JP4286338B2 - 核医学診断装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、患者等の被検体に投与された放射性同位元素(ラジオアイソトープ、RI)により放出されるガンマ(γ)線のような放射線を1次元または2次元的に検出して被検体内のRI分布を得るための核医学診断装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
患者等の被検体に放射性同位元素(ラジオアイソトープ、RI)を注入し、その体内から放出されるガンマ線(γ)のような放射線を1次元または2次元検出器によって検出してRI分布を取得することにより、体内の病変部、血流量、脂肪酸代謝量等の機能分布像を表示するシングルフォトンエミッションコンピュータ断層法(SPECT)を用いたSPECT装置や、複数の検出器を備え、ポジトロン(陽電子)がエレクトロン(電子)と結合して消滅する際に180°方向に放出されるガンマ線を同時検出してイメージングを行う同時検出型ポジトロンエミッションコンピュータ断層法(PECT)を用いたPET装置が知られている。また、最近では、SPECTと同時検出型PETを行うために複数の検出器を備えたSPECT装置が知られるようになってきている。これらの装置全般を核医学診断装置と総称する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来のSPECT装置では、シンチレータと光電子増倍管(PMT)を複数ちょう密に配置してガンマ線を検出するアンガー型検出器が主流を占めていたが、SPECT装置が大型になっていた他、エネルギー分解能や計数特性等に限界があるため、現状以上の飛躍的な性能向上は望めなかった。
【0004】
一方、同時検出型PET装置では、酸化ビスマスゲルマニウム(BGO)検出器と光電子増倍管やフォトダイオードの組み合わせにより、ガンマ線が180°方向に放出されるタイミングを同時検出してイメージングを行う方法が主流である。
【0005】
さらに、最近では、複数の検出器を有するアンガー型検出器を用い、同時計数型PETをモード切替によって実現できる核医学診断装置が台頭し、主流になりつつある。
【0006】
しかし、いずれの核医学診断装置においても、ガンマ線を検出する検出器が主としてシンチレータで構成されており、この検出器に入射したガンマ線をシンチレータによって一旦微弱な光に変換し、この微弱な光を光電子倍増管やフォトダイオード等で電気信号に変換する必要がある。そのため、核医学診断装置が大型となり、またその性能に限界があった。
【0007】
そこで、注目されてきているのがテルル化カドミウム(CdTe)やテルル化カドミウム亜鉛(CdZnTe)等の半導体セルで構成されている半導体検出器である。この半導体検出器はガンマ線を直接に電気信号に変換するので(いわゆる直接変換型)、電気信号への変換効率がよく、しかも半導体セルでガンマ線を個別に検出できる。従って、このような半導体セルを1次元または2次元に複数配置して1次元または2次元検出器を構成することにより、エネルギー分解能や計数特性(時間分解能)の向上、および核医学診断装置の大幅な小型軽量化が期待されている。
【0008】
ところで、このような半導体検出器では、半導体セルに電圧印加電極および信号取り出し電極を形成し、その両端に所定の電圧を印加している。ガンマ線が半導体検出器に入射した場合、ガンマ線が半導体セルで吸収された時にそのエネルギー量に応じて発生する所定量の電荷が信号取り出し電極に誘導される。その誘導電荷をチャージアンプでチャージアップし、ピーク値がガンマ線のエネルギー値に反映する信号に変換する波形整形回路を通して適切な信号処理を行い、核医学診断用のRI画像を再構成している。
【0009】
しかし、電圧印加電極を介して半導体セルに印加される電圧に応じてガンマ線のエネルギー分解能や陽電子の発生時間を計測するための時間分解能が変化するが、このエネルギー分解能と時間分解能とはトレードオフの関係にあるのが一般的であるので、SPECTと同時計数型PETの兼用を望む場合においてはエネルギー分解能または時間分解能のどちらかの性能を犠牲にしなければならなかった。
【0010】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、被検体に投与されるRIの核種や半導体検出器の半導体セルに入射するガンマ線のエネルギーを基にして半導体セルに印加する電圧を調整することにより、収集の対象に応じてエネルギー分解能または計数特性(時間分解能)を向上させるとともに、小型軽量化が可能な核医学診断装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する放射線半導体検出器を備えた核医学診断装置において、前記放射線半導体検出器内の半導体セルに所定の電圧を印加する電圧印加手段と、シングルフォトンを対象とする収集を行う場合には前記半導体セルに第1の電圧を印加するように前記電圧印加手段の動作を制御し、ポジトロンを対象とする収集を行う場合には前記半導体セルに第2の電圧を印加するように前記電圧印加手段の動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0013】
