JP4299539B2 - 昇圧機能を持つエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法 - Google Patents
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Description
発明の属する技術分野
本発明はプラズマディスプレイパネル(PDP)のエネルギー回収装置に関するものであり、特に、パネルから回収されたエネルギーの電圧成分を昇圧させてパネルに速かに再供給することによりパネルキャパシタの充電時間を減らすと同時にエネルギー回収效率を高めるようにした昇圧機能を持つエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法に関する。
また、本発明は必要な素子の数を減らすようにしたエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法に関するものである。
【0002】
従来の技術
PDPは消費電力が大きいことが短所として指摘されている。このような消費電力を減らすためには発光效率を高めると同時に放電に直接関与しない駆動過程で発生される不必要なエネルギー消耗を最小にしなければならない。
【0003】
交流型PDPは電極を誘電体内に設けて誘電体表面で起きる表面放電を利用している。この交流型PDPにおいて、数万から数百万個のセルを維持放電させるために、駆動パルスは数十から数百[V]程度の高い電圧を持ち、その周波数は数百[KHz]以上である。このような駆動パルスがセル内に印加されると高い静電容量の充/放電が起きる。
【0004】
このようにPDPで充/放電が起きる場合に、パネルの容量性負荷自体はエネルギー消耗がないが、駆動パルスを直流電源を利用して発生しているのでPDPで多くのエネルギー損失が発生する。特に、放電の時セル内で過度な電流が流れるとエネルギー損失がさらに大きくなる。このエネルギー損失はスイッチング素子の温度上昇をもたらし、この温度上昇により最悪の場合にはスイッチング素子が破壊されることもある。このようにパネル内で不必要に発生するエネルギーを回収するために、PDPの駆動回路にはエネルギー回収回路が含まれている。
【0005】
図1を参照すると、Weber(USP−5081400)により提案されたエネルギー回収回路はインダクタ(L)とキャパシタ(Css)の間に並列接続された第1及び第2スイッチ(Sw1、Sw2)と、パネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給するための第3スイッチ(Sw3)と、パネルキャパシタ(Cp)に基底電圧(GND)を供給するための第4スイッチ(Sw4)を具備している。
【0006】
第1及び第2スイッチ(Sw1、Sw2)の間には逆電流を制限するための第1及び第2ダイオード(D1、D2)が接続される。
【0007】
パネルキャパシタ(Cp)はパネルの静電容量値を等価的に示したもので、図の符号Re及びR_Cpはパネルに形成された電極とセルの寄生抵抗を等価的に示したものである。スイッチ(Sw1、Sw2、Sw3、Sw4)は半導体スイッチ素子、例えば、MOSFET素子を使用することができる。
【0008】
キャパシタ(Css)にVs/2だけの電圧が充電されたことに仮定して図1に図示されたエネルギー回収回路の動作を図2を結付して説明すると次のようである。図2でVcpとIcpはそれぞれパネルキャパシタ(Cp)の充/放電電圧と電流を示す。
【0009】
t1時点で、第1スイッチ(Sw1)がターンオンする。そしてキャパシタ(Css)に充電された電圧は第1スイッチ(Sw1)と第1ダイオード(D1)を経由してインダクタ(L)に供給される。インダクタ(L)はパネルキャパシタ(Cp)とともに直列LC共振回路を構成してるのでパネルキャパシタ(Cp)は共振波形で充電され始める。
【0010】
t2時点で、第1スイッチ(Sw1)はターンオフして第3スイッチ(Sw3)がターンオンする。そして、サステイン電圧(Vs)が第3スイッチ(Sw3)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に供給される。このt2時点からt3時点までパネルキャパシタ(Cp)の電圧はサステイン電位を維持する。
【0011】
t3時点で、第3スイッチ(Sw3)はターンオフして第2スイッチ(Sw2)がターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)の電圧がインダクタ(L)、第2ダイオード及び第2スイッチ(Sw2)を経由してキャパシタ(Css)に回収される。
【0012】
t4時点で、第2スイッチ(Sw2)はターンオフして、第4スイッチ(Sw4)はターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)の電圧は基底電圧(GND)まで低下する。
【0013】
エネルギー回収回路はパネルの放電特性を改善し、安定なサステイン時間を確保すると同時にパネルから回収できるエネルギーを高くするための条件が要求されている。これのために、図1のような従来のエネルギー回収回路はインダクタ(L)のインダクタンスを小さくしてパネルに供給されるパルスの立ち上がり時間を早くすることで放電特性を高くすることができ、一方、インダクタ(L)のインダクタンスを大きくしてエネルギー回収效率を高めることができる。
【0014】
しかし、図1のような従来のエネルギー回収回路は充放電パス上に同一のインダクタ(L)を使用しているので、インダクタ(L)のインダクタンスを小さく設定して立ち上がり時間を早くすればピーク電流が大きくなり、エネルギー回収效率が落ちる。これと反対に、インダクタ(L)のインダクタンスを大きく設定してエネルギー回収效率を改善するとパネルに供給される電圧の立ち上がり時間が長くなるので放電特性が低下してサステイン時間の確保が困難になる。
【0015】
また、従来のエネルギー回収回路は回収、充電及び維持段階で動作するために、多くの半導体スイッチ素子(Sw1〜Sw4)とインダクタ(L)、そして回収用キャパシタ(Css)が必要なのでコストが高いという短所がある。
【0016】
発明の要約
従って、本発明の目的はパネルの充電時間を減らすと同時にエネルギー回収效率を高くすることができるエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法を提供することである。
【0017】
本発明の他の目的は、必要なスイッチ素子の数を減らすようにしたエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法を提供することにある。
【0018】
前記目的を達成するために、本発明の実施態様に係る昇圧機能を持つエネルギー回収回路は、パネルから回収されたエネルギーの電圧成分を昇圧して電圧成分が昇圧されたエネルギーをパネルに供給する昇圧回路を具備する。
【0019】
エネルギー回収回路は昇圧回路とパネル間の信号パスを切り換えるスイッチ素子をさらに具備する。
【0020】
昇圧回路はパネルから回収されたエネルギーを蓄積するキャパシタと、キャパシタからのエネルギーの電流成分を蓄積するインダクタと、キャパシタとインダクタ間の信号パスを切り換えるスイッチ素子を具備する。
【0021】
キャパシタ、インダクタ及びスイッチ素子は閉ループを形成するように接続される。
【0022】
閉ループはパネルとは分離するように形成される。
【0023】
パネルから回収されたエネルギーの電圧成分はスイッチ素子の切り換えを通してインダクタに誘起される逆電圧により昇圧される。
【0024】
インダクタに電流を蓄積するために閉ループが形成される。
【0025】
エネルギーの電圧成分を昇圧するために閉ループが開放される。
【0026】
キャパシタに蓄積されたエネルギーが昇圧された電圧成分を持った状態でパネルに供給されるように閉ループが開放される。
【0027】
スイッチ素子は昇圧回路が昇圧された電圧成分を含むエネルギーをパネルに供給するようにして、パネルからエネルギーを回収する。
【0028】
エネルギー回収回路はサステイン電圧を発生するサステイン電圧源と、サステイン電圧源からサステイン電圧をパネルに供給する第2スイッチ素子をさらに具備する。
【0029】
信号パスは昇圧された電圧成分を含むエネルギーがパネルの方へ供給される間及びパネルからエネルギーが昇圧回路の方へ回収される間に信号の進行方向を一方向に維持する。
