at an interface. 【請求項１２】 基板の一方の表面に、反射層、第２の
誘電体層、記録層、および第１の誘電体層がこの順に形
成されており、前記第１の誘電体層および前記第２の誘
電体層のうち少なくともいずれか１つの誘電体層が、前
記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層であって、前記記録層と
界面を接している請求項１〜１０のいずれか１項に記載
の情報記録媒体。12. A reflective layer, a second dielectric layer, a recording layer, and a first dielectric layer are formed in this order on one surface of a substrate, and the first dielectric layer and the first dielectric layer are formed. 11. At least one of the two dielectric layers is the Zr—Zn—S—O-based material layer and is in contact with the recording layer at an interface. The information recording medium described in the item. 【請求項１３】 基板および記録層を含み、Ｚｒ、Ｚ
ｎ、ＳおよびＯを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をさ
らに含む情報記録媒体の製造方法であって、当該Ｚｒ−
Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層を、スパッタリング法で形成する
工程を含む、情報記録媒体の製造方法。13. A Zr, Z including a substrate and a recording layer.
A method of manufacturing an information recording medium further including a Zr—Zn—S—O based material layer containing n, S and O, wherein the Zr—
A method of manufacturing an information recording medium, comprising a step of forming a Zn-S-O-based material layer by a sputtering method. 【請求項１４】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をス
パッタリング法で形成する工程において、式（１０）： 【化６】 ＺｒbＺｎcＳdＯ100-b-c-d（原子％）...（１０） （式中、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、１１≦ｂ≦３０、
５≦ｃ≦２７、ｃ≦ｄ≦２ｃ＜４０の範囲内にあり、且
つ４０≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦８０である）で表される材料から
実質的に成るスパッタリングターゲットを用いる、請求
項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。14. In the step of forming the Zr—Zn—S—O-based material layer by a sputtering method, formula (10): embedded image Zr b Zn c S d O 100-bcd (atomic%). . (10) (wherein b, c, and d are respectively 11 ≦ b ≦ 30,
5 ≦ c ≦ 27, c ≦ d ≦ 2c <40, and 40 ≦ b + c + d ≦ 80), wherein a sputtering target consisting essentially of a material is used. Recording medium manufacturing method. 【請求項１５】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をス
パッタリング法で形成する工程において、式（２０）： 【化７】 ＺｒeＳｉfＺｎgＳhＯ100-e-f-g-h（原子％）...（２０） （式中、ｅ、ｆ、ｇおよびｈはそれぞれ、３≦ｅ≦２
７、１＜ｆ≦２０、５≦ｇ≦２７、ｇ≦ｈ≦２ｇ＜４０
の範囲内にあり、且つ４０≦ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ≦８０であ
る）で表される材料から実質的に成るスパッタリングタ
ーゲットを用いて、Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材
料層を形成する、請求項１３に記載の情報記録媒体の製
造方法。15. A process of forming in the Zr-Zn-S-O-based material layer by sputtering, the formula (20): embedded image Zr e Si f Zn g S h O 100-efgh ( atomic%) ... (20) (where e, f, g, and h are 3 ≦ e ≦ 2, respectively)
7, 1 <f ≦ 20, 5 ≦ g ≦ 27, g ≦ h ≦ 2g <40
And a sputtering target consisting essentially of a material represented by the formula: 40 ≦ e + f + g + h ≦ 80) is used to form the Zr—Zn—S—O-based material layer containing Si. 13. The method for manufacturing the information recording medium according to item 13. 【請求項１６】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をス
パッタリング法で形成する工程において、式（１１
０）： 【化８】 （ＺｒＯ2）x（Ｚｎ−Ｓ）100-ｘ（ｍｏｌ％）...（１１０） （式中、ｘは５０≦ｘ≦８０である）で表される材料か
ら実質的に成るスパッタリングターゲットを用いる、請
求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。16. In the step of forming the Zr—Zn—S—O-based material layer by a sputtering method, formula (11)
0): embedded image From the material represented by (ZrO 2 ) x (Zn-S) 100-x (mol%) ... (110) (where x is 50 ≦ x ≦ 80) The method of manufacturing an information recording medium according to claim 13, wherein the sputtering target substantially consists of the sputtering target. 【請求項１７】 前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をス
パッタリング法で形成する工程において、式（２１
０）： 【化９】 （ＺｒＯ2）y（ＳｉＯ2）z（Ｚｎ−Ｓ）100-y-z（ｍｏｌ％）...（２１０） （式中、ｙおよびｚはそれぞれ、２０≦ｙ≦７０、およ
び１０≦ｚ≦５０の範囲内にあり、且つ５０≦ｙ＋ｚ≦
８０である）で表される材料から実質的に成るスパッタ
リングターゲットを用いて、Ｓｉを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ
−Ｏ系材料層を形成する、請求項１３に記載の情報記録
媒体の製造方法。17. In the step of forming the Zr—Zn—S—O-based material layer by a sputtering method, the formula (21)
0): embedded image (ZrO 2 ) y (SiO 2 ) z (Zn-S) 100-yz (mol%) ... (210) (wherein y and z are respectively 20 ≦ y ≦ 70 , And 10 ≦ z ≦ 50, and 50 ≦ y + z ≦
Zr-Zn-S containing Si using a sputtering target consisting essentially of a material represented by
The method for manufacturing an information recording medium according to claim 13, wherein an —O-based material layer is formed. 【請求項１８】 前記式（２１０）で表される材料が、
ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含み、式（２２
０）： 【化１０】 （ＺｒＳｉＯ4）a（Ｚｎ−Ｓ）100−a（ｍｏｌ％）...（２２０） （式中、ａは、３３≦ａ≦６７の範囲内にある）で表さ
れる材料である、請求項１７に記載の情報記録媒体の製
造方法。18. The material represented by the formula (210) is:
ZrO 2 and SiO 2 are contained in a substantially equal ratio, and the formula (22
0): embedded image (ZrSiO 4 ) a (Zn—S) 100-a (mol%) ... (220) (where a is in the range of 33 ≦ a ≦ 67) 18. The method for manufacturing an information recording medium according to claim 17, which is a material to be manufactured.
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