請求項1に記載の発明の核医学診断装置において、請求項2に記載の発明は、前記第1の電圧は前記第2の電圧よりも低いことを特徴とする。
【0014】
上記課題を解決するために、請求項3に記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する放射線半導体検出器を備えた核医学診断装置において、前記放射線半導体検出器内の半導体セルに所定の電圧を印加する電圧印加手段と、放射線の入射計数率を基にして前記電圧印加手段によって印加される所定の電圧を調整する調整手段とを備え、前記調整手段は、放射線の入射計数率が低い場合には前記電圧印加手段によって前記半導体セルに印加される電圧を減少させ、放射線の入射計数率が高い場合には前記電圧印加手段によって前記半導体セルに印加される電圧を増加させることを特徴とする。
【0016】
請求項1から3までに記載の発明の核医学診断装置において、請求項4に記載の発明は、前記半導体セルはCdTeまたはCdZnTeによって構成されていることを特徴とする。
【0017】
請求項1から3までに記載の発明の核医学診断装置において、請求項5に記載の発明は、前記半導体セルはPIN構造を有していることを特徴とする。
【0018】
請求項1から3までに記載の発明の核医学診断装置において、請求項6に記載の発明は、前記電圧印加手段は−400Vから−1500Vの範囲内の負の電圧を前記半導体セルに印加することを特徴とする。
【0019】
請求項1から3までに記載の発明の核医学診断装置において、請求項7に記載の発明は、前記半導体セルに形成される電極は放射線の入射方向に対して水平方向に配置されていることを特徴とする。
【0020】
請求項1から3までに記載の発明の核医学診断装置において、請求項8に記載の発明は、前記半導体セルに形成される電極は放射線の入射方向に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする。
【0021】
請求項1から3までに記載の発明の核医学診断装置において、請求項9に記載の発明は、前記電圧印加手段によって前記半導体セルに印加される所定の電圧は、所定時間内に段階的に増加または減少させることによって調整されることを特徴とする。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0023】
図1および図2は本発明の実施の形態の核医学診断装置の構成を示すブロック図である。図1および図2において、本発明の実施の形態の核医学診断装置は、患者等の被検体から放出されたガンマ(γ)線のような放射線を検出する1次元または2次元に配置された複数の半導体セル1a、1b、・・・、1nと、電圧印加電極(陰極)30a、30b、・・・、30nを通して半導体セル1a、1b、・・・、1nに−400Vから−1500Vの範囲内の負の印加電圧(−HV)を印加する高電圧ユニット2と、信号取り出し電極(陽極)31a、31b、・・・、31nを通して半導体セル1a、1b、・・・、1nからの誘導電荷をチャージアップする複数のチャージアンプ3a、3b、・・・、3nと、チャージアンプ3a、3b、・・・、3nの出力を低速で波形整形する複数の低速波形整形回路4a、4b、・・・、4nと、チャージアンプ3a、3b、・・・、3nの出力を高速で波形整形する複数の高速波形整形回路5a、5b、・・・、5nと、低速波形整形回路4a、4b、・・・、4nの出力波形のピーク値を検出して記憶する複数のピークホールド(P/H)回路6a、6b、・・・、6nと、高速波形整形回路5a、5b、・・・、5nの出力を予め設定されている直流(DC)電圧と比較する複数の比較器7a、7b、・・・、7nと、ピークホールド(P/H)回路6a、6b、・・・、6nの出力を選択するセレクタ8と、比較器7a、7b、・・・、7nの出力を基にしてアドレス信号およびトリガ出力A信号を出力するタイミング制御回路9と、セレクタ8から出力されたエネルギー信号をA/D(アナログ/デジタル)するA/D変換器10と、タイミング制御回路9から出力されたアドレス信号およびトリガ出力Aを基にしてA/D変換器10から出力されたエネルギー情報のゲイン調整やオフセット調整を行う補正回路11と、補正回路11の出力に対してエネルギー弁別処理を行う核医学専用のパルスハイトアナライザ12と、同時検出型