【0030】
信号パスは昇圧された電圧成分を含むエネルギーがパネルの方へ供給されるのか、あるいはパネルからのエネルギーが昇圧回路の方へ回収されるのかにより信号の進行方向を変更させる。
【0031】
信号パスはブリッジダイオードを含む。
【0032】
エネルギー回収回路はインダクタとスイッチ素子の間に設置されてパネルの電圧が基底電位に維持されている間オフ状態を維持して、それ以外の期間にはターンオンとターンオフとを交互に繰り返す第2スイッチ素子をさらに具備する。
【0033】
スイッチ素子はボディーダイオードが内蔵したトランジスタである。
【0034】
エネルギー回収回路はパネルに基底電圧を供給するための基底電圧源と、基底電圧源からの基底電圧をパネルに供給する第2イッチ素子をさらに具備する。
【0035】
昇圧回路はインダクタと異なるインダクタンスを持つことと同時にインダクタに並列接続された少なくとも1以上の他のインダクタをさらに具備する。
【0036】
エネルギー回収回路は、インダクタの中でインダクタンス値が小さいインダクタに接続されたカソードとキャパシタに接続されたアノードを持つ第1ダイオードと、インダクタの中でインダクタンス値が大きいインダクタに接続されたカソードとスイッチ素子に接続されたアノードを持つ第2ダイオードをさらに具備する。
【0037】
エネルギー回収回路は昇圧回路に接続されたアノードとパネルに接続されたカソードを持つダイオードをさらに具備する.
【0038】
エネルギー回収回路は昇圧回路と第1スイッチ素子との接続点に接続されたアノードとサステイン電圧源に接続されたカソードを持つダイオードをさらに具備する。
【0039】
エネルギー回収回路は基底電圧源に接続されたアノードと、昇圧回路及び第1スイッチ素子と接続されたカソードを持つダイオードをさらに具備する。
【0040】
エネルギー回収回路はあらかじめ設定された時定数でサステイン電圧を要求された傾斜のランプ電圧形態でパネルに供給する第3スイッチ素子をさらに具備する。
【0041】
エネルギー回収回路はパネルから第1エネルギー信号を入力されて、第1エネルギー信号より大きい第2エネルギー信号をパネルに供給する。
【0042】
本発明の実施態様に係るエネルギー效率化方法はパネルからエネルギーを閉ループで回収する段階と、電圧成分が昇圧された形態でエネルギーをパネルに供給されるように閉ループを制御する段階を含む。
【0043】
エネルギー效率化方法はエネルギーがパネルから閉ループの方に回収された後、閉ループがパネルと電気的に絶縁されるようにする段階をさらに含む。
【0044】
閉ループ制御段階は逆電圧が誘起されるようにする段階を含む。
【0045】
逆電圧誘起段階は電流が蓄積されるようにする段階を含む。
【0046】
エネルギー效率化方法はサステイン電圧をパネルに供給する段階をさらに含む。
【0047】
エネルギー效率化方法は基底電圧をパネルに供給する段階をさらに含む。
【0048】
エネルギー效率化方法はサステイン電圧を要求された傾斜のランプ電圧形態でパネルに供給する段階をさらに含む。
【0049】
本発明の他の実施態様に係るエネルギー效率化方法はパネルからエネルギーを回収する段階と、回収されたエネルギーの電圧成分を昇圧する段階と、電圧成分が昇圧されたエネルギーをパネルに供給する段階を含む。
【0050】
エネルギー效率化方法において、電圧成分昇圧段階は閉ループを利用することを特徴とする。
【0051】
エネルギー效率化方法は、エネルギーがパネルから閉ループの方に回収された後、閉ループがパネルと電気的に絶縁されるようにする段階をさらに含む。
【0052】
電圧昇圧段階は回収されたエネルギーに含まれた電流成分が蓄積されるように循環させる段階と、回収されたエネルギーとともに蓄積された電流成分を電圧成分の形態でパネルに供給する段階を含む。
【0053】
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態を添付した図3〜図30を参照して詳しく説明する。
図3を参照すると、本発明の第1実施形態に係るエネルギー回収回路は、キャパシタ(Css)、インダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)を備える閉ループと、第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続された第2スイッチ(S2)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)を具備する。
【0054】
パネルキャパシタ(Cp)はパネルの静電容量を示し、図の符号Re及びR_Cpはパネルに形成された電極とセルの寄生抵抗を示している。
【0055】
スイッチ(S1、S2、S3)は半導体スイッチ素子、例えば、MOSFET、IGBT、SCR、BJTなどの半導体スイッチ素子を使用することができる。
【0056】
第1スイッチ(S1)はオン状態でキャパシタ(Css)の一側端子からインダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成させる。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流が流れ込み、エネルギーの電流成分が蓄積される。この第1スイッチ(S1)がターンオフした後インダクタ(L)の電流が最大になり、インダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0057】
第2スイッチ(S2)は第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給すると同時に、パネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分をインダクタ(L)を経由してキャパシタ(Css)に供給する。
【0058】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにパネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給する役を果たしている。
【0059】
図3に図示されたエネルギー回収回路の動作を図4を参照して説明する。
【0060】
サステイン電位(Vs)に充電されたパネルキャパシタ(Cp)の放電によりそのエネルギー、すなわち、無效電力の電圧成分は第2スイッチ(S2)とインダクタ(L)を通してキャパシタ(Css)に回収される。
【0061】
t0からt1までの期間第2スイッチ(S2)はターンオフで第1スイッチ(S1)がターンオンする。図6に示すようにキャパシタ(Css)、インダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)を含む閉ループを形成する。この期間に、キャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流を流す。したがって、この期間に、インダクタ(L)の電流(IL)は増加し、図5から分かるようにインダクタ(L)の両端間電圧はキャパシタ(Css)の電圧(Vss)と同一となる。
【0062】
第1スイッチ(S1)がターンオフして第2スイッチ(S2)のボディーダイオードがターンオンするt1時点にインダクタ(L)に蓄積された電流がパネルに供給され始める。このようにインダクタ(L)に蓄積された電流(IL)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が上昇する。パネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)がVss電位より高くなるt1’時点でインダクタ(L)の電流は最大になると同時にインダクタ(L)の両端には図6のように逆電圧が誘起される。したがって、インダクタ(L)に逆電圧が誘起されるt1’時点からキャパシタ(Css)の電圧(Vss)とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)を充電する。結局、キャパシタ(Css)に充電された電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧でパネルキャパシタ(Cp)を充電する。このようにパネルから回収された電圧より高い昇圧電圧がパネルに供給されるのでパネルキャパシタ(Cp)に充電される電圧の立ち上がり時間が早くなる。
