JP4293604B2 - 化合物半導体及びその製造方法 - Google Patents
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このように、高濃度のB及びPのガス原料がSi単結晶基板内に拡散するのが防止されるのは、3C−SiC単結晶層がSi単結晶基板に比べて緻密であることにより、3C−SiC単結晶層におけるB及びPの拡散速度がSi単結晶基板における拡散速度より大幅に遅いためと考えられる。
又、c−BP単結晶層及び3C−SiC単結晶の積層セットが複数セット形成されるので、ミスフィット転位が抑制され、化合物半導体を高品質のものとすることができる。
Si単結晶基板上に形成される3C−SiC単結晶層の厚さが、1nm未満であると、高濃度のB及びPの原料ガスがSi単結晶基板の内部に拡散するのを防止できない。一方、10μmを超えると、原料の浪費となる。
Si単結晶基板上に形成される3C−SiC単結晶層の厚さは、5nm〜5μmが好ましく、より好ましくは、10nm〜1μmである。
c−BP単結晶層の厚さが、1nm未満であると、無緩衝となる。一方、10μmを超えると、原料の浪費となる。
c−BP単結晶層の厚さは、5nm〜5μmが好ましく、より好ましくは10nm〜1μmである。
c−BP単結晶層上に形成される化合物半導体単結晶層の厚さが、1nm未満であると、化合物半導体の物性が発現しないこととなる。一方、500μmを超えると、原料の浪費となる。
c−BP単結晶層上に形成される化合物半導体単結晶層の厚さは、5nm〜400μmが好ましく、より好ましくは、10nm〜300μmである。
又、3C−SiC単結晶層及びc−BP単結晶層のこの順での形成を1セットとするセット数が、1セットであると、ミスフィット転位の発生抑制効果がない。一方、100セットを超える(合計膜厚が1000μmを超える)と、原料の浪費となる。
3C−SiC単結晶層及びc−BP単結晶層のこの順での形成を1セットとするセット数は、2〜50セットが好ましくは、より好ましくは3〜10セットである。
3C−SiC単結晶層の気相成長用の原料としては、CH3SiH3(MMS、モノメチルシラン)、又はC3H8(プロパン)及びSiH4(モノシラン)、その他が用いられる。
c−BP単結晶層の気相成長用の原料としては、B2H6(ジボラン)及びPH3(ホスフィン)又はBH3Cl1、BH2Cl2、BHCl3、BCl4等のボロン化物及びPH2Cl1、PHCl2、PCl3等のリン化物、その他が用いられる。
2H−GaN及びc−GaN単結晶層の気相成長の原料としては、Ga(CH3)3(TMG、トリメチルガリウム)及びNH3(アンモニア)、その他が用いられる。
なお、原料ガスのキャリアガスとしてはH2(水素ガス)が用いられる。
次に、CH3SiH3ガスを原料として(図2(a)参照)、Si単結晶基板2上に3C−SiC単結晶層3(図2(b)参照)を1μm程度の厚さに気相成長により積層した。 次いで、B2H6及びPH3をB及びPのガス原料として(図2(b)参照)、3C−SiC単結晶層3上に、c−BP単結晶層4(図2(c)参照)を、1μm程度の厚さに気相成長により積層した。
最後に、再度CH3SiH3を原料として(図2(c)参照)、c−BP単結晶層4上に3C−SiCからなる化合物半導体単結晶層5(図1参照)を10μm程度の厚さに気相成長により積層した。
あるいは、最後に、Ga(CH3)3及びNH3を原料として(図示せず)、最終サイクルのc−BP単結晶層4上に2H−GaNあるいはc−GaNからなる化合物半導体単結晶層5(図1参照)を10μm程度の厚さに気相成長により積層した。
なお、原料ガスのキャリアガスとしてH2を用いた。
がこの順での形成を1セットSとして2セットS形成され、かつ、最上セットSのc−BP単結晶層9上に、厚さ10μmの化合物半導体単結晶層10が形成されているものである。
次に、CH3SiH3ガスを原料として(図4(a)参照)、Si単結晶基板7上に3C−SiC単結晶層8(図4(b)参照)を1μm程度の厚さに気相成長により積層した。
次いで、B2H6及びPH3をB及びPのガス原料として(図4(b)参照)、3C−SiC単結晶層8上にc−BP単結晶層9(図4(c)参照)を1μm程度の厚さに気相成長により積層した。
そして、上述した3C−SiC単結晶層8及びc−BP単結晶層9をこの順での積層を1サイクルとしてもう1サイクル気相成長により積層した(図4(c)及び(d)参照)。
最後に、再度CH3SiH3を原料として(図4(e)参照)、最終サイクルのc−BP単結晶層9上に、3C−SiCからなる化合物半導体単結晶層10(図3参照)を、10μm程度の厚さに気相成長により積層した。
あるいは、最後に、Ga(CH3)3及びNH3を原料として(図示せず)、最終サイクルのc−BP単結晶層9上に2H−GaNあるいはc−GaNからなる化合物半導体単結晶層10(図3参照)を10μm程度の厚さに気相成長により積層した。
なお、原料ガスのキャリアガスとしてH2を用いた。
3 3C−SiC単結晶層
4 c−BP単結晶層
5 化合物半導体単結晶層
7 Si単結晶基板
8 3C−SiC単結晶層
9 c−BP単結晶層
10 化合物半導体単結晶層
S セット
Claims (4)
- Si単結晶基板上に厚さ1nm〜10μmの3C−SiC単結晶層が形成され、この3C−SiC単結晶層上に厚さ1nm〜10μmのc−BP単結晶層及び厚さ1nm〜500μmの化合物半導体単結晶層がこの順で形成され、化合物半導体は3C−SiC、c−GaN及び2H−GaNの何れか1又は2以上を含むことを特徴とする化合物半導体。
- Si単結晶基板上に厚さ1nm〜10μmの3C−SiC単結晶層及び厚さ1nm〜10μmのc−BP単結晶層がこの順での形成を1セットとして2〜100セット形成され、最上セットのc−BP単結晶層上に厚さ1nm〜500μmの化合物半導体単結晶層が形成され、化合物半導体は3C−SiC、c−GaN及び2H−GaNの何れか1又は2以上を含むことを特徴とする化合物半導体。
- Si単結晶基板上に1nm〜10μmの厚さの3C−SiC単結晶層を気相成長により積層した後、この3C−SiC単結晶層上に1nm〜10μmの厚さのc−BP単結晶層及び1nm〜500μmの厚さの化合物半導体単結晶層をこの順で気相成長により積層し、化合物半導体は3C−SiC、c−GaN及び2H−GaNの何れか1又は2以上を含むことを特徴とする化合物半導体の製造方法。
- Si単結晶基板上に1nm〜10μmの厚さの3C−SiC単結晶層及び1nm〜10μmの厚さc−BP単結晶層をこの順での積層を1サイクルとして2〜100サイクル気相成長により積層した後、最終サイクルのc−BP単結晶層上に1nm〜500μmの厚さの化合物半導体単結晶層を気相成長により積層し、化合物半導体は3C−SiC、c−GaN及び2H−GaNの何れか1又は2以上を含むことを特徴とする化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004069615A JP4293604B2 (ja) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | 化合物半導体及びその製造方法 |
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Publications (2)
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JP2005259996A JP2005259996A (ja) | 2005-09-22 |
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JP (1) | JP4293604B2 (ja) |
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JP2007095858A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス |
JP2007258347A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Nitto Koki Kk | 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置 |
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JP2005259996A (ja) | 2005-09-22 |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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