PET(ポジトロンエミッションコンピュータ断層法)において上述した回路系と同様な構成を有する別の回路系のタイミング制御回路(図示しない)から出力されるトリガ出力B信号とタイミング制御回路9から出力されるトリガ出力A信号の発生のタイミングを確認するタイミングアナライザ13と、タイミングアナライザ13の出力を基にして同時発生したかどうかを判定する同時計数判定回路14と、パルスハイトアナライザ12の出力を基にして画像演算を行う画像演算ユニット15と、画像演算ユニット15で得られた演算結果を記憶する画像メモリ16と、核医学診断装置全体の制御を行うCPU(中央処理ユニット)17と、SPECT(シングルフォトンエミッションコンピュータ断層法)や同時検出型PETにおける収集制御を行う収集制御ユニット18と、メモリ19と、オペレータによってSPECTや同時計数型PETの収集指示に関する収集指示情報、被検体に投与される放射性同位元素(ラジオアイソトープ、RI)の核種や被検体から放出されるガンマ線のエネルギーに関する核種/エネルギー情報等を入力するためのキーボード20と、モニタ21と、キーボード20から入力された核種/エネルギー情報に応じてRIの核種やガンマ線のエネルギーを識別し、その識別結果を基にして半導体セル1a、1b、・・・、1nに印加するための印加電圧を示す電圧情報を高電圧ユニット2に出力する核種/エネルギー識別回路22とによって構成されている。
【0024】
なお、同時検出型PET等においては、1次元または2次元に配置された複数の半導体セルによってそれぞれ構成される2つの半導体検出器を被検体を挟んで対向設置させる必要があるので、上述したガンマ線の検出/信号処理のための回路系が2系統設けられる。これにより、SPECTおよび同時検出型PETの両方を最適に実行することが可能となる。
【0025】
ここで、本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器について説明する。
【0026】
半導体検出器に用いられる半導体セルは、一般的には、テルル化カドミウム(CdTe)またはテルル化カドミウム亜鉛(CdZnTe、CZT)等の半導体によってそれぞれ構成されている。このような半導体セルを核医学診断装置用の検出器に応用する場合には、(1)図3(a)に示すように、被検体に注入されたRIから放出されるガンマ線の入射方向に対して電圧印加電極および信号取り出し電極(どちらの電極も例えば白金(Pt)で構成される)を垂直方向にしてCZT結晶の半導体セルを挟んで1次元または2次元に配置する、または、(2)図3(b)に示すように、ガンマ線の入射方向に対して電圧印加電極(例えばPtで構成される)および信号取り出し電極(例えばインジウム(In)で構成される)を水平方向にしてCdTe結晶の半導体セルを挟んで1次元または2次元に配置することが可能である。
【0027】
図4は本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる図3に示す半導体セルに接続されているチャージアンプの出力経過を示す図である。図4(a)は図3(a)に示すように電圧印加電極および信号取り出し電極がガンマ線の入射方向に対して垂直方向に配置された半導体セルからの電荷をチャージアップしたチャージアンプの出力経過を示し、図4(b)は図3(b)に示すように電圧印加電極および信号取り出し電極がガンマ線の入射方向に対して水平方向に配置された半導体セルからの電荷をチャージアップしたチャージアンプの出力経過を示している。なお、図4(a)および図4(b)において、縦軸はチャージアンプの出力を示し、横軸はガンマ線の半導体セルへの入射時(吸収時)からの経過時間を示している。
【0028】
図3(a)に示す構成では、電圧印加電極および信号取り出し電極の配置によって半導体セル内の電場を歪ませ、ホールの移動をキャンセルするので、図4(a)に示すように、電子の移動時間のみでチャージアンプのチャージアップ時間が決定される。従って、ガンマ線の半導体セルへの入射タイミングを正確に計測する場合には、この構成は適していない。
【0029】
一方、図3(b)に示す構成では、高電圧下でホールおよび電子がすべて電荷として誘導されるため、図4(b)に示すように、チャージアンプの出力波形の初期の立ち上がりは遅くなる。なお、ガンマ線が陰極の真下で吸収された場合にはこの初期の立ち上がり時間(傾き)はほぼ電子の移動速度で決まり、ガンマ線が陽極の真下で吸収された場合にはこの初期の立ち上がり時間はほぼホールの移動速度で決まるが、時間分解能を1nsec以下にすることも可能である。従って、このような構成は、ガンマ線の半導体セルへの入射タイミングを正確に計測する場合にも適している。
【0030】