【0063】
パネル充電の時には、充電電流パス上には第2スイッチ(S2)のボディーダイオードとインダクタ(L)だけが存在する。これと対比する時、図1に図示された従来のエネルギー回収回路はパネル放電の時に充電電流パス上には第1スイッチ(S1)、第1ダイオード(D1)及びインダクタ(L)が存在する。
【0064】
t2時点で、第3スイッチ(S3)がターンオンして第2スイッチ(S2)のボディーダイオードはターンオフする。そして、第3スイッチ(S3)を経由してサステイン電圧(Vs)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルはサステイン電圧レベルで維持される。このサステイン電圧レベルでパネルのセル内に形成された電極に放電が起きる。
【0065】
t3時点で、第3スイッチ(S3)はターンオフして第2スイッチ(S2)がターンオンする。この時、図3に図示されたエネルギー回収回路を図7のように示すことができる。図示のように、パネルキャパシタ(Cp)から放電に寄与しないエネルギー、すなわち、無效電力の電圧成分が第2スイッチ(S2)とインダクタ(L)を経由してキャパシタ(Css)に回収される。エネルギー回収の時に電流パス上には第2スイッチ(S2)とインダクタ(L)だけが存在する。これと対比する時、図1に図示されたエネルギー回収回路はエネルギー回収の時に電流パス上にインダクタ(L)、第2ダイオード(D2)及び第2スイッチ(S2)が存在する。
【0066】
キャパシタ(Css)に充電するのはt3時点からt4時点までであるが、この時間は、第2スイッチ(S2)のオン時間を調整することで変化させることができる。
【0067】
図3に示されたエネルギー回収回路は充電パスと放電パス上に一つの半導体スイッチ素子だけが存在するので図1に示された従来のエネルギー回収回路に比べてそれだけスイッチ素子の導通損失を減らすことができる。
【0068】
図3に図示されたエネルギー回収回路において、第1〜第3スイッチ(S1、S2、S3)はボディーダイオードがターンオンした状態でターンオンするので0電圧スイッチングする。
そして図3に示されたエネルギー回収回路はインダクタ(L)により電流の位相が遅延するので、電圧と電流の重畳幅が減少し、第1及び第2スイッチ(S1、S2)の両端電圧と第1及び第2スイッチ(S1、S2)に流れる電流の位相重畳(オーバーラップ)により発生するスイッチング損失を最小化することができる。
【0069】
図3に示されたエネルギー回収回路はエネルギー回収效率を高めるためにインダクタ(L)のインダクタンスを大きく設定しても第1スイッチ(S1)のオン時間を調節することでパネルに供給される昇圧電圧の立ち上がり時間を早くすることができる。すなわち、本実施形態に係るエネルギー回収回路はインダクタ(L)のインダクタンスにかかわらず第1スイッチ(S1)のスイッチング時間の調節だけでも昇圧電圧の立ち上がり時間を早くできるので、インダクタ(L)のインダクタンスを大きくしてエネルギー回収效率を高めることと同時に、昇圧電圧の立ち上がり時間を早くすることができる。
【0070】
図8は本発明の第2実施形態に係るエネルギー回収回路を示す。
図8を参照すると、本発明の第2実施形態に係るエネルギー回収回路は閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、インダクタ(L)、第1スイッチ(S1)及び第4スイッチ(S4)と、第1ノード(n1)を経由して第1及び第4スイッチ(S1、S4)に共通に接続されるとともに第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続された第2スイッチ(S2)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)を具備する。
【0071】
スイッチ(S1、S2、S3、S4)は半導体スイッチ素子、例えば、MOSFET、IGBT、SCR、BJTなどの半導体スイッチ素子を使用することができる。
【0072】
第1及び第4スイッチ(S1、S4)がターンオンすると、キャパシタ(Css)の一側端子からインダクタ(L)、第4スイッチ(S4)及び第1スイッチ(S1)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S1)がターンオフした後、インダクタ(L)の電流は最大になると同時に、インダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れるようになる。
【0073】
第2及び第4スイッチ(S2、S4)は第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給してパネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分をインダクタ(L)を通してキャパシタ(Cp)に充電させることができる。
【0074】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにサステイン電圧(Vs)を供給する。
【0075】
第4スイッチ(S4)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が基底電位(GND)を維持しなければならない、例えば図10Aでサステイン期間A、Bの間のセットアップ期間、リセット期間または消去期間などの休止期間にオフして、それ以外の期間にはオン/オフを繰り返す。すなわち、この第4スイッチ(S4)は図10Bのようにパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が基底電位(GND)に落ち始める時点から基底電位(GND)を維持する初期期間にオフして、それ以外の期間にはオン状態を維持する。
【0076】
図8に示されたエネルギー回収回路の動作を図9に関連させて説明する。
【0077】
サステイン電位(Vs)に充電されたパネルキャパシタ(Cp)の放電によりそのエネルギーの電圧成分は第2スイッチ(S2)とインダクタ(L)を通してキャパシタ(Css)に回収される。
【0078】
t0からt1までの期間に第2スイッチ(S2)はターンオフして第1及び第4スイッチ(S1、S4)はターンオンしてキャパシタ(Css)、インダクタ(L)、第1及び第4スイッチ(S1、S4)を含んだ閉ループを形成する。この期間に、キャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)は電流を充電する。したがって、この期間ににインダクタ(L)の電流(IL)は増加する。
【0079】
第1スイッチ(S1)がターンオフして第2スイッチ(S2)のボディーダイオードがターンオンするt1時点に、インダクタ(L)に蓄積された電流がパネルに供給され始める。このようにインダクタ(L)に蓄積された電流(IL)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が上昇する。パネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)がVss電位より高くなるt1’時点でインダクタ(L)の電流は最大になると同時にインダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、インダクタ(L)に逆電圧が誘起されるt1’時点からキャパシタ(Css)の電圧(Vss)とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)を充電する。
【0080】
t2時点で、第3スイッチ(S3)がターンオンして第2スイッチ(S2)のボディーダイオードはターンオフする。そして、第3スイッチ(S3)を経由してサステイン電圧(Vs)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルはサステイン電圧レベルに維持される。
【0081】
t3時点で、第3スイッチ(S3)はターンオフして第2スイッチ(S2)がターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分は第2スイッチ(S2)、第4スイッチ(S4)及びインダクタ(L)を経由してキャパシタ(Cp)に充電される。エネルギー回収の時に電流パス上には第2スイッチ(S2)、第4スイッチ(S4)及びインダクタ(L)が存在する。このようにパネルキャパシタ(Cp)の電圧が回収された後、パネルキャパシタ(Cp)が基底電位(GND)を維持する時、第4スイッチ(S4)はターンオフする。
【0082】
図11は本発明の第3実施形態に係るエネルギー回収回路を示す。
図11を参照すると、本発明の第3実施形態に係るエネルギー回収回路は閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、インダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)と、第1ノード(n1)を経由してインダクタ(L)と第1スイッチ(S1)に共通に接続されるとともに第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続されたブリッジ回路(10)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)と、第2ノード(n2)と基底電圧源(GND)の間に接続された第4スイッチ(S4)を具備する。
【0083】
ブリッジ回路(10)は第1ノード(n1)と第2ノード(n2)の間にブリッジ形態に接続されたダイオード(Dc1、Dc2、Dr1、Dr2)と、このダイオード(Dc1、Dc2、Dr1、Dr2)に接続された第2スイッチ(S2)で構成される。このブリッジ回路(10)はパネルの充/放電の時に電流パスを制御する役を果たす。
【0084】
スイッチ(S1〜S4)は半導体スイッチ素子、例えば、MOSFET、IGBT、SCR、BJTなどの半導体スイッチ素子を使用することができる。
【0085】
第1スイッチ(S1)はオン(On)状態でキャパシタ(Css)の一側端子からインダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S1)がターンオフした後、インダクタ(L)の電流は最大になると同時に、インダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0086】
第2スイッチ(S2)はパネル充電の時にターンオンしてダイオード(Dc1)、第2スイッチ(S2)及びダイオード(Dc2)を経由するパネル充電電流パスを形成することで第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給する。また第2スイッチ(S2)はエネルギー回収の時にターンオンしてダイオード(Dr1)、第2スイッチ(S2)及びダイオード(Dr2)を経由するエネルギー回収電流パスを形成することでパネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分をインダクタ(L)を通してキャパシタ(Css)に供給する。
【0087】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにサステイン電圧(Vs)を供給する役を果たす。
【0088】
第4スイッチ(S4)は図12のようにパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルが基底電位(GND)を維持する時だけターンオンして第2ノード(n2)上の電圧を基底電位に維持させる。
【0089】
図11に示されたエネルギー回収回路の動作を図13を参照して説明する。
サステイン電位(Vs)に充電されたパネルキャパシタ(Cp)の放電によりそのエネルギーの電圧成分は第2スイッチ(S2)とインダクタ(L)を通してキャパシタ(Css)に回収されている。
【0090】
t0からt1までの期間に第2スイッチ(S2)はターンオフで第1スイッチ(S1)がターンオンしてキャパシタ(Css)、インダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)を含んだ閉ループを形成する。この期間に、キャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)は電流を充電してインダクタ(L)の電流(IL)は増加する。この時、インダクタ(L)の両端間電圧はキャパシタ(Css)の電圧(Vss)と同一である。
【0091】
第1スイッチ(S1)がターンオフして第2スイッチ(S2)がターンオンするt1時点にインダクタ(L)に蓄積された電流がダイオード(Dc1)、第2スイッチ(S2)及びダイオード(Dc2)を通してパネルに供給され始める。このようにインダクタ(L)に蓄積された電流(IL)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)は上昇する。パネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)がVss電位より高くなるt1’時点でインダクタ(L)の電流は最大になると同時にインダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、インダクタ(L)に逆電圧が誘起されるt1’時点からキャパシタ(Css)の電圧(Vss)とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)を充電する。
【0092】
t2時点で、第2スイッチ(S2)はターンオフで第3スイッチ(S3)がターンオンする。そして、第3スイッチ(S3)を経由してサステイン電圧(Vs)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルはサステイン電圧レベルに維持される。
【0093】
t3時点で、第3スイッチ(S3)がターンオフして第2スイッチ(S2)がターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)から回収されたエネルギーの電圧成分はダイオード(Dr1)、第2スイッチ(S2)、ダイオード(Dr2)及びインダクタ(L)を経由してキャパシタ(Cp)に充電される。このようにパネルキャパシタ(Cp)の電圧が回収された後にパネルキャパシタ(Cp)が基底電位(GND)を維持しなければならない期間、例えば、図12でリセット(セットアップ期間)やサステインパルスの間の基底電圧維持期間に第4スイッチ(S4)はターンオンするので第2ノード(n2)上の電圧は基底電位(GND)に維持される。
【0094】
リセット(セットアップ期間)やサステインパルスの間の基底電圧維持期間にパネルキャパシタ(Cp)を基底電圧で維持させるための第4スイッチ(S4)は図14〜図16のように本発明の第1〜第3実施形態にも同一に適用することができる。
【0095】
図14に示された第4スイッチ(S4)、図15に示された第5スイッチ(S5)、図16に示された第4スイッチ(S4)がそれぞれ図11に示された第4スイッチ(S4)と同一である。
【0096】
図15において、第4スイッチ(S4)はインダクタ(L)と第2スイッチ(S2)の間に接続されてセットアップ期間またはリセット期間などの休止期間にオフして、それ以外の期間にはオン/オフを繰り返す。また、第4スイッチ(S4)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が基底電位(GND)に落ち始める時点から基底電位(GND)を維持する初期期間にオフして、それ以外の期間にはオン状態を維持する。
【0097】
図17を参照すると、本発明の第7実施形態に係るエネルギー回収回路は、閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、インダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)と、第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続された第2スイッチ(S2)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)と、第1ノード(n1)と第2ノード(n2)の間に接続された補助ダイオード(Da)を具備する。
【0098】
第1スイッチ(S1)はオン状態でキャパシタ(Css)の一側端子からインダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S1)がターンオフした後にインダクタ(L)の電流は最大になると同時に、インダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0099】