図5は本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器において図3に示すように電圧印加電極および信号取り出し電極が配置された半導体セルのエネルギーバンド構造を示す図である。なお、図5(a)は図3(a)に示す構成の半導体セルのエネルギーバンド構造を示し、図5(b)は図3(b)に示す構成の半導体セルのエネルギーバンド構造を示している。図5(a)に示すエネルギーバンド構造の場合と比較して、図5(b)に示すエネルギーバンド構造の場合には、エネルギーギャップが大きいので(0.3eVに対して1.1から1.2eV)、ホールがノイズとなるのが軽減され、半導体セルからの暗電流(リーク電流)が少なくなる。
【0031】
本発明は、図3(a)および図3(b)に示すような構成を有する半導体検出器のいずれにも有効であるが、上述したように、例えばCdTe結晶で構成された半導体セルをPIN構造とし、陰極側電極をPt、陽極側電極をInとして、半導体セルからの暗電流を大幅に減少させるような図5(b)に示すエネルギーバンド構造を半導体検出器が有する場合には、特に有効となる。これは、CdTe結晶の半導体セルをPIN構造として暗電流を低減させたことにより、従来のCdTe結晶の半導体セルでは印加されていなかった電圧範囲である−400Vから−1500Vの範囲内の電圧を0.5mmから1.5mm程度の範囲内の厚さを有する半導体セルに印加可能であるからである。これにより、ガンマ線が半導体セル内で吸収されることにより発生するホールと電子に関する情報が途中で消滅することなく電荷として信号取り出し電極に誘導されるので、エネルギー分解能が向上し、チャージアンプにおける誘導電荷のチャージアップ速度が半導体セル内でのガンマ線の吸収時間を反映しながら大幅に増加する。
【0032】
なお、半導体検出器の半導体セルに印加される印加電圧とその半導体セルで発生する暗電流との関係は次の通りである。すなわち、半導体セルがCdTe結晶で構成され、PIN構造を有する場合、この半導体セルに対する印加電圧を増加させていくと半導体セルでの暗電流が増加し、その結果としてエネルギー分解能が劣化していく。しかし、この場合、半導体セルからの電荷がチャージアンプに誘導される時間は短くなるので、陽電子の発生した時間を計測するための時間分解能は向上する。これらのことから、エネルギー分解能と時間分解能とは反比例の関係にあることがわかる。
【0033】
図1および図2に示す本発明の実施の形態の核医学診断装置において、核種/エネルギー識別回路22は、被検体に投与されるRIの核種や被検体から放出されるガンマ線のエネルギーに関する核種/エネルギー情報と印加電圧を示す電圧情報とを対応付けして記憶したテーブル22aを備えており、医師やオペレータ等によってキーボード20からキー入力された核種/エネルギー情報を基にテーブル22aを参照して、半導体セル1a、1b、・・・、1nに印加する印加電圧を示す電圧情報を高電圧ユニット2に出力する。
【0034】
高電圧ユニット2は、半導体セル1a、1b、・・・、1nに印加する負の印加電圧を調整する電圧制御部2aを備えており、核種/エネルギー識別回路22から出力された電圧情報を基にして電圧制御部2aにより印加電圧を調整してその印加電圧を半導体セル1a、1b、・・・、1nに印加する。
【0035】
次に、本発明の実施の形態の核医学診断装置の作用について説明する。
【0036】
まず、被検体に所定のRIを投与し、1次元または2次元に配置されたCdTe結晶の半導体セル1a、1b、・・・、1nを備えた半導体検出器を被検体に近接して設置した後、SPECTや同時計数型PETの収集指示に関する収集指示情報、被検体に投与されるRIの核種や被検体から放出されるガンマ線のエネルギーに関する核種/エネルギー情報等が医師やオペレータ等によってキーボード20からキー入力された場合、核種/エネルギー情報はCPU17を介して核種/エネルギー識別回路22に入力される。また、収集指示情報を受けたCPU17は本発明の実施の形態の核医学診断装置の各部に動作指示を与える。
【0037】
核種/エネルギー識別回路22では、テーブル22aを参照して、キーボード20から入力された核種/エネルギー情報を基に対応する印加電圧を示す電圧情報が読み出され、その電圧情報が高電圧ユニット2の電圧制御部2aに出力される。
【0038】
高電圧ユニット2の電圧制御部2aでは、核種/エネルギー識別回路22から出力された電圧情報を基にして負の印加電圧が調整され、調整された負の印加電圧(−HV)が電圧印加電極30a、30b、・・・、30nを通して半導体セル1a、1b、・・・、1nに印加される。
【0039】