第2スイッチ(S2)は第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給すると同時に、パネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分をインダクタ(L)を通してキャパシタ(Cp)に供給するためのものである。
【0100】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにパネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給する役を果たす。
【0101】
補助ダイオード(Da)は第2スイッチ(S2)のボディーダイオードの電流負担率を減らして第2スイッチ(S2)の抵抗値を減らすことで第2スイッチ(S2)の発熱を減らしている。すなわち、補助ダイオード(Da)は第1ノード(n1)から第2ノード(n2)の方に流れる電流パスを分散させて過電流、過電圧から第2スイッチ(S2)を保護する。この補助ダイオード(Da)は図18〜20のようにそれぞれ図8、図14及び図15に示されたエネルギー回収回路にも適用できる。
【0102】
この補助ダイオード(Da)が設置されたエネルギー回収回路の動作手順は図5の波形図と実質的に同一である。
【0103】
図21を参照すると、本発明の第11実施形態に係るエネルギー回収回路は、閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、第1及び第2インダクタ(L201、L202)、第1スイッチ(S1)と、第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続された第2スイッチ(S2)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)を具備する。
【0104】
第1インダクタ(L201)とキャパシタ(Css)の間には第1ダイオード(D201)が接続されて、第2インダクタ(L2)と第1ノード(n1)の間には第2ダイオード(D202)が接続される。第1ダイオード(D201)と第2ダイオード(D202)それぞれは第2インダクタ(L202)を経由する回収パスと第1インダクタ(L201)を経由する充電パスを分離させる。
【0105】
第1スイッチ(S1)はオン状態でキャパシタ(Css)の一側端子から第1インダクタ(L201)と第1スイッチ(S1)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷により第1インダクタ(L201)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S1)がターンオフした後、第1インダクタ(L201)の電流は最大になると同時に、第1インダクタ(L201)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧と第1インダクタ(L201)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0106】
第2スイッチ(S2)は第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給すると同時に、パネルキャパシタ(Css)から回収されるエネルギーの電圧成分を第2ダイオード(D202)と第2インダクタ(L202)を通してキャパシタ(Css)に供給する。
【0107】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにパネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給する役を果たす。
【0108】
図21に示されたエネルギー回収回路の動作を図4及び図22を参照して説明する。
【0109】
t0からt1までの期間に第2スイッチ(S2)はオフで第1スイッチ(S1)がターンオンする。この期間に、キャパシタ(Css)から放電する電荷により第1インダクタ(L201)は電流を充電する。
【0110】
第1スイッチ(S1)がターンオフするt1時点に第1インダクタ(L201)に蓄積された電流が第2スイッチ(S2)のボディーダイオードを通してパネルに供給され始める。このように第1インダクタ(L201)に蓄積された電流がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)は上昇する。パネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)がVss電位より高くなるt1’時点でインダクタ(L)の電流は最大になると同時にインダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、インダクタ(L)に逆電圧が誘起されるt1’時点からキャパシタ(Css)の電圧(Vss)とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)を充電する。
【0111】
結局、キャパシタ(Css)に充電された電圧と第1インダクタ(L201)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧でパネルキャパシタ(Cp)を充電する。このようにパネルキャパシタ(Cp)に供給される電圧が昇圧されるのでパネルキャパシタ(Cp)に充電される電圧の立ち上がり時間が早くなる。
【0112】
t2時点で、第3スイッチ(S3)がターンオンして第2スイッチ(S2)のボディーダイオードはターンオフする。そして、第3スイッチ(S3)を経由してサステイン電圧(Vs)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルはサステイン電圧レベルで維持される。このサステイン電圧レベルでパネルのセル内に形成された電極には放電が起きる。
【0113】
t3時点で、第3スイッチ(S3)はターンオフして第2スイッチ(S2)がターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)から放電に寄与しないエネルギー、すなわち、無效電力の電圧成分は第2スイッチ(S2)と第2インダクタ(L202)を通してキャパシタ(Css)に充電される。
【0114】
パネルキャパシタ(Cp)が充電される立ち上がり時間(TR)が短いほど放電が安定に起きる。また、パネルキャパシタ(Cp)が放電する回収期間の低下時間(TF)が長いほど第2インダクタ(L202)とキャパシタ(Css)に回収されるエネルギーの回収效率が高くなり消費電力が低くなる。このために、第2インダクタ(L202)のインダクタンスは第1インダクタンス(L201)のそれに比べて大きく設定される。このような並列組合せインダクタは図23及び図24のよう前述した図8及び図11に示されたエネルギー回収回路にも適用されることができる。
【0115】
図25を参照すると、本発明の第14実施形態に係るエネルギー回収回路は、閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、インダクタ(L)、第1及び第2スイッチ(S241、S242)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)を具備する。
【0116】
第1スイッチ(S1)はオン状態でキャパシタ(Css)の一側端子からインダクタ(L)、第1及び第2スイッチ(S241、S242)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S241)がターンオフした後、インダクタ(L)の電流は最大になると同時に、インダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0117】
第2スイッチ(S242)はパネルが充電される時ターンオフして、回収されるエネルギーがキャパシタ(Css)に回収される時キャパシタ(Css)とインダクタ(L)が充電されるパネル放電の時ターンオンする。
【0118】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにパネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給する。
【0119】
一方、パネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が基底電位(GND)を維持する期間に第1スイッチ(241)はターンオンする一方、第2スイッチ(S242)はターンオフして第2ノード(n2)の電圧を基底電位(GND)へバイパスさせる。
【0120】
図25に示されたエネルギー回収回路の動作を図26を参照して説明する。
t0時点に第1と第2スイッチ(S241、S242)が同時にターンオンする。そして、インダクタ(L)にはt0からt1までキャパシタ(Css)から放電する電荷により電流が蓄積される。
【0121】
第1及び第2スイッチ(S241、S242)がターンオフするt1時点にインダクタ(L)に蓄積された電流がパネルに供給され始める。このようにインダクタ(L)に蓄積された電流(IL)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が上昇する。パネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)がVss 電位より高くなるt1’時点でインダクタ(L)の電流は最大になると同時にインダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、インダクタ(L)に逆電圧が誘起されるt1’時点からキャパシタ(Css)の電圧(Vss)とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)を充電する。
【0122】
結局、キャパシタ(Css)に充電された電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧がパネルキャパシタ(Cp)に供給される。このようにパネルに供給される電圧が昇圧されてパネルに供給されるのでパネルキャパシタ(Cp)に充電される電圧の立ち上がり時間が早くなる。
【0123】
t2時点で、第3スイッチ(S3)はターンオンする。そして、第3スイッチ(S3)を経由してサステイン電圧(Vs)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルはサステイン電圧レベルに維持される。このサステイン電圧レベルでパネルのセル内に形成された電極には放電が起きる。
【0124】
t3時点で、第3スイッチ(S3)がターンオフし、第2スイッチ(S242)はターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分はt3からt4まで第2スイッチ(S242)とインダクタ(L)を経由してキャパシタ(Css)に充電される。
【0125】
このエネルギー回収回路に設置されたインダクタ(L)は互いに異なるインダクタンス値を持つ並列組合せインダクタに代えることができる。また、このエネルギー回収回路には図17〜図20のように第1ノード(n1)と第2ノード(n2)の間に補助ダイオードを設置することもできる。
【0126】
図27を参照すると、本発明の第14実施形態に係るエネルギー回収回路は、閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、インダクタ(L)及び第1スイッチ(S1)と、第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続された第2スイッチ(S2)と、第2ノード(n2)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続される第3スイッチ(S3)と、第1ノード(n1)に接続されるとともにサステイン電圧源(Vs)と第3スイッチ(S3)の間の第3ノード(n3)に接続される第1ダイオード(D261)と、基底電圧源(GND)と第1ノード(n1)の間で第1スイッチ(S1)に並列接続された第2ダイオード(D262)を具備する。
【0127】
第1スイッチ(S1)はオン状態でキャパシタ(Css)の一側端子からインダクタ(L)、第1スイッチ(S1)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷によりインダクタ(L)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S1)がターンオフした後、インダクタ(L)の電流は最大になると同時に、インダクタ(L)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧とインダクタ(L)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0128】
第2スイッチ(S2)は第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給すると同時に、パネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分をインダクタ(L)を通してキャパシタ(Css)に供給する。
【0129】
第3スイッチ(S3)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにパネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給する役を果たす。
【0130】
第1ダイオード(D261)は第1ノード(n1)の電圧が自分のしきい電圧とサステイン電圧(Vs)の合計以上に上昇する時ターンオンして、第1スイッチ(S1)に印加される過電圧と過電流を制限する。すなわち、第1ダイオード(D261)は過電圧と過電流から第1スイッチ(S1)を保護する。
【0131】
第2ダイオード(D262)は第1スイッチ(S1)のボディーダイオードの電流負担率を減らして第1スイッチ(S1)の抵抗値を減らすことで第1スイッチ(S1)の発熱を減らす。
【0132】
第1及び第2ダイオード(D261、D262)は前述の実施形態にも適用されて各スイッチ素子に印加される電流負担率を減らして、過電圧と過電流から各スイッチ素子を保護することができる。
【0133】
図28を参照すると、本発明の第15実施形態に係るエネルギー回収回路は、閉ループを形成するように接続されたキャパシタ(Css)、第1インダクタ(L271)、第2インダクタ(L272)、第1スイッチ(S271)及び第5スイッチ(S275)と、キャパシタ(Css)と第1インダクタ(L271)の間に接続された第1ダイオード(D271)と、第2インダクタ(L272)と第4ノード(n4)の間に接続された第2ダイオード(D272)と、第2ノード(n2)を経由してパネルキャパシタ(Cp)に接続された第2〜第4スイッチ(S272〜S274)及び第6スイッチ(S276)と、第6スイッチ(S276)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続された抵抗(R271)と、第4ノード(n4)とサステイン電圧源(Vs)の間に接続された第3ダイオード(D273)と、第1ノード(n1)に接続されるとともにサステイン電圧源(Vs)と第3スイッチ(S273)の間の第3ノード(n3)に接続される第4ダイオード(D274)と、基底電圧源(GND)と第1ノード(n1)の間で第1スイッチ(S271)に並列接続された第5ダイオード(D275)と、第1ノード(n1)と第2ノード(n2)の間に接続された第6ダイオード(D276)を具備する。
【0134】
第2インダクタ(L272)のインダクタンスは第1インダクタ(L271)のそれに比べて大きく設定される。
【0135】
第1ダイオード(D271)と第2ダイオード(D272)のそれぞれは第2インダクタ(L272)を経由する回収パスと第1インダクタ(L271)を経由する充電パスを分離させる。
【0136】
第1スイッチ(S1)はオン状態でキャパシタ(Css)の一側端子から第1ダイオード(D271)、第1インダクタ(L271)、第5及び第1スイッチ(S275、S271)を経由してキャパシタ(Css)の他側端子につながる電流閉ループを形成する。この閉ループでキャパシタ(Css)から放電する電荷により第1インダクタ(L271)に電流が蓄積される。この第1スイッチ(S271)がターンオフした後、第1インダクタ(L271)の電流は最大になると同時に、第1インダクタ(L271)の両端には逆電圧が誘起される。したがって、第1ノード(n1)にはキャパシタ(Css)の電圧と第1インダクタ(L271)に誘起された逆電圧が加わった昇圧電圧が現れる。