被検体から放出されたガンマ線が半導体セル1a、1b、・・・、1nに入射した場合には、入射したガンマ線が印加電圧が印加されている半導体セル1a、1b、・・・、1n内で吸収された時にそのエネルギー量に応じて発生する所定量の電荷が信号取り出し電極31a、31b、・・・、31nに誘導される。その誘導電荷はチャージアンプ3a、3b、・・・3nによりチャージアップされる。
【0040】
チャージアンプ3a、3b、・・・3nの出力は、入射したガンマ線が半導体セル1a、1b、・・・、1n内で吸収されることにより発生するホールと電子に関する情報をすべて収集することにより損失なく十分なエネルギー分解能を得るための比較的低速の低速波形整形回路4a、4b、・・・4nと、ガンマ線が半導体セル1a、1b、・・・、1n内で吸収された時間をできるだけ正確に計測するための比較的高速の高速波形整形回路5a、5b、・・・、5nとに入力される。
【0041】
低速波形整形回路4a、4b、・・・4nでは、チャージアンプ3a、3b、・・・3nの出力は低速で波形整形されてそのピーク値がガンマ線のエネルギー値を反映する信号に変換される。
【0042】
ピークホールド(P/H)回路6a、6b、・・・、6nでは、低速波形整形回路4a、4b、・・・4nの出力波形のピーク値を検出して記憶する。このピーク値がガンマ線のエネルギー値を反映する情報となる。
【0043】
一方、高速波形整形回路5a、5b、・・・、5nでは、チャージアンプ3a、3b、・・・3nの出力は高速で波形整形されてガンマ線の半導体セル内での吸収時間に関する信号に変換される。
【0044】
図6は本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器を構成する半導体セルに印加する印加電圧を変えた場合の低速波形整形回路および高速波形回路の出力波形を示す図である。図6において、縦軸は低速波形整形回路および高速波形回路の出力電圧を示し、横軸はガンマ線の半導体セルへの入射時(吸収時)からの経過時間を示している。図6から、半導体セルに印加する印加電圧が低い場合と比較して、半導体セルに印加する印加電圧が高い場合の出力信号は早い時間で現れていることがわかる。
【0045】
比較器7a、7b、・・・、7nでは、高速波形整形回路5a、5b、・・・、5nの出力が予め設定されているDC電圧(閾値レベル)と比較され、その比較結果を基にしてガンマ線の半導体セル内での吸収時間を反映したタイミング信号が出力される。なお、このDC電圧は、一般的には、半導体セル内における暗電流や後段の回路系のノイズ成分を反映するレベルよりも少し高いレベルに設定されるが、ノイズ成分のレベルは半導体セルに印加する印加電圧が低いと低くなる。
【0046】
図7は本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器を構成する半導体セルに印加する印加電圧を変えた場合の高速波形整形回路および比較器の出力波形を示す図である。図7において、上に示すグラフAの縦軸は高速波形整形回路の出力電圧を示し、下に示すグラフBの縦軸は比較器の出力電圧を示し、グラフAおよびBの横軸はガンマ線の半導体セルでの吸収時からの経過時間を示している。
【0047】
図7からわかるように、半導体セルに印加する印加電圧を高くすれば、高速波形整形回路から出力されたパルス信号の立ち上がりが早くなり、DC電圧よりも出力電圧が大きくなった時点で比較器からタイミング信号が出力されることになる。これにより、ガンマ線が半導体セルで吸収された時間を正確に計測したい場合には、半導体セルに印加する印加電圧を高くすれば、計測時間の精度がより良くなる。
【0048】
なお、この計測時間には、ガンマ線が半導体セルで実際に吸収された時間よりも多少遅延時間が存在するが、この遅延時間が存在することは同時検出PETの場合においてはあまり重要な点ではない。むしろ、ガンマ線が半導体セルで実際に吸収された時間から一定の遅延時間が経過した後に高速波形整形回路からパルス信号が出力されることの方が重要であり、その意味では、パルス信号がそのパルス幅が短く高速になる方が優位である。
【0049】
本発明では、半導体セル1a、1b、・・・1nに印加する印加電圧をRIの核種やガンマ線のエネルギーに応じて調整しているため、低速波形整形回路4a、4b、・・・、4nおよびピークホールド回路6a、6b、・・・6nの時定数は、最も遅く現れる信号に対しても十分にエネルギー分解能が良くなるようにそれぞれ設定される。
【0050】
ピークホールド回路6a、6b、・・・、6nの出力はアナログスイッチ等によって構成されているセレクタ8に入力される。セレクタ8は、外部クロック信号に同期して繰り返し動作し、ピークホールド回路6a、6b、・・・、6nの出力をエネルギー信号としてA/D変換器10に順次周期的に出力する。
【0051】