【0137】
第2スイッチ(S272)は第1ノード(n1)からの昇圧電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給すると同時に、パネルキャパシタ(Cp)から回収されるエネルギーの電圧成分を第5スイッチ(S275)のボディーダイオード、第2ダイオード(D272)及び第2インダクタ(L202)を通してキャパシタ(Css)に供給する。
【0138】
第3スイッチ(S273)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧をサステイン電圧レベルに維持するためにパネルキャパシタ(Cp)にサステイン電圧(Vs)を供給する役を果たす。
【0139】
第4スイッチ(S274)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧が基底電圧(GND)を維持するように基底電圧(GND)をパネルキャパシタ(Cp)に供給する。
【0140】
第5スイッチ(S275)はパネルキャパシタ(Cp)の電圧(Vcp)が基底電位(GND)を維持しなければならない、例えばセットアップ期間またはリセット期間などの休止期間にオフして、それ以外の期間にはオン/オフを繰り返すことでエネルギー回収と充電の時に電流パスを提供する。
【0141】
第6スイッチ(S276)はリセットまたはセットアップ期間にターンオンしてランプ電圧をパネルキャパシタ(Cp)に供給する。第1抵抗(R271)はランプ電圧のRC時定数の抵抗値を決める。
【0142】
第3ダイオード(D273)は第4ノード(n4)の電圧が自分のしきい電圧とサステイン電圧(Vs)の合計以上に上昇する時ターンオンして第5スイッチ(S275)に印加される過電圧と過電流を制限する。
【0143】
第4ダイオード(D274)は第1ノード(n1)の電圧が自分のしきい電圧とサステイン電圧(Vs)の合計以上に上昇する時ターンオンすることで第1、第2及び第5スイッチ(S271、S272、S275)に印加される過電圧と過電流を制限する。
【0144】
第5ダイオード(D275)は第1スイッチ(S271)のボディーダイオードの電流負担率を減らして第1スイッチ(S271)の抵抗値を減らすことで第1スイッチ(S271)の発熱を減らす。
【0145】
図28に示されたエネルギー回収回路の動作を図29を参照して説明する。図29において、第6スイッチ(S276)はリセットまたはセットアップ期間にだけオン状態を維持するので第6スイッチ(S276)に対する動作波形は省略されている。
【0146】
t0時点に、第1、第4及び第5スイッチ(S71、S274、S275)がターンオンする。引き継いて、t1時点とt2時点で第4スイッチ(S274)と第1スイッチ(S271)は順次ターンオフする。t2とt3間のt2’時点で、第1インダクタ(L271)は最大電流まで充電されるとともに第1インダクタ(L271)に逆電圧が誘起される。このように誘起された第1インダクタ(L271)の逆電圧とキャパシタ(Css)の電圧が加わった昇圧電圧が第5スイッチ(S275)と第2スイッチ(S272)のボディーダイオードを経由してパネルキャパシタ(Cp)に供給され始める。
【0147】
t3時点で、第3スイッチ(S273)がターンオンする。そして、第3スイッチ(S273)を経由してサステイン電圧(Vs)がパネルキャパシタ(Cp)に供給されてパネルキャパシタ(Cp)の電圧レベルはサステイン電圧レベルに維持される。このサステイン電圧レベルでパネルのセル内に形成された電極には放電が起きる。
【0148】
t4時点で、第3スイッチ(S273)がターンオフした後に、t5時点で、第2スイッチ(S272)がターンオンして第5スイッチ(S275)はターンオフする。そして、パネルキャパシタ(Cp)から放電する放電に寄与しないエネルギー、すなわち、無效電力の電圧成分は第2スイッチ(S272)、第5スイッチ(S275)のボディーダイオード、第2ダイオード(D272)及び第2インダクタ(L272)を経由してキャパシタ(Css)に回収される。
【0149】
t6時点で、第4スイッチ(S274)はターンオンする。そして、パネルキャパシタ(Cp)は基底電圧(GND)を維持する。
【0150】
本発明の実施形態に係る昇圧機能を持つエネルギー回収回路を利用した表示パネルのエネルギー効率化方法の動作過程を段階的に整理すると図30に示す通りである。
【0151】
表示パネルから放電に寄与しないエネルギー、すなわち、無效電力が回収されると、回収された無效電力を利用してキャパシタ(Css)が充電される(S301段階)。キャパシタ(Css)から放電する電荷が閉ループを循環することでインダクタ(L)に電流が蓄積される(S302段階)。引き継いて、電流パスの切り換えによりインダクタ(L)の電流が最大値になる時、インダクタ(L)に逆電圧が誘起されてこの逆電圧とキャパシタ(Cp)の電圧が加わることでパネルから回収されたエネルギーの電圧成分が昇圧する(S303段階)。このように昇圧された電圧でパネルキャパシタ(Cp)を充電する(S304段階)。パネルキャパシタ(Cp)の電圧がサステイン電位近に上昇した後、外部サステイン電圧源から供給されるサステイン電圧(Vs)によりパネルキャパシタ(Cp)はサステイン電位を維持する(S305段階)。
【0152】
上述したところのように、本発明による昇圧機能を持つエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法はエネルギー回収效率を高めることができるのは勿論、回収された電圧以上に昇圧された電圧を利用してパネルキャパシタを充電することで従来のエネルギー回収回路に比べてパネルキャパシタの充電時間をさらに短くして放電特性を向上させることができる。本発明による昇圧機能を持つエネルギー回収回路とこれを利用したエネルギー效率化方法はパネルのエネルギー回収パスと充電パス上に最小の素子のみを設置して必要なスイッチ素子の数を減らすことができ、また、従来のエネルギー回収回路に比べてスイッチ素子が減るだけスイチング損失エネルギーを減らすことができる。
【0153】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を一脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲によって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図2】 図1に示されたエネルギー回収回路の駆動波形図である。
【図3】 本発明の第1実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図4】 図3に示されたエネルギー回収回路の駆動波形図である。
【図5】 昇圧準備期間で図3に示されたエネルギー回収回路の等価回路図である。
【図6】 パネル昇圧及び充電期間で図3に示されたエネルギー回収回路の等価回路図である。
【図7】 パネルの放電エネルギーを回収する期間で図3に示されたエネルギー回収回路の等価回路図である。
【図8】 本発明の第2実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図9】 図8に示されたエネルギー回収回路の駆動波形図である。
【図10】 図8に示された第4スイッチの動作を示す波形図である。
【図11】 本発明の第3実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図12】 図11に示された第4スイッチの動作を示す波形図である。
【図13】 図11に示されたエネルギー回収回路の駆動波形図である。