また、比較器7a、7b、・・・、7nの出力はタイミング制御回路9に入力される。タイミング制御回路9は、比較器7a、7b、・・・、7nの出力状況に応じて、ガンマ線が吸収された半導体セル1a、1b、・・・、1nの位置(チャネル)を示すアドレス信号とガンマ線が半導体セルに吸収されたことを示すトリガ出力A信号を出力する。なお、例えば、同時に多チャネルにガンマ線が入射して複数の比較器から同時に出力が発生した場合には、予め設定された条件を基にしてその中の1つのチャネルをガンマ線が入射したチャネルとし、そのチャネルのアドレス信号が出力される。
【0052】
セレクタ8から出力された各チャネルにおけるガンマ線のエネルギー値を反映したエネルギー信号は、外部クロック信号に同期してA/D変換器10によってA/D変換された後、タイミング制御回路9において随時発生するトリガ出力A信号およびアドレス信号を基にしてエネルギー情報として補正回路11に入力される。
【0053】
なお、タイミング制御回路9の基本的な時定数は、半導体セル1a、1b、・・・、1nに印加される印加電圧に応じてCPU17の制御の下で最適になるように調整することが可能であるが、固定しておくことも可能である。
【0054】
補正回路11は、ゲイン調整やオフセット調整のための補正テーブル(図示しない)を有しており、この補正テーブルを参照することによりA/D変換器10から出力されたエネルギー情報に対してリアルタイムでゲイン調整やオフセット調整を行う。
【0055】
補正回路11の出力は核医学専用のパルスハイトアナライザ12に入力され、パルスハイトアナライザ12においてエネルギー弁別処理が実行される。なお、このエネルギー弁別処理において必要なウインドウレベルは、医師やオペレータ等によりキーボード20から入力されるRIの核種、ガンマ線のエネルギー、さらに収集ウインドウ値に関する情報に応じて、CPU17によりDCレベルのデジタル値としてパルスハイトアナライザ12に入力される。パルスハイトアナライザ12はウインドウレベルに対応する関心ウインドウ内のガンマ線のエネルギー情報のみを画像演算ユニット15に出力する。
【0056】
画像演算ユニット15では、パルスハイトアナライザ12から出力されたエネルギー情報に対して縮小/拡大処理、スムージング処理、回転処理、再構成処理等の画像演算処理が行われる。これらの処理により得られた画像データ等は画像メモリ16に記憶される。
【0057】
なお、陽電子の発生タイミングを検出する必要がある同時計数型PETの場合には、次のような処理が行われる。
【0058】
まず、半導体セル1a、1b、・・・、1nで構成される半導体検出器とは別の複数の半導体セルで構成される半導体検出器に接続されている上述した回路系と同様な構成を有する別の回路系のタイミング制御回路から出力されるトリガ出力B信号とタイミング制御回路9から出力されるトリガ出力A信号とがタイミングアナライザ13に入力された場合、タイミングアナライザ13では、トリガー出力A信号およびトリガー出力B信号の発生のタイミングが確認される。
【0059】
タイミングアナライザ13によって確認されたトリガー出力A信号およびトリガー出力B信号の発生のタイミングを示すタイミング情報は同時計数判定回路14に入力される。同時計数判定回路14は、予め設定されている所定の時間ウインドウ(通常、数100psecから15psecの範囲)内でトリガー出力A信号およびトリガー出力B信号が同時に発生したと判定した場合にのみ、パルスハイトアナライザ12に対してエネルギー弁別処理の実行を許可する許可信号を出力する。
【0060】
パルスハイトアナライザ12では、同時計数判定回路14から許可信号を受けた場合に、エネルギー弁別処理を実行することにより得られたガンマ線のエネルギー情報が画像演算ユニット15に出力される。これにより、種々の画像演算処理が画像演算ユニット15によって行われ、その処理結果が同時検出型PETに関する画像情報として画像メモリ16に記憶される。
【0061】
ところで、以上のように構成された本発明の実施の形態の核医学診断装置において、医師やオペレータ等がどのような収集を行うかは、キーボード20やモニタ21等によって構成されるオペレータコンソールにおいて設定され、CPU17によって集中管理するのが一般的である。そのため、被検体に投与されるRIの核種、半導体セルに入射するガンマ線のエネルギー、SPECTによるシングルフォトンを対象とした収集または同時検出型PETによるポジトロン(陽電子)を対象とした収集の区別等は医師やオペレータにとっては事前に認識可能である。
【0062】
従って、従来と同様に、上述したガンマ線の検出/処理回路系に対しての条件設定にそれらに関する情報を用いる他、本発明のように、それらに関する情報を基にして、SPECTによるシングルフォトンを対象とする収集の場合には半導体セルに印加する印加電圧を比較的低く設定するように高電圧ユニット2に対して指示を行う。この結果、半導体セルにおける暗電流が減少し、エネルギー分解能が最良となる。
【0063】
しかし、上述のように比較的低く設定された印加電圧を半導体セルに印加した状態で同時計数型PETによる陽電子を対象とした収集を行うと、チャージアンプに全電荷が誘導されるまでの時間がかかり過ぎる。そのため、非常に多くのランダムなガンマ線の同時検出に関する情報の中から数少ない(約1%前後)真の同時検出に関する情報のみを検出するための高計数特性(高時間分解能)が得られない。以上のことから、同時検出型PETによる収集を行う場合にのみ半導体セルに印加する印加電圧を増加させることにより、半導体セルにおける暗電流が増え、エネルギー分解能が劣化するという状態の下で同時検出型PETにおける収集効率を向上させることができる。
【0064】
また、本発明では、SPECTによるシングルフォトンを対象とした収集のみを行う核医学診断装置においても、アンガー型ガンマカメラにおいて考案されたバリアブルサンプリング方式と同様に、計数率特性(入射計数率)が高い場合には半導体セルに印加する印加電圧を増加させて信号処理速度を上げるようにし、計数率特性(入射計数率)が低い場合には、その印加電圧を減少させて可能な限りエネルギー分解能の向上を優先させることが可能である。これにより、CPUの監視下において、計数率特性を基にして半導体セルに対する最適な印加電圧を自動的に調整することもできる。
【0065】
さらに、一般的に、チャージアンプは、高い印加電圧の切換によって生じる半導体セルにおける浮遊容量を介した過電流により破壊されることが多く、半導体セルに長時間にわたって高い印加電圧を印加し続けた場合にはチャージアップ現象により出力ゲインが変化していく。これを防ぐために、CPUの制御の下で、SPECTやPETによる収集前または収集後、場合によっては収集の合間において、印加電圧を随時オン/オフし、また、図8に示すように、印加電圧の立ち上げおよび立ち下げをチャージアンプの破壊が起こらないように徐々に行い、例えばSPECTによる収集からPETによる収集において印加電圧の切換を行うようなシーケンスを実行させる。
【0066】
このように構成された核医学診断装置をSPECT/PETシステムやSPECTシステムに適用することにより、それぞれの収集条件に応じた最適な収集を比較的低コストで簡便に実現することが可能となる。
【0067】
また、本発明の実施の形態の核医学診断装置において半導体検出器の温度を常温よりも低くするような温度制御機構を設けることにより、半導体セルに高い印加電圧が印加された場合においても半導体セルにおける暗電流の増加を抑えることができ、本発明の実施の形態の核医学診断装置の性能を最大限に向上させることができる。
【0068】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、核医学診断装置に用いられる半導体検出器の半導体セルに印加する印加電圧を必要に応じて調整することにより以下のような利点が得られる。
【0069】
(1)SPECT等のシングルフォトンの収集においてその計数率特性に応じた最適のエネルギー分解能と感度を簡便に安価に実現できる。
【0070】
(2)SPECTと同時検出型PETが実現可能な核医学診断装置において、簡単な切り替えにより両者の性能の最適化を図ることができる。
【0071】
(3)半導体セルに印加する印加電圧の立ち上げまたは立ち下げ時に起こるチャージアンプの破壊を防止できる。
【0072】
(4)現状のアンガー型ガンマカメラで実現されているSPECTや同時検出型PETによる収集を飛躍的に向上させることが可能となる。
【0073】
本発明では、例えば、エネルギー分解能は99m−Tcで5%以下(従来では10%程度)、最高到達計数率は10Mcps以上(従来では2Mcps程度)、同時検出型PETの時間分解能は1nsec以下(従来では15nsec程度)である。その結果、収集感度を数倍に向上させ、画像の定量性を向上させ、多核種に関する収集の精度を向上させ、同時検出型PETにおいて得られる画像のノイズを飛躍的に減少させることができる。さらに、核医学診断装置の性能を向上させることにより、TOF(Time of Fight)法に基づく陽電子の発生位置のある程度の推定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の核医学診断装置の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態の核医学診断装置の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器の構成を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる図3に示す半導体検出器に接続されているチャージアンプの出力経過を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器において図3に示すように電圧印加電極および信号取り出し電極が配置された半導体セルのエネルギーバンド構造を示す図である。