【図14】 本発明の第4実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図15】 本発明の第5実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図16】 本発明の第6実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図17】 本発明の第7実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図18】 本発明の第8実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図19】 本発明の第9実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図20】 本発明の第10実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図21】 本発明の第11実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図22】 図21に示された第1及び第2インダクタのインダクタンス値により調整されるパネルキャパシタの立ち上がり時間と低下時間を示す波形図である。
【図23】 本発明の第12実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図24】 本発明の第13実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図25】 本発明の第14実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図26】 図25に示されたエネルギー回収回路の駆動波形図である。
【図27】 本発明の第15実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図28】 本発明の第16実施形態に係るエネルギー回収回路を示す回路図である。
【図29】 図28に示されたエネルギー回収回路の駆動波形図である。
【図30】 本発明の実施形態に係る昇圧機能を持つエネルギー回収回路を利用したエネルギー效率化方法の動作過程を段階的に示すフローチャートである。
Claims (18)
- プラズマディスプレイパネルにサステイン信号を供給するためのエネルギー回収回路であって、
前記パネルにサステイン電圧を供給するための電圧源と、
前記パネルから回収されるエネルギーを保存するキャパシタ及び前記キャパシタと共振回路とを構成する第1インダクタを含む昇圧回路と、を含み、
前記第1インダクタに流れる電流が増加して、前記第1インダクタに流れる電流の最高値より小さい第1電流となるまで、前記キャパシタから前記第1インダクタを通り前記キャパシタに戻る閉ループによって前記キャパシタから放電する電荷により前記第1インダクタに電流を充電させ、前記第1インダクタに流れる電流が、前記第1電流から増加して、前記第1インダクタに流れる電流の最高値を経て減少し0より大きな第2電流まで変化する区間に、前記第1インダクタに充電された電流を用いて、前記パネルに供給されるサステイン信号の電圧を前記サステイン電圧より低い第1電圧まで単調に増加させ、前記第1インダクタに流れる電流が前記第2電流となった時点で前記電圧源を用いて前記パネルに供給されるサステイン信号の電圧を前記第1電圧から前記サステイン電圧まで急激に上昇させることを特徴とするエネルギー回収回路。 - 前記昇圧回路内の前記第1インダクタと前記パネルとの間に接続した第1スイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記昇圧回路は、前記キャパシタと前記インダクタとの間に接続され、ターンオンして前記キャパシタ及び前記第1インダクタと共に閉ループを形成する第2スイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第2スイッチ素子は、前記第1インダクタに流れる電流が前記第1電流となった時点でターンオフされることを特徴とする請求項3に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第1スイッチ素子は、前記パネルから前記キャパシタにエネルギーを回収するためにターンオンされることを特徴とする請求項2に記載のエネルギー回収回路。
- 前記サステイン電圧源に接続されて、前記サステイン電圧を前記パネルに供給するためにターンオンされる第3スイッチをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記昇圧回路から前記パネルにエネルギーが供給される区間及び前記パネルから前記昇圧回路にエネルギーが回収される区間のうち、いずれか一つの区間に、前記第1インダクタに流れる電流の方向は変化しないことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記昇圧回路から前記パネルにエネルギーが供給される区間に前記第1インダクタに流れる電流の方向は、前記パネルから前記昇圧回路にエネルギーが回収される区間に前記第1インダクタに流れる電流の方向と互いに異なることを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記昇圧回路内の前記第1インダクタと前記パネルとの間で前記第1スイッチ素子と共にブリッジ形態に接続される複数のダイオードをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第1インダクタと前記第2スイッチ素子との間に接続され、前記第1インダクタに流れる電流が変化する間にターンオンされる第4スイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第1スイッチ素子と並列接続され、カソード端子が前記第1インダクタに接続され、アノード端子が前記パネルに接続されダイオードをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のエネルギー回収回路。
- 基底電圧源とパネル間に接続されて、前記パネルに基底電圧を印加するためにターンオンされる第5スイッチをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第1インダクタと並列接続され、前記第1インダクタと互いに異なるインダクタンスを有する第2インダクタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第1インダクタと前記キャパシタとの間にそのキャパシタから順方向となるように接続される第1ダイオードと、前記第1及び第2インダクタが並列接続されるノードと前記第2インダクタとの間に前記キャパシタへ逆方向となるように接続される第2ダイオードとをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のエネルギー回収回路。
- 前記昇圧回路にアノードが接続され、前記パネルにカソードが接続される第3ダイオードをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー回収回路。
- 前記第5スイッチと並列接続され、アノードが前記基底電圧源に接続された第4ダイオードをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のエネルギー回収回路。
- プラズマディスプレイパネルにサステイン信号を供給するための方法であって、
キャパシタと共振回路を形成する第1インダクタに流れる電流が増加して、前記第1インダクタに流れる電流の最高値より小さい第1電流になるまで、前記キャパシタから前記第1インダクタを通り前記キャパシタに戻る閉ループによって前記キャパシタから放電する電荷により前記第1インダクタに電流を充電させるステップと、
前記第1インダクタに流れる電流が前記第1電流から増加して、前記第1インダクタに流れる電流の最高値を経て減少し0より大きな第2電流まで変化する区間に、前記第1インダクタに充電された電流を前記パネルに供給して、前記サステイン信号の電圧を第1電圧まで単調増加させるステップと、
前記第1インダクタに流れる電流が前記第2電流となった時点で電圧源を用いて前記パネルに供給されるサステイン信号の電圧を前記第1電圧から前記サステイン電圧まで急激に上昇させるステップと、を含み、
前記第1電圧は、前記サステイン電圧より低いことを特徴とするエネルギー回収回路。 - 前記パネルから前記キャパシタにエネルギーを回収した後、前記キャパシタ及び前記インダクタを前記パネルと電気的に絶縁させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のエネルギー回収回路。
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