【図6】本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器を構成する半導体セルに印加する印加電圧を変えた場合の低速波形整形回路および高速波形回路の出力波形を示す図である。
【図7】本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器を構成する半導体セルに印加する印加電圧を変えた場合の高速波形整形回路および比較器の出力波形を示す図である。
【図8】本発明の実施の形態の核医学診断装置に用いられる半導体検出器を構成する半導体セルに印加する印加電圧のシーケンスを説明するための図である。
【符号の説明】
1a、1b、1n 半導体セル
2 高電圧ユニット
2a 電圧制御部
3a、3b、3n チャージアンプ
4a、4b、4n 低速波形整形回路
5a、5b、5n 高速波形整形回路
6a、6b、6n ピークホールド回路
7a、7b、7n 比較器
8 セレクタ
9 タイミング制御回路
10 A/D変換器
11 補正回路
12 パルスハイトアナライザ
13 タイミングアナライザ
14 同時計数判定回路
15 画像演算ユニット
16 画像メモリ
17 CPU
18 収集制御ユニット
20 キーボード
22 核種/エネルギー識別回路
22a テーブル
30a、30b、30n 電圧印加電極
31a、31b、31n 信号取り出し電極
Claims (9)
- 被検体から放出された放射線を検出する放射線半導体検出器を備えた核医学診断装置において、前記放射線半導体検出器内の半導体セルに所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
シングルフォトンを対象とする収集を行う場合には前記半導体セルに第1の電圧を印加するように前記電圧印加手段の動作を制御し、ポジトロンを対象とする収集を行う場合には前記半導体セルに第2の電圧を印加するように前記電圧印加手段の動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする核医学診断装置。 - 前記第1の電圧は前記第2の電圧よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の核医学診断装置。
- 被検体から放出された放射線を検出する放射線半導体検出器を備えた核医学診断装置において、
前記放射線半導体検出器内の半導体セルに所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
放射線の入射計数率を基にして前記電圧印加手段によって印加される所定の電圧を調整する調整手段とを備え、前記調整手段は、放射線の入射計数率が低い場合には前記電圧印加手段によって前記半導体セルに印加される電圧を減少させ、放射線の入射計数率が高い場合には前記電圧印加手段によって前記半導体セルに印加される電圧を増加させることを特徴とする核医学診断装置。 - 前記半導体セルはCdTeまたはCdZnTeによって構成されていることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の核医学診断装置。
- 前記半導体セルはPIN構造を有していることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の核医学診断装置。
- 前記電圧印加手段は−400Vから−1500Vの範囲内の負の電圧を前記半導体セルに印加することを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の核医学診断装置。
- 前記半導体セルに形成される電極は放射線の入射方向に対して水平方向に配置されていることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の核医学診断装置。
- 前記半導体セルに形成される電極は放射線の入射方向に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の核医学診断装置。
- 前記電圧印加手段によって前記半導体セルに印加される所定の電圧は、所定時間内に段階的に増加または減少させることによって調整されることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の核医学診断装